JP2019109767A - 検出装置及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】静電気等の電磁ノイズに対する耐性を向上させることができる検出装置及び表示装置を提供する。【解決手段】検出装置は、基板と、基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、金属配線と接して重畳する第１導電層と、金属配線及び第１導電層の上側に設けられる第２導電層と、を有し、第１導電層は、金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、第２導電層の第２実効シート抵抗値は、金属配線と接した第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高く、前記第１実効シート抵抗値は、１０８Ω／□以上、１０１１Ω／□以下である。【選択図】図４

Description

本発明は、検出装置及び表示装置に関する。

近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、タッチ検出機能付き表示装置として用いられている。下記特許文献１には、薄型化、大画面化又は高精細化のため、検出電極に金属材料を使用したタッチ検出機能付き表示装置が記載されている。特許文献２のタッチ検出装置では、金属配線を有する検出電極に接して導電層が設けられている。これにより、検出電極に電荷が帯電することを抑制できる。

特開２０１４−１０９９０４号公報 特開２０１７−２１５３１号公報

特許文献１のタッチ検出機能付き表示装置は、タッチ検出電極が細幅の金属配線を有しており、タッチ検出電極の面積が小さくなっている。このため、タッチ検出機能付き表示装置の製造時及び使用時においてタッチ検出電極に静電気が印加された場合、タッチ検出電極に帯電した電荷が外部に流れにくくなり、タッチ検出精度又は表示装置の表示性能が低下する可能性がある。特許文献２のタッチ検出装置では、導電層にピンホールなどが存在した場合に局所的に帯電する部分が発生する可能性がある。

本発明は、静電気などの電磁ノイズに対する耐性を向上させることができる検出装置及び表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様の検出装置は、基板と、前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、前記金属配線と接して重畳する第１導電層と、前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられる第２導電層と、を有し、前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記金属配線と接した前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高く、前記第１実効シート抵抗値は、１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下である。

本発明の一態様の検出装置は、基板と、前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、前記金属配線と離隔して重畳する第１導電層と、前記金属配線及び前記第１導電層よりも上側に設けられる第２導電層と、を有し、前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高く、前記第１実効シート抵抗値は、１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下である。

本発明の一態様の表示装置は、上記の検出装置と、前記基板と平行な面上において、前記検出電極と対向して行列配置された複数の画素電極と、画像信号に基づいて駆動される表示機能層と、前記基板と平行な面上に設けられ、前記画素電極との間に横電界を発生させる駆動電極と、を有し、前記横電界により前記表示機能層を駆動する。

図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示すブロック図である。 図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。 図３は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。 図４は、第１実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図５は、第１実施形態に係る表示装置の画素配列を表す回路図である。 図６は、第１実施形態に係る表示装置の第１基板の平面図である。 図７は、第１実施形態に係る表示装置の第２基板の平面図である。 図８は、図７に示す領域Ｒａを拡大して示す平面図である。 図９は、第１実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。 図１０は、第１導電層及び第２導電層の実効シート抵抗値と、タッチ特性、光学特性及び帯電ムラの評価結果との関係を示す表である。 図１１は、第２実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。 図１２は、第３実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。 図１３は、第４実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図１４は、第４実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。 図１５は、第５実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。 図１６は、第６実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図１７は、第６実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。 図１８は、第７実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図１９は、第７実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。 図２０は、第８実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図２１は、第８実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。 図２２は、第９実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。 図２３は、第１０実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。 図２４は、第１１実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。 図２５は、第１２実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。 図２６は、第１３実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。 図２７は、第１４実施形態に係る表示装置の第１基板の平面図である。 図２８は、第１４実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図２９は、第１５実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図３０は、第１６実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示すブロック図である。図１に示すように、表示装置１は、表示部１０と、制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、駆動電極ドライバ１４と、検出部４０とを備えている。

表示装置１は、表示部１０がタッチ検出機能を内蔵した表示装置である。表示部１０は、表示パネル２０と、タッチパネル３０とを一体化した装置である。具体的には、表示部１０において、表示パネル２０の電極や基板等の部材の一部が、タッチパネル３０の電極や基板等に兼用される。なお、表示部１０は、表示パネル２０の上にタッチパネル３０を装着した装置であってもよい。本実施形態では、表示パネル２０は、表示機能層として液晶層が用いられる液晶表示装置である。タッチパネル３０は、静電容量型のタッチ検出装置である。また、表示パネル２０は、例えば、有機ＥＬ表示パネルであってもよい。

表示パネル２０は、ゲートドライバ１２から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って、１水平ラインずつ順次走査して表示を行う。制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４及び検出部４０に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して動作するように制御する回路である。

ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、表示部１０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有している。

ソースドライバ１３は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、表示部１０の、各副画素ＳＰｉｘ（図５参照）に画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。

駆動電極ドライバ１４は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、表示部１０の駆動電極ＣＯＭＬ（図６参照）に駆動信号Ｖｃｏｍを供給する回路である。なお、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３及び駆動電極ドライバ１４の機能の一部は表示部１０に搭載されていてもよい。

タッチパネル３０は、静電容量型タッチ検出の基本原理に基づいて動作し、相互静電容量方式（ミューチュアル方式ともいう）によりタッチ検出動作を行う。これにより、表示領域に対する指等の被検出体の接触又は接近を検出する。なお、本実施形態では、検出装置の一例としてタッチパネル３０を例示しているが、他の検出装置であってもよい。例えば、検出装置は、表示領域に接触しない状態の指や手の位置を検出できる、いわゆるホバー検出が可能な装置であってもよい。また、指等の表面の凹凸による容量変化を細かいピッチで検出可能な指紋検出装置等であってもよい。

検出部４０は、制御部１１から供給される制御信号と、タッチパネル３０から供給される検出信号Ｖｄｅｔ１に基づいて、タッチパネル３０に対するタッチの有無を検出する回路である。また、検出部４０は、タッチがある場合においてタッチ入力が行われた座標などを求める。

検出部４０は、検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６とを備える。検出タイミング制御部４６は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。

タッチ検出において、検出信号増幅部４２は、表示部１０から供給された検出信号Ｖｄｅｔ１を増幅する。Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍに同期したタイミングで、検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。

信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、表示部１０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指による検出信号の差分の信号（絶対値｜ΔＶ｜）を取り出す処理を行う。信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較し、この絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧未満であれば、被検出体が非接触状態であると判断する。一方、信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧以上であれば、被検出体の接触状態又は近接状態と判断する。このようにして、検出部４０はタッチ検出が可能となる。

座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を出力信号Ｖｏｕｔとして出力する。座標抽出部４５は、出力信号Ｖｏｕｔを制御部１１に出力してもよい。制御部１１は出力信号Ｖｏｕｔに基づいて、所定の表示動作又は検出動作を実行することができる。

上述のとおり、タッチパネル３０は、静電容量型タッチ検出の基本原理に基づいて動作する。ここで、図２を参照して、本実施形態の表示部１０の相互静電容量方式によるタッチ検出の基本原理について説明する。図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。なお、図２は、検出回路を併せて示している。また、以下の説明では、被検出体として指が接触又は近接する場合を説明するが、指に限られず、例えばスタイラスペン等の導体を含む物体であってもよい。

例えば、図２に示すように、容量素子Ｃ１は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の電極、駆動電極Ｅ１及び検出電極Ｅ２を備えている。容量素子Ｃ１は、駆動電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との対向面同士の間に形成される電気力線（図示しない）に加え、駆動電極Ｅ１の端部から検出電極Ｅ２の上面に向かって延びるフリンジ分の電気力線が生じる。容量素子Ｃ１は、その一端が交流信号源（駆動信号源）に接続され、他端は電圧検出器ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば、図１に示す検出部４０に含まれる積分回路である。

交流信号源から駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加される。電圧検出器ＤＥＴには、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動に変換する。なお、この交流矩形波Ｓｇは、駆動電極ドライバ１４から入力される駆動信号Ｖｃｏｍに相当するものである。

接触状態では、図２に示すように、指によって形成される静電容量Ｃ２が、検出電極Ｅ２と接触し、又は接触と同視し得るほど近傍にある。これにより、駆動電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との間にあるフリンジ分の電気力線が導体（指）により遮られる。このため、容量素子Ｃ１は、非接触状態での容量値よりも小さい容量値の容量素子として作用する。

電圧検出器ＤＥＴから出力される電圧信号の接触状態での振幅は、非接触状態に比べて小さくなる。この電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、接触又は近接する被検出体の影響に応じて変化することになる。検出部４０は、上述したように絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較することで、被検出体が非接触状態であるか、接触状態又は近接状態であるかを判断する。このようにして、検出部４０は相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいてタッチ検出が可能となる。

次に、図３を参照して、本実施形態の表示部１０の自己静電容量方式によるタッチ検出の基本原理について説明する。図３は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。

非接触状態において、検出電極Ｅ３に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加される。検出電極Ｅ３は、静電容量Ｃ３を有しており、静電容量Ｃ３に応じた電流が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動に変換する。

次に、図３に示すように、接触状態において、指と検出電極Ｅ３との間の静電容量Ｃ４が、検出電極Ｅ３の静電容量Ｃ３に加わる。検出電極Ｅ３は、接触状態において、非接触状態での容量値よりも大きい容量素子として作用する。したがって、検出電極Ｅ３に交流矩形波Ｓｇが印加されると、静電容量Ｃ３及び静電容量Ｃ４に応じた電流が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動に変換する。電圧検出器ＤＥＴから出力される電圧信号の接触状態での振幅は、非接触状態に比べて大きくなる。そして、この電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜に基づいて、指の接触が測定される。

次に、本実施形態の表示装置１の構成例を詳細に説明する。図４は、表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図４に示すように、表示装置１は、画素基板２と、対向基板３と、表示機能層としての液晶層６とを備える。対向基板３は、画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置される。液晶層６は画素基板２と対向基板３との間に設けられる。表示装置１は、さらに、対向基板３に設けられたカバー基板１０１を備える。カバー基板１０１は、対向基板３の偏光板３５の上に接着層１０２を介して貼り合わされる。

画素基板２は、第１基板２１と、画素電極２２と、駆動電極ＣＯＭＬと、偏光板６５とを有する。第１基板２１には、ゲートドライバ１２に含まれるゲートスキャナ等の回路や、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等のスイッチング素子Ｔｒや、ゲート線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬ等の各種配線（図４では省略して示す）が設けられる。

駆動電極ＣＯＭＬは、第１基板２１の上側に設けられる。画素電極２２は、絶縁層２４を介して駆動電極ＣＯＭＬの上側に設けられる。画素電極２２は、駆動電極ＣＯＭＬとは異なる層に設けられ、平面視で、駆動電極ＣＯＭＬと重畳して配置される。また、画素電極２２は、平面視でマトリクス状に複数配置される。偏光板６５は、接着層６６を介して第１基板２１の下側に設けられる。画素電極２２及び駆動電極ＣＯＭＬは、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性を有する導電性材料が用いられる。なお、本実施形態では、画素電極２２が駆動電極ＣＯＭＬの上側に設けられる例について説明したが、駆動電極ＣＯＭＬが画素電極２２の上側に設けられていてもよい。

また、第１基板２１には、表示用ＩＣ１９と、フレキシブル基板７２が設けられる。表示用ＩＣ１９は、図１に示す制御部１１として機能する。

なお、本明細書において、第１基板２１の表面に垂直な方向において、第１基板２１から第２基板３１に向かう方向を「上側」とする。また、第２基板３１から第１基板２１に向かう方向を「下側」とする。また、「平面視」とは、第１基板２１の表面に垂直な方向から見た場合を示す。

対向基板３は、第２基板３１と、第２基板３１の一方の面に形成されたカラーフィルタ３２と、第２基板３１の他方の面に設けられた第１導電層５１と、検出電極ＴＤＬと、保護層３８と、接着層３９と、第２導電層５２と、偏光板３５とを有する。検出電極ＴＤＬは、第２基板３１の上に複数配列されている。検出電極ＴＤＬは、タッチパネル３０の検出電極として機能する。第２基板３１にはフレキシブル基板７１が接続されている。フレキシブル基板７１には、検出用ＩＣ１８が搭載されている。検出電極ＴＤＬは、端子部３６を介して、検出用ＩＣ１８に電気的に接続される。第１導電層５１は、第２基板３１の表面に対して垂直な方向において、第２基板３１と検出電極ＴＤＬとの間に設けられる。

検出電極ＴＤＬは、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖを有している（図７参照）。さらに、検出電極ＴＤＬの上には、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖを含む検出電極ＴＤＬを保護するための保護層３８が設けられている。保護層３８は、アクリル系樹脂等の透光性樹脂を用いることができる。保護層３８の上に、接着層３９を介して偏光板３５が設けられている。第２導電層５２は、偏光板３５と接着層３９との間に設けられる。ここで、接着層３９は、検出電極ＴＤＬよりも高い抵抗値を有する高抵抗層である。

第１導電層５１及び第２導電層５２は、後述するようにＥＳＤ（Electro−Static Discharge）対策のために設けられる。第１導電層５１及び第２導電層５２は、それぞれ透光性導電層であり、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＳｎＯ_２、有機導電膜などを含む。第１導電層５１及び第２導電層５２は、これらの材料の１種以上に加え絶縁性酸化物を含有してもよい。第１導電層５１及び第２導電層５２は、例えば、特開２００７−１４８２０１号公報、特開２０１３−１４２１９４号公報に記載されている、酸化スズ（ＳｎＯ_２）及び二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を主成分とする酸化物層や、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ_３）、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）及び酸化スズ（ＳｎＯ_２）を主成分とする酸化物層や、ＩＴＯを主材料としケイ素（Ｓｉ）を含有する透光性の導電層等を用いてもよい。

また、第１導電層５１及び第２導電層５２の透光性導電材料として、例えば応用物理、第３４巻、第７号、３２６頁、２００５年記載の材料を採用することができる。具体的には、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）を母材とし、ドーパントとしてスズ（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、フッ素（Ｆ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、テルル（Ｔｅ）のうち、１つ以上を添加した透光性導電材料が挙げられる。

又は、第１導電層５１及び第２導電層５２の透光性導電材料として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を母材とし、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、ホウ素（Ｂ）、インジウム（Ｉｎ）、イットリウム（Ｙ）、スカンジウム（Ｓｃ）、フッ素（Ｆ）、バナジウム（Ｖ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）のうち、１つ以上を添加した透光性導電材料が挙げられる。

又は、第１導電層５１及び第２導電層５２の透光性導電材料として、酸化スズ（ＳｎＯ_２）を母材とし、アンチモン（Ｓｂ）、フッ素（Ｆ）、ヒ素（Ａｓ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）のうち、１つ以上を添加した透光性導電材料が挙げられる。これらの透光性導電材料に、高抵抗成分として二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）が添加される。第１導電層５１及び第２導電層５２が、所定の第１実効シート抵抗値Ｒ１及び第２実効シート抵抗値Ｒ２（図１０参照）となるように、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び酸化スズ（ＳｎＯ_２）のうち１つ以上の母材と、上述のドーパントと、高抵抗成分である二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）との配合比率が定められる。

第１導電層５１と第２導電層５２とは、同じ材料で形成されていてもよく、或いは互いに異なった材料で形成されていてもよい。例えば、第１導電層５１として上述した酸化物材料を用い、第２導電層５２としてＰＥＤＯＴ（Poly-3,4-ethylenedioxythiophene）等を含む導電性高分子材料を用いてもよい。

なお、検出電極ＴＤＬが設けられた領域を検出電極領域とすると、第１導電層５１と第２導電層５２が設けられる領域は、平面視で検出電極領域より大きいことが好ましい。

図４に示すように、第１基板２１と第２基板３１とは所定の間隔を設けて対向して配置される。第１基板２１と第２基板３１との間の空間は、シール部６１により封止される。第１基板２１、第２基板３１、及びシール部６１によって囲まれた空間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、通過する光を電界の状態に応じて変調するものであり、例えば、ＦＦＳ（Fringe Field Switching：フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（In-Plane Switching：インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。なお、図４に示す液晶層６と画素基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設される。本実施形態では、画素電極２２と駆動電極ＣＯＭＬとの間に発生する横電界により、液晶層６が駆動される。

第１基板２１の下側には、図示しない照明部（バックライト）が設けられる。照明部は、例えばＬＥＤ等の光源を有しており、光源からの光を第１基板２１に向けて射出する。照明部からの光は、画素基板２を通過して、その位置の液晶の状態により変調され、表示面への透過状態が場所によって変化する。これにより、表示面に画像が表示される。

カバー基板１０１は、画素基板２及び対向基板３を覆って設けられ、画素基板２及び対向基板３を保護する。カバー基板１０１は、例えば、ガラス基板や樹脂基板が用いられる。また、カバー基板１０１は、フィルム状の樹脂材料を用いることもできる。カバー基板１０１の平面視での外形形状は、第１基板２１及び第２基板３１よりも大きい。

カバー基板１０１の表面には保護層１０３が設けられる。保護層１０３は、例えば汚染防止フィルムである。保護層１０３は、例えば、指等が接触した場合に、指紋が検出面に付着しない防指紋機能を有する。保護層１０３は、表面に微細な凹凸が形成される場合があり、この凹凸により保護層１０３が帯電しやすくなる可能性がある。保護層１０３は、カバー基板１０１の全面に設けられる。ただし、これに限定されず、保護層１０３はカバー基板１０１の一部に設けられていない場合であってもよい。

次に表示装置１の表示動作について説明する。図５は、第１実施形態に係る表示装置の画素配列を表す回路図である。第１基板２１（図４参照）には、図５に示す各副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒ、信号線ＳＧＬ、ゲート線ＧＣＬ等が形成されている。信号線ＳＧＬは、各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給するための配線である。ゲート線ＧＣＬは、各スイッチング素子Ｔｒを駆動する駆動信号を供給するための配線である。

図５に示す表示パネル２０は、マトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、それぞれスイッチング素子Ｔｒ及び液晶素子６ａを備えている。スイッチング素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＴＦＴで構成されている。画素電極２２と駆動電極ＣＯＭＬとの間に絶縁層２４が設けられ、これらによって図５に示す保持容量６ｂが形成される。

図１に示すゲートドライバ１２は、ゲート線ＧＣＬを順次選択する。ゲートドライバ１２は、選択されたゲート線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎを副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒのゲートに印加する。これにより、副画素ＳＰｉｘのうちの１行（１水平ライン）が表示駆動の対象として順次選択される。また、ソースドライバ１３は、選択された１水平ラインを構成する副画素ＳＰｉｘに、信号線ＳＧＬを介して画素信号Ｖｐｉｘを供給する。そして、これらの副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。

この表示動作を行う際、図１に示す駆動電極ドライバ１４は、駆動電極ＣＯＭＬに対して表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃは複数の副画素ＳＰｉｘに対する共通電位となる直流の電圧信号である。これにより、各駆動電極ＣＯＭＬは、表示動作において、画素電極２２に対する共通電極として機能する。表示の際に、駆動電極ドライバ１４は、表示領域１０ａの全ての第１電極ＣＯＭＬに対して表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。

図４に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域が周期的に配列されていてもよい。上述した図５に示す各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが１組として対応付けられる。そして、３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂに対応する副画素ＳＰｉｘを１組として画素Ｐｉｘが構成される。なお、カラーフィルタ３２は、４色以上の色領域を含んでいてもよい。

次に、駆動電極ＣＯＭＬ、検出電極ＴＤＬの構成と、タッチ検出動作について説明する。図６は、第１実施形態に係る表示装置の第１基板の平面図である。図７は、第１実施形態に係る表示装置の第２基板の平面図である。図８は、図７に示す領域Ｒａを拡大して示す平面図である。

図６に示すように、第１基板２１は、表示パネル２０（図１参照）の表示領域１０ａと、周辺領域１０ｂとに対応する領域が形成されている。周辺領域１０ｂは、表示領域１０ａの外側の領域である。表示用ＩＣ１９は第１基板２１の周辺領域１０ｂに搭載されている。表示用ＩＣ１９は、図１に示す制御部１１や、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３の機能の一部等、表示動作に必要な各回路を内蔵したものである。なお、周辺領域１０ｂは表示領域１０ａを囲っていてもよく、その場合は、周辺領域１０ｂは額縁領域ともいえる。

ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、又は、駆動電極ドライバ１４は、ガラス基板である第１基板２１に形成される。表示用ＩＣ１９及び駆動電極ドライバ１４は、周辺領域１０ｂに設けられる。なお、表示用ＩＣ１９は、駆動電極ドライバ１４を内蔵していてもよい。この場合、周辺領域１０ｂを狭くすることが可能である。フレキシブル基板７２は、表示用ＩＣ１９と接続されており、フレキシブル基板７２を介して、外部から映像信号Ｖｄｉｓｐや、電源電圧が表示用ＩＣ１９に供給される。

図６に示すように、第１基板２１の表示領域１０ａに重畳する領域に複数の駆動電極ＣＯＭＬが設けられている。複数の駆動電極ＣＯＭＬは、それぞれ、表示領域１０ａの長辺に沿った方向（第２方向Ｄｙ）に延出しており、表示領域１０ａの短辺に沿った方向（第１方向Ｄｘ）において、間隔を設けて配列されている。複数の駆動電極ＣＯＭＬは駆動電極ドライバ１４にそれぞれ接続されている。

本実施形態において、駆動電極ＣＯＭＬは、ゲート線ＧＣＬと交差する方向に延出する。言い換えると、駆動電極ＣＯＭＬは、信号線ＳＧＬと平行な方向に延出する。これにより、駆動電極ＣＯＭＬに接続される配線や駆動電極ドライバ１４を、ゲートドライバ１２と異なる位置の周辺領域１０ｂに設けることができる。具体的には、例えば、図６に示すように、ゲートドライバ１２は周辺領域１０ｂの長辺に設けられ、駆動電極ドライバ１４及びソースドライバ１３は、周辺領域１０ｂの短辺のうち、フレキシブル基板７２が接続された辺に設けられる。したがって、本実施形態の表示装置１は、駆動電極ＣＯＭＬに沿った部分の周辺領域１０ｂの狭額縁化に有利である。

図７に示すように、表示部１０において、第２基板３１の表示領域１０ａと重畳する領域に複数の検出電極ＴＤＬが設けられている。複数の検出電極ＴＤＬは、それぞれ、図６に示す駆動電極ＣＯＭＬの延出方向と交差する方向（第１方向Ｄｘ）に延出している。また、図７に示すように、複数の検出電極ＴＤＬは、駆動電極ＣＯＭＬの延出方向（第２方向Ｄｙ）において間隔ＳＰを設けて配列されている。つまり、複数の駆動電極ＣＯＭＬと、複数の検出電極ＴＤＬとは、平面視で交差するように配置されており、互いに重畳する部分で静電容量が形成される。

表示装置１は、検出動作の際に、駆動電極ドライバ１４から駆動電極ＣＯＭＬに駆動信号Ｖｃｏｍを順次印加することにより、１検出ラインずつ順次走査を行う。つまり、表示部１０は、検出走査を、表示部１０の一辺に沿った第１方向Ｄｘと平行に行う。

そして、検出電極ＴＤＬは、検出部４０に検出信号Ｖｄｅｔ１を出力する。これにより、１検出ブロックのタッチ検出が行われるようになっている。つまり、駆動電極ＣＯＭＬは、上述した相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理における駆動電極Ｅ１に対応し、検出電極ＴＤＬは、検出電極Ｅ２に対応する。互いに交差した検出電極ＴＤＬ及び駆動電極ＣＯＭＬは、静電容量式タッチセンサをマトリックス状に構成している。よって、タッチパネル３０の検出面全体に亘って走査することにより、外部からの導体の接触又は近接が生じた位置の検出が可能となっている。

表示装置１の動作方法の一例として、表示装置１は、検出動作（検出期間）と表示動作（表示動作期間）とを時分割に行う。検出動作と表示動作とはどのように分けて行ってもよい。

なお、本実施形態において、駆動電極ＣＯＭＬは表示パネル２０の共通電極を兼用するので、表示動作期間においては、駆動電極ドライバ１４を介して選択される駆動電極ＣＯＭＬに、制御部１１が表示用の共通電極電位である表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。

検出期間に駆動電極ＣＯＭＬを用いず、検出電極ＴＤＬのみで検出動作を行う場合、例えば、自己静電容量方式のタッチ検出原理に基づいてタッチ検出を行う場合、駆動電極ドライバ１４は、検出電極ＴＤＬに検出用の駆動信号Ｖｃｏｍを供給してもよい。

図７及び図８に示すように、本実施形態の検出電極ＴＤＬは、複数の第１細線３３Ｕ及び複数の第２細線３３Ｖを有している。第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは、それぞれ、表示領域１０ａの一辺と平行な方向に対して互いに逆方向に傾斜している。第１細線３３Ｕは第１方向Ｄｘと第１の角度をなし、第２細線３３Ｖは第１方向Ｄｘと第２の角度をなす。

複数の第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは、それぞれ導電性を有する細幅の金属配線である。表示領域１０ａにおいて、複数の第１細線３３Ｕは、すなわち第２方向Ｄｙに互いに間隔を設けて配置される。また、複数の第２細線３３Ｖは、第２方向Ｄｙに互いに間隔を設けて配置されている。

検出電極ＴＤＬは、少なくとも１つの第１細線３３Ｕと、第１細線３３Ｕと交差する少なくとも１つの第２細線３３Ｖと、を含む。第１細線３３Ｕと、第２細線３３Ｖとは、接続部３３Ｘで電気的に接続されている。複数の第１細線３３Ｕと、複数の第２細線３３Ｖとがそれぞれ複数交差すると、検出電極ＴＤＬの１つの網目の形状が平行四辺形となる。

複数の第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖの延出方向の両端は、周辺領域１０ｂに配置された接続配線３４ａ、３４ｂに接続されている。検出電極ＴＤＬの主検出部である第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは、細線３３ａを介して接続配線３４ａ、３４ｂに接続されている。これにより、複数の第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは互いに電気的に接続され、１つの検出電極ＴＤＬとして機能する。

第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属層で形成される。又は、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは、これらの金属材料から選ばれた１種以上を含む合金で形成される。また、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは、これらの金属材料又はこれらの材料の１種以上を含む合金の導電層が複数積層された積層体としてもよい。なお、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは、ＩＴＯ等の透光性導電酸化物の導電層が積層されていてもよい。また、上述した金属材料及び導電層を組み合わせた黒色化膜、黒色有機膜又は黒色導電有機膜が積層されていてもよい。

上述した金属材料は、ＩＴＯ等の透光性導電酸化物よりも低抵抗である。上述した金属材料は、透光性導電酸化物に比較して遮光性があるため、透過率が低下する可能性又は検出電極ＴＤＬのパターンが視認されてしまう可能性がある。本実施形態において、１つの検出電極ＴＤＬが、複数の幅細の第１細線３３Ｕ及び複数の第２細線３３Ｖを有しており、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖが、線幅よりも大きい間隔を設けて配置されることで、低抵抗化と、不可視化とを実現することができる。その結果、検出電極ＴＤＬが低抵抗化し、表示装置１は、薄型化、大画面化又は高精細化することができる。また上述した金属材料と第１導電層５１の組み合わせによっては、電池反応などにより検出電極ＴＤＬの金属材料を腐食させてしまうことがあるが、第１導電層５１を高抵抗化させておくことで腐蝕しにくくさせることが可能である。

第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖの幅は、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、さらに１μｍ以上５μｍ以下の範囲にあることがより好ましい。第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖの幅が１０μｍ以下であると、表示領域１０ａの開口部を覆う面積が小さくなり、開口率を損なう可能性が低くなるからである。ここで、開口部とは、表示領域１０ａのうちブラックマトリックス又はゲート線ＧＣＬ及び信号線ＳＧＬと重ならない領域である。また、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖの幅が１μｍ以上であると、形状が安定し、断線する可能性が低くなるからである。

図５、図７及び図８を参照して説明すると、検出電極ＴＤＬは、複数の第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖが所定のピッチで配置されており、検出電極ＴＤＬは、全体として、カラーフィルタ３２の各色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂの延出方向と交差する方向に延びている。つまり、検出電極ＴＤＬは、図５に示す信号線ＳＧＬと交差する第１方向Ｄｘに延出する。各第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖがカラーフィルタ３２の特定の色領域を遮光してしまわないように、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは、互いに逆向きに傾斜する細線片が交差して接続された網目状となっている。第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは、色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂの延出方向（第２方向Ｄｙ）と平行な方向に対して、角度θを有して互いに逆向きに傾斜する。例えば、角度θは、５度以上７５度以下であり、好ましくは２５度以上４０度以下、さらに好ましくは５０度以上６５度以下である。

このように、検出電極ＴＤＬの第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖの延出方向がカラーフィルタ３２の各色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂの延出方向に対して角度をもつようになる。その結果、検出電極ＴＤＬの第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは、カラーフィルタ３２の各色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂを順に遮光することから、カラーフィルタ３２の特定色領域における透過率の低下を抑制することができる。また、検出電極ＴＤＬの第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖは、好ましい範囲でゆらぎをもたせて配置してもよい。すなわち、検出電極ＴＤＬは、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖ同士の間隔を異ならせてもよい。

図８に示すように、検出電極ＴＤＬは、センサ部ＴＤＬｓと、ダミー部ＴＤＬｄとを含む。センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄは、それぞれ、第１方向Ｄｘに延出し、第２方向Ｄｙに交互に配置されている。センサ部ＴＤＬｓは、図７に示す接続配線３４ａ、３４ｂに接続され、主として検出電極として機能する。ダミー部ＴＤＬｄは、センサ部ＴＤＬｓ及び接続配線３４ａ、３４ｂと電気的に離隔して設けられる。ダミー部ＴＤＬｄは、検出電極として機能しないダミー電極である。

センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄは、それぞれ、上述した第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖを含み、互いに類似したメッシュ状の構成である。これにより、表示領域１０ａにおける透光率のばらつきを抑制して、良好な視認性を得ることができる。センサ部ＴＤＬｓとダミー部ＴＤＬｄとは、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖに設けられたスリットＳＬにより、電気的に離隔される。ダミー部ＴＤＬｄの１つの網目を構成する第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖに、それぞれ、スリットＳＬが設けられている。このような構成により、タッチ検出において、ダミー部ＴＤＬｄは、電圧信号が供給されず電位が固定されないフローティング状態となる。

検出電極ＴＤＬの配置率（単位面積当たりの占有率）は１０％以下が好ましい。配置率が高過ぎると透過率が低くなってしまい暗い表示になったり、バックライトの消費電力が増えてしまう。また、電極間距離は３００μｍ以下が好ましい。電極間距離が大きい場合には電極間抵抗を下げるために第１導電層５１の抵抗を下げる必要がある。第１導電層５１の抵抗を下げると、検出面よりも上側での電界強度が抑制され、結果として検出信号Ｖｄｅｔ１が低下する可能性がある。

図７に示すように、複数の接続配線３４ａには、それぞれ第１配線３７ａが接続される。また複数の接続配線３４ｂには、それぞれ第２配線３７ｂが接続される。つまり、本実施形態において、検出電極ＴＤＬの一端側に第１配線３７ａが接続され、他端側に第２配線３７ｂが接続される。第１配線３７ａは、周辺領域１０ｂの長辺の一方に沿って設けられる。また、第２配線３７ｂは、周辺領域１０ｂの長辺の他方に沿って設けられる。

１つの検出電極ＴＤＬに接続された第１配線３７ａと第２配線３７ｂとは、一つの端子部３６に接続される。つまり、検出電極ＴＤＬ、第１配線３７ａ、第２配線３７ｂ及び端子部３６は、ループ状に接続される。検出電極ＴＤＬは、第１配線３７ａ、第２配線３７ｂ及び端子部３６を介してフレキシブル基板７１と接続される。

第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂは、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖに用いられる金属材料、或いは合金等と同じ材料を用いることができる。また、第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂは、良好な導電性を有する材料であればよく、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖと異なる材料が用いられてもよい。

このように、１つの検出電極ＴＤＬに第１配線３７ａと第２配線３７ｂとが接続されているので、第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂの一方が断線した場合であっても、他方の配線により、検出電極ＴＤＬとフレキシブル基板７１との接続が確保される。したがって、本実施形態の表示装置１は、検出電極ＴＤＬとフレキシブル基板７１との接続信頼性を向上させることができる。

なお、１つの検出電極ＴＤＬに第１配線３７ａ又は第２配線３７ｂのいずれか一方が接続される構成であってもよい。また、検出電極ＴＤＬは、メッシュ状の金属細線に限定されず、例えば、ジグザグ線状或いは、波線状の金属細線を複数含む構成であってもよい。図８では、１つの検出電極ＴＤＬに含まれるセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄを示したが、検出電極ＴＤＬ同士の間隔ＳＰにダミー電極を配置してもよい。

次に第１導電層５１及び第２導電層５２について説明する。図９は、第１実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。なお、図９は、１つの検出電極ＴＤＬに含まれるセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに対応する箇所を拡大して示している。

第１導電層５１及び第２導電層５２は、表示装置１の製造時及び使用時におけるＥＳＤ対策のために設けられる。製造時では、例えば、偏光板３５やカバー基板１０１から保護フィルムを剥がす際や、カバー基板１０１を接着する際に、偏光板３５が帯電する可能性がある。また、検査の際に人の指が検出面（カバー基板１０１又は保護層１０３の表面）に接触した場合にも、偏光板３５が帯電する可能性がある。また、使用時には、帯電したユーザの指が検出面に接触した場合に偏光板３５が帯電する可能性がある。

第１導電層５１及び第２導電層５２を設けない場合、外部から静電気などの電磁ノイズが侵入すると、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖ（図７、１１参照）は低抵抗かつ細幅であるため、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖに帯電した電荷が除去されにくくなる。また、第１導電層５１のみ設けられている場合、第１導電層５１にピンホール等が形成されると、局所的な帯電が生じる可能性がある。また、ダミー部ＴＤＬｄは、センサ部ＴＤＬｓ、第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂと接続されていないフローティング状態であるため、帯電した電荷が除去されにくくなる。このため、偏光板３５やダミー部ＴＤＬｄに帯電した静電気によって、液晶層６の配向が変化して表示パネル２０の表示品質が低下する可能性がある。また、帯電した静電気によって検出信号Ｖｄｅｔ１が変化することで、タッチパネル３０のタッチ検出精度が低下する可能性がある。なお、以下の説明では、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖを「金属配線」と表して説明する。

本実施形態では、図９に示すように、第２基板３１の上に第１導電層５１が設けられ、第１導電層５１の上に検出電極ＴＤＬのセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄが設けられる。また、偏光板３５の下に第２導電層５２が設けられる。言い換えると、第１導電層５１は、第２基板３１に対し垂直な方向において、第２基板３１と、金属配線を含むセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄとの間に設けられる。また、第２導電層５２は、金属配線の上側において、偏光板３５と接着層３９との間に設けられる。本実施形態では、第２基板３１の上に、第１導電層５１、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄ、保護層３８、接着層３９、第２導電層５２、偏光板３５、カバー基板１０１の順に積層されている。

第１導電層５１は、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄの金属配線と直接接して、金属配線と重畳する。また、図７に示すように、第１導電層５１は、第２基板３１のほぼ全面に形成され、表示領域１０ａの全面及び周辺領域１０ｂに亘って連続して設けられている。すなわち、第１導電層５１は、金属配線と重畳する部分と、金属配線と重畳しない部分とを有している。第１導電層５１の、金属配線と重畳しない部分が、隣り合って配置された金属配線同士を接続する。また、第１導電層５１は、接続配線３４ａ、３４ｂ、第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂと重畳する位置に設けられていることが好ましい。第１導電層５１の平面視での面積は、金属配線の合計の面積よりも大きい。

図９に示すように、第２導電層５２は、偏光板３５と直接接して設けられている。第２導電層５２は、表示領域１０ａの全面に設けられる。より好ましくは、第２導電層５２は、表示領域１０ａの全面及び周辺領域１０ｂ（図７参照）に亘って連続して設けられる。第１導電層５１及び第２導電層５２は、平面視で互いに重畳して配置される。第１導電層５１及び第２導電層５２の平面形状は互いに異なっていてもよく、この場合、第１導電層５１又は第２導電層５２の少なくとも一部は、平面視で互いに重ならない位置に設けられていてもよい。

図９に示すように、保護層１０３の表面に外部から静電気ＳＥが印加された場合、静電気ＳＥは、カバー基板１０１及び偏光板３５を介して第２導電層５２に伝わる。そして、第２導電層５２に伝わった静電気ＳＥは、接着層３９及び保護層３８を介して、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに伝わる。このように、第２導電層５２が偏光板３５に直接接して設けられているので、偏光板３５自体が帯電することを抑制できる。また、第２導電層５２により、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに伝わる静電気ＳＥを低減できる。

図９に示すように、第１導電層５１は、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄの金属配線と直接接して重畳するとともに、隣り合うセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄとの間に連続して設けられる。

このような構成により、外部から静電気ＳＥがダミー部ＴＤＬｄに伝わった場合、静電気ＳＥｂは、ダミー部ＴＤＬｄから第１導電層５１に流れてセンサ部ＴＤＬｓに伝わる。センサ部ＴＤＬｓには、外部からの静電気ＳＥ及びダミー部ＴＤＬｄからの静電気ＳＥｂが伝わる。センサ部ＴＤＬｓに伝わる静電気ＳＥ、ＳＥｂは、検出部４０の電圧検出器ＤＥＴに含まれる抵抗素子や、ＥＳＤ保護回路（図示しない）を介して、電源やＧＮＤ（接地電位）に流れる、すなわち放電される。また、第１導電層５１は、例えば、表示装置１の筐体などに接地されていてもよい。

また、第１導電層５１は、第２基板３１の端部まで配置されることが好ましい。さらに、第１導電層５１は、周辺領域１０ｂから、導電テープあるいは導電性ペースト（カーボン、銀（Ａｇ））等により、電源やＧＮＤに電気的に接続されていてもよい。また、第２導電層５２はフローティング状態である。或いは、第２導電層５２は、第１導電層５１と同様に、ＧＮＤ等の固定電位に接続されていてもよい。

このように、静電気ＳＥが、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄの金属配線に印加された場合であっても、第１導電層５１を設けることによりセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄから静電気ＳＥ、ＳＥｂを短時間に除去することができる。したがって、ダミー部ＴＤＬｄが帯電することを抑制して、ダミー部ＴＤＬｄから液晶層６を介して画素電極２２あるいは駆動電極ＣＯＭＬに伝わる静電気ＳＥａを抑制することができる。これにより、本実施形態の表示装置１は、静電気ＳＥによる表示品質の低下やタッチ検出精度の低下を抑制できる。したがって、本実施形態の表示装置１は、静電気などの電磁ノイズに対する耐性を向上させることができる。

上述した酸化物材料を主成分とする第１導電層５１及び酸化物材料あるいは透明有機材料を主成分とした第２導電層５２は、検出電極ＴＤＬに含まれる金属配線を変質又は腐食させにくい。また、仮に第２導電層５２を設けない場合、導電性を有する接着層３９を用いることにより、偏光板３５の帯電を抑制する構成とする場合がある。この場合、接着層３９に含まれる酸成分やイオン性物質が溶出して、金属配線が変質又は腐食する可能性がある。本実施形態では、第２導電層５２を設けているので、接着層３９として、導電性を有さない材料を用いることができる。つまり、接着層３９は酸やイオン性物質を含まない材料が用いられる。このため、イオン性物質が金属配線に溶出しないので、金属配線の変質又は腐食を抑制できる。

図９に示すように、センサ部ＴＤＬｓには電圧検出器ＤＥＴが接続されている。センサ部ＴＤＬｓが例えばアルミの場合、固定電位を負にすることで、イオン性物質の浸入を抑制することも可能である。センサ部ＴＤＬｓの材料及びイオン性物質の成分などの組み合わせで、腐食を抑制することも可能である。

図１０は、第１導電層及び第２導電層の実効シート抵抗値と、タッチ特性、光学特性及び帯電ムラの評価結果との関係を示す表である。図１０に示す表において、第１導電層５１の第１実効シート抵抗値Ｒ１は、検出電極ＴＤＬの金属配線が接した第１導電層５１のシート抵抗値である。第２導電層５２の第２実効シート抵抗値Ｒ２は、第２導電層５２単体のシート抵抗値である。

なお、シート抵抗とは、平面視で正方形状の抵抗体について、向かい合う２辺間の抵抗値をいう。第１導電層５１の第１実効シート抵抗値Ｒ１は、例えば第２基板３１に、スパッタ法などにより成膜した導電層、及び導電層上にパターン形成された検出電極ＴＤＬの金属配線を用いて、公知の四端子法により測定することができる。

なお、図１０において、例えば、第２実効シート抵抗値Ｒ２の「１０^９−１０^１２」は、第２実効シート抵抗値Ｒ２が１０^９Ω／□以上、１０^１２Ω／□以下であることを示す。また、例えば、第１実効シート抵抗値Ｒ１及び第２実効シート抵抗値Ｒ２の「１０^１３−」は、第１実効シート抵抗値Ｒ１及び第２実効シート抵抗値Ｒ２が１０^１３Ω／□以上であることを示す。図１０に示す表のタッチ特性では、タッチ検出での検出信号Ｖｄｅｔ１が所定のＳ／Ｎ比以上である場合に「ＯＫ」と表し、検出信号Ｖｄｅｔ１が所定のＳ／Ｎ比よりも小さい場合に「ＮＧ」と表す。また、光学特性は、第１導電層５１及び第２導電層５２を含む表示装置１の光の透過率が、所定の基準値以上である場合に「ＯＫ」と表し、所定の基準値よりも小さい場合に「ＮＧ」と表す。帯電ムラは、偏光板３５や検出電極ＴＤＬ等の帯電に起因する表示光の強度のバラツキが視認されない場合に「ＯＫ」と表し、表示光の強度のバラツキが視認された場合に「ＮＧ」と表す。

図１０に示すように、第２導電層５２の第２実効シート抵抗値Ｒ２は、金属配線と接した第１導電層５１の第１実効シート抵抗値Ｒ１よりも高いことが好ましい。ここで、第１導電層５１は金属配線と接しているため、第１導電層５１単体でのシート抵抗値を例えば、１０^１０Ω／□以上、１０^１３Ω／□以下とすると、金属配線と接した第１導電層５１の第１実効シート抵抗値Ｒ１は、１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下となる。このとき、金属配線の形状にパターン形成された検出電極ＴＤＬのシート抵抗値は、例えば０．３Ω／□程度である。

より好ましくは、第２実効シート抵抗値Ｒ２は、第１実効シート抵抗値Ｒ１の１０倍以上である。第１実効シート抵抗値Ｒ１は、１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下であることが好ましい。第２実効シート抵抗値Ｒ２は、１０^９Ω／□以上、１０^１２Ω／□以下であることが好ましい。

具体的には、図１０に示すように、例えば、第１実効シート抵抗値Ｒ１が１０^８Ω／□の場合、第２実効シート抵抗値Ｒ２は、例えば１０^９Ω／□以上、１０^１２Ω／□以下である。例えば、第１実効シート抵抗値Ｒ１が１０^９Ω／□の場合、第２実効シート抵抗値Ｒ２は、例えば１０^１０Ω／□以上、１０^１２Ω／□以下である。第１実効シート抵抗値Ｒ１が１０^１０Ω／□の場合、第２実効シート抵抗値Ｒ２は、例えば１０^１１Ω／□以上、１０^１２Ω／□以下である。また、例えば、第１実効シート抵抗値Ｒ１が１０^１１Ω／□の場合、第２実効シート抵抗値Ｒ２は、例えば１０^１２Ω／□である。

また、第１実効シート抵抗値Ｒ１及び第２実効シート抵抗値Ｒ２は、偏光板３５の抵抗値よりも低い。第１実効シート抵抗値Ｒ１及び第２実効シート抵抗値Ｒ２は、金属配線のシート抵抗値よりも高い。

このような範囲の第１実効シート抵抗値Ｒ１及び第２実効シート抵抗値Ｒ２とすることで、検出電極ＴＤＬ及び第１導電層５１よりも上側（カバー基板１０１側）に形成される電界の強度が、第２導電層５２の存在により低下することを抑制できる。したがって、図１０に示すように、良好なタッチ特性が得られる。

さらに、このような範囲の第１実効シート抵抗値Ｒ１及び第２実効シート抵抗値Ｒ２では、第１導電層５１及び第２導電層５２を薄く形成することができる。このため、第１導電層５１及び第２導電層５２で光の透過率が低下することを抑制でき、良好な光学特性が得られる。また、上述のように、第１導電層５１及び第２導電層５２を設けることで偏光板３５及び検出電極ＴＤＬでの帯電を抑制することができるため、帯電ムラの発生も抑制できる。

一方、第１実効シート抵抗値Ｒ１及び第２実効シート抵抗値Ｒ２を、１０^８Ω／□よりも小さくした場合、具体的には、例えば第１実効シート抵抗値Ｒ１及び第２実効シート抵抗値Ｒ２が１０^７Ω／□である場合、第１導電層５１及び第２導電層５２がシールドとして機能する。このため、電界強度が低下し、結果としてタッチ特性が低下する可能性がある。また、例えば第１実効シート抵抗値Ｒ１及び第２実効シート抵抗値Ｒ２が１０^７Ω／□である場合、第１導電層５１及び第２導電層５２を厚く形成する必要がある。このため、第１導電層５１及び第２導電層５２での光の透過率が低下し、光学特性が低下する。

また、第１実効シート抵抗値Ｒ１が１０^１２Ω／□以上、かつ、第２実効シート抵抗値Ｒ２が１０^１３Ω／□以上の場合、第１導電層５１及び第２導電層５２の高抵抗成分である二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の添加量が増大する。このため、第１導電層５１及び第２導電層５２の反射率が小さくなる。つまり、第１導電層５１及び第２導電層５２の光の透過率が高くなり、光学特性が向上する可能性がある。一方で、第１実効シート抵抗値Ｒ１が１０^１２Ω／□以上、かつ、第２実効シート抵抗値Ｒ２が１０^１３Ω／□以上の場合、静電気ＳＥ、ＳＥｂが第１導電層５１及び第２導電層５２を良好に流れない可能性がある。このため帯電ムラが生じる可能性がある。

第１実効シート抵抗値Ｒ１及び第２実効シート抵抗値Ｒ２が、偏光板３５の抵抗値よりも低いので、静電気ＳＥ、ＳＥｂが第１導電層５１及び第２導電層５２を良好に流れる。第１導電層５１及び第２導電層５２のシート抵抗値は、金属配線のシート抵抗値よりも高いので、第１導電層５１及び第２導電層５２はシールドとして機能せず、タッチ特性が低下することはない。より具体的には、上述のシート抵抗値の範囲であれば、偏光板３５の静電気ＳＥが第２導電層５２に流れ、かつ、金属配線の静電気ＳＥが第１導電層５１に流れることとなり、静電気を短時間に除去することができる。また、第１導電層５１にピンホールが形成された場合であっても、第２導電層５２が設けられているため、局所的な帯電の発生を抑制できる。

さらに、複数の金属配線同士の間に連続して第１導電層５１を設けた場合であっても、検出電極ＴＤＬ（図７参照）同士の短絡及びセンサ部ＴＤＬｓとダミー部ＴＤＬｄとの短絡を防止することができる。

以上説明したように、本実施形態の表示装置１は、第２基板３１（基板）と、第２基板３１と平行な面上に設けられ、複数の第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖ（金属配線）を有する検出電極ＴＤＬと、金属配線と接して重畳する第１導電層５１と、金属配線及び第１導電層５１の上側に設けられる第２導電層５２と、を有し、第１導電層５１は、金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、第２導電層５２の第２実効シート抵抗値Ｒ２は、金属配線と接した第１導電層５１の第１実効シート抵抗値Ｒ１よりも高い。

このように、本実施形態の表示装置１は、第２導電層５２を設けることにより、静電気ＳＥが偏光板３５から第２導電層５２を介してセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに伝わる。このため、偏光板３５自体が帯電することを抑制できる。また、静電気ＳＥｂが第１導電層５１に流れることでセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄの静電気ＳＥを短時間に除去することができる。以上のように、本実施形態の表示装置１は、静電気ＳＥによる表示特性の低下や検出特性の低下を抑制できる。

（第２実施形態）
図１１は、第２実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。なお、上述した第１実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図１１に示すように、本実施形態の表示装置１Ａにおいて、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに含まれる金属配線及び第１導電層５１の上側に偏光板３５が設けられる。偏光板３５の上側にカバー基板１０１が設けられる。第２導電層５２Ａは、偏光板３５とカバー基板１０１の間に設けられる。

具体的には、第１導電層５１及びセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄの上に保護層３８が設けられる。保護層３８の上に接着層３９を介して偏光板３５が設けられる。第２導電層５２Ａは、偏光板３５の、カバー基板１０１と対向する面に設けられ、偏光板３５と直接、接する。言い換えると、第２導電層５２Ａは、偏光板３５に対して、第１導電層５１及びセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄとは反対側に設けられる。第２導電層５２Ａの上に、接着層１０２を介してカバー基板１０１が設けられる。本実施形態では、第２基板３１の上に、第１導電層５１、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄ、保護層３８、接着層３９、偏光板３５、第２導電層５２Ａ、カバー基板１０１の順に積層されている。

本実施形態においても、保護層１０３の表面に外部から静電気ＳＥが印加された場合、第２導電層５２Ａが偏光板３５に直接、接して設けられているので、偏光板３５自体が帯電することを抑制できる。また、第２導電層５２Ａが設けられているため、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに伝わる静電気ＳＥを低減できる。

本実施形態においても、第１実施形態と同様に、第２実効シート抵抗値Ｒ２は、金属配線と接した第１導電層５１の第１実効シート抵抗値Ｒ１よりも高いことが好ましい。より好ましくは、第２実効シート抵抗値Ｒ２は、第１実効シート抵抗値Ｒ１の１０倍以上である。第１実効シート抵抗値Ｒ１は、１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下であることが好ましい。また、第２実効シート抵抗値Ｒ２は、１０^９Ω／□以上、１０^１２Ω／□以下であることが好ましい。この範囲とすることで、表示装置１Ａは、図１０に示す例と同様に、良好なタッチ特性、光学特性を得ることができ、また、帯電ムラの発生を抑制できる。

（第３実施形態）
図１２は、第３実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。なお、上述した各実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図１２に示すように、本実施形態の表示装置１Ｂにおいて、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに含まれる金属配線及び第１導電層５１の上側に保護層３８が設けられる。保護層３８の上側に偏光板３５が設けられる。第２導電層５２Ｂは、保護層３８と偏光板３５との間に設けられた導電性接着層である。言い換えると、第２導電層５２Ｂは、第１実施形態に示す接着層３９と第２導電層５２（図９参照）の機能を兼ねる。これにより、第２基板３１の上側の層構成を少なくすることができるため、製造コストを低減できる。本実施形態では、第２基板３１の上に、第１導電層５１、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄ、保護層３８、第２導電層５２Ｂ、偏光板３５、カバー基板１０１の順に積層されている。

また、本実施形態においても、保護層１０３の表面に外部から静電気ＳＥが印加された場合、第２導電層５２Ｂが偏光板３５に直接、接して設けられているので、偏光板３５自体が帯電することを抑制できる。また、第２導電層５２Ｂが設けられているため、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに伝わる静電気ＳＥを低減できる。

第２導電層５２Ｂは、透光性を有する導電性接着層であり、透光性の樹脂接着剤と導電粒子とを含む。導電粒子は樹脂接着剤中に分散されている。樹脂接着剤に含まれる導電粒子の大きさや量、導電粒子の伝導率などの特性を調整することにより、第２導電層５２Ｂの第２実効シート抵抗値Ｒ２を高めることができる。

第１実施形態と同様に、第２実効シート抵抗値Ｒ２は、金属配線と接した第１導電層５１の第１実効シート抵抗値Ｒ１よりも高いことが好ましい。より好ましくは、第２実効シート抵抗値Ｒ２は、第１実効シート抵抗値Ｒ１の１０倍以上である。また、第１実効シート抵抗値Ｒ１は、１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下であることが好ましい。この範囲とすることで、表示装置１Ｂは、図１０に示す例と同様に、良好なタッチ特性、光学特性を得ることができ、また、帯電ムラの発生を抑制できる。

（第４実施形態）
図１３は、第４実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図１４は、第４実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。なお、上述した各実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図１３に示すように、本実施形態の表示装置１Ｃは、第２基板３１の上に検出電極ＴＤＬが設けられる。第１導電層５１Ａは、金属配線を含む検出電極ＴＤＬ及び第２基板３１の上に設けられる。第１導電層５１Ａの上側に、接着層３９を介して第２導電層５２及び偏光板３５が設けられる。

言い換えると、検出電極ＴＤＬに含まれる金属配線及び第１導電層５１Ａの上側に偏光板３５が設けられる。偏光板３５と、検出電極ＴＤＬ及び第１導電層５１Ａとの間に接着層３９が設けられる。第２導電層５２は、接着層３９と偏光板３５との間に設けられる。

第１導電層５１Ａは、第１実施形態に示したオーバーコート層である保護層３８（図９等参照）と第１導電層５１（図９等参照）との機能を兼ねる。これにより、第２基板３１の上側の層構成を少なくすることができるため、製造コストを低減できる。本実施形態では、第２基板３１の上に、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄ、第１導電層５１Ａ、接着層３９、第２導電層５２、偏光板３５、カバー基板１０１の順に積層されている。

第１導電層５１Ａは、導電性粒子を含まないアクリル系樹脂等の透光性樹脂、あるいはＳｉ−Ｏ骨格に炭化水素基、水酸基が結合した樹脂材料を用いることができる。又は、第１導電層５１Ａは、導電性粒子を含むアクリル系樹脂等の透光性樹脂を用いることができる。本実施形態においても、第１導電層５１Ａ単体でのシート抵抗値を例えば、１０^１０Ω／□以上、１０^１３Ω／□以下とし、金属配線と接した第１導電層５１Ａの第１実効シート抵抗値Ｒ１を、１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下とすることができる。これにより、表示装置１Ｃは、図１０と同様に表示特性（光学特性及び帯電ムラ）の低下やタッチ特性の低下を抑制できる。

図１４に示すように、第１導電層５１Ａは、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄの金属配線と直接接して重畳するとともに、隣り合うセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄとの間の第２基板３１に設けられる。

このような構成により、外部から静電気ＳＥがダミー部ＴＤＬｄに伝わった場合、静電気ＳＥｂは、ダミー部ＴＤＬｄから第１導電層５１Ａに流れてセンサ部ＴＤＬｓに伝わる。センサ部ＴＤＬｓに伝わる静電気ＳＥ、ＳＥｂは、検出部４０の電圧検出器ＤＥＴに含まれる抵抗素子等に流れて、放電される。したがって、第１導電層５１Ａを設けることにより、ダミー部ＴＤＬｄが帯電することを抑制して、ダミー部ＴＤＬｄから液晶層６を介して画素電極２２あるいは駆動電極ＣＯＭＬに伝わる静電気ＳＥａを抑制することができる。

（第５実施形態）
図１５は、第５実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。なお、上述した各実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図１５に示すように、本実施形態の表示装置１Ｄは、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄの表面には高抵抗導電膜５８が設けられる。高抵抗導電膜５８は、第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖ（金属配線）の表面に形成された金属窒化膜又は金属酸化膜である。高抵抗導電膜５８は、第２基板３１の上に第１細線３３Ｕ及び第２細線３３Ｖをパターン形成した後に、プラズマ処理等を施すことにより形成される。高抵抗導電膜５８は、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄの表面に形成され、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄが形成されていない部分の第２基板３１には形成されない。

第１導電層５１Ｂは、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄ、高抵抗導電膜５８、及び第２基板３１の上に設けられる。第１導電層５１Ｂは、高抵抗導電膜５８を介してセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄの上に設けられる。言い換えると、第１導電層５１Ｂは、金属窒化膜あるいは金属酸化膜を介して金属配線と重畳する。

第１導電層５１Ｂの上に偏光板３５が設けられる。第１導電層５１Ｂは、金属配線及び第２基板３１と、偏光板３５との間に設けられた導電性接着層である。つまり、第１導電層５１Ｂは、第２基板３１と偏光板３５との間に設けられる保護層３８及び接着層３９（図９等参照）を兼ねる。これにより、第２基板３１の上側の層構成を少なくすることができる。また、第２導電層５２Ａは、偏光板３５とカバー基板１０１の間に設けられる。本実施形態では、第２基板３１の上に、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄ、高抵抗導電膜５８、第１導電層５１Ｂ、偏光板３５、第２導電層５２Ａ、カバー基板１０１の順に積層されている。

第１導電層５１Ｂは、透光性を有する導電性接着層であり、透光性の樹脂接着剤と導電粒子とを含む。導電粒子は樹脂接着剤中に分散されている。樹脂接着剤に含まれる導電粒子の大きさや量、導電粒子の伝導率などの特性を調整することにより、第１実効シート抵抗値Ｒ１を高めることができる。

本実施形態では、第１導電層５１Ｂは、金属配線と離隔しているため、第１実効シート抵抗値Ｒ１は、第１導電層５１Ｂ単体でのシート抵抗値である。第１実効シート抵抗値Ｒ１は、図１０と同様に１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下とすることが好ましい。第２実効シート抵抗値Ｒ２は、第１実効シート抵抗値Ｒ１の１０倍以上である。つまり、第２実効シート抵抗値Ｒ２は、１０^９Ω／□以上、１０^１２Ω／□以下であることが好ましい。これにより、表示装置１Ｄは、図１０と同様に表示特性（光学特性及び帯電ムラ）の低下やタッチ特性の低下を抑制できる。

このような構成により、外部から静電気ＳＥがダミー部ＴＤＬｄに伝わった場合、静電気ＳＥｂは、ダミー部ＴＤＬｄから高抵抗導電膜５８を介して第１導電層５１Ｂに流れて、センサ部ＴＤＬｓに伝わる。センサ部ＴＤＬｓに伝わる静電気ＳＥ、ＳＥｂは、検出部４０の電圧検出器ＤＥＴに含まれる抵抗素子等に流れて、放電される。したがって、第１導電層５１Ｂを設けることにより、ダミー部ＴＤＬｄが帯電することを抑制できる。このため、ダミー部ＴＤＬｄから液晶層６を介して画素電極２２あるいは駆動電極ＣＯＭＬに伝わる静電気ＳＥａを抑制することができる。

（第６実施形態）
図１６は、第６実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図１７は、第６実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。なお、上述した各実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図１６に示すように、本実施形態の表示装置１Ｅにおいて、第１導電層５１Ｃは、第２基板３１の一方の面に設けられ、金属配線を含む検出電極ＴＤＬは、第２基板３１の他方の面に設けられる。具体的には、第２基板３１の一方の面とは、第２基板３１の第１基板２１と対向する面である。第２基板３１の他方の面とは、一方の面とは反対側の面であり、カバー基板１０１と対向する面である。言い換えると、第１導電層５１Ｃと検出電極ＴＤＬとの間に第２基板３１が配置される。

第１導電層５１Ｃは、第２基板３１とカラーフィルタ３２との間に設けられる。第１導電層５１Ｃは、いわゆるブラックマトリックスであり、光の透過を抑制する遮光層である。図１７に示すように、第１導電層５１Ｃは、カラーフィルタ３２の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂの境界と重なる位置に配置される。図示は省略するが、第１導電層５１Ｃは、平面視で、ゲート線ＧＣＬ及び信号線ＳＧＬ（図５参照）の少なくとも一方と重なって設けられる。第１導電層５１Ｃは、ゲート線ＧＣＬ及び信号線ＳＧＬと重なって、平面視で格子状に形成されていてもよい。

第１導電層５１Ｃは、例えば、着色された樹脂材料とカーボンブラックの導電粒子とを含む。導電粒子は樹脂材料中に分散されている。樹脂材料中に含まれる導電粒子の大きさや量、導電粒子の伝導率などの特性を調整することにより、第１導電層５１Ｃの第１実効シート抵抗値Ｒ１を高めることができる。又は、第１導電層５１Ｃは、光の透過を抑制する樹脂層と、第１実施形態等で示した透光性導電材料を含む導電層とが積層されていてもよい。第１導電層５１Ｃは、ＧＮＤ（接地電位）等の固定電位に接続される。図１７に示すように、本実施形態では、第１導電層５１Ｃ、第２基板３１、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄ、保護層３８、接着層３９、第２導電層５２、偏光板３５、カバー基板１０１の順に積層されている。

本実施形態では、第１導電層５１Ｃは、金属配線と離隔しているため、第１導電層５１Ｃの第１実効シート抵抗値Ｒ１は、第１導電層５１Ｃ単体でのシート抵抗値である。第１実効シート抵抗値Ｒ１は、図１０と同様に１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下とすることが好ましい。

また、第２導電層５２は、接着層３９と偏光板３５との間に設けられる。第２導電層５２の第２実効シート抵抗値Ｒ２は、上述の各実施形態と同様である。これに限定されず、図１１と同様に、第２導電層５２が、偏光板３５とカバー基板１０１の間に設けられていてもよく、或いは、図１２と同様に、第２導電層５２が、保護層３８と偏光板３５との間に設けられた導電性接着層であってもよい。

このような構成により、外部から静電気ＳＥがダミー部ＴＤＬｄに伝わった場合、静電気ＳＥｂは、ダミー部ＴＤＬｄから、第１導電層５１Ｃ又は第２導電層５２に流れて、放電される。したがって、第１導電層５１Ｃを設けることにより、ダミー部ＴＤＬｄが帯電することを抑制して、ダミー部ＴＤＬｄから液晶層６を介して画素電極２２又は駆動電極ＣＯＭＬに伝わる静電気ＳＥａを抑制することができる。また、センサ部ＴＤＬｓに伝わる静電気ＳＥは、検出部４０の電圧検出器ＤＥＴに含まれる抵抗素子等に流れて、放電される。

（第７実施形態）
図１８は、第７実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図１９は、第７実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。なお、上述した各実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図１８に示すように、本実施形態の表示装置１Ｆにおいて、カバー基板１０１の上側には、第３導電層５３が設けられる。第３導電層５３の上には保護層１０３が設けられる。言い換えると、カバー基板１０１の表面に垂直な方向において、第３導電層５３はカバー基板１０１と保護層１０３との間に設けられる。第３導電層５３及び保護層１０３は、カバー基板１０１の全面に設けられる。ただし、これに限定されず、第３導電層５３はカバー基板１０１の一部に設けられていない場合であってもよい。また、偏光板３５の下には接着層３９が設けられ、接着層３９を介して偏光板３５と保護層３８とが貼り合わされる。すなわち、本実施形態において偏光板３５の下に第２導電層５２（図４参照）が設けられていない。本実施形態では、第２基板３１の上に、第１導電層５１、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄ、保護層３８、接着層３９、偏光板３５、カバー基板１０１、第３導電層５３の順に積層されている。なお、駆動電極ＣＯＭＬ、検出電極ＴＤＬ及び第１導電層５１の構成は、第１実施形態と同様である。なお、第１導電層５１は、第４実施形態から第６実施形態に示した、第１導電層５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃのうち少なくとも１つ以上の構成としてもよい。

第３導電層５３は、ＥＳＤ対策のために設けられ、上述した第１導電層５１と同様の材料が用いられる。第３導電層５３は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、ＩＴＯあるいはＺｎＯ等の酸化物を含む透光性導電層である。第３導電層５３は、検出面であるカバー基板１０１の上面に設けられている。指等の被検出体は、保護層１０３を介して第３導電層５３の表面に近接する。第３導電層５３は、少なくとも表示領域１０ａ（図７等参照）の全面に設けられる。第３導電層５３は、表示領域１０ａ及び周辺領域１０ｂ（図７等参照）の全面に設けられることが好ましい。第３導電層５３は、固定電位に接続されていないフローティング状態である。これに限定されず、第３導電層５３は、ＧＮＤ（接地電位）等の固定電位に接続されていてもよい。

なお、カバー基板１０１の上に、保護層１０３、第３導電層５３の順で積層されて、第３導電層５３が最表面に設けられていてもよい。或いは、カバー基板１０１の上に保護層１０３が設けられず、第３導電層５３がカバー基板１０１の最表面に設けられていてもよい。

図１９に示すように、カバー基板１０１の表面に外部から静電気ＳＥが印加された場合、静電気ＳＥは、第３導電層５３、カバー基板１０１、接着層１０２、偏光板３５、接着層３９及び保護層３８を介して、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに伝わる。静電気ＳＥｂは、ダミー部ＴＤＬｄから第１導電層５１に流れてセンサ部ＴＤＬｓに伝わる。センサ部ＴＤＬｓに伝わる静電気ＳＥ、ＳＥｂは、上述したように、検出部４０の電圧検出器ＤＥＴに含まれる抵抗素子等を介して、電源やＧＮＤに流れる。

本実施形態では、第３導電層５３がカバー基板１０１の上に設けられている。このため、指が検出面（保護層１０３の表面）に接触又は近接した場合に、指からの静電気ＳＥｃが第３導電層５３を流れて指に戻る。これにより、指からの静電気ＳＥｃが検出電極ＴＤＬに伝わることを抑制できる。また、指からの静電気ＳＥｃに限らず、例えば、カバー基板１０１の表面に設けられた保護フィルムを剥がす際に発生する静電気等についても、第３導電層５３を設けることにより、表示装置１Ｆの内部に伝わることを抑制できる。

第３導電層５３の第３実効シート抵抗値は、図１０に示す第２実効シート抵抗値Ｒ２と同様である。すなわち、第３導電層５３の第３実効シート抵抗値は、第１実効シート抵抗値Ｒ１の１０倍以上である。第３導電層５３の実効シート抵抗値は、１０^９Ω／□以上、１０^１２Ω／□以下であることが好ましい。これにより、表示装置１Ｆは、図１０と同様に表示特性（光学特性及び帯電ムラ）の低下やタッチ特性の低下を抑制できる。第３導電層５３の実効シート抵抗値が、例えば１０^９Ω／□よりも低い場合、第３導電層５３がシールドとして機能し、タッチ特性が低下する可能性がある。また、第３導電層５３のシート抵抗値が、１０^１３Ω／□よりも高い場合、指からの静電気ＳＥｃが第３導電層５３を良好に流れない可能性がある。

このように、第１導電層５１及び第３導電層５３を設けることにより、指からの静電気ＳＥｃが偏光板３５に伝わることを抑制するとともに、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに印加される静電気ＳＥを短時間に除去することができる。したがって、ダミー部ＴＤＬｄからの静電気ＳＥａが、画素電極２２あるいは駆動電極ＣＯＭＬに伝わることを抑制できる。これにより、本実施形態の表示装置１Ｆは、静電気ＳＥによる表示特性の低下やタッチ特性の低下を抑制できる。

（第８実施形態）
図２０は、第８実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図２１は、第８実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。なお、上述した各実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

本実施形態の表示装置１Ｇは、第１導電層５１と、第２導電層５２と、第３導電層５３とを含む。第１導電層５１は、第１実施形態と同様に、第２基板３１の表面に垂直な方向において、第２基板３１と検出電極ＴＤＬとの間に設けられる。第２導電層５２は、第１実施形態と同様に、検出電極ＴＤＬよりも上側において、接着層３９と偏光板３５との間に設けられる。偏光板３５の上側にカバー基板１０１が設けられており、第３導電層５３は、カバー基板１０１の上側に設けられる。つまり、第３導電層５３は、第１導電層５１及び第２導電層５２よりも上側に設けられる。本実施形態では、第２基板３１の上に、第１導電層５１、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄ、保護層３８、接着層３９、第２導電層５２、偏光板３５、カバー基板１０１、第３導電層５３の順に積層されている。

第１導電層５１、第２導電層５２及び第３導電層５３は、平面視で、互いに重畳して設けられる。第１導電層５１、第２導電層５２及び第３導電層５３は、いずれも、表示領域１０ａ及び周辺領域１０ｂ（図７等参照）の全面に設けられることが好ましい。これに限定されず、第１導電層５１、第２導電層５２及び第３導電層５３の少なくとも一つは、周辺領域１０ｂに設けられていない構成であってもよい。また、第１導電層５１、第２導電層５２及び第３導電層５３は、平面視で、互いに異なる外形形状を有していてもよい。

第２導電層５２の第２実効シート抵抗値Ｒ２及び第３導電層５３の第３実効シート抵抗値は、図１０に示す第２実効シート抵抗値Ｒ２と同様である。すなわち、第２実効シート抵抗値Ｒ２及び第３導電層５３の第３実効シート抵抗値は、第１導電層５１の第１実効シート抵抗値Ｒ１の１０倍以上である。第２実効シート抵抗値Ｒ２及び第３導電層５３の第３実効シート抵抗値は、１０^９Ω／□以上、１０^１２Ω／□以下であることが好ましい。これにより、表示装置１Ｇは、図１０と同様に表示特性（光学特性及び帯電ムラ）の低下やタッチ特性の低下を抑制できる。なお。上記の実効シート抵抗値の範囲内で、第２実効シート抵抗値Ｒ２と、第３実効シート抵抗値とは、同じ抵抗値であってもよく、又は、異なる抵抗値であってもよい。

図２１に示すように、本実施形態の表示装置１Ｇにおいて、第３導電層５３がカバー基板１０１の上に設けられている。このため、指が検出面（保護層１０３の表面）に接触又は近接した場合に、指からの静電気ＳＥｃが第３導電層５３を流れて指に戻る。

また、第２導電層５２が偏光板３５と直接接して設けられている。このため、カバー基板１０１を介して偏光板３５に伝わった静電気ＳＥは、偏光板３５を介して第２導電層５２に伝わる。これにより、偏光板３５自体が帯電することを抑制できるので、偏光板３５の静電気による表示特性の低下やタッチ特性の低下を抑制できる。そして、静電気ＳＥは、第２導電層５２を介してセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに伝わる。

第１導電層５１は、金属配線と直接接して重畳するとともに、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄの間に連続して設けられる。このため、静電気ＳＥｂは、ダミー部ＴＤＬｄから第１導電層５１に流れてセンサ部ＴＤＬｓに伝わる。ダミー部ＴＤＬｄに伝わった静電気ＳＥ、ＳＥｂは、上述したように検出部４０の電圧検出器ＤＥＴに含まれる抵抗素子等を介して、電源やＧＮＤに流れる。このように、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに印加される静電気ＳＥを短時間に除去することができる。したがって、ダミー部ＴＤＬｄからの静電気ＳＥａが、液晶層６を介して画素電極２２あるいは駆動電極ＣＯＭＬに伝わることを抑制できる。

このように、本実施形態の表示装置１Ｇは、第１導電層５１、第２導電層５２及び第３導電層５３を有するため、指等の外部から印加される静電気が表示装置１Ｇの内部の部材に帯電することを抑制できる。これにより、本実施形態の表示装置１Ｇは、静電気ＳＥによる表示特性の低下やタッチ特性の低下を抑制できる。

（第９実施形態）
図２２は、第９実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。図２２に示すように、本実施形態の表示装置１Ｈにおいて、センサ部ＴＤＬｓ、ダミー部ＴＤＬｄ及び第１導電層５１の上側に保護層３８が設けられる。保護層３８の上側に接着層３９を介して偏光板３５が設けられる。第２導電層５２Ｃは、偏光板３５の上に設けられる。言い換えると、第２導電層５２Ｃは、偏光板３５とカバー基板１０１との間に設けられる。

第２導電層５２Ｃは、導電性接着層であり、第１実施形態に示す接着層１０２と第２導電層５２（図９参照）の機能を兼ねる。これにより、第２基板３１の上側の層構成を少なくすることができるため、製造コストを低減できる。本実施形態では、第２基板３１の上に、第１導電層５１、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄ、保護層３８、接着層３９、偏光板３５、第２導電層５２Ｃ、カバー基板１０１の順に積層されている。

本実施形態においても、保護層１０３の表面に外部から静電気ＳＥが印加された場合、第２導電層５２Ｃが偏光板３５に直接、接して設けられているので、偏光板３５自体が帯電することを抑制できる。また、第２導電層５２Ｃが設けられているため、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに伝わる静電気ＳＥを低減できる。

第２導電層５２Ｃは、図１２に示す第２導電層５２Ｂと同様の構成を有する透光性の導電性接着層である。第２導電層５２Ｃの第２実効シート抵抗値Ｒ２は、金属配線と接した第１導電層５１の第１実効シート抵抗値Ｒ１よりも高いことが好ましい。より好ましくは、第２実効シート抵抗値Ｒ２は、第１実効シート抵抗値Ｒ１の１０倍以上である。また、第１実効シート抵抗値Ｒ１は、１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下であることが好ましい。この範囲とすることで、表示装置１Ｈは、図１０に示す例と同様に、良好なタッチ特性、光学特性を得ることができ、また、帯電ムラの発生を抑制できる。

（第１０実施形態）
図２３は、第１０実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。本実施形態の表示装置１Ｉにおいて、第１導電層５１Ｃは、第２基板３１とカラーフィルタ３２との間に設けられる。第１導電層５１Ｃは、いわゆるブラックマトリックスであり、光の透過を抑制する遮光層である。第１導電層５１Ｃの構成は、第６実施形態（図１６、１７）と同様であり、詳細な説明は省略する。

第２導電層５２Ｃは、第９実施形態（図２２）と同様の構成である。すなわち、第２導電層５２Ｃは、偏光板３５とカバー基板１０１との間に設けられた導電性接着層である。本実施形態では、第１導電層５１Ｃ、第２基板３１、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄ、保護層３８、接着層３９、偏光板３５、第２導電層５２Ｃ、カバー基板１０１の順に積層されている。

このような構成により、外部から静電気ＳＥがダミー部ＴＤＬｄに伝わった場合、静電気ＳＥｂは、ダミー部ＴＤＬｄから、第１導電層５１Ｃ又は第２導電層５２Ｃに流れて、放電される。したがって、第１導電層５１Ｃを設けることにより、ダミー部ＴＤＬｄが帯電することを抑制して、ダミー部ＴＤＬｄから液晶層６を介して画素電極２２又は駆動電極ＣＯＭＬに伝わる静電気ＳＥａを抑制することができる。また、センサ部ＴＤＬｓに伝わる静電気ＳＥは、検出部４０の電圧検出器ＤＥＴに含まれる抵抗素子等に流れて、放電される。

本実施形態では、第１導電層５１Ｃは、金属配線と離隔しているため、第１導電層５１Ｃの第１実効シート抵抗値Ｒ１は、第１導電層５１Ｃ単体でのシート抵抗値である。第１実効シート抵抗値Ｒ１は、図１０と同様に１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下とすることが好ましい。また、第２導電層５２Ｃの第２実効シート抵抗値Ｒ２は、第１導電層５１Ｃの第１実効シート抵抗値Ｒ１よりも高いことが好ましい。より好ましくは、第２実効シート抵抗値Ｒ２は、第１実効シート抵抗値Ｒ１の１０倍以上である。この範囲とすることで、表示装置１Ｉは、図１０に示す例と同様に、良好なタッチ特性、光学特性を得ることができ、また、帯電ムラの発生を抑制できる。

（第１１実施形態）
図２４は、第１１実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。本実施形態の表示装置１Ｊにおいて、第１導電層５１Ｂ及び高抵抗導電膜５８の構成は、第５実施形態（図１５）と同様である。すなわち、第１導電層５１Ｂは、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄ、高抵抗導電膜５８、及び第２基板３１の上に設けられる。第１導電層５１Ｂは、高抵抗導電膜５８を介してセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄの上に設けられる。言い換えると、第１導電層５１Ｂは、金属窒化膜あるいは金属酸化膜を介して金属配線と重畳する。第１導電層５１Ｂは、導電性接着層であり、金属配線及び第２基板３１と、偏光板３５との間に設けられる。

また、第２導電層５２Ｃは、第９実施形態（図２２）と同様の構成である。すなわち、第２導電層５２Ｃは、偏光板３５とカバー基板１０１との間に設けられた導電性接着層である。本実施形態では、第２基板３１の上に、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄ、高抵抗導電膜５８、第１導電層５１Ｂ、偏光板３５、第２導電層５２Ｃ、カバー基板１０１の順に積層されている。

本実施形態では、第１導電層５１Ｂは、金属配線と離隔しているため、第１実効シート抵抗値Ｒ１は、第１導電層５１Ｂ単体でのシート抵抗値である。第１実効シート抵抗値Ｒ１は、図１０と同様に１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下とすることが好ましい。第２実効シート抵抗値Ｒ２は、第１実効シート抵抗値Ｒ１の１０倍以上である。つまり、第２実効シート抵抗値Ｒ２は、１０^９Ω／□以上、１０^１２Ω／□以下であることが好ましい。これにより、表示装置１Ｊは、図１０と同様に表示特性（光学特性及び帯電ムラ）の低下やタッチ特性の低下を抑制できる。

（第１２実施形態）
図２５は、第１２実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。本実施形態の表示装置１Ｋにおいて、第１導電層５１Ａの構成は、第４実施形態（図１４）と同様である。すなわち、第１導電層５１Ａは、第１実施形態に示したオーバーコート層である保護層３８（図９等参照）と第１導電層５１（図９等参照）との機能を兼ねる。第１導電層５１Ａは、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄの上に設けられる。センサ部ＴＤＬｓ、ダミー部ＴＤＬｄ及び第１導電層５１Ａの上側に偏光板３５が設けられる。偏光板３５と第１導電層５１Ａとの間に接着層３９が設けられる。

また、第２導電層５２Ｃは、第９実施形態（図２２）と同様の構成である。すなわち、第２導電層５２Ｃは、偏光板３５とカバー基板１０１との間に設けられた導電性接着層である。本実施形態では、第２基板３１の上に、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄ、第１導電層５１Ａ、偏光板３５、第２導電層５２Ｃ、カバー基板１０１の順に積層されている。

本実施形態においても、第２導電層５２Ｃの第２実効シート抵抗値Ｒ２は、金属配線と接した第１導電層５１Ａの第１実効シート抵抗値Ｒ１よりも高いことが好ましい。より好ましくは、第２実効シート抵抗値Ｒ２は、第１実効シート抵抗値Ｒ１の１０倍以上である。また、第１実効シート抵抗値Ｒ１は、１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下であることが好ましい。この範囲とすることで、表示装置１Ｋは、図１０に示す例と同様に、良好なタッチ特性、光学特性を得ることができ、また、帯電ムラの発生を抑制できる。

（第１３実施形態）
図２６は、第１３実施形態に係る表示装置の、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。本実施形態の表示装置１Ｌにおいて、第１導電層５１Ｄは、偏光板３５とカバー基板１０１との間に設けられる。第１導電層５１Ｄは、第５実施形態（図１５）に示す第１導電層５１Ｂと同様の導電性接着層である。

第２導電層５２は、接着層３９と偏光板３５との間に設けられる。第２導電層５２の構成は、第１実施形態（図９）と同様である。本実施形態では、偏光板３５の一方の面に第１導電層５１Ｄが設けられ、偏光板３５の他方の面に第２導電層５２が設けられる。第１導電層５１Ｄは、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄと離隔して設けられる。また、第２基板３１の表面に対して垂直な方向において、第１導電層５１Ｄは、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄに対して、第２導電層５２よりも離れた位置に設けられる。第１導電層５１Ｄは、ＧＮＤ（接地電位）等の固定電位に接続される。本実施形態では、第２基板３１の上に、センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄ、保護層３８、接着層３９、第２導電層５２、偏光板３５、第１導電層５１Ｄ、カバー基板１０１の順に積層されている。

本実施形態では、第１導電層５１Ｄは、金属配線と離隔しているため、第１実効シート抵抗値Ｒ１は、第１導電層５１Ｄ単体でのシート抵抗値である。第１実効シート抵抗値Ｒ１は、図１０と同様に１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下とすることが好ましい。第２導電層５２の第２実効シート抵抗値Ｒ２は、第１実効シート抵抗値Ｒ１の１０倍以上である。つまり、第２実効シート抵抗値Ｒ２は、１０^９Ω／□以上、１０^１２Ω／□以下であることが好ましい。これにより、表示装置１Ｌは、図１０と同様に表示特性（光学特性及び帯電ムラ）の低下やタッチ特性の低下を抑制できる。

（第１４実施形態）
図２７は、第１４実施形態に係る表示装置の第１基板の平面図である。図２８は、第１４実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。なお、上述した各実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図２７に示すように、本実施形態の表示装置１Ｍにおいて、駆動電極ＣＯＭＬＡは、第１基板２１の表示領域１０ａに行列状に複数配置される。言い換えると、駆動電極ＣＯＭＬＡは、第１方向Ｄｘに複数配列されるとともに、第２方向Ｄｙに複数配列される。１つの駆動電極ＣＯＭＬＡに重畳して、複数の画素電極２２が配列される。なお、図２７では、一部の駆動電極ＣＯＭＬＡ及び画素電極２２を示しているが、駆動電極ＣＯＭＬＡ及び画素電極２２は、表示領域１０ａの全領域に行列状に配置される。

駆動電極ＣＯＭＬＡは、それぞれ配線３７を介して駆動電極ドライバ１４に接続される。表示動作において、駆動電極ドライバ１４は、全ての駆動電極ＣＯＭＬＡに対して、表示駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。また、タッチ検出において、駆動電極ドライバ１４は、駆動電極ＣＯＭＬＡに対して、同時又は順次に駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。駆動電極ＣＯＭＬＡは、駆動電極ＣＯＭＬＡの静電容量変化に応じた検出信号Ｖｄｅｔ２を検出部４０に出力する。各駆動電極ＣＯＭＬＡからの検出信号Ｖｄｅｔ２に基づいて、検出面のタッチ検出が行われる。つまり、駆動電極ＣＯＭＬＡは、表示動作の際に共通電極として機能するとともに、自己静電容量方式によるタッチ検出の際に検出電極として機能する。

なお、配線３７は、駆動電極ＣＯＭＬＡと絶縁層（図示しない）を介して異なる層に設けられ、平面視で駆動電極ＣＯＭＬＡと重畳して設けられる。これに限られず、配線３７は、駆動電極ＣＯＭＬＡと同じ層に設けられていてもよい。この場合、配線３７は、隣り合う駆動電極ＣＯＭＬＡ同士の間を通って駆動電極ドライバ１４に接続される。

図２８に示すように、第２基板３１の上に第１導電層５１が設けられる。第１導電層５１の上に、接着層３９を介して第２導電層５２が設けられる。第２導電層５２の上に偏光板３５が設けられている。言い換えると、第２基板３１の表面に対して垂直な方向において、第１導電層５１は、第２基板３１と接着層３９との間に設けられる。また、第２導電層５２は、接着層３９と偏光板３５との間に設けられる。また、偏光板３５の上に接着層１０２を介してカバー基板１０１が設けられる。カバー基板１０１の上に第３導電層５３が設けられる。本実施形態では、駆動電極ＣＯＭＬＡが検出電極としての機能を兼ねるので、第２基板３１に検出電極ＴＤＬ（図４等参照）が設けられておらず、第１導電層５１は、検出電極である駆動電極ＣＯＭＬＡと離隔して重畳する。本実施形態では、第１基板２１、駆動電極ＣＯＭＬＡ、液晶層６、第２基板３１、第１導電層５１、接着層３９、第２導電層５２、偏光板３５、カバー基板１０１、第３導電層５３の順に積層されている。

第１導電層５１は、ＧＮＤ等の固定電位に接続される。第２導電層５２及び第３導電層５３は、固定電位に接続されないフローティング状態である。又は、第２導電層５２及び第３導電層５３の少なくとも一方を、ＧＮＤ等の固定電位に接続してもよい。第２導電層５２及び第３導電層５３のいずれか一方が設けられていない構成であってもよい。

第１導電層５１は、第１実施形態に示した各種透光性導電材料を用いることができる。又は、第１導電層５１としてＰＥＤＯＴ（Poly-3,4-ethylenedioxythiophene）−ＰＳＳ（Polystyrene Sulfonate）等を含む導電性高分子材料を用いてもよい。第１導電層５１の材料として、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳに、アルカリ金属と、高抵抗成分とを添加したものが用いられる。アルカリ金属は、例えばリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）である。高抵抗成分は、例えばＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）である。あるいは、第１導電層５１は、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、ＩＴＯあるいはＺｎＯ等の酸化物を含む透光性導電層である。

検出電極ＴＤＬが設けられていないため、第１実効シート抵抗値Ｒ１は、第１導電層５１単体でのシート抵抗値である。第１実効シート抵抗値Ｒ１は、図１０と同様に、１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下であることが好ましい。また、第２導電層５２の第２実効シート抵抗値Ｒ２及び第３導電層５３の第３実効シート抵抗値は、図１０に示す第２実効シート抵抗値Ｒ２と同様である。すなわち、第２実効シート抵抗値Ｒ２及び第３実効シート抵抗値は、第１実効シート抵抗値Ｒ１の１０倍以上である。第２実効シート抵抗値Ｒ２及び第３実効シート抵抗値は、１０^９Ω／□以上、１０^１２Ω／□以下であることが好ましい。上記の実効シート抵抗値の範囲内で、第２実効シート抵抗値Ｒ２と、第３実効シート抵抗値とは、同じ抵抗値であってもよく、又は、異なる抵抗値であってもよい。

本実施形態の表示装置１Ｍにおいて、第３導電層５３がカバー基板１０１の上に設けられている。このため、図２１に示す静電気ＳＥｃの流れと同様に、指が検出面（保護層１０３の表面）に接触又は近接した場合に、指からの静電気ＳＥｃが第３導電層５３を流れて指に戻る。

また、第２導電層５２は、偏光板３５に直接接して設けられている。このため、外部から印加された静電気ＳＥは、偏光板３５を介して第２導電層５２に流れる。これにより、偏光板３５が帯電することを抑制できる。さらに、第２基板３１に第１導電層５１が設けられているため、外部からの静電気ＳＥが、液晶層６を介して画素電極２２または駆動電極ＣＯＭＬに伝わることを抑制できる。

（第１５実施形態）
図２９は、第１５実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図２９に示すように、本実施形態の表示装置１Ｎにおいて、第２基板３１の上に第１導電層５１が設けられる。第１導電層５１は、第１４実施形態と同様にＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ等を含む導電性高分子材料の材料を用いることができる。第１導電層５１の上に、接着層３９を介して偏光板３５が設けられている。言い換えると、第２基板３１の表面に対して垂直な方向において、第１導電層５１は、第２基板３１と接着層３９との間に設けられる。

偏光板３５の上に第２導電層５２Ｃが設けられる。第２導電層５２Ｃは、偏光板３５とカバー基板１０１との間に設けられる。第２導電層５２Ｃは、第９実施形態（図２２）等と同様に、導電性接着層である。また、カバー基板１０１の上に第３導電層５３が設けられる。本実施形態では、第１基板２１、駆動電極ＣＯＭＬＡ、液晶層６、第２基板３１、第１導電層５１、接着層３９、偏光板３５、第２導電層５２Ｃ、カバー基板１０１、第３導電層５３の順に積層されている。

本実施形態においても、第１実効シート抵抗値Ｒ１は、第１導電層５１単体でのシート抵抗値である。第１実効シート抵抗値Ｒ１は、図１０と同様に、１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下であることが好ましい。また、第２導電層５２Ｃの第２実効シート抵抗値Ｒ２及び第３導電層５３の第３実効シート抵抗値は、図１０に示す第２実効シート抵抗値Ｒ２と同様である。すなわち、第２実効シート抵抗値Ｒ２及び第３実効シート抵抗値は、第１実効シート抵抗値Ｒ１の１０倍以上である。第２実効シート抵抗値Ｒ２及び第３実効シート抵抗値は、１０^９Ω／□以上、１０^１２Ω／□以下であることが好ましい。これにより、表示装置１Ｎは、図１０と同様に表示特性（光学特性及び帯電ムラ）の低下やタッチ特性の低下を抑制できる。このとき、第１導電層５１と、固定電位に配線するための導電性材料との間の接続抵抗は１０^６Ωより大きく、１０^１０Ωより小さな値であることが好ましい。固定電位に配線するための導電性材料は、例えば、導電テープ、カーボン、Ａｇペースト、あるいはカーボンとＡｇを混ぜたペースト等である。接続抵抗が１０^６Ω以下の場合、第１実効シート抵抗値Ｒ１と接続抵抗との合計の抵抗値が低下して、結果としてタッチ特性が低下する可能性がある。また、接続抵抗が１０^１０Ω以上の場合、第１実効シート抵抗値Ｒ１と接続抵抗との合計の抵抗値が増大して、結果として表示特性（帯電ムラ）が低下する可能性がある。

（第１６実施形態）
図３０は、第１６実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。本実施形態の表示装置１Ｏにおいて、第１導電層５１Ｄは、第１３実施形態（図２６）と同様に、偏光板３５とカバー基板１０１との間に設けられた導電性接着層である。第２導電層５２は、接着層３９と偏光板３５との間に設けられる。本実施形態では、偏光板３５の一方の面に第１導電層５１Ｄが設けられ、偏光板３５の他方の面に第２導電層５２が設けられる。また、カバー基板１０１の上に第３導電層５３が設けられる。本実施形態では、第２基板３１の表面に対して垂直な方向において、第１導電層５１Ｄは、第２導電層５２と第３導電層５３の間に設けられる。

本実施形態では、第１基板２１、駆動電極ＣＯＭＬＡ、液晶層６、第２基板３１、接着層３９、第２導電層５２、偏光板３５、第１導電層５１Ｄ、カバー基板１０１、第３導電層５３の順に積層されている。

本実施形態においても、第１実効シート抵抗値Ｒ１は、第１導電層５１Ｄ単体でのシート抵抗値である。第１実効シート抵抗値Ｒ１は、図１０と同様に、１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下であることが好ましい。また、第２導電層５２の第２実効シート抵抗値Ｒ２及び第３導電層５３の第３実効シート抵抗値は、図１０に示す第２実効シート抵抗値Ｒ２と同様である。すなわち、第２実効シート抵抗値Ｒ２及び第３実効シート抵抗値は、第１実効シート抵抗値Ｒ１の１０倍以上である。第２実効シート抵抗値Ｒ２及び第３実効シート抵抗値は、１０^９Ω／□以上、１０^１２Ω／□以下であることが好ましい。これにより、表示装置１Ｏは、図１０と同様に表示特性（光学特性及び帯電ムラ）の低下やタッチ特性の低下を抑制できる。このとき、第１導電層５１と、固定電位に配線するための導電性材料との間の接続抵抗は１０^６Ωより大きく、１０^１０Ωより小さな値であることが好ましい。接続抵抗が１０^６Ω以下の場合、第１実効シート抵抗値Ｒ１と接続抵抗との合計の抵抗値が低下して、結果としてタッチ特性が低下する可能性がある。また、接続抵抗が１０^１０Ω以上の場合、第１実効シート抵抗値Ｒ１と接続抵抗との合計の抵抗値が増大して、結果として表示特性（帯電ムラ）が低下する可能性がある。

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。

例えば、本態様の検出装置及び表示装置は、以下の態様をとることができる。
（１）基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
前記金属配線と接して重畳する第１導電層と、
前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられる第２導電層と、
を有し、
前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、
前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記金属配線と接した前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高く、
前記第１実効シート抵抗値は、１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下である、
検出装置。
（２）前記第２実効シート抵抗値は、前記第１実効シート抵抗値の１０倍以上である、
上記（１）に記載の検出装置。
（３）前記第１導電層は、前記基板に対し垂直な方向において、前記基板と前記金属配線との間に設けられる、
上記（１）又は上記（２）に記載の検出装置。
（４）前記第１導電層は、前記金属配線及び前記基板の上側に設けられる、
上記（１）又は上記（２）に記載の検出装置。
（５）前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板と、前記金属配線及び前記第１導電層との間に設けられ、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有する接着層と、
を有し、
前記第２導電層は、前記接着層と前記偏光板との間に設けられる、
上記（１）乃至上記（４）のいずれか１つに記載の検出装置。
（６）前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた保護層と、
前記保護層の上側に設けられた偏光板と、
を有し、
前記第２導電層は、前記保護層と前記偏光板との間に設けられた導電性接着層である、
上記（１）又は上記（３）に記載の検出装置。
（７）前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
を有し、
前記第２導電層は、前記偏光板と前記カバー基板の間に設けられる、
上記（１）乃至上記（４）のいずれか１つに記載の検出装置。
（８）前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
を有し、
前記第２導電層は、前記カバー基板の上側に設けられる、
上記（１）乃至上記（４）のいずれか１つに記載の検出装置。
（９）前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
前記カバー基板の上側に設けられた第３導電層と、
を有する、
上記（５）又は上記（６）に記載の検出装置。
（１０）基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
前記金属配線と離隔して重畳する第１導電層と、
前記金属配線及び前記第１導電層よりも上側に設けられる第２導電層と、
を有し、
前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、
前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高く、
前記第１実効シート抵抗値は、１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下である、
検出装置。
（１１）前記第２実効シート抵抗値は、前記第１実効シート抵抗値の１０倍以上である、
上記（１０）に記載の検出装置。
（１２）前記金属配線の上側に設けられた偏光板を有し、
前記第１導電層は、前記金属配線及び前記基板と、前記偏光板との間に設けられた導電性接着層である、
上記（１０）又は上記（１１）に記載の検出装置。
（１３）前記第１導電層は、前記基板の一方の面に設けられ、
前記金属配線は、前記基板の他方の面に設けられる、
上記（１０）又は上記（１１）に記載の検出装置。
（１４）前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
を有し、
前記第２導電層は、前記偏光板と前記カバー基板の間に設けられる、
上記（１３）に記載の検出装置。
（１５）前記検出電極は、センサ部と、前記センサ部と離隔して設けられたダミー部とを含み、
前記第１導電層は、前記センサ部と前記ダミー部とに重畳して連続して設けられる、
上記（１）乃至上記（１４）のいずれか１つに記載の検出装置。
（１６）前記第１導電層及び前記第２導電層のそれぞれは、透光性導電層である、
上記（１）乃至上記（１５）のいずれか１つに記載の検出装置。
（１７）前記第１導電層は、表示領域の全面に設けられている、
上記（１）乃至上記（１６）のいずれか１つに記載の検出装置。
（１８）上記（１）乃至上記（１７）のいずれか１つに記載の検出装置と、
前記基板と平行な面上において、前記検出電極と対向して行列配置された複数の画素電極と、
画像信号に基づいて駆動される表示機能層と、
前記基板と平行な面上に設けられ、前記画素電極との間に横電界を発生させる駆動電極と、を有し、
前記横電界により前記表示機能層を駆動する
表示装置。

さらに、検出装置及び表示装置は、以下の態様をとることができる。
（１９）基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
前記金属配線と接して重畳し、前記基板に対し垂直な方向において、前記基板と前記金属配線との間に設けられる第１導電層と、
前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられる第２導電層と、
を有し、
前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、
前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記金属配線と接した前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高い、
検出装置。
（２０）基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
前記金属配線と接して重畳し、前記基板に対し垂直な方向において、前記基板と前記金属配線との間に設けられる第１導電層と、
前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
前記偏光板と前記カバー基板の間に設けられた第２導電層と、
を有し、
前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、
前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記金属配線と接した前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高い、
検出装置。
（２１）基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
前記金属配線と接して重畳し、前記基板に対し垂直な方向において、前記基板と前記金属配線との間に設けられる第１導電層と、
前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた保護層と、
前記保護層の上側に設けられた偏光板と、
前記保護層と前記偏光板との間に設けられた導電性接着層である第２導電層と、
を有し、
前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、
前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記金属配線と接した前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高い、
検出装置。
（２２）基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
前記金属配線と接して重畳し、前記金属配線及び前記基板の上側に設けられる第１導電層と、
前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられる第２導電層と、
を有し、
前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、
前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記金属配線と接した前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高い、
検出装置。
（２３）基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
金属窒化物あるいは金属酸化物を介して前記金属配線と離隔して重畳する第１導電層と、
前記金属配線及び前記第１導電層よりも上側に設けられる第２導電層と、
を有し、
前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、
前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高い、
検出装置。
（２４）基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
前記金属配線と離隔して重畳する第１導電層と、
前記金属配線及び前記第１導電層よりも上側に設けられる第２導電層と、
を有し、
前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、
前記第１導電層は、前記基板の一方の面に設けられる遮光層であり、
前記金属配線は、前記基板の他方の面に設けられ、
前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高い、
検出装置。
（２５）基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
前記金属配線と接して重畳し、前記基板に対し垂直な方向において、前記基板と前記金属配線との間に設けられる第１導電層と、
前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられ、かつ、前記カバー基板の上側に設けられる第２導電層と、
を有し、
前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、
前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記金属配線と接した前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高い、
検出装置。
（２６）基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
前記金属配線と接して重畳し、前記基板に対し垂直な方向において、前記基板と前記金属配線との間に設けられる第１導電層と、
前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板と、前記金属配線及び前記第１導電層との間に設けられた接着層と、
前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられ、かつ、前記接着層と前記偏光板との間に設けられる第２導電層と、
前記カバー基板の上側に設けられる第３導電層と、
を有し、
前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、
前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記金属配線と接した前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高い、
検出装置。
（２７）基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
前記金属配線と接して重畳し、前記基板に対し垂直な方向において、前記基板と前記金属配線との間に設けられる第１導電層と、
前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
前記金属配線及び前記第１導電層よりも上側であって、前記偏光板と前記カバー基板との間に設けられる第２導電層と、
を有し、
前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、
前記第２導電層は、導電性接着層であり、前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記金属配線と接した前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高い、
検出装置。
（２８）基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
前記金属配線と離隔して重畳する第１導電層と、
前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
前記偏光板と前記カバー基板との間に設けられる第２導電層と、
を有し、
前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、
前記第１導電層は、前記基板の一方の面に設けられる遮光層であり、
前記金属配線は、前記基板の他方の面に設けられ、
前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高い、
検出装置。
（２９）基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
金属窒化物あるいは金属酸化物を介して前記金属配線と離隔して重畳する第１導電層と、
前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
前記偏光板と前記カバー基板との間に設けられる第２導電層と、
を有し、
前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、
前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高い、
検出装置。
（３０）基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
前記金属配線と接して重畳し、前記金属配線及び前記基板の上側に設けられる第１導電層と、
前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
前記偏光板と前記カバー基板との間に設けられる第２導電層と、
を有し、
前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、
前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記金属配線と接した前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高い、
検出装置。
（３１）基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
前記金属配線と離隔して重畳し、前記基板に対し垂直な方向において、前記偏光板と前記カバー基板との間に設けられる第１導電層と、
前記金属配線と前記偏光板との間に設けられる第２導電層と、
を有し、
前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、
前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記金属配線と接した前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高い、
検出装置。
（３２）第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、行列配置された複数の駆動電極と、
前記駆動電極と対向する画素電極と、
画像信号に基づいて駆動される表示機能層と、
前記第１基板の上に設けられた第１導電層と、
前記第１導電層の上に接着層を介して設けられた第２導電層と、
を有し、
前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記金属配線と接した前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高い、
表示装置。
（３３）第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、行列配置された複数の駆動電極と、
前記駆動電極と対向する画素電極と、
画像信号に基づいて駆動される表示機能層と、
前記第１基板の上に設けられた第１導電層と、
前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
前記偏光板と前記カバー基板の間に設けられた第２導電層と、
を有し、
前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記金属配線と接した前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高い、
表示装置。
（３４）第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、行列配置された複数の駆動電極と、
前記駆動電極と対向する画素電極と、
画像信号に基づいて駆動される表示機能層と、
前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
前記偏光板と前記カバー基板の間に設けられた第１導電層と、
前記第１基板と前記偏光板の間に設けられた第２導電層と、
を有し、
前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記金属配線と接した前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高い、
表示装置。

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、１Ｉ、１Ｊ、１Ｋ、１Ｌ、１Ｍ、１Ｎ、１Ｏ 表示装置
２ 画素基板
３ 対向基板
６ 液晶層
１０ 表示部
１１ 制御部
１４ 駆動電極ドライバ
１８ 検出用ＩＣ
１９ 表示用ＩＣ
２０ 表示パネル
２１ 第１基板
２２ 画素電極
３０ タッチパネル
３１ 第２基板
３３Ｕ 第１細線
３３Ｖ 第２細線
３５、６５ 偏光板
３８ 保護層
３９ 接着層
４０ 検出部
５１、５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ、５１Ｄ 第１導電層
５２、５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ 第２導電層
５３ 第３導電層
１０１ カバー基板
ＣＯＭＬ 駆動電極
Ｒ１ 第１実効シート抵抗値
Ｒ２ 第２実効シート抵抗値
ＴＤＬ 検出電極
ＴＤＬｓ センサ部
ＴＤＬｄ ダミー部

Claims (18)

1. 基板と、
   前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
   前記金属配線と接して重畳する第１導電層と、
   前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられる第２導電層と、
   を有し、
   前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、
   前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記金属配線と接した前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高く、
   前記第１実効シート抵抗値は、１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下である、
   検出装置。
2. 前記第２実効シート抵抗値は、前記第１実効シート抵抗値の１０倍以上である、
   請求項１に記載の検出装置。
3. 前記第１導電層は、前記基板に対し垂直な方向において、前記基板と前記金属配線との間に設けられる、
   請求項１又は請求項２に記載の検出装置。
4. 前記第１導電層は、前記金属配線及び前記基板の上側に設けられる、
   請求項１又は請求項２に記載の検出装置。
5. 前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
   前記偏光板と、前記金属配線及び前記第１導電層との間に設けられ、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有する接着層と、
   を有し、
   前記第２導電層は、前記接着層と前記偏光板との間に設けられる、
   請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の検出装置。
6. 前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた保護層と、
   前記保護層の上側に設けられた偏光板と、
   を有し、
   前記第２導電層は、前記保護層と前記偏光板との間に設けられた導電性接着層である、
   請求項１又は請求項３に記載の検出装置。
7. 前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
   前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
   を有し、
   前記第２導電層は、前記偏光板と前記カバー基板の間に設けられる、
   請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の検出装置。
8. 前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
   前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
   を有し、
   前記第２導電層は、前記カバー基板の上側に設けられる、
   請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の検出装置。
9. 前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
   前記カバー基板の上側に設けられた第３導電層と、
   を有する、
   請求項５又は請求項６に記載の検出装置。
10. 基板と、
    前記基板と平行な面上に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
    前記金属配線と離隔して重畳する第１導電層と、
    前記金属配線及び前記第１導電層よりも上側に設けられる第２導電層と、
    を有し、
    前記第１導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、
    前記第２導電層の第２実効シート抵抗値は、前記第１導電層の第１実効シート抵抗値よりも高く、
    前記第１実効シート抵抗値は、１０^８Ω／□以上、１０^１１Ω／□以下である、
    検出装置。
11. 前記第２実効シート抵抗値は、前記第１実効シート抵抗値の１０倍以上である、
    請求項１０に記載の検出装置。
12. 前記金属配線の上側に設けられた偏光板を有し、
    前記第１導電層は、前記金属配線及び前記基板と、前記偏光板との間に設けられた導電性接着層である、
    請求項１０又は請求項１１に記載の検出装置。
13. 前記第１導電層は、前記基板の一方の面に設けられ、
    前記金属配線は、前記基板の他方の面に設けられる、
    請求項１０又は請求項１１に記載の検出装置。
14. 前記金属配線及び前記第１導電層の上側に設けられた偏光板と、
    前記偏光板の上側に設けられたカバー基板と、
    を有し、
    前記第２導電層は、前記偏光板と前記カバー基板の間に設けられる、
    請求項１３に記載の検出装置。
15. 前記検出電極は、センサ部と、前記センサ部と離隔して設けられたダミー部とを含み、
    前記第１導電層は、前記センサ部と前記ダミー部とに重畳して連続して設けられる、
    請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の検出装置。
16. 前記第１導電層及び前記第２導電層のそれぞれは、透光性導電層である、
    請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の検出装置。
17. 前記第１導電層は、表示領域の全面に設けられている、
    請求項１乃至請求項１６のいずれか１項に記載の検出装置。
18. 請求項１乃至請求項１７のいずれか１項に記載の検出装置と、
    前記基板と平行な面上において、前記検出電極と対向して行列配置された複数の画素電極と、
    画像信号に基づいて駆動される表示機能層と、
    前記基板と平行な面上に設けられ、前記画素電極との間に横電界を発生させる駆動電極と、を有し、
    前記横電界により前記表示機能層を駆動する
    表示装置。

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