TWI675382B - 異向性導電膜之製造方法、異向性導電膜、及連接結構體 - Google Patents

Abstract

本發明之目的在於一種異向性導電膜，其導電性粒子之分散性、粒子捕捉性優異，即使於經窄間距化之端子彼此中，亦維持導通可靠性。一種含有導電性粒子(3)之異向性導電膜(1)之製造方法，其係於沿同方向形成有連續之數個溝槽(10)的片材(2)之溝槽(10)中埋入導電性粒子(3)，並排列導電性粒子(3)，於形成有溝槽(10)之側的片材(2)表面，層壓在可延伸之基礎膜(6)上形成有熱硬化性樹脂層5的第1樹脂膜(4)而使導電性粒子(3)轉黏，將第1樹脂膜(4)於除了與導電性粒子(3)之排列方向正交之方向以外的方向進行單軸延伸，並層壓第2樹脂膜(7)。

Description

異向性導電膜之製造方法、異向性導電膜、及連接結構體

本發明係關於一種異向性導電膜之製造方法、異向性導電膜、及連接結構體，尤其是關於一種導電性粒子之分散性、粒子捕捉性優異，即使於窄間距化之端子彼此中亦可維持導通可靠性的異向性導電膜之製造方法、異向性導電膜、及連接結構體。本申請案係基於2012年8月1日於日本提出申請之日本專利申請編號日本特願2012-171331、及2013年8月1日於日本提出申請之日本專利申請編號日本特願2013-160116、日本特願2013-160117、日本特願2013-160118而主張優先權者，將該等申請案作為參照而引用於本申請案中。

異向性導電膜(ACF，anisotropic conductive film)係將導電性粒子分散於作為接著劑而發揮功能之絕緣性黏合劑樹脂中而成者。通常之異向性導電膜係藉由將分散有導電性粒子之黏合劑樹脂組成物塗佈於基礎膜上而形成為片狀。於使用異向性導電膜時，例如將其夾入電子零件之凸塊與配線板之電極端子之間，藉由利用加熱推壓頭進行加熱及加壓而將導電性粒子壓碎於凸塊與電極端子中，於該狀態下黏合劑樹脂發生硬化，藉此實現電性、機械連接。於無凸塊之部分，導電性粒子於黏合劑樹脂中維持分散之狀態，而保持電氣絕緣之狀態，因此變得僅於有凸塊之部分實現電性導通。又，異向性導電膜之厚度係設定為電子零件之凸塊或配線板 之電極之高度以上，藉由加熱推壓頭之推壓而使剩餘之接著劑成分流延至電極周邊。

於異向性導電膜中，大多數情形為將導電性粒子之摻合量相對於接著劑成分之體積設為5~15體積%。其原因在於：若導電性粒子之摻合量未達5體積%，則存在凸塊-電極端子間之導電性粒子之量(一般將其稱為「粒子捕捉率」)變少，導通可靠性可能會降低，反之，若摻合量超過15體積%，則於鄰接之電極端子間導電性粒子以相連之狀態存在，可能會導致短路。

但是，於分散有導電性粒子之異向性導電膜中，於僅將導電性粒子之摻合量最佳化時，於壓接時大部分之導電性粒子流失，而大量存在無助於導通之導電性粒子。又，因流失之導電性粒子於鄰接之電極端子間形成導電性粒子之粒子聚集體，而有短路之危險。此情況會產生如下問題：電極端子間之間距越狹窄化，危險性越高，而無法充分地應對高密度構裝化。

根據此種狀況，業界嘗試使異向性導電膜中之導電性粒子均勻地分散於黏合劑樹脂層中，而非無規地分散(例如參照專利文獻1、專利文獻2)。

[專利文獻1]WO2005/054388

[專利文獻2]日本特開2010-251337號公報

專利文獻1中記載有一種異向性導電膜之製造方法，其係於可雙軸延伸之膜上設置黏著層而形成積層體，並密集填充導電性粒子後，使該附著有導電性粒子之膜以導電性粒子間隔成為平均粒徑之1~5倍且為20μm以下之方式進行雙軸延伸並保持，並將其轉黏於絕緣性接著片材。

又，專利文獻2中記載有根據連接對象物之圖案而使導電性粒子不均分佈之異向性導電膜。

但是，於專利文獻1所記載之發明中，有於雙軸延伸前之步驟中難以密集填充導電性粒子，而容易形成未填充粒子之空疏部分之缺點。若於此狀態下進行雙軸延伸，則會形成不存在導電性粒子之較大空間，有電子零件之凸塊與配線板之電極端子之間的粒子捕捉性降低，而引起導通不良之虞。又，難以利用雙軸使其精度良好且均勻地延伸。

於專利文獻2所記載之發明中，由於預先根據電極圖案使導電性粒子不均分佈，故而有於將異向性導電膜貼附於連接對象物時需要對準作業，於連接於窄間距化之電極端子時步驟變得繁雜之虞。又，必須根據連接對象物之電極圖案而改變導電性粒子之不均分佈圖案，不適於量產化。

因此，本發明之目的在於提供一種導電性粒子之分散性、粒子捕捉性優異，即使於窄間距化之端子彼此中，亦可維持導通可靠性的異向性導電膜之製造方法、異向性導電膜、及連接結構體。

為了解決上述課題，本發明之一態樣係含有導電性粒子之異向性導電膜之製造方法，其係於沿同方向形成有連續數個溝槽之片材的上述溝槽埋入導電性粒子，並排列上述導電性粒子，於形成有上述溝槽之側的上述片材表面，層壓可延伸之基礎膜上形成有光或熱硬化性樹脂層之第1樹脂膜的上述樹脂層，使上述導電性粒子轉黏於上述第1樹脂膜之上述樹脂層，將在上述樹脂層轉黏有上述導電性粒子的上述第1樹脂膜於除了與上述導電性粒子之排列方向正交的方向以外之方向上進行單軸延伸，進而於配置有上述導電性粒子之上述第1樹脂膜的上述樹脂層，層壓基礎膜上形成有光或熱硬化性樹脂層之第2樹脂膜。

又，本發明之另一態樣係至少由2層構成所形成之異向導電 性膜，其具備：構成一層之第1樹脂層，層壓於上述第1樹脂層上之第2樹脂層，及於上述第1樹脂層與上述第2樹脂層中至少與上述第1樹脂層接觸之數個導電性粒子；對於上述導電性粒子，於上述第1樹脂層中規則地排列形成於第1方向上之粒子列被規則地並列複數列設置於與上述第1方向不同之第2方向上，對於上述第1樹脂層，上述第1方向上之上述導電性粒子間的部位形成為比上述第2方向上之上述導電性粒子間的部位薄。

進而，本發明之又一態樣係一種連接結構體，係將上述異向導電性膜用於連接電子零件而成。

根據本發明之一態樣，由於預先根據片材之溝槽圖案而排列導電性粒子，故而藉由使轉黏有其等之第1樹脂膜單軸延伸，可使導電性粒子均勻地分散。因此，異向性導電膜中所含有之導電性粒子只要為使之均勻地分散於膜之整個面上所需最小限之量即可，無需過量含有。又，異向性導電膜亦無引起由剩餘之導電性粒子所致之端子間短路之虞。又，由於將異向性導電膜之導電性粒子均勻地分散，故而對於窄間距化之電極端子亦可確實地實現導通。

又，根據本發明之其他態樣，於對應窄間距化之異向性導電膜中，可確實地進行均勻地分散之導電性粒子之位置控制，因此可確實地實現窄間距化之端子彼此之導通。

進而，根據本發明之又一態樣，可確保連接結構體之基板與電子零件之良好之連接性，而提高持續長時間之連接可靠性。

1、101、201‧‧‧異向性導電膜

2、102、202‧‧‧片材

3、103、203‧‧‧導電性粒子

3a、103a、203a‧‧‧粒子列

4、104、204‧‧‧第1樹脂膜

5、105、205‧‧‧第1樹脂層

5a、5b‧‧‧部位

5c、5d‧‧‧懸崖部

6‧‧‧基礎膜

7‧‧‧第2樹脂膜

8‧‧‧第2樹脂層

9‧‧‧基礎膜

10‧‧‧溝槽

12‧‧‧刮板

13‧‧‧傾斜面

14‧‧‧凸部

15、115、215‧‧‧凹部

16‧‧‧間隙

50‧‧‧連接結構體

52‧‧‧電子零件

54‧‧‧基板

56‧‧‧凸塊

58‧‧‧電極

102a‧‧‧間隙部

112‧‧‧導引體

112a‧‧‧接觸面

112b‧‧‧突起部

112b1‧‧‧基端部

112b2‧‧‧前端部

112b3‧‧‧斜面部

112c‧‧‧側壁部

112d‧‧‧間隙部

112d1‧‧‧基端部

112d2‧‧‧前端部

220‧‧‧電極

圖1A及B係表示於片材之溝槽填充並排列導電性粒子之一例的側視圖。

圖2A至D係表示應用有本發明之異向性導電膜之製造步驟的剖面圖。

圖3A至D係表示片材之各種溝槽圖案的立體圖。

圖4A至J係表示片材之各種溝槽形狀的剖面圖。

圖5係表示第1樹脂膜之延伸步驟的俯視圖。

圖6係表示第1樹脂膜之延伸步驟的俯視圖。

圖7係本發明之第1實施形態之異向性導電膜之部分立體圖。

圖8A係圖7之P-P剖面圖，圖8B係圖7之Q-Q剖面圖。

圖9係表示本發明之第1實施形態之異向性導電膜之導電性粒子之排列狀態的俯視圖。

圖10係表示應用本發明之第1實施形態之異向性導電膜之連接結構體之構成的概略剖面圖。

圖11A及B係本發明之第2實施形態之異向性導電膜之製造方法中所使用之導引體的概略構成圖。

圖12係表示本發明之第2實施形態之異向性導電膜之製造方法中所使用之片材之概略構成的剖面圖。

圖13係說明本發明之第2實施形態之異向性導電膜之製造方法中於片材之溝槽埋入並排列導電性粒子之動作的剖面圖。

圖14係表示本發明之第2實施形態之異向性導電膜之製造方法中所製造之異向性導電膜之導電性粒子之排列狀態的俯視圖。

圖15A至C係表示本發明之第3實施形態之異向性導電膜之製造方法中所應用之導電性粒子之填充步驟的剖面圖。

圖16係表示本發明之第3實施形態之異向性導電膜之製造方法中之填充步驟結束後之導電性粒子於片材中之排列狀態的俯視圖。

圖17係表示本發明之第3實施形態之異向性導電膜之製造方法中所製造之異向性導電膜之導電性粒子之排列狀態的俯視圖。

以下，對於應用有本發明之異向性導電膜之製造方法之較佳實施形態，一邊參照圖式一邊進行詳細說明。再者，本發明並不僅限定於以下之實施形態，當然可於不脫離本發明之要旨之範圍內進行各種變更。又，圖式係示意性者，有時各尺寸之比率等與實際不同。具體之尺寸等應當參考以下之說明而判斷。又，當然於圖式相互間亦包含相互之尺寸之關係或比率不同之部分。

(第1實施形態)

於應用有本發明之異向性導電膜1之製造方法的第1實施形態中，如圖1及圖2所示，包含如下步驟：(1)於沿同方向形成有連續之數個溝槽之片材2之上述溝槽埋入導電性粒子3，並排列導電性粒子3(圖1A、圖1B)；(2)於形成有上述溝槽之側的片材2表面，層壓在可延伸之基礎膜6上形成有光或熱硬化性樹脂層5的第1樹脂膜4之樹脂層5(圖2A)；(3)使導電性粒子3轉黏於第1樹脂膜4之樹脂層5(圖2B)；(4)將在樹脂層5轉黏有導電性粒子3之第1樹脂膜4於除了與導電性粒子3之排列方向正交之方向以外的圖2C中箭頭A方向上進行單軸延伸(圖2C)；(5)進而於配置有導電性粒子3之第1樹脂膜4之樹脂層5，層壓在基礎膜9上形成有光或熱硬化性樹脂層8之第2樹脂膜7(圖2D)。

[片材]

如圖3所示，沿同方向形成有連續數個溝槽之片材2例如為形成有特定之溝槽10之樹脂片材，例如可藉由如下方法形成：藉由使顆粒物於熔融狀態下流入至形成有溝槽圖案之模具中，進行冷卻、凝固而轉印特定之溝槽10。或者，片材2可藉由如下方法形成：將形成有溝槽圖案之模具加熱至樹脂片材之軟化點以上之溫度，並將樹脂片材壓抵於該模具而進行轉印。

作為構成片材2之材料，可熱熔融並轉印形成有溝槽10之 圖案之模具之形狀的材料均可使用。又，片材2之材料較佳為具有耐溶劑性、耐熱性、脫模性。作為此種樹脂片材，例如可例示聚丙烯、聚乙烯、聚酯、PET、尼龍、離子聚合物、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物等熱塑性樹脂膜。或者可例示形成有所謂微細凹凸圖案之角柱片材。

形成於片材2上之溝槽10之圖案如圖3所示，沿同方向連續之數個溝槽於與該溝槽之長度方向正交之方向上鄰接而形成。溝槽10如圖3A所示，可沿片材2之長度方向使之連續，如圖3B所示，亦可沿相對於片材2之長度方向傾斜之方向使之連續。又，溝槽10如圖3C所示，可沿片材2之長度方向使之蜿蜒，如圖3D所示，亦可沿片材2之長度方向使之連續成矩形波狀。除此以外，溝槽10可形成為鋸齒狀、格子狀等所有圖案。

又，溝槽10之形狀如圖4A~J所例示，可採用各種形狀。此時，對於溝槽10，考慮導電性粒子3之易填充性及所填充之導電性粒子3對第1樹脂膜4之易轉黏性而決定各尺寸。若溝槽10相對於導電性粒子3之粒徑過大，則溝槽10之導電性粒子之保持變難而變得填充不足，若溝槽10相對於導電性粒子3之粒徑過小，則導電性粒子3無法進入而變得填充不足，此外亦會嵌入溝槽10內而變得無法轉印至第1樹脂膜4。因此，例如將溝槽10形成為寬度W為導電性粒子3之粒徑之1倍~未達2.5倍，且深度D為導電性粒子3之粒徑之0.5~2倍。又，較佳為將溝槽10之寬度W設為導電性粒子3之粒徑之1倍~未達2倍，且將深度D設為導電性粒子3之粒徑之0.5~1.5倍。

[導電性粒子]

作為導電性粒子3，可列舉異向性導電膜中所使用之公知之任何導電性粒子。作為導電性粒子3，例如可列舉鎳、鐵、銅、鋁、錫、鉛、鉻、鈷、 銀、金等各種金屬或金屬合金之粒子，於金屬氧化物、碳、石墨、玻璃、陶瓷、塑膠等之粒子之表面塗佈金屬而成者，或於該等粒子之表面進而塗佈絕緣薄膜而成者等。於為在樹脂粒子之表面塗佈金屬而成者之情形時，作為樹脂粒子，例如可列舉環氧樹脂、酚樹脂、丙烯酸樹脂、丙烯腈-苯乙烯(AS)樹脂、苯胍樹脂、二乙烯基苯系樹脂、苯乙烯系樹脂等之粒子。

此種導電性粒子3因為被填充於片材2之溝槽10中而沿溝槽10排列。例如，導電性粒子3如圖1A所示，藉由密接於片材2之表面的刮板12而被填充於溝槽10內。片材2配置於傾斜面13上，並且向圖1A中箭頭D所示之下方搬送。導電性粒子3藉由刮板12而被供於片材2之搬送方向上游側，隨著片材2之搬送而逐漸填充、排列於溝槽10內。

再者，如圖1B所示，導電性粒子3亦可藉由向箭頭U所示之傾斜面13之上方搬送之片材2之刮板12而被供於搬送方向上游側，隨著片材2之搬送而填充、排列於溝槽10內。又，對於導電性粒子3，除了使用刮板12之方法以外，亦可將導電性粒子3撒在片材2之形成有溝槽10之面之後，使超音波振動、風力、靜電、自片材2之背面側之磁力等一個或數個外力發揮作用，而將其填充、排列於溝槽10中。進而，導電性粒子3可於潮濕狀態下進行填充、排列於溝槽10中之處理(濕式)，或者亦可於乾燥狀態下進行處理(乾式)。

[第1樹脂膜/樹脂層/延伸性基礎膜]

層壓於「在溝槽10中填充、排列有導電性粒子3之片材2」的第1樹脂膜4係於可延伸之基礎膜6上形成有光或熱硬化性樹脂層5的熱硬化型或紫外線硬化型接著膜。第1樹脂膜4藉由層壓於片材2，轉黏以溝槽10之圖案排列之導電性粒子3，而構成異向性導電膜1。

第1樹脂膜4例如係藉由將含有膜形成樹脂、熱硬化性樹脂、潛伏性硬化劑、矽烷偶合劑等的通常之黏合劑樹脂(接著劑)塗佈於 基礎膜6上而形成樹脂層5，並將其成型為膜狀而成者。

可延伸之基礎膜6例如係於PET(Poly Ethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)、OPP(Oriented Polypropylene，延伸聚丙烯)、PMP(Poly-4-methlpentene-1，聚4-甲基戊烯-1)、PTFE(Polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯)等塗佈聚矽氧等剝離劑而成。

作為構成樹脂層5之膜形成樹脂，較佳為平均分子量為10000~80000左右之樹脂。作為膜形成樹脂，可列舉環氧樹脂、改質環氧樹脂、胺甲酸乙酯樹脂、苯氧基樹脂等各種樹脂。其中，就膜形成狀態、連接可靠性等觀點而言，尤佳為苯氧基樹脂。

作為熱硬化性樹脂並無特別限定，例如可列舉市售之環氧樹脂、丙烯酸樹脂等。

作為環氧樹脂並無特別限定，例如可列舉萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、茋型環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、酚芳烷基型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三苯甲烷型環氧樹脂等。該等可單獨使用，亦可組合使用2種以上。

作為丙烯酸樹脂並無特別限制，可根據目的而適當選擇丙烯酸化合物、液狀丙烯酸酯等。例如可列舉丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸異丁酯、環氧丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二丙烯酸酯、1,4-丁二醇四丙烯酸酯、2-羥基-1,3-二丙烯醯氧基丙烷、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基甲氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基乙氧基)苯基]丙烷、二環戊烯基丙烯酸酯、丙烯酸三環癸酯、異氰尿酸三(丙烯醯氧基乙基)酯、丙烯酸胺甲酸乙酯、環氧丙烯酸酯等。再者，亦可使用將丙烯酸酯變為甲基丙烯酸酯者。該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

作為潛伏性硬化劑並無特別限定，例如可列舉加熱硬化型、UV硬化型等之各種硬化劑。潛伏性硬化劑於通常條件下不反應，藉由熱、光、加壓等根據用途選擇之各種引發條件而活性化，並開始反應。熱活性型潛伏性硬化劑之活性化方法有如下方法：藉由利用加熱所致之解離反應等而生成活性物質(陽離子或陰離子、自由基)之方法；於室溫附近穩定地分散於環氧樹脂中，於高溫下與環氧樹脂相溶、溶解，而開始硬化反應之方法；使分子篩封入型硬化劑於高溫下溶出而開始硬化反應之方法；利用微膠囊之溶出、硬化方法等。作為熱活性型潛伏性硬化劑，有咪唑系、醯肼系、三氟化硼-胺錯合物、鋶鹽、胺醯亞胺、聚胺鹽、雙氰胺等或該等之改質物，該等可單獨使用，亦可為2種以上之混合體。其中，較佳為微膠囊型咪唑系潛伏性硬化劑。

作為矽烷偶合劑並無特別限定，例如可列舉環氧系、胺系、巰基-硫化物系、醯脲系等。藉由添加矽烷偶合劑，會提高有機材料與無機材料之界面處之接著性。

再者，就使用之容易性、保存穩定性等觀點而言，第1樹脂膜4亦可設為於與樹脂層5之積層有基礎膜6之面相反之面側設置覆蓋膜之構成。又，第1樹脂膜4之形狀並無特別限定，但藉由設為可捲繞於捲取盤上之長條片材形狀，可僅切割特定之長度而使用。

[第2樹脂膜]

又，層壓於「轉黏有導電性粒子3之第1樹脂膜4」之第2樹脂膜7與第1樹脂膜4同樣地亦為於基礎膜9上形成有光或熱硬化性樹脂層8的熱硬化型或紫外線硬化型接著膜。第2樹脂膜7之樹脂層8可使用與第1樹脂膜4之樹脂層5相同者，基礎膜9可使用與第1樹脂膜4之基礎膜6相同者。第2樹脂膜7藉由層壓於轉黏有導電性粒子3之第1樹脂膜4，而與第1樹脂膜4一同構成異向性導電膜1。

對於此種異向性導電膜1，藉由在剝離基礎膜6、9後，例如將其夾入電子零件之凸塊與配線板之電極端子之間，並利用加熱推壓頭(未圖示)進行加熱及加壓，而使之流動化並將導電性粒子3於凸塊與電極端子之間壓碎，藉由加熱或紫外線照射，而使導電性粒子3於壓碎之狀態下硬化。藉此，異向性導電膜1將電子零件與配線板電性、機械地連接。

[異向性導電膜之製造方法]

其次，對異向性導電膜1之製造步驟進行說明。

首先，於以特定之圖案形成有溝槽10之片材2的上述溝槽10中填充、排列導電性粒子3(參照圖1A、圖1B)。導電性粒子3於溝槽10中之填充、排列可使用如下方法：使用刮板之方法，或使超音波振動、風力、靜電、自片材2之背面側之磁力等一個或數個外力發揮作用之方法等。

其次，於排列有導電性粒子3之側的片材2表面，層壓第1樹脂膜4之樹脂層5(參照圖2A)。層壓係藉由如下方式進行：將樹脂層5配置於片材2表面後，利用加熱推壓頭於低壓下進行推壓，並適當地於使黏合劑樹脂顯示黏性但不開始熱硬化之溫度下進行短時間之熱加壓。

藉由在層壓第1樹脂膜4並冷卻後，將片材2與第1樹脂膜4剝離，而使導電性粒子3轉黏於第1樹脂膜4(參照圖2B)。關於第1樹脂膜4，導電性粒子3以相對應於溝槽10之圖案的圖案而排列於樹脂層5之表面。

其次，將第1樹脂膜4在除了與導電性粒子3之排列方向正交之方向以外的方向上進行單軸延伸(參照圖2C)。藉此，如圖5、圖6所示，使導電性粒子3分散。此處，自延伸方向中除去與導電性粒子3之排列方向正交之方向之原因在於：於該方向上，導電性粒子3已因對應於溝槽10之圖案排列而分離。並且，藉由將第1樹脂膜4於除該方向以外之方 向上進行單軸延伸，可使於排列方向上密接之導電性粒子3分離。

因此，於圖5中，較佳為使其向同圖中箭頭A方向延伸，而不向箭頭Z方向延伸。又，於圖6中，較佳為使其向除同圖中箭頭Z方向以外之任一方向，例如向第1樹脂膜4之長度方向即同圖中箭頭A方向延伸。

第1樹脂膜4之延伸例如可藉由使用縮放方式之延伸機，於130℃之烘箱中於單軸方向上延伸200%而進行。又，藉由在第1樹脂膜4之長度方向上進行單軸延伸，可精度良好且容易地使之延伸。

其次，於配置有導電性粒子3之第1樹脂膜4之樹脂層5，層壓第2樹脂膜7之樹脂層8(參照圖2D)。第2樹脂膜7之層壓係藉由如下方式進行：將樹脂層8配置於第1樹脂膜4之樹脂層5表面之後，利用加熱推壓頭於低壓下進行推壓，並適當地於使黏合劑樹脂顯示黏性但不開始熱硬化之溫度下，於短時間內進行熱加壓。

由此，製造異向性導電膜1。根據該異向性導電膜1，由於預先根據片材2之溝槽10之圖案而排列導電性粒子3，故而藉由使轉黏有其等之第1樹脂膜4單軸延伸，可使導電性粒子3均勻地分散。因此，異向性導電膜1中所含有之導電性粒子3只要為使之均勻地分散於膜整個面上所需最小限之量即可，無需過量含有。又，異向性導電膜1亦無引起由剩餘之導電性粒子3所導致之端子間短路之虞。又，由於使異向性導電膜1之導電性粒子3均勻地分散，故而對於窄間距化之電極端子亦可確實地實現導通。

再者，如上所述，於本發明之一實施形態之異向性導電膜之製造方法中，於進行單軸延伸時延伸200%，換言之，即以比該第1樹脂膜4之原始長度之150%長之方式延伸，但延伸率並無特別限定。即，於將含友轉黏有導電性粒子3之第1樹脂層5的第1樹脂膜4於除了與導電性粒子 3之排列方向正交之方向以外的方向上進行單軸延伸時，亦可以比150%長之方式進行單軸延伸，而製造異向性導電膜1。再者，於本實施形態中，如下述實施例中所記載，於將第1樹脂膜4進行單軸延伸時，確認可應用延伸率至多700%。又，本發明之第1實施形態之異向性導電膜1之製造方法並不限定於700%以下。

如此，藉由以比第1樹脂膜4之原始長度之150%長之方式進行單軸延伸，可實現異向性導電膜1之短路發生率之降低。又，於製造用於電極端子之間隔具有某程度以上之大小之連接結構體等的異向性導電膜時，亦可應用本實施形態之異向性導電膜之製造方法，而製造確實地實現端子間之導通之異向性導電膜。即，本實施形態之異向性導電膜之製造方法亦可應用於微間距應對以外之異向性導電膜之製法中。

[異向性導電膜]

其次，針對本發明之第1實施形態之異向性導電膜之構成，一邊使用圖式一邊進行說明。圖7係本發明之第1實施形態之異向性導電膜之部分立體圖，圖8A係圖7之P-P剖面圖，圖8B係圖7之Q-Q剖面圖，圖9係表示本發明之第1實施形態之異向性導電膜之導電性粒子之排列狀態的俯視圖。

如圖7所示，本實施形態之異向性導電膜1由含有第1樹脂膜4與第2樹脂膜7之2層以上之膜層構成。第1樹脂膜4係藉由將黏合劑樹脂(接著劑)塗佈於基礎膜6上而形成樹脂層(第1樹脂層)5，並將其成型為膜狀而成之樹脂膜。第2樹脂膜7係於基礎膜9上形成有光或熱硬化性樹脂層(第2樹脂層)8之熱硬化型或紫外線硬化型接著膜，且係層壓於含有轉黏有數個導電性粒子3之第1樹脂層5的第1樹脂膜4上之樹脂膜。

如此，本實施形態之異向性導電膜1成為使第2樹脂膜7層壓於第1樹脂膜4，並於第1樹脂層5與第2樹脂層8之間保持數個導電 性粒子3之構成。再者，於本實施形態中，異向性導電膜1係以由第1樹脂層5與基礎膜6所構成之第1樹脂膜4及由第2樹脂層8與基礎膜9所構成之第2樹脂膜7此2層構成，但異向性導電膜1只要為至少由2層構成所構成者即可，因此例如對於層壓有第3樹脂層等其他樹脂層之構成之異向性導電膜，亦可應用本發明之一實施形態之異向性導電膜1。

如圖7所示，導電性粒子3係於第1樹脂層5中，於X方向(第1方向)上規則地排列而形成。又，藉由將粒子列3a於與X方向不同之Y方向(第2方向)上規則地複數並列，而使該等導電性粒子3成為分散之狀態。又，導電性粒子3亦可以特定之間隔而排列。於本實施形態中，如圖7及圖8A所示，第1樹脂層5之粒子列5a之各列間成為以向X方向延伸之方式形成為山脊狀之凸部14。即，於第1樹脂層5中，向X方向延伸之凸部14於Y方向上每隔特定之間隔被形成。

並且，如圖7所示，於第1樹脂層5中，於該等凸部14之間形成向X方向延伸之溝槽形狀之凹部15，將導電性粒子3規則地配置於該等凹部15內。再者，亦有該X方向(第1方向)與Y方向(第2方向)之方向性表現為光學差異之情形。其原因在於：藉由在X方向上延伸第1樹脂層5，而於導電性粒子3之間產生大量成為溝槽形狀之空隙。該空隙為下述間隙16。此種空隙係由於將導電性粒子3於排列為直線狀之狀態下進行延伸而產生。即，於延伸時之導電性粒子3附近之至少1個大致直線狀中，產生不具備第1樹脂層5，或接近其之狀態，其會對導電性粒子3之壓接時之移動性產生影響。其亦與下述凹部15及凸部14相關聯。

再者，由於該間隙16係於使第1樹脂膜4延伸時產生之空隙，故而導電性粒子3附近之延伸方向上之第1樹脂層5之厚度會產生如陡峭之懸崖之狀態。如上所述，由於在第1樹脂膜4之延伸方向上產生該狀態，故而如圖8B所示，於第1方向上之導電性粒子3之間，成為2處相 同之懸崖部5c、5d大致直線狀地保持導電性粒子3之狀態。藉此，變得依存於接合時導電性粒子3移動之情形時之方向。又，於本實施形態中，所謂X方向(第1方向)表示異向性導電膜1之長度方向，所謂Y方向(第2方向)表示異向性導電膜1之寬度方向。

如上所述，於第1樹脂層5中，以向X方向延伸之方式，數個凸部14與凹部15分別並列地形成。並且，於各凹部15中，數個導電性粒子3規則地排列，因此於該凹部15中，構成粒子列3a之導電性粒子3之間成為間隙16，如圖7及圖8B所示，於該間隙16中滲入有第2樹脂層8。如此，將導電性粒子3分散保持於第1樹脂層5與第2樹脂層8之間。再者，於本實施形態中，成為將導電性粒子3分散保持於第1樹脂層5與第2樹脂層8之間之構成，但導電性粒子3於藉由轉印時之外力等而埋沒於第1樹脂層5中並進行延伸之情形時，僅存在於第1樹脂層5內。本發明之一實施形態係設為亦包含將導電性粒子3埋沒於第1樹脂層5中之後進行延伸而成之構成者。即，本實施形態之異向性導電膜1亦包含使導電性粒子3於第1樹脂層5與第2樹脂層8中，至少僅與第1樹脂層5接觸之構成者。於該情形時，導電性粒子3附近之第1樹脂層5亦成為大致直線狀地有2處相同之懸崖部5c、5d之狀態。其原因如上所示。

如此，於本實施形態中，於應對窄間距化之異向性導電膜1中，可確實地控制均勻分散之導電性粒子3之位置，因此可確實地實現窄間距化之端子彼此之導通。再者，於本實施形態中，為了保持異向性導電膜1之連接可靠性，異向性導電膜1成為X方向上之導電性粒子3之間隔略大於Y方向上之導電性粒子3之間隔之構成，例如理想為設為大到導電性粒子3之直徑之一半左右之構成。

又，於本實施形態中，於異向性導電膜1之製造過程中，於將第1樹脂膜4在除了與導電性粒子3之排列方向正交之方向以外之方向 上進行單軸延伸時，如圖7所示，於轉黏有導電性粒子3之第1樹脂層5中形成向X方向延伸之溝槽形狀之凹部15。並且，隨著該凹部15之形成，於第1樹脂層5中形成向X方向延伸之凸部14。

即，如圖7所示，本實施形態之異向性導電膜1之第1樹脂層5成為X方向上之導電性粒子3間之部位5a比Y方向上之導電性粒子3間之部位5b薄之構成。於該部位5a之位置存在間隙16。並且，於設置於排列在凹部15中之導電性粒子3之間之間隙16中滲入有第2樹脂層8(參照圖8B)。再者，於將第1樹脂膜4進行單軸延伸時，於導電性粒子3串列連接之情形時，於將第1樹脂膜4延伸原始長度之2倍、即延伸200%之情形時，由於大部分之導電性粒子3以大致相同之直徑緊密地排列為直線狀，故而會空出1個導電性粒子3之空間。該1個導電性粒子3之空間之空出部分相當於成為第1樹脂層5中之空隙之間隙16。

如此，於本實施形態中，異向性導電膜1係以如下方式形成：將於第1樹脂層5中轉黏有導電性粒子3之第1樹脂膜4在除了與導電性粒子3之排列方向正交之方向以外之方向上，以至少比原始長度之150%長之方式進行單軸延伸後，層壓含有第2樹脂層8之第2樹脂膜7。因此，如圖9所示，導電性粒子3於凹部15內以向第1方向(X方向)延伸之方式規則地配置為大致直線狀，並保持於第1樹脂層5與第2樹脂層8之間。其亦可以特定之間隔而配置。因此，於應對窄間距化之異向性導電膜1中，可確實地控制均勻分散之導電性粒子3之位置，而可確實地實現窄間距化之端子彼此之導通。再者，上述所謂「配置為大致直線狀」，係指以使凹部15之寬度方向(Y方向)上之各導電性粒子3之排列之偏差收斂於粒徑之1/3以下之範圍內之狀態進行排列。

[連接結構體]

其次，針對本發明之第1實施形態之連接結構體之構成，一邊使用圖 式一邊進行說明。圖10係表示應用本發明之第1實施形態之異向性導電膜之連接結構體之構成的概略剖面圖。如圖10所示，本發明之第1實施形態之連接結構體50例如係經由上述異向性導電膜1，將IC晶片等電子零件52電性及機械地連接固定於可撓性配線基板或液晶面板等基板54上而成者。電子零件52形成有作為連接端子之凸塊56。另一方面，於基板54之上面，於與凸塊56對向之位置形成有電極58。

並且，於電子零件52之凸塊56與形成於基板54上之電極58之間，及電子零件52與配線基板54之間，介隔有成為接著劑之本實施形態之異向性導電膜1。於凸塊56與電極58之對向之部分，將異向性導電膜1中所含有之導電性粒子3壓碎，而實現電性導通。又，與此同時，藉由構成異向性導電膜1之接著劑成分，亦實現電子零件52與基板54之機械接合。

如此，本實施形態之連接結構體50係於使應力緩和之狀態下，藉由獲得高接著強度之異向性導電膜1將形成有電極58之基板54與設置有凸塊56之電子零件52連接而構成。即，於連接結構體50之電子零件52與基板54之連接時，使用本實施形態之異向導電性膜1。

如上所述，本發明之一實施形態之異向性導電膜1係於第1樹脂層5形成凸部14與凹部15，將於該凹部15中規則地排列有導電性粒子3者利用第2樹脂層8進行層壓，而保持於兩樹脂層5、8中。該規則性亦可以特定之間隔而配置。因此，各導電性粒子3藉由凸部14而確實地變得難以於圖10中之水平方向上移動，而得以分散保持。因此，接合時之導電性粒子3之移動依存於導電性粒子3間之空隙即間隙16，且受其形狀支配之要素較大。

因此，可確保連接結構體50之基板54與電子零件52之良好之連接性，而可長時間提高電性及機械連接之可靠性。即，藉由使用本 實施形態之異向性導電膜1，可製造導通可靠性高之連接結構體50。再者，作為本實施形態之連接結構體50之具體例，可列舉半導體裝置、液晶顯示裝置、LED照明裝置等。

(第2實施形態)

於本發明之第2實施形態之異向性導電膜之製造方法中，於將導電性粒子埋入並排列於片材之溝槽時，為了不損傷導電性粒子地提高導電性粒子向樹脂層之轉黏效率，使用成為溝槽之深度形成為小於導電性粒子之直徑的模具之片材、及於與導電性粒子之接觸面上以特定間隔設置有可誘導至該溝槽之數個突起部之導引體。

針對本發明之第2實施形態之異向性導電膜之製造方法，一邊使用圖式一邊進行說明。圖11A、B係本發明之第2實施形態之異向性導電膜之製造方法中所使用之導引體的概略構成圖，圖12係表示本發明之第2實施形態之異向性導電膜之製造方法中所使用之片材之概略構成的剖面圖，圖13係用以說明本發明之第2實施形態之異向性導電膜之製造方法中於片材之溝槽埋入並排列導電性粒子之動作的剖面圖。再者，圖11A係示意性地表示本發明之第2實施形態中所使用之導引體之特徵部即與導電性粒子之接觸面側者，圖11B係示意性地表示本發明之第2實施形態中所使用之導引體之剖面者，圖13係以剖面圖表示於片材之溝槽埋入並排列導電性粒子之動作狀態者。

如圖11A所示，本實施形態中所使用之導引體112於與導電性粒子103之接觸面112a上，於導引體112之寬度方向即圖11A所示之E方向上以特定間隔設置有可誘導至片材102之溝槽110(參照圖12)中之數個突起部112b。又，如圖11A所示，該等突起部112b以向導引體112之接觸面112a之長度方向即圖11A所示之F方向延伸之方式以特定間隔而設置。再者，導引體112之製法可與片材102大致相同，又，導引體112之材 料亦可使用與片材102相同者。

於將導電性粒子103填充於片材102之溝槽110中時，為了使流動之導電性粒子103容易分開，如圖11B所示，突起部112b之形狀成為自設置之接觸面側所具有之基端部112b1向前端部112b2前端逐漸變細之大致三角錐形狀。藉由將突起部112b設為自基端部112b1向前端部112b2前端逐漸變細之形狀，於將導電性粒子103填充於片材102之溝槽110中時，若使導引體112於長度方向(F方向)上移動，則於接觸面112a流動之導電性粒子103會被突起部112b之斜面112b3分開。因此，藉由使用設置有突起部112b之導引體112，變得容易將導電性粒子103誘導至溝槽110中。再者，突起部112b之形狀只要為自基端部112b1向前端部112b2前端逐漸變細之形狀，則並不限定於大致三角錐形狀，例如亦可應用圓錐形狀或圓錐台形狀等其他形狀。又，突起部112b之形狀並不限定於僅以直線形成之形狀，亦可於部分或全部含有曲線。

又，如圖11B所示，於導引體112之接觸面112a之邊緣部側，設置有高度與突起部112b大致相同或略低之側壁部112c。如此，藉由在導引體112之接觸面112a之邊緣部側設置側壁部112c，於使用導引體112填充導電性粒子103時，可防止導電性粒子103向導引體112之接觸面112a之外側漏出，因此可提高導電性粒子103之填充效率。

進而，如上所述，突起部112b係於導引體112之寬度方向(E方向)上以特定間隔而設置，該突起部112b之間成為間隙部112d。導引體112之寬度方向上之突起部112b之間隔如圖11B所示，突起部112b之基端部112b1之間隔即間隙部112d之基端部112d1之寬度W1與片材102之溝槽110之寬度W(參照圖12)大致相同。由此，導引體112成為突起部112b之前端部112b2之間隔即間隙部112d之前端部112d2之寬度W2大於片材102之溝槽110之寬度W之構成。

藉由將導引體112設為如上所述之構成，於使用導引體112在片材102之溝槽110中填充導電性粒子103時，導入至突起部112b之間之導電性粒子103被導引體112之突起部112b之斜面部112c分開。並且，將已分開之導電性粒子103誘導至突起部112b之間所具有之間隙部112d中之後，使之於導引體112之接觸面112a之長度方向(F方向)上流動，而誘導至片材102之溝槽110中。因此，於將導電性粒子103埋入並排列於片材102之溝槽110中時，變得容易將導電性粒子103誘導至片材102之溝槽110中，因此可提高對片材102之溝槽110之填充效率。

又，於本實施形態中，如圖12所示，使用溝槽110之深度D小於導電性粒子103之直徑而形成之片材102。具體而言，於片材102，形成有導電性粒子103之直徑之1/3~1/2左右之深度D的溝槽110。又，溝槽110之寬度W具有與導電性粒子103之直徑大致相同至略大之寬度。如此，藉由使用溝槽110之深度D形成為小於導電性粒子103之直徑、且溝槽110之寬度W具有與導電性粒子103之直徑大致相同至略大之寬度W的片材102，於使導電性粒子103轉黏於第1樹脂膜104中所含有之樹脂層105(參照圖14)時，對樹脂層105之接觸面積增加，因此可提高轉黏效率。又，藉由將片材102之溝槽110設為較淺之構成，於使導電性粒子103轉黏於樹脂層105時，不會對導電性粒子103施加多餘之應力，因此變得不易於損傷導電性粒子103。

如此，於本實施形態中，於將導電性粒子103埋入並排列於片材102之溝槽110中時，使用溝槽110之深度D形成為小於導電性粒子之直徑的片材102，及於與導電性粒子103之接觸面112a上以特定間隔設置有可誘導至片材102之溝槽110中之數個突起部112b的導引體112。具體而言，於將導電性粒子103埋入並排列於片材102之溝槽110中時，如圖13所示，使導引體112之突起部112b之前端部112b2抵接於片材102之溝槽110之間所具有之間隙部102a。並且，一面使導引體112於片材102之長度方向(圖2所示之A方向)上移動，一面使導電性粒子103填充於溝槽110中。

即，於本實施形態中，使用於接觸面112a形成有突起部112b之導引體112，一邊調整溝槽110中之導電性粒子103之排列，一邊使導電性粒子103填充於片材102之溝槽110中。此時，填充至片材102之溝槽110中之多餘之導電性粒子103會藉由導引體112之突起部112b而被去除，因此即便使用溝槽110較淺之片材102，亦可將必要量之導電性粒子103排列於溝槽110中。

又，於本實施形態中，藉由使用深度D小於導電性粒子103之直徑之溝槽110之片材102，及於接觸面112a具有突起部112b之導引體112，可不損傷導電性粒子103地提高導電性粒子103向樹脂層105之轉黏效率。因此，可提高異向性導電膜101之生產效率，並且實現異向性導電膜101之高品質化。

再者，於本實施形態中，於使導電性粒子103轉黏於第1樹脂膜104之樹脂層105時，由於使用較淺之溝槽110之片材102，故而導電性粒子103於在溝槽110內未牢固固定之狀態下轉黏於樹脂層105。因此，如圖14所示，粒子列103a於樹脂層105中，以向成為異向性導電膜101之長度方向之第1方向(圖14所示之A方向)延伸之方式，導電性粒子103於形成於樹脂層105中之凹部115之寬度方向(B方向)上相互錯開而配置。具體而言，如圖14所示，以使各導電性粒子103之排列之偏差收斂於粒徑之1.5倍之範圍內的方式於該寬度方向上無規地排列。

(第3實施形態)

於本發明之第3實施形態之異向性導電膜之製造方法中，於將導電性粒子埋入並排列於片材之溝槽時，為了提高對片材之溝槽之填充效率，而 使用將溝槽設為電極間之間隙之片材及具有導電性之刮板。

針對本發明之第3實施形態之異向性導電膜之製造方法，一邊使用圖式一邊進行說明。圖15A至C係表示本發明之第3實施形態之異向性導電膜之製造方法中所應用之導電性粒子之填充步驟的剖面圖，圖16係表示本發明之第3實施形態之異向性導電膜之製造方法中之填充步驟結束後之導電性粒子向片材之排列狀態的俯視圖。

本實施形態之特徵在於：為了提高對片材202之溝槽210之填充效率，將以向片材202之長度方向(圖16所示之A方向)延伸之方式以特定間隔設置於片材202上的電極220之間隙作為導電性粒子203之填充對象之溝槽210，且使各電極220產生磁力。於由基板構成之片材202，如圖15所示，於片材202之寬度方向(圖16所示之B方向)上以特定之間隔設置有數個向片材202之長度方向(A方向)延伸之電極220。

並且，藉由對各電極220通電等而產生磁力。藉此，可將導電性粒子203吸引至電極220，而於電極間所具有之溝槽210中將導電性粒子203設置為大致直線狀。又，於本實施形態中，藉由調整電極220產生之磁力強度，可適當控制導電性粒子203之轉印。又，除了利用電極220適當調整磁力以外，例如亦可為如下方案：藉由以一定磁力於電極220之排列間設置導電性粒子203後，於轉印時對轉印體之相反之面施加更強之磁力，而適當調整作用於導電性粒子203之磁力。

又，本實施形態中設置有用以將導電性粒子203填充於溝槽210中之刮板。刮板藉由一邊抵接於各電極220，一邊於電極220之長度方向(圖16所示之A方向)上移動，而去除附著於電極220上之多餘之導電性粒子203，並將導電性粒子203填充於各溝槽210內。又，本實施形態之特徵在於：為了維持各電極220所產生之磁力，而使用由具有導電性之金屬等材質形成之刮板。再者，刮板只要為賦予帶電性之金屬等材質，則其 材質並無特別限定。

如此，於本實施形態中，藉由在片材203上設置電極220，於將導電性粒子203填充於片材202之溝槽210中時，首先於電極220之間在相對於該電極220之長度方向(圖16所示之A方向)及寬度方向(B方向)成為鉛垂之方向之C方向(參照圖15A)上產生磁力。

於本實施形態中，由於使各電極220產生磁力，故而不會對導電性粒子203施加多餘之應力，而使導電性粒子203確實地附著於電極220。並且，如圖15A所示，該等附著於電極220之導電性粒子203變得填充於電極220間所具有之溝槽210中。又，於本實施形態中，藉由使電極220產生磁力，而使導電性粒子203附著於電極220，因此如圖15A所示，填充於溝槽210中之導電性粒子203變得附著於構成溝槽210之側壁之電極220之側壁220a、220b之任一側。因此，將第1樹脂膜204進行延伸後，其亦靠近形成其寬度之任一側。

使導電性粒子203附著於各電極220之後，其次如圖15B所示，將存在於電極220上之多餘之導電性粒子203利用刮板去除。於本實施形態中，於利用刮板去除多餘之導電性粒子203時，有時會對導電性粒子203之表面之鍍敷等造成輕微損傷，但並非為對完成後之異向性導電膜201之導通可靠性等性能產生影響之程度的損傷。若利用刮板去除多餘之導電性粒子203，並調整所需之導電性粒子203之排列，則如圖15C所示，完成導電性粒子203向片材202之溝槽210之填充。

如此，於本實施形態中，藉由使用將電極220間之間隙設為溝槽210之片材202，於藉由通電等使電極220產生磁力後，不施加多餘之應力而將導電性粒子203利用所產生之磁力吸引至電極220。並且，一邊利用具有導電性之刮板去除多餘之導電性粒子203，一邊將導電性粒子203填充於溝槽210內。並且，使填充於片材202之溝槽210中之導電性粒子203 轉黏於第1樹脂膜204(參照圖17)。因此，於將導電性粒子203轉黏於第1樹脂膜204之前，可將該導電性粒子203效率良好且確實地填充於片材202之溝槽210中。即，藉由在所需之片材202設置電極220後使之產生磁力，可提高對轉黏導電性粒子203時使用之片材202之溝槽210之填充效率。尤其於本實施形態中，效率良好且確實地進行導電性粒子203向片材202之溝槽210之填充，因此與第1及第2實施形態相比，於效率良好地製造長條化之異向性導電膜時亦可應用。

又，於本實施形態中，如圖16所示，填充於片材202之溝槽210中之導電性粒子203附著於電極220之側壁220a、220b之任一側，並保持於電極間。因此，若將填充於片材202之溝槽210中之導電性粒子203轉黏於第1樹脂膜204之樹脂層205後，於長度方向(A方向)上進行單軸延伸，則如圖17所示，導電性粒子203分別沿著樹脂層205所形成之凹部215之側緣部215a、215b之任一側配置。即，於本實施形態之異向性導電膜201中，各粒子列203a成為導電性粒子203分別沿著樹脂層205所形成之凹部215之側緣部215a、215b之任一側配置之構成。再者，由於各粒子列203a中之異向性導電膜201之寬度方向(B方向)上之導電性粒子203之偏差受溝槽210之寬度W影響，故而例如於將導電性粒子203之粒徑設為3.0μm，將溝槽寬度設為3.5~4.0μm左右之情形時，其偏差成為粒徑之1/3左右。

於以上之情形中，存在由於導電性粒子203與電極220及刮板強烈地摩擦，而產生滑動痕之情形。例如於使用鍍敷粒子作為導電性粒子203之情形時，導電性粒子203之表面之一部分會剝離或捲縮。又，於使用金屬粒子作為導電性粒子203之情形時，亦有導電性粒子203之一部分發生變形之情形。此種滑動痕藉由產生為導電性粒子203之表面積之5%以上，而於黏合劑樹脂205之轉印時或異向性導電膜201之熱加壓時等抑制導 電性粒子203之流動。又，產生滑動痕之導電性粒子203只要為整體之50%以內，則對異向性導電膜201之導通性能並無影響，較佳為將該滑動痕之發生率設為全部導電性粒子數之25%以內，更佳為未達15%。

[實施例]

<本發明之第1至第3實施形態中共用之實施例>

其次，對本發明之實施例進行說明。於本實施例中，準備溝槽10之形狀、尺寸不同之數個片材2，於使導電性粒子3填充、排列於各樣品中後，將導電性粒子3轉印至第1樹脂膜4，於單軸延伸後層壓第2樹脂膜7而製造異向性導電膜1之樣品。

各實施例之片材2係使用厚度50μm之聚丙烯膜(東麗股份有限公司製造：Torayfan 2500H)。於該片材2，對形成有特定之溝槽圖案之模具於180℃下進行30分鐘之熱壓，而形成溝槽10。填充、排列於片材2之溝槽10中之導電性粒子3係對樹脂核心粒子鍍金而成者(積水化學股份有限公司製造：AUL703)。將該導電性粒子3撒在片材2之溝槽10之形成面，利用鐵氟龍(註冊商標)製造之刮板使之均勻地填充、排列於溝槽10中。

又，作為層壓於排列有導電性粒子3之片材2上之第1樹脂膜4、及層壓於第1樹脂膜4上之第2樹脂膜7，係使微膠囊型胺系硬化劑(旭化成E-MATERIALS股份有限公司製造：Novacure HX3941HP)50份、液狀環氧樹脂(三菱化學股份有限公司製造：EP828)14份、苯氧基樹脂(新日鐵化學股份有限公司製造：YP50)35份、矽烷偶合劑(信越化學股份有限公司製造：KBE403)1份混合分散，而形成黏合劑樹脂組成物。並且，對於第1樹脂膜4，將該黏合劑樹脂組成物以厚度成為5μm之方式塗佈於無延伸聚丙烯膜(東麗股份有限公司製造：Torayfan NO3701J)，對於第2樹脂膜7，將該黏合劑樹脂組成物以厚度成為15μm之方式塗佈於無延伸 聚丙烯膜(東麗股份有限公司製造：Torayfan NO3701J)，藉此製作於一面形成有樹脂層5或8之片狀之熱硬化性樹脂膜。又，使用延伸前至轉印為止之第1樹脂膜4之尺寸為20×30cm及A4尺寸左右者，而製作異向性導電膜1之樣品。

並且，藉由在於溝槽10中填充、排列有導電性粒子3之片材2，貼合第1樹脂膜4，而使導電性粒子3轉黏於第1樹脂膜4之樹脂層5。其次，使用縮放方式之延伸機，將第1樹脂膜4於130℃之烘箱中藉由在單軸方向上延伸200%而使之延伸。於延伸後，將第2樹脂膜7貼合於第1樹脂膜4之轉黏有導電性粒子3之樹脂層5側而製作異向性導電膜1之樣品。再者，於各實施例中，將粒子密度為20000個/mm²作為一標準而製作，但該粒子密度係為了比較成為轉印型之片材2之形狀或延伸之方向性等之影響以明確本發明之效果及特徵而設定者。因此，根據使用異向性導電膜1之對象，延伸率之最佳值不同，同樣地粒子密度之最佳值亦不同。

並且，對各異向性導電膜1之樣品測定粒子密度、二連結粒子率、及粒子密度之偏差σ。又，使用各異向性導電膜1之樣品，製造將IC晶片之凸塊與配線板之電極端子連接而成之連接結構體樣品，並測定鄰接之電極端子間之短路發生率。

於實施例1中，使用粒徑為3μm之導電性粒子3。又，片材2所形成之溝槽10具有於片材2之長度方向上連續之圖案(參照圖3A)，剖面為矩形狀(參照圖4A)，寬度W為3.0μm，深度D為3.0μm，溝槽之間隔S為5.0μm。

於實施例2中，將溝槽10之寬度W設為5.9μm，除此以外，設為與實施例1相同之條件。

於實施例3中，將溝槽10之寬度W設為3.5μm，將深度D設為1.5μm，除此以外，設為與實施例1相同之條件。

於實施例4中，將溝槽10之深度D設為4.5μm，除此以外，設為與實施例3相同之條件。

於實施例5中，將溝槽10之寬度W設為6.5μm，除此以外，設為與實施例1相同之條件。

於實施例6中，將溝槽10之深度設為6.0μm，除此以外，設為與實施例3相同之條件。

於實施例7中，使用粒徑為4.0μm之導電性粒子3(積水化學股份有限公司製造：AUL704)。又，將片材2所形成之溝槽10之寬度W設為4.0μm，將深度D設為4.0μm，除此以外，設為與實施例1相同之條件。

於實施例8中，片材2所形成之溝槽10為剖面三角形狀(參照圖4J)，寬度W為3.0μm，深度D為3.0μm，溝槽之間隔S為5.0μm。除此以外，將導電性粒子3或溝槽10之圖案之條件設為與實施例1相同之條件。

於比較例1中，藉由先前之製法製作異向性導電膜。即，於上述實施例之黏合劑樹脂組成物中，分散對樹脂核心粒子鍍金而成之粒徑為3μm之導電性粒子3(積水化學股份有限公司製造：AUL703)5質量份，並將其以厚度成為20μm之方式塗佈於無延伸聚丙烯膜(東麗股份有限公司製造：Torayfan NO3701J)，而製作於一面形成有樹脂層之片狀之熱硬化性樹脂膜。

經由實施例及比較例之異向性導電膜而連接之IC晶片之尺寸為1.4mm×20.0mm，厚度為0.2mm，金凸塊尺寸為17μm×100μm，凸塊高度為12μm，凸塊間隔為11μm。

構裝該IC晶片之配線板係形成有與IC晶片之圖案對應之鋁配線圖案的玻璃基板(Corning公司製造：1737F)，尺寸為50mm×30mm， 厚度為0.5mm。

經由實施例及比較例之異向性導電膜連接IC晶片與玻璃基板之條件為170℃、80MPa、10秒。

實施例及比較例之異向性導電膜之粒子密度係使用顯微鏡測定1mm²中之導電性粒子3之數量。二連結粒子率係使用顯微鏡，於200μm×200μm=40000μm²之面積中對連結2個以上之導電性粒子3之數量進行計數，並算出平均之連結數。進而算出50μm×50μm=2500μm²之面積中之粒子密度之偏差σ。

又，測定連接結構體樣品之鄰接之電極端子間之短路發生率。

將上述實施例1至8、及比較例中之異向性導電膜之各測定結果匯總示於表1。

如表1所示，根據實施例1~8，由於預先將導電性粒子3以特定圖案排列於片材2，故而藉由使轉黏有其等之第1樹脂膜4單軸延 伸，可使導電性粒子3確實地分散。因此，於實施例1~8之異向性導電膜中，二連結粒子率成為9%以下。又，於實施例1~8之異向性導電膜中，導電性粒子3之密度未達20000個/mm²，粒子密度之偏差(σ)亦較小，為2以下，使用該等製造之連接結構體樣品之鄰接之電極端子間之短路發生率為0%。

尤其於實施例1~4中，由於將片材2之溝槽10之寬度W設為導電性粒子3之粒徑之1倍~未達2倍，且將溝槽10之深度D設為導電性粒子3之粒徑之0.5~1.5倍，故而粒子密度亦較低，二連結粒子率亦成為5%以下。

另一方面，於使用先前之異向性導電膜之比較例1中，粒子密度為20000個/mm²，二連結粒子率亦增加為12%。又，比較例1之異向性導電膜之粒子密度偏差(σ)較高，為10.2，且鄰接之電極端子間之短路發生率成為2%。

又，就片材2之溝槽10之寬度W之影響來看，如實施例1所示，若片材2之溝槽10之寬度W相對於導電性粒子3之粒徑為等倍，則未見二連結粒子，但如實施例2及實施例5所示，隨著片材2之溝槽10之寬度W相對於導電性粒子3之粒徑自不足2倍變為超過2倍，二連結粒子率增加。認為該二連結粒子率增加之原因為：若片材2之溝槽10之寬度W變寬，則填充導電性粒子3所施加之應力會分散。由此可知，片材2之溝槽10之寬度W相對於導電性粒子3之粒徑較佳為未達2倍。

進而，就片材2之溝槽10之深度D之影響來看，由實施例3、實施例4、及實施例6可知，隨著片材2之溝槽10之深度D相對於導電性粒子3之粒徑變大為0.5倍、1.5倍、2倍，粒子密度及二連結粒子率亦顯示出增加傾向。尤其是由實施例3、實施例4可知，於片材2之溝槽10之深度D相對於導電性粒子3之粒徑為0.5~1.5倍之情形時，二連結粒子率 成為5%以下，因此對於維持異向性導電膜之導通可靠性較佳。

<本發明之第1實施形態之實施例>

其次，對於使將下述實施例11至19中之第1樹脂膜4進行單軸延伸時之延伸率變為150%、200%、300%、450%、700%之情形時之粒子密度、二連結粒子率、粒子密度之偏差、及短路發生率，於與上述實施例1至8同樣之條件下進行測定。再者，於實施例11至13中，對片材2之溝槽10之寬度W之影響進行研究，於實施例14至16中，對片材2之溝槽10之深度D之影響進行研究，於實施例17至19中，對片材2之溝槽10之間隔即粒子列間距離S之影響進行研究。

於實施例11中，與上述實施例1同樣地使用粒徑為3μm之導電性粒子3。又，片材2所形成之溝槽10具有於片材2之長度方向上連續之圖案(參照圖3A)，剖面為矩形狀(參照圖4A)，寬度W為3.0μm，深度D為3.0μm，溝槽之間隔S為5.0μm。

於實施例12中，與上述實施例2同樣地將溝槽10之寬度W設為5.9μm，除此以外，設為與實施例1相同之條件。

於實施例13中，與上述實施例5同樣地將溝槽10之寬度W設為6.5μm，除此以外，設為與實施例1相同之條件。

於實施例14中，與上述實施例3同樣地將溝槽10之寬度W設為3.5μm，將深度D設為1.5μm，除此以外，設為與實施例1相同之條件。

於實施例15中，與上述實施例4同樣地將溝槽10之深度D設為4.5μm，除此以外，設為與實施例3相同之條件。

於實施例16中，與上述實施例6同樣地將溝槽10之深度D設為6.0μm，除此以外，設為與實施例3相同之條件。

於實施例17中，將粒子列間距離S設為3.0μm，除此以外， 設為與實施例1相同之條件。

於實施例18中，將粒子列間距離S設為6.0μm，除此以外，設為與實施例1相同之條件。

於實施例19中，將粒子列間距離S設為10.5μm，除此以外，設為與實施例1相同之條件。

關於使將上述實施例11至19中之第1樹脂膜4進行單軸延伸時之延伸率變為150%、200%、300%、450%、700%之情形時之粒子密度、二連結粒子率、粒子密度之偏差、及短路發生率之測定結果，匯總示於表2。

如表2所示，根據實施例11至19，可確認粒子密度及二連結粒子率與延伸之程度(延伸率)成比例地降低。認為其原因為：由於預先將導電性粒子3以特定圖案排列於片材2，故而藉由使轉黏有該導電性粒 子3之第1樹脂膜4單軸延伸，會使導電性粒子3確實地分散。另一方面，根據實施例11至19，可確認粒子密度之偏差(σ)無論延伸率如何均獲得2以下之較小值。

又，根據實施例11至19，可確認短路發生率於延伸率為150%時，於任一實施例中均稍有發生，但於延伸率為200%以上之情形時，於任一實施例中均不發生，短路發生率為0%。認為其原因為：於延伸150%時，無法確保充分之導電性粒子間之距離，因此導電性粒子3之接觸機率提高。由此可知，於使轉黏有導電性粒子3之第1樹脂膜4單軸延伸時，較佳為以至少大於150%之延伸率即長於原始長度之150%之方式延伸。

進而，根據實施例11至19，可知粒子密度與片材2之溝槽10之模具之形狀無關，與延伸率成比例地降低。由該等結果亦可知，導電性粒子3之粒子間之空隙因延伸而產生，且依存於一方向。

又，就片材2之溝槽10之寬度W之影響來看，如實施例11所示，與片材2之溝槽10之寬度W相對於導電性粒子3之粒徑為等倍之情形相比，如實施例12及實施例13所示，若溝槽10之寬度W變寬，則粒子密度減小，二連結粒子率增加。再者，若溝槽10之寬度W變寬，則導電性粒子3變得容易轉黏於第1樹脂層5，導電性粒子3之轉印率本身變佳，因此關於粒子密度，實施例12與實施例13之相對差異縮小。又，若溝槽10之寬度W變寬，則導電性粒子3之排列之混亂增大，導致導電性粒子3之連結本身增加，因此二連結粒子率增加。

進而，就片材2之溝槽10之深度D之影響來看，可知如實施例11所示，與片材2之溝槽10之深度D相對於導電性粒子3之粒徑為等倍之情形相比，如實施例12及實施例13所示，若溝槽10之深度D增大，則因第1樹脂層5之樹脂進入溝槽10之內部而使轉印率變佳，因此粒子密度提高。又，可知若溝槽10之深度D增大，則二連結粒子率與粒子密度成 比例地增加。進而，就延伸率為150%時之短路發生率來看，由實施例14可知，若片材2之溝槽10較淺則粒子之連結變強，因此短路發生率增大。

又，就片材2之粒子列間距離S之影響來看，可知如實施例17所示，與片材2之粒子列間距離S相對於導電性粒子3之粒徑為等倍之情形相比，如實施例18及實施例19所示，若粒子列間距離S變大，則粒子密度降低。又，由實施例17與實施例18可知，隨著片材2之粒子列間距離S增大，二連結粒子率增加，但由實施例19可知，若片材2之粒子列間距離S變為特定值以上，則於200%以上之延伸率時變得不會見到連結粒子。

<本發明之第2實施形態之實施例>

其次，針對使將下述實施例21至26及比較例21至23中之第1樹脂膜104進行單軸延伸時之延伸率變為150%、200%、300%、450%、700%之情形時之粒子密度、二連結粒子率、粒子密度之偏差、及短路發生率，於與上述實施例1至8相同之條件下進行測定。該等實施例21至26及比較例21至23中之第1樹脂膜104係藉由本發明之第2實施形態之異向性導電膜101之製造方法而製造者。又，於該等實施例21至26及比較例21至23中，均使用粒徑為3μm之導電性粒子103。再者，於實施例21至23中，對片材102之溝槽110之深度D之影響進行研究，於實施例24至26中，對導引體112之突起部112b之形狀等之影響進行研究。又，於比較例21至23中，驗證了即便對溝槽110之深度D與導電性粒子103之粒徑相同之片材102使用本發明之其他實施形態之導引體112，亦不會改善導電性粒子103之填充效率。

於實施例21中，使用突起部112b之高度為2μm，突起間隔為3.5μm，刮板側間隙部112d之基端部之寬度W1為3.5μm，前端部之寬度W2為4.5μm之導引體112，及溝槽110之寬度W為3.5μm，深度D為1.0μm，溝槽之間隔S為3.0μm之片材102。

於實施例22中，將溝槽110之深度D設為1.5μm，除此以外，設為與實施例21相同之條件。

於實施例23中，將溝槽110之深度D設為2.0μm，除此以外，設為與實施例21相同之條件。

於實施例24中，使用突起部112b之高度為1.5μm，突起間隔為3.5μm，導引體112之間隙部112d之基端部112d1之寬度W1為3.5μm，前端部112d2之寬度W2為4.5μm之導引體112，及溝槽110之寬度W為3.5μm，深度D為1.5μm，溝槽之間隔S為3.0μm之片材102。再者，所謂突起部112b之「高度」，係指自突起部112b之基端部112b1至前端部112b2之距離。

於實施例25中，將突起部112b之高度設為2.0μm，除此以外，設為與實施例24相同之條件。

於實施例26中，將突起部112b之高度設為2.5μm，除此以外，設為與實施例24相同之條件。

於比較例21中，使用突起部112b之高度為2.0μm，突起間隔為3.0μm，間隙部112d之基端部112d1之寬度W1為3.0μm，前端部112d2之寬度W2為4.0μm之導引體112，及溝槽110之寬度W為3.0μm，深度D為3.0μm，溝槽110之間隔S為3.0μm之片材102。

於比較例22中，使用突起部112b之高度為2.0μm，突起間隔為3.5μm，間隙部112d之基端部112d1之寬度W1為3.5μm，前端部112d2之寬度W2為4.5μm之導引體112，及溝槽110之寬度W為3.5μm，深度D為3.0μm，溝槽110之間隔S為3.0μm之片材102。

於比較例23中，使用突起部112b之高度為2.0μm，突起間隔為4.5μm，間隙部112d之基端部112d1之寬度W1為4.5μm，前端部112d2之寬度W2為5.5μm之導引體112，及溝槽110之寬度W為4.5 μm，深度D為3.0μm，溝槽110之間隔S為3.0μm之片材102。

針對使將上述實施例21至26及比較例21至23中之第1樹脂膜104進行單軸延伸時之延伸率變為150%、200%、300%、450%、700%之情形時之粒子密度、二連結粒子率、粒子密度之偏差、及短路發生率之測定結果，匯整示於表3。

如表3所示，根據實施例21至26，可確認粒子密度及二連結粒子率與延伸之程度(延伸率)成比例地降低。認為其原因為：由於預先將導電性粒子103以特定圖案排列於片材102，故而藉由使轉黏有該導電性粒子103之第1樹脂膜104單軸延伸，會使導電性粒子103確實地分散。 另一方面，根據實施例21至26，可確認粒子密度之偏差(σ)無論延伸率如何均獲得2以下之較小值。

又，根據實施例21至26，可確認短路發生率於延伸率為150%時，於任一實施例中均稍有發生，但於延伸率為200%以上之情形時，於任一實施例中均不發生，短路發生率為0%。認為其原因為：於延伸150%時，無法確保充分之導電性粒子間之距離，因此導電性粒子103之接觸機率提高。由此可知，於使轉黏有導電性粒子103之第1樹脂膜104單軸延伸時，較佳為以至少大於150%之延伸率即長於原始長度之150%之方式延伸。

進而，根據實施例21至26，可知無論片材102之溝槽110之模具之形狀如何，均與延伸率成比例地降低。由該等結果亦可知，導電性粒子103之粒子間之空隙因延伸而產生，且依存於一方向。

又，就片材102之溝槽110之深度D之影響來看，如實施例21所示，與片材102之溝槽110之深度D相對於導電性粒子103之粒徑為1/3倍之情形相比，如實施例22及實施例23所示，若溝槽110之深度D增大，則粒子密度減小。認為其原因之一為：若溝槽110之深度D增大，則自導電性粒子103之填充至轉印時之導電性粒子103之移動自由度變小。再者，由於實施例21至23之任一者中溝槽110之深度D均小於導電性粒子103之粒徑，故而即便溝槽110之深度D增大，亦不會對二連結粒子率或粒子密度之偏差σ、及短路發生率之變動造成較大之影響。

進而，就導引體112之突起部112b之形狀等之影響來看，根據實施例24至26，隨著突起部112b之高度增大，粒子密度增加，二連結粒子率減小。認為其原因為：若導引體112之突起部112b之高度增大，則會對導電性粒子103施加多餘之應力。因此，如實施例25所示，較佳為將導引體112之突起部112b之高度設為導電性粒子103之直徑之2/3左右。

另一方面，於使用利用溝槽110之深度D與導電性粒子103 之粒徑相同之片材製造而成之先前之異向性導電膜的比較例21至23中，雖然粒子密度略微減小，但即便進行200%以上之延伸，亦可見二連結粒子或短路之發生。認為其原因為：即便對溝槽110之深度D與導電性粒子103之粒徑相同之片材102使用本發明之第2實施形態之導引體112，亦因溝槽110較深，故而無法藉由導引體112去除多餘之導電性粒子103，因此無法改善對片材102之溝槽110之填充效率。

<本發明之第3實施形態之實施例>

其次，針對使將下述實施例31至39中之第1樹脂膜204進行單軸延伸時之延伸率變為150%、200%、300%、450%、700%之情形時之粒子密度、二連結粒子率、粒子密度之偏差、及短路發生率，於與上述實施例1至8相同之條件下進行測定。該等實施例31至39中之第1樹脂膜204係於設置有電極220之片材202填充導電性粒子203後進行製造而成者。又，於該等實施例31至39中，均使用粒徑為3μm之導電性粒子203。再者，於實施例31至33中，對構成片材202之溝槽210之電極220之大小即溝槽210之寬度W之影響進行研究，於實施例34至36中，對電極220之寬度即粒子列203a之列間距離S之影響進行研究，於實施例37至39中，對電極220之厚度即溝槽210之深度D之影響進行研究。

於實施例31中，使用將電極220之剖面設為邊長3.0μm之正方形之情形即溝槽210之寬度W及深度D為3.0μm、溝槽210之間隔S為3.0μm之片材202。

於實施例32中，使用將電極220之剖面設為邊長3.5μm之正方形之情形即溝槽210之寬度W及深度D為3.5μm、溝槽210之間隔S為3.5μm之片材202。

於實施例33中，使用將電極220之剖面設為邊長4.5μm之正方形之情形即溝槽210之寬度W及深度D為4.5μm、溝槽210之間隔S 為4.5μm之片材202。

於實施例34中，使用將溝槽210之剖面設為邊長3.5μm之正方形，溝槽210之間隔S為3.0μm之片材202。

於實施例35中，使用將溝槽210之剖面設為邊長3.5μm之正方形，溝槽210之間隔S為3.2μm之片材202。

於實施例36中，使用將溝槽210之剖面設為邊長3.5μm之正方形，溝槽210之間隔S為4.5μm之片材202。

於實施例37中，使用溝槽210之寬度W為3.5μm，深度D為3.0μm，溝槽210之間隔S為3.5μm之片材202。

於實施例38中，使用溝槽210之寬度W為3.5μm，深度D為3.2μm，溝槽210之間隔S為3.5μm之片材202。

於實施例39中，使用溝槽210之寬度W為3.5μm，深度D為4.5μm，溝槽210之間隔S為3.5μm之片材202。

針對使將上述實施例31至39中之第1樹脂膜204進行單軸延伸時之延伸率變為150%、200%、300%、450%、700%之情形時之粒子密度、二連結粒子率、粒子密度之偏差、及短路發生率之測定結果，匯整示於表4。

如表4所示，根據實施例31至39，可確認粒子密度及二連結粒子率與延伸之程度(延伸率)成比例地降低。認為其原因為：由於預先將導電性粒子203以特定圖案排列於片材202，故而藉由使轉黏有該導電性粒子203之第1樹脂膜204單軸延伸，會使導電性粒子203確實地分散。又，於實施例31至39中，藉由於向片材202之溝槽210填充導電性粒子203時進行利用磁力之填充，不會對導電性粒子203施加多餘之應力，認為其亦為二連結粒子之發生減少之原因。另一方面，根據實施例31至39，可確認粒子密度之偏差(σ)無論延伸率如何均獲得2以下之較小值。

又，根據實施例31至39，可確認短路發生率於延伸率為150%時，於任一實施例中均稍有發生，但於延伸率為200%以上時，於任一實施例中均不發生，短路發生率為0%。認為其原因為：於延伸150%時， 無法確保充分之導電性粒子間之距離，因此導電性粒子203之接觸機率提高。由此可知，於使轉黏有導電性粒子203之第1樹脂膜204單軸延伸時，較佳為以至少大於150%之延伸率即長於原始長度之150%之方式延伸。

進而，根據實施例31至39，可知粒子密度無論片材202之溝槽210之模具之形狀如何，均與延伸率成比例地降低。由該等結果亦可知，導電性粒子203之粒子間之空隙因延伸而產生，且依存於一方向。

由此可知，於使轉黏有導電性粒子203之第1樹脂膜204單軸延伸時，較佳為以至少大於150%之延伸率即長於原始長度之150%之方式延伸。再者，於實施例31及實施例34之延伸200%之情形時，粒子密度與其以外之情形相比增大，認為其原因為：於溝槽210之間隔S與導電性粒子203相同之情形時，依然存在導電性粒子203之接觸之可能性。

又，就電極220之大小，即溝槽210之寬度W之影響來看，可知隨著電極220之剖面增大，粒子密度減小。又，根據實施例31，即便延伸200%，亦可見二連結粒子之產生。認為其於電極220之剖面與導電性粒子203相同之情形時，會對轉印產生影響。由此可知，溝槽210之寬度W較佳為至少大於導電性粒子203之直徑。

進而，就電極220之寬度即粒子列203a之列間距離S之影響來看，由實施例32、及實施例34至36可知，隨著粒子列203a之列間距離S變大，粒子密度、二連結粒子率均減少。由此可知，粒子列203a之列間距離S較佳為至少大於導電性粒子203之直徑。

又，就電極220之厚度即溝槽210之深度D之影響來看，由實施例32、及實施例37至39可知，隨著電極220之厚度即溝槽210之深度D增大，粒子密度增加。認為其原因為：若溝槽210變深，則第1樹脂層205之樹脂會進入溝槽210之內部，因此轉印率變佳。又，如上所述，可知於溝槽210之深度D與導電性粒子203之直徑同等程度之情形時，於將導電性粒子203填充於溝槽210中之後利用刮板去除時，損傷導電性粒子203之表面之程度變大，因此溝槽210之深度D較佳為至少大於導電性粒子203之直徑。

Claims (13)

1. 一種異向性導電膜，其具備樹脂層、與上述樹脂層接觸之數個導電性粒子，且上述數個導電性粒子中包含於表面具有痕者，於上述樹脂層中，上述導電性粒子規則地排列於第1方向上所形成之粒子列被規則地並列複數列地設置於與上述第1方向不同之第2方向上。
2. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜，其中，具有上述痕之上述導電性粒子為導電性粒子數整體的50%以內。
3. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜，其中，上述痕產生為上述導電性粒子之表面積之5%以上。
4. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜，其中，上述痕係上述導電性粒子之表面之一部分剝離或變形者。
5. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜，其中，上述導電性粒子之表面進行有絕緣處理。
6. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜，其中，上述樹脂層至少由2層構成，具備構成一層之第1樹脂層、與積層於上述第1樹脂層之第2樹脂層；上述導電性粒子至少與上述第1樹脂層接觸。
7. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜，其中，上述導電性粒子以向上述第1方向延伸之方式配置為直線狀。
8. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜，其中，上述粒子列具有大於導電性粒子之粒徑1倍且未達2.5的寬度，且上述導電性粒子於該寬度方向上相互錯開。
9. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜，其中，上述粒子列具有大於導電性粒子之粒徑1倍且未達2.5的寬度，且於該寬度方向的任一端與上述導電性粒子之端部接觸。
10. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜，其中，上述粒子列之第1方向中之導電粒子間距離為等距。
11. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜，其中，上述第2方向相對於膜之長度方向傾斜。
12. 一種連接結構體，係將申請專利範圍第1至11項中任一項之異向性導電膜用於連接電子零件而成。
13. 一種連接結構體之製造方法，係將申請專利範圍第1至11項中任一項之異向性導電膜使用於連接電子零件。