JPH06157036A - スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法 - Google Patents
スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法Info
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- JPH06157036A JPH06157036A JP4328827A JP32882792A JPH06157036A JP H06157036 A JPH06157036 A JP H06157036A JP 4328827 A JP4328827 A JP 4328827A JP 32882792 A JP32882792 A JP 32882792A JP H06157036 A JPH06157036 A JP H06157036A
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- oxide film
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
Abstract
(57)【要約】
【目的】２００〜３０００Ω／□の比較的高抵抗で、均
一性に優れたスズドープ酸化インジウム膜を得る成膜方
法を提供する。 【構成】成膜に際し、第三成分を、Ｉｎに対して０．０
５〜２０原子％添加してなるスズドープ酸化インジウム
膜の成膜方法。 【効果】該方法により、高抵抗、かつ、均一性に優れた
ＩＴＯ膜をより効率的に成膜することができる。
一性に優れたスズドープ酸化インジウム膜を得る成膜方
法を提供する。 【構成】成膜に際し、第三成分を、Ｉｎに対して０．０
５〜２０原子％添加してなるスズドープ酸化インジウム
膜の成膜方法。 【効果】該方法により、高抵抗、かつ、均一性に優れた
ＩＴＯ膜をより効率的に成膜することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スズドープ酸化インジ
ウム膜（以下、ＩＴＯと称す）の成膜方法に関するもの
であり、特にタッチパネルの透明電極として用いられる
ＩＴＯ膜の高抵抗で均一性に優れた成膜方法に関する。
ウム膜（以下、ＩＴＯと称す）の成膜方法に関するもの
であり、特にタッチパネルの透明電極として用いられる
ＩＴＯ膜の高抵抗で均一性に優れた成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴＯ膜は透明導電膜であり、ガラス基
板上に成膜したＩＴＯガラスは、例えば液晶ディスプレ
イ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、面発熱
体、タッチパネルの電極等に広く使用されている。この
様に広い分野で使用されると、使用目的によってＩＴＯ
膜の抵抗値は種々のものが要求される。すなわちフラッ
トパネルディスプレイ用のＩＴＯ膜では低抵抗のものが
要求されるが、タッチパネル用のＩＴＯ膜では逆に高抵
抗の膜が要求される。従来、抵抗値をコントロールする
方法の中で最も普通に行われる方法は膜厚を変えること
であった。
板上に成膜したＩＴＯガラスは、例えば液晶ディスプレ
イ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、面発熱
体、タッチパネルの電極等に広く使用されている。この
様に広い分野で使用されると、使用目的によってＩＴＯ
膜の抵抗値は種々のものが要求される。すなわちフラッ
トパネルディスプレイ用のＩＴＯ膜では低抵抗のものが
要求されるが、タッチパネル用のＩＴＯ膜では逆に高抵
抗の膜が要求される。従来、抵抗値をコントロールする
方法の中で最も普通に行われる方法は膜厚を変えること
であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記のように膜厚を変
化させて抵抗値をコントロールすると、当然可視光透過
率が変化する。 シート抵抗＝比抵抗／膜厚 高抵抗ＩＴＯを得ようとする場合は膜厚を薄くする必要
があるが、通常の製法で成膜すると２００〜３０００Ω
／□のシート抵抗の膜を得るためには２０Å〜１００Å
の膜厚にする必要があるが、この場合は膜厚を均一にコ
ントロールするのは難しく、面内の抵抗値の均一性は悪
くなる傾向にある。また、可視光透過率を所定の値にし
ようとすると、膜厚が決定され、その膜厚で所定の抵抗
値の膜とするためには比抵抗をコントロールする必要が
あった。
化させて抵抗値をコントロールすると、当然可視光透過
率が変化する。 シート抵抗＝比抵抗／膜厚 高抵抗ＩＴＯを得ようとする場合は膜厚を薄くする必要
があるが、通常の製法で成膜すると２００〜３０００Ω
／□のシート抵抗の膜を得るためには２０Å〜１００Å
の膜厚にする必要があるが、この場合は膜厚を均一にコ
ントロールするのは難しく、面内の抵抗値の均一性は悪
くなる傾向にある。また、可視光透過率を所定の値にし
ようとすると、膜厚が決定され、その膜厚で所定の抵抗
値の膜とするためには比抵抗をコントロールする必要が
あった。
【０００４】ＩＴＯ膜が導電性を発現するメカニズム
は、酸化インジウム結晶中の微量の酸素欠陥と、Ｉｎ−
Ｏ結晶格子にＳｎが置換して生じる電子がキャリアとな
り、それが、電界中で移動することによる。従って、比
抵抗（ρ）はキャリア密度（ｎ）と移動度（μ）によっ
て決定され、次式が成り立つ。 ρ＝６．２４×１０18／（ｎ×μ） ・・・（１） ここで ρ：Ωcm，ｎ：ｃｍ-3，μ：ｃｍ2 ／Ｖ・ｓｅ
ｃ である。ＩＴＯ膜の場合、通常３００Å以上の膜厚
では１００Ω／□以下のシート抵抗の膜となり、キャリ
ア密度として１０20〜１０21、移動度として２０〜５
０、比抵抗は１×１０-4〜３×１０-4の値をとる。先に
述べたタッチパネル用のＩＴＯ膜の抵抗値は２００〜３
０００Ω／□程度のものが要求され、この場合膜厚を考
慮すると、均一性の良好な膜を得るためには比抵抗値は
５×１０-4以上が必要とされるが、この範囲での比抵抗
のコントロールは難しかった。
は、酸化インジウム結晶中の微量の酸素欠陥と、Ｉｎ−
Ｏ結晶格子にＳｎが置換して生じる電子がキャリアとな
り、それが、電界中で移動することによる。従って、比
抵抗（ρ）はキャリア密度（ｎ）と移動度（μ）によっ
て決定され、次式が成り立つ。 ρ＝６．２４×１０18／（ｎ×μ） ・・・（１） ここで ρ：Ωcm，ｎ：ｃｍ-3，μ：ｃｍ2 ／Ｖ・ｓｅ
ｃ である。ＩＴＯ膜の場合、通常３００Å以上の膜厚
では１００Ω／□以下のシート抵抗の膜となり、キャリ
ア密度として１０20〜１０21、移動度として２０〜５
０、比抵抗は１×１０-4〜３×１０-4の値をとる。先に
述べたタッチパネル用のＩＴＯ膜の抵抗値は２００〜３
０００Ω／□程度のものが要求され、この場合膜厚を考
慮すると、均一性の良好な膜を得るためには比抵抗値は
５×１０-4以上が必要とされるが、この範囲での比抵抗
のコントロールは難しかった。
【０００５】本発明は、前述の実情からみてなされたも
ので、シート抵抗値が２００〜３０００Ω／□であっ
て、かつ、均一性に優れたＩＴＯ膜を成膜する方法を提
供することを目的とする。
ので、シート抵抗値が２００〜３０００Ω／□であっ
て、かつ、均一性に優れたＩＴＯ膜を成膜する方法を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らはＩＴＯ膜を
高比抵抗化する方法について鋭意検討した結果、ＩＴＯ
膜の成膜に際し、第三成分を添加して成膜することによ
り高抵抗な均一性に優れたＩＴＯ膜が得られることを見
出し、本発明を完成するに至った。
高比抵抗化する方法について鋭意検討した結果、ＩＴＯ
膜の成膜に際し、第三成分を添加して成膜することによ
り高抵抗な均一性に優れたＩＴＯ膜が得られることを見
出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。比抵抗を
コントロールする方法としては次の二通りが知られてい
る。すなわち、一つは（１）式のキャリア密度をコント
ロールする方法と、もう一つは移動度をコントロールす
る方法である。キャリア密度をコントロールする方法と
しては酸素欠陥量を変化させる方法と、スズドープ量を
変化する方法がある。酸素欠陥量は、雰囲気、温度によ
って変化し、次式に示すように可逆的な反応が起こる。 Ｉｎ2 Ｏ3-X ＋Ｘ／２Ｏ2 →Ｉｎ2 Ｏ3 ・・・（２） Ｉｎ2 Ｏ3 −Ｘ／２Ｏ2 →Ｉｎ2 Ｏ3-X ・・・（３） この反応は高温で酸素を含む雰囲気では酸素欠陥量
（Ｘ) が減少し、キャリア密度が減少するために高抵抗
化するが（２）、逆に高温、還元雰囲気ではＩｎ2Ｏ3
中の酸素が引き抜かれ、酸素欠陥（Ｘ）を生じ（３）、
キャリア密度の増加により、低抵抗化する。ＳｎをＩｎ
2 Ｏ3 にドープすると、Ｉｎに置換したＳｎ一個から一
つのキャリア（ｅ- ）が生成するので、Ｓｎドープ量を
変えることでキャリア密度をコントロールすることが可
能である。通常、Ｉｎに対して３％位まではドープ量が
増えるにつれ、ｎも増加するが、それ以上増やしてもほ
ぼ一定の値となる。
コントロールする方法としては次の二通りが知られてい
る。すなわち、一つは（１）式のキャリア密度をコント
ロールする方法と、もう一つは移動度をコントロールす
る方法である。キャリア密度をコントロールする方法と
しては酸素欠陥量を変化させる方法と、スズドープ量を
変化する方法がある。酸素欠陥量は、雰囲気、温度によ
って変化し、次式に示すように可逆的な反応が起こる。 Ｉｎ2 Ｏ3-X ＋Ｘ／２Ｏ2 →Ｉｎ2 Ｏ3 ・・・（２） Ｉｎ2 Ｏ3 −Ｘ／２Ｏ2 →Ｉｎ2 Ｏ3-X ・・・（３） この反応は高温で酸素を含む雰囲気では酸素欠陥量
（Ｘ) が減少し、キャリア密度が減少するために高抵抗
化するが（２）、逆に高温、還元雰囲気ではＩｎ2Ｏ3
中の酸素が引き抜かれ、酸素欠陥（Ｘ）を生じ（３）、
キャリア密度の増加により、低抵抗化する。ＳｎをＩｎ
2 Ｏ3 にドープすると、Ｉｎに置換したＳｎ一個から一
つのキャリア（ｅ- ）が生成するので、Ｓｎドープ量を
変えることでキャリア密度をコントロールすることが可
能である。通常、Ｉｎに対して３％位まではドープ量が
増えるにつれ、ｎも増加するが、それ以上増やしてもほ
ぼ一定の値となる。
【０００８】移動度（μ）はキャリア（電子または正
孔）の動き易さに対応しており、主としてＩＴＯ結晶性
に依存する量である。すなわち、結晶性が良好であっ
て、不純物が少なければキャリアの移動度は高い値とな
るが、結晶性が悪く、結晶欠陥、転位、結晶粒界が多い
とキャリアがトラップされてしまうために低い値とな
る。また、不純物はキャリアの移動を阻害する大きな要
因であり、通常微量のドープで移動度に大きな影響を与
える。
孔）の動き易さに対応しており、主としてＩＴＯ結晶性
に依存する量である。すなわち、結晶性が良好であっ
て、不純物が少なければキャリアの移動度は高い値とな
るが、結晶性が悪く、結晶欠陥、転位、結晶粒界が多い
とキャリアがトラップされてしまうために低い値とな
る。また、不純物はキャリアの移動を阻害する大きな要
因であり、通常微量のドープで移動度に大きな影響を与
える。
【０００９】以上の観点より、本発明者らは、２００〜
３０００Ω／□の均一性の良好なＩＴＯ膜を得る方法と
して、Ｓｎ以外の不純物を添加する方法、すなわち、第
三成分を添加して成膜する方法を見出した。
３０００Ω／□の均一性の良好なＩＴＯ膜を得る方法と
して、Ｓｎ以外の不純物を添加する方法、すなわち、第
三成分を添加して成膜する方法を見出した。
【００１０】ＩＴＯ膜の成膜方法としては、スパッター
法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法等が一
般的に知られている。スパッター法、電子ビーム蒸着
法、イオンプレーティング法においては、金属インジウ
ムと金属スズの混合物あるいは酸化インジウム粉末と酸
化スズ粉末を焼結させたものをスパッター法のターゲッ
ト、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法の蒸発
物質として用いることが一般的である。
法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法等が一
般的に知られている。スパッター法、電子ビーム蒸着
法、イオンプレーティング法においては、金属インジウ
ムと金属スズの混合物あるいは酸化インジウム粉末と酸
化スズ粉末を焼結させたものをスパッター法のターゲッ
ト、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法の蒸発
物質として用いることが一般的である。
【００１１】また、ＣＶＤ法においては、酸化インジウ
ム膜の成膜に使用されるインジウム化合物としては、熱
分解して酸化インジウムになるものであれば特に制約さ
れない。例えば、インジウムトリスアセチルアセトナー
ト（Ｉｎ（ＣＨ3 ＣＯＣＨＣＯＣＨ3 ）3 ），インジウ
ムトリスジベンゾイルメタネート（Ｉｎ（Ｃ6 Ｈ 5ＣＯ
ＣＨＣＯＣ6 Ｈ 5）3 ），三塩化インジウム（ＩｎＣｌ
3 ），硝酸インジウム（Ｉｎ（ＮＯ3 ）3 ），インジウ
ムトリイソプロポキシド（Ｉｎ（ＯＰｒi ）3）等を例
示することができる。この中で、特に、インジウムトリ
スアセチルアセトナート（Ｉｎ（ＣＨ3 ＣＯＣＨＣＯＣ
Ｈ3 ）3 ）が好ましく使用される。
ム膜の成膜に使用されるインジウム化合物としては、熱
分解して酸化インジウムになるものであれば特に制約さ
れない。例えば、インジウムトリスアセチルアセトナー
ト（Ｉｎ（ＣＨ3 ＣＯＣＨＣＯＣＨ3 ）3 ），インジウ
ムトリスジベンゾイルメタネート（Ｉｎ（Ｃ6 Ｈ 5ＣＯ
ＣＨＣＯＣ6 Ｈ 5）3 ），三塩化インジウム（ＩｎＣｌ
3 ），硝酸インジウム（Ｉｎ（ＮＯ3 ）3 ），インジウ
ムトリイソプロポキシド（Ｉｎ（ＯＰｒi ）3）等を例
示することができる。この中で、特に、インジウムトリ
スアセチルアセトナート（Ｉｎ（ＣＨ3 ＣＯＣＨＣＯＣ
Ｈ3 ）3 ）が好ましく使用される。
【００１２】ドープされるスズ化合物は、熱分解してＳ
ｎＯ2 になる原料として使用されるものであればよく、
溶媒に対する溶解性等を考慮して選定される。用いられ
るスズ化合物としては、例えば、塩化第２スズ（ＳｎＣ
ｌ4 ），ジメチルスズジクロライド（（ＣＨ3 ）2 Ｓｎ
Ｃｌ2 ），ジブチルスズジクロライド（（Ｃ4 Ｈ9 ）2
ＳｎＣｌ2 ），テトラブチルスズ（（Ｃ4 Ｈ9 ）4 Ｓ
ｎ），スタニアスオクトエート（Ｓｎ（ＯＣＯＣ
7 Ｈ15）2 ），ジブチルスズマレエート（（Ｃ4 Ｈ9 ）
2 Ｓｎ（ＯＣＯＣＨ＝ＣＨＣＯＯ），ジブチルスズジア
セテート（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｓｎ（ＯＣＯＣＨ3 ）2 ），
ジブチルスズビスアセチルアセトナート（（Ｃ4 Ｈ9 ）
2 Ｓｎ（ＣＨ3 ＣＯＣＨＣＯＣＨ3 ）2 ）等を例示する
ことができる。
ｎＯ2 になる原料として使用されるものであればよく、
溶媒に対する溶解性等を考慮して選定される。用いられ
るスズ化合物としては、例えば、塩化第２スズ（ＳｎＣ
ｌ4 ），ジメチルスズジクロライド（（ＣＨ3 ）2 Ｓｎ
Ｃｌ2 ），ジブチルスズジクロライド（（Ｃ4 Ｈ9 ）2
ＳｎＣｌ2 ），テトラブチルスズ（（Ｃ4 Ｈ9 ）4 Ｓ
ｎ），スタニアスオクトエート（Ｓｎ（ＯＣＯＣ
7 Ｈ15）2 ），ジブチルスズマレエート（（Ｃ4 Ｈ9 ）
2 Ｓｎ（ＯＣＯＣＨ＝ＣＨＣＯＯ），ジブチルスズジア
セテート（（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｓｎ（ＯＣＯＣＨ3 ）2 ），
ジブチルスズビスアセチルアセトナート（（Ｃ4 Ｈ9 ）
2 Ｓｎ（ＣＨ3 ＣＯＣＨＣＯＣＨ3 ）2 ）等を例示する
ことができる。
【００１３】本発明において第三成分としては、周期律
表の２〜16族よりなる群から選ばれた少なくとも一種類
の元素の単体又はそれらの化合物が挙げられ、以下の元
素を例示することができる。２族元素としては、Ｍｇ，
Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ等を、３族元素としては、Ｓｃ，Ｙ，
更には、Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ等のランタノイ
ド元素を、４族元素としては、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ等を、
５族元素としては、Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを，６族元素として
は、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗを，７族元素としては、Ｍｎ等を，
８族元素としては、Ｆｅ等を、９族元素としては、Ｃｏ
等を、１０族元素としては、Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ等を、１
１族元素としては、Ｃｕ，Ａｇ等を、１２族元素として
は、Ｚｎ，Ｃｄ等を、１３族元素としては、Ａｌ，Ｇａ
等を、１４族元素としては、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐｂ等を、１
５族元素としては、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ等を、１６族元素と
しては、Ｓｅ，Ｔｅ等である。
表の２〜16族よりなる群から選ばれた少なくとも一種類
の元素の単体又はそれらの化合物が挙げられ、以下の元
素を例示することができる。２族元素としては、Ｍｇ，
Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ等を、３族元素としては、Ｓｃ，Ｙ，
更には、Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ等のランタノイ
ド元素を、４族元素としては、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ等を、
５族元素としては、Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを，６族元素として
は、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗを，７族元素としては、Ｍｎ等を，
８族元素としては、Ｆｅ等を、９族元素としては、Ｃｏ
等を、１０族元素としては、Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ等を、１
１族元素としては、Ｃｕ，Ａｇ等を、１２族元素として
は、Ｚｎ，Ｃｄ等を、１３族元素としては、Ａｌ，Ｇａ
等を、１４族元素としては、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐｂ等を、１
５族元素としては、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ等を、１６族元素と
しては、Ｓｅ，Ｔｅ等である。
【００１４】これらの元素の添加方法としては、スパッ
ター法では、これらの元素の単体あるいは酸化物をター
ゲットに添加する方法、電子ビーム蒸着法、イオンプレ
ーティング法では、これらの元素の金属あるいは酸化物
等を蒸発物質中に添加する方法、ＣＶＤ法、パイロゾル
法では、原料中に気化しやすい化合物を添加する方法等
が挙げられる。
ター法では、これらの元素の単体あるいは酸化物をター
ゲットに添加する方法、電子ビーム蒸着法、イオンプレ
ーティング法では、これらの元素の金属あるいは酸化物
等を蒸発物質中に添加する方法、ＣＶＤ法、パイロゾル
法では、原料中に気化しやすい化合物を添加する方法等
が挙げられる。
【００１５】得られる膜の透明性、化学エッチングのし
易さ等によって成膜方法によって成膜の条件は異なる
が、一般的にはＬＣＤ用の低抵抗ＩＴＯ膜を成膜する条
件で成膜することが可能である。
易さ等によって成膜方法によって成膜の条件は異なる
が、一般的にはＬＣＤ用の低抵抗ＩＴＯ膜を成膜する条
件で成膜することが可能である。
【００１６】これらの元素の添加割合は０．０５〜２０
原子％であり、添加元素によって抵抗増加割合は異なる
ので目的とする抵抗値にあった元素及び添加量を適宜選
択する必要がある。
原子％であり、添加元素によって抵抗増加割合は異なる
ので目的とする抵抗値にあった元素及び添加量を適宜選
択する必要がある。
【００１７】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。ただし、本発明はこれらに何ら限定されるもの
ではない。 （実施例１）Ｉｎに対して８ｗｔ％Ｓｎを含有する１０
ｃｍのＩｎ2 Ｏ3 ターゲット上に金属Ｔｉを置いてスパ
ッター成膜を行った。Ｔｉの量はターゲットの面積に対
して６％になるようターゲット面上に分散させた。スパ
ッター条件は、ＲＦスパッター装置を用い、ガラス基板
上に成膜した。ガラス基板は厚さ１ｍｍで１０ｃｍ角の
ソーダライムガラス上に８００ÅのＳｉＯ2 膜がコート
されたものを用いた。ＲＦ出力２００Ｗ、圧力＝０．５
Ｐａ、ガス組成はＡｒ：Ｏ2 ＝９８：２、基板温度＝３
００℃、成膜時間４分で行った。得られたＩＴＯ膜は、
膜中のＳｎ及びＴｉをＩＣＰ発光分光法で分析したとこ
ろＳｎ＝６．５ｗｔ％、Ｔｉ＝４．８ｗｔ％、膜厚２１
０Å、シート抵抗３１０Ω／□、比抵抗６．５×１０-4
Ωcmであった。また、シート抵抗のばらつきは、±２５
Ω／□以内であり均一性の良好な膜であった。
明する。ただし、本発明はこれらに何ら限定されるもの
ではない。 （実施例１）Ｉｎに対して８ｗｔ％Ｓｎを含有する１０
ｃｍのＩｎ2 Ｏ3 ターゲット上に金属Ｔｉを置いてスパ
ッター成膜を行った。Ｔｉの量はターゲットの面積に対
して６％になるようターゲット面上に分散させた。スパ
ッター条件は、ＲＦスパッター装置を用い、ガラス基板
上に成膜した。ガラス基板は厚さ１ｍｍで１０ｃｍ角の
ソーダライムガラス上に８００ÅのＳｉＯ2 膜がコート
されたものを用いた。ＲＦ出力２００Ｗ、圧力＝０．５
Ｐａ、ガス組成はＡｒ：Ｏ2 ＝９８：２、基板温度＝３
００℃、成膜時間４分で行った。得られたＩＴＯ膜は、
膜中のＳｎ及びＴｉをＩＣＰ発光分光法で分析したとこ
ろＳｎ＝６．５ｗｔ％、Ｔｉ＝４．８ｗｔ％、膜厚２１
０Å、シート抵抗３１０Ω／□、比抵抗６．５×１０-4
Ωcmであった。また、シート抵抗のばらつきは、±２５
Ω／□以内であり均一性の良好な膜であった。
【００１８】（実施例２〜６）実施例１において、添加
元素と添加量を変えて実施例１と同じ条件下でスパッタ
ー成膜を行った。添加される元素の種類と添加量は、Ｓ
ｉ−７％（実施例２）、Ｚｒ−４％（実施例３）、Ｃｄ
−４％（実施例４）、Ｔｅ−５．５％（実施例５）、Ｐ
ｂ−４．５％（実施例６）で行い、いずれも均一性の良
好な、高抵抗ＩＴＯ膜が得られた。添加元素と添加量及
びその膜物性結果を表１に纏めて示した。
元素と添加量を変えて実施例１と同じ条件下でスパッタ
ー成膜を行った。添加される元素の種類と添加量は、Ｓ
ｉ−７％（実施例２）、Ｚｒ−４％（実施例３）、Ｃｄ
−４％（実施例４）、Ｔｅ−５．５％（実施例５）、Ｐ
ｂ−４．５％（実施例６）で行い、いずれも均一性の良
好な、高抵抗ＩＴＯ膜が得られた。添加元素と添加量及
びその膜物性結果を表１に纏めて示した。
【００１９】
【表１】
【００２０】（実施例７）超音波霧化による常圧ＣＶＤ
法（パイロゾル成膜法）によりＩＴＯ膜を成膜するに際
し、インジウム原料としてＩｎＣｌ3 のメチルアルコー
ル溶液を用いた。濃度は０．２５ｍｏｌ／ｌで、ドープ
用ＳｎとしてＳｎＣｌ4 をＩｎに対して５ｗｔ％添加
し、更にＺｒ（Ｃ4 Ｈ9 Ｏ）4 のブチルアルコール溶液
をＺｒ／Ｉｎ＝３．５ｗｔ％添加した溶液を調製した。
基板には厚さ１ｍｍで１０ｃｍ角のソーダライムガラス
上に８００ÅのＳｉＯ2 膜がコートされたものを用い
た。パイロゾル成膜装置に基板をセットし４５０℃に加
熱し、超音波により２．２ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に
導入し、２分間成膜した。得られたＩＴＯ膜は、膜中の
Ｓｎが４．６ｗｔ％，Ｚｒが３．１ｗｔ％であり膜厚２
４０Å、シート抵抗３９０Ω／□、比抵抗９．３×１０
-4Ωcmであった。シート抵抗の均一性は±３０Ω／□以
内であった。
法（パイロゾル成膜法）によりＩＴＯ膜を成膜するに際
し、インジウム原料としてＩｎＣｌ3 のメチルアルコー
ル溶液を用いた。濃度は０．２５ｍｏｌ／ｌで、ドープ
用ＳｎとしてＳｎＣｌ4 をＩｎに対して５ｗｔ％添加
し、更にＺｒ（Ｃ4 Ｈ9 Ｏ）4 のブチルアルコール溶液
をＺｒ／Ｉｎ＝３．５ｗｔ％添加した溶液を調製した。
基板には厚さ１ｍｍで１０ｃｍ角のソーダライムガラス
上に８００ÅのＳｉＯ2 膜がコートされたものを用い
た。パイロゾル成膜装置に基板をセットし４５０℃に加
熱し、超音波により２．２ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に
導入し、２分間成膜した。得られたＩＴＯ膜は、膜中の
Ｓｎが４．６ｗｔ％，Ｚｒが３．１ｗｔ％であり膜厚２
４０Å、シート抵抗３９０Ω／□、比抵抗９．３×１０
-4Ωcmであった。シート抵抗の均一性は±３０Ω／□以
内であった。
【００２１】（実施例８）実施例７においてＺｒ化合物
の代わりに、Ｐｂ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 のＣＨ3 ＯＨ溶液
を用い，Ｐｂ／Ｉｎ＝３．０ｗｔ％添加した溶液を調製
して成膜を行った。得られたＩＴＯ膜は、膜中のＳｎが
４．６ｗｔ％，Ｐｂが３．３ｗｔ％であり膜厚２２０
Å、シート抵抗４９０Ω／□、比抵抗１．１×１０-3Ω
cmであった。シート抵抗の均一性は±４０Ω／□以内で
あった。
の代わりに、Ｐｂ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 のＣＨ3 ＯＨ溶液
を用い，Ｐｂ／Ｉｎ＝３．０ｗｔ％添加した溶液を調製
して成膜を行った。得られたＩＴＯ膜は、膜中のＳｎが
４．６ｗｔ％，Ｐｂが３．３ｗｔ％であり膜厚２２０
Å、シート抵抗４９０Ω／□、比抵抗１．１×１０-3Ω
cmであった。シート抵抗の均一性は±４０Ω／□以内で
あった。
【００２２】（比較例１）実施例１において、Ｔｉを添
加せずに実施例１と同じ条件下でスパッター成膜を行っ
た。得られたＩＴＯ膜は、膜中Ｓｎ＝６．４ｗｔ％、膜
厚２２０Å、シ−ト抵抗１０５Ω／□、比抵抗２．３×
１０-4Ωcmであった。シート抵抗の均一性は±２０Ω／
□以内であった。
加せずに実施例１と同じ条件下でスパッター成膜を行っ
た。得られたＩＴＯ膜は、膜中Ｓｎ＝６．４ｗｔ％、膜
厚２２０Å、シ−ト抵抗１０５Ω／□、比抵抗２．３×
１０-4Ωcmであった。シート抵抗の均一性は±２０Ω／
□以内であった。
【００２３】（比較例２）実施例７において、Ｚｒ化合
物を添加せずに実施例７と同じ条件下でパイロゾル成膜
を行った。得られたＩＴＯ膜は、膜中Ｓｎ＝４．４ｗｔ
％、膜厚２３０Å、シ−ト抵抗１２５Ω／□、比抵抗
２．９×１０-4Ωcmであった。シート抵抗の均一性は±
２０Ω／□以内であった。
物を添加せずに実施例７と同じ条件下でパイロゾル成膜
を行った。得られたＩＴＯ膜は、膜中Ｓｎ＝４．４ｗｔ
％、膜厚２３０Å、シ−ト抵抗１２５Ω／□、比抵抗
２．９×１０-4Ωcmであった。シート抵抗の均一性は±
２０Ω／□以内であった。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、スズドープ酸化インジ
ウム膜の成膜に際し、第三成分として膜中に周期律表の
２〜１６族よりなる群から選ばれた少なくとも一種類の
元素の単体またはそれらの化合物を添加することで、比
較的容易に２００Ω〜３０００Ω／□のシート抵抗のＩ
ＴＯ膜を得ることができる。また、通常の方法で得られ
るＩＴＯ膜の比抵抗は３×１０-4Ωcm以下であり、２０
０〜３０００Ω／□の抵抗の膜を得るためには、極端に
膜厚を薄くせねばならず、このため均一性の悪い膜しか
得られなかったが、本発明の成膜方法により、簡単に均
一性の良好な高抵抗の膜を得ることが可能である。
ウム膜の成膜に際し、第三成分として膜中に周期律表の
２〜１６族よりなる群から選ばれた少なくとも一種類の
元素の単体またはそれらの化合物を添加することで、比
較的容易に２００Ω〜３０００Ω／□のシート抵抗のＩ
ＴＯ膜を得ることができる。また、通常の方法で得られ
るＩＴＯ膜の比抵抗は３×１０-4Ωcm以下であり、２０
０〜３０００Ω／□の抵抗の膜を得るためには、極端に
膜厚を薄くせねばならず、このため均一性の悪い膜しか
得られなかったが、本発明の成膜方法により、簡単に均
一性の良好な高抵抗の膜を得ることが可能である。
フロントページの続き (72)発明者 滝沢 一誠 千葉県市原市五井南海岸12−54 日本曹達 株式会社機能製品研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】スズドープ酸化インジウム膜の成膜に際
し、第三成分を添加して成膜することを特長とするスズ
ドープ酸化インジウム膜の成膜方法。 - 【請求項２】第三成分元素の添加量が、インジウムに対
して、０．０５〜２０原子％である請求項１記載のスズ
ドープ酸化インジウム膜の成膜方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4328827A JPH06157036A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4328827A JPH06157036A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003042553A Division JP2003247072A (ja) | 2003-02-20 | 2003-02-20 | スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06157036A true JPH06157036A (ja) | 1994-06-03 |
Family
ID=18214530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4328827A Pending JPH06157036A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06157036A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999002017A1 (en) * | 1997-06-30 | 1999-01-14 | Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg | Thin film electrode for planar organic light-emitting devices and method for its production |
| WO2009044893A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法 |
| JP2014007100A (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Geomatec Co Ltd | 透明導電膜及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-11-13 JP JP4328827A patent/JPH06157036A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999002017A1 (en) * | 1997-06-30 | 1999-01-14 | Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg | Thin film electrode for planar organic light-emitting devices and method for its production |
| WO2009044893A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法 |
| JPWO2009044888A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2011-02-10 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化インジウム系ターゲット |
| JP5464319B2 (ja) * | 2007-10-03 | 2014-04-09 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化インジウム系ターゲット |
| JP2014007100A (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Geomatec Co Ltd | 透明導電膜及びその製造方法 |
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