JPWO2007125993A1 - 導電粒子配置シート及び異方導電性フィルム - Google Patents

導電粒子配置シート及び異方導電性フィルム Download PDF

Info

Publication number
JPWO2007125993A1
JPWO2007125993A1 JP2008513256A JP2008513256A JPWO2007125993A1 JP WO2007125993 A1 JPWO2007125993 A1 JP WO2007125993A1 JP 2008513256 A JP2008513256 A JP 2008513256A JP 2008513256 A JP2008513256 A JP 2008513256A JP WO2007125993 A1 JPWO2007125993 A1 JP WO2007125993A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sheet
insulating resin
conductive
conductive particles
conductive particle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008513256A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5388572B2 (ja
Inventor
臼井　健敏
健敏 臼井
島田　仁
仁 島田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei E Materials Corp
Original Assignee
Asahi Kasei E Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei E Materials Corp filed Critical Asahi Kasei E Materials Corp
Priority to JP2008513256A priority Critical patent/JP5388572B2/ja
Publication of JPWO2007125993A1 publication Critical patent/JPWO2007125993A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5388572B2 publication Critical patent/JP5388572B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/16—Solid spheres
    • C08K7/18—Solid spheres inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/314—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive layer and/or the carrier being conductive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/41—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components additives as essential feature of the carrier layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10234—Metallic balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10378—Interposers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

導電粒子と、絶縁樹脂シートとを含んでなる導電粒子配置シートであって、該絶縁樹脂シートの厚みは該導電粒子の平均粒径より小さく、該絶縁樹脂シートの少なくとも片側の基準面Ｐ１から導電粒子が突出しており、導電粒子の基準面Ｐ１から突出した部分が、該絶縁樹脂シートと同じ樹脂からなる層で覆われており、ここで、基準面Ｐ１と、導電粒子の基準面Ｐ１に平行な接線であって該基準面Ｐ１から突出した部分に接する接線Ｌ１との間の距離の平均を平均突出高さｈ１とし、基準面Ｐ２と、導電粒子の基準面Ｐ２に平行な接線であって、接線Ｌ１とは反対側にある接線Ｌ２との間の距離の平均を平均突出高さｈ２とした場合（但し、該接線Ｌ２が該絶縁樹脂シート内にある時はｈ２＜０、該接線Ｌ２が基準面Ｐ２上にある時はｈ２＝０、該接線Ｌ２が該絶縁樹脂シート外にある時はｈ２＞０とする）、ｈ１＞ｈ２の関係を満たすことを特徴とする導電粒子配置シート。

Description

本発明は、回路基板同士又は半導体チップ等の電子部品と回路基板との接続に用いられる接続部材に有用な導電粒子配置シートに関する。
液晶ディスプレイと半導体チップやＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）との接続、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）とＴＣＰとの接続、又は、ＦＰＣとプリント配線板との接続を簡便に行うための接続部材として、絶縁性接着剤中に導電粒子を分散させた異方導電性フィルムが使用されている。例えば、ノート型パソコンや携帯電話の液晶ディスプレイと制御ＩＣとの接続用として、異方導電性フィルムが広範に用いられ、半導体チップを直接プリント基板やフレキシブル配線板に搭載するフリップチップ実装にも用いられている（特許文献１、２及び３）。
この分野では近年、接続される配線パターンや電極寸法が益々微細化され、導電粒子をランダムに分散した従来の異方導電性フィルムでは、接続信頼性の高い接続は困難になっている。即ち、微小面積の電極を接続するために導電粒子密度を高めると、導電粒子が凝集し隣接電極間の絶縁性を保持できなくなる。逆に、絶縁性を保持するために導電粒子の密度を下げると、今度は接続されない電極が生じ、接続信頼性を保ったまま微細化に対応することは困難とされていた（特許文献４）。
一方、絶縁フィルムの膜厚を、導電粒子直径よりも薄くして，フィルムの表裏に粒子が露出した異方導電性フィルムによって微細パターンの接続に対応する試みが成されている（特許文献５）。しかし、絶縁フィルムの膜厚が粒子径よりも薄い場合、接続領域にエアー溜まりができて、接着不良となりやすい。これを防止するため、該絶縁フィルムの片面に絶縁性接着層を更に形成することが行われる。その場合、微小面積の接続において接続信頼性を発現するためには、絶縁フィルムの膜厚は極力薄いことが好ましい。しかしながら、絶縁フィルムの膜厚が薄くなると、製造工程中や使用中に導電粒子が欠落しやすくなり、接続欠陥が発生するために、絶縁フィルムの薄膜化には限界があった。
特開平０３−１０７８８８号公報 特開平０４−３６６６３０号公報 特開昭６１−１９５１７９号公報 特開平０９−３１２１７６号公報 特開平０７−３０２６６６号公報
本発明は、微細パターン配線の電気的接続において、微小電極の接続信頼性に優れると共に、狭スペースの隣接電極間の絶縁性が高く、低抵抗の接続を可能にし、製造から使用までの間の導電粒子の欠落が起こりにくい導電粒子配置シートの提供を目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、導電粒子の平均粒径よりシート厚が小さい絶縁樹脂シートとその中に存在する導電粒子を含んでなる、特定形状の導電粒子配置シートが、上記目的に適合し得ることを見出し、本発明をなすに至った。
上記課題を解決するために本願出願以前に行われた上記開示の技術、例えば、特許文献５では、接続領域のエアー溜まりによる接着不良か、接続時の導電粒子の流動による接続不良か、接続部に残るフィルム形成樹脂による導通阻害か、導電粒子の欠落による導通不良かの何れかよって、接続信頼性を確保することが困難であると考えられる。
本発明のように、絶縁樹脂シートが、その中に存在する平均粒径が絶縁樹脂シートの膜厚よりも大きな導電粒子の表面を被覆することによって、上記課題が解決できたことは、上述の特許文献に開示の技術に鑑みて、当業者にとって容易に予想することができない知見であった。
即ち、本発明は、下記の通りである。
（１）導電粒子と、基準面Ｐ１及びそれに相対する基準面Ｐ２を有する絶縁樹脂シートとを含んでなる導電粒子配置シートであって、該絶縁樹脂シートの厚みは該導電粒子の平均粒径より小さく、該絶縁樹脂シートの少なくとも片側の基準面Ｐ１から導電粒子が突出しており、導電粒子の絶縁樹脂シートの基準面Ｐ１から突出した部分が、該絶縁樹脂シートを構成する該絶縁樹脂と同じ樹脂からなる被覆層で覆われており、
ここで、基準面Ｐ１と、導電粒子の基準面Ｐ１に平行な接線であって該基準面Ｐ１から突出した突出部分に接する接線Ｌ１との間の距離の平均を平均突出高さｈ１（ｈ１＞０）とし、基準面Ｐ２と、導電粒子の基準面Ｐ２に平行な接線であって該導電粒子を挟んで接線Ｌ１とは反対側にある接線Ｌ２との間の距離の平均を平均突出高さｈ２とした場合（但し、該接線Ｌ２が該絶縁樹脂シート内にある時はｈ２＜０、該接線Ｌ２が基準面Ｐ２上にある時はｈ２＝０、該接線Ｌ２が該絶縁樹脂シート外にある時はｈ２＞０とする）、ｈ１＞ｈ２の関係を満たす
ことを特徴とする上記導電粒子配置シート。
（２）前記絶縁樹脂シートの両面から前記導電粒子が突出しており、前記平均突出高さｈ１に対する平均突出高さｈ２の比ｈ２／ｈ１が、０以上、１／１．１以下である（１）記載の導電粒子配置シート。
（３）前記基準面Ｐ２から突出した導電粒子は、絶縁樹脂シートから露出している（２）記載の導電粒子配置シート。
（４）前記基準面Ｐ１から突出した導電粒子の被覆層の頂部の被覆厚みが、０．１μｍ以上２μｍ以下である（１）に記載の導電粒子配置シート。
（５）前記導電粒子の絶縁樹脂シートの面積に占める導電粒子の投影面積の合計として定義される面積率が、２％以上４０％以下である（１）に記載の導電粒子配置シート。
（６）前記絶縁樹脂シートがフェノキシ樹脂を含有する（１）に記載の導電粒子配置シート。
（７）前記導電粒子の平均粒径が０．５μｍ以上１０μｍ以下である（１）に記載の導電粒子配置シート。
（８）前記導電粒子の中心間距離の変動係数が、０．０３以上０．６以下である（１）に記載の導電粒子配置シート。
（９）前記絶縁樹脂シートの１８０℃溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上５万Ｐａ・ｓ以下である（１）に記載の導電粒子配置シート。
（１０）延伸可能なシート上に導電粒子を単層で充填して導電粒子層を形成し、該導電粒子層上に絶縁樹脂層を形成して導電粒子充填シートを形成し、該導電粒子充填シートを延伸することを含む導電粒子配置シートの製造方法。
（１１）前記延伸可能なシート上に導電粒子を単層で充填して導電粒子層を形成するに際し、該延伸可能なシート上に、粘着剤を塗布し、該粘着剤上に導電粒子を単層で充填した導電粒子層を形成する（１０）記載の方法。
（１２）前記導電粒子充填シートの絶縁樹脂層の厚みが、導電粒子の平均粒径に対して１．０倍以上１０倍以下である（１０）記載の方法。
（１３）前記延伸可能なシート上に、粘着剤を塗布し、該粘着剤上に導電粒子を単層で充填して導電粒子層を形成するに際し、導電粒子を粘着剤に埋め込む（１１）記載の方法。
（１４）前記導電粒子を単層で充填して導電粒子層を形成するに際し、全面積に対する導電粒子の投影面積の割合として定義される充填率が、５０％以上９０％以下となるように導電粒子を充填した（１０）記載の方法。
（１５）前記導電粒子層上に絶縁樹脂層を形成するに際し、絶縁樹脂層として、シート状の絶縁樹脂を導電粒子層上に形成する（１０）記載の方法。
（１６）前記導電粒子層上に絶縁樹脂層を形成するに際し、絶縁樹脂層として、溶剤に溶解した絶縁樹脂を塗工し、溶剤を乾燥して得られた絶縁樹脂を導電粒子層上に形成する（１０）記載の方法。
（１７）縦方向の延伸倍率と横方向の延伸倍率の積として定義される面倍率が、２．２倍以上２５倍以下である（１０）記載の方法。
（１８）（１）〜（９）のいずれか一項に記載の導電粒子配置シートと、該シートの少なくとも片面に積層された絶縁性接着剤層を含んでなる異方導電性フィルム。
（１９）（１０）〜（１７）のいずれか一項に記載の方法により製造された導電粒子配置シートと、該シートの少なくとも片面に積層された絶縁性接着剤層を含んでなる異方導電性フィルム。
（２０）ＩＣチップの電極と回路基板の電極を電気的に接続する回路接続方法であって、（１８）又は（１９）に記載の異方導電性フィルムを回路基板とＩＣチップ間に保持した状態で、圧力を加えることを含む上記回路接続方法。
（２１）（２０）の方法により得られ得る接続構造体。
本発明の導電粒子配置シートは、微細パターン配線の電気的接続において、微小電極の接続信頼性に優れると共に、狭スペースの隣接電極間の絶縁性が高く、低抵抗の接続を可能にし、製造から使用までの間に導電粒子の欠落が起こりにくく、微細パターンの接続を可能にする効果を有する。
本発明について、以下具体的に説明する。
本発明の導電粒子配置シートは導電粒子と絶縁樹脂シートとを含んでなる。
導電粒子としては、例えば、金属粒子又は高分子核材に金属薄膜を被覆した粒子を用いることができる。
金属粒子としては、金属又は合金からなる均一組成を有する粒子が用いられる。金属粒子としては、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、錫、鉛、半田、インジウム、パラジウム、及び、２種以上のこれらの金属が層状又は傾斜状に組み合わされている粒子が例示される。
高分子核材に金属薄膜を被覆した粒子としては、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ジビニルベンゼン架橋体、ニトリルゴム（ＮＢＲ）、及び、スチレンーブタジエンゴム（ＳＢＲ）からなる群から選ばれる少なくとも１種のポリマーからなる高分子核材に、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、錫、鉛、半田、インジウム、及び、パラジウムからなる群から選ばれる１種又は２種以上を組み合わせて、金属薄膜を被覆した粒子が例示される。
金属薄膜の厚さは０．００５μｍ以上１μｍ以下の範囲が、接続安定性と粒子の凝集性の観点から好ましい。金属薄膜は均一に被覆されていることが接続安定性上好ましい。高分子核材に金属薄膜を被覆する方法としては、例えばメッキ法が挙げられる。
中でも、高分子核材に金属薄膜を被覆した粒子が好ましく、高分子核材を金で被覆した粒子が更に好ましく、高分子核材をニッケルで被覆した後に更に金で被覆した粒子が一層好ましい。
高分子核材としては、ベンゾグアナミン樹脂とジビニルベンゼン架橋体、アクリル樹脂が好ましい。
導電粒子の平均粒径は、０．５μｍ以上１０μｍ以下の範囲が、導電粒子の凝集性と異方導電性の観点から好ましい。導電粒子の平均粒径は、より好ましくは１．０μｍ以上７．０μｍ以下、更に好ましくは１．５μｍ以上６．０μｍ以下、更に好ましくは２．０μｍ以上５．５μｍ以下、更に好ましくは２．５μｍ以上５．０μｍ以下である。導電粒子の粒子径の標準偏差は小さいほど好ましく、平均粒径の５０％以下が好ましい。更に好ましくは２０％以下、一層好ましくは、１０％以下、更に一層好ましくは５％以下である。
導電粒子の平均粒径の測定方法は、コールターカウンターを用いる方法が挙げられる。その他、ＢＥＴ法による比表面積測定から換算する方法や光散乱を用いて粒径を測定する方法を用いることもできる。
絶縁樹脂シートは、硬化性樹脂、及び熱可塑性樹脂からなる群から選ばれた１種類以上の絶縁樹脂を含有してなる。
硬化性樹脂は、熱や光や電子線のエネルギーによって硬化反応を起こす樹脂であり、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、イソシアネート硬化性樹脂、ビニル樹脂、アクリル基含有樹脂が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、例えば、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ＳＢＲ、ＳＢＳ、ＮＢＲ、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルテレフタレート樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルオキシド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリイソブチレン樹脂、アルキルフェノール樹脂、スチレンブタジエン樹脂、カルボキシル変性ニトリル樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等又はそれらの変性樹脂が挙げられる。
特に接続後の長期信頼性を必要とする場合には、絶縁樹脂シート中には、エポキシ樹脂又はフェノキシ樹脂の少なくとも一方を含有することが好ましい。特にフェノキシ樹脂を含有することが好ましい。
エポキシ樹脂としては、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族エーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエーテルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂、脂環族エポキシドがある。これらエポキシ樹脂にはハロゲン化や水素添加がされていてもよく、また、変性、例えば、ウレタン変性、ゴム変性、シリコーン変性の変性されたエポキシ樹脂でもよい。中でも、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂が好ましい。
絶縁樹脂シートには、エポキシ樹脂の硬化剤を含有することができる。エポキシ樹脂の硬化剤は、貯蔵安定性の観点から、潜在性硬化剤が好ましい。潜在性硬化剤としては、例えば、ホウ素化合物、ヒドラジド、３級アミン、イミダゾール、ジシアンジアミド、無機酸、カルボン酸無水物、チオール、イソシアネート、ホウ素錯塩及びそれらの誘導体が好ましい。潜在性硬化剤の中でも、マイクロカプセル型硬化剤が好ましい。
マイクロカプセル型硬化剤は、前記硬化剤の表面を樹脂皮膜等で安定化したものである。マイクロカプセル型硬化剤は、接続作業時の温度や圧力で樹脂皮膜が破壊され、硬化剤がマイクロカプセル外に拡散し、エポキシ樹脂と反応する。マイクロカプセル型潜在性硬化剤の中でも、アダクト型硬化剤、例えば、アミンアダクト、イミダゾールアダクトをマイクロカプセル化した潜在性硬化剤が安定性と硬化性のバランスに優れ好ましい。エポキシ樹脂の硬化剤は一般に、エポキシ樹脂１００質量部に対して、０〜１００質量部の量で用いられる。
絶縁樹脂シートは、接続時に導電粒子がシート上で、又はシート外へ、又はシート中で、又はシートと共に移動して、接続電極間に捕捉される導電粒子数が減少することを抑制するために、接続条件下において、流動性の低い特性を有することが求められる。更に、長期接続信頼性を加味すると、フェノキシ樹脂を含有することが好ましい。
フェノキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＡビスフェノールＦ混合型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＡビスフェノールＳ混合型フェノキシ樹脂、フルオレン環含有フェノキシ樹脂、カプロラクトン変性ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂が例示される。フェノキシ樹脂の重量平均分子量は２万以上１０万以下が好ましい。重量平均分子量は、ポリスチレンを標準物質としたゲル浸透クロマトグラフ法（ＧＰＣ）によって測定できる。
本発明に用いられる絶縁樹脂シートには、フェノキシ樹脂とエポキシ樹脂とを併用することが好ましく、その場合、フェノキシ樹脂の含有量は、絶縁樹脂シートを形成する絶縁樹脂に対して６０質量％以上用いることが好ましい。更に好ましくは、７０質量％以上９９．５質量％以下、一層好ましくは、７５質量％以上９９質量％以下、更に一層好ましくは、８０質量％以上９８質量％以下である。
絶縁樹脂シートには、更に、例えば、絶縁粒子、充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤、カップリング剤を含有することもできる。絶縁粒子や充填剤を含有する場合、これらの最大径は導電粒子の平均粒径未満であることが好ましい。カップリング剤としてはケチミン基、ビニル基、アクリル基、アミノ基、エポキシ基及びイソシアネート基含有シランカップリング剤が、接着性の向上の点から好ましい。絶縁樹脂シート中にカップリング剤を含有する場合の含有量は、絶縁樹脂に対して、０．０５質量％以上２質量％以下である。
絶縁樹脂シートの各成分を混合する場合、必要に応じ、溶剤を用いることができる。溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、エタノール、イソプロパノール、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドが挙げられる。
絶縁樹脂シートは、例えば、各成分を溶剤中で混合して塗工液を作成し、該塗工液を基材上にアプリケーター塗装により塗工し、オーブン中で溶剤を揮散させることにより製造できる。塗工液の２５℃での粘度は、５０ｍＰａ・ｓ以上１００００ｍＰａ・ｓ以下が好ましい。更に好ましくは、２００ｍＰａ・ｓ以上８０００ｍＰａ・ｓ以下、一層好ましくは、５００ｍＰａ・ｓ以上５０００ｍＰａ・ｓ以下である。各成分を溶剤中に混合する場合、溶解性を向上させるために、加熱しても構わない。混合温度は室温以上１００℃以下が好ましい。５０℃以上８０℃以下が更に好ましい。オーブン中での溶剤の揮散は５０℃以上１００℃以下が好ましく、６０℃以上９０℃以下が更に好ましい。時間は２分以上２０分以下が好ましく、５分以上１５分以下が更に好ましい。
絶縁樹脂シートは、接続時に導電粒子がシート上で、又はシート外へ、又はシート中で、又はシートと共に流動することを抑制するために、接続条件下において、流動性が低いことが好ましい。一方で、導電粒子が電極と直接接触するために、絶縁樹脂シートは接続時の熱圧によって、導電粒子上から排除される、即ち、流動する必要があり、これら２つの相反する性能を満たすために、絶縁樹脂シートは接続温度において適正な溶融粘度範囲を有することが好ましい。更に好ましくは、絶縁樹脂シートの１８０℃での溶融粘度は１０Ｐａ・ｓ以上５万Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは、２０Ｐａ・ｓ以上３万Ｐａ・ｓ以下、一層好ましくは５０Ｐａ・ｓ以上２万Ｐａ・ｓ以下、更に一層好ましくは８０Ｐａ・ｓ以上１万Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは、１００Ｐａ・ｓ以上５０００Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは、２００Ｐａ・ｓ以上２０００Ｐａ・ｓ以下である。
なお、ここで、絶縁樹脂シートが熱硬化性樹脂を含む場合、その溶融粘度とは、絶縁樹脂シートから硬化剤を除去した、あるいは、硬化剤が未配合の状態での溶融粘度を指す。
本発明において絶縁樹脂シートは、接続時に導電粒子に有効に圧力がかかって、低い接続抵抗を実現するために、その膜厚は導電粒子の平均粒径よりも小さい必要がある。好ましくは、絶縁樹脂シートの膜厚が導電粒子の平均粒径に対して、０．０５倍以上０．８倍以下である。より好ましくは、０．０７倍以上０．７倍以下、更に好ましくは、０．１倍以上０．６倍以下、一層好ましくは、０．１２倍以上０．５倍以下、更に一層好ましくは、０．１５倍以上０．４倍以下である。
絶縁樹脂シートの膜厚は好ましくは、０．１μｍ以上５μｍ以下であり、より好ましくは０．２μｍ以上３μｍ以下であり、一層好ましくは、０．３μｍ以上２μｍ以下であり、更に一層好ましくは、０．４μｍ以上１．５μｍ以下である。
絶縁樹脂シートの膜厚は粒子の無い部分のシートの厚みであり、導電粒子に接し、シートの表面に垂直な面（以下、粒子接触面という）からその粒径の１／２離れた点（但し、該点には導電粒子は存在しないものとする）におけるシートの厚みの算術平均値として求められる。なお、導電粒子密度が高く、一つの導電粒子の粒子接触面とそれに隣接する導電粒子の粒子接触面との間の距離が粒径の１／２未満となり、導電粒子接触面からその粒径の１／２離れると、隣接粒子が存在する場合は、隣接粒子との中点のシートの厚みの算術平均値として膜厚を定義する。絶縁樹脂シートの膜厚は、例えば、シート断面の走査電子顕微鏡画像より測定することができる。
以下、図１を参照しながら、本発明における基準面Ｐ１、Ｐ２と平均突出高さｈ１、ｈ２の関係について説明する。
絶縁樹脂シートＳは表裏の二つの相対する表面を有し、それらを基準面Ｐ１及び基準面Ｐ２と称する。但し、本発明の導電粒子配置シートにおいて、絶縁樹脂シートＳの基準面Ｐ１からは導電粒子Ｅが突出しているものとし、また、基準面Ｐ１と、導電粒子Ｅの基準面Ｐ１に平行な接線であって該基準面Ｐ１から突出した突出部分に接する接線Ｌ１との間の距離の平均を平均突出高さｈ１（ｈ１＞０）とし、基準面Ｐ２と、導電粒子Ｅの基準面Ｐ２に平行な接線であって該導電粒子を挟んで接線Ｌ１とは反対側にある接線Ｌ２との間の距離の平均を平均突出高さｈ２とした場合、ｈ１＞ｈ２の関係を満たすものとする。ここで、該接線Ｌ２が該絶縁樹脂シート内にある時はｈ２＜０（図１右）、該接線Ｌ２が基準面Ｐ２上にある時はｈ２＝０、該接線Ｌ２が該絶縁樹脂シート外にある時はｈ２＞０（図１左）とする。
本発明では、導電粒子Ｅは絶縁樹脂シートＳ中に存在し、絶縁樹脂シートＳよりも導電粒子Ｅの平均粒径が大きいので、導電粒子Ｅは絶縁樹脂シートＳの少なくとも片側の基準面Ｐ１から突出している（図２）。そして、導電粒子Ｅの絶縁樹脂シートＳの基準面Ｐ１から突出した部分が、絶縁樹脂シートＳを構成する絶縁樹脂と同じ樹脂からなる被覆層Ｔで覆われている（図２）。導電粒子Ｅは絶縁樹脂シートＳの両面から突出していてもよい。
この場合、基準面Ｐ１からの導電粒子の平均突出高さｈ１の絶対値｜ｈ１｜と基準面Ｐ２からの導電粒子の平均突出高さｈ２の絶対値｜ｈ２｜とを比較すると、

０≦ ｜ｈ２｜／｜ｈ１｜ ≦１／１．１

であることが好ましく、より好ましくは

０≦ ｜ｈ２｜／｜ｈ１｜ ≦１／３

である。これは、例えば導電粒子が絶縁樹脂シートの両面から突出している場合（ｈ１＞０且つｈ２＞０）、突出高さｈ１が突出高さｈ２の好ましくは１．１倍以上、より好ましくは３倍以上であることを表す。
突出高さｈ２は、本発明の導電粒子配置シートを使用する場合に、被接続部材との接着性を高く保つため、あるいは他のシートと貼り合わせる場合に、エアーを巻き込まないために、小さいことが好ましく、より好ましくは、０．３μｍ以下であり、更に好ましくは０．２μｍ以下であり、一層好ましくは０．１μｍ以下である。
突出高さｈ２は、０μｍ以下であっても、即ち、導電粒子が突出していなくても構わない。導電粒子が絶縁樹脂シート内に完全に埋没していてもよい。
好ましくは、突出高さｈ２が０μｍ以上０．１μｍ以下である。突出高さｈ２は、絶縁樹脂シートの膜厚の−０．５倍以上であり、４倍以下が好ましく、更に好ましくは、３倍以下であり、一層好ましくは、２倍以下であり、より一層好ましくは、０．５倍以下であり、更に一層好ましくは、０．１倍以下である。絶縁樹脂シートの基準面Ｐ２から突出した導電粒子は、絶縁樹脂シートから露出していると、低い接続抵抗を得やすい。
ここで突出高さｈ２は、導電粒子が基準面Ｐ２から突出している場合は、絶縁樹脂シートの導電粒子の無い部分の略均一平面のうち導電粒子の突出高さが小さい側の平面、即ち基準面Ｐ２上から、突出高さが小さい側の導電粒子の頂部までの高さであり、例えばレーザー顕微鏡等で測定することができる。
導電粒子の突出高さが大きい面側、即ち基準面Ｐ１は、接続時に導電粒子に有効に圧力がかかって、低い接続抵抗を得るために、その突出高さｈ１は導電粒子の平均粒径に対して０．２倍以上が好ましい。より好ましくは、０．２５倍以上０．９５倍以下であり、更に好ましくは、０．３倍以上０．９倍以下であり、一層好ましくは、０．３５倍以上０．８５倍以下であり、更に一層好ましくは、０．４倍以上０．８倍以下である。
ここで突出高さｈ１は、絶縁樹脂シートの導電粒子の無い部分の略均一平面上から導電粒子の頂部までの高さであると表現することもできる。例えば、シート断面の走査電子顕微鏡画像より直接測定することができる。導電粒子の平均粒径から、突出高さｈ２と絶縁樹脂シートの膜厚を差し引いた値として求めてもよい。
本発明においては、突出高さが大きい面（基準面１）側は、導電粒子が絶縁樹脂シートを構成する絶縁樹脂と同じ樹脂からなる被覆層で覆われていることにより、製造工程中や使用中の導電粒子の欠落を抑え、微細電極間の接続において、高い絶縁性を維持することができる。突出高さが大きい面側の、突出部における絶縁樹脂シートを構成する絶縁樹脂と同じ樹脂からなる被覆層の厚みは、略均一厚みでも構わないし、絶縁樹脂シート面から粒子頂部に向かって、傾斜的に薄くなっていても構わないし、その中間的に、絶縁樹脂シートの基準面Ｐ１の近傍では、頂部に向かって厚みが傾斜的に薄くなり、途中から略均等厚みになっていても構わない。導電粒子の欠落を防ぐ観点から、後二者の少なくとも部分的に、傾斜的に薄くなっていることが好ましい。
絶縁樹脂シートの基準面Ｐ１から突出した導電粒子の被覆層の頂部の被覆厚み（以下被覆厚と称す）は、０．１μｍ以上２μｍ以下が好ましい。より好ましくは、０．１５μｍ以上１．８μｍ以下、より好ましくは、０．２μｍ以上１．６μｍ以下、更に好ましくは、０．２５μｍ以上１．４μｍ以下、更に一層好ましくは、０．３μｍ以上１．２μｍ以下である。また、被覆厚は絶縁樹脂シートの膜厚に対して、０．１倍以上１．０倍以下が好ましい。より好ましくは、０．１倍以上０．９６倍以下、より好ましくは、０．１２倍以上０．７倍以下、更に好ましくは、０．１５倍以上０．６倍以下、一層好ましくは、０．２倍以上０．５倍以下である。被覆厚が適正な範囲にあることによって、導電粒子の欠落が起こりにくく、かつ、接続時の導通抵抗を低く抑えることができ好ましい。
本発明の導電粒子配置シートは、導電粒子が絶縁樹脂シート中に分散配置されている。導電粒子の平均粒径よりも絶縁樹脂シート厚が小さいので、導電粒子は同一面上に配置されていることになる。導電粒子は、個々に独立に存在し、２個以上が凝集していないことが好ましい。２個以上の凝集が起こる場合、凝集している導電粒子の割合は、粒子数基準で３０％以下が好ましく、２０％以下が更に好ましい。絶縁樹脂シートの面積に占める、導電粒子の投影面積の合計で規定される導電粒子の面積率が２％以上４０％以下の範囲が導電性と絶縁性のバランスが取れて好ましい。より好ましくは、４％以上３５％以下、更に好ましくは６％以上３０％以下、一層好ましくは、８％以上２７％以下、更に一層好ましくは１０％以上２５％以下である。
電極毎の接続抵抗のバラツキを小さくするために、導電粒子を高い配列性をもって配置することが好ましい。導電粒子の中心間距離の変動係数（標準偏差を平均で割った値）を配列性の尺度とすると、その値は０．６以下が好ましく、更に好ましくは０．０３以上０．５以下であり、一層好ましくは０．０５以上０．４５以下、更に好ましくは０．０７以上０．４２以下、更に好ましくは０．０９以上０．４以下、更に一層好ましくは、０．１以上０．３５以下である。
本発明の導電粒子配置シートは、単独で存在していても構わないが、例えば、剥離性基材上に形成されていてもよい。剥離性基材としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエステル、ナイロン、塩化ビニル、ポリビニルアルコール等のフィルムや、これらフィルムをシリコーン処理やフッ素処理等をして剥離性を向上させたフィルム等の基材が使用される。
本発明の導電粒子配置シートは、例えば、枚葉タイプのものや長尺タイプのものが挙げられる。
本発明の導電粒子配置シートを製造する方法としては、例えば下記の様な方法がある。
即ち、図３に示すように、まず、延伸可能なシート１上に粘着剤２を、好ましくは、導電粒子の平均粒径以下の膜厚になる様に塗布し（図３（ａ））、その上に導電粒子Ｅを必要量以上に載せて、充填を行う。
好ましい粘着剤としては、例えば、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、酢酸ビニル樹脂、クロロプレンゴム、ニトリルゴム、スチレン−ブタジエンゴム、イソプレンゴム、天然ゴムが例示される。
導電粒子充填後、粘着剤層に到達していない導電粒子を、例えば、エアーブローにより排除することで導電粒子が密に充填された単層の導電粒子層が形成される（図３（ｂ））。必要に応じ、単層に配置した導電粒子は粘着剤に埋め込まれる。このときの全面積に対する導電粒子の投影面積の割合で定義される充填率は、好ましくは５０％以上９０％以下である。より好ましくは５５％以上８８％以下、更に好ましくは６０％以上８５％以下である。充填率は配列性に大きく影響する。
次に、単層で密に充填された導電粒子層の上に、絶縁樹脂層３を形成し（図３（ｃ））、導電粒子充填シートが得られる。この時、絶縁樹脂層は既にシート状になったものを粒子層の上に形成しても構わないし、溶剤に溶解した絶縁樹脂を塗工し、溶剤を乾燥して絶縁樹脂層を形成しても構わない。
導電粒子充填シートの絶縁樹脂層の厚みは、導電粒子の平均粒径に対して１．０倍以上１０倍以下が好ましく、より好ましくは１．２倍以上８倍以下、更に好ましくは１．５倍以上６倍以下、より一層好ましくは１．７倍以上５倍以下、更に一層好ましくは２倍以上４倍以下である。絶縁樹脂層の厚みを導電粒子の平均粒径に対して１．０倍以上１０倍以下の範囲にすることで、膜厚精度の高い絶縁樹脂層が得られると共に、低い接続抵抗を得やすい。
次に、導電粒子Ｅが固定され、絶縁樹脂層３（又はＳ）が形成された延伸可能なシートを、所望の延伸倍率で延伸することで、本発明の導電粒子配置シートが得られる（図３（ｄ））。必要に応じ、延伸可能なシートと粘着剤は、導電粒子配置シートから剥離される。
このとき、絶縁樹脂シートの厚みは、延伸倍率と延伸前の絶縁樹脂層の厚みと延伸時の絶縁樹脂層の溶融粘度で決まる。
ここで、延伸可能なシートとしては、ポリオレフィン、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリプロピレン共重合体、ポリメチルペンテン、ポリスチレン、ポリエステル、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）や、ナイロン、塩化ビニール、ポリビニルアルコールからなるシートが例示される。
延伸は縦方向延伸と横方向延伸の両方が行われる、所謂、２軸延伸であり、公知の方法で実施することができる。例えば、クリップ等でフィルムの２辺又は４辺を挟んで引っ張る方法や、２本以上のロールで挟んでロールの回転速度を変えることで延伸する方法等が挙げられる。延伸は縦方向と横方向を同時に延伸する同時二軸延伸でもよいし、一方向を延伸した後、他方を延伸する逐次二軸延伸でもよい。延伸時の導電粒子の配列乱れを起こし難いので同時二軸延伸が好ましい。延伸過程で導電粒子配置シートの形状が決定されるため、延伸時の温度と延伸速度は重要な因子である。
延伸温度は、７０℃以上２５０℃以下で延伸を行うのが好ましい。更に好ましくは７５℃以上２００℃以下であり、一層好ましくは、８０℃以上１６０℃以下であり、更に一層好ましくは８５℃以上１４５℃以下である。延伸温度が高すぎると絶縁樹脂シートの溶融粘度が下がりすぎ、粒子の頂部に所望の厚みで絶縁樹脂シートの被覆が形成されない。一方、延伸温度が低いと絶縁樹脂シートの溶融粘度が高くなりすぎて、導電粒子が絶縁樹脂シート中に存在しなくなり好ましくない。延伸速度は、０．１％／秒以上１００％／秒以下で行うのが好ましい。更に好ましくは１％／秒以上５０％／秒以下である。縦方向の延伸倍率と横方向の延伸倍率の積で定義される面倍率は、２．２倍以上２５倍以下が好ましく、３倍以上１５倍以下が更に好ましい。３．５倍以上１０倍以下が一層好ましい。
本発明の導電粒子配置シートは、そのまま単独で接合材料として用いることもできるし、絶縁性のフィルムと併用して用いることもでき、更に、導電粒子配置シートの少なくとも片面に、絶縁性接着剤層４を積層した異方導電性フィルムとすることもできる（図３（ｅ）、（ｆ））。異方導電性フィルムとする場合、延伸可能なシートと粘着剤の剥離は、絶縁性接着剤の積層前に行ってもよいし、積層後に行ってもよい。絶縁性接着剤の積層後に行う方が、作業性に優れるため、好ましい。
本発明の異方導電性フィルムに用いられる絶縁性接着剤は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂から選ばれた１種類以上の樹脂を含有する。これらの樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ＳＢＲ、ＳＢＳ、ＮＢＲ、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルテレフタレート樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルオキシド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリイソブチレン樹脂、アルキルフェノール樹脂、スチレンブタジエン樹脂、カルボキシル変性ニトリル樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等又はそれらの変性樹脂が挙げられる。
特に接続後の長期信頼性を必要とする場合には、エポキシ樹脂を含有することが好ましい。
ここで用いられるエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族エーテル型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエーテルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂、脂環族エポキシドがある。これらエポキシ樹脂はハロゲン化や水素添加されていてもよい。また、これらエポキシ樹脂は、変性、例えば、ウレタン変性、ゴム変性、シリコーン変性がなされたエポキシ樹脂でもよい。
絶縁性接着剤にエポキシ樹脂が含有される場合、エポキシ樹脂の硬化剤を含有することが好ましい。エポキシ樹脂の硬化剤としては、貯蔵安定性の観点から、潜在性硬化剤が好ましい。潜在性硬化剤としては、ホウ素化合物、ヒドラジド、３級アミン、イミダゾール、ジシアンジアミド、無機酸、カルボン酸無水物、チオール、イソシアネート、ホウ素錯塩及びそれらの誘導体等の硬化剤が好ましい。潜在性硬化剤の中でも、マイクロカプセル型の硬化剤が好ましい。
マイクロカプセル型硬化剤は、前記硬化剤の表面を樹脂皮膜等で安定化したもので、接続作業時の温度や圧力で樹脂皮膜が破壊され、硬化剤がマイクロカプセル外に拡散し、エポキシ樹脂と反応する。マイクロカプセル型潜在性硬化剤の中でも、アダクト型硬化剤、例えば、アミンアダクト、イミダゾールアダクトをマイクロカプセル化した潜在性硬化剤が安定性と硬化性のバランスに優れ好ましい。これらエポキシ樹脂の硬化剤は一般に、エポキシ樹脂１００質量部に対して、２〜１００質量部の量で用いられる。
本発明に用いられる絶縁性接着剤は、フィルム形成性、接着性、硬化時の応力緩和製等を付与する目的で、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、アクリルゴム、ＳＢＲ、ＮＢＲ、シリコーン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアセタール樹脂、尿素樹脂、キシレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、カルボキシル基、ヒドロキシル基、ビニル基、アミノ基などの官能基を含有するゴム、エラストマー類等の高分子成分を含有することが好ましい。これら高分子成分は分子量が１０，０００〜１，０００，０００のものが好ましい。高分子成分の含有量は、絶縁性接着剤全体に対して２〜８０質量％が好ましい。
これら高分子成分としては、長期接続信頼性の観点から、フェノキシ樹脂が好ましい。
ここで用いられるフェノキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＡビスフェノールＦ混合型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＡビスフェノールＳ混合型フェノキシ樹脂、フルオレン環含有フェノキシ樹脂、カプロラクトン変性ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂等が例示される。フェノキシ樹脂の重量平均分子量は２０，０００以上１００，０００以下が好ましい。
本発明に用いられる絶縁性接着剤としては、貯蔵安定性が高く、接続信頼性の高い、エポキシ樹脂と潜在性硬化剤を含有する熱硬化性のエポキシ樹脂系接着剤が好ましい。フェノキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂系接着剤が更に好ましい。その場合、フェノキシ樹脂の使用量は、絶縁性接着剤全体に対して５０質量％以下が好ましい。更に好ましくは、２０質量％以上４６質量％以下、一層好ましくは３０質量％以上４４質量％以下である。
絶縁性接着剤には、さらに、絶縁粒子、充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤、カップリング剤を含有することもできる。絶縁粒子や充填剤を含有する場合、これらの最大径は導電粒子の平均粒径未満であることが好ましい。更に、絶縁性接着剤に絶縁性を阻害しない範囲で、例えば、帯電防止を目的に導電粒子が含有していても構わない。
カップリング剤としてはケチミン基、ビニル基、アクリル基、アミノ基、エポキシ基及びイソシアネート基含有シランカップリング剤が、接着性の向上の点から好ましい。
絶縁性接着剤の各成分を混合する場合、必要に応じ、溶剤を用いることができる。溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、エタノール、イソプロパノール、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドが挙げられる。
絶縁性接着剤の製造は、例えば、各成分を溶剤中で混合して塗工液を作成し、該塗工液を基材上にアプリケーター塗装等により塗工し、オーブン中で溶剤を揮散させることにより製造できる。
絶縁性接着剤は接続時に流動して接続領域を封止する働きがあるため、接続条件下において、流動性が高いことが好ましい。流動性の高さは、絶縁樹脂シートとの流動性との相対値が重要であり、１８０℃での溶融粘度が絶縁樹脂シートよりも低いことが好ましい。より好ましくは、絶縁樹脂シートの粘度の５０％以下であり、更に好ましくは２５％以下であり、一層好ましくは１５％以下であり、更に一層好ましくは１０％以下である。
絶縁性接着剤の１８０℃での溶融粘度の好ましい範囲は、１Ｐａ・ｓ以上１００Ｐａ・ｓ以下である。更に好ましくは２Ｐａ・ｓ以上５０Ｐａ・ｓ以下、一層好ましくは４Ｐａ・ｓ以上３０Ｐａ・ｓ以下である。溶融粘度が高すぎると接続時に高い圧力が必要となり、一方、溶融粘度が低い場合は、使用前の変形を抑えるために低温で貯蔵する必要が発生する。
なお、ここで、絶縁性接着剤が熱硬化性樹脂の場合、その溶融粘度は絶縁性接着剤から硬化剤を除去した、あるいは、硬化剤が未配合の状態での溶融粘度を指す。
絶縁性接着剤は絶縁樹脂シートの片面のみに形成しても構わないし、両面に形成しても構わない。異方導電性フィルムの仮貼り付け性を向上させたい場合は、両面に形成した方が好ましい。
絶縁性接着剤を絶縁樹脂シートの両面に積層する場合、それぞれの面の絶縁性接着剤は同じでもよいし、異なっていてもよい。異なっている方が、被接続部材にあった配合にできる一方で、２種類の配合を用意する必要が発生する。
絶縁性接着剤の膜厚の合計は、導電粒子配置シートの膜厚の２倍以上１００倍以下が好ましく、更に好ましくは３倍以上〜７５倍以下、更に好ましくは４倍以上５０倍以下、更に一層好ましくは５倍以上３０倍以下である。
本発明の異方導電性フィルムの厚みは、５μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、更に好ましくは６μｍ以上３５μｍ以下、更に好ましくは７μｍ以上２５μｍ以下、更に好ましくは８μｍ以上２２μｍ以下である。
本発明の異方導電性フィルムは、その片面又は両面に剥離シート５を積層して、異方導電性フィルムへの異物の付着を抑えることができる（図４）。該剥離シートとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエステル、例えば、ＰＥＴ、ＰＥＮや、ナイロン、塩化ビニール、ポリビニルアルコール等のフィルムが例示される。好ましい剥離シート用の樹脂としては、ポリプロピレン、ＰＥＴが挙げられる。該剥離シートは、表面処理、例えば、フッ素処理、シリコーン処理、アルキド処理を行っていることが好ましい。
本発明の異方導電性フィルムは、例えば、熱ロールを用いて導電粒子配置シートとフィルム状の絶縁性接着剤をラミネートする方法や、導電粒子配置シートの上に溶剤に溶解した絶縁性接着剤を塗布した後、溶剤を飛散させる方法等で製造される。
一般に異方導電性フィルムは、所望の幅にスリットされ、リール状に巻き取られる。
このようにして製造された本発明の異方導電性フィルムは、ファインピッチ接続用途に好適に用いることができ、液晶ディスプレイとＴＣＰ、ＴＣＰとＦＰＣ、ＦＰＣとプリント配線基板との接続、あるいは、半導体チップを直接基板に実装するフリップチップ実装に好適に用いることができる。
本発明の回路接続方法としては、ＩＴＯ配線や金属配線等によって回路と電極を形成したガラス基板等の回路基板と、回路基板の電極と対を成す位置に電極を形成したＩＣチップとを準備し、ガラス基板上のＩＣチップを配置する位置に、本発明の異方導電性フィルムを貼り付ける。次に、ガラス基板とＩＣチップをそれぞれの電極が互いに対を成すように位置を合わせた後、熱圧着される。熱圧着は、８０℃以上２５０℃以下の温度範囲で１秒以上３０分以下行うのが好ましい。加える圧力は、ＩＣチップ面に対して、０．１ＭＰａ以上５０ＭＰa以下が好ましい。
本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
ａ．溶融粘度測定
ＨＡＡＫＥ社製、ＲＨｅｏＳｔｒｅｓｓ６００ Ｔｈｅｒｍｏを用い、２０ｍｍ径のコーン（ＰＰ２０Ｈ）を用いて測定した。
［実施例１］
フェノキシ樹脂（ＩｎＣｈｅｍ社製、商品名：ＰＫＨＣ）８０質量部、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（旭化成ケミカルズ株式会社製、商品名：ＡＥＲ２６０３）２０質量部、シランカップリング剤（日本ユニカー社製、商品名：Ａ−１８７）０．２５質量部、酢酸エチル３００質量部を混合し、絶縁樹脂シート用ワニスを得た。絶縁樹脂シート用ワニスから溶剤を除去して得た絶縁樹脂シートの１８０℃溶融粘度は、１５００Ｐａ・ｓであった。
１００μｍ無延伸共重合ポリプロピレンフィルム上にブレードコーターを用いて酢酸エチルで樹脂分５質量％に希釈したアクリルポリマーを塗布、８０℃で１０分間乾燥し、厚さ１μｍの粘着剤層を形成した。ここで用いたアクリルポリマーは、アクリル酸メチル６２質量部、アクリル酸−２−エチルヘキシル３０．６質量部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル７質量部を酢酸エチル２３３質量部中で、アゾビスイソブチロニトリル０．２質量部を開始剤とし、窒素ガス気流中６５℃で８時間重合して得られた重量平均分子量が９５万のものである。なお、重量平均分子量は、ポリスチレンを標準物質としたゲル浸透クロマトグラフ法（ＧＰＣ）により測定した。
この粘着剤剤上に、平均粒径４μｍの導電粒子（積水化学社製、商品名：ミクロパールＡＵ）を一面に充填し、０．２ＭＰａ圧のエアーブローにより粘着剤に到達していない導電粒子を排除した。その結果、充填率が７４％の単層導電粒子層が形成された。その上に絶縁樹脂シート用ワニスを、ブレードコーターを用いて塗布、８０℃で１０分間乾燥し、厚さ７μｍの絶縁樹脂シート層を形成し、導電粒子充填シートＡを得た。
次に導電粒子充填シートＡを、試験用二軸延伸装置を用いて、１３５℃で、縦横共に１０％／秒の比率で２．２倍まで延伸し、徐々に室温まで冷却、導電粒子が埋め込まれた絶縁樹脂シートからポリプロピレンフィルムと粘着剤を剥離し、導電粒子配置シートＡを得た。
導電粒子配置シートＡを、走査型電子顕微鏡（日立製作所製：Ｓ−４７００、以下同じ）を用いて観察したところ、導電粒子は絶縁樹脂シート中に存在し、導電粒子のない絶縁樹脂シート部は略平滑であり、導電粒子は絶縁樹脂シートの片面側に大きく突出し、その突出部は絶縁樹脂シートで被覆されていた。一方、反対面は小さく突出し、その突出部は導電粒子が露出していた。更に、導電粒子の中心を通る様に導電粒子配置シートＡを切断し、その断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ（図５）、絶縁樹脂シートの厚みは１．５μｍであり、導電粒子の突出高さが大きい側の突出部頂部は、１．２μｍの厚みの絶縁樹脂シートで被覆されていた。一方、突出高さが小さい側の突出高さを、レーザー顕微鏡（キーエンス製，ＶＫ−９５００）を用い、０．０１μｍ刻みで測定（以下同じ）した結果、その突出高さは０．１μｍであった。以上より、導電粒子の突出高さの大きい側の突出高さは、２．４μｍと算出された。
更に、導電粒子配置シートＡをマイクロスコープ（株式会社キーエンス製、商品名：ＶＨＸ−１００、以下同じ）で観察した画像から、画像処理ソフト（旭化成株式会社製、商品名：Ａ像くん、以下同じ）を用いて、導電粒子の中心間距離の平均値及びその変動係数を求めた結果、平均値が１０．１μｍ、変動係数が０．２９であった。また、導電粒子の面積率は１５．１％であった。なお、導電粒子の中心間距離は、各粒子の中心点を用いたデローニ三角分割でできる三角形の辺の長さを使用し、導電粒子の観察は０．０６ｍｍ２内の粒子について行った。
導電粒子配置シートＡからの導電粒子の欠落性を評価するため、導電粒子配置シートをキムワイプで片面につき１００回ずつ、１ｋＰａの圧力でラビングした後の粒子の欠落をマイクロスコープで観察した結果、全く粒子の欠落は認められなかった。
フェノキシ樹脂（ＩｎＣｈｅｍ社製、商品名：ＰＫＨＣ）１００質量部、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（旭化成ケミカルズ株式会社製、商品名：ＡＥＲ２６０３）９０質量部、マイクロカプセル型潜在性硬化剤と液状エポキシ樹脂の混合物（旭化成ケミカルズ株式会社製、商品名：ノバキュア）６０質量部（液状エポキシ樹脂は４０質量部含有）、シランカップリング剤（日本ユニカー社製、商品名：Ａ−１８７）０．２５質量部、酢酸エチル３００質量部を混合し、ワニスを得た。このワニスを離型処理した５０μｍのＰＥＴフィルム製剥離シート上にブレードコーターを用いて塗布、溶剤を乾燥除去して、膜厚１７μｍのフィルム状の絶縁性接着剤Ｂを得た。別途マイクロカプセル型潜在性硬化剤と液状エポキシ樹脂の混合物６０質量部に替えて、液状エポキシ樹脂４０質量部を配合して同様に作成した絶縁性接着剤の溶融粘度を測定した結果、絶縁接着剤Ｂの１８０℃溶融粘度は、１０．５Ｐａ・ｓであった。
更に、絶縁性接着剤Ｂと膜厚のみ異なる絶縁性接着剤Ｃを絶縁性接着剤Ｂと同様にして得た。絶縁性接着剤の膜厚は２μｍであった。
実施例１で得た導電粒子配置シートＡの導電粒子の突出高さが大きい側に絶縁性接着剤Ｂを、突出高さが小さい側に絶縁性接着剤Ｃを重ね、５５℃、０．３ＭＰａの条件でラミネートを行い、異方導電性フィルムＡを得た。
次に、２０μｍ×１００μｍの金バンプがピッチ３０μｍで並んだ１．６ｍｍ×１５ｍｍのベアチップとベアチップに対応した接続ピッチを有するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）ガラス基板を準備し、ガラス基板のチップ実装位置に、絶縁性接着剤Ｃ側の剥離シートを剥がした異方導電性フィルムＡを載せて、７０℃、５Ｋｇ／ｃｍ２、２秒間の条件で熱圧着し、絶縁性接着剤Ｂ側の剥離シートを剥がした後、ベアチップをフリップチップボンダー（東レエンジニアリング株式会社製ＦＣ２０００、以下同じ）を用いて位置合わせをして、コンスタントヒートで２秒後に１９０℃に到達し、その後一定温度となる条件で３０Ｋｇ／ｃｍ２、１０秒間加熱加圧し、ベアチップをＩＴＯガラス基板に接続した。
このとき、絶縁性接着剤は流動し、ベアチップの外にも流出が見られた。接続後に金バンプとＩＴＯ電極間に挟まれている導電粒子、即ち、接続に有効に働いた導電粒子の数を４０バンプ分カウントした結果、平均が１４．４個、標準偏差が１．９個であり、平均−３×標準偏差で定義される最小接続間粒子数は、８．７個であり、安定した接続が可能であることが判った。また、ベアチップとＩＴＯガラス電極よりなる６４対のデイジーチェーン回路による導通抵抗測定と４０対の櫛型電極による絶縁抵抗測定を行った結果、配線抵抗を含む導通抵抗は２．９ｋΩであり、６４対の全ての電極が接続されていた。一方、絶縁抵抗は１０９ Ω以上であり、４０対の櫛型電極間でショートの発生がなく、ファインピッチ接続において有用であった。
［実施例２］
絶縁樹脂シートとして、フェノキシ樹脂（ＩｎＣｈｅｍ社製、商品名：ＰＫＨＢ、１８０℃の溶融粘度は９８０Ｐａ・ｓ）を単独で用い、導電粒子の平均粒径を３μｍに、充填率を８２％に変更した以外は実施例１と同様にして導電粒子充填シートを得、延伸倍率を２．７倍にした以外は実施例１と同様にして導電粒子配置シート（導電粒子配置シートＢと称す）を得た。
得られた導電粒子配置シートＢを、走査型電子顕微鏡を用いて観察したところ、導電粒子は絶縁樹脂シート中に存在し、導電粒子のない絶縁樹脂シート部は略平滑であり、導電粒子は絶縁樹脂シートの片面側に大きく突出し、その突出部は絶縁樹脂シートで被覆されていた。一方、反対面は小さく突出し、その突出部は導電粒子が露出していた。更に、導電粒子の中心を通る様に導電粒子配置シートＢを切断し、その断面を操作型電子顕微鏡で観察したところ、絶縁樹脂シートの厚みは０．８μｍであり、導電粒子の突出高さが大きい側の突出部頂部は、０．３μｍの厚みの絶縁樹脂シートで被覆されていた。一方、突出高さが小さい側の突出高さを、レーザー顕微鏡で測定した結果、その突出高さは０．１μｍであった。以上より、導電粒子の突出高さの大きい側の突出高さは、２．１μｍと算出された。
更に、導電粒子配置シートＢをマイクロスコープで観察した画像から、画像処理ソフトを用いて、導電粒子の中心間距離の平均値及びその変動係数を求めた結果、平均値が９．１μｍ、変動係数が０．１９であった。また、導電粒子の面積率は１１％であった。
導電粒子配置シートＢからの導電粒子の欠落性を評価するため、導電粒子配置シートをキムワイプで片面につき１００回ずつ、１ｋＰａの圧力でラビングした後の粒子の欠落をマイクロスコープで観察した結果、全く粒子の欠落は認められなかった。
次に実施例１と同様にして、導電粒子の突出高さの大きい側に、絶縁性接着剤Ｂをラミネートし、異方導電性フィルムＢを得、実施例１と同様に、導電粒子配置シート側がＩＴＯガラス基板側となる様にして、ベアチップとＩＴＯガラス基板との接続を行った。
接続後に金バンプとＩＴＯ電極間に挟まれている導電粒子を４０バンプ分カウントした結果、平均が１６．４個、標準偏差が１．３個であり、平均−３×標準偏差で定義される最小接続間粒子数は．１２．５個であり、安定した接続が可能であることが判った。また、ベアチップとＩＴＯガラス電極よりなる６４対のデイジーチェーン回路による導通抵抗測定と４０対の櫛型電極による絶縁抵抗測定を行った結果、配線抵抗を含む導通抵抗は３．１ｋΩであり、６４対の全ての電極が接続されていた。一方、絶縁抵抗は１０９ Ω以上であり、４０対の櫛型電極間でショートの発生がなく、ファインピッチ接続において有用であった。
［比較例１］
絶縁樹脂シート用ワニスの塗工量を下げて、絶縁樹脂シート層の厚さを３．５μｍとした以外は、実施例１と同様にして、導電粒子配置シート（導電粒子配置シートＣと称す）を得た。
得られた導電粒子配置シートＣを、走査型電子顕微鏡を用いて観察したところ、略平滑な絶縁樹脂シートに、片面側に大きく突出した導電粒子が、両側で露出して、挟み込まれていた。更に、導電粒子の中心を通る様に導電粒子配置シートＣを切断し、その断面を操作型電子顕微鏡で観察したところ、絶縁樹脂シートの厚みは０．８μｍであり、導電粒子の突出高さが大きい側の頂部は露出していた。レーザー顕微鏡で突出高さを測定した結果、その突出高さは３．１μｍと０．１μｍであった。
導電粒子配置シートＣからの導電粒子の欠落性を評価するため、導電粒子配置シートをキムワイプで片面につき１００回ずつ、１ｋＰａの圧力でラビングした後の粒子の欠落をマイクロスコープで観察した結果、約２０％の粒子の欠落が見られ、接続材料としては、使用できないことが判った。
［比較例２］
絶縁樹脂シート用ワニスの塗工量を上げて、絶縁樹脂シート層の厚さを２０μｍとした以外は、実施例１と同様にして、導電粒子配置シート（導電粒子配置シートＤと称す）を得た。
得られた導電粒子配置シートＤを、走査型電子顕微鏡を用いて観察したところ、導電粒子の突出はなく、４．５μｍの略平滑な絶縁樹脂シート中に導電粒子が埋まっていた。
次に実施例１と同様にして、絶縁性接着剤Ｂを片側にラミネートし、異方導電性フィルムＤを得、実施例２と同様に、導電粒子配置シート側がＩＴＯガラス基板側となる様にして、ベアチップとＩＴＯガラス基板との接続を行った。
ベアチップとＩＴＯガラス電極よりなる６４対のデイジーチェーン回路による導通抵抗測定を行った結果、デイジーチェーンに電流は流れず、電気的な接続が取れておらず、接続材料としては、使用できないことが判った。
本発明の導電粒子配置シートは、製造から使用までの間の導電粒子の欠落が起こりにくく、微細パターン配線の電気的接続において、微小電極の接続信頼性に優れると共に、狭スペースの隣接電極間の絶縁性が高く、低抵抗の接続を可能にする接続材料用途において好適に利用できる。
本発明における基準面Ｐ１、Ｐ２と平均突出高さｈ１、ｈ２の関係を示す概念図である。 本発明の導電粒子配置シートの断面概念図である。 本発明の異方導電性フィルムの製造概念図である。 本発明の異方導電性フィルムの断面概念図である。 本発明の導電粒子配置シートのＳＥＭ写真である。

Claims (21)

  1. 導電粒子と、基準面Ｐ１及びそれに相対する基準面Ｐ２を有する絶縁樹脂シートとを含んでなる導電粒子配置シートであって、該絶縁樹脂シートの厚みは該導電粒子の平均粒径より小さく、該絶縁樹脂シートの少なくとも片側の基準面Ｐ１から導電粒子が突出しており、導電粒子の絶縁樹脂シートの基準面Ｐ１から突出した部分が、該絶縁樹脂シートを構成する該絶縁樹脂と同じ樹脂からなる被覆層で覆われており、
    ここで、基準面Ｐ１と、導電粒子の基準面Ｐ１に平行な接線であって該基準面Ｐ１から突出した突出部分に接する接線Ｌ１との間の距離の平均を平均突出高さｈ１（ｈ１＞０）とし、基準面Ｐ２と、導電粒子の基準面Ｐ２に平行な接線であって該導電粒子を挟んで接線Ｌ１とは反対側にある接線Ｌ２との間の距離の平均を平均突出高さｈ２とした場合（但し、該接線Ｌ２が該絶縁樹脂シート内にある時はｈ２＜０、該接線Ｌ２が基準面Ｐ２上にある時はｈ２＝０、該接線Ｌ２が該絶縁樹脂シート外にある時はｈ２＞０とする）、ｈ１＞ｈ２の関係を満たす
    ことを特徴とする上記導電粒子配置シート。
  2. 前記絶縁樹脂シートの両面から前記導電粒子が突出しており、前記平均突出高さｈ１に対する平均突出高さｈ２の比ｈ２／ｈ１が、０以上、１／１．１以下である請求項１に記載の導電粒子配置シート。
  3. 前記基準面Ｐ２から突出した導電粒子は、絶縁樹脂シートから露出している請求項２に記載の導電粒子配置シート。
  4. 前記基準面Ｐ１から突出した導電粒子の被覆層の頂部の被覆厚みが、０．１μｍ以上２μｍ以下である請求項１に記載の導電粒子配置シート。
  5. 前記導電粒子の絶縁樹脂シートの面積に占める導電粒子の投影面積の合計として定義される面積率が、２％以上４０％以下である請求項１に記載の導電粒子配置シート。
  6. 前記絶縁樹脂シートがフェノキシ樹脂を含有する請求項１に記載の導電粒子配置シート。
  7. 前記導電粒子の平均粒径が０．５μｍ以上１０μｍ以下である請求項１に記載の導電粒子配置シート。
  8. 前記導電粒子の中心間距離の変動係数が、０．０３以上０．６以下である請求項１に記載の導電粒子配置シート。
  9. 前記絶縁樹脂シートの１８０℃溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上５万Ｐａ・ｓ以下である請求項１に記載の導電粒子配置シート。
  10. 延伸可能なシート上に導電粒子を単層で充填して導電粒子層を形成し、該導電粒子層上に絶縁樹脂層を形成して導電粒子充填シートを形成し、該導電粒子充填シートを延伸することを含む導電粒子配置シートの製造方法。
  11. 前記延伸可能なシート上に導電粒子を単層で充填して導電粒子層を形成するに際し、該延伸可能なシート上に、粘着剤を塗布し、該粘着剤上に導電粒子を単層で充填した導電粒子層を形成する請求項１０に記載の方法。
  12. 前記導電粒子充填シートの絶縁樹脂層の厚みが、導電粒子の平均粒径に対して１．０倍以上１０倍以下である請求項１０に記載の方法。
  13. 前記延伸可能なシート上に、粘着剤を塗布し、該粘着剤上に導電粒子を単層で充填して導電粒子層を形成するに際し、導電粒子を粘着剤に埋め込む請求項１１に記載の方法。
  14. 前記導電粒子を単層で充填して導電粒子層を形成するに際し、全面積に対する導電粒子の投影面積の割合として定義される充填率が、５０％以上９０％以下となるように導電粒子を充填した請求項１０に記載の方法。
  15. 前記導電粒子層上に絶縁樹脂層を形成するに際し、絶縁樹脂層として、シート状の絶縁樹脂を導電粒子層上に形成する請求項１０に記載の方法。
  16. 前記導電粒子層上に絶縁樹脂層を形成するに際し、絶縁樹脂層として、溶剤に溶解した絶縁樹脂を塗工し、溶剤を乾燥して得られた絶縁樹脂を導電粒子層上に形成する請求項１０に記載の方法。
  17. 縦方向の延伸倍率と横方向の延伸倍率の積として定義される面倍率が、２．２倍以上２５倍以下である請求項１０に記載の方法。
  18. 請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載の導電粒子配置シートと、該シートの少なくとも片面に積層された絶縁性接着剤層を含んでなる異方導電性フィルム。
  19. 請求項１０〜請求項１７のいずれか一項に記載の方法により製造された導電粒子配置シートと、該シートの少なくとも片面に積層された絶縁性接着剤層を含んでなる異方導電性フィルム。
  20. ＩＣチップの電極と回路基板の電極を電気的に接続する回路接続方法であって、請求項１８又は請求項１９に記載の異方導電性フィルムを回路基板とＩＣチップ間に保持した状態で、圧力を加えることを含む上記回路接続方法。
  21. 請求項２０の方法により得られ得る接続構造体。
JP2008513256A 2006-04-27 2007-04-26 導電粒子配置シート及び異方導電性フィルム Active JP5388572B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008513256A JP5388572B2 (ja) 2006-04-27 2007-04-26 導電粒子配置シート及び異方導電性フィルム

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006123162 2006-04-27
JP2006123162 2006-04-27
JP2008513256A JP5388572B2 (ja) 2006-04-27 2007-04-26 導電粒子配置シート及び異方導電性フィルム
PCT/JP2007/059054 WO2007125993A1 (ja) 2006-04-27 2007-04-26 導電粒子配置シート及び異方導電性フィルム

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012268005A Division JP5472434B2 (ja) 2006-04-27 2012-12-07 導電粒子配置シートおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2007125993A1 true JPWO2007125993A1 (ja) 2009-09-10
JP5388572B2 JP5388572B2 (ja) 2014-01-15

Family

ID=38655518

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008513256A Active JP5388572B2 (ja) 2006-04-27 2007-04-26 導電粒子配置シート及び異方導電性フィルム
JP2012268005A Active JP5472434B2 (ja) 2006-04-27 2012-12-07 導電粒子配置シートおよびその製造方法
JP2014021790A Active JP5825373B2 (ja) 2006-04-27 2014-02-06 導電粒子配置シート及びその製造方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012268005A Active JP5472434B2 (ja) 2006-04-27 2012-12-07 導電粒子配置シートおよびその製造方法
JP2014021790A Active JP5825373B2 (ja) 2006-04-27 2014-02-06 導電粒子配置シート及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8247701B2 (ja)
JP (3) JP5388572B2 (ja)
KR (2) KR101115271B1 (ja)
CN (1) CN101432931B (ja)
TW (2) TWI387157B (ja)
WO (1) WO2007125993A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014060151A (ja) * 2012-08-24 2014-04-03 Dexerials Corp 異方性導電フィルムの製造方法及び異方性導電フィルム
JP2014060150A (ja) * 2012-08-24 2014-04-03 Dexerials Corp 異方性導電フィルム及びその製造方法
JP2014063729A (ja) * 2012-08-29 2014-04-10 Dexerials Corp 異方性導電フィルム及びその製造方法

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8518304B1 (en) 2003-03-31 2013-08-27 The Research Foundation Of State University Of New York Nano-structure enhancements for anisotropic conductive material and thermal interposers
JP5186157B2 (ja) * 2007-08-24 2013-04-17 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及びそれを用いた接続構造体の製造方法
JP5225766B2 (ja) * 2008-06-25 2013-07-03 旭化成イーマテリアルズ株式会社 異方導電性接着シート及び微細接続構造体
JP4623224B2 (ja) * 2008-06-26 2011-02-02 日立化成工業株式会社 樹脂フィルムシート及び電子部品
WO2010004793A1 (ja) * 2008-07-11 2010-01-14 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 異方性導電フィルム
JP5690648B2 (ja) * 2011-04-28 2015-03-25 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、接続方法及び接続構造体
US9475963B2 (en) 2011-09-15 2016-10-25 Trillion Science, Inc. Fixed array ACFs with multi-tier partially embedded particle morphology and their manufacturing processes
TWI675382B (zh) * 2012-08-01 2019-10-21 日商迪睿合股份有限公司 異向性導電膜之製造方法、異向性導電膜、及連接結構體
TWI395313B (zh) * 2012-11-07 2013-05-01 Wire technology co ltd 銲球凸塊結構及其形成方法
WO2015016207A1 (ja) * 2013-07-31 2015-02-05 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及びその製造方法
JP2015079586A (ja) * 2013-10-15 2015-04-23 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム
US20170077056A1 (en) * 2014-02-04 2017-03-16 Dexerials Corporation Anisotropic conductive film and production method of the same
TWI722980B (zh) * 2014-02-04 2021-04-01 日商迪睿合股份有限公司 異向性導電膜及其製造方法
JP6409281B2 (ja) * 2014-02-04 2018-10-24 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及びその製造方法
JP6435627B2 (ja) * 2014-03-20 2018-12-12 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及びその製造方法
CN106415938B (zh) * 2014-03-31 2019-09-06 迪睿合株式会社 各向异性导电膜及其制备方法
WO2016068127A1 (ja) * 2014-10-28 2016-05-06 デクセリアルズ株式会社 異方導電性フィルム及び接続構造体
US9324601B1 (en) * 2014-11-07 2016-04-26 International Business Machines Corporation Low temperature adhesive resins for wafer bonding
US10943879B2 (en) * 2015-01-13 2021-03-09 Dexerials Corporation Bump-forming film, semiconductor device and manufacturing method thereof, and connection structure
JP6750197B2 (ja) * 2015-07-13 2020-09-02 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及び接続構造体
WO2017191772A1 (ja) * 2016-05-05 2017-11-09 デクセリアルズ株式会社 フィラー配置フィルム
JP7095227B2 (ja) * 2016-05-05 2022-07-05 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム
JP7274811B2 (ja) * 2016-05-05 2023-05-17 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム
JP6187665B1 (ja) * 2016-10-18 2017-08-30 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム
CN113078486B (zh) * 2016-10-24 2023-10-20 迪睿合株式会社 各向异性导电膜的制造方法
KR102631317B1 (ko) * 2017-09-11 2024-02-01 가부시끼가이샤 레조낙 회로 접속용 접착제 필름 및 그의 제조 방법, 회로 접속 구조체의 제조 방법, 그리고 접착제 필름 수용 세트
KR102415733B1 (ko) * 2017-09-21 2022-07-04 엘지이노텍 주식회사 회로기판
CN116875197A (zh) * 2019-03-13 2023-10-13 株式会社力森诺科 电路连接用黏合剂膜及其制造方法、电路连接结构体的制造方法以及黏合剂膜收纳套组
JP7321863B2 (ja) * 2019-09-27 2023-08-07 株式会社フコク 異方性感圧導電膜
KR102453294B1 (ko) * 2020-05-19 2022-10-12 에이치엔에스하이텍 (주) 이방도전성 접착필름의 제조방법
CN111627613B (zh) * 2020-06-04 2021-12-17 武汉理工大学 基于酚氧树脂的银纳米线柔性透明导电薄膜的制备方法
CN111668362B (zh) * 2020-06-19 2022-08-12 京东方科技集团股份有限公司 导电薄膜及其制备方法、显示基板的制作方法及显示面板
CN116120873A (zh) * 2021-11-15 2023-05-16 华为技术有限公司 颗粒的排列方法、各向异性功能胶膜的制造方法、功能性颗粒及其制造方法
WO2023219356A1 (ko) * 2022-05-09 2023-11-16 주식회사 마이다스에이치앤티 도전볼을 포함하는 연신성 이방 전도성 필름 및 이의 제조방법
WO2024111481A1 (ja) * 2022-11-24 2024-05-30 デクセリアルズ株式会社 異方性導電膜、電子部品の製造方法、及びカード積層体

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4918628B1 (ja) * 1970-10-26 1974-05-11
JPS61195179A (ja) 1985-02-25 1986-08-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 異方導電性接着シ−ト
JPS6258515A (ja) * 1985-09-06 1987-03-14 富士高分子工業株式会社 異方導電体
JPS6410508A (en) * 1987-07-01 1989-01-13 Nec Corp Aeolotropic conductive film
JPH03107888A (ja) * 1989-09-21 1991-05-08 Sharp Corp 回路基板の接続構造
JPH03108210A (ja) 1989-09-21 1991-05-08 Hitachi Chem Co Ltd 異方導電性樹脂フィルム成形物の製造方法
JP3280685B2 (ja) * 1991-01-23 2002-05-13 株式会社東芝 異方導電性接着樹脂層及びその製造方法
JPH04366630A (ja) * 1991-06-13 1992-12-18 Sharp Corp 異方性導電接着テープ
TW277152B (ja) 1994-05-10 1996-06-01 Hitachi Chemical Co Ltd
JP3786214B2 (ja) 1994-05-10 2006-06-14 日立化成工業株式会社 異方導電性樹脂フィルム状成形物の製法
JP4032439B2 (ja) * 1996-05-23 2008-01-16 日立化成工業株式会社 接続部材および該接続部材を用いた電極の接続構造並びに接続方法
ZA973692B (en) * 1996-05-17 1997-11-25 Dexter Corp Extrusion coating compositions and method.
US6034331A (en) * 1996-07-23 2000-03-07 Hitachi Chemical Company, Ltd. Connection sheet and electrode connection structure for electrically interconnecting electrodes facing each other, and method using the connection sheet
JP3256659B2 (ja) * 1996-08-19 2002-02-12 株式会社リコー 異方性導電薄膜および該異方性導電薄膜を使用したポリマー基板接続方法
JP2003064324A (ja) 2001-06-11 2003-03-05 Hitachi Chem Co Ltd 異方導電性接着フィルム及びそれを用いた回路基板の接続方法、回路基板接続体
JP2003092317A (ja) * 2001-09-19 2003-03-28 Jsr Corp シート状コネクターおよびプローブ装置
JP2005146044A (ja) 2003-11-12 2005-06-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 異方導電性接着剤
CN100537689C (zh) 2003-12-04 2009-09-09 旭化成电子材料株式会社 各向异性的导电粘合片材及连接结构体
WO2005096442A1 (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Tokai Rubber Industries, Ltd. 異方性導電膜およびその製造方法
JP2006040954A (ja) 2004-07-22 2006-02-09 Nitto Denko Corp 有機−無機複合体およびその製造方法
JP3754700B1 (ja) 2004-09-02 2006-03-15 住友ベークライト株式会社 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
JP2006076576A (ja) 2004-09-07 2006-03-23 Unitika Ltd ひねり包装用フィルム

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014060151A (ja) * 2012-08-24 2014-04-03 Dexerials Corp 異方性導電フィルムの製造方法及び異方性導電フィルム
JP2014060150A (ja) * 2012-08-24 2014-04-03 Dexerials Corp 異方性導電フィルム及びその製造方法
JP2014063729A (ja) * 2012-08-29 2014-04-10 Dexerials Corp 異方性導電フィルム及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200810243A (en) 2008-02-16
JP5472434B2 (ja) 2014-04-16
CN101432931A (zh) 2009-05-13
JP2013101938A (ja) 2013-05-23
US20090090545A1 (en) 2009-04-09
KR20080111500A (ko) 2008-12-23
KR20110122225A (ko) 2011-11-09
JP5388572B2 (ja) 2014-01-15
JP2014123572A (ja) 2014-07-03
TW201240215A (en) 2012-10-01
TWI387157B (zh) 2013-02-21
WO2007125993A1 (ja) 2007-11-08
US8247701B2 (en) 2012-08-21
KR101115271B1 (ko) 2012-07-12
KR101240155B1 (ko) 2013-03-11
TWI373884B (en) 2012-10-01
CN101432931B (zh) 2013-04-24
JP5825373B2 (ja) 2015-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5825373B2 (ja) 導電粒子配置シート及びその製造方法
JP4789738B2 (ja) 異方導電性フィルム
JP2007217503A (ja) 異方導電性接着フィルム
US20100080995A1 (en) Method for connecting electronic part and joined structure
JP5147048B2 (ja) 異方導電性フィルム
JP5581605B2 (ja) 異方導電性接着フィルムの製造方法
JP5099987B2 (ja) 回路接続方法および接続構造体
JP4684087B2 (ja) 連結構造体
JP5516016B2 (ja) 異方導電性接着フィルム及びその製造方法
JP2006233202A (ja) 回路接続用異方導電性接着フィルム
JP4936775B2 (ja) 導電粒子の連結構造体
JP4657047B2 (ja) 接続部材
JP4703306B2 (ja) 導電粒子の連結構造体
JP5046581B2 (ja) 回路接続用接着剤
JP2006233201A (ja) 異方性導電接着フィルム
JP2006233200A (ja) 異方性導電性接着フィルム
JP4953685B2 (ja) 接続材料
JP5682720B2 (ja) 異方導電性接着フィルム及びその製造方法
WO2024090129A1 (ja) 接続材料、接続構造体、及び接続構造体の製造方法
JP5202662B2 (ja) 回路接続フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100316

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120626

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120827

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120918

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121207

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20121214

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20130111

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20130704

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20130704

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20130704

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130801

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131008

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5388572

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250