JP2003247072A - スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法 - Google Patents
スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法Info
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- JP2003247072A JP2003247072A JP2003042553A JP2003042553A JP2003247072A JP 2003247072 A JP2003247072 A JP 2003247072A JP 2003042553 A JP2003042553 A JP 2003042553A JP 2003042553 A JP2003042553 A JP 2003042553A JP 2003247072 A JP2003247072 A JP 2003247072A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】２００〜３０００Ω／□の比較的高抵抗で、均
一性に優れたスズドープ酸化インジウム膜を得る成膜方
法を提供する。 【構成】成膜に際し、第三成分を、Ｉｎに対して０．０
５〜２０原子％添加し、パイロゾル法により成膜してな
るスズドープ酸化インジウム膜の成膜方法。 【効果】該方法により、高抵抗、かつ、均一性に優れた
ＩＴＯ膜をより効率的に成膜することができる。
一性に優れたスズドープ酸化インジウム膜を得る成膜方
法を提供する。 【構成】成膜に際し、第三成分を、Ｉｎに対して０．０
５〜２０原子％添加し、パイロゾル法により成膜してな
るスズドープ酸化インジウム膜の成膜方法。 【効果】該方法により、高抵抗、かつ、均一性に優れた
ＩＴＯ膜をより効率的に成膜することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スズドープ酸化インジ
ウム膜（以下、ＩＴＯと称す）の成膜方法に関するもの
であり、特にタッチパネルの透明電極として用いられる
ＩＴＯ膜の高抵抗で均一性に優れた成膜方法に関する。
ウム膜（以下、ＩＴＯと称す）の成膜方法に関するもの
であり、特にタッチパネルの透明電極として用いられる
ＩＴＯ膜の高抵抗で均一性に優れた成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴＯ膜は透明導電膜であり、ガラス基
板上に成膜したＩＴＯガラスは、例えば液晶ディスプレ
イ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、面発熱
体、タッチパネルの電極等に広く使用されている。この
様に広い分野で使用されると、使用目的によってＩＴＯ
膜の抵抗値は種々のものが要求される。すなわちフラッ
トパネルディスプレイ用のＩＴＯ膜では低抵抗のものが
要求されるが、タッチパネル用のＩＴＯ膜では逆に高抵
抗の膜が要求される。従来、抵抗値をコントロールする
方法の中で最も普通に行われる方法は膜厚を変えること
であった。
板上に成膜したＩＴＯガラスは、例えば液晶ディスプレ
イ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、面発熱
体、タッチパネルの電極等に広く使用されている。この
様に広い分野で使用されると、使用目的によってＩＴＯ
膜の抵抗値は種々のものが要求される。すなわちフラッ
トパネルディスプレイ用のＩＴＯ膜では低抵抗のものが
要求されるが、タッチパネル用のＩＴＯ膜では逆に高抵
抗の膜が要求される。従来、抵抗値をコントロールする
方法の中で最も普通に行われる方法は膜厚を変えること
であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記のように膜厚を変
化させて抵抗値をコントロールすると、当然可視光透過
率が変化する。 シート抵抗＝比抵抗／膜厚 高抵抗ＩＴＯを得ようとする場合は膜厚を薄くする必要
があるが、通常の製法で成膜すると２００〜３０００Ω
／□のシート抵抗の膜を得るためには２０Å〜１００Å
の膜厚にする必要があるが、この場合は膜厚を均一にコ
ントロールするのは難しく、面内の抵抗値の均一性は悪
くなる傾向にある。また、可視光透過率を所定の値にし
ようとすると、膜厚が決定され、その膜厚で所定の抵抗
値の膜とするためには比抵抗をコントロールする必要が
あった。
化させて抵抗値をコントロールすると、当然可視光透過
率が変化する。 シート抵抗＝比抵抗／膜厚 高抵抗ＩＴＯを得ようとする場合は膜厚を薄くする必要
があるが、通常の製法で成膜すると２００〜３０００Ω
／□のシート抵抗の膜を得るためには２０Å〜１００Å
の膜厚にする必要があるが、この場合は膜厚を均一にコ
ントロールするのは難しく、面内の抵抗値の均一性は悪
くなる傾向にある。また、可視光透過率を所定の値にし
ようとすると、膜厚が決定され、その膜厚で所定の抵抗
値の膜とするためには比抵抗をコントロールする必要が
あった。
【０００４】ＩＴＯ膜が導電性を発現するメカニズム
は、酸化インジウム結晶中の微量の酸素欠陥と、Ｉｎ−
Ｏ結晶格子にＳｎが置換して生じる電子がキャリアとな
り、それが、電界中で移動することによる。従って、比
抵抗（ρ）はキャリア密度（ｎ）と移動度（μ）によっ
て決定され、次式が成り立つ。 ρ＝６．２４×１０18／（ｎ×μ） ・・・（１） ここで ρ：Ωｃｍ，ｎ：ｃｍ-3，μ：ｃｍ2／Ｖ・ｓ
ｅｃ である。ＩＴＯ膜の場合、通常３００Å以上の膜
厚では１００Ω／□以下のシート抵抗の膜となり、キャ
リア密度として１０20〜１０21、移動度として２０〜５
０、比抵抗は１×１０-4〜３×１０-4の値をとる。先に
述べたタッチパネル用のＩＴＯ膜の抵抗値は２００〜３
０００Ω／□程度のものが要求され、この場合膜厚を考
慮すると、均一性の良好な膜を得るためには比抵抗値は
５×１０-4以上が必要とされるが、この範囲での比抵抗
のコントロールは難しかった。
は、酸化インジウム結晶中の微量の酸素欠陥と、Ｉｎ−
Ｏ結晶格子にＳｎが置換して生じる電子がキャリアとな
り、それが、電界中で移動することによる。従って、比
抵抗（ρ）はキャリア密度（ｎ）と移動度（μ）によっ
て決定され、次式が成り立つ。 ρ＝６．２４×１０18／（ｎ×μ） ・・・（１） ここで ρ：Ωｃｍ，ｎ：ｃｍ-3，μ：ｃｍ2／Ｖ・ｓ
ｅｃ である。ＩＴＯ膜の場合、通常３００Å以上の膜
厚では１００Ω／□以下のシート抵抗の膜となり、キャ
リア密度として１０20〜１０21、移動度として２０〜５
０、比抵抗は１×１０-4〜３×１０-4の値をとる。先に
述べたタッチパネル用のＩＴＯ膜の抵抗値は２００〜３
０００Ω／□程度のものが要求され、この場合膜厚を考
慮すると、均一性の良好な膜を得るためには比抵抗値は
５×１０-4以上が必要とされるが、この範囲での比抵抗
のコントロールは難しかった。
【０００５】本発明は、前述の実状からみてなされたも
ので、シート抵抗値が２００〜３０００Ω／□であっ
て、かつ、均一性に優れたＩＴＯ膜を成膜する方法を提
供することを目的とする。
ので、シート抵抗値が２００〜３０００Ω／□であっ
て、かつ、均一性に優れたＩＴＯ膜を成膜する方法を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らはＩＴＯ膜を
高比抵抗化する方法について鋭意検討した結果、ＩＴＯ
膜の成膜に際し、第三成分を添加して、パイロゾル法に
より成膜することにより高抵抗な均一性に優れたＩＴＯ
膜が得られることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
高比抵抗化する方法について鋭意検討した結果、ＩＴＯ
膜の成膜に際し、第三成分を添加して、パイロゾル法に
より成膜することにより高抵抗な均一性に優れたＩＴＯ
膜が得られることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。比抵抗を
コントロールする方法としては次の二通りが知られてい
る。すなわち、一つは（１）式のキャリア密度をコント
ロールする方法と、もう一つは移動度をコントロールす
る方法である。キャリア密度をコントロールする方法と
しては酸素欠陥量を変化させる方法と、スズドープ量を
変化する方法がある。酸素欠陥量は、雰囲気、温度によ
って変化し、次式に示すように可逆的な反応が起こる。 Ｉｎ2Ｏ3-X＋Ｘ／２Ｏ2→Ｉｎ2Ｏ3 ・・・（２） Ｉｎ2Ｏ3−Ｘ／２Ｏ2→Ｉｎ2Ｏ3-X ・・・（３） この反応は高温で酸素を含む雰囲気では酸素欠陥量
（Ｘ）が減少し、キャリア密度が減少するために高抵抗
化するが（２）、逆に高温、還元雰囲気かではＩｎ2Ｏ3
中の酸素が引き抜かれ、酸素欠陥（Ｘ）を生じ（３）、
キャリア密度の増加により、低抵抗化する。ＳｎをＩｎ
2Ｏ3にドープすると、Ｉｎに置換したＳｎ一個から一つ
のキャリア（ｅ-）が生成するので、Ｓｎドープ量を変
えることでキャリア密度をコントロールすることが可能
である。通常、Ｉｎに対して３％位まではドープ量が増
えるにつれ、ｎも増加するが、それ以上増やしてもほぼ
一定の値となる。
コントロールする方法としては次の二通りが知られてい
る。すなわち、一つは（１）式のキャリア密度をコント
ロールする方法と、もう一つは移動度をコントロールす
る方法である。キャリア密度をコントロールする方法と
しては酸素欠陥量を変化させる方法と、スズドープ量を
変化する方法がある。酸素欠陥量は、雰囲気、温度によ
って変化し、次式に示すように可逆的な反応が起こる。 Ｉｎ2Ｏ3-X＋Ｘ／２Ｏ2→Ｉｎ2Ｏ3 ・・・（２） Ｉｎ2Ｏ3−Ｘ／２Ｏ2→Ｉｎ2Ｏ3-X ・・・（３） この反応は高温で酸素を含む雰囲気では酸素欠陥量
（Ｘ）が減少し、キャリア密度が減少するために高抵抗
化するが（２）、逆に高温、還元雰囲気かではＩｎ2Ｏ3
中の酸素が引き抜かれ、酸素欠陥（Ｘ）を生じ（３）、
キャリア密度の増加により、低抵抗化する。ＳｎをＩｎ
2Ｏ3にドープすると、Ｉｎに置換したＳｎ一個から一つ
のキャリア（ｅ-）が生成するので、Ｓｎドープ量を変
えることでキャリア密度をコントロールすることが可能
である。通常、Ｉｎに対して３％位まではドープ量が増
えるにつれ、ｎも増加するが、それ以上増やしてもほぼ
一定の値となる。
【０００８】移動度（μ）はキャリア（電子または正
孔）の動き易さに対応しており、主としてＩＴＯ結晶性
に依存する量である。すなわち、結晶性が良好であっ
て、不純物が少なければキャリアの移動度は高い値とな
るが、結晶性が悪く、結晶欠陥、転移、結晶粒界が多い
とキャリアがトラップされてしまうために低い値とな
る。また、不純物はキャリアの移動を阻害する大きな要
因であり、通常微量のドープで移動度に大きな影響を与
える。
孔）の動き易さに対応しており、主としてＩＴＯ結晶性
に依存する量である。すなわち、結晶性が良好であっ
て、不純物が少なければキャリアの移動度は高い値とな
るが、結晶性が悪く、結晶欠陥、転移、結晶粒界が多い
とキャリアがトラップされてしまうために低い値とな
る。また、不純物はキャリアの移動を阻害する大きな要
因であり、通常微量のドープで移動度に大きな影響を与
える。
【０００９】以上の観点より、本発明者らは、２００〜
３０００Ω／□の均一性の良好なＩＴＯ膜を得る方法と
して、Ｓｎ以外の不純物を添加する方法、すなわち、第
三成分を添加して、パイロゾル法により成膜する方法を
見出した。
３０００Ω／□の均一性の良好なＩＴＯ膜を得る方法と
して、Ｓｎ以外の不純物を添加する方法、すなわち、第
三成分を添加して、パイロゾル法により成膜する方法を
見出した。
【００１０】ＩＴＯ膜の成膜方法としては、スパッター
法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法等が一
般的に知られている。スパッター法、電子ビーム蒸着
法、イオンプレーティング法においては、金属インジウ
ムと金属スズの混合物あるいは酸化インジウム粉末と酸
化スズ粉末を燒結させたものをスパッター法のターッゲ
ト、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法の蒸着
物質として用いることが一般的である。
法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法等が一
般的に知られている。スパッター法、電子ビーム蒸着
法、イオンプレーティング法においては、金属インジウ
ムと金属スズの混合物あるいは酸化インジウム粉末と酸
化スズ粉末を燒結させたものをスパッター法のターッゲ
ト、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法の蒸着
物質として用いることが一般的である。
【００１１】また、ＣＶＤ法においては、酸化インジウ
ム膜の成膜に使用されるインジウム化合物としては、熱
分解して酸化インジウムになるものであれば特に制約さ
れない。例えば、インジウムトリスアセチルアセトナー
ト（Ｉｎ（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3）3），インジウム
トリスジベンゾイルメタネート（Ｉｎ（Ｃ6Ｈ5ＣＯＣＨ
ＣＯＣ6Ｈ5）3），三塩化インジウム（ＩｎＣｌ3），硝
酸インジウム（Ｉｎ（ＮＯ3）3），インジウムトリイソ
プロポキシド（Ｉｎ（ＯＰｒi）3）等を例示することが
できる。この中で、特に、インジウムトリスアセチルア
セトナート（Ｉｎ（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3）3）が好
ましく使用される。
ム膜の成膜に使用されるインジウム化合物としては、熱
分解して酸化インジウムになるものであれば特に制約さ
れない。例えば、インジウムトリスアセチルアセトナー
ト（Ｉｎ（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3）3），インジウム
トリスジベンゾイルメタネート（Ｉｎ（Ｃ6Ｈ5ＣＯＣＨ
ＣＯＣ6Ｈ5）3），三塩化インジウム（ＩｎＣｌ3），硝
酸インジウム（Ｉｎ（ＮＯ3）3），インジウムトリイソ
プロポキシド（Ｉｎ（ＯＰｒi）3）等を例示することが
できる。この中で、特に、インジウムトリスアセチルア
セトナート（Ｉｎ（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3）3）が好
ましく使用される。
【００１２】ドープされるスズ化合物は、熱分解してＳ
ｎＯ2になる原料として使用されるものであればよく、
溶媒に対する溶解性等を考慮して選定される。用いられ
るスズ化合物としては、例えば、塩化第２スズ（ＳｎＣ
ｌ4），ジメチルスズジクロライド（（ＣＨ3）2ＳｎＣ
ｌ2），ジブチルスズジクロライド（（Ｃ4Ｈ9）2ＳｎＣ
ｌ2），テトラブチルスズ（（Ｃ4Ｈ9）4Ｓｎ），スタニ
アスオクトエート（Ｓｎ（ＯＣＯＣ7Ｈ15）2），ジブチ
ルスズマレエート（（Ｃ4Ｈ9）2Ｓｎ（ＯＣＯＣＨ＝Ｃ
ＨＣＯＯ），ジブチルスズジアセテート（（Ｃ4Ｈ9）2
Ｓｎ（ＯＣＯＣＨ3）2），ジブチルスズビスアセチルア
セトナート（（Ｃ4Ｈ9）2Ｓｎ（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ
3）2）等を例示することができる。
ｎＯ2になる原料として使用されるものであればよく、
溶媒に対する溶解性等を考慮して選定される。用いられ
るスズ化合物としては、例えば、塩化第２スズ（ＳｎＣ
ｌ4），ジメチルスズジクロライド（（ＣＨ3）2ＳｎＣ
ｌ2），ジブチルスズジクロライド（（Ｃ4Ｈ9）2ＳｎＣ
ｌ2），テトラブチルスズ（（Ｃ4Ｈ9）4Ｓｎ），スタニ
アスオクトエート（Ｓｎ（ＯＣＯＣ7Ｈ15）2），ジブチ
ルスズマレエート（（Ｃ4Ｈ9）2Ｓｎ（ＯＣＯＣＨ＝Ｃ
ＨＣＯＯ），ジブチルスズジアセテート（（Ｃ4Ｈ9）2
Ｓｎ（ＯＣＯＣＨ3）2），ジブチルスズビスアセチルア
セトナート（（Ｃ4Ｈ9）2Ｓｎ（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ
3）2）等を例示することができる。
【００１３】本発明において第三成分としては、周期律
表の２〜１６族よりなる群から選ばれた少なくとも一種
類の元素の単体又はそれらの化合物が挙げられ、以下の
元素を例示することができる。２族元素としては、Ｍ
ｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ等を、３族元素としては、Ｓｃ，
Ｙ，更には、Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ等のランタ
ノイド元素を、４族元素としては、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ等
を、５族元素としては、Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを，６族元素と
しては、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗを，７族元素としては、Ｍｎ等
を，８族元素としては、Ｆｅ等を、９族元素としては、
Ｃｏ等を、１０族元素としては、Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ等
を、１１族元素としては、Ｃｕ，Ａｇ等を、１２族元素
としては、Ｚｎ，Ｃｄ等を、１３族元素としては、Ａ
ｌ，Ｇａ等を、１４族元素としては、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐｂ
等を、１５族元素としては、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ等を、１６
族元素としては、Ｓｅ，Ｔｅ等である。
表の２〜１６族よりなる群から選ばれた少なくとも一種
類の元素の単体又はそれらの化合物が挙げられ、以下の
元素を例示することができる。２族元素としては、Ｍ
ｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ等を、３族元素としては、Ｓｃ，
Ｙ，更には、Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ等のランタ
ノイド元素を、４族元素としては、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ等
を、５族元素としては、Ｖ，Ｎｂ，Ｔａを，６族元素と
しては、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗを，７族元素としては、Ｍｎ等
を，８族元素としては、Ｆｅ等を、９族元素としては、
Ｃｏ等を、１０族元素としては、Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ等
を、１１族元素としては、Ｃｕ，Ａｇ等を、１２族元素
としては、Ｚｎ，Ｃｄ等を、１３族元素としては、Ａ
ｌ，Ｇａ等を、１４族元素としては、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐｂ
等を、１５族元素としては、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ等を、１６
族元素としては、Ｓｅ，Ｔｅ等である。
【００１４】これらの元素の添加方法としてのパイロゾ
ル法では、原料中に気化しやすい化合物を添加する方法
等が挙げられる。
ル法では、原料中に気化しやすい化合物を添加する方法
等が挙げられる。
【００１５】得られる膜の透明性、化学のエッチングの
し易さ等によって成膜方法によって成膜の条件は異なる
が、一般的にはＬＣＤ用の低抵抗ＩＴＯ膜を成膜する条
件で成膜することが可能である。
し易さ等によって成膜方法によって成膜の条件は異なる
が、一般的にはＬＣＤ用の低抵抗ＩＴＯ膜を成膜する条
件で成膜することが可能である。
【００１６】これらの元素の添加割合は０．０５〜２０
原子％であり、添加元素によって抵抗増加割合は異なる
ので目的とする抵抗値にあった元素及び添加量を適宜選
択する必要がある。
原子％であり、添加元素によって抵抗増加割合は異なる
ので目的とする抵抗値にあった元素及び添加量を適宜選
択する必要がある。
【００１７】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。ただし、本発明はこれらに何ら限定されるもの
ではない。 （実施例１）超音波霧化による常圧ＣＶＤ法（パイロゾ
ル成膜法）によりＩＴＯ膜を成膜するに際し、インジウ
ム原料としてＩｎＣｌ3のメチルアルコール溶液を用い
た。濃度は０．２５ｍｏｌ／ｌで、ドープ用Ｓｎとして
ＳｎＣｌ4をＩｎに対して５ｗｔ％添加し、更にＺｒ
（Ｃ4Ｈ9Ｏ）4のブチルアルコール溶液をＺｒ／Ｉｎ＝
３．５ｗｔ％添加した溶液を調製した。基板には厚さ１
ｍｍで１０ｃｍ角のソーダライムガラス上に８００Åの
ＳｉＯ2膜がコートされたものを用いた。パイロゾル成
膜装置に基板をセットし４５０℃に加熱し、超音波によ
り２．２ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に導入し、２分間成
膜した。得られたＩＴＯ膜は、膜中のＳｎが４．６ｗｔ
％，Ｚｒが３．１ｗｔ％であり膜厚２４０Å、シート抵
抗３９０Ω／□、比抵抗９．３×１０-4Ωｃｍであっ
た。シート抵抗の均一性は±３０Ω／□以内であった。
明する。ただし、本発明はこれらに何ら限定されるもの
ではない。 （実施例１）超音波霧化による常圧ＣＶＤ法（パイロゾ
ル成膜法）によりＩＴＯ膜を成膜するに際し、インジウ
ム原料としてＩｎＣｌ3のメチルアルコール溶液を用い
た。濃度は０．２５ｍｏｌ／ｌで、ドープ用Ｓｎとして
ＳｎＣｌ4をＩｎに対して５ｗｔ％添加し、更にＺｒ
（Ｃ4Ｈ9Ｏ）4のブチルアルコール溶液をＺｒ／Ｉｎ＝
３．５ｗｔ％添加した溶液を調製した。基板には厚さ１
ｍｍで１０ｃｍ角のソーダライムガラス上に８００Åの
ＳｉＯ2膜がコートされたものを用いた。パイロゾル成
膜装置に基板をセットし４５０℃に加熱し、超音波によ
り２．２ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に導入し、２分間成
膜した。得られたＩＴＯ膜は、膜中のＳｎが４．６ｗｔ
％，Ｚｒが３．１ｗｔ％であり膜厚２４０Å、シート抵
抗３９０Ω／□、比抵抗９．３×１０-4Ωｃｍであっ
た。シート抵抗の均一性は±３０Ω／□以内であった。
【００１８】（実施例２）実施例１においてＺｒ化合物
の代わりに、Ｐｂ（ＣＨ3ＣＯＯ）2のＣＨ3ＯＨ溶液を
用い，Ｐｂ／Ｉｎ＝３．０ｗｔ％添加した溶液を調製し
て成膜を行った。得られたＩＴＯ膜は、膜中のＳｎが
４．６ｗｔ％，Ｐｂが３．３ｗｔ％であり膜厚２２０
Å、シート抵抗４９０Ω／□、比抵抗１．１×１０-3Ω
ｃｍであった。シート抵抗の均一性は±４０Ω／□以内
であった。
の代わりに、Ｐｂ（ＣＨ3ＣＯＯ）2のＣＨ3ＯＨ溶液を
用い，Ｐｂ／Ｉｎ＝３．０ｗｔ％添加した溶液を調製し
て成膜を行った。得られたＩＴＯ膜は、膜中のＳｎが
４．６ｗｔ％，Ｐｂが３．３ｗｔ％であり膜厚２２０
Å、シート抵抗４９０Ω／□、比抵抗１．１×１０-3Ω
ｃｍであった。シート抵抗の均一性は±４０Ω／□以内
であった。
【００１９】（比較例１）実施例１において、Ｚｒ化合
物を添加せずに実施例１と同じ条件下でパイロゾル成膜
を行った。得られたＩＴＯ膜は、膜中Ｓｎ＝４．４ｗｔ
％、膜厚２３０Å、シート抵抗１２５Ω／□、比抵抗
２．９×１０-4Ωｃｍであった。シート抵抗の均一性は
±２０Ω／□以内であった。
物を添加せずに実施例１と同じ条件下でパイロゾル成膜
を行った。得られたＩＴＯ膜は、膜中Ｓｎ＝４．４ｗｔ
％、膜厚２３０Å、シート抵抗１２５Ω／□、比抵抗
２．９×１０-4Ωｃｍであった。シート抵抗の均一性は
±２０Ω／□以内であった。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、スズドープ酸化インジ
ウム膜の成膜に際し、第三成分として膜中に周期律表の
２〜１６族よりなる群からから選ばれた少なくとも一種
類の元素の単体またはそれらの化合物を添加し、パイロ
ゾル法により成膜することで、比較的容易に２００Ω〜
３０００Ω／□のシート抵抗のＩＴＯ膜を得ることがで
きる。また、通常の方法で得られるＩＴＯ膜の比抵抗は
３×１０-4Ωｃｍ以下であり、２００Ω〜３０００Ω／
□の抵抗の膜を得るためには、極端に膜厚を薄くせねば
ならず、このため均一性の悪い膜しか得られなかった
が、本発明の成膜方法により、簡単に均一性の良好な高
抵抗の膜を得ることが可能である。
ウム膜の成膜に際し、第三成分として膜中に周期律表の
２〜１６族よりなる群からから選ばれた少なくとも一種
類の元素の単体またはそれらの化合物を添加し、パイロ
ゾル法により成膜することで、比較的容易に２００Ω〜
３０００Ω／□のシート抵抗のＩＴＯ膜を得ることがで
きる。また、通常の方法で得られるＩＴＯ膜の比抵抗は
３×１０-4Ωｃｍ以下であり、２００Ω〜３０００Ω／
□の抵抗の膜を得るためには、極端に膜厚を薄くせねば
ならず、このため均一性の悪い膜しか得られなかった
が、本発明の成膜方法により、簡単に均一性の良好な高
抵抗の膜を得ることが可能である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０２Ｆ 1/1343 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｚ
(72)発明者 山田 茂男
千葉県市原市五井南海岸12−54 日本曹達
株式会社機能製品研究所内
(72)発明者 滝沢 一誠
千葉県市原市五井南海岸12−54 日本曹達
株式会社機能製品研究所内
Ｆターム(参考） 2H092 GA62 MA07 MA27 NA25
2K009 CC03 DD02 EE03
4G048 AA03 AB01 AC08 AD02 AE06
AE08
4K030 AA03 AA11 AA20 BA42 BA45
CA06 EA03 FA10 JA06 LA18
Claims (2)
- 【請求項１】スズドープ酸化インジウム膜の成膜に際
し、第三成分を添加して、パイロゾル法により成膜する
ことを特長とするスズドープ酸化インジウム膜の成膜方
法。 - 【請求項２】第三成分元素の添加量が、インジウムに対
して、０．０５〜２０原子％である請求項１記載のスズ
ドープ酸化インジウム膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003042553A JP2003247072A (ja) | 2003-02-20 | 2003-02-20 | スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003042553A JP2003247072A (ja) | 2003-02-20 | 2003-02-20 | スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4328827A Division JPH06157036A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003247072A true JP2003247072A (ja) | 2003-09-05 |
Family
ID=28672891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003042553A Pending JP2003247072A (ja) | 2003-02-20 | 2003-02-20 | スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003247072A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010013345A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Schott Ag | 熱放射反射配列構造体、同製造方法、及び同利用方法 |
-
2003
- 2003-02-20 JP JP2003042553A patent/JP2003247072A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010013345A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Schott Ag | 熱放射反射配列構造体、同製造方法、及び同利用方法 |
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