JPWO2007097379A1 - パターン形成装置、マーク検出装置、露光装置、パターン形成方法、露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents
パターン形成装置、マーク検出装置、露光装置、パターン形成方法、露光方法及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2007097379A1 JPWO2007097379A1 JP2008501744A JP2008501744A JPWO2007097379A1 JP WO2007097379 A1 JPWO2007097379 A1 JP WO2007097379A1 JP 2008501744 A JP2008501744 A JP 2008501744A JP 2008501744 A JP2008501744 A JP 2008501744A JP WO2007097379 A1 JPWO2007097379 A1 JP WO2007097379A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- axis
- mark
- moving body
- mark detection
- detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70653—Metrology techniques
- G03F7/70666—Aerial image, i.e. measuring the image of the patterned exposure light at the image plane of the projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F2009/005—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optical Transform (AREA)
Abstract
Description
Claims (134)
- 物体上にパターンを形成するパターン形成装置であって、
互いに異なる複数の位置にそれぞれマークが形成されている物体を保持して第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動する移動体と;
前記第2軸に平行な方向に関して検出領域が離れて配置され、前記物体上の異なるマークをそれぞれ検出する複数のマーク検出系と;
前記物体に検出ビームを照射し該検出ビームの反射光を受光して、前記第2軸に平行な方向に関して位置が異なる複数の検出点における前記物体の面位置情報を検出する面位置検出装置と;を備えるパターン形成装置。 - 請求項1に記載のパターン形成装置において、
前記複数のマーク検出系は、前記第2軸に平行な方向に沿って前記検出領域が設定可能であるパターン形成装置。 - 請求項1又は2に記載のパターン形成装置において、
前記複数のマーク検出系は、少なくとも前記第2軸に平行な方向に関して前記検出領域の相対位置が可変であるパターン形成装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記複数のマーク検出系は、前記検出領域が固定の第1マーク検出系と、少なくとも前記第2軸に平行な方向に関して前記検出領域の位置が調整可能な第2マーク検出系とを含むパターン形成装置。 - 請求項4に記載のパターン形成装置において、
前記複数のマーク検出系は、前記第1マーク検出系の検出中心に関して対称に検出中心が設定可能な少なくとも1対の前記第2マーク検出系を含むパターン形成装置。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記面位置検出装置の複数の検出点は、前記複数のマーク検出系の配置に応じた配置で設定されているパターン形成装置。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記複数のマーク検出系の検出領域と前記面位置検出装置の複数の検出点とは、前記第1軸に平行な方向に関して位置が異なるパターン形成装置。 - 請求項7に記載のパターン形成装置において、
前記面位置検出装置の複数の検出点は、前記第1軸に平行な方向に関して、前記物体に対するパターン形成が行われる位置と前記複数のマーク検出系の検出領域との間に配置されるパターン形成装置。 - 請求項7又は8に記載のパターン形成装置において、
前記複数のマーク検出系及び前記面位置検出装置の検出動作時に前記移動体を前記第1軸に平行な方向に移動するとともに、前記検出動作の少なくとも一部を並行して実行する制御装置をさらに備えるパターン形成装置。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記物体上で前記第1軸に平行な方向に関して位置が異なる複数群のマークを、前記移動体を前記第1軸に平行な方向に移動して前記群毎に前記複数のマーク検出系で検出する制御装置をさらに備え、前記複数群のマークのうち少なくとも1群のマークは、前記第2軸に平行な方向に関して位置が異なる複数のマークを含むパターン形成装置。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記移動体を前記第1軸方向に移動させる度に、前記物体上の複数のマークを、前記複数のマーク検出系を用いてほぼ同時に検出するとともに、前記移動体の前記第1軸方向への移動に伴い前記複数のマーク検出系の検出領域を通過した前記物体の面位置情報を、前記面位置検出装置を用いて検出する制御装置をさらに備えるパターン形成装置。 - 物体上にパターンを形成するパターン形成装置であって、
前記物体を保持して第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動するとともに、その一面に前記第1軸に平行な方向を周期方向とする格子を有する第1グレーティングが一対設けられた移動体と;
前記第2軸に平行な方向に関して検出領域の位置が異なる複数のマーク検出系と;
前記第2軸に平行な方向に関して前記複数の検出領域の両外側に1つずつ配置される一対の第1ヘッドを含む複数の第1ヘッドを有し、前記一対の第1グレーティングの少なくとも一方と対向する第1ヘッドによって、前記移動体の前記第1軸に平行な方向の位置情報を計測する第1軸エンコーダと;を備えるパターン形成装置。 - 請求項12に記載のパターン形成装置において、
前記移動体の一面には、前記第2軸に平行な方向を周期方向とする格子を有する第2グレーティングがさらに設けられ、
前記第1軸に平行な方向に関して位置が異なる複数の第2ヘッドを有し、前記第2グレーティングと対向する第2ヘッドによって前記移動体の前記第2軸に平行な方向の位置情報を計測する第2軸エンコーダをさらに備えるパターン形成装置。 - 請求項13に記載のパターン形成装置において、
前記複数のマーク検出系は、前記検出領域が固定の第1マーク検出系と、前記第2軸に平行な方向に関して前記第1マーク検出系の検出領域の両側にそれぞれ配置される前記検出領域の位置が前記第2軸に平行な方向に関して調整可能な少なくとも1対の第2マーク検出系とを含むパターン形成装置。 - 請求項14に記載のパターン形成装置において、
前記複数の第2ヘッドの一部は、前記第1マーク検出系に取り付けられているパターン形成装置。 - 請求項12〜15のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記複数の第1ヘッドは、前記第1軸に平行な方向に関して前記一対の第1ヘッドと位置が異なり、かつ前記第2軸に平行な方向に関して位置が異なる第1及び第2群の第1ヘッドを含み、前記第1群の第1ヘッドはその少なくとも1つが前記一対の第1格子部の一方と対向し、前記第2群の第1ヘッドはその少なくとも1つが前記一対の第1格子部の他方と対向するパターン形成装置。 - 物体上にパターンを形成するパターン形成装置であって、
前記物体を保持して第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動するとともに、前記第1軸に平行な方向を周期方向とする格子を有する第1グレーティングと、前記第2軸に平行な方向を周期方向とする格子を有する第2グレーティングとがその一面に設けられた移動体と;
前記物体上のマークを検出する少なくとも1つのマーク検出系と;
前記第2軸に平行な方向に関して位置が異なる複数の第1ヘッドを有し、前記第1グレーティングと対向する第1ヘッドによって前記移動体の前記第1軸に平行な方向の位置情報を計測する第1軸エンコーダと、前記第1軸に平行な方向に関して位置が異なる複数の第2ヘッドを有し、前記第2グレーティングと対向する第2ヘッドによって前記移動体の前記第2軸に平行な方向の位置情報を計測する第2軸エンコーダと、を有する計測装置と;
前記計測装置による計測値に基づいて前記移動体の位置を制御しつつ、前記物体上のマークを前記マーク検出系を用いて検出する制御装置と;を備えるパターン形成装置。 - 請求項17に記載のパターン形成装置において、
前記パターンの像を投影する光学系をさらに備え;
前記制御装置は、前記光学系による前記パターンの像の投影位置と前記マーク検出系の検出中心との位置関係を、前記移動体上の基準マークを用いて計測するときに、前記移動体の位置を、前記計測装置による計測値に基づいて制御するパターン形成装置。 - 請求項18に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記位置関係の計測動作を完了する前に、前記物体上のマークの検出動作を行うパターン形成装置。 - 請求項18に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記物体上で検出すべき複数のマークの検出動作を完了する前に、前記位置関係の計測動作を行うパターン形成装置。 - 請求項17〜20のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記マーク検出系は、固定されている第1マーク検出系と、該第1マーク検出系に対して相対的に位置調整可能な複数の第2マーク検出系とを含むパターン形成装置。 - 請求項4、5、14、15、21のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記物体上の複数のマークの配置に基づいて、前記第2マーク検出系の位置を調整する位置調整装置をさらに備えるパターン形成装置。 - 請求項4、5、14、15、21、22のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記第2マーク検出系がその回動端部に取り付けられ、前記第1軸及び第2軸に直交する第3軸に平行な軸回りに回動するアーム部材を更に備えるパターン形成装置。 - 請求項4、5、14、15、21〜23のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記第2マーク検出系を、前記位置調整がなされた後で前記マークの検出動作を開始する前までに、その位置調整された状態を維持したまま固定する保持装置をさらに備えるパターン形成装置。 - 請求項4、5、14、15、21〜24のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記第1マーク検出系に対する前記第2マーク検出系の相対的な位置の計測動作を、前記移動体上の物体に対する露光を完了してから該物体を前記移動体上から搬出し、別の物体を搬入するまでの期間に行う計測制御装置をさらに備えるパターン形成装置。 - 請求項14、15、21のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記平面内で前記移動体とは独立に移動する別の移動体と;
該別の移動体に搭載され、前記第2軸に平行な方向に離れて配置されかつ前記第1軸に平行な方向を周期方向とする一対の基準格子と、該一対の基準格子の間の領域に前記複数のマーク検出系によって同時に検出可能な複数の基準マークが形成された基準部材とをさらに備えるパターン形成装置。 - 請求項26に記載のパターン形成装置において、
前記基準部材は、前記別の移動体にキネマティックに支持されているパターン形成装置。 - 請求項26又は27に記載のパターン形成装置において、
前記複数の基準マークを前記第1、第2マーク検出系で同時に検出することにより、前記第1マーク検出系に対する前記第2マーク検出系の相対的な位置計測が行われるパターン形成装置。 - 請求項26又は27に記載のパターン形成装置において、
前記移動体と前記別の移動体は、両者が所定距離以下に近接した第1状態と、両者が離間した第2状態とに切り換え可能であり、
前記パターンの像を投影する光学系と;
前記光学系による前記パターンの像の投影位置と前記第1マーク検出系の検出中心との位置関係の計測を、前記第1状態で開始し、かつ前記第2状態で終了する制御装置と;をさらに備えるパターン形成装置。 - 請求項1〜15、21〜29のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記複数のマーク検出系によるマークの同時計測は、前記物体上の複数のマークに対するフォーカス状態を同時に変更しつつ複数回行われるパターン形成装置。 - 請求項13〜21のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記移動体上には、前記第1グレーティングが前記第2軸に平行な方向に関して所定間隔隔てて一対形成されるとともに、前記第2グレーティングが前記第1軸に平行な方向に関して所定間隔隔てて一対形成され、
前記一対の第1グレーティングにそれぞれ少なくとも1つが対向しかつ前記第2軸に平行な方向に関して位置が異なる複数の第1ヘッドを有する2つの第1軸エンコーダと、前記一対の第2グレーティングにそれぞれ少なくとも1つが対向しかつ前記第1軸に平行な方向に関して位置が異なる複数の第2ヘッドを有する2つの第2軸エンコーダとの計測値に基づいて、前記移動体の前記第1及び第2軸に平行な方向の位置情報、及び前記平面内の回転情報を計測する計測装置をさらに備えるパターン形成装置。 - 物体上にパターンを形成するパターン形成装置であって、
互いに異なる複数の位置にそれぞれマークが形成されている物体を保持して第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動する移動体と;
前記第2軸に平行な方向に関して検出領域が異なる位置に配置され、前記物体上の互いに異なる位置のマークを同時に検出する複数のマーク検出系と;を備え、
前記移動体の前記平面内での位置によって、前記複数のマーク検出系により同時検出される前記物体上のマークの個数が異なるパターン形成装置。 - 請求項32に記載のパターン形成装置において、
前記複数のマーク検出系はそれぞれ、前記移動体が前記第1軸に平行な方向に移動する動作と連動して、該各マーク検出系の検出領域内に順次配置される、前記第1軸と平行な方向に沿って配列された複数のマークを検出するパターン形成装置。 - 光学系を用いて物体上にパターンを形成するパターン形成装置であって、
前記物体を保持して第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動する移動体と;
前記物体上に形成された複数のマークを検出するマーク検出系と;
前記光学系の光学特性を調整する調整装置と;
前記物体上に前記マーク検出系で検出すべきマークが残存している段階で、それまでに前記マーク検出系で検出された前記物体上の複数のマークの検出結果に基づいて、前記光学特性を調整するよう前記調整装置を制御する制御装置と;を備えるパターン形成装置。 - 請求項34に記載のパターン形成装置において、
前記制御装置は、前記マーク検出系が前記物体上の検出すべきマークの半数を検出し終えた段階で、それらの検出結果に基づいて、前記光学特性を調整するように前記調整装置を制御するパターン形成装置。 - パターンを光学系を用いて物体上に投影するパターン形成装置であって、
前記物体を保持して第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動する移動体と;
前記移動体上に載置された前記物体上のマークを検出するマーク検出系と;
前記光学系による前記パターンの投影位置と前記マーク検出系の検出中心との位置関係を計測する動作を開始してから該動作を完了するまでの間に、前記物体上のマークの検出動作を行う制御装置と;を備えるパターン形成装置。 - パターンを光学系を用いて物体上に投影するパターン形成装置であって、
前記物体を保持して第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動する移動体と;
前記移動体上に載置された前記物体上のマークを検出するマーク検出系と;
前記物体上に形成された検出すべき複数のマークの検出動作を開始してから該動作を完了する前までに、前記光学系による前記パターンの投影位置と前記マーク検出系の検出中心との位置関係の計測動作を行う制御装置と;を備えるパターン形成装置。 - 物体上にパターンを形成するパターン形成装置であって、
前記物体を保持して第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動する第1移動体と;
前記平面内で前記第1移動体とは独立に移動する第2移動体と;
前記第1移動体上に載置された前記物体上に形成されている検出すべき複数のマークを検出するマーク検出系と;
前記第1移動体と前記第2移動体とを所定距離以下に近接させる近接状態と、該両移動体を離間させる離間状態との間で状態切り換えを行わせるように、前記両移動体を制御する制御装置と;を備え、
前記制御装置は、前記物体上に形成された検出すべき複数のマークの検出動作が開始されてから該検出動作が完了する前までに、前記状態の切り換え動作を行うパターン形成装置。 - 請求項38に記載のパターン形成装置において、
前記両移動体が前記近接状態にあるときに、前記マーク検出系による前記物体上の前記複数のマークの検出動作が開始され、
前記制御装置は、前記複数のマーク全ての検出動作が完了する前に、前記近接状態から前記離間状態となるように前記両移動体を制御するパターン形成装置。 - 物体上にパターンを形成するパターン形成装置であって、
互いに異なる複数の位置にそれぞれマークが形成されている物体を保持して第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動する移動体と;
前記物体上の互いに異なる位置のマークをそれぞれ検出する複数のマーク検出系と;
前記複数のマーク検出系と前記移動体に載置されている前記物体との間の、前記平面に垂直な前記複数のマーク検出系の光軸方向における相対位置関係を、該複数のマーク検出系間で同時に変更するフォーカス位置変更装置と;
前記フォーカス位置変更装置で前記フォーカス方向の相対位置関係を変更しつつ、前記物体上の互いに異なる位置に形成されたマークそれぞれを、各マークに対応する複数のマーク検出系を用いて同時に検出する制御装置と;を備えるパターン形成装置。 - 請求項32〜40のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記平面とほぼ平行な前記移動体の一面に、前記第1軸及び前記第2軸に平行な方向に格子が周期的に配列される第1及び第2格子部が設けられ、
前記第2軸に平行な方向に関して位置が異なる複数の第1ヘッドを有し、前記第1格子部と対向する第1ヘッドによって前記第1軸に平行な方向に関する前記移動体の位置情報を計測する第1エンコーダと、前記第1軸に平行な方向に関して位置が異なる複数の第2ヘッドを有し、前記第2格子部と対向する第2ヘッドによって前記第2軸に平行な方向に関する前記移動体の位置情報を計測する第2エンコーダとを含む計測装置をさらに備えるパターン形成装置。 - 請求項41に記載のパターン形成装置において、
前記第1及び第2格子部の少なくとも一方は、前記格子が周期的に配列される方向と直交する方向に離れて一対設けられ、
前記計測装置は、前記少なくとも一方の格子部に対応する前記第1及び第2エンコーダの少なくとも一方を一対含むパターン形成装置。 - 請求項1〜42のいずれか一項に記載のパターン形成装置において、
前記物体をエネルギビームで露光することで、前記パターンが前記物体上に形成されるパターン形成装置。 - 物体をエネルギビームで露光する露光装置であって、
前記物体を保持して所定の平面内で第1及び第2方向に可動な移動体と;
前記第2方向に関して位置が異なる複数の検出領域を有するマーク検出系と;
前記第1方向に関して前記複数の検出領域と異なる位置に検出領域を有し、前記第2方向に関して位置が異なる複数の検出点における前記物体の前記第1及び第2方向と直交する第3方向の位置情報を検出する検出装置と;を備える露光装置。 - 請求項44に記載の露光装置において、
前記検出装置はその検出領域が前記第1方向に関して前記エネルギビームの照射位置と前記マーク検出系の複数の検出領域との間に配置される露光装置。 - 請求項44又は45に記載の露光装置において、
前記マーク検出系と前記検出装置とで検出動作の少なくとも一部を並行して行うとともに、前記各検出動作時に前記移動体を前記第1方向に移動する制御装置をさらに備える露光装置。 - 請求項44〜46のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記平面とほぼ平行な前記移動体の一面に、前記第1及び第2方向に格子が周期的に配列される第1及び第2格子部が設けられ、
前記第2方向に関して位置が異なる複数の第1ヘッドを有し、前記第1格子部と対向する第1ヘッドによって前記移動体の前記第1方向の位置情報を計測する第1エンコーダと、前記第1方向に関して位置が異なる複数の第2ヘッドを有し、前記第2格子部と対向する第2ヘッドによって前記移動体の前記第2方向の位置情報を計測する第2エンコーダとを含む計測装置をさらに備える露光装置。 - 請求項47に記載の露光装置において、
前記第1及び第2格子部の少なくとも一方は、前記格子が周期的に配列される方向と直交する方向に離れて一対設けられ、
前記計測装置は、前記少なくとも一方の格子部に対応する前記第1及び第2エンコーダの少なくとも一方を一対含む露光装置。 - 請求項47又は48に記載の露光装置において、
前記マーク検出系及び/又は前記検出装置による検出動作時に、前記計測装置によって前記移動体の位置情報が計測される露光装置。 - 請求項44〜49のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記平面とほぼ平行な前記移動体の一面に、それぞれ前記第1方向に格子が周期的に配列される一対の第1格子部が設けられ、
前記第2方向に関して前記複数の検出領域を挟んで配置される一対の第1ヘッドを含む複数の第1ヘッドを有し、前記一対の第1格子部の少なくとも一方と対向する第1ヘッドによって前記移動体の前記第1方向の位置情報を計測する第1エンコーダを含む計測装置をさらに備える露光装置。 - 請求項50に記載の露光装置において、
前記移動体の一面に、前記第2方向に格子が周期的に配列される第2格子部が設けられ、
前記計測装置は、前記第1方向に関して位置が異なる複数の第2ヘッドを有し、前記第2格子部と対向する第2ヘッドによって前記移動体の前記第2方向の位置情報を計測する第2エンコーダを含む露光装置。 - 物体をエネルギビームで露光する露光装置であって、
前記物体を保持して所定の平面内で第1及び第2方向に可動であり、かつ前記平面とほぼ平行な一面にそれぞれ前記第1方向に格子が周期的に配列される一対の第1格子部が設けられる移動体と;
前記第2方向に関して位置が異なる複数の検出領域を有するマーク検出系と;
前記第2方向に関して前記複数の検出領域を挟んで配置される一対の第1ヘッドを含む複数の第1ヘッドを有し、前記一対の第1格子部の少なくとも一方と対向する第1ヘッドによって前記移動体の前記第1方向の位置情報を計測する第1エンコーダを含む計測装置と;を備える露光装置。 - 請求項52に記載の露光装置において、
前記移動体の一面に、前記第2方向に格子が周期的に配列される第2格子部が設けられ、
前記計測装置は、前記第1方向に関して位置が異なる複数の第2ヘッドを有し、前記第2格子部と対向する第2ヘッドによって前記移動体の前記第2方向の位置情報を計測する第2エンコーダを含む露光装置。 - 請求項52又は53に記載の露光装置において、
前記マーク検出系による検出動作時に、前記計測装置によって前記移動体の位置情報が計測される露光装置。 - 請求項50〜54のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記複数の第1ヘッドは、前記第1方向に関して前記一対の第1ヘッドと位置が異なるとともに、それぞれ前記第2方向に関して位置が異なる第1及び第2群の第1ヘッドを含み、前記第1群の第1ヘッドはその少なくとも1つが前記一対の第1格子部の一方と対向し、前記第2群の第1ヘッドはその少なくとも1つが前記一対の第1格子部の他方と対向する露光装置。 - 請求項55に記載の露光装置において、
前記第1及び第2群の第1ヘッドは、前記第2方向に関して前記エネルギビームの照射位置を挟んで配置される露光装置。 - 請求項50〜56のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第2方向に離れて配置される一対の基準格子と、前記一対の基準格子の間に配置される複数の基準マークとを有する基準部材が一面に設けられる、前記移動体とは別の移動体をさらに備え、
前記一対の第1ヘッドによる前記一対の基準格子の検出、及び前記マーク検出系による前記複数の基準マークの検出が同時に実行可能である露光装置。 - 請求項47〜57のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記計測装置は、前記移動体の位置情報を計測する干渉計を含み、前記干渉計による前記移動体の位置情報の計測方向は、前記エンコーダによる前記移動体の位置情報の計測方向と異なる方向を含む露光装置。 - 請求項58に記載の露光装置において、
前記干渉計は、前記平面内の方向と異なる方向に関して前記移動体の位置情報を計測する露光装置。 - 請求項58又は59に記載の露光装置において、
前記干渉計は、前記エンコーダによる前記移動体の位置情報の少なくとも1つの計測方向に関して前記移動体の位置情報を計測する露光装置。 - 請求項47〜60のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記計測装置は、前記移動体の位置情報を計測する干渉計を含み、
前記干渉計によって計測される位置情報を含む前記計測装置の計測情報に基づいて前記移動体の移動を制御する制御装置をさらに備える露光装置。 - 請求項61に記載の露光装置において、
前記計測情報は、前記エンコーダによる前記移動体の位置情報の計測方向と異なる方向に関する、前記干渉計による前記移動体の位置情報を含む露光装置。 - 請求項44〜62のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記物体が対向して配置され、前記エネルギビームを射出する光学部材と、
前記移動体とは別の移動体と、
前記光学部材と前記物体の間を液体で満たして液浸領域を形成する液浸システムと、をさらに備え、
前記液浸領域は、前記移動体との交換で前記光学部材と対向して配置される前記別の移動体の一面との間に維持される露光装置。 - 請求項63に記載の露光装置において、
前記複数の検出領域と前記液浸領域とは前記第1方向に離れて配置され、前記移動体の一面と前記別の移動体の一面との間で液浸領域を移動する露光装置。 - 請求項44〜64のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記エネルギビームによる前記物体の露光動作時に、前記計測装置によって前記移動体の位置情報が計測される露光装置。 - 請求項44〜65のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、少なくとも前記第2方向に関して前記複数の検出領域の相対位置が可変である露光装置。 - 請求項66に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記検出領域を奇数個有し、前記奇数個の検出領域のうち、前記第2方向に関して中央に配置される検出領域を除く少なくとも1つが前記第2方向に可動である露光装置。 - 請求項66又は67に記載の露光装置において、
前記マーク検出系の一部を移動して、前記複数の検出領域の少なくとも1つの位置を調整する位置調整装置をさらに備える露光装置。 - 請求項44〜68のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記物体上で前記第1方向に関して位置が異なる複数群のマークを、前記移動体を前記第1方向に移動して前記群毎に前記マーク検出系で検出する制御装置をさらに備え、前記複数群のマークのうち少なくとも1群のマークは、前記第2方向に関して位置が異なる複数のマークを含む露光装置。 - 請求項44〜69のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記移動体を前記第1方向に移動して、前記物体上で前記第1方向の位置が異なるマークを前記マーク検出系で検出するとともに、前記物体の前記第1方向の位置によって、前記マーク検出系で検出するマークの個数が異なる露光装置。 - 物体をエネルギビームで露光する露光装置であって、
前記物体を保持して所定の平面内で第1及び第2方向に可動な移動体と;
前記第2方向に関して位置が異なる検出領域を有し、前記物体上の複数のマークを同時に検出可能なマーク検出系と;を備え、
前記移動体を前記第1方向に移動して、前記物体上で前記第1方向の位置が異なるマークを前記マーク検出系で検出するとともに、前記物体の前記第1方向の位置によって、前記マーク検出系で検出するマークの個数が異なる露光装置。 - 請求項70又は71に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記第1方向に移動される前記物体上で前記第2方向の位置がほぼ同一の複数のマークを、前記複数の検出領域の1つで検出する露光装置。 - 請求項70〜72のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記第1方向に移動される前記物体上での前記マークの前記第2方向の位置に応じて、前記複数の検出領域の前記第2方向の相対位置が調整される露光装置。 - 物体をエネルギビームで露光する露光装置であって、
前記物体を保持して所定の平面内で第1及び第2方向に可動であるとともに、前記平面とほぼ平行な一面に格子が周期的に配列される格子部が設けられる移動体と;
前記物体上のマークを検出するマーク検出系と;
前記格子の配列方向と交差する方向に関して位置が異なる複数のヘッドを有し、前記マークの検出動作時に前記格子部と対向するヘッドによって前記配列方向に関する前記移動体の位置情報を計測するエンコーダを有する計測装置と;を備える露光装置。 - 請求項74に記載の露光装置において、
前記格子部は、前記第1及び第2方向に前記格子が周期的に配置される第1及び第2格子部を含み、前記エンコーダは、前記第2方向に関して位置が異なる複数の第1ヘッドを有し、前記第1格子部と対向する第1ヘッドによって前記移動体の前記第1方向の位置情報を計測する第1エンコーダと、前記第1方向に関して位置が異なる複数の第2ヘッドを有し、前記第2格子部と対向する第2ヘッドによって前記移動体の前記第2方向の位置情報を計測する第2エンコーダとを含む露光装置。 - 請求項75に記載の露光装置において、
前記第1格子部及び第2格子部の少なくとも一方に起因して生じる前記エンコーダの計測誤差を補正する補正装置をさらに備える露光装置。 - 請求項44〜76のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記エネルギビームで照明されるパターンを前記物体上に投影する光学系と、
前記光学系の光学特性を調整する調整装置と、
前記マーク検出系による前記物体上の複数のマークの検出動作の途中で、前記マーク検出系で検出された前記複数のマークの一部の検出結果に基づいて前記調整装置を制御する制御装置と、をさらに備える露光装置。 - 光学系を介して物体をエネルギビームで露光する露光装置であって、
前記物体を保持して所定の平面内で第1及び第2方向に可動な移動体と;
前記物体上のマークを検出するマーク検出系と;
前記光学系の光学特性を調整する調整装置と;
前記マーク検出系による前記物体上の複数のマークの検出動作の途中で、前記マーク検出系で検出された前記複数のマークの一部の検出結果に基づいて前記調整装置を制御する制御装置と;を備える露光装置。 - 請求項44〜76のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記エネルギビームで照明されるパターンを前記物体上に投影する光学系と、
前記パターンの投影位置と前記マーク検出系の検出中心との位置関係の計測動作、及び前記マーク検出系によるマークの検出動作の一方を、他方の動作の少なくとも一部と並行して行う制御装置と、をさらに備える露光装置。 - エネルギビームで照明されるパターンで光学系を介して物体を露光する露光装置であって、
前記物体を保持して所定の平面内で第1及び第2方向に可動な移動体と;
前記物体上のマークを検出するマーク検出系と;
前記パターンの投影位置と前記マーク検出系の検出中心との位置関係の計測動作、及び前記マーク検出系によるマークの検出動作の一方を、他方の動作の少なくとも一部と並行して行う制御装置と;を備える露光装置。 - 請求項79又は80に記載の露光装置において、
前記制御装置は、前記位置関係の計測動作中に前記マークの検出動作を行う露光装置。 - 請求項79又は80に記載の露光装置において、
前記制御装置は、前記マークの検出動作中に前記位置関係の計測動作を行う露光装置。 - 請求項44〜82のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記移動体とは別の移動体をさらに備え、
前記移動体と前記別の移動体とを所定距離以下に近接させる第1状態と、前記両移動体を離間させる第2状態とを設定可能であり、前記マーク検出系によるマークの検出動作中に前記第1及び第2状態の切り換えを行う露光装置。 - 物体をエネルギビームで露光する露光装置であって、
前記物体を保持して所定の平面内で第1及び第2方向に可動な移動体と;
前記物体上のマークを検出するマーク検出系と;
前記移動体と該移動体とは異なる別の移動体とを所定距離以下に近接させる第1状態と、前記両移動体を離間させる第2状態とを設定可能であり、前記マーク検出系によるマークの検出動作中に前記第1及び第2状態の切り換えを行う制御装置と;を備える露光装置。 - 請求項83又は84に記載の露光装置において、
前記マークの検出動作は、前記両移動体が前記第1状態にあるときに開始され、前記制御装置は、前記マークの検出動作中に前記第1状態を前記第2状態に切り換える露光装置。 - 所定の平面内で第1及び第2方向に可動な移動体に保持された物体をエネルギビームで露光する露光装置であって、
前記第2方向に関して位置が異なる複数の検出領域を有するマーク検出系と;
前記マーク検出系によって同時に検出可能な複数の基準マークが形成され、前記エネルギビームの照射位置を挟んで、前記第1方向に関して前記複数の検出領域とは反対側から、前記複数の検出領域の位置まで移動可能な基準部材と;を備える露光装置。 - 請求項86に記載の露光装置において、
前記基準部材は、前記移動体又は該基準部材とは独立して前記平面内で移動する別の移動体に取付けられている露光装置。 - 請求項44〜87のいずれか一項に記載の露光装置を用いて物体を露光することと、
前記露光された物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 物体上のマークを検出するマーク検出装置であって、
第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動するとともに、前記第1軸に平行な方向を周期方向とする格子を有する第1グレーティングと、前記第2軸に平行な方向を周期方向とする格子を有する第2グレーティングとがその一面に設けられた移動体上に載置された物体上のマークを検出するマーク検出系と;
前記第2軸に平行な方向に関して位置が異なる複数の第1ヘッドを有し、前記第1グレーティングと対向する第1ヘッドによって前記移動体の前記第1軸に平行な方向の位置情報を計測する第1軸エンコーダと、前記第1軸に平行な方向に関して位置が異なる複数の第2ヘッドを有し、前記第2グレーティングと対向する第2ヘッドによって前記移動体の前記第2軸に平行な方向の位置情報を計測する第2軸エンコーダと、を有する計測装置と;
前記計測装置による計測値に基づいて前記移動体の位置を制御しつつ、前記物体上のマークを前記マーク検出系を用いて検出する制御装置と;を備えるマーク検出装置。 - 物体上のマークを検出するマーク検出装置であって、
互いに異なる複数の位置にそれぞれマークが形成されている物体を保持して第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動する移動体と;
前記第2軸に平行な方向に関して位置が異なる検出領域を有し、前記物体上の互いに異なる位置のマークを同時に検出可能な複数のマーク検出系と;を備え、
前記物体を載置した前記移動体の前記平面内での位置によって、前記複数のマーク検出系により同時検出される前記物体上のマークの個数が異なるマーク検出装置。 - 物体上のマークを検出するマーク検出装置であって、
互いに異なる複数の位置にそれぞれマークが形成されている物体を保持して第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動する移動体と;
前記物体上の互いに異なる位置のマークをそれぞれ検出する複数のマーク検出系と;
前記複数のマーク検出系と前記移動体に載置されている前記物体との間の、前記平面に垂直な前記複数のマーク検出系の光軸方向における相対位置関係を、該複数のマーク検出系間で同時に変更するフォーカス位置変更装置と;
前記フォーカス位置変更装置で前記フォーカス方向の相対位置関係を変更しつつ、前記物体上の互いに異なる位置に形成されたマークそれぞれを、各マークに対応する複数のマーク検出系を用いて同時に検出する制御装置と;を備えるマーク検出装置。 - 物体上にパターンを形成するパターン形成方法であって、
第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動するとともに、前記第1軸に平行な方向を周期方向とする格子を有する第1グレーティングと、前記第2軸に平行な方向を周期方向とする格子を有する第2グレーティングとがその一面に設けられた移動体上に載置された物体上のマークを、マーク検出系を用いて検出する検出工程を含み、
前記検出工程では、前記マークの検出に際して、前記第2軸に平行な方向に関して位置が異なる複数の第1ヘッドを有し、前記第1グレーティングと対向する第1ヘッドによって前記移動体の前記第1軸に平行な方向の位置情報を計測する第1軸エンコーダと、前記第1軸に平行な方向に関して位置が異なる複数の第2ヘッドを有し、前記第2グレーティングと対向する第2ヘッドによって前記移動体の前記第2軸に平行な方向の位置情報を計測する第2軸エンコーダと、を有する計測装置による計測値に基づいて、前記移動体の位置を制御するパターン形成方法。 - 請求項92に記載のパターン形成方法において、
前記パターンの光学系による投影位置と前記マーク検出系の検出中心との位置関係を、前記移動体上に形成された基準マークを用いて計測する計測工程をさらに含み、
前記計測工程では、前記位置関係を計測するときに、前記移動体の位置を、前記計測装置による計測値に基づいて制御するパターン形成方法。 - 物体上にパターンを形成するパターン形成方法であって、
第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動する移動体上に、互いに異なる複数の位置にそれぞれマークが形成されている前記物体を載置する工程と;
前記第2軸に平行な方向に関して検出領域が異なる位置に配置された複数のマーク検出系を用いて、前記物体上の互いに異なる位置のマークを同時に検出する工程と;を含み、
前記移動体の前記平面内での位置によって、前記複数のマーク検出系により同時検出される前記物体上のマークの個数が異なるパターン形成方法。 - 光学系を用いて物体上にパターンを形成するパターン形成方法であって、
第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動する移動体上に、前記物体を載置する工程と;
前記物体上に形成された複数のマークを、マーク検出系を用いて検出する工程と;
前記物体上に前記マーク検出系で検出すべきマークが残存している段階で、それまでに前記マーク検出系で検出された前記物体上の複数のマークの検出結果に基づいて、前記光学系の光学特性を調整する工程と;を含むパターン形成方法。 - パターンを光学系を用いて物体上に投影するパターン形成方法であって、
第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動する移動体上に、前記物体を載置する工程と;
前記光学系による前記パターンの投影位置と前記マーク検出系の検出中心との位置関係を計測する動作を開始してから該動作を完了するまでの間に、前記物体上のマークの検出動作を行う工程と;を含むパターン形成方法。 - パターンを光学系を用いて物体上に投影するパターン形成方法であって、
第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動する移動体上に、前記物体を載置する工程と;
前記移動体上に載置された前記物体上に形成された検出すべき複数のマークをマーク検出系を用いて検出する動作を開始してから該動作を完了する前までに、前記光学系による前記パターンの投影位置と前記マーク検出系の検出中心との位置関係の計測動作を行う工程と;を含むパターン形成方法。 - 物体上にパターンを形成するパターン形成方法であって、
第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動する第1移動体上に、前記物体を載置する工程と;
前記第1移動体と前記平面内で前記第1移動体とは独立に移動する第2移動体とが所定距離以下に近接する近接状態にあるときに、前記第1移動体上に載置された前記物体上に形成されている検出すべき複数のマークのマーク検出系による検出動作を開始し、前記複数のマークの全ての検出動作を完了する前に、前記近接状態から前記両移動体が相互に離間する離間状態に状態切り換えが行われるように該両移動体を制御する工程と;を含むパターン形成方法。 - 物体上にパターンを形成するパターン形成方法であって、
第1軸及びこれと交差する第2軸を含む所定の平面内で移動する移動体上に、互いに異なる複数の位置にそれぞれマークが形成されている前記物体を載置する工程と;
複数のマーク検出系と前記移動体に載置されている前記物体との間の、前記平面に垂直な前記複数のマーク検出系の光軸方向における相対位置関係を、該複数のマーク検出系間で同時に変更しつつ、前記物体上の互いに異なる位置に形成されたマークそれぞれを、各マークに対応する複数のマーク検出系を個別に用いて、同時に計測する工程と;を含むパターン形成方法。 - 請求項92〜99のいずれか一項に記載のパターン形成方法において、
前記物体をエネルギビームで露光して、前記パターンを前記物体上に形成する工程をさらに含むパターン形成方法。 - 請求項92〜100のいずれか一項に記載のパターン形成方法を用いて、物体上にパターンを形成する工程と;
該パターンが形成された物体に処理を施す工程と;を含むデバイス製造方法。 - 物体をエネルギビームで露光する露光方法であって、
前記物体を所定の平面内で第1及び第2方向に可動な移動体上に載置する第1工程と;
前記第2方向に関して位置が異なる複数の検出領域を有するマーク検出系を用いて前記物体上のマークを検出する第2工程と;
前記第1方向に関して前記複数の検出領域と異なる位置に検出領域を有し、前記第2方向に関して位置が異なる複数の検出点を有する検出装置を用いて、前記物体の前記第1及び第2方向と直交する第3方向の位置情報を検出する第3工程と;を含む露光方法。 - 請求項102に記載の露光方法において、
前記検出装置はその検出領域が前記第1方向に関して前記エネルギビームの照射位置と前記マーク検出系の複数の検出領域との間に配置される露光方法。 - 請求項102又は103に記載の露光方法において、
前記第2、第3工程における検出処理は、少なくとも一部並行して行われ、前記各検出動作時に前記移動体を前記第1方向に移動する露光方法。 - 請求項102〜104のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記平面とほぼ平行な前記移動体の一面に、前記第1及び第2方向に格子が周期的に配列される第1及び第2格子部が設けられ、
前記第2、第3工程の少なくとも一方で、前記第2方向に関して位置が異なる複数の第1ヘッドを有する第1エンコーダと、前記第1方向に関して位置が異なる複数の第2ヘッドを有する第2エンコーダとを有する計測装置を用い、前記第1格子部と対向する第1ヘッドによって前記移動体の前記第1方向の位置情報を計測し、前記第2格子部と対向する第2ヘッドによって前記移動体の前記第2方向の位置情報を計測する露光方法。 - 請求項105に記載の露光方法において、
前記第1及び第2格子部の少なくとも一方は、前記格子が周期的に配列される方向と直交する方向に離れて一対設けられ、
前記少なくとも一方の格子部に対応する前記第1及び第2エンコーダの少なくとも一方は一対設けられている露光方法。 - 請求項105又は106に記載の露光方法において、
前記マーク検出系及び/又は前記検出装置による検出動作時に、前記計測装置によって前記移動体の位置情報が計測される露光方法。 - 請求項102〜107のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記平面とほぼ平行な前記移動体の一面に、それぞれ前記第1方向に格子が周期的に配列される一対の第1格子部が設けられ、
前記第2、第3工程の少なくとも一方で、前記第2方向に関して前記複数の検出領域を挟んで配置される一対の第1ヘッドを含む複数の第1ヘッドを有する第1エンコーダを含む計測装置を用い、前記一対の第1格子部の少なくとも一方と対向する第1ヘッドによって前記移動体の前記第1方向の位置情報を計測する露光方法。 - 請求項108に記載の露光方法において、
前記移動体の一面に、前記第2方向に格子が周期的に配列される第2格子部が設けられ、
前記計測装置は、前記第1方向に関して位置が異なる複数の第2ヘッドを有する第2エンコーダをさらに含み、
前記第2、第3工程の少なくとも一方で、前記第2格子部と対向する第2ヘッドによって前記移動体の前記第2方向の位置情報を計測する露光方法。 - 物体をエネルギビームで露光する露光方法であって、
前記物体を所定の平面内で第1及び第2方向に可動な移動体上に載置する第1工程と;
前記第2方向に関して位置が異なる複数の検出領域を有するマーク検出系を用いて前記物体上のマークを検出する際に、前記第2方向に関して前記複数の検出領域を挟んで配置される一対の第1ヘッドを含む複数の第1ヘッドを有する第1エンコーダを含む計測装置を用い、前記移動体の前記平面とほぼ平行な一面に設けられ、それぞれ前記第1方向に格子が周期的に配列される一対の第1格子部の少なくとも一方と対向する前記第1ヘッドによって前記移動体の前記第1方向の位置情報を計測する第2工程と;を含む露光方法。 - 請求項110に記載の露光方法において、
前記計測装置は、前記第1方向に関して位置が異なる複数の第2ヘッドを有する第2エンコーダをさらに含み、
前記第2工程では、前記移動体の一面に、前記第2方向に格子が周期的に配列される第2格子部と対向する前記第2ヘッドによって前記移動体の前記第2方向の位置情報を計測する露光方法。 - 請求項108〜111のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記移動体とは別の移動体の一面に、前記第2方向に離れて配置される一対の基準格子と、前記一対の基準格子の間に配置される複数の基準マークとを有する基準部材が設けられ、
前記一対の第1ヘッドによる前記一対の基準格子の検出、及び前記マーク検出系による前記複数の基準マークの検出を同時に実行する工程をさらに含む露光方法。 - 請求項105〜112のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記エンコーダによる前記移動体の位置情報の計測方向と異なる方向を含む複数の計測方向に関して、干渉計を用いて前記移動体の位置情報をさらに計測する露光方法。 - 請求項113に記載の露光方法において、
前記エンコーダによる前記移動体の位置情報の計測方向と異なる方向は、前記平面内の方向と異なる方向を含む露光方法。 - 請求項113又は114に記載の露光方法において、
前記干渉計は、前記エンコーダによる前記移動体の位置情報の少なくとも1つの計測方向に関して前記移動体の位置情報を計測する露光方法。 - 請求項102〜115のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記エネルギビームによる前記物体の露光動作時に、前記計測装置によって前記移動体の位置情報が計測される露光方法。 - 請求項102〜116のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記物体上で前記第1方向に関して位置が異なる複数群のマークを、前記移動体を前記第1方向に移動して前記群毎に前記マーク検出系を用いて検出する露光方法。 - 請求項117に記載の露光方法において、
前記複数群のマークのうち少なくとも1群のマークは、前記第2方向に関して位置が異なる複数のマークを含む露光方法。 - 請求項102〜118のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記移動体を前記第1方向に移動して、前記物体上で前記第1方向の位置が異なるマークを前記マーク検出系で検出するとともに、前記物体の前記第1方向の位置によって、前記マーク検出系で検出するマークの個数が異なる露光方法。 - 物体をエネルギビームで露光する露光方法であって、
所定の平面内で第1及び第2方向に可動な移動体上に前記物体を載置する第1工程と;
前記移動体を前記第1方向に移動して、前記物体上で前記第1方向の位置が異なるマークを検出する際に、前記第2方向に関して位置が異なる検出領域を有するマーク検出系を用いて、前記物体の前記第1方向の位置によって、異なる個数のマークを検出する第2工程と;を含む露光方法。 - 請求項119又は120に記載の露光方法において、
前記マーク検出系は、前記第1方向に移動される前記物体上で前記第2方向の位置がほぼ同一の複数のマークを、前記複数の検出領域の1つで検出する露光方法。 - 請求項119〜121のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記マーク検出系は、前記第1方向に移動される前記物体上での前記マークの前記第2方向の位置に応じて、前記複数の検出領域の前記第2方向の相対位置が調整される露光方法。 - 物体をエネルギビームで露光する露光方法であって、
所定の平面内で第1及び第2方向に可動であるとともに、前記平面とほぼ平行な一面に格子が周期的に配列される格子部が設けられる移動体上に前記物体を載置する工程と;
前記物体上のマークを検出するマーク検出系による前記マークの検出動作時に、前記格子の配列方向と交差する方向に関して位置が異なる複数のヘッドを有するエンコーダを含む計測装置を用い、前記格子部と対向するヘッドによって前記配列方向に関する前記移動体の位置情報を計測する工程と;を含む露光方法。 - 請求項123に記載の露光方法において、
前記格子部は、前記第1及び第2方向に前記格子が周期的に配置される第1及び第2格子部を含み、
前記エンコーダは、前記第2方向に関して位置が異なる複数の第1ヘッドを有し、前記第1格子部と対向する第1ヘッドによって前記移動体の前記第1方向の位置情報を計測する第1エンコーダと、前記第1方向に関して位置が異なる複数の第2ヘッドを有し、前記第2格子部と対向する第2ヘッドによって前記移動体の前記第2方向の位置情報を計測する第2エンコーダとを含む露光方法。 - 請求項124に記載の露光方法において、
前記第1格子部及び第2格子部の少なくとも一方に起因して生じる前記エンコーダの計測誤差を補正する工程をさらに含む露光方法。 - 請求項102〜125のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記マーク検出系による前記物体上の複数のマークの検出動作の途中で、前記マーク検出系で検出された前記複数のマークの一部の検出結果に基づいて、前記エネルギビームで照明されるパターンを前記物体上に投影する光学系の光学特性を調整する工程を、さらに含む露光方法。 - 光学系を介して物体をエネルギビームで露光する露光方法であって、
所定の平面内で第1及び第2方向に可動な移動体上に前記物体を載置する工程と;
前記物体上の複数のマークの検出動作の途中で、それまでに検出された前記複数のマークの一部の検出結果に基づいて前記光学系の光学特性を調整する調整装置を制御する工程と;を含む露光方法。 - エネルギビームで照明されるパターンで光学系を介して物体を露光する露光方法であって、
所定の平面内で第1及び第2方向に可動な移動体上に前記物体を載置する第1工程と;
前記パターンの投影位置と前記物体上のマークを検出するマーク検出系の検出中心との位置関係の計測動作、及び前記マーク検出系によるマークの検出動作の一方を、他方の動作の少なくとも一部と並行して行う第2工程と;を含む露光方法。 - 請求項128に記載の露光方法において、
前記第2工程では、前記位置関係の計測動作中に前記マークの検出動作を行う露光方法。 - 請求項128に記載の露光方法において、
前記第2工程では、前記マークの検出動作中に前記位置関係の計測動作を行う露光方法。 - 請求項102〜130のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記移動体と該移動体とは別の移動体とを所定距離以下に近接させる第1状態と、前記両移動体を離間させる第2状態とを設定可能であり、
前記マーク検出系によるマークの検出動作中に前記第1及び第2状態の切り換えを行う露光方法。 - 物体をエネルギビームで露光する露光方法であって、
所定の平面内で第1及び第2方向に可動な移動体上に前記物体を載置する工程と;
前記移動体と該移動体とは別の移動体とを所定距離以下に近接させる第1状態と、前記両移動体を離間させる第2状態とを設定可能であり、
前記物体上のマークを検出するマーク検出系によるマークの検出動作中に前記第1及び第2状態の切り換えを行う工程と;を含む露光方法。 - 請求項131又は132に記載の露光方法において、
前記マークの検出動作は、前記両移動体が前記第1状態にあるときに開始され、前記マークの検出動作中に前記第1状態から前記第2状態への切り換えが行われる露光方法。 - 請求項102〜133のいずれか一項に記載の露光方法を用いて物体を露光することと、
前記露光された物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008501744A JP5195417B2 (ja) | 2006-02-21 | 2007-02-21 | パターン形成装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006044590 | 2006-02-21 | ||
JP2006044590 | 2006-02-21 | ||
JP2008501744A JP5195417B2 (ja) | 2006-02-21 | 2007-02-21 | パターン形成装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
PCT/JP2007/053229 WO2007097379A1 (ja) | 2006-02-21 | 2007-02-21 | パターン形成装置、マーク検出装置、露光装置、パターン形成方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012007335A Division JP2012119705A (ja) | 2006-02-21 | 2012-01-17 | パターン形成装置、マーク検出装置、露光装置、パターン形成方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007097379A1 true JPWO2007097379A1 (ja) | 2009-07-16 |
JP5195417B2 JP5195417B2 (ja) | 2013-05-08 |
Family
ID=38437417
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008501744A Expired - Fee Related JP5195417B2 (ja) | 2006-02-21 | 2007-02-21 | パターン形成装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2012007335A Pending JP2012119705A (ja) | 2006-02-21 | 2012-01-17 | パターン形成装置、マーク検出装置、露光装置、パターン形成方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2014124461A Expired - Fee Related JP5804302B2 (ja) | 2006-02-21 | 2014-06-17 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012007335A Pending JP2012119705A (ja) | 2006-02-21 | 2012-01-17 | パターン形成装置、マーク検出装置、露光装置、パターン形成方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2014124461A Expired - Fee Related JP5804302B2 (ja) | 2006-02-21 | 2014-06-17 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US8054472B2 (ja) |
EP (3) | EP3270226A1 (ja) |
JP (3) | JP5195417B2 (ja) |
KR (4) | KR20130057496A (ja) |
CN (4) | CN101385122B (ja) |
HK (2) | HK1152996A1 (ja) |
SG (2) | SG178791A1 (ja) |
TW (1) | TWI420248B (ja) |
WO (1) | WO2007097379A1 (ja) |
Families Citing this family (137)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ATE400576T1 (de) * | 2005-02-16 | 2008-07-15 | Basf Se | 5-alkoxyalkyl-6-alkyl-7-amino-azolopyrimidine, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung zur bekämpfung von schadpilzen sowie sie enthaltende mittel |
EP2963498B8 (en) | 2006-01-19 | 2017-07-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
EP2003680B1 (en) | 2006-02-21 | 2013-05-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
SG170010A1 (en) | 2006-02-21 | 2011-04-29 | Nikon Corp | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure appararus and method, and device manufacturing method |
CN101385122B (zh) | 2006-02-21 | 2010-12-08 | 株式会社尼康 | 图案形成装置、标记检测装置、曝光装置、图案形成方法、曝光方法及组件制造方法 |
TWI432910B (zh) * | 2006-07-14 | 2014-04-01 | 尼康股份有限公司 | 面位置檢測裝置、曝光裝置及元件製造方法 |
US20080094592A1 (en) | 2006-08-31 | 2008-04-24 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
TWI609252B (zh) | 2006-08-31 | 2017-12-21 | Nikon Corp | Moving body driving system and moving body driving method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, element manufacturing method, and determination method |
TW201738667A (zh) | 2006-08-31 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光方法及曝光裝置、以及元件製造方法 |
JP5486189B2 (ja) | 2006-09-01 | 2014-05-07 | 株式会社ニコン | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
KR101323530B1 (ko) | 2006-09-01 | 2013-10-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법 |
KR101360507B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2014-02-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 시스템, 패턴 형성 장치, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
WO2008072502A1 (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-19 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US8164736B2 (en) | 2007-05-29 | 2012-04-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
US8098362B2 (en) | 2007-05-30 | 2012-01-17 | Nikon Corporation | Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
US8194232B2 (en) | 2007-07-24 | 2012-06-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method |
US8547527B2 (en) * | 2007-07-24 | 2013-10-01 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method |
US8243257B2 (en) * | 2007-07-24 | 2012-08-14 | Nikon Corporation | Position measurement system, exposure apparatus, position measuring method, exposure method and device manufacturing method, and tool and measuring method |
US8264669B2 (en) * | 2007-07-24 | 2012-09-11 | Nikon Corporation | Movable body drive method, pattern formation method, exposure method, and device manufacturing method for maintaining position coordinate before and after switching encoder head |
US20090051895A1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-02-26 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, device manufacturing method, and processing system |
WO2009028157A1 (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-05 | Nikon Corporation | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、並びにパターン形成方法及びパターン形成装置 |
JP5158330B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2013-03-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8867022B2 (en) * | 2007-08-24 | 2014-10-21 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
JP5120691B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2013-01-16 | 株式会社ニコン | マーク検出方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US8023106B2 (en) | 2007-08-24 | 2011-09-20 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
US8218129B2 (en) | 2007-08-24 | 2012-07-10 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, measuring method, and position measurement system |
US9304412B2 (en) * | 2007-08-24 | 2016-04-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method |
US8237919B2 (en) | 2007-08-24 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads |
WO2009050675A2 (en) * | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Displacement device with precision position measurement |
US8279399B2 (en) | 2007-10-22 | 2012-10-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US9013681B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-04-21 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9256140B2 (en) | 2007-11-07 | 2016-02-09 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction |
KR101470671B1 (ko) | 2007-11-07 | 2014-12-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US8665455B2 (en) | 2007-11-08 | 2014-03-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8422015B2 (en) * | 2007-11-09 | 2013-04-16 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL1036180A1 (nl) * | 2007-11-20 | 2009-05-25 | Asml Netherlands Bv | Stage system, lithographic apparatus including such stage system, and correction method. |
US8711327B2 (en) | 2007-12-14 | 2014-04-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8269945B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-09-18 | Nikon Corporation | Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
US8237916B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
US8792079B2 (en) * | 2007-12-28 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method having encoders to measure displacement between optical member and measurement mount and between measurement mount and movable body |
TWI547769B (zh) * | 2007-12-28 | 2016-09-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, a moving body driving system, a pattern forming apparatus, and an exposure method, and an element manufacturing method |
US8451425B2 (en) | 2007-12-28 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, cleaning apparatus, and device manufacturing method |
NL1036631A1 (nl) * | 2008-03-24 | 2009-09-25 | Asml Netherlands Bv | Immersion Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method. |
US8786829B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8817236B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-08-26 | Nikon Corporation | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8228482B2 (en) * | 2008-05-13 | 2012-07-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5151852B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2013-02-27 | 株式会社ニコン | 補正情報作成方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US8508735B2 (en) | 2008-09-22 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8994923B2 (en) * | 2008-09-22 | 2015-03-31 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8325325B2 (en) | 2008-09-22 | 2012-12-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
US8902402B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8760629B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
US8773635B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
WO2010125813A1 (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | 株式会社ニコン | 露光方法及びデバイス製造方法、並びに重ね合わせ誤差計測方法 |
US8553204B2 (en) * | 2009-05-20 | 2013-10-08 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8792084B2 (en) * | 2009-05-20 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8970820B2 (en) | 2009-05-20 | 2015-03-03 | Nikon Corporation | Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8472008B2 (en) * | 2009-06-19 | 2013-06-25 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
US8294878B2 (en) | 2009-06-19 | 2012-10-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8355116B2 (en) * | 2009-06-19 | 2013-01-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8355114B2 (en) * | 2009-06-19 | 2013-01-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8446569B2 (en) * | 2009-06-19 | 2013-05-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
US20110008734A1 (en) | 2009-06-19 | 2011-01-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
EP2275871B1 (en) | 2009-07-16 | 2018-06-27 | ASML Netherlands B.V. | Position Calibration of Alignment Heads in a Multi-Head Alignment System |
US20110032495A1 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5667568B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2015-02-12 | 株式会社ニコン | 移動体装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
KR101862234B1 (ko) | 2009-08-20 | 2018-05-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 물체 처리 장치, 노광 장치와 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
US20110042874A1 (en) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | Nikon Corporation | Object processing apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
US8699001B2 (en) | 2009-08-20 | 2014-04-15 | Nikon Corporation | Object moving apparatus, object processing apparatus, exposure apparatus, object inspecting apparatus and device manufacturing method |
US8488109B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8514395B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8493547B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US20110096306A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110096318A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110102761A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
US20110096312A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110086315A1 (en) | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US20110085150A1 (en) | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US20110075120A1 (en) | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
WO2011052703A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US20110123913A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
US20110128523A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110164238A1 (en) | 2009-12-02 | 2011-07-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US8488106B2 (en) * | 2009-12-28 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8841065B2 (en) * | 2010-02-12 | 2014-09-23 | Nikon Corporation | Manufacturing method of exposure apparatus and device manufacturing method |
NL2005975A (en) | 2010-03-03 | 2011-09-06 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
US8598538B2 (en) | 2010-09-07 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, object processing device, exposure apparatus, flat-panel display manufacturing method, and device manufacturing method |
NL2007215A (en) * | 2010-09-08 | 2012-03-12 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of applying a pattern to a substrate. |
KR101683027B1 (ko) * | 2010-10-13 | 2016-12-07 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 스테이지 정렬 방법, 이 방법을 수행하기 위한 장치, 및 이 장치를 포함하는 노광 장치 |
JPWO2012081234A1 (ja) | 2010-12-14 | 2014-05-22 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP6118030B2 (ja) * | 2011-04-05 | 2017-04-19 | キヤノン株式会社 | 測定装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
KR101764169B1 (ko) * | 2011-08-19 | 2017-08-02 | 삼성전자 주식회사 | 마스크리스 노광 장치와 이를 이용한 빔 위치 계측 방법 |
US9360772B2 (en) | 2011-12-29 | 2016-06-07 | Nikon Corporation | Carrier method, exposure method, carrier system and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
CN103246172B (zh) * | 2012-02-10 | 2016-12-28 | 约翰内斯﹒海德汉博士有限公司 | 具有位置测量装置的多个扫描单元的装置 |
JP6502846B2 (ja) | 2012-06-06 | 2019-04-17 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 位置合わせ誤差を求めるための装置と方法 |
JP5992103B2 (ja) | 2012-07-30 | 2016-09-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 位置測定装置、位置測定方法、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
KR102203305B1 (ko) | 2012-10-02 | 2021-01-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
WO2014062972A1 (en) * | 2012-10-18 | 2014-04-24 | Kla-Tencor Corporation | Symmetric target design in scatterometry overlay metrology |
US9772564B2 (en) | 2012-11-12 | 2017-09-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
CN104937696B (zh) | 2012-11-20 | 2019-03-15 | 株式会社尼康 | 曝光装置、移动体装置以及器件制造方法 |
US10242903B2 (en) | 2012-11-30 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Suction device, carry-in method, carrier system and exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR20230055404A (ko) | 2012-11-30 | 2023-04-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 반송 시스템, 노광 장치, 반송 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조방법, 및 흡인 장치 |
KR102080875B1 (ko) * | 2013-01-23 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스테이지 이송 장치 및 이를 이용한 스테이지 위치 측정 방법 |
JP6229311B2 (ja) * | 2013-05-28 | 2017-11-15 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP6216460B2 (ja) | 2013-08-30 | 2017-10-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 液浸リソグラフィ装置 |
JP6109049B2 (ja) | 2013-11-29 | 2017-04-05 | キヤノン株式会社 | 処理装置、位置決め装置の制御方法、物品の製造方法 |
JP6429989B2 (ja) * | 2014-08-15 | 2018-11-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び方法 |
CN111045302B (zh) | 2014-12-24 | 2022-12-30 | 株式会社尼康 | 测量装置及方法、曝光装置及方法、以及器件制造方法 |
US20180015614A1 (en) * | 2015-02-04 | 2018-01-18 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Robot shakes automatically adjusting device and method of automatically adjusting shakes of robot |
EP3264030B1 (en) | 2015-02-23 | 2020-07-22 | Nikon Corporation | Measurement device, lithography system and exposure device, and device manufacturing method |
CN107250915B (zh) * | 2015-02-23 | 2020-03-13 | 株式会社尼康 | 测量装置、光刻系统及曝光装置、以及管理方法、重迭测量方法及组件制造方法 |
WO2016136691A1 (ja) | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 株式会社ニコン | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
JP6774031B2 (ja) | 2015-03-25 | 2020-10-21 | 株式会社ニコン | レイアウト方法、マーク検出方法、露光方法、計測装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
CN205427436U (zh) * | 2016-03-23 | 2016-08-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 显示器件的对位检测设备及曝光工艺系统 |
JP6740370B2 (ja) | 2016-05-25 | 2020-08-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
CN109478027B (zh) | 2016-05-31 | 2022-03-11 | 株式会社尼康 | 标记检测装置和标记检测方法、计测装置、曝光装置和曝光方法以及器件制造方法 |
DE112016006875B4 (de) * | 2016-06-17 | 2022-05-12 | Hitachi High-Tech Corporation | Ladungsteilchenstrahlvorrichtung sowie verfahren zum betrachten einer probe |
WO2018038071A1 (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
JP7081490B2 (ja) | 2016-09-27 | 2022-06-07 | 株式会社ニコン | レイアウト情報提供方法、レイアウト情報、決定方法、プログラム、並びに情報記録媒体 |
CN113641082B (zh) * | 2016-09-30 | 2023-10-24 | 株式会社尼康 | 移动体装置、移动方法、曝光装置、曝光方法、平板显示器的制造方法、以及器件制造方法 |
US10670977B2 (en) * | 2016-09-30 | 2020-06-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, moving method, exposure apparatus, exposure method, flat-panel display manufacturing method, and device manufacturing method |
JP6752450B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2020-09-09 | 株式会社ニコン | 移動体装置、移動方法、露光装置、露光方法、フラットパネルディスプレイの製造方法、並びにデバイス製造方法 |
JP6883655B2 (ja) * | 2017-02-03 | 2021-06-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 露光装置 |
WO2018150530A1 (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
DE102017107570A1 (de) * | 2017-04-07 | 2018-10-11 | Testo SE & Co. KGaA | Markiervorrichtung |
KR102300851B1 (ko) * | 2017-04-13 | 2021-09-13 | 엘지전자 주식회사 | 엘이디칩 전사헤드 및 이를 포함하는 엘이디칩 전사장비 |
JP7209462B2 (ja) * | 2017-10-20 | 2023-01-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6960330B2 (ja) * | 2017-12-27 | 2021-11-05 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ装置、リソグラフィ装置、および物品製造方法 |
US11011435B2 (en) * | 2018-11-20 | 2021-05-18 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Apparatus and method inspecting bonded semiconductor dice |
US11209373B2 (en) * | 2019-06-21 | 2021-12-28 | Kla Corporation | Six degree of freedom workpiece stage |
WO2021013483A1 (en) * | 2019-07-24 | 2021-01-28 | Asml Holding N.V. | On chip wafer alignment sensor |
JP7334324B2 (ja) * | 2019-07-30 | 2023-08-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | マーク測定シーケンスの判定方法、ステージ装置、及びリソグラフィ装置 |
CN113436133B (zh) * | 2020-03-23 | 2022-05-31 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆量测方法、装置及计算机可读存储介质 |
JP2023000112A (ja) * | 2021-06-17 | 2023-01-04 | キオクシア株式会社 | 計測装置および計測プログラム |
CN115091265B (zh) * | 2022-06-08 | 2024-05-28 | 安庆帝伯格茨活塞环有限公司 | 一种活塞环偏差检测设备及检测方法 |
Family Cites Families (163)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE221563C (ja) | ||||
DE224448C (ja) | ||||
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
JPS5947731A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-17 | Hitachi Ltd | 投影露光装置におけるオ−トフオ−カス機構 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPH07105323B2 (ja) | 1985-11-22 | 1995-11-13 | 株式会社日立製作所 | 露光方法 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPS63292005A (ja) | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Nikon Corp | 走り誤差補正をなした移動量検出装置 |
JPH0743245B2 (ja) * | 1987-07-03 | 1995-05-15 | キヤノン株式会社 | アライメント装置 |
US5021649A (en) | 1989-03-28 | 1991-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Relief diffraction grating encoder |
JP2814538B2 (ja) * | 1989-04-14 | 1998-10-22 | 株式会社ニコン | 位置合わせ装置及び位置合わせ方法 |
JP2784225B2 (ja) | 1989-11-28 | 1998-08-06 | 双葉電子工業株式会社 | 相対移動量測定装置 |
JP2785146B2 (ja) | 1990-02-09 | 1998-08-13 | キヤノン株式会社 | 自動焦点調整制御装置 |
DE4033556A1 (de) | 1990-10-22 | 1992-04-23 | Suess Kg Karl | Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische |
FI106559B (fi) | 1990-10-22 | 2001-02-28 | Aqualon Co | Natriumformiaattipitoisia fluidisoituja polymeerisuspensioita |
JPH04179115A (ja) | 1990-11-08 | 1992-06-25 | Nec Kyushu Ltd | 縮小投影露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
DE4219311C2 (de) | 1991-06-13 | 1996-03-07 | Sony Magnescale Inc | Verschiebungsdetektor |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JPH05129184A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JP3303386B2 (ja) | 1993-02-03 | 2002-07-22 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
JPH07190741A (ja) | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 測定誤差補正法 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH07270122A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Canon Inc | 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5751404A (en) * | 1995-07-24 | 1998-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates |
JPH0992593A (ja) * | 1995-09-21 | 1997-04-04 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH1063011A (ja) | 1996-08-14 | 1998-03-06 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び走査露光方法 |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
DE69738910D1 (de) | 1996-11-28 | 2008-09-25 | Nikon Corp | Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH10177950A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-06-30 | Nikon Corp | ステージ装置及び投影光学装置 |
WO1998028665A1 (en) | 1996-12-24 | 1998-07-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
JPH10223528A (ja) * | 1996-12-30 | 1998-08-21 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置合わせ方法 |
JPH10289943A (ja) | 1997-04-16 | 1998-10-27 | Canon Inc | ステージ装置およびデバイス製造方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JP4210871B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
CN100578876C (zh) | 1998-03-11 | 2010-01-06 | 株式会社尼康 | 紫外激光装置以及使用该紫外激光装置的曝光装置和曝光方法 |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
WO1999060361A1 (fr) | 1998-05-19 | 1999-11-25 | Nikon Corporation | Instrument et procede de mesure d'aberrations, appareil et procede de sensibilisation par projection incorporant cet instrument, et procede de fabrication de dispositifs associe |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
US6144118A (en) * | 1998-09-18 | 2000-11-07 | General Scanning, Inc. | High-speed precision positioning apparatus |
US7116401B2 (en) | 1999-03-08 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus using catoptrics in an optical sensor system, optical arrangement, method of measuring, and device manufacturing method |
TW490596B (en) | 1999-03-08 | 2002-06-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
SG124257A1 (en) | 2000-02-25 | 2006-08-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
JP2002198303A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Nikon Corp | 露光装置、光学特性計測方法、及びデバイス製造方法 |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20020042664A1 (en) * | 2000-05-31 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Evaluation method, position detection method, exposure method and device manufacturing method, and exposure apparatus |
JP2002090114A (ja) | 2000-07-10 | 2002-03-27 | Mitsutoyo Corp | 光スポット位置センサ及び変位測定装置 |
EP1182509B1 (en) | 2000-08-24 | 2009-04-08 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, calibration method thereof and device manufacturing method |
TW527526B (en) | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7561270B2 (en) | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7289212B2 (en) | 2000-08-24 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby |
AU2002218489A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-11 | Nikon Corporation | Image processing method, image processing device, detection method, detection device, exposure method and exposure system |
JP3762307B2 (ja) | 2001-02-15 | 2006-04-05 | キヤノン株式会社 | レーザ干渉干渉計システムを含む露光装置 |
US6611316B2 (en) | 2001-02-27 | 2003-08-26 | Asml Holding N.V. | Method and system for dual reticle image exposure |
JP2003022948A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Canon Inc | 投影露光装置 |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
JP2003249443A (ja) | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP3890233B2 (ja) | 2002-01-07 | 2007-03-07 | キヤノン株式会社 | 位置決めステージ装置、露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
KR100927560B1 (ko) | 2002-01-29 | 2009-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 이미지 형성 상태 조정 시스템, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 프로그램 및 정보 기록 매체 |
JP3966211B2 (ja) * | 2002-05-08 | 2007-08-29 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4168665B2 (ja) | 2002-05-22 | 2008-10-22 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
JP4214729B2 (ja) | 2002-07-25 | 2009-01-28 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 硬化性白インク組成物 |
US7362508B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-04-22 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
JP2004101362A (ja) | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Canon Inc | ステージ位置計測および位置決め装置 |
SG152898A1 (en) * | 2002-09-20 | 2009-06-29 | Asml Netherlands Bv | Alignment systems and methods for lithographic systems |
EP1408384B1 (en) | 2002-10-09 | 2006-05-17 | STMicroelectronics S.r.l. | An arrangement for controlling operation of a physical system, like for instance fuel cells in electric vehicles |
JP2004140290A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Canon Inc | ステージ装置 |
US6893629B2 (en) | 2002-10-30 | 2005-05-17 | Isp Investments Inc. | Delivery system for a tooth whitener |
EP2495613B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
EP1420300B1 (en) * | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI232357B (en) | 2002-11-12 | 2005-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101424881B (zh) | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
US7242455B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
KR20130010039A (ko) | 2002-12-10 | 2013-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4184346B2 (ja) | 2002-12-13 | 2008-11-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去 |
DE60307322T2 (de) | 2002-12-19 | 2007-10-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts |
EP3301511A1 (en) | 2003-02-26 | 2018-04-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US6950188B2 (en) * | 2003-04-23 | 2005-09-27 | International Business Machines Corporation | Wafer alignment system using parallel imaging detection |
EP2672307A3 (en) | 2003-05-06 | 2014-07-23 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US7348575B2 (en) | 2003-05-06 | 2008-03-25 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US7025498B2 (en) | 2003-05-30 | 2006-04-11 | Asml Holding N.V. | System and method of measuring thermal expansion |
JP2007501430A (ja) * | 2003-08-04 | 2007-01-25 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | Psm位置調整方法及び装置 |
EP1510870A1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4444920B2 (ja) | 2003-09-19 | 2010-03-31 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4513299B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2005114406A (ja) | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Sendai Nikon:Kk | 光学式エンコーダ |
TWI295408B (en) | 2003-10-22 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method, and measurement system |
WO2005059617A2 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7102729B2 (en) | 2004-02-03 | 2006-09-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method |
JP2005229111A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Assembleon Nv | 基体上の少なくとも1つの部品配置位置を推定する方法及びかかる方法を実施する装置 |
JP4429037B2 (ja) | 2004-02-27 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | ステージ装置及びその制御方法 |
US7215431B2 (en) * | 2004-03-04 | 2007-05-08 | Therma-Wave, Inc. | Systems and methods for immersion metrology |
JP2005268608A (ja) | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ステージ装置 |
US20070247640A1 (en) | 2004-03-30 | 2007-10-25 | Nikon Corporation | Exposure Apparatus, Exposure Method and Device Manufacturing Method, and Surface Shape Detection Unit |
TWI271602B (en) | 2004-03-31 | 2007-01-21 | Fujifilm Corp | A correcting method and an exposure method of exposure device, and an exposure device |
JP4322837B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2009-09-02 | 富士フイルム株式会社 | 露光装置の校正方法及び露光方法並びに露光装置 |
JP4751032B2 (ja) * | 2004-04-22 | 2011-08-17 | 株式会社森精機製作所 | 変位検出装置 |
JP2005327993A (ja) | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Canon Inc | 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4582344B2 (ja) | 2004-05-26 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 較正方法、予測方法、露光方法、反射率較正方法及び反射率計測方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2006005197A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Canon Inc | 露光装置 |
JP4678372B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2011-04-27 | 株式会社ニコン | 管理方法及び管理システム、並びにプログラム |
KR101433491B1 (ko) * | 2004-07-12 | 2014-08-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
CN100533661C (zh) * | 2004-07-12 | 2009-08-26 | 株式会社尼康 | 曝光条件的决定方法、曝光方法及装置、组件制造方法 |
US7227613B2 (en) | 2004-07-26 | 2007-06-05 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus having double telecentric illumination |
US7256871B2 (en) | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
TW200615716A (en) | 2004-08-05 | 2006-05-16 | Nikon Corp | Stage device and exposure device |
US20060060317A1 (en) | 2004-09-20 | 2006-03-23 | International Paper Company | Method to reduce back trap offset print mottle |
EP1794650A4 (en) | 2004-09-30 | 2008-09-10 | Nikon Corp | OPTICAL PROJECTION DEVICE AND EXPOSURE DEVICE |
US7388663B2 (en) | 2004-10-28 | 2008-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Optical position assessment apparatus and method |
DE102005059617A1 (de) | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Electrolux Home Products Corporation N.V. | Laufrolle für ein Haushaltsgerät |
US20060139595A1 (en) | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness |
US7161659B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7515281B2 (en) * | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7349069B2 (en) | 2005-04-20 | 2008-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
US7405811B2 (en) | 2005-04-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
JP4410216B2 (ja) | 2005-05-24 | 2010-02-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 2ステージ・リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2007048857A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Canon Inc | 液浸露光装置および液浸露光方法 |
US7348574B2 (en) | 2005-09-02 | 2008-03-25 | Asml Netherlands, B.V. | Position measurement system and lithographic apparatus |
US7362446B2 (en) | 2005-09-15 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Position measurement unit, measurement system and lithographic apparatus comprising such position measurement unit |
JP2007093546A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nikon Corp | エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置 |
US7978339B2 (en) | 2005-10-04 | 2011-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus temperature compensation |
DE102005059618A1 (de) | 2005-12-12 | 2007-06-14 | Focke & Co.(Gmbh & Co. Kg) | Verfahren und Vorrichtung zum Einhüllen von Packungen |
EP2963498B8 (en) | 2006-01-19 | 2017-07-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
EP2003680B1 (en) * | 2006-02-21 | 2013-05-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
JPWO2007097350A1 (ja) * | 2006-02-21 | 2009-07-16 | 株式会社ニコン | 位置計測装置及び位置計測方法、移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及びパターン形成方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
CN101385122B (zh) | 2006-02-21 | 2010-12-08 | 株式会社尼康 | 图案形成装置、标记检测装置、曝光装置、图案形成方法、曝光方法及组件制造方法 |
SG170010A1 (en) | 2006-02-21 | 2011-04-29 | Nikon Corp | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure appararus and method, and device manufacturing method |
US7602489B2 (en) | 2006-02-22 | 2009-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7253875B1 (en) | 2006-03-03 | 2007-08-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7636165B2 (en) | 2006-03-21 | 2009-12-22 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement systems lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7483120B2 (en) | 2006-05-09 | 2009-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method |
KR101323530B1 (ko) * | 2006-09-01 | 2013-10-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법 |
US7619207B2 (en) | 2006-11-08 | 2009-11-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7903866B2 (en) | 2007-03-29 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object |
US7710540B2 (en) | 2007-04-05 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8773635B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8599359B2 (en) * | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
-
2007
- 2007-02-21 CN CN2007800051552A patent/CN101385122B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-21 KR KR1020137011449A patent/KR20130057496A/ko active Application Filing
- 2007-02-21 EP EP17186831.8A patent/EP3270226A1/en not_active Withdrawn
- 2007-02-21 KR KR1020087020657A patent/KR101356270B1/ko active IP Right Grant
- 2007-02-21 KR KR1020137011450A patent/KR101342765B1/ko active IP Right Grant
- 2007-02-21 CN CN2010105060551A patent/CN101980085B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-21 JP JP2008501744A patent/JP5195417B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-21 EP EP07714729.6A patent/EP2003679B1/en not_active Not-in-force
- 2007-02-21 US US11/708,533 patent/US8054472B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-21 KR KR1020137030975A patent/KR101495471B1/ko active IP Right Grant
- 2007-02-21 SG SG2012010542A patent/SG178791A1/en unknown
- 2007-02-21 WO PCT/JP2007/053229 patent/WO2007097379A1/ja active Application Filing
- 2007-02-21 EP EP16181658.2A patent/EP3115844B1/en not_active Not-in-force
- 2007-02-21 SG SG201101219-2A patent/SG170011A1/en unknown
- 2007-02-21 CN CN2010105057328A patent/CN101980084B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-21 CN CN2010105057351A patent/CN101986209B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-26 TW TW096106386A patent/TWI420248B/zh not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-07-06 HK HK11106945.0A patent/HK1152996A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2011-09-20 US US13/137,870 patent/US8854632B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-01-17 JP JP2012007335A patent/JP2012119705A/ja active Pending
-
2014
- 2014-06-03 US US14/294,629 patent/US9423705B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-17 JP JP2014124461A patent/JP5804302B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-07-06 US US15/202,905 patent/US9857697B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-08-16 US US15/678,660 patent/US10234773B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-03-02 HK HK18103027.1A patent/HK1243498A1/zh unknown
-
2019
- 2019-01-28 US US16/259,269 patent/US10409173B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5804302B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP5669032B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP5115859B2 (ja) | パターン形成装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP6429050B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091020 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130121 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5195417 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |