CN118280908A - 搬送系统、曝光装置及搬送方法 - Google Patents

Abstract

提供一种搬送系统、曝光装置及搬送方法。搬送系统具有：晶片载台(WST)，其保持所载置的晶片(W)，并且能够沿着XY平面移动；吸盘单元(153)，其在规定位置的上方，从上方以非接触的方式保持晶片，且能够上下移动；和多个上下移动销(140)，其在晶片载台(WST)位于上述规定位置时，在晶片载台(WST)上能够从下方支承由吸盘单元(153)保持的晶片，且能够上下移动。并且，通过Z位置检测系统(146)来测定晶片(W)的平坦度，并基于该测定结果来独立地驱动将晶片(W)保持(支承)的吸盘单元(153)和上下移动销(140)。

Description

搬送系统、曝光装置及搬送方法

本申请是提交日为2021年03月04日、申请号为202110238869.X、发明名称为“搬送系统”的发明专利申请的分案申请，是针对该发明专利申请的第一次审查意见通知书中指出的单一性问题而提交的分案申请，该发明专利申请是针对国际申请日为2013年11月27日、国际申请号为PCT/JP2013/081852、进入中国国家阶段的国家申请号为201380071862.7、发明名称为“搬送系统、曝光装置、搬送方法、曝光方法及器件制造方法、以及吸引装置”的发明申请的分案申请的再次提出的分案申请。

技术领域

本发明涉及搬送系统、曝光装置、搬送方法、曝光方法及器件制造方法、以及吸引装置，尤其涉及搬送板状物体的搬送系统、具有该搬送系统的曝光装置、将板状物体搬送到移动体上的搬送方法、使用该搬送方法的曝光方法、使用上述曝光装置或曝光方法的器件制造方法、以及吸引板状物体的吸引装置。

背景技术

以往，在制造半导体元件(集成电路等)、液晶显示元件等电子器件(微型器件)的光刻工序中，主要使用步进重复(step and repeat)方式的投影曝光装置(所谓步进曝光装置(stepper))、或步进扫描(step and scan)方式的投影曝光装置(所谓扫描步进曝光装置(也被称为扫描仪))等。

在这种曝光装置中使用的、成为曝光对象的晶片或玻璃板等基板正逐渐(例如晶片的情况下为每10年)变得大型化。虽然当前直径300mm的300毫米晶片成为主流，但直径450mm的450毫米晶片时代的到来已迫近。当过渡到450毫米晶片时，可从1片晶片取出的裸片(芯片)的数量将成为现行300毫米晶片的2倍以上，有助于成本削减。

但是，由于晶片的厚度并没有与其尺寸成比例地增大，所以450毫米晶片与300毫米晶片相比，强度及刚性较弱。因此，例如即使受理一个晶片的搬送，若直接采用与当前的300毫米晶片相同的手段方法，则可想到存在晶片产生应变而对曝光精度造成不良影响的可能。因此，作为晶片的搬送方法，提出一种即使是450毫米晶片也能够采用的搬送(搬入)方法，该方法中，通过具有伯努利吸盘等的搬送部件从上方以非接触的方式吸引晶片，保持平坦度(平面度)，将其搬送到晶片保持器(保持装置)中(例如参照专利文献1)。

但是，作为晶片的朝向晶片载台(晶片保持器)上的搬送方法，在采用上述的通过搬送部件而进行的从上方的非接触方式的吸引的情况下，可能产生难以基于计测结果进行修正的、无法容许的水准的、晶片在水平面内的位置偏差(旋转偏差)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2010/0297562号说明书

发明内容

作为消除上述晶片的由于通过搬送部件从上方非接触吸引而导致的不良情况的方法，可以想到边通过伯努利吸盘等吸引部件来从上方以非接触的方式吸引晶片，边从下方以支承部件(例如晶片载台上的上下移动销)来支承该晶片。然而，根据发明人的实验等的结果，判明如下：在进行晶片的从上方的非接触吸引和从下方的支承并进行晶片朝向晶片载台上的装载的情况下，存在因该装载时的吸引部件与支承部件的驱动速度差而导致即使是300毫米晶片也会产生无法容许的水准的应变的情况。

根据本发明的第1方式，提供一种搬送系统，将板状的物体搬送到设有物体载置部的物体载置部件上，具有：吸引部件，其具有与上述物体相对的相对部，在该相对部与上述物体之间形成气流而产生对上述物体的吸引力；计测装置，其求出与由上述吸引部件吸引的上述物体的形状相关的信息；驱动装置，其使上述吸引部件相对于上述物体载置部沿接近或分离的上下方向相对移动；和控制装置，其使用上述计测装置所求出的上述信息，以使上述物体以规定形状载置到上述物体载置部上的方式，控制上述吸引部件和上述驱动装置中的至少一方。

由此，能够将物体在平坦度维持得高的状态下搬送到物体载置部件上。

根据本发明的第2方式，提供一种曝光装置，用于在物体上形成图案，具有：上述搬送系统；和图案生成装置，其以能量束对通过该搬送系统搬送到上述物体载置部件上的上述物体进行曝光，而形成上述图案。

根据本发明的第3方式，提供一种器件制造方法，包含以下步骤：使用上述曝光装置对物体进行曝光、和对曝光后的上述物体进行显影。

根据本发明的第4方式，提供一种搬送方法，将板状的物体搬送到物体载置部件上，包含以下步骤：在上述物体载置部件的上方，通过吸引部件从上方以非接触的方式吸引上述物体；通过驱动装置使上述吸引部件相对于上述物体载置部沿上下方向相对移动；对由上述吸引部件吸引的上述物体的多个部位，分别求出与上述上下方向上的位置相关的信息；和使用所求出的上述信息，以使上述物体以规定形状载置到上述物体载置部上的方式控制上述吸引部件和上述驱动装置中的至少一方。

由此，能够将物体在平坦度维持得较高的状态下搬送到物体载置部件上。

根据本发明的第5方式，提供一种曝光方法，包含以下步骤：通过上述搬送方法将板状的上述物体搬送到上述物体载置部件上；和在搬送后以能量束对保持在上述物体载置部件上的上述物体进行曝光，而在上述物体上形成图案。

根据本发明的第6方式，提供一种器件制造方法，包含以下步骤：通过上述曝光方法对物体进行曝光；和对曝光后的上述物体进行显影。

根据本发明的第7方式，提供一种第1吸引装置，用于吸引板状的物体，具有：吸引部件，其具有与上述物体相对的相对部，并从该相对部喷出气体而产生对上述物体的吸引力；和计测装置，其求出与由吸引部件吸引的上述物体的形状相关的信息。

根据本发明的第8方式，提供一种第2吸引装置，对板状的物体以非接触的方式作用吸引力，具有：基座部件；多个吸引部，其设在上述基座部件上，分别在上述物体周边产生气体的流动而产生对该物体的吸引力；和调整装置，其使上述物体变形，边通过因上述多个吸引部产生的上述气体的流动而产生的上述力来吸引上述物体，边通过上述调整装置使上述物体变形。

由此，能够边通过因多个吸引部产生的气体的流动而产生的吸引力来吸引物体，边通过调整装置使物体以例如能够确保所期望的水准的平坦度的方式变形。

附图说明

图1是概略地表示一个实施方式的曝光装置的结构图。

图2的(A)是图1的晶片载台的从+Z方向观察到的图(俯视)，图2的(B)是晶片载台的从-Y方向观察到的图(主视图)。

图3是将投影光学系统作为基准来表示曝光装置所具有的干涉仪、对准仪、多点AF系统等的配置的图。

图4是图1的搬入单元及晶片载台的从-Y方向观察到的图(主视图)。

图5是图4的吸盘单元的从-Z方向观察到的图。

图6是以一个实施方式的曝光装置的控制系统为中心而构成的主控制装置的输入输出关系的框图。

图7的(A)是用于说明晶片的搬入动作的图(其1)，图7的(B)是用于说明晶片的搬入动作的图(其2)，图7的(C)是用于说明晶片的搬入动作的图(其3)，图7的(D)是用于说明晶片的搬入动作的图(其4)。

图8的(A)是用于说明晶片的搬入动作的图(其5)，图8的(B)是用于说明晶片的搬入动作的图(其6)，图8的(C)是用于说明晶片的搬入动作的图(其7)，图8的(D)是用于说明晶片的搬入动作的图(其8)。

图9的(A)是用于说明晶片的搬入动作的图(其9)，图9的(B)是用于说明晶片的搬入动作的图(其10)。

图10是用于说明晶片平坦度检测系统和吸盘单元位置检测系统的结构的一个例子(变形例)的图。

图11是用于说明晶片搬入动作中的、即将将晶片载置到晶片载台上之前的动作的一个例子的图。

具体实施方式

以下基于图1～图9，说明一个实施方式。

在图1中概略地示出一个实施方式的曝光装置100的结构。该曝光装置100是步进扫描方式的投影曝光装置，即所谓扫描仪。如后所述，在本实施方式中，设有投影光学系统PL，在以下，将与该投影光学系统PL的光轴AX平行的方向作为Z轴方向，将在与其正交的面内，标线片(reticule)和晶片相对扫描的方向作为Y轴方向，将与Z轴及Y轴正交的方向作为X轴方向，将绕X轴、Y轴、及Z轴的旋转(倾斜)方向分别作为θx、θy、及θz方向来进行说明。

如图1所示，曝光装置100具有：曝光部200，其配置在曝光工位上，该曝光工位配置在基盘12上的+Y侧端部附近；计测部300，其从曝光部200向-Y侧远离规定距离地配置在计测工位上；载台装置50，其包含在基盘12上独立地在XY平面内二维移动的晶片载台WST及计测载台MST；搬入单元121，其与未图示的搬出单元及后述的晶片支承部件125一起构成搬送晶片W的搬送系统120(参照图6)；和它们的控制系统等。在此，基盘12通过防振装置(省略图示)而大致水平地(与XY平面平行地)支承在地面上。基盘12由具有平板状外形的部件构成。另外，在基盘12的内部收纳有线圈单元，该线圈单元包含构成平面电机(后述)的定子的、将XY二维方向作为行方向、列方向而呈矩阵状配置的多个线圈17。此外，在图1中，晶片载台WST位于曝光工位，在晶片载台WST(更详细而言为后述的晶片台WTB)上保持有晶片W。另外，在曝光工位附近配置有计测载台MST。

曝光部200具有照明系统10、标线片载台RST、投影单元PU及局部液浸装置8等。

例如美国专利申请公开第2003/0025890号说明书等所公开那样，照明系统10包括：光源、包含光学积分器(optical integrator)等的照度均匀化光学系统、及具有标线片遮帘(reticule blind)等(均未图示)的照明光学系统。照明系统10通过照明光(曝光用光)IL以大致均匀的照度对标线片遮帘(也被称为掩蔽系统)所设定(限制)的标线片R上的狭缝状的照明区域IAR进行照明。在此，作为照明光IL，作为一个例子而使用ArF准分子激光(波长193nm)。

在标线片载台RST上，例如通过真空吸附而固定有在其图案面(图1中的下表面)上形成有电路图案等的标线片R。标线片载台RST通过例如包含线性电机(linear motor)或平面电机等的标线片载台驱动系统11(在图1中未图示，参照图6)，能够在XY平面内进行微驱动，并且能够沿扫描方向(图1中的作为纸面内的左右方向的Y轴方向)以规定的扫描速度进行驱动。

标线片载台RST的XY平面内的位置信息(包含θz方向的旋转信息)例如通过标线片激光干涉仪(以下称为“标线片干涉仪”)13，并经由固定在标线片载台RST上的移动镜15(实际上，设有具有与Y轴方向正交的反射面的Y移动镜(或后向反射镜(retroreflector))和具有与X轴方向正交的反射面的X移动镜)，始终以例如0.25nm左右的分辨率来检测。标线片干涉仪13的计测值向主控制装置20(在图1中未图示，参照图6)发送。主控制装置20基于标线片载台RST的位置信息，并经由标线片载台驱动系统11(参照图6)来驱动标线片载台RST。此外，在本实施方式中，也可以取代上述的标线片干涉仪而使用编码器来检测标线片载台RST的XY平面内的位置信息。

投影单元PU配置在标线片载台RST的图1中的下方。投影单元PU通过水平配置在基盘12的上方的主框架BD并经由设在其外周部上的凸缘部FLG而被支承。如图1及图3所示，主框架BD由Y轴方向上的尺寸比X轴方向上的尺寸大的俯视观察时为六边形状(将矩形的两个角切下后那样的形状)的板部件构成，通过一部分包含未图示的防振装置的未图示的支承部件而支承在地面上。如图1及图3所示，以围绕主框架BD的方式配置有俯视观察时为矩形框状的框架FL。框架FL通过与支承主框架BD的支承部件不同的其他支承部件，在地面上支承于与主框架BD相同高度的位置。从在框架FL的X轴方向上离开的一对长边部的-Y侧的端部附近(与后述的装载位置LP大致相同的Y位置)，分别向下方突出设置有XZ截面为L字状的一对(左右对称的)延伸部159(参照图4)。

投影单元PU包含镜筒40、和保持在镜筒40内的投影光学系统PL。作为投影光学系统PL，例如使用由沿着与Z轴平行的光轴AX排列的多个光学元件(透镜元件)构成的折射光学系统。投影光学系统PL例如两侧远心(telecentric)，具有规定的投影倍率(例如1/4倍、1/5倍或1/8倍等)。因此，当通过来自照明系统10的照明光IL对标线片R上的照明区域IAR进行照明时，利用从图案面与投影光学系统PL的第一面(物面)大致一致地配置的标线片R通过的照明光IL，并经由投影光学系统PL(投影单元PU)而在配置于投影光学系统PL的第二面(像面)侧的、在表面涂敷有抗蚀剂(感应剂)的晶片W上的与上述照明区域IAR共轭的区域(以下也称为曝光区域)IA上，形成该照明区域IAR内的标线片R的电路图案的缩小图像(电路图案的一部分的缩小图像)。并且，通过标线片载台RST与晶片载台WST(更准确而言，是保持晶片W的后述的微动载台WFS)的同步驱动，使标线片R相对于照明区域IAR(照明光IL)向扫描方向(Y轴方向)相对移动，并且使晶片W相对于曝光区域IA(照明光IL)向扫描方向(Y轴方向)相对移动，由此对晶片W上的一个曝光(shot)区域(划分区域)进行扫描曝光，在该曝光区域内转印标线片R的图案。即，在本实施方式中，通过照明系统10及投影光学系统PL在晶片W上生成标线片R的图案，通过基于照明光IL对晶片W上的感应层(抗蚀剂层)的曝光而在晶片W上形成该图案。

局部液浸装置8是应对曝光装置100进行液浸方式的曝光而设置的。局部液浸装置8包含：液体供给装置5、液体回收装置6(在图1中均未图示，参照图6)、及喷嘴单元32等。如图1所示，喷嘴单元32以围绕镜筒40的下端部周围的方式，经由未图示的支承部件而垂挂支承在用于支承投影单元PU等的主框架BD上，其中该镜筒40保持构成投影光学系统PL的最靠近像面侧(晶片W侧)的光学元件，在此是透镜(以下也成为“前端透镜”)191。喷嘴单元32具有：液体Lq的供给口及回收口、与晶片W相对配置且设有回收口的下表面；和分别与液体供给管31A及液体回收管31B(在图1中均未图示，参照图3)连接的供给流路及回收流路。在液体供给管31A上，连接有其一端与液体供给装置5(在图1中未图示，参照图6)连接的未图示的供给管的另一端，在液体回收管31B上，连接有其一端与液体回收装置6(在图1中未图示，参照图6)连接的未图示的回收管的另一端。在本实施方式中，主控制装置20控制液体供给装置5(参照图6)，经由液体供给管31A及喷嘴单元32而向前端透镜191与晶片W之间供给液体，并且控制液体回收装置6(参照图6)，经由喷嘴单元32及液体回收管31B而从前端透镜191与晶片W之间回收液体。此时，主控制装置20以使所供给的液体量与所回收的液体量始终相等的方式，控制液体供给装置5和液体回收装置6。因此，在前端透镜191与晶片W之间，始终更换保持固定量的液体Lq(参照图1)。在本实施方式中，作为上述的液体Lq，使用ArF准分子激光(波长193nm的光)透射的纯净水。此外，纯净水相对于ArF准分子激光的折射率n为大致1.44，在纯净水中，照明光IL的波长被短波化为193nm×1/n＝约134nm。此外，在图3中，以附图标记36来表示液体Lq所形成的液浸区域。

另外，在计测载台MST位于投影单元PU下方的情况下，也能够与上述同样地在后述的计测台MTB与前端透镜191之间充满液体Lq。

在此，将说明顺序前后颠倒，先说明载台装置50。如图1所示，载台装置50具有：配置在基盘12上的晶片载台WST及计测载台MST；和包含计测这些载台WST、MST的位置信息的Y干涉仪16、19等干涉仪系统70(参照图6)等。

如从图1及图2的(B)等可知，晶片载台WST具有粗动载台WCS和微动载台WFS，该微动载台WFS以非接触状态支承在粗动载台WCS上，并能够相对于粗动载台WCS而相对移动。在此，晶片载台WST(粗动载台WCS)通过粗动载台驱动系统51A(参照图6)，向X轴及Y轴方向以规定行程进行驱动，并且向θz方向进行微驱动。另外，微动载台WFS通过微动载台驱动系统52A(参照图6)而相对于粗动载台WCS向6个自由度方向(X轴、Y轴、Z轴、θx、θy及θz各方向)进行驱动。

如图2的(B)所示，粗动载台WCS具有：长方形板状的粗动滑块部91，其在俯视观察时(从+Z方向观察时)X轴方向上的长度比Y轴方向上的长度稍长；长方形板状的一对侧壁部92a、92b，其在与YZ平面平行的状态下分别固定在粗动滑块部91的长度方向上的一端部和另一端部的上表面，且将Y轴方向作为长度方向；和一对定子部93a、93b，其朝向内侧地固定在侧壁部92a、92b各自的上表面的Y轴方向上的中央部上。此外，侧壁部92a、92b的Y轴方向上的长度也可以与定子部93a、93b大致相同。即，侧壁部92a、92b也可以仅设在粗动滑块部91的长度方向上的一端部和另一端部的上表面的Y轴方向上中央部上。

在粗动载台WCS的底面、即粗动滑块部91的底面上，与配置于基盘12的内部的线圈单元相对应地，如图2的(B)所示，设有由将XY二维方向作为行方向、列方向而呈矩阵状地配置的多个永久磁铁18构成的磁铁单元。磁铁单元与基盘12的线圈单元一起，构成粗动载台驱动系统51A，该粗动载台驱动系统51A在例如美国专利第5,196,745号说明书等中公开，由电磁力(洛伦兹力)驱动方式的平面电机构成(参照图6)。向构成线圈单元的各线圈17(参照图1)供给的电流的大小及方向通过主控制装置20来控制。

在粗动滑块部91的底面，在上述磁铁单元的周围固定有多个空气轴承94。粗动载台WCS通过多个空气轴承94，隔着规定的间隙(余隙、间隔)、例如几μm左右的间隙而悬浮支承在基盘12的上方，并通过粗动载台驱动系统51A沿X轴方向、Y轴方向及θz方向进行驱动。

此外，作为粗动载台驱动系统51A，不限于电磁力(洛伦兹力)驱动方式的平面电机，例如也能够使用可变磁阻驱动方式的平面电机。此外，也能够通过磁悬浮型的平面电机来构成粗动载台驱动系统51A，并通过该平面电机向6个自由度方向驱动粗动载台WCS。在该情况下，也可以不在粗动滑块部91的底面上设置空气轴承。

一对定子部93a、93b分别例如由外形是矩形的板状部件构成，在各自的内部，收纳有由多个线圈构成的线圈单元CUa、CUb。向构成线圈单元CUa、CUb的各线圈供给的电流的大小及方向通过主控制装置20来控制。

如图2的(B)所示，微动载台WFS例如具有：主体部81，其由俯视观察时为八边形的高度低的柱状部件构成；一对动子部82a、82b，其分别固定在主体部81的X轴方向上的一端部和另一端部；和晶片台WTB，其一体地固定在主体部81的上表面上且由俯视观察时为矩形的板状部件构成。

期望主体部81由热膨胀率与晶片台WTB相同或同程度的材料形成，期望该材料为低热膨胀率。

在此，在图2的(B)中，虽然省略了图示，但在主体部81上，设有插入到形成于晶片台WTB(及未图示的晶片保持器)的未图示的贯穿孔中、且能够上下移动的多根(例如三根)上下移动销140(参照图4)。在三根上下移动销140各自的上表面上，形成有真空排气用的排气口(未图示)。另外，三根上下移动销140各自的下端面固定在台座部件141的上表面上。三根上下移动销140分别配置在台座部件141的上表面的俯视观察时为大致正三角形的顶点的位置上。形成在三根上下移动销140各自上的排气口经由形成在上下移动销140(及台座部件141)的内部的排气管路及未图示的真空排气管而与真空泵(未图示)连通。台座部件141经由固定在下表面的中央部上的轴143而与驱动装置142连接。即，三根上下移动销140与台座部件141一体地通过驱动装置142沿上下方向被驱动。在本实施方式中，通过台座部件141、三根上下移动销140和轴143，构成能够从下方支承晶片下表面的中央部区域的一部分的晶片中心支承部件(以下，简记为中心支承部件)150。在此，三根上下移动销140(中心支承部件150)从基准位置在Z轴方向上的位移例如通过设在驱动装置142上的编码器系统等的位移传感器145(在图4中未图示，参照图6)来检测。主控制装置20基于位移传感器145的计测值，经由驱动装置142沿上下方向驱动三根上下移动销140(中心支承部件150)。

返回到图2的(B)，一对动子部82a、82b具有YZ截面为矩形框状的框体，该框体分别固定在主体部81的X轴方向上的一端面和另一端面上。以下，方便起见，对这些框体使用与动子部82a、82b相同的附图标记，记为框体82a、82b。

框体82a上形成有开口部，该开口部的Y轴方向尺寸(长度)及Z轴方向尺寸(高度)均比定子部93a稍长，且在Y轴方向上细长，YZ截面为矩形。在框体82a的开口部内以非接触的方式插入有粗动载台WCS的定子部93a的-X侧的端部。在框体82a的上壁部82a₁及底壁部82a₂的内部设有磁铁单元MUa₁、MUa₂。

动子部82b与动子部82a左右对称而同样地构成。在框体(动子部)82b的中空部内以非接触的方式插入有粗动载台WCS的定子部93b的+X侧的端部。在框体82b的上壁部82b₁及底壁部82b₂的内部设有与磁铁单元MUa₁、MUa₂同样地构成的磁铁单元MUb₁、MUb₂。

上述的线圈单元CUa、CUb以与磁铁单元MUa₁、MUa₂及MUb₁、MUb₂分别相对的方式，分别收纳在定子部93a及93b的内部。

磁铁单元MUa₁、MUa₂及MUb₁、MUb₂、以及线圈单元CUa、CUb的结构例如在美国专利申请公开第2010/0073652号说明书及美国专利申请公开第2010/0073653号说明书等中被详细地公开。

在本实施方式中，包含：上述动子部82a所具有的一对磁铁单元MUa₁、MUa₂及定子部93a所具有的线圈单元CUa；和动子部82b所具有的一对磁铁单元MUb₁、MUb₂及定子部93b所具有的线圈单元CUb，与上述美国专利申请公开第2010/0073652号说明书及美国专利申请公开第2010/0073653号说明书同样地，将微动载台WFS相对于粗动载台WCS在非接触状态下悬浮支承，并且构成以非接触的方式向6个自由度方向进行驱动的微动载台驱动系统52A(参照图6)。

此外，作为粗动载台驱动系统51A(参照图6)，在使用磁悬浮型的平面电机的情况下，由于能够通过该平面电机与粗动载台WCS一体地将微动载台WFS向Z轴、θx及θy的各方向微驱动，所以微动载台驱动系统52A也可以为能够向X轴、Y轴及θz的各方向、即XY平面内的3个自由度方向驱动微动载台WFS的结构。此外，例如也可以分别在粗动载台WCS的一对侧壁部92a、92b上，与微动载台WFS的八边形的斜边部相对地设置各一对电磁铁，并与各电磁铁相对地在微动载台WFS上设置磁性体部件。如此，由于能够通过电磁铁的磁力在XY平面内驱动微动载台WFS，所以也可以通过动子部82a、82b、定子部93a、93b来构成一对Y轴线性电机。

在晶片台WTB的上表面的中央，经由未图示的销吸盘(pinchuck)等晶片的保持部所具有的晶片保持器，并通过真空吸附等来固定晶片W。晶片保持器可以与晶片台WTB一体地形成，但在本实施方式中分别构成晶片保持器和晶片台WTB，例如通过真空吸附等将晶片保持器固定在晶片台WTB的凹部内。另外，如图2的(A)所示，在晶片台WTB的上表面上设有板(疏液板)28，该板(疏液板)28具有与载置于晶片保持器上的晶片的表面成为大致相同面的、对液体Lq进行疏液化处理的表面(疏液面)，并且，其外形(轮廓)是矩形且在其中央部上形成有比晶片保持器(晶片的载置区域)大一圈的圆形的开口。板28由低热膨胀率的材料、例如玻璃或陶瓷(例如SCHOTT公司的Zerodur(商品名)、Al₂O₃或TiC等)构成，在其表面实施对液体Lq的疏液化处理。具体而言，例如通过氟树脂材料、聚四氟乙烯(铁氟龙(注册商标))等氟类树脂材料、丙烯酸类树脂材料或硅类树脂材料等形成疏液膜。此外，板28以其表面的全部(或一部分)与晶片W的表面成为相同面的方式固定在晶片台WTB的上表面上。

在板28的+Y侧的端部附近设有计测板30。在该计测板30上，在位于晶片台WTB的中心线CL上的中央设有第1基准标记FM，并以夹着该第1基准标记FM的方式设有一对标线片对准用的第2基准标记RM。

如图2的(A)所示，在晶片台WTB上，接近晶片保持器而设有多个(例如三个)反射镜86。三个反射镜86在接近晶片保持器的-Y侧的位置(在中心线CL上一致且晶片W的缺口所相对的位置，即在俯视观察时相对于晶片W的中心为6点钟方向的位置)上配置一个，关于中心线CL对称地、在俯视观察时相对于晶片W的中心为5点钟、7点钟的方向上各配置一个。此外，在图2的(A)中，为方便图示而将反射镜86图示在晶片板的圆形开口的外侧，但实际上，配置在晶片保持器与板28的圆形开口的边界部分、板28与晶片W的间隙内。在这些反射镜86的下方设有多孔体，无法通过液体回收装置6完全回收而残留在晶片台WTB上的液体Lq经由该多孔体而回收。

对晶片台WTB的-Y端面、-X端面，分别实施镜面加工，形成图2的(A)示出的反射面17a、反射面17b。

如图3所示，计测载台MST具有载台主体60、和搭载在载台主体60上的计测台MTB。

在载台主体60的底面上，虽然未图示，但设有与基盘12的线圈单元(线圈17)一起构成计测载台驱动系统51B(图6参照)的、由多个永久磁铁构成的磁铁单元，其中计测载台驱动系统51B由电磁力(洛伦兹力)驱动方式的平面电机构成。在载台主体60的底面上，在上述磁铁单元的周围固定有多个空气轴承(未图示)。计测载台MST通过上述的空气轴承，经由规定的间隙(间隔、余隙)、例如几μm左右的间隙而悬浮支承在基盘12的上方，并通过计测载台驱动系统51B，向X轴方向及Y轴方向进行驱动。此外，也可以使计测载台MST为具有粗动载台和微动载台的结构，其中粗动载台向XY平面内的3个自由度方向进行驱动，微动载台相对于该粗动载台而在剩余的3个自由度(或6个自由度)上进行驱动。此外，在通过磁悬浮型的平面电机构成计测载台驱动系统51B的情况下，例如也可以使计测载台为可向6个自由度方向移动的单体载台。

计测台MTB由俯视观察时为矩形的部件构成。在计测台MTB上设有各种计测用部件。作为该计测用部件，例如采用具有在投影光学系统PL的像面上接收照明光IL的针孔状的受光部的照度不均传感器88、计测由投影光学系统PL投影的图案的空间像(投影像)的光强度的空间像计测器96、及波像差计测器89。作为照度不均传感器，例如能够使用与美国专利第4,465,368号说明书等所公开的照度不均传感器相同结构的照度不均传感器。另外，作为空间像计测器，例如能够使用与美国专利申请公开第2002/0041377号说明书等所公开的空间像计测器相同结构的空间像计测器。另外，作为波像差计测器，例如能够使用与国际公开第03/065428号(对应美国专利第7,230,682号说明书)说明书等所公开的波像差计测器相同结构的波像差计测器。此外，除上述各传感器以外，也可以采用例如美国专利申请公开第2002/0061469号说明书等所公开的、具有在投影光学系统PL的像面上接收照明光IL的规定面积的受光部的照度监视器。

此外，在本实施方式中计测台MTB(也可以包含上述的计测用部件)的表面也被疏液膜(疏水膜)覆盖。

对计测台MTB的+Y侧面及-X侧面分别实施镜面加工，而形成有与上述的晶片台WTB相同的反射面95a、95b。

接下来，说明计测晶片载台WST及计测载台MST的位置信息的干涉仪系统70。

干涉仪系统70(参照图6)包含计测晶片载台WST(晶片台WTB)或计测载台MST(计测台MTB)的位置信息的多个干涉仪，具体而言包含两个Y干涉仪16、19及四个X干涉仪136、137、138、139等。在本实施方式中，作为上述各干涉仪，除一部分以外，使用具有多个测长轴的多轴干涉仪。

如图1及图3所示，Y干涉仪16沿着从穿过投影光学系统PL的投影中心(光轴AX，参照图1)的与Y轴平行的直线(以下称为基准轴)LV(参照图3)以相同距离向-X侧、+X侧离开的Y轴方向上的测长轴，将测长光束B4₁、B4₂照射到晶片台WTB的反射面17a上，并接收各自的反射光。另外，Y干涉仪16在测长光束B4₁、B4₂之间在Z轴方向上隔开规定间隔并沿着与Y轴平行的测长轴(例如基准轴LV上的测长轴)朝向反射面17a照射测长光束B3，并接收反射面17a所反射的测长光束B3。

Y干涉仪19对计测台MTB的反射面95a，例如沿着从基准轴LV以相同距离向-X侧、+X侧离开的Y轴方向上的测长轴，照射两条测长光束B2₁、B2₂，并接收各自的反射光。

如图3所示，X干涉仪136沿着关于从投影光学系统PL的光轴穿过的X轴方向上的直线(基准轴)LH以相同距离离开的2轴的测长轴，将测长光束B5₁、B5₂照射到晶片台WTB的反射面17b上，并接收各自的反射光。

如图3所示，X干涉仪137沿着从后述的主要对准系统AL1的检测中心穿过的与X轴平行的直线LA，将测长光束B6照射到晶片台WTB的反射面17b上，并接收反射光。

X干涉仪138沿着从进行晶片装载的装载位置LP穿过的与X轴平行的直线LUL，将测长光束B7照射到晶片台WTB的反射面17b上，并接收反射光。

X干涉仪139对反射面95b照射与X轴平行的测长光束，并接收其反射光。

干涉仪系统70的各干涉仪的计测值(位置信息的计测结果)向主控制装置20供给(参照图6)。主控制装置20基于Y干涉仪16的计测值，求出晶片台WTB的与Y轴方向、θx方向及θz方向相关的位置信息。另外，主控制装置20基于X干涉仪136、137及138中的任何一个干涉仪的输出，求出晶片台WTB的与X轴方向相关的位置信息。此外，主控制装置20也可以基于X干涉仪136的计测值，求出晶片台WTB的与θz方向相关的位置信息。

另外，主控制装置20基于Y干涉仪19及X干涉仪139的计测值，求出计测台MTB(计测载台MST)的与X轴、Y轴、及θz方向相关的位置信息。

此外，干涉仪系统70具有从基准轴LV以相同距离向-X侧、+X侧离开地配置有一对Z干涉仪的Z干涉仪系统，该Z干涉仪将在Z轴方向上离开的一对与Y轴平行的测长光束，分别经由固定在粗动载台WCS的-Y侧的侧面上的移动镜的上下一对的反射面，照射到一对固定镜上，并接收来自该一对固定镜的经由上述反射面的回射光。主控制装置20基于该Z干涉仪系统的计测值，求出与包含Z轴、θy、θz的各方向在内的至少3个自由度方向相关的晶片载台WST的位置信息。

此外，关于干涉仪系统70的详细结构、及详细计测方法的一个例子，例如在美国专利申请公开第2008/0106722号说明书等中详细公开。

为了计测与晶片载台WST和计测载台MST的位置相关的信息，在本实施方式中使用了干涉仪系统，但也可以使用其他机构。例如，也能够使用美国专利申请公开第2010/0297562号说明书所记载的那样的编码器系统。

返回到图1，计测部300具有安装在主框架BD的下表面上的对准装置99、及其他计测系统。

对准装置99包含图3示出的五个对准系统AL1、AL2₁～AL2₄。若详细叙述，则如下：在检测中心位于从投影单元PU的中心(投影光学系统PL的光轴AX，在本实施方式中也与上述的曝光区域IA的中心一致)穿过且在基准轴LV上从光轴AX向-Y侧隔开规定距离的位置上的状态下，配置有主要对准系统AL1。隔着主要对准系统AL1，在X轴方向上的一侧和另一侧，分别设有关于基准轴LV大致对称地配置检测中心的次要对准系统AL2₁、AL2₂和AL2₃、AL2₄。即，五个对准系统AL1、AL2₁～AL2₄的检测中心沿着X轴方向配置。此外，在图1中，将五个对准系统AL1、AL2₁～AL2₄及保持它们的保持装置包含为对准装置99而示出。

作为五个对准系统AL1、AL2₁～AL2₄，分别使用例如图像处理方式的FIA(FieldImage Alignment)系统，该FIA系统将不使晶片上的抗蚀剂感光的宽频带的检测光束照射到对象标记上，并使用摄像元件(CCD等)来对通过来自该对象标记的反射光而在受光面上成像的对象标记的影像和未图示的指标(设在各对准系统内的指标板上的指标图案)的像进行拍摄，并输出这些摄像信号。来自五个对准系统AL1、AL2₁～AL2₄的摄像信号向主控制装置20供给(参照图6)。此外，对准装置99的详细结构在例如美国专利申请公开第2009/0233234号说明书中有所公开。

构成搬送系统120的一部分的搬入单元121(参照图1)用于在将曝光前的晶片装载到晶片台WTB上之前，在装载位置LP的上方保持该晶片而装载到晶片台WTB上。另外，未图示的搬出单元用于将曝光后的晶片从晶片台WTB卸载。

如图3及图4所示，搬入单元121具有：由俯视观察(从上方观察)时为圆形的板状部件构成且从上方以非接触的方式吸引晶片W的吸盘单元153；沿上下方向驱动吸盘单元153的多个、例如一对Z音圈电机144；支承吸盘单元153的自重的多个、例如一对重量抵消装置131；从下方支承被吸盘单元153吸引的晶片W的一对晶片支承部件125等。

如图4所示，吸盘单元153例如具有：俯视观察时为圆形的规定厚度的板部件(板)44；和以规定配置埋入板部件44的下表面的多个吸盘部件124。在此，板部件44兼作冷却板，在其内部设有配管等，用于通过使调温到规定温度的液体在该配管内流动来将晶片调温到规定温度。但是，板部件44并不一定需要兼作冷却板。

在本实施方式中，如作为吸盘单元153的从-Z方向观察到的仰视图的图5所示，板部件44是将圆盘状的第1部件44A、和配置在其外侧的同心圆环状的第2部件44B这两个部件一体化而构成的。但是，并不一定需要将两个部件同心地配置。另外，也并不一定需要通过两个部件来构成板部件。

在第1部件44A的下表面，在其中央点(中心点)及以此为中心的虚拟的双重同心圆上，分别在等间隔的多个(例如十九个)点上配置吸盘部件124。若详细叙述，则如下：在内侧的虚拟圆上，分别在以中心角60度为间隔的六个点上配置吸盘部件124，在外侧的虚拟圆上，分别在包含将中央的点和各个上述六个点连结的直线上的六个点在内的、以中心角30度为间隔的十二个点上，配置吸盘部件124。多个、合计十九个吸盘部件124各自的下表面在与板部件44的下表面成为相同面的状态下，埋入到板部件44的下表面中(参照图4)。此外，吸盘部件的配置并不限定于此，不一定需要等间隔地配置。

各吸盘部件124由所谓伯努利吸盘构成。众所周知，伯努利吸盘是利用伯努利效应，将喷出的流体(例如空气)的流速局部增大来吸引(以非接触的方式保持)对象物的吸盘。在此，伯努利效应是指流体的压力随流速增加而减少，在伯努利吸盘中，由吸引(保持、固定)对象物的重量、及从吸盘喷出的流体的流速来决定吸引状态(保持/悬浮状态)。即，在对象物的大小已知的情况下，根据从吸盘喷出的流体的流速，来决定吸引时的吸盘与保持对象物的间隙的尺寸。在本实施方式中，吸盘部件124用于从其气体流通孔(例如喷嘴或喷出口)等喷出气体而在晶片W的周边产生气体的流动(气流)，从而吸引晶片W。吸引力(即喷出的气体的流速等)的程度能够适当调整，通过吸盘部件124来吸引晶片W并吸附保持，由此能够限制Z轴方向、θx及θy方向上的移动。

多个(十九个)吸盘部件124通过主控制装置20并经由调整装置115(参照图6)，而控制从各个吸盘部件喷出的气体的流速、流量及喷出方向(气体的喷出方向)等中的至少一个。由此，各吸盘部件124的吸引力被单独地设定为任意值。此外，也可以使多个(十九个)吸盘部件124构成为能够按预先确定的组来设定吸引力。此外，主控制装置20也可以控制气体的温度。

如图5所示，在第1部件44A上，形成有多个宽度较窄的(细长的)贯穿孔152，该贯穿孔152分别围绕多个吸盘部件124。具体而言，多个贯穿孔152的一部分为构成分别围绕除位于外周部上的十二个吸盘部件124以外的七个吸盘部件124的六边形的各边的配置。剩余一部分的贯穿孔152为与上述一部分的贯穿孔152中的一部分一起围绕位于外周部上的十二个吸盘部件124的中心部侧半部的那样的配置。如后述那样，通过吸盘部件124吸引晶片W时，从吸盘部件124朝向晶片W喷出的流体(例如空气)经由贯穿孔152向外部(吸盘单元153的上方)放出。

在第2部件44B的内周部附近，在位于第1部件44A的外周部上的十二个吸盘部件124各自的外侧，形成有多个(例如十二个)贯穿孔154。在各贯穿孔154内设有由陶瓷的多孔体构成的多孔轴承156。多个(例如十二个)多孔轴承156分别经由配管(未图示)与例如由压缩机等构成的气体供给装置48(参照图6)连接。在基于吸盘单元153而吸引后述的晶片W时，从气体供给装置48供给的气体(例如加压空气)从各多孔轴承156向下方(朝向晶片W)喷出，防止晶片W与吸盘单元153接触。向各多孔轴承156供给的气体的压力、流量等由主控制装置20(参照图6)控制。此外，在不可能与晶片W接触的情况下，也可以不在吸盘单元153上设置多孔轴承156。

在此，关于向吸盘部件124供给的气体，供给至少将温度调节成恒定、去除了灰尘、微粒等后的洁净空气(例如压缩空气)。即，被吸盘部件124吸引的晶片W通过调温后的压缩空气而被保持为规定的温度。另外，能够将配置了晶片载台WST等的空间的温度、洁净度等保持在设定范围内。

如图4所示，在吸盘单元153的上表面的X轴方向上的两端部上，连接有在水平面(XY平面)内沿X轴方向延伸的一对支承板151各自的一端。

如图4所示，在上述的框架FL的一对延伸部159各自的上表面上，沿X轴方向排列地固定有Z音圈电机144和重量抵消装置131。在该情况下，在Z音圈电机144的内侧配置重量抵消装置131，但并不需要限定于此。

并且，通过固定在一对延伸部159各自的上表面上的重量抵消装置131和Z音圈电机144而从下方支承一对支承板151各自的另一端部。

一对Z音圈电机144分别沿上下方向以规定的行程(包含吸盘单元153开始吸引晶片W的第1位置、和将被吸盘单元153吸引的晶片W载置到晶片保持器(晶片台WTB)上的第2位置的范围)来驱动吸盘单元153。一对Z音圈电机144分别由主控制装置20控制(参照图6)。

一对重量抵消装置131分别具有活塞部件133a、和滑动自如地设有活塞部件133a的气缸133b。由活塞部件133a的活塞和气缸133b划分的气缸133b内部的空间的压力设定成与吸盘单元153的自重相应的值。活塞部件133a的活塞杆部的上端与支承板151的下表面连接。一对重量抵消装置131分别是一种空气弹簧装置，经由活塞部件133a对支承板151付与向上(+Z方向)的力，由此，通过一对重量抵消装置131，支承吸盘单元153(及支承板151)的自重的全部或一部分。向重量抵消装置131的气缸133b内部供给的加压气体的压力及量等由主控制装置20(参照图6)控制。在此，由于重量抵消装置131具有沿着气缸133b在上下方向上移动的活塞部件133a，所以兼用于吸盘单元153上下移动时的引导。

一对晶片支承部件125分别具有：上下移动旋转驱动部127，其分别经由未图示的连接部件一体地安装在框架FL的一对延伸部159上；驱动轴126，其通过上下移动旋转驱动部127向Z轴方向(上下方向)及θz方向进行驱动；和支承板128，其上表面的长度方向上的一端固定在驱动轴126的下端面上，并沿XY平面内的一轴方向延伸。支承板128通过上下移动旋转驱动部127，在与吸盘单元153的外周部一部分相对的第1支承板位置和不与吸盘单元153相对的第2支承板位置之间，使其长度方向上的另一端部以驱动轴126为旋转中心向θz方向旋转驱动，并且以规定行程沿上下方向驱动。在支承板128的上表面上，在另一端部附近固定有吸附垫128b。吸附垫128b经由未图示的配管部件与真空装置连接(真空装置及配管部件分别省略图示)。晶片W当被支承板128(吸附垫128b)从下方支承时，通过吸附垫128b被真空吸附而保持。即，晶片W通过与吸附垫128b之间的摩擦力，限制X轴方向、Y轴方向及θz方向的移动。此外，也可以不设置吸附垫128b，而使用晶片W与晶片支承部件125之间的摩擦力。

以一方的晶片支承部件125的支承板128处于第1支承板位置时，从吸盘单元153的板部件44的中心观察与5点钟方向的外周缘相对，另一方的晶片支承部件125的支承板128处于第1支承板位置时，从吸盘单元153的板部件44的中心观察与7点钟方向的外周缘相对(参照图3)的方式，设定各自的第1支承板位置。在各个支承板128的上表面，在吸附垫128b的驱动轴126侧固定有反射镜128a。

在一对晶片支承部件125附近，设有当一对支承板128分别处于第1支承板位置时，能够分别对各个支承板128上的反射镜128a从上方照射照明光的落射照明方式的一对计测系统123a、123b。一对计测系统123a、123b分别经由未图示的支承部件与主框架BD连接。

一对计测系统123a、123b分别是检测晶片W的边缘部的位置信息的图像处理方式的边缘位置检测系统，包含照明光源、多个反射镜等的光路折曲部件、透镜等及CCD等摄像元件等。

搬入单元121在从吸盘单元153的板部件44的中心观察与6点钟方向的外周缘相对的规定高度的位置(在吸盘单元153上吸引晶片W时，能够与该晶片的缺口相对的位置)上，还设有其他反射镜34(参照图3)。设有能够对反射镜34从上方照射照明光的落射照明方式的计测系统123c(参照图6)。计测系统123c与计测系统123a、123b同样地构成。

在通过三个计测系统123a～123c分别进行晶片W的边缘检测时，这些摄像信号向信号处理系统116(参照图6)发送。

搬入单元121还具有晶片平坦度检测系统147(参照图6)和多个吸盘单元位置检测系统148(参照图4、图6)。

晶片平坦度检测系统147通过检测多个、在此为四个晶片W表面的Z轴方向上的位置(Z位置)的Z位置检测系统146(参照图4)而构成，该Z位置检测系统146分别配置在主框架BD的多个部位、例如晶片W的外周部附近的上方的三个部位、中心部附近的上方的一个部位。在本实施方式中，作为Z位置检测系统146，使用作为一种所谓光学式位移计的三角测量方式的位置检测系统，该位置检测系统接收向对象物照射的计测光束的反射光，来检测对象物的位置(在本实施方式中为Z位置)。在本实施方式中，在各Z位置检测系统146中，经由上述贯穿孔152(参照图5)，向晶片W上表面照射计测光束，并经由其他贯穿孔152来接收其反射光。

构成晶片平坦度检测系统147的多个Z位置检测系统146的计测值向主控制装置20(参照图6)发送。主控制装置20基于多个Z位置检测系统146的计测值，检测晶片W上表面的多个部位的Z位置，并根据该检测结果求出晶片W的平坦度。

多个(例如三个)吸盘单元位置检测系统148固定在主框架BD上。作为吸盘单元位置检测系统148，分别使用与Z位置检测系统146相同的三角测量方式的位置检测系统。通过三个吸盘单元位置检测系统148，来检测吸盘单元153上表面的多个部位的Z位置，并将该检测结果向主控制装置20(参照图6)发送。

虽然在图1中未图示，但在标线片R的上方配置有TTR(Through The Reticle)方式的一对标线片对准检测系统14(参照图6)，该标线片对准检测系统14使用用于对标线片R上的一对标线片对准标记、和与其对应的晶片台WTB上的计测板30上的经由一对第2基准标记RM的投影光学系统PL而成的像同时进行观察的曝光波长。该一对标线片对准检测系统14的检测信号向主控制装置20供给。

此外，在曝光装置100中，在投影光学系统PL的附近设有由照射系统和受光系统构成的多点焦点位置检测系统54(参照图6)(以下称为多点AF系统)，其中照射系统经由液浸区域36的液体Lq对晶片W的表面照射多个计测光束，受光系统经由液体Lq接收各个反射光束。作为上述多点AF系统54，能够使用例如美国专利申请公开第2007-0064212号说明书所公开的如下结构的多点焦点位置检测系统：照射系统及受光系统分别包含棱镜，且均将投影光学系统PL的前端透镜作为其结构要素。

在图6中示出表示以曝光装置100的控制系统为中心而构成且统筹控制各部分结构的主控制装置20的输入输出关系的框图。主控制装置20包含工作站(或微型计算机)等，统筹控制曝光装置100的各部分结构。

在如上述那样构成的本实施方式的曝光装置100中，在主控制装置20的管理下，与例如美国专利第8,0544,472号说明书等所公开的曝光装置同样地，进行使用晶片载台WST和计测载台MST的并行处理动作。在本实施方式的曝光装置100中，在如后述那样地装载(搬入)到晶片载台WST上并通过晶片台WTB来保持的晶片W上，使用局部液浸装置8来形成液浸区域36，经由投影光学系统PL及液浸区域36的液体Lq并以照明光IL来进行晶片的曝光动作。该曝光动作根据由主控制装置事前进行的、基于对准装置99的对准系统AL1、AL2₁～AL2₄得到的晶片对准(EGA)的结果及对准系统AL1、AL2₁～AL2₄的最新基线等，通过反复进行曝光间移动动作和扫描曝光动作来进行，其中曝光间移动动作是使晶片载台WST向用于使晶片W上的各曝光区域曝光的开始扫描位置(开始加速位置)移动的动作，扫描曝光动作是对各曝光区域以扫描曝光方式转印标线片R的图案的动作。另外，在上述的并行处理动作时，在晶片更换中，在计测载台MST上保持有液浸区域，在通过与计测载台的更换而将晶片载台WST配置在投影单元PU的正下方时，计测载台MST上的液浸区域移动到晶片载台WST上。

但是，在本实施方式中，与上述美国专利第8,054,472号说明书所公开的曝光装置不同，在使用了晶片载台WST和计测载台MST的并行处理动作中，晶片载台WST的位置信息及计测载台MST的位置信息使用干涉仪系统70的各干涉仪来计测。另外，使用一对标线片对准检测系统14(参照图6)及晶片载台WST上的计测板30(参照图2的(A))等来进行标线片对准。而且，曝光中的晶片台WTB的与Z轴方向相关的控制使用上述的多点AF系统54来实时进行。

此外，与上述美国专利第8,054,472号说明书所公开的曝光装置同样地，也可以取代多点AF系统54，而在对准装置99与投影单元PU之间，配置由照射系统及受光系统构成的多点AF系统。并且，也可以在晶片对准时，在晶片载台WST移动的期间，使用该多点AF系统，预先取得晶片W的整个表面的Z位置，并基于对准中所取得的晶片W的整个表面的Z位置，进行曝光中的晶片载台WST的与Z轴方向相关的位置控制。在该情况下，在晶片对准时及曝光时，需要设置计测晶片台WTB上表面的Z位置的其他计测装置。

接下来，基于图7的(A)～图9的(B)，说明晶片W的装载顺序。此外，在图7的(A)～图9的(B)中，为了简化附图及防止附图错综复杂，省略除了主框架BD、上下移动销140等以外的晶片载台WST、晶片平坦度检测系统147及吸盘单元位置检测系统148等。

如图7的(A)所示，作为前提，例如吸盘单元153通过一对Z音圈电机144，移动到行程范围内的移动上限位置(+Z侧的移动界限位置)附近，即上述的第1位置，并维持在该位置上。另外，此时，一对晶片支承部件125通过主控制装置20将各自的支承板128设定在第2支承板位置上。

在该状态下，首先，晶片W在被搬送臂149从下方支承的状态下，被搬入到吸盘单元153的下方。在此，晶片W的基于搬送臂149向装载位置LP的搬入，可以在晶片载台WST上对前一个曝光对象晶片(以下称为前晶片)进行曝光处理时进行，也可以在进行对准处理等时进行。

接下来，如图7的(B)所示，主控制装置20开始对多个吸盘部件124供给流体(空气)，然后，通过使搬送臂149稍微上升(或使吸盘单元153稍微下降)，而使晶片W保持规定的距离(间隔)地以非接触的方式被吸引在吸盘单元153(吸盘部件124)上。此外，在图7的(B)中，为了容易说明，使晶片W通过在图中涂满小点而示出的喷出空气的流动(更准确而言，通过因其流动而产生的负压)，而被吸盘单元153吸引。在图7的(C)～图9的(A)的各图中也是同样的。但是，实际上喷出的空气的状态并不一定限定于此。

接着，主控制装置20经由上下移动旋转驱动部127驱动(旋转)一对晶片支承部件125的支承板128，以使其位于各自的第1支承板位置。此时，如图7的(C)所示，各个支承板128上表面的吸附垫128b通过一对晶片支承部件125的上下移动旋转驱动部127，移动到与晶片W的下表面(背面)相对的位置。另外，在一对晶片支承部件125的支承板128位于各自的第1支承板位置上的状态下，反射镜128a分别与晶片W背面的外周缘的规定位置相对。另外，在晶片W背面的缺口位置上，在晶片W被吸盘单元153吸引的阶段下，其他反射镜34与其相对。

当各个支承板128上表面的吸附垫128b和晶片W相对时，如图7的(D)所示，主控制装置20以使支承板128上升的方式控制上下移动旋转驱动部127。当各个支承板128上表面的吸附垫128b与晶片W的下表面接触时，主控制装置20开始基于一对吸附垫128b的真空吸引，而通过各个吸附垫128b来吸附支承晶片W的下表面。此时，晶片W通过基于吸盘单元153的来自上方的吸引，而限制了Z、θx、θy的3个自由度方向上的移动，并且通过基于一对支承板128的来自下方的吸附支承，而限制了X、Y、θz的3个自由度方向上的移动，由此，限制例如6个自由度方向上的移动。

晶片W在该状态下、即在基于吸盘单元153及一对晶片支承部件125而进行吸引保持(支承)的状态下，以在装载位置LP上待机的方式，确定曝光装置100的处理顺序。在曝光装置100中，在晶片W在装载位置LP上待机的期间，对保持在晶片台WTB上的前晶片进行曝光处理(及在其之前的对准处理)等。另外，此时也可以为基于搬送臂149而停止晶片W的真空吸附的状态。

并且，如图8的(A)所述，在晶片W在装载位置LP上的待机中，通过三个计测系统123a～123c(计测系统123c未图示。参照图6)分别进行晶片W的边缘检测。三个计测系统123a～123c所具有的摄像元件的摄像信号向信号处理系统116(参照图6)发送。信号处理系统116例如通过美国专利第6,624,433号说明书等所公开的方法，检测包含晶片的缺口的周缘部的三个部位的位置信息，而求出晶片W的X轴方向、Y轴方向上的位置偏差和旋转(θz旋转)误差。并且，将这些位置偏差和旋转误差的信息向主控制装置20供给(参照图6)。

与上述的晶片W的边缘检测的开始前后颠倒，主控制装置20向下方驱动搬送臂149，而在使搬送臂149与晶片W分离后，使搬送臂149从装载位置LP退开。

当前晶片的曝光处理完成并通过未图示的搬出装置从晶片台WTB上卸载前晶片时，通过主控制装置20，经由粗动载台驱动系统51A将晶片载台WST移动到吸盘单元153的下方(装载位置LP)。并且，如图8的(B)所示，主控制装置20经由驱动装置142向上方驱动具有三根上下移动销140的中心支承部件150。在该时刻，也基于三个计测系统123a～123c而继续进行晶片W的边缘检测，主控制装置20基于晶片W的位置偏差及旋转误差信息，以与晶片W的偏差量(误差)相同的量向相同方向对晶片载台WST微驱动，从而使晶片W搭载在晶片载台WST的规定位置上。

并且，当三根上下移动销140的上表面与被吸盘单元153吸引的晶片W的下表面抵接时，主控制装置20停止中心支承部件150的上升。由此，晶片W在被修正了位置偏差及旋转误差的状态下，通过三根上下移动销140而被吸附保持。

在此，在某种程度上可准确地了解处于待机位置的被吸盘单元153吸引的晶片W的Z位置。因此，主控制装置20基于位移传感器145的计测结果，从基准位置以规定量驱动中心支承部件150，由此能够使三根上下移动销140与被吸盘单元153吸引的晶片W的下表面抵接。但是，并不限于此，也可以预先设定成，在中心支承部件150(三根上下移动销140)的上限移动位置上，三根上下移动销140与被吸盘单元153吸引的晶片W的下表面抵接。

然后，主控制装置20使未图示的真空泵动作，开始基于三根上下移动销140对晶片W下表面的真空吸附。此外，基于吸盘部件124对晶片W的吸引也可以在该状态下继续进行。通过基于吸盘部件124的吸引、和因来自三根上下移动销140的下方的支承而产生的摩擦力，限制了晶片W在6个自由度方向上的移动。因此，在该状态下，即使解除基于晶片支承部件125的支承板128对晶片W的吸附保持，也不会发生任何问题。

因此，当将晶片W支承(吸附保持)在三根上下移动销140上时，如图8的(C)所示，主控制装置20在使基于一对吸附垫128b的真空吸引结束后，向下方驱动一对晶片支承部件125的支承板128而使其从晶片W分离。然后，经由上下移动旋转驱动部127将各个支承板128设定在第2支承板位置上。

接着，如图8的(D)所示，主控制装置20分别经由一对Z音圈电机144及驱动装置142，将吸引及支承晶片W的吸盘单元153及三根上下移动销140(中心支承部件150)向下方驱动。由此，维持基于吸盘单元153(吸盘部件124)对晶片W的吸引状态和基于三根上下移动销140对晶片W的支承状态，将吸盘单元153和三根上下移动销140(中心支承部件150)开始向下方驱动。在此，吸盘单元153的驱动通过由主控制装置20基于多个吸盘单元位置检测系统148的检测结果，驱动一对Z音圈电机144来进行。

上述的吸盘单元153和三根上下移动销140(中心支承部件150)的驱动进行至晶片W的下表面(背面)与晶片台WTB的平面状的晶片载置面41抵接为止(参照图9的(A))。在此，晶片载置面41实际上是通过设在晶片台WTB上的销吸盘所具有的多个销的上端面而形成的虚拟的平坦面(区域)，但在图9的(A)等中，使晶片台WTB的上表面为该晶片载置面41。

上述的吸盘单元153和三根上下移动销140(中心支承部件150)开始向下方驱动前及驱动中，主控制装置20经由晶片平坦度检测系统147(多个Z位置检测系统146(参照图4))计测晶片W上表面的平坦度。并且，主控制装置20以使晶片W的平坦度收束在所期望范围内的方式，基于晶片平坦度检测系统147的计测结果，相对于吸盘单元153及中心支承部件150中的另一个部件(在此为吸盘单元153)的下降速度，控制响应性优异的一个部件(在此为中心支承部件150)的下降速度。

即，例如，在通过晶片平坦度检测系统147检测到晶片W变形成下凸形状(与外周部相比内周部凹陷的形状)的情况下，主控制装置20经由驱动装置142使中心支承部件150的下降速度慢于吸盘单元153的驱动速度。当中心支承部件150的下降速度慢于吸盘单元153的驱动速度时，晶片W实质上被三根上下移动销140从下方推压下表面的中央部。并且，当晶片W的平坦度成为规定值时，主控制装置20以相同速度(同步地)进一步向下方驱动中心支承部件150及吸盘单元153。在此，晶片W的平坦度“成为规定值”表示，作为一个例子，晶片W不是完全的平面，而是变形成与外周部相比内周部凹陷、但该凹陷的程度为事先确定的程度以下的形状。

另外，例如，在通过晶片平坦度检测系统147检测到晶片W变形成上凸形状(与外周部相比内周部向上突出的形状)的情况下，主控制装置20经由驱动装置142使中心支承部件150的下降速度快于吸盘单元153的驱动速度。当使中心支承部件150的下降速度快于吸盘单元153的驱动速度时，晶片W由于吸附保持在三根上下移动销140上，所以实质上、下表面的中心部被向下方拉伸。并且，当晶片W的平坦度成为上述规定值时，主控制装置20以相同速度(同步地)进一步向下方驱动中心支承部件150及吸盘单元153。

此外，在本实施方式中，在晶片W的多个点上检测该晶片W的Z方向上的位置，并根据与这些位置相关的信息求出与晶片W的形状(平坦度)相关的信息，但也可以使用除此以外的方法。例如，也可以通过相机等拍摄晶片W的图像，根据得到的图像信息求出与晶片W的形状(平坦度)相关的信息。

在本实施方式中，从通过吸盘单元153从上方向吸引晶片W、且通过上下移动销140从下方支承晶片W的状态，直到使晶片W吸附保持在未图示的晶片保持器上为止，始终通过主控制装置20并使用晶片平坦度检测系统147来计测晶片W的变形状态(平坦度)。因此，即使在进行了过度的平坦度修正的情况下，例如由于处于吸盘单元153与三根上下移动销140之间的晶片W具有下凸形状，所以为了调整其平坦度而将上下移动销140的下降速度相对于吸盘单元153的下降速度减慢，其结果为，晶片W成为上凸形状等，也能够通过相对于吸盘单元153的下降速度而将上下移动销140的下降速度加快，而再次将晶片W的平坦度调节为规定值。但是，也可以仅在从通过吸盘单元153从上方向吸引晶片W、且通过上下移动销140从下方向支承晶片W的状态、直到使晶片W吸附保持在未图示的晶片保持器上为止的一部分时间区间(例如即将与晶片载置面41接触之前)内，计测晶片W的变形状态(平坦度)。

并且，如图9的(A)所示，当晶片W的下表面与晶片台WTB上表面(晶片载置面41)抵接时，主控制装置20经由调整装置115停止来自所有的吸盘部件124的高压空气流的流出，并解除基于所有的吸盘单元153对晶片W的吸引，而开始基于晶片台WTB上的未图示的晶片保持器对晶片W的吸附(吸引)。

接着，如图9的(B)所示，主控制装置20经由一对Z音圈电机144使吸盘单元153上升至规定的待机位置(第1位置或其附近的位置)。由此，晶片W向晶片台WTB上的装载(搬入)结束。

在此，当将吸盘单元153向上方驱动而停止时(或上升中)，主控制装置20使用上述的三个计测系统123a～123c，进行晶片W的边缘位置的检测。在该情况下，晶片W的边缘检测通过向晶片台WTB上的三个反射镜86上照射来自计测系统123a、123b、123c的计测光束、并由计测系统123a、123b、123c的摄像元件接收来自该反射镜86的反射光束而进行。将三个计测系统123a～123c所具有的摄像元件的摄像信号向信号处理系统116(参照图6)发送，将晶片W的位置偏差和旋转误差的信息向主控制装置20供给。主控制装置20将该位置偏差和旋转误差的信息作为偏置量而预先存储在存储器中，在之后的晶片对准时或曝光时等，考虑上述偏置量来控制晶片台WTB的位置。此外，在上述待机中进行晶片W的边缘检测，其结果为在修正了所得到的位置偏差和旋转误差的状态下，晶片W被支承在三根上下移动销140上之后而搭载到晶片台WTB上，因此，也可以不必进行晶片W向晶片台WTB上装载后的晶片W的边缘检测。

如以上说明那样，根据本实施方式的搬送系统120及具有该搬送系统的曝光装置100，主控制装置20在将晶片W装载到晶片台WTB上时，能够使从上方吸引晶片W的吸盘单元153和从下方支承晶片W的上下移动销140(中心支承部件150)独立地上下移动。即，为了将产生挠曲或应变等变形的晶片W吸附保持在晶片载台WST上而使其下降时，通过控制中心支承部件150(三根上下移动销140)的下降速度，能够在将晶片W的平坦度维持在所期望的范围内的值的状态下装载到晶片载台WST上。

另外，在本实施方式中，以三根构成上下移动销140(中心支承部件150)，这三根上下移动销以一体地上下移动的方式构成，但并不限定于此。例如，也可以以三根上下移动销能够相互独立地上下移动的方式构成中心支承部件150，并基于晶片的平坦度的计测结果，通过使这三根上下移动销单独地上下移动来将晶片W的平坦度收束在所期望的范围内。此外，上下移动销的数量不限于3根，也可以为其以下或其以上。

另外，在构成本实施方式的搬送系统120的一部分的搬入单元121中，由于通过一对重量抵消装置131来支承吸盘单元153的自重，所以能够减小沿上下方向驱动吸盘单元153时的力，能够减小一对Z音圈电机144的大小。

另外，在本实施方式的搬送系统120中，在将晶片W装载到晶片载台WST上的中途，主控制装置20以经由计测系统123a～123c来计测晶片W的位置偏差及旋转偏差，并基于该计测结果来修正晶片W的位置偏差及旋转偏差的方式，驱动晶片载台WST。因此，能够位置重现性良好地将晶片W装载到晶片台WTB上。

另外，根据本实施方式的曝光装置100，由于对在晶片台WTB上以平坦度高的状态且位置重现性良好地装载的晶片W，以步进扫描(stepping and scan)方式进行曝光，所以对于晶片W上的多个曝光区域，分别能够重合精度良好且没有散焦地进行曝光，能够对多个曝光区域良好地转印标线片R的图案。

此外，在上述实施方式中，鉴于三根上下移动销140(中心支承部件150)的驱动时的响应性比吸盘单元153优异这一点，在将晶片W装载到晶片载台WST上时，调节三根上下移动销140(中心支承部件150)的下降速度，以使晶片W的平坦度成为所期望的范围内的值的方式对驱动装置142进行驱动。但是，相反地，在吸盘单元153的驱动时的响应性比三根上下移动销140(中心支承部件150)优异的情况下，期望调节吸盘单元153的下降速度。在三根上下移动销140(中心支承部件150)和吸盘单元153的驱动时的响应性为相同程度的情况下，可以调节中心支承部件150及吸盘单元153中的任一方、或双方的下降速度。另外，由于只要将晶片的平坦度维持在规定水准即可，所以无论响应性的优劣如何，也可以调节中心支承部件150及吸盘单元153中的任一方、或双方的下降速度。

另外，在上述实施方式中，说明了通过多个Z位置检测系统146构成晶片平坦度检测系统147的情况，但并不限于此，也可以通过对晶片整个上表面照射光而能够检测其面形状的检测装置来构成晶片平坦度检测系统。另外，与上述实施方式同样地，在通过多个Z位置检测系统构成晶片平坦度检测系统的情况下，作为该Z位置检测系统，也无需使用三角测量方式的位置检测系统。即，由于晶片平坦度检测系统只要能够检测晶片W的平坦度(多个部位的Z位置)即可，所以例如如图10所示，也可以取代上述的Z位置检测系统146而在吸盘单元153的下表面上配置多个静电电容传感器84。由于静电电容传感器84能够使用比Z位置检测系统146小型的系统，所以能够与配置了多个Z位置检测系统146的计测点的部位、例如在外周部有三处、在中央部有一处的共四处相比，配置在更多的部位。

另外，由于吸盘单元位置检测系统只要能够计测吸盘单元153的Z位置即可，所以不限于三角测量方式的位置检测系统，例如如图10所示，也可以使用由编码器头97和标尺98构成的编码器系统来构成吸盘单元位置检测系统。或者，也可以例如在一对Z音圈电机144的至少一方上，设置计测动子相对于该定子的从基准点开始的Z轴方向上的位移量的编码器，并通过该编码器来构成吸盘单元位置检测系统。另外，也可以使用静电电容传感器来构成吸盘单元位置检测系统148。

此外，在上述实施方式中，也可以在即将将晶片W装载到晶片台WTB上之前，从吸盘部件124朝向晶片W，以比将晶片W吸引至此时的喷出速度快的喷出速度喷出气体。由此，如图11所示，晶片W与吸盘部件124之间的压力上升，晶片W的外周部振动(引起所谓气锤现象)。在发生该振动的状态下，当进一步使晶片W下降时，晶片W在下表面的外周部与未图示的晶片保持器上表面的接触面积较小的状态下被载置到晶片台WTB上。即，由于晶片W下表面与未图示的晶片保持器之间的摩擦力降低，所以晶片W在被吸附保持到未图示的晶片保持器上时，在抑制了吸附应变的发生的状态下，被载置到晶片台WTB上。

此外，在上述实施方式中，在吸盘单元153从上方吸引晶片W、且三根上下移动销140在背面真空吸附晶片W的状态下，将吸盘单元153和三根上下移动销140向下方驱动，由此使晶片W载置到晶片台WTB的晶片载置面41上，但并不限定于此。例如，也可以为取代三根上下移动销140而使用搬送臂149的结构。在该情况下，搬送臂149为除水平方向以外，在上下方向上也能够在规定范围内驱动的结构。并且，只要在通过搬送臂149真空吸附晶片W的背面的状态下，通过吸盘单元153吸引晶片W表面，并使用晶片平坦度检测系统147的检测结果由主控制装置20将吸盘单元153和搬送臂149的下降速度分别设定成规定值即可。

此外，在将晶片W载置到晶片载置面41上时，为了使搬送臂149不会造成妨碍，也可以预先在晶片载置面41上形成供搬送臂149进入的槽，而使晶片W和晶片载置面41高精度地接触。并且，只要在该槽的内部使搬送臂149向水平方向移动，而从晶片载置面41退开即可。

另外，作为其他结构，也可以在从搬送臂149将晶片W交接到吸盘单元153上后，不使用三根上下移动销140地使晶片W载置到晶片台WTB的晶片载置面41上。在该情况下，例如，只要使用晶片平坦度检测系统147的检测结果，通过主控制装置20控制吸盘单元153的下降速度、从吸盘部件124喷出的流体的流速(流量)、流体的流动方向，而将吸盘单元153的吸引力分别设定成规定值即可。此时，在使用晶片支承部件125的吸附垫125b来吸附支承晶片W的背面的情况下，与上述的搬送臂149的情况同样地，只要预先在晶片载置面41上形成供晶片支承部件125进入的缺口，使晶片W和载置面41能够高精度地接触即可。另外，在无需约束晶片W的横向(与载置面平行的方向)的移动的情况下，也可以不设置晶片支承部件125，仅通过吸盘部件124以吸引来保持晶片W，而将晶片W载置到晶片台WTB的晶片载置面41上。此时，也只要例如使用晶片平坦度检测系统147的检测结果，通过主控制装置20来控制吸盘单元153的下降速度、从吸盘部件124喷出的流体的流速(流量)、流体的流动方向，而将吸盘单元153的吸引力分别设定成规定值即可。

此外，在上述实施方式中，作为一个例子说明了如下液浸曝光装置：在投影光学系统与晶片之间形成包含照明光的光路的液浸空间，并经由投影光学系统及液浸空间的液体，以照明光对晶片进行曝光，但并不限于此，也能够将上述实施方式适用于不经由液体(水)地进行晶片W的曝光的干式曝光装置。

另外，在上述实施方式及其变形例(以下称为上述实施方式等)中，对曝光装置是步进扫描方式等的扫描型曝光装置的情况进行了说明，但并不限于此，也可以将上述实施方式等适用于步进曝光装置等静止型曝光装置。另外，上述实施方式等也能够适用于将曝光区域和曝光区域合成的步进拼接(step and stitch)方式的缩小投影曝光装置、接近(proximity)方式的曝光装置、或镜面投影对准曝光器(mirror projection aligner)等。而且，上述实施方式等也能够适用于例如美国专利第6,590,634号说明书、美国专利第5,969,441号说明书、美国专利第6,208,407号说明书等所公开那样，具有多个晶片载台的多载台型的曝光装置。

另外，上述实施方式等的曝光装置中的投影光学系统不仅可以是缩小系统，也可以是等倍及放大系统中的任一个，投影光学系统PL不仅可以是折射系统，也可以是反射系统及反射折射系统中的任一个，该投影像也可以是倒立像及正立像中的任一个。另外，上述的照明区域及曝光区域的形状为矩形，但并不限于此，例如也可以为圆弧、梯形或平行四边形等。

另外，上述实施方式等的曝光装置的光源并不限于ArF准分子激光，也能够使用发出KrF准分子激光(输出波长248nm)、F₂激光(输出波长157nm)、Ar₂激光(输出波长126nm)、Kr₂激光(输出波长146nm)等的脉冲激光光源、发出g线(波长436nm)、i线(波长365nm)等亮线的超高压水银灯等。另外，也能够使用YAG激光的高次谐波产生装置等。此外，例如美国专利第7,023,610号说明书所公开那样，作为真空紫外光可以使用高次谐波，该高次谐波如下地产生：将从DFB半导体激光器或者光纤激光器振荡得到的红外区或可见区的单一波长激光，利用例如掺杂有铒(或者铒与镱两者)的光纤放大器进行放大，并使用非线性光学晶体将其波长变换为紫外光，而得到高次谐波。

另外，在上述实施方式等中，作为曝光装置的照明光IL并不限于波长100nm以上的光，当然也可以使用波长不足100nm的光。例如，能够将上述实施方式等适用于使用软X射线区域(例如5～15nm的波长域)的EUV(Extreme Ultraviolet)光的EUV曝光装置。此外，也能够将上述实施方式适用于使用电子束或离子束等带电粒子束的曝光装置。

而且，也能够将上述实施方式等适用于例如美国专利第6,611,316号说明书所公开的那样经由投影光学系统在晶片上合成两个标线片图案并通过一次扫描曝光来对晶片上的一个曝光区域大致同时地进行双重曝光的曝光装置。

另外，在上述实施方式等中，要形成图案的物体(照射能量束的曝光对象的物体)并不限于晶片，也可以是玻璃板、陶瓷基板、薄膜部件、或光罩基板(mask blanks)等其他物体。

作为曝光装置的用途并不限定于半导体制造用的曝光装置，例如，也能够广泛地适用于在方形的玻璃板上转印液晶显示元件图案的液晶用的曝光装置、用于制造有机EL、薄膜磁头、摄像元件(CCD等)、微型机械及DNA芯片等的曝光装置。另外，不仅是半导体元件等微型器件，还能够将上述实施方式等适用于为了制造在光曝光装置、EUV曝光装置、X射线曝光装置、及电子束曝光装置等中使用的标线片或光罩(mask)而在玻璃基板或硅晶片等上转印电路图案的曝光装置。

半导体元件等电子器件是经过以下步骤而制造出的：进行器件的功能/性能设计的步骤；基于该设计步骤制作标线片的步骤；从硅材料制作晶片的步骤；通过上述实施方式等的曝光装置(图案形成装置)及其曝光方法将光罩(标线片)的图案转印到晶片上的光刻步骤；对曝光后的晶片进行显影的显影步骤；通过蚀刻将抗蚀剂残留的部分以外的部分的露出部件去除的蚀刻步骤；将蚀刻结束而不再需要的抗蚀剂除去的抗蚀剂去除步骤；器件组装步骤(包含切割工序、接合工序、封装工序)、检查步骤等。在该情况下，在光刻步骤中，由于使用上述实施方式等的曝光装置来执行上述的曝光方法，而在晶片上形成器件图案，所以能够生产性良好地制造高集成度的器件。

此外，将与在目前说明中引用的曝光装置等有关的所有公报、国际公开、美国专利申请公开说明书及美国专利说明书的公开引用为本说明书的记载的一部分。

Claims (33)

1.一种搬送系统，搬送板状的物体，其特征在于，具有：

驱动装置，其使所述物体移动；和

载置部，在所述载置部上载置由所述驱动装置移动的所述物体，所述搬送系统使载置于所述载置部的所述物体产生振动。

2.根据权利要求1所述的搬送系统，其特征在于，

通过使所述物体产生振动，所述物体与所述载置部的摩擦力降低。

3.根据权利要求1所述的搬送系统，其特征在于，

通过使所述物体产生振动，所述物体能够以所述物体与所述载置部的上表面的接触面积小的状态载置于所述载置部。

4.根据权利要求1所述的搬送系统，其特征在于，

还具备吸附并保持所述物体的吸附装置，

所述吸附装置吸附并保持载置于所述载置部的所述物体。

5.根据权利要求4所述的搬送系统，其特征在于，

在开始基于所述吸附装置对所述物体的保持之前，使所述物体产生振动。

6.根据权利要求4所述的搬送系统，其特征在于，

在利用所述吸附装置吸附并保持载置于所述载置部的所述物体之前的所述物体在振动，其中该物体是所述物体载置于所述载置部时的所述物体。

7.根据权利要求4所述的搬送系统，其特征在于，

通过使所述物体产生振动，抑制所述吸附装置吸附并保持所述物体时的所述物体的应变。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的搬送系统，其特征在于，

所述物体的振动包含所述物体的外周部的振动。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的搬送系统，其特征在于，

在所述物体被载置于所述载置部之前，开始对所述物体赋予振动。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的搬送系统，其特征在于，

对通过所述驱动装置向下移动的所述物体赋予振动，

所述驱动装置在使所述物体振动的状态下使所述物体向下方移动，并将所述物体载置于所述载置部。

11.一种搬送系统，将板状的物体搬送到载置部，其特征在于，具有：

驱动装置，其使所述物体朝向所述载置部移动；和

振动赋予装置，其对通过所述驱动装置移动的所述物体赋予振动，

在所述物体被放置于所述载置部时所述物体振动。

12.根据权利要求11所述的搬送系统，其特征在于，

通过利用所述振动赋予装置使所述物体产生振动，所述物体与所述载置部的摩擦力降低。

13.根据权利要求11所述的搬送系统，其特征在于，

通过利用所述振动赋予装置使所述物体产生振动，所述物体能够以所述物体与所述载置部的上表面的接触面积小的状态载置于所述载置部。

14.根据权利要求11所述的搬送系统，其特征在于，

还具备保持并吸附所述物体的吸附装置，

所述吸附装置吸附并保持载置于所述载置部的所述物体。

15.根据权利要求14所述的搬送系统，其特征在于，

在开始基于所述吸附装置对所述物体的保持之前，使所述物体产生振动。

16.根据权利要求14所述的搬送系统，其特征在于，

在利用所述吸附装置吸附并保持载置于所述载置部的所述物体之前的所述物体在振动，其中该物体是所述物体载置于所述载置部时的所述物体。

17.根据权利要求14所述的搬送系统，其特征在于，

通过利用所述振动赋予装置使所述物体产生振动，抑制所述吸附装置保持所述物体时的所述物体的应变。

18.根据权利要求11至17中任一项所述的搬送系统，其特征在于，

所述振动赋予装置使所述物体的外周部产生振动。

19.根据权利要求11至17中任一项所述的搬送系统，其特征在于，

所述振动赋予装置在所述物体被载置于所述载置部之前，开始对所述物体赋予振动。

20.根据权利要求11至17中任一项所述的搬送系统，其特征在于，

所述驱动装置在利用所述振动赋予装置对所述物体赋予了振动之后，通过使产生了所述振动的状态下的所述物体朝向所述载置部移动，将所述物体载置于所述载置部。

21.根据权利要求11至17中任一项所述的搬送系统，其特征在于，

所述振动赋予装置能够朝向所述载置部移动。

22.根据权利要求11至17中任一项所述的搬送系统，其特征在于，

所述振动赋予装置包含朝向所述物体喷出气体的喷出部。

23.根据权利要求22所述的搬送系统，其特征在于，

能够通过由所述喷出部喷出的气体吸引保持所述物体，并且能够通过由所述喷出部喷出的气体对所述物体赋予振动。

24.根据权利要求22所述的搬送系统，其特征在于，

还具备控制来自所述喷出部的气体的喷出的控制装置，

所述控制装置通过控制所述气体的喷出，能够吸引保持所述物体，并且能够对所述物体赋予振动。

25.根据权利要求24所述的搬送系统，其特征在于，

所述控制装置控制所述气体的喷出速度，

对所述物体赋予振动时的喷出速度被控制为比吸引保持所述物体时的喷出速度快。

26.根据权利要求11至17中任一项所述的搬送系统，其特征在于，

所述振动赋予装置配置于所述驱动装置。

27.根据权利要求26所述的搬送系统，其特征在于，

所述振动赋予装置能够与通过所述驱动装置而移动的所述物体一起移动。

28.根据权利要求27所述的搬送系统，其特征在于，

所述振动赋予装置设于所述物体的上方。

29.根据权利要求28所述的搬送系统，其特征在于，还具有：

从下方支承所述物体的支承部件；和

从下方与所述物体接触的接触部件。

30.根据权利要求11至17中任一项所述的搬送系统，其特征在于，

对通过所述驱动装置而向下移动的所述物体赋予振动，

所述驱动装置在使所述物体振动的状态下使所述物体向下方移动，并将所述物体载置于所述载置部。

31.一种曝光装置，在物体上形成图案，其特征在于，具备：

权利要求1至30中任一项所述的搬送系统；和

图案生成装置，其以能量束对通过所述搬送系统搬送到所述载置部的所述物体进行曝光，以形成所述图案。

32.一种搬送方法，将板状的物体搬送到载置部，其特征在于，包括：

使所述物体朝向所述载置部移动；和

对移动的所述物体赋予振动，

在赋予所述振动中，使载置于所述载置部的所述物体产生振动。

33.一种搬送方法，将板状的物体搬送到载置部，其特征在于，包括：

使所述物体朝向所述载置部移动；和

对移动的所述物体赋予振动，

在所述物体载置于所述载置部时所述物体振动。