JPWO2007097231A1 - 低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法 - Google Patents
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- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 title claims abstract description 179
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 72
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 24
- 150000008442 polyphenolic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 61
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 61
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 34
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 31
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical group C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 24
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 22
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 19
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 18
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 claims description 15
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 claims description 15
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 15
- -1 amine compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical class O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical class NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 claims description 4
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 claims description 4
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 claims description 4
- HNNQYHFROJDYHQ-UHFFFAOYSA-N 3-(4-ethylcyclohexyl)propanoic acid 3-(3-ethylcyclopentyl)propanoic acid Chemical class CCC1CCC(CCC(O)=O)C1.CCC1CCC(CCC(O)=O)CC1 HNNQYHFROJDYHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 52
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 19
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 18
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 17
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 16
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 9
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 9
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 8
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 6
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 5
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 5
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- 238000006735 epoxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-n'-phenylcarbamimidoyl chloride Chemical compound CN(C)C(Cl)=NC1=CC=CC=C1 GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- NXXYKOUNUYWIHA-UHFFFAOYSA-N 2,6-Dimethylphenol Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1O NXXYKOUNUYWIHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylbutan-2-one Chemical compound CC(C)C(C)=O SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N Sodium methoxide Chemical compound [Na+].[O-]C WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- SPTHWAJJMLCAQF-UHFFFAOYSA-M ctk4f8481 Chemical compound [O-]O.CC(C)C1=CC=CC=C1C(C)C SPTHWAJJMLCAQF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920013636 polyphenyl ether polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 2
- 235000015096 spirit Nutrition 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N tert‐butyl hydroperoxide Chemical compound CC(C)(C)OO CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 2
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WBODDOZXDKQEFS-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4-tetramethyl-5-phenylbenzene Chemical group CC1=C(C)C(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1C WBODDOZXDKQEFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSZYESUNPWGWFQ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroperoxypropan-2-yl)-4-methylcyclohexane Chemical compound CC1CCC(C(C)(C)OO)CC1 XSZYESUNPWGWFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRDXTHSSNCTAGY-UHFFFAOYSA-N 2-cyclohexylpyrrolidine Chemical compound C1CCNC1C1CCCCC1 KRDXTHSSNCTAGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPBWMJBZQXCSFW-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropanoyl 2-methylpropaneperoxoate Chemical compound CC(C)C(=O)OOC(=O)C(C)C RPBWMJBZQXCSFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDGCBNTXZHJTHJ-UHFFFAOYSA-N 2h-1,3-oxazol-2-id-4-one Chemical group O=C1CO[C-]=N1 WDGCBNTXZHJTHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFRHHAYSXIKGH-UHFFFAOYSA-N 3-(5-methoxy-2-methoxycarbonyl-1h-indol-3-yl)prop-2-enoic acid Chemical compound C1=C(OC)C=C2C(C=CC(O)=O)=C(C(=O)OC)NC2=C1 XYFRHHAYSXIKGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VESRBMGDECAMNH-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]-2,3,5,6-tetramethylphenol Chemical compound CC1=C(C(=C(C(=C1O)C)C)C(C)(C)C1=CC=C(C=C1)O)C VESRBMGDECAMNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIAHASMJDOMQER-UHFFFAOYSA-N 5-ethyl-2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=CN=C(C)N1 RIAHASMJDOMQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004953 Aliphatic polyamide Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Natural products P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920003231 aliphatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000008365 aromatic ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- GIWKOZXJDKMGQC-UHFFFAOYSA-L lead(2+);naphthalene-2-carboxylate Chemical compound [Pb+2].C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21.C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21 GIWKOZXJDKMGQC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SGGOJYZMTYGPCH-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);naphthalene-2-carboxylate Chemical compound [Mn+2].C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21.C1=CC=CC2=CC(C(=O)[O-])=CC=C21 SGGOJYZMTYGPCH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)phosphinimyl]-n-methylmethanamine Chemical class CN(C)P(=N)(N(C)C)N(C)C GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005609 naphthenate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- VAUKWMSXUKODHR-UHFFFAOYSA-M pentyl(triphenyl)phosphanium;bromide Chemical compound [Br-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(CCCCC)C1=CC=CC=C1 VAUKWMSXUKODHR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- PMOIAJVKYNVHQE-UHFFFAOYSA-N phosphanium;bromide Chemical compound [PH4+].[Br-] PMOIAJVKYNVHQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 150000004059 quinone derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920013730 reactive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- MFBOGIVSZKQAPD-UHFFFAOYSA-M sodium butyrate Chemical compound [Na+].CCCC([O-])=O MFBOGIVSZKQAPD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M sodium;2-hydroxy-3-morpholin-4-ylpropane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CC(O)CN1CCOCC1 WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- GJBRNHKUVLOCEB-UHFFFAOYSA-N tert-butyl benzenecarboperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 GJBRNHKUVLOCEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNWOTXLVRDKNJA-UHFFFAOYSA-N tert-butylperoxybenzene Chemical compound CC(C)(C)OOC1=CC=CC=C1 PNWOTXLVRDKNJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFYFBUWEBINLX-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium bromide Chemical compound [Br-].C[N+](C)(C)C DDFYFBUWEBINLX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N tetraphenylphosphonium Chemical class C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COIOYMYWGDAQPM-UHFFFAOYSA-N tris(2-methylphenyl)phosphane Chemical compound CC1=CC=CC=C1P(C=1C(=CC=CC=1)C)C1=CC=CC=C1C COIOYMYWGDAQPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DXZMANYCMVCPIM-UHFFFAOYSA-L zinc;diethylphosphinate Chemical compound [Zn+2].CCP([O-])(=O)CC.CCP([O-])(=O)CC DXZMANYCMVCPIM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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Abstract
数平均分子量10,000以上の原料ポリフェニレンエーテルと、ポリフェノール性化合物と、ラジカル開始剤とを反応させる再分配反応により、分子量20,000以上の成分の割合が10質量%以下であり、且つ数平均分子量が4,000以下である低分子量ポリフェニレンエーテルを製造する方法であって、再分配反応工程は溶媒中で行われる工程であると共に、原料ポリフェニレンエーテルと前記溶媒との配合比は(原料ポリフェニレンエーテル):(溶媒)(質量比)として0.4:100〜40:100(質量比)であり、ラジカル開始剤と溶媒との配合比は(ラジカル開始剤):(溶媒)(質量比)として0.5:100〜5:100(質量比)であることを特徴とする低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法。
Description
本発明は、低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法、低分子量ポリフェニレンエーテル、エポキシ化ポリフェニレンエーテルの製造方法、エポキシ樹脂組成物、及び電子部材に関する。
プリント配線基板用の絶縁材料として、コストパフォーマンスに優れるエポキシ樹脂が広く用いられている。また、近年、配線の高密度化への対応などにより、エポキシ樹脂には更なる物性の高機能化が求められている。例えば、衛星通信などの高周波領域で使用されるプリント配線基板においては、信号の遅滞を防ぐ観点から、低誘電率や低誘電正接といった誘電特性に優れる絶縁材料が要求されている。
誘電特性に優れる材料の一つとして、ポリフェニレンエーテルを使用することが1970年代ごろから知られている。しかしながら、高分子量のポリフェニレンエーテルは溶融粘度が高いため、成形加工性が非常に悪い。また、たとえば特許文献1や特許文献2には、ポリフェニレンエーテルのトルエン溶液を調製し、このトルエン溶液を加熱しながら基材に含浸させて積層板を製造する方法が記載されている。しかしながら、このようなトルエン溶液を加熱しながら含浸を行う方法は非常に危険である。
更に、一般に、ポリフェニレンエーテルはエポキシ樹脂との相溶性に乏しい。そのため、エポキシ樹脂にポリフェニレンエーテルを単純に混合して成形品の原料とした場合、得られる成形品の機械的強度の向上がしばしば課題となる。
更に、一般に、ポリフェニレンエーテルはエポキシ樹脂との相溶性に乏しい。そのため、エポキシ樹脂にポリフェニレンエーテルを単純に混合して成形品の原料とした場合、得られる成形品の機械的強度の向上がしばしば課題となる。
これら課題を解決すべく、特許文献3、特許文献4には、再分配反応によりポリフェニレンエーテルを低分子量化し、更にエピクロロヒドリンによりエポキシ化して変性ポリフェニレンエーテルを製造する方法が記載されている。
また、特許文献5、特許文献6には、ポリフェニレンエーテルの低分子量体を重合法により製造し、その後、エポキシ変性する方法が記載されている。
また、特許文献5、特許文献6には、ポリフェニレンエーテルの低分子量体を重合法により製造し、その後、エポキシ変性する方法が記載されている。
しかしながら、上記特許文献3、特許文献4に記載された方法は、再分配反応時の反応率や、得られる低分子量ポリフェニレンエーテルの取り扱い性の観点から、なお改善の余地を有していた。また、上記特許文献3、特許文献4に記載されたエポキシ化ポリフェニレンエーテルは、エポキシ樹脂との組成物を形成した場合の硬化速度等の観点から、なお改善の余地を有していた。
一方、上記特許文献5、特許文献6に記載された方法は、簡易な方法と言うことはできず、生産効率の観点からなお改善の余地を有していた。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものである。即ち、本発明の主たる目的は、取り扱い性の良好なエポキシ化ポリフェニレンエーテルの製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、そのようなエポキシ化ポリフェニレンエーテルの原料として適した低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法等を提供することにある。
一方、上記特許文献5、特許文献6に記載された方法は、簡易な方法と言うことはできず、生産効率の観点からなお改善の余地を有していた。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものである。即ち、本発明の主たる目的は、取り扱い性の良好なエポキシ化ポリフェニレンエーテルの製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、そのようなエポキシ化ポリフェニレンエーテルの原料として適した低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法等を提供することにある。
本発明者等は、前記課題を解決するため鋭意検討を行なった。その結果、再分配反応を行う際の反応条件を制御することによって、取り扱い性の良好なエポキシ化ポリフェニレンエーテルの原料として好適な低分子量ポリフェニレンエーテルが簡易に得られることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、以下の低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法、低分子量ポリフェニレンエーテル、エポキシ化ポリフェニレンエーテルの製造方法、エポキシ樹脂組成物、及び電子部材を提供する。
〔1〕
数平均分子量10,000以上の原料ポリフェニレンエーテルと、ポリフェノール性化合物と、ラジカル開始剤とを反応させる再分配反応により、分子量20,000以上の成分の割合が10質量%以下であり、且つ数平均分子量が4,000以下である低分子量ポリフェニレンエーテルを製造する方法であって、
前記再分配反応工程は溶媒中で行われる工程であると共に、
前記原料ポリフェニレンエーテルと前記溶媒との配合比は、(原料ポリフェニレンエーテル):(溶媒)(質量比)として0.4:100〜40:100(質量比)であり、
前記ラジカル開始剤と前記溶媒との配合比は、(ラジカル開始剤):(溶媒)(質量比)として0.5:100〜5:100(質量比)
であることを特徴とする低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法。
〔2〕
前記低分子量ポリフェニレンエーテルの1分子中に含まれるフェノール性水酸基の平均数は1.2個以上である〔1〕記載の製造方法。
〔3〕
前記再分配反応工程は、ナフテン酸の金属塩、五酸化バナジウム、アニリン、アミン化合物、4級アンモニウム塩、イミダゾール、及びホスホニウム塩よりなる群から選択される1種又は2種以上の触媒を用いて行われる工程である〔1〕又は〔2〕記載の製造方法。
〔4〕
前記再分配反応工程は、前記ラジカル開始剤が、前記原料ポリフェニレンエーテル100質量部に対して0.1質量部/分以下の平均添加速度で配合される工程である〔1〕、〔2〕又は〔3〕記載の製造方法。
〔5〕
前記再分配反応工程は、前記ラジカル開始剤が、当該ラジカル開始剤の分解速度定数を当該過酸化物の添加時間で除したしきい値として0.5(1/hr)以下となるような条件で配合される工程である〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の製造方法。
〔6〕
前記再分配反応工程の後に、水及び/又はアルカリ溶液を用いて前記低分子量ポリフェニレンエーテルを洗浄する洗浄工程を有する〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の製造方法。
〔7〕
前記ラジカル開始剤は過酸化ベンゾイル又は過酸化ベンゾイル誘導体である請求項〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の製造方法。
〔8〕
分子量20,000以上の成分の割合が10質量%以下であり、且つ数平均分子量が4,000以下である低分子量ポリフェニレンエーテルであって、
フェノール性水酸基と、当該フェノール性水酸基のオルト位に存するメチレン基とを有する分子鎖末端ユニットが1分子中に占める割合が、1〜20質量%であることを特徴とする低分子量ポリフェニレンエーテル。
〔9〕
数平均分子量が4,000以下である低分子量ポリフェニレンエーテルに含まれるフェノール性水酸基と、エポキシ化合物に含まれるエポキシ基とを付加反応させてエポキシ化ポリフェニレンエーテル樹脂を製造する方法であって、
前記低分子量ポリフェニレンエーテルに含まれる分子量20,000以上の成分の割合は10質量%以下であり、且つ
前記エポキシ化合物の1分子中に含まれる前記エポキシ基の平均数は2個以上
あることを特徴とするエポキシ化ポリフェニレンエーテルの製造方法。
〔10〕
前記低分子量ポリフェニレンエーテルの1分子中に含まれる前記フェノール性水酸基の平均数は1.2個以上である〔9〕記載の製造方法。
〔11〕
前記低分子量ポリフェニレンエーテルは、請求項1〜7のいずれかに記載の製造方法により得られる低分子量ポリフェニレンエーテル、又は請求項8に記載の低分子量ポリフェニレンエーテルである〔9〕又は〔10〕記載の製造方法。
〔12〕
〔9〕〜〔11〕のいずれかに記載の製造方法により得られたエポキシ化ポリフェニレンエーテル樹脂と、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の硬化剤とを含むエポキシ樹脂組成物。
〔13〕
エポキシプリプレグ、エポキシプリプレグを用いた積層板、樹脂シート、又は樹脂シートを用いた積層板よりなる群から選択される電子部材であって、〔12〕に記載のエポキシ樹脂組成物を用いて形成される電子部材。
〔1〕
数平均分子量10,000以上の原料ポリフェニレンエーテルと、ポリフェノール性化合物と、ラジカル開始剤とを反応させる再分配反応により、分子量20,000以上の成分の割合が10質量%以下であり、且つ数平均分子量が4,000以下である低分子量ポリフェニレンエーテルを製造する方法であって、
前記再分配反応工程は溶媒中で行われる工程であると共に、
前記原料ポリフェニレンエーテルと前記溶媒との配合比は、(原料ポリフェニレンエーテル):(溶媒)(質量比)として0.4:100〜40:100(質量比)であり、
前記ラジカル開始剤と前記溶媒との配合比は、(ラジカル開始剤):(溶媒)(質量比)として0.5:100〜5:100(質量比)
であることを特徴とする低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法。
〔2〕
前記低分子量ポリフェニレンエーテルの1分子中に含まれるフェノール性水酸基の平均数は1.2個以上である〔1〕記載の製造方法。
〔3〕
前記再分配反応工程は、ナフテン酸の金属塩、五酸化バナジウム、アニリン、アミン化合物、4級アンモニウム塩、イミダゾール、及びホスホニウム塩よりなる群から選択される1種又は2種以上の触媒を用いて行われる工程である〔1〕又は〔2〕記載の製造方法。
〔4〕
前記再分配反応工程は、前記ラジカル開始剤が、前記原料ポリフェニレンエーテル100質量部に対して0.1質量部/分以下の平均添加速度で配合される工程である〔1〕、〔2〕又は〔3〕記載の製造方法。
〔5〕
前記再分配反応工程は、前記ラジカル開始剤が、当該ラジカル開始剤の分解速度定数を当該過酸化物の添加時間で除したしきい値として0.5(1/hr)以下となるような条件で配合される工程である〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の製造方法。
〔6〕
前記再分配反応工程の後に、水及び/又はアルカリ溶液を用いて前記低分子量ポリフェニレンエーテルを洗浄する洗浄工程を有する〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の製造方法。
〔7〕
前記ラジカル開始剤は過酸化ベンゾイル又は過酸化ベンゾイル誘導体である請求項〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の製造方法。
〔8〕
分子量20,000以上の成分の割合が10質量%以下であり、且つ数平均分子量が4,000以下である低分子量ポリフェニレンエーテルであって、
フェノール性水酸基と、当該フェノール性水酸基のオルト位に存するメチレン基とを有する分子鎖末端ユニットが1分子中に占める割合が、1〜20質量%であることを特徴とする低分子量ポリフェニレンエーテル。
〔9〕
数平均分子量が4,000以下である低分子量ポリフェニレンエーテルに含まれるフェノール性水酸基と、エポキシ化合物に含まれるエポキシ基とを付加反応させてエポキシ化ポリフェニレンエーテル樹脂を製造する方法であって、
前記低分子量ポリフェニレンエーテルに含まれる分子量20,000以上の成分の割合は10質量%以下であり、且つ
前記エポキシ化合物の1分子中に含まれる前記エポキシ基の平均数は2個以上
あることを特徴とするエポキシ化ポリフェニレンエーテルの製造方法。
〔10〕
前記低分子量ポリフェニレンエーテルの1分子中に含まれる前記フェノール性水酸基の平均数は1.2個以上である〔9〕記載の製造方法。
〔11〕
前記低分子量ポリフェニレンエーテルは、請求項1〜7のいずれかに記載の製造方法により得られる低分子量ポリフェニレンエーテル、又は請求項8に記載の低分子量ポリフェニレンエーテルである〔9〕又は〔10〕記載の製造方法。
〔12〕
〔9〕〜〔11〕のいずれかに記載の製造方法により得られたエポキシ化ポリフェニレンエーテル樹脂と、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の硬化剤とを含むエポキシ樹脂組成物。
〔13〕
エポキシプリプレグ、エポキシプリプレグを用いた積層板、樹脂シート、又は樹脂シートを用いた積層板よりなる群から選択される電子部材であって、〔12〕に記載のエポキシ樹脂組成物を用いて形成される電子部材。
本発明によれば、溶媒への溶解性が良好な、取り扱い性に優れるエポキシ化ポリフェニレンエーテルの製造方法等が提供される。また、当該エポキシ化ポリフェニレンエーテルの原料として好適な、低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法が提供される。
以下、本発明を実施するための最良の形態(以下、発明の実施の形態)について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
[低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法]
本実施の形態における低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法は、数平均分子量10000以上の原料ポリフェニレンエーテルと、ポリフェノール性化合物と、ラジカル開始剤とを反応させる再分配反応により、分子量20000以上の成分の割合が10質量%以下であり、且つ数平均分子量が4000以下である低分子量ポリフェニレンエーテルを製造する方法であって、
前記再分配反応工程は溶媒中で行われる工程であると共に、
前記原料ポリフェニレンエーテルと前記溶媒との配合比は、(原料ポリフェニレンエーテル):(溶媒)(質量比)として0.4:100〜40:100(質量比)であり、
前記ラジカル開始剤と前記溶媒との配合比は、(ラジカル開始剤):(溶媒)(質量比)として0.5:100〜5:100(質量比)
であることを特徴とする。
本実施の形態における低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法は、数平均分子量10000以上の原料ポリフェニレンエーテルと、ポリフェノール性化合物と、ラジカル開始剤とを反応させる再分配反応により、分子量20000以上の成分の割合が10質量%以下であり、且つ数平均分子量が4000以下である低分子量ポリフェニレンエーテルを製造する方法であって、
前記再分配反応工程は溶媒中で行われる工程であると共に、
前記原料ポリフェニレンエーテルと前記溶媒との配合比は、(原料ポリフェニレンエーテル):(溶媒)(質量比)として0.4:100〜40:100(質量比)であり、
前記ラジカル開始剤と前記溶媒との配合比は、(ラジカル開始剤):(溶媒)(質量比)として0.5:100〜5:100(質量比)
であることを特徴とする。
ここで、「再分配反応」とは、例えば、学術文献「Journal of organic chemistry,34,297〜303(1969)」に示されている反応を意味する。即ち、再分配反応とは、ラジカル開始剤の存在下で、数平均分子量が大きいポリフェニレンエーテルと、ポリフェノール性化合物とを反応させて、例えば、数平均分子量が4,000以下のポリフェニレンエーテルを得る反応である。
再分配反応の反応機構としては、以下のような機構が考えられる。即ち、まず、ポリフェニレンエーテル、及びポリフェノール性化合物が、ラジカル開始剤により共にラジカル化する。次に、ポリフェニレンエーテルの分子内でラジカルが移動する。次に、ラジカルの移動先で、ラジカル化したフェノール性化合物が、ポリフェニレンエーテルの構成ユニットの一部を奪う。このように、再分配反応とは、ポリフェニレンエーテルの構成ユニットをフェノール性化合物に分配していく反応である。ラジカルが消失しない限り、ポリフェニレンエーテルの構成ユニットは次々にフェノール性化合物に分配される。
再分配反応の反応機構としては、以下のような機構が考えられる。即ち、まず、ポリフェニレンエーテル、及びポリフェノール性化合物が、ラジカル開始剤により共にラジカル化する。次に、ポリフェニレンエーテルの分子内でラジカルが移動する。次に、ラジカルの移動先で、ラジカル化したフェノール性化合物が、ポリフェニレンエーテルの構成ユニットの一部を奪う。このように、再分配反応とは、ポリフェニレンエーテルの構成ユニットをフェノール性化合物に分配していく反応である。ラジカルが消失しない限り、ポリフェニレンエーテルの構成ユニットは次々にフェノール性化合物に分配される。
また、本実施の形態において「低分子量ポリフェニレンエーテル」とは、数平均分子量が4,000以下のポリフェニレンエーテルを指す。なお、本実施の形態において「数平均分子量」や「分子量20,000以上の成分の割合」は、ポリスチレンを標準物質とするゲル浸透クロマトグラフィー法(以下、「GPC法」と略記することがある)により測定される。「分子量20,000以上の成分の割合」は、分子量20,000以上のピーク検出面積の比率を意味する。分子量20000以上の成分が実質的に0質量%であるとは、ゲル浸透クロマトグラフによる分子量測定において、ピーク検出開始の分子量が20,000以下であることを意味する。
本実施の形態において用いられる原料ポリフェニレンエーテルとしては、市販品を使用することができる。
また、本実施の形態において用いられるポリフェノール性化合物としては、1分子中にフェノール基を2つ以上有する化合物が用いられる。具体的には、例えば、ビスフェノールA、テトラメチルビスフェノールA、テトラメチルビフェニル、ジヒドロキシジフェニルエーテル、フェノールノボラック、クレゾールノボラック等が挙げられる。これらは1種を単独で、又は2種以上を併用することができる。なお、上記ポリフェノール性化合物としては、市販品を用いることができる。
また、本実施の形態において用いられるポリフェノール性化合物としては、1分子中にフェノール基を2つ以上有する化合物が用いられる。具体的には、例えば、ビスフェノールA、テトラメチルビスフェノールA、テトラメチルビフェニル、ジヒドロキシジフェニルエーテル、フェノールノボラック、クレゾールノボラック等が挙げられる。これらは1種を単独で、又は2種以上を併用することができる。なお、上記ポリフェノール性化合物としては、市販品を用いることができる。
本実施の形態において用いられるラジカル開始剤としては、例えば、ジクミルパーオキサイド、tert−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−tert−ブチルパーオキサイド、2,5−ジメチル2,5−ジ−tert−ブチルクミルパーオキシヘキシン−3、2,5−ジメチル2,5−ジ−tert−ブチルパーオキシヘキサン、p−メンタンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、tert−ブチルハイドロパーオキサイド、tert−ブチルパーオキシアセテート、tert−ブチルパーオキシベンゼン、ジイソブチリルパーオキサイド、tert−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネイト、tert−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネイト、tert−ブチルパーオキシアセテート、tert−ブチルパーオキシベンゾエイト、過酸化ベンゾイル、又は過酸化ベンゾイル誘導体等が挙げられる。これらは1種を単独で、又は2種以上を併用することができる。
中でも、過酸化ベンゾイル又は過酸化ベンゾイル誘導体を使用した場合、後述するアルカリ洗浄工程により低分子量ポリフェニレンエーテル中に含まれる水酸基の数が増大し得る。水酸基の数の増大は、硬化物のガラス転位温度等の物性向上に寄与し得る。
なお、ここでいう過酸化ベンゾイル誘導体とは、過酸化ベンゾイルに含まれるベンゼン環構造にメチル基やエチル基等の置換基を有する態様の化合物を指す。
また、ラジカル開始剤として過酸化ベンゾイルが用いられたか否かについては、得られた低分子量ポリフェニレンエーテルを核磁気共鳴装置(以下、「NMR」と略記することがある。)により測定し、ベンジル基やベンゾイル基に由来するピークが観察されるか否かで判断することができる。
中でも、過酸化ベンゾイル又は過酸化ベンゾイル誘導体を使用した場合、後述するアルカリ洗浄工程により低分子量ポリフェニレンエーテル中に含まれる水酸基の数が増大し得る。水酸基の数の増大は、硬化物のガラス転位温度等の物性向上に寄与し得る。
なお、ここでいう過酸化ベンゾイル誘導体とは、過酸化ベンゾイルに含まれるベンゼン環構造にメチル基やエチル基等の置換基を有する態様の化合物を指す。
また、ラジカル開始剤として過酸化ベンゾイルが用いられたか否かについては、得られた低分子量ポリフェニレンエーテルを核磁気共鳴装置(以下、「NMR」と略記することがある。)により測定し、ベンジル基やベンゾイル基に由来するピークが観察されるか否かで判断することができる。
本実施の形態において、上記再分配反応工程は、異常反応を抑える観点から、溶媒中で行われる工程であることが好ましい。溶媒としては、例えば、芳香族炭化水素系であるベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレンやジクロロベンゼン、クロロホルム等が挙げられる。
ここで、上記原料ポリフェニレンエーテルと上記溶媒との配合比は、(原料ポリフェニレンエーテル):(溶媒)(質量比)として好ましくは0.4:100〜40:100、より好ましくは4:100〜40:100、更に好ましくは8:100〜20:100である。溶媒100質量部に対する原料ポリフェニレンエーテルの配合量を0.4質量部以上とすることは、不必要に多量の溶媒を使用することなく、生産性良く再分配反応を実行することに寄与し得る。また、上記配合量を40質量部以下とすることは、ラジカル開始剤投入前の溶液粘度を適切な範囲に維持すること、ラジカル開始剤を速やかに均一に配合させ得ること、又は、副生成物の発生を低減することに寄与し得る。
また、本実施の形態において、上記ラジカル開始剤と上記溶媒との配合比は、(ラジカル開始剤):(溶媒)(質量比)として好ましくは0.5:100〜5:100、より好ましくは1:100〜3:100である。溶媒100質量部に対するラジカル開始剤の配合量を0.5質量部以上とすることは、不必要に多量の溶媒を使用することなく、生産性良く再分配反応を実行することに寄与し得る。また、原料ポリフェニレンエーテルとポリフェノール性化合物の両方をラジカル化させ得るため、反応が進行しやすい。一方、上記配合量を50質量部以下とすることは、ラジカル開始剤の分解時の発熱により温度上昇が生じることを抑制すること、又は、副生成物の発生を低減することに寄与し得る。
即ち、本実施の形態において、上記原料ポリフェニレンエーテルと上記溶媒との配合比、及び上記ラジカル開始剤と上記溶媒との配合比を上述した範囲に設定することにより、詳細は明らかではないが、分子量20,000以上のポリフェニレンエーテルの残存率が低減される。低分子量ポリフェニレンエーテルに含まれる分子量20,000以上の成分の割合が低減することは、低分子量ポリフェニレンエーテルをエポキシ化して得られるエポキシ化ポリフェニレンエーテルの溶媒に対する溶解性を向上させることに寄与し得る。つまり、取り扱い性に優れた(室温でも溶媒に析出し難い、又は、溶液貯蔵性の良好な)エポキシ化ポリフェニレンエーテルが実現し得る。
本実施の形態における上記再分配反応工程は、反応率を向上させ、高分子量成分を低減させる観点から、ナフテン酸の金属塩、五酸化バナジウム、アニリン、アミン化合物、4級アンモニウム塩、イミダゾール、及びホスホニウム塩よりなる群から選択される1種又は2種以上の触媒を用いて行われる工程であることが好ましい。
即ち、上記再分配反応においては、分子鎖末端に存在するフェノール性水酸基由来の酸素ラジカルが反応点となる。ここで、複数の酸素ラジカル同士が結合することにより、反応が停止する(過酸化物が生成する)場合がある。上記のような触媒を用いることは、当該過酸化物を再度分解して反応点を再生することに寄与し得る。
即ち、上記再分配反応においては、分子鎖末端に存在するフェノール性水酸基由来の酸素ラジカルが反応点となる。ここで、複数の酸素ラジカル同士が結合することにより、反応が停止する(過酸化物が生成する)場合がある。上記のような触媒を用いることは、当該過酸化物を再度分解して反応点を再生することに寄与し得る。
このような触媒として具体的には、例えば、ナフテン酸コバルト、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸マンガン、ナフテン酸鉛などのナフテン酸塩;五酸化バナジウム;ジメチルアニリンなどのアニリン類;アミン化合物、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラブチルアンモニウムブロマイドなどの4級アンモニウム塩;イミダゾール類、ホスホニウム塩等が挙げられる。これらは1種を単独で、又は2種以上を併用することができる。
なお、触媒は、ラジカル開始剤を投入する前に添加するだけでなく、投入後に添加しても良い。
また、本実施の形態において、上記触媒と上記原料ポリフェニレンエーテルとの配合比としては、(触媒):(原料ポリフェニレンエーテル)(質量比)として好ましくは0.
01:100〜1:100、より好ましくは0.1:100〜0.5:100である。原料ポリフェニレンエーテル100質量部に対する触媒の配合料を0.01質量部以上とすることは、ポリフェニレンエーテルの分子量を良好に低減させることに寄与し得る。また、上記配合料を1質量部以下とすることは、ポリフェニレンエーテルの分子量を必要以上に低減させず、得られるエポキシ樹脂組成物の電気的特性を保持することに寄与し得る。
なお、触媒は、ラジカル開始剤を投入する前に添加するだけでなく、投入後に添加しても良い。
また、本実施の形態において、上記触媒と上記原料ポリフェニレンエーテルとの配合比としては、(触媒):(原料ポリフェニレンエーテル)(質量比)として好ましくは0.
01:100〜1:100、より好ましくは0.1:100〜0.5:100である。原料ポリフェニレンエーテル100質量部に対する触媒の配合料を0.01質量部以上とすることは、ポリフェニレンエーテルの分子量を良好に低減させることに寄与し得る。また、上記配合料を1質量部以下とすることは、ポリフェニレンエーテルの分子量を必要以上に低減させず、得られるエポキシ樹脂組成物の電気的特性を保持することに寄与し得る。
上記再分配反応工程は、副反応を抑える観点から、前記ラジカル開始剤が、前記原料ポリフェニレンエーテル100質量部に対して好ましくは0.1質量部/分以下、より好ましくは0.05質量部/分以下の平均添加速度で配合される工程である。
平均添加速度を0.1質量部/分以下とすることは、ラジカル開始剤から生成したラジカル同士の反応を防ぐことや、ラジカル化されたポリフェニレンエーテルとラジカル開始剤から生成したラジカルとの反応、ラジカル化されたフェノール性化合物とラジカル開始剤から生成したラジカルとの反応、ラジカル化されたポリフェニレンエーテル同士、またはラジカル化されたフェノール性化合物同士の反応を防ぐことに寄与し得る。即ち、再分配反応において効率良くポリフェニレンエーテルとフェノール性化合物とを反応させることができる。従って、平均添加速度を0.1質量部/分以下とすることは、ラジカル1分子当りのフェノール性水酸基数を多くすることや、分子量20,000以上の成分の含有率を低減させることに寄与し得る。
平均添加速度を0.1質量部/分以下とすることは、ラジカル開始剤から生成したラジカル同士の反応を防ぐことや、ラジカル化されたポリフェニレンエーテルとラジカル開始剤から生成したラジカルとの反応、ラジカル化されたフェノール性化合物とラジカル開始剤から生成したラジカルとの反応、ラジカル化されたポリフェニレンエーテル同士、またはラジカル化されたフェノール性化合物同士の反応を防ぐことに寄与し得る。即ち、再分配反応において効率良くポリフェニレンエーテルとフェノール性化合物とを反応させることができる。従って、平均添加速度を0.1質量部/分以下とすることは、ラジカル1分子当りのフェノール性水酸基数を多くすることや、分子量20,000以上の成分の含有率を低減させることに寄与し得る。
また、上記再分配反応工程は、ラジカル生成時間を長くする観点から、前記ラジカル開始剤が、当該ラジカル開始剤の分解速度定数を当該過酸化物の添加時間で除したしきい値として、好ましくは0.5(1/hr)以下、より好ましくは0.2(1/hr)以下の平均添加速度で添加される工程である。
上記しきい値を0.5(1/hr)以下とすることは、ラジカル同士の反応を抑制することに寄与し得る。即ち、上記しきい値を0.5(1/hr)以下とすることは、得られる低分子量ポリフェニレンエーテルの分子量分布値を小さくし、電気特性や溶剤への溶解性を向上させることに寄与し得る。なお、分子量分布については上記GPC法により確認することができる。
上記しきい値を0.5(1/hr)以下とすることは、ラジカル同士の反応を抑制することに寄与し得る。即ち、上記しきい値を0.5(1/hr)以下とすることは、得られる低分子量ポリフェニレンエーテルの分子量分布値を小さくし、電気特性や溶剤への溶解性を向上させることに寄与し得る。なお、分子量分布については上記GPC法により確認することができる。
上記「ラジカル開始剤の分解速度定数」とは、ラジカル開始剤の頻度因子と活性化エネルギーから求められる。頻度因子をA、活性化エネルギーをΔE、気体定数をR、絶対温度をTとすると分解速度定数は以下のように記載することができる。
分解速度定数=Aexp(−ΔE/RT)
分解速度定数=Aexp(−ΔE/RT)
本実施の形態の製造方法は、上記再分配反応工程の後に、水及び/又はアルカリ溶液を用いて低分子量ポリフェニレンエーテルを洗浄する洗浄工程を有することが好ましい。再分配反応を行った場合には通常、ラジカル開始剤の残渣が残存することとなる。このような洗浄工程を経ることは、ラジカル開始剤の残渣等、反応系中に存在するアルコールやカルボン酸等を除去することに寄与し得、低分子量ポリフェニレンエーテルをエポキシ化する際のエポキシ化反応を飛躍的に促進させ得る。また、エポキシ化反応においてゲル化反応を抑制したり、反応溶液粘度を低粘度化したりすることが可能となる。
なお、上記洗浄工程は室温でも実施可能であるが、60℃以上であることが好ましく、より好ましくは80℃以上である。液温が高いと洗浄する速度が速くなる。
なお、上記洗浄工程は室温でも実施可能であるが、60℃以上であることが好ましく、より好ましくは80℃以上である。液温が高いと洗浄する速度が速くなる。
本実施の形態の製造方法により得られた低分子量ポリフェニレンエーテルは、その詳細は明らかでないが、例えば、再分配反応が記載された学術文献[Reactive Polymers、15、9−23(1991)]内のTable8に示された数平均分子量から見積もられる平均分子量に比べ、高い分子量を有する。また、当該低分子量ポリフェニレンエーテルは、同Tableから求められるMw/Mnに比べ、飛躍的に小さな分子量分布値を有する。GPC法により求められたMw/Mn値は2.7〜3.4の間で変動し、減少する傾向は見られない。それに対し、本実施の形態の製造方法により得られた低分子量ポリフェニレンエーテルは、2.3以下のMw/Mn値を実現し得る。
[低分子量ポリフェニレンエーテル]
本実施の形態の低分子量ポリフェニレンエーテルは、分子量20,000以上の成分の割合が10質量%以下であり、且つ数平均分子量が4,000以下である低分子量ポリフェニレンエーテルであって、フェノール性水酸基と、当該フェノール性水酸基のオルト位に存するメチレン基とを有する分子鎖末端ユニットが1分子中に占める割合が、1〜20質量%であることを特徴とする。このような低分子量ポリフェニレンエーテルは、上述した低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法により好適に得ることができる。
本実施の形態の低分子量ポリフェニレンエーテルは、分子量20,000以上の成分の割合が10質量%以下であり、且つ数平均分子量が4,000以下である低分子量ポリフェニレンエーテルであって、フェノール性水酸基と、当該フェノール性水酸基のオルト位に存するメチレン基とを有する分子鎖末端ユニットが1分子中に占める割合が、1〜20質量%であることを特徴とする。このような低分子量ポリフェニレンエーテルは、上述した低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法により好適に得ることができる。
ここで、フェノール性水酸基と、当該フェノール性水酸基のオルト位に存するメチレン基とを有する分子鎖末端ユニットが1分子中に占める割合としては、1〜20質量%、好ましくは2〜10質量%である。当該割合を1質量%以上とすることは、分子鎖末端ユニットに二重結合が導入される(キノン化)ことを抑制し得る。二重結合の導入量を抑制することは、製品の白色度を向上させることにつながり、不純物の混入を容易に発見する観点から好適である。一方、当該割合を20質量%以下にすることは、分子鎖末端のフェノール性水酸基をエポキシ化する際の反応率向上に寄与し得る。
なお、ここでいう「分子鎖末端ユニット」とは、ポリフェニレンエーテル(1分子)の末端位置に存在するベンゼン環、及び当該ベンゼン環が有する置換基を含む概念である。また、このような分子鎖末端ユニットにどのような置換基が導入されているかについては、NMRを用いた構造同定により解析することができる。
なお、ここでいう「分子鎖末端ユニット」とは、ポリフェニレンエーテル(1分子)の末端位置に存在するベンゼン環、及び当該ベンゼン環が有する置換基を含む概念である。また、このような分子鎖末端ユニットにどのような置換基が導入されているかについては、NMRを用いた構造同定により解析することができる。
[エポキシ化ポリフェニレンエーテルの製造方法]
本実施の形態におけるエポキシ化ポリフェニレンエーテルの製造方法は、数平均分子量が4000以下である低分子量ポリフェニレンエーテルに含まれるフェノール性水酸基と、エポキシ化合物に含まれるエポキシ基とを付加反応させてエポキシ化ポリフェニレンエーテル樹脂を製造する方法である。
ここで、前記低分子量ポリフェニレンエーテルの数平均分子量としては、4,000以下、好ましくは3,000以下、より好ましくは2,500以下、下限として好ましくは500以上、より好ましくは1,000以上である。低分子量ポリフェニレンエーテルの数平均分子量を4,000以下とすることは、低分子量ポリフェニレンエーテルの溶融粘度を減少させ、取り扱い性の向上に寄与し得る。一方、数平均分子量を1,000以上とすることは、電気特性を向上させることに寄与し得る。
本実施の形態におけるエポキシ化ポリフェニレンエーテルの製造方法は、数平均分子量が4000以下である低分子量ポリフェニレンエーテルに含まれるフェノール性水酸基と、エポキシ化合物に含まれるエポキシ基とを付加反応させてエポキシ化ポリフェニレンエーテル樹脂を製造する方法である。
ここで、前記低分子量ポリフェニレンエーテルの数平均分子量としては、4,000以下、好ましくは3,000以下、より好ましくは2,500以下、下限として好ましくは500以上、より好ましくは1,000以上である。低分子量ポリフェニレンエーテルの数平均分子量を4,000以下とすることは、低分子量ポリフェニレンエーテルの溶融粘度を減少させ、取り扱い性の向上に寄与し得る。一方、数平均分子量を1,000以上とすることは、電気特性を向上させることに寄与し得る。
また、上記低分子量ポリフェニレンエーテルに含まれる数平均分子量20,000以上の成分の割合は10質量%以下、好ましくは5質量%以下、より好ましくは2質量%以下、さらに好ましくは1質量%以下であり、実質的に0質量%であっても良い。上記割合をこのような範囲に設定することは、エポキシ化して得られるエポキシ化ポリフェニレンエーテルの取り扱い性を向上(溶媒への溶解性を向上)させることに寄与し得る。また、上記割合を1%以下とすることは、ケトン類の溶剤に対する良好な溶解性の実現に寄与し得る。
なお、このような低分子量ポリフェニレンエーテルは、上述した低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法により得ることができる。
なお、このような低分子量ポリフェニレンエーテルは、上述した低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法により得ることができる。
ここで、上記低分子量ポリフェニレンエーテルの1分子中に含まれるフェノール性水酸基の平均数としては、好ましくは1.2個以上、より好ましくは1.5個以上、更に好ましくは1.7個以上、上限として好ましくは5個以下、より好ましくは3個以下である。上記低分子量ポリフェニレンエーテルの水酸基個数が1.2個以上であることは、エポキシ樹脂との反応性の向上に寄与し得る。フェノール性水酸基が多ければ多いほど、エポキシ化したあとにエポキシ樹脂の性質に近くなり、反応性が向上し得る。一方、上記低分子量ポリフェニレンエーテルの水酸基個数が5個以下とすることは、エポキシ変性時にポリフェニレンエーテルを多く投入しても溶融粘度の急激な上昇を抑えるというメリットがある。
なお、本実施の形態において、低分子量ポリフェニレンエーテルの1分子中に含まれるフェノール性水酸基の平均数は、フェノール性水酸基当量と数平均分子量から求められる。
なお、本実施の形態において、低分子量ポリフェニレンエーテルの1分子中に含まれるフェノール性水酸基の平均数は、フェノール性水酸基当量と数平均分子量から求められる。
一方、本実施の形態の製造方法において用いられるエポキシ化合物の、1分子中に含まれるエポキシ基の平均数としては、2個以上、好ましくは2.5個以上、より好ましくは3個以上、上限として好ましくは7個以下、好ましくは5.5個以下である。1分子中に含まれるエポキシ基の平均数を2個以上に設定することは、エポキシ化ポリフェニレンエーテルをエポキシ樹脂と均一に硬化するというメリットがある。一方、7個以下とすることは、低分子量ポリフェニレンエーテルをエポキシ変性する際の副反応(ゲル化等)を抑制することに寄与し得る。
1分子中に含まれるエポキシ基の平均数が2個以上のエポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ヒンダトイン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ビスAノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン/フェノールエポキシ樹脂、脂環式アミンエポキシ樹脂、脂肪族アミンエポキシ樹脂、及び、これらをハロゲン化したエポキシ樹脂等が挙げられる。これらは1種を単独で、又は2種以上を併用することができる。特に、得られるエポキシ化ポリフェニレンエーテルが1分子あたり平均3個以上のエポキシ基を有するよう、エポキシ化合物を選択することが好ましい。
また、上記低分子量ポリフェニレンエーテルに含まれるフェノール性水酸基と、上記エポキシ化合物に含まれるエポキシ基とを付加反応させる方法としては、例えば、フェノール性水酸基とエポキシ基の反応のための触媒の存在下、100℃〜200℃で、1〜20時間反応させる方法を採用し得る。
ここで、触媒としては、例えば、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムといった水酸化物;ナトリウムメチラートやナトリウムブチラートといったアルキレート塩;テトラブチルアンモニウムクロライドやテトラメチルアンモニウムブロミドといった4級アンモニウム塩;テトラフェニルホスホニウムブロミドやアミルトリフェニルホスホニウムブロミドといったホスホニウム塩;2メチルイミダゾールや2メチル4イミダゾールといったイミダゾール系触媒;N、N−ジエチルエタノールアミンといったアミン類触媒;塩化カリウム;等が挙げられる。これらは1種を単独で、又は2種以上を併用しても良い。
ここで、触媒としては、例えば、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムといった水酸化物;ナトリウムメチラートやナトリウムブチラートといったアルキレート塩;テトラブチルアンモニウムクロライドやテトラメチルアンモニウムブロミドといった4級アンモニウム塩;テトラフェニルホスホニウムブロミドやアミルトリフェニルホスホニウムブロミドといったホスホニウム塩;2メチルイミダゾールや2メチル4イミダゾールといったイミダゾール系触媒;N、N−ジエチルエタノールアミンといったアミン類触媒;塩化カリウム;等が挙げられる。これらは1種を単独で、又は2種以上を併用しても良い。
本実施の形態の製造方法により得られたエポキシ化ポリフェニレンエーテルは、トルエンやキシレンなどの芳香族系の溶剤に対して良好な溶解性を示すだけでなく、ケトン類に対しても良好な溶解性を示し得る。
また、当該エポキシ化ポリフェニレンエーテルは、他のエポキシ樹脂との相溶性に富み、均質なワニスを構成するエポキシ樹脂組成物を与え得る。当該エポキシ化ポリフェニレンエーテルは反応性が高いため、他のエポキシ樹脂と層分離を起こすことなく、均一な硬化物を与え得る。
また、当該エポキシ化ポリフェニレンエーテルは、他のエポキシ樹脂との相溶性に富み、均質なワニスを構成するエポキシ樹脂組成物を与え得る。当該エポキシ化ポリフェニレンエーテルは反応性が高いため、他のエポキシ樹脂と層分離を起こすことなく、均一な硬化物を与え得る。
[エポキシ樹脂組成物、電子部材]
本実施の形態におけるエポキシ樹脂組成物は、上述した製造方法により得られたエポキシ化ポリフェニレンエーテル樹脂と、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の硬化剤とを含む。本実施の形態のエポキシ樹脂組成物は、金属箔の引き剥がし強さや、半田耐熱性、耐溶剤性、電気特性等に優れた電子部材を実現し得る。
本実施の形態におけるエポキシ樹脂組成物は、上述した製造方法により得られたエポキシ化ポリフェニレンエーテル樹脂と、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の硬化剤とを含む。本実施の形態のエポキシ樹脂組成物は、金属箔の引き剥がし強さや、半田耐熱性、耐溶剤性、電気特性等に優れた電子部材を実現し得る。
上記エポキシ樹脂としては、オキサゾリドン環を持つエポキシ樹脂を用いることが、硬化体の耐熱性を下げることなく、銅箔やプラスチックとの接着性を向上させることができて好適である。
また、上記エポキシ樹脂の硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応して3次元網状構造を形成し得る硬化剤が好ましい。このような硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド、脂肪族ポリアミド等のアミド系硬化剤、ジアミノジフェニルメタン、メタフェニレンジアミン、アンモニア、トリエチルアミン、ジエチルアミン等のアミン系硬化剤、ビスフェノールA、ビスフェノールF、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、p−キシレンノボラック樹脂等のフェノール系硬化剤;酸無水物系硬化剤といった顕在型硬化剤や潜在型硬化剤が挙げられる。これらは1種を単独で、又は2種類以上を併用することができる。なお、このような硬化剤の配合量としては、エポキシ樹脂組成物全てのエポキシ当量あたり、好ましくは0.1〜10当量、より好ましくは0.3〜3当量、更に好ましくは0.5〜1.5当量である。
また、上記エポキシ樹脂の硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応して3次元網状構造を形成し得る硬化剤が好ましい。このような硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド、脂肪族ポリアミド等のアミド系硬化剤、ジアミノジフェニルメタン、メタフェニレンジアミン、アンモニア、トリエチルアミン、ジエチルアミン等のアミン系硬化剤、ビスフェノールA、ビスフェノールF、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、p−キシレンノボラック樹脂等のフェノール系硬化剤;酸無水物系硬化剤といった顕在型硬化剤や潜在型硬化剤が挙げられる。これらは1種を単独で、又は2種類以上を併用することができる。なお、このような硬化剤の配合量としては、エポキシ樹脂組成物全てのエポキシ当量あたり、好ましくは0.1〜10当量、より好ましくは0.3〜3当量、更に好ましくは0.5〜1.5当量である。
また、本実施の形態におけるエポキシ樹脂組成物は、難燃剤を含んでも良い。
上記難燃剤としては、例えば、臭素化エポキシ樹脂、エポキシ基含有ホスファゼン化合物、リン酸エステル、縮合リン酸エステル、及びホスフィン化合物のキノン誘導体よりなる群から選択された1種又は2種以上が用いられる。このような難燃剤の配合量としては、エポキシ樹脂組成物全体の10質量%以上であることが、より確実に難燃性を達成する観点から好適である。難燃剤選択の際、臭素化エポキシ樹脂を選ばなければ、ハロゲンフリーの難燃性樹脂になる。
上記難燃剤としては、例えば、臭素化エポキシ樹脂、エポキシ基含有ホスファゼン化合物、リン酸エステル、縮合リン酸エステル、及びホスフィン化合物のキノン誘導体よりなる群から選択された1種又は2種以上が用いられる。このような難燃剤の配合量としては、エポキシ樹脂組成物全体の10質量%以上であることが、より確実に難燃性を達成する観点から好適である。難燃剤選択の際、臭素化エポキシ樹脂を選ばなければ、ハロゲンフリーの難燃性樹脂になる。
上記エポキシ樹脂組成物において、エポキシ化ポリフェニレンエーテルがエポキシ樹脂組成物中に占める割合としては、好ましくは40〜90質量%、より好ましくは50〜60質量%である。
また、エポキシ樹脂がエポキシ樹脂組成物中に占める割合としては、好ましくは1〜50質量%、より好ましくは50〜60質量%である。
更に、難燃剤がエポキシ樹脂組成物中に占める割合としては、好ましくは10〜50質量%、好ましくは20〜25質量%である。
このような配合とすることは、電気特性が良く、難燃性を維持しながら、耐熱性、接着性、加工性のバランスが非常に良好な硬化物を実現し得る。
また、エポキシ樹脂がエポキシ樹脂組成物中に占める割合としては、好ましくは1〜50質量%、より好ましくは50〜60質量%である。
更に、難燃剤がエポキシ樹脂組成物中に占める割合としては、好ましくは10〜50質量%、好ましくは20〜25質量%である。
このような配合とすることは、電気特性が良く、難燃性を維持しながら、耐熱性、接着性、加工性のバランスが非常に良好な硬化物を実現し得る。
本実施の形態におけるエポキシ樹脂組成物は、更に、硬化促進剤を含んでも良い。
このような硬化促進剤としては、例えば、2−メチルイミダゾール、2−メチル−4−エチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン等の3級アミン類、トリブチルポスフィン、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が挙げられる。これらは1種を単独で、もしくは2種類以上を併用してもよい。
このような硬化促進剤としては、例えば、2−メチルイミダゾール、2−メチル−4−エチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン等の3級アミン類、トリブチルポスフィン、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が挙げられる。これらは1種を単独で、もしくは2種類以上を併用してもよい。
本実施の形態のエポキシ樹脂組成物を用いて電子部材等の成形体を得る場合、予めワニスを調製することができる。ここで、ワニスを調整する際の溶媒としては、例えばジクロロメタンやクロロホルムなどのハロゲン系溶媒やベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族系溶媒に加えて、ケトン類溶剤が挙げられる。
ケトン類溶剤としては、例えばメチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の脂肪族ケトンや、アセトフェノン等の芳香族
ケトンが挙げられる。また、例えば、ジシアンジアミド等、ケトン類に溶解しにくい硬化剤や硬化促進剤を使用する場合は、主な溶剤としてケトン類を使用しても、補助溶剤として、例えば、ジメチルホルムアミド、メチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メシチレン等の溶剤を使用することもできる。
ワニス中の固形分濃度は、特に限定されないが、30%〜80%が好適である。
ケトン類溶剤としては、例えばメチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の脂肪族ケトンや、アセトフェノン等の芳香族
ケトンが挙げられる。また、例えば、ジシアンジアミド等、ケトン類に溶解しにくい硬化剤や硬化促進剤を使用する場合は、主な溶剤としてケトン類を使用しても、補助溶剤として、例えば、ジメチルホルムアミド、メチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メシチレン等の溶剤を使用することもできる。
ワニス中の固形分濃度は、特に限定されないが、30%〜80%が好適である。
本実施の形態の電子部材は、上記エポキシ樹脂組成物を用いて形成される。電子部材の態様としては、例えば、エポキシプリプレグ、エポキシプリプレグを用いた積層板、樹脂シート、又は樹脂シートを用いた積層板が挙げられる。
エポキシプリプレグの製造方法としては、例えば、上記ワニスを基材に含浸させた後、溶媒を乾燥させ、加熱硬化させる方法が挙げられる。上記基材としては、ガラスクロス、アラミドクロス、ポリエステルクロス、ガラス不織布、アラミド不織布、ポリエステル不織布、パルプ紙、リンター紙等が挙げられる。基材に含浸する樹脂量は特に限定されないが、乾燥後の樹脂含有量がプリプレグの質量に対し30〜70%となるように設定されることが好適である。
エポキシプリプレグの製造方法としては、例えば、上記ワニスを基材に含浸させた後、溶媒を乾燥させ、加熱硬化させる方法が挙げられる。上記基材としては、ガラスクロス、アラミドクロス、ポリエステルクロス、ガラス不織布、アラミド不織布、ポリエステル不織布、パルプ紙、リンター紙等が挙げられる。基材に含浸する樹脂量は特に限定されないが、乾燥後の樹脂含有量がプリプレグの質量に対し30〜70%となるように設定されることが好適である。
上記樹脂シートの製造方法としては、例えば、上記ワニスを金属箔やポリエチレンテレフタレートフィルム等の上にバーコーター等で塗布し、溶剤を乾燥除去して作製する方法が挙げられる。このように作製され、Bステージ化されたフィルムは、ホットロール等を用いて両面銅箔積層板にラミネートされ、オーブン内等で加熱処理されて、多層成形体が作成される。
上記積層板の製造方法としては、例えば、プリプレグ、樹脂シートおよび銅箔を、目的に応じた層構成で積層し、加圧加熱して製造する方法が挙げられる。具体的には、例えば、基板上にプリプレグと硬化性樹脂金属箔複合体を複数枚重ね合わせ、加熱加圧下に各層間を接着すると同時に熱架橋を行い、所望の厚みの積層板を得る方法が挙げられる。また、基板上に硬化性樹脂金属箔複合体を複数枚重ね合わせて、加熱加圧下に各層間を接着すると同時に熱硬化を行い、所望の厚みの積層板を得る方法が挙げられる。金属箔は、表層としても中間層としても用いることができる。また、積層板の製造方法としては、積層と硬化を複数回繰り返して逐次多層化する方法も挙げられる。
なお、硬化温度としては、例えば、汎用FR4積層板の作成条件として、180℃で1時間硬化の条件を採用し得る。
なお、硬化温度としては、例えば、汎用FR4積層板の作成条件として、180℃で1時間硬化の条件を採用し得る。
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものでない。
各特性の評価は以下の方法で行った。
(1)数平均分子量(Mn)、分子量、分子量分布(Mw/Mn)
昭和電工社製商品名:shodex A−804、A−803、A−802、A802をカラムとして使用して、ゲル浸透クロマトグラフィー分析を行った。分子量既知のポリスチレンの溶出時間との比較で分子量を求めた。
(2)フェノール性水酸基当量、フェノール基数(OH基数)
低分子量ポリフェニレンエーテルを塩化メチレンに溶解後、0.1Nテトラエチルアンモニウムハイドロキシドのメタノール溶液を添加し、激しく撹拌後、318nmでの吸光度を測定した。0.1Nテトラエチルアンモニウムハイドロキシドのメタノール溶液を添加した場合と添加しない場合との差から、フェノール性水酸基当量を求めた(単位:meq/kg)。更に、この求めたフェノール性水酸基当量と数平均分子量から、1分子あたりのフェノール基数を求めた。
(3)エポキシ当量
JIS K 7236により測定した。
(4)ΔTgの測定
エポキシ化ポリフェニレンエーテルに、エポキシ当量に対して0.6当量のジシアンジアミドを硬化剤として添加し、更に、170℃のゲルタイムが4分30秒になるよう2メチルイミダゾールを硬化促進剤として添加して配合物を得た。この配合物を180℃で1時間硬化させ、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製の示差走査熱量計(商品名:DSC6220)にてガラス転位温度を測定した。窒素雰囲気下、20℃/minで40℃から250℃まで加熱し、1回目に測定されたガラス転位温度をTg1、冷却後、同一条件で測定して得られたガラス転位温度をTg2とし、Tg1−Tg2の絶対値をΔTgとした。ΔTgは、硬化の進行具合を見る目安となる。
(5)耐溶剤性
エポキシ化ポリフェニレンエーテルに、上記(4)と同様に硬化剤、硬化促進剤を混合し、180℃で1時間硬化させた。得られた硬化体を3%水酸化ナトリウム水溶液40℃に3分間浸漬し、20分間流水で洗浄した。洗浄後の硬化体の、表面の荒れ具合を観察した。洗浄前後を比較し、変化がないものを○、表面が荒れているものを×とした。
(6)溶解性の評価
測定対象物の含有率が30質量%になるように、測定対象物を溶剤へ加熱溶解した。室温まで冷却した後、所定の日数25℃で放置し、放置後の溶液をメンブランフィルターにてろ過した。フィルターを加熱し、溶剤を揮発させた後のフィルター質量(フィルターとろ過物との合計質量)と、フィルター自体の質量との差が0.1質量%以下となる日数を測定した。当該日数が10日以上の場合を○、5日以上9日以下の場合を△、5日未満の場合を×と評価した。
(7)積層板誘電率、誘電正接
JIS C 6481に基づき測定した。測定装置として、アジレントテクノロジー社製LCRメーター(商品名:4284A)を用いた。
(1)数平均分子量(Mn)、分子量、分子量分布(Mw/Mn)
昭和電工社製商品名:shodex A−804、A−803、A−802、A802をカラムとして使用して、ゲル浸透クロマトグラフィー分析を行った。分子量既知のポリスチレンの溶出時間との比較で分子量を求めた。
(2)フェノール性水酸基当量、フェノール基数(OH基数)
低分子量ポリフェニレンエーテルを塩化メチレンに溶解後、0.1Nテトラエチルアンモニウムハイドロキシドのメタノール溶液を添加し、激しく撹拌後、318nmでの吸光度を測定した。0.1Nテトラエチルアンモニウムハイドロキシドのメタノール溶液を添加した場合と添加しない場合との差から、フェノール性水酸基当量を求めた(単位:meq/kg)。更に、この求めたフェノール性水酸基当量と数平均分子量から、1分子あたりのフェノール基数を求めた。
(3)エポキシ当量
JIS K 7236により測定した。
(4)ΔTgの測定
エポキシ化ポリフェニレンエーテルに、エポキシ当量に対して0.6当量のジシアンジアミドを硬化剤として添加し、更に、170℃のゲルタイムが4分30秒になるよう2メチルイミダゾールを硬化促進剤として添加して配合物を得た。この配合物を180℃で1時間硬化させ、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製の示差走査熱量計(商品名:DSC6220)にてガラス転位温度を測定した。窒素雰囲気下、20℃/minで40℃から250℃まで加熱し、1回目に測定されたガラス転位温度をTg1、冷却後、同一条件で測定して得られたガラス転位温度をTg2とし、Tg1−Tg2の絶対値をΔTgとした。ΔTgは、硬化の進行具合を見る目安となる。
(5)耐溶剤性
エポキシ化ポリフェニレンエーテルに、上記(4)と同様に硬化剤、硬化促進剤を混合し、180℃で1時間硬化させた。得られた硬化体を3%水酸化ナトリウム水溶液40℃に3分間浸漬し、20分間流水で洗浄した。洗浄後の硬化体の、表面の荒れ具合を観察した。洗浄前後を比較し、変化がないものを○、表面が荒れているものを×とした。
(6)溶解性の評価
測定対象物の含有率が30質量%になるように、測定対象物を溶剤へ加熱溶解した。室温まで冷却した後、所定の日数25℃で放置し、放置後の溶液をメンブランフィルターにてろ過した。フィルターを加熱し、溶剤を揮発させた後のフィルター質量(フィルターとろ過物との合計質量)と、フィルター自体の質量との差が0.1質量%以下となる日数を測定した。当該日数が10日以上の場合を○、5日以上9日以下の場合を△、5日未満の場合を×と評価した。
(7)積層板誘電率、誘電正接
JIS C 6481に基づき測定した。測定装置として、アジレントテクノロジー社製LCRメーター(商品名:4284A)を用いた。
[実施例1〜8、比較例1〜3]
表1に示す配合・反応条件によって再分配反応を行い、低分子量ポリフェニレンエーテルI〜XIを得た。得られた低分子量ポリフェニレンエーテルの分析結果を表1に併記した。なお、反応条件の詳細については以下に示した。
表1に示す配合・反応条件によって再分配反応を行い、低分子量ポリフェニレンエーテルI〜XIを得た。得られた低分子量ポリフェニレンエーテルの分析結果を表1に併記した。なお、反応条件の詳細については以下に示した。
[実施例1]
底栓弁つきのリアクターに溶媒としてメシチレン300gを入れ、90℃に加熱後、数平均分子量18,000の原料ポリフェニレンエーテル(旭化成ケミカルズ(株)製、商品名:SA202)100gおよび、ポリフェノール性化合物としてビスフェノールA(BPA)6gを溶解させた。この中に過酸化ベンゾイル(BPO)(日本油脂(株)製、商品名:ナイパーBMT)の10%メシチレン溶液60gを240分かけて添加し、90℃にて60分間攪拌し再分配反応させた。このときのラジカル開始剤の分解速度定数は0.55であり、分解速度定数を添加時間で割った値は0.14(1/hr)である。
この反応溶液に、炭酸水素ナトリウム水を添加し、十分洗浄(アルカリ洗浄)した後に、水溶液のみを取り除いた。このときの有機層を少量取り、GPC法により数平均分子量(Mn)を求めたところ2,560であり、分子量20,000以上の成分は4.9%であり、分子量分布(Mw/Mn)は2.2であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、625meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.6個の低分子量ポリフェニレンエーテルIを得た。
底栓弁つきのリアクターに溶媒としてメシチレン300gを入れ、90℃に加熱後、数平均分子量18,000の原料ポリフェニレンエーテル(旭化成ケミカルズ(株)製、商品名:SA202)100gおよび、ポリフェノール性化合物としてビスフェノールA(BPA)6gを溶解させた。この中に過酸化ベンゾイル(BPO)(日本油脂(株)製、商品名:ナイパーBMT)の10%メシチレン溶液60gを240分かけて添加し、90℃にて60分間攪拌し再分配反応させた。このときのラジカル開始剤の分解速度定数は0.55であり、分解速度定数を添加時間で割った値は0.14(1/hr)である。
この反応溶液に、炭酸水素ナトリウム水を添加し、十分洗浄(アルカリ洗浄)した後に、水溶液のみを取り除いた。このときの有機層を少量取り、GPC法により数平均分子量(Mn)を求めたところ2,560であり、分子量20,000以上の成分は4.9%であり、分子量分布(Mw/Mn)は2.2であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、625meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.6個の低分子量ポリフェニレンエーテルIを得た。
[実施例2]
低栓弁つきのリアクターに溶媒としてキシレン300gを入れ、90℃に加熱後、数平均分子量20,000の原料ポリフェニレンエーテル(旭化成ケミカルズ(株)製、商品名:SA201)100gおよびポリフェノール性化合物としてビスフェノールA(BPA)8gを溶解させた。この中に過酸化ベンゾイル(BPO)(日本油脂(株)製、商品名:ナイパーBMT)の2.5%キシレン溶液400gを120分かけて添加し、90℃で120分反応させた。このときのラジカル開始剤の分解速度定数は0.55であり、分解速度定数を滴下時間で割った値は0.28(1/hr)である。
この反応溶液に、炭酸水素ナトリウム水を添加し、十分洗浄(アルカリ洗浄)した後に、水溶液のみを取り除いた。このときの有機層を少量取り、GPC法により数平均分子量(Mn)を求めたところ2,120であり、分子量20,000以上の成分は3.1%であり、分子量分布(Mw/Mn)は2.1であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、850meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.8個の低分子量ポリフェニレンエーテルIIを得た。
低栓弁つきのリアクターに溶媒としてキシレン300gを入れ、90℃に加熱後、数平均分子量20,000の原料ポリフェニレンエーテル(旭化成ケミカルズ(株)製、商品名:SA201)100gおよびポリフェノール性化合物としてビスフェノールA(BPA)8gを溶解させた。この中に過酸化ベンゾイル(BPO)(日本油脂(株)製、商品名:ナイパーBMT)の2.5%キシレン溶液400gを120分かけて添加し、90℃で120分反応させた。このときのラジカル開始剤の分解速度定数は0.55であり、分解速度定数を滴下時間で割った値は0.28(1/hr)である。
この反応溶液に、炭酸水素ナトリウム水を添加し、十分洗浄(アルカリ洗浄)した後に、水溶液のみを取り除いた。このときの有機層を少量取り、GPC法により数平均分子量(Mn)を求めたところ2,120であり、分子量20,000以上の成分は3.1%であり、分子量分布(Mw/Mn)は2.1であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、850meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.8個の低分子量ポリフェニレンエーテルIIを得た。
[実施例3]
低栓弁つきのリアクターに溶媒としてトルエン300gを入れ、90℃に加熱後、数平均分子量18,000の原料ポリフェニレンエーテル(旭化成ケミカルズ(株)製、商品名:SA202)100gおよび、ポリフェノール性化合物としてビスフェノールA(BPA)8gを溶解させ、70℃に冷却した後に、触媒としてナフテン酸コバルトミネラルスピリッツ7%液(和光純薬(株)製)を1.6ml添加した。この中に過酸化ベンゾイル(日本油脂(株)製、商品名:ナイパーBMT)の2.5%トルエン溶液400gを240分かけて添加し、70℃で240分反応させた。このときのラジカル開始剤の分解速度定数は0.05であり、分解速度定数を滴下時間で割った値は0.013(1/hr)である。
この反応溶液に、炭酸水素ナトリウム水を添加し、十分洗浄(アルカリ洗浄)した後に、水溶液のみを取り除いた。このときの有機層を少量取り、GPC法により数平均分子量を求めたところ1,820であり、分子量20,000以上の成分は0.5%であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.7であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、1050meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.9個の低分子量ポリフェニレンエーテルIIIを得た。
低栓弁つきのリアクターに溶媒としてトルエン300gを入れ、90℃に加熱後、数平均分子量18,000の原料ポリフェニレンエーテル(旭化成ケミカルズ(株)製、商品名:SA202)100gおよび、ポリフェノール性化合物としてビスフェノールA(BPA)8gを溶解させ、70℃に冷却した後に、触媒としてナフテン酸コバルトミネラルスピリッツ7%液(和光純薬(株)製)を1.6ml添加した。この中に過酸化ベンゾイル(日本油脂(株)製、商品名:ナイパーBMT)の2.5%トルエン溶液400gを240分かけて添加し、70℃で240分反応させた。このときのラジカル開始剤の分解速度定数は0.05であり、分解速度定数を滴下時間で割った値は0.013(1/hr)である。
この反応溶液に、炭酸水素ナトリウム水を添加し、十分洗浄(アルカリ洗浄)した後に、水溶液のみを取り除いた。このときの有機層を少量取り、GPC法により数平均分子量を求めたところ1,820であり、分子量20,000以上の成分は0.5%であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.7であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、1050meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.9個の低分子量ポリフェニレンエーテルIIIを得た。
[実施例4]
低栓弁つきのリアクターに溶媒としてトルエン500gを入れ、90℃に加熱後、数平均分子量18,000の原料ポリフェニレンエーテル(旭化成ケミカルズ(株)製、商品名:SA202)100gおよび、ポリフェノール性化合物としてビスフェノールA(BPA)8gを溶解させ、80℃に冷却した後に、触媒としてナフテン酸コバルトミネラルスピリッツ7%液(和光純薬(株)製)を1.6ml添加した。この中にジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド(日本油脂(株)製、商品名:パークミルP)15gを60分かけて添加し、80℃で240分反応させた。このときの分解速度定数は0.0001であり、分解速度定数を滴下時間で割った値は0.0001(1/hr)である。
この反応溶液に、炭酸水素ナトリウム水を添加し、十分洗浄(アルカリ洗浄)した後に、水溶液のみを取り除いた。このときの有機層を少量取り、GPC法により数平均分子量を求めたところ3,900であり、分子量20,000以上の成分は1.9%であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.8であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、450meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.7個の低分子量ポリフェニレンエーテルIVを得た。
低栓弁つきのリアクターに溶媒としてトルエン500gを入れ、90℃に加熱後、数平均分子量18,000の原料ポリフェニレンエーテル(旭化成ケミカルズ(株)製、商品名:SA202)100gおよび、ポリフェノール性化合物としてビスフェノールA(BPA)8gを溶解させ、80℃に冷却した後に、触媒としてナフテン酸コバルトミネラルスピリッツ7%液(和光純薬(株)製)を1.6ml添加した。この中にジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド(日本油脂(株)製、商品名:パークミルP)15gを60分かけて添加し、80℃で240分反応させた。このときの分解速度定数は0.0001であり、分解速度定数を滴下時間で割った値は0.0001(1/hr)である。
この反応溶液に、炭酸水素ナトリウム水を添加し、十分洗浄(アルカリ洗浄)した後に、水溶液のみを取り除いた。このときの有機層を少量取り、GPC法により数平均分子量を求めたところ3,900であり、分子量20,000以上の成分は1.9%であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.8であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、450meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.7個の低分子量ポリフェニレンエーテルIVを得た。
[実施例5]
製造例3において、ナフテン酸コバルトを、過酸化ベンゾイルの滴下後に入れる以外は同様に製造した。GPC法により数平均分子量を求めたところ1820であり、分子量20,000以上の成分は0.8%であり、分子量分布(Mw/Mn)は2.0であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、930meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.7個の低分子量ポリフ
ェニレンエーテルVを得た。
製造例3において、ナフテン酸コバルトを、過酸化ベンゾイルの滴下後に入れる以外は同様に製造した。GPC法により数平均分子量を求めたところ1820であり、分子量20,000以上の成分は0.8%であり、分子量分布(Mw/Mn)は2.0であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、930meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.7個の低分子量ポリフ
ェニレンエーテルVを得た。
[比較例1]
底栓弁つきのリアクターに溶媒としてトルエン100gを入れ、90℃に加熱後、数平均分子量18,000の原料ポリフェニレンエーテル(旭化成ケミカルズ(株)製、商品名:SA202)100gおよび、ポリフェノール性化合物としてビスフェノールA(BPA)6gを溶解させた。この中に過酸化ベンゾイル(日本油脂(株)製、商品名:ナイパーBMT)6gを6分かけて添加し、90℃にて60分間攪拌し再分配反応させた。このときのラジカル開始剤の分解速度定数は0.55であり、分解速度定数を滴下時間で割った値は5.5(1/hr)であった。
この反応溶液に、炭酸水素ナトリウム水を添加し、十分洗浄(アルカリ洗浄)した後に、水溶液のみを取り除いた。このときの有機層を少量取り、GPC法により数平均分子量を求めたところ2,300であり、分子量20,000以上の成分は21.0%であり、分子量分布(Mw/Mn)は3.2であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、625meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.4個の低分子量ポリフェニレンエーテルVIを得た。
底栓弁つきのリアクターに溶媒としてトルエン100gを入れ、90℃に加熱後、数平均分子量18,000の原料ポリフェニレンエーテル(旭化成ケミカルズ(株)製、商品名:SA202)100gおよび、ポリフェノール性化合物としてビスフェノールA(BPA)6gを溶解させた。この中に過酸化ベンゾイル(日本油脂(株)製、商品名:ナイパーBMT)6gを6分かけて添加し、90℃にて60分間攪拌し再分配反応させた。このときのラジカル開始剤の分解速度定数は0.55であり、分解速度定数を滴下時間で割った値は5.5(1/hr)であった。
この反応溶液に、炭酸水素ナトリウム水を添加し、十分洗浄(アルカリ洗浄)した後に、水溶液のみを取り除いた。このときの有機層を少量取り、GPC法により数平均分子量を求めたところ2,300であり、分子量20,000以上の成分は21.0%であり、分子量分布(Mw/Mn)は3.2であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、625meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.4個の低分子量ポリフェニレンエーテルVIを得た。
[比較例2]
底栓弁つきのリアクターに溶媒としてトルエン100gを入れ、90℃に加熱後、数平均分子量18,000の原料ポリフェニレンエーテル(旭化成ケミカルズ(株)製、商品名:SA202)100gおよび、ポリフェノール性化合物としてビスフェノールA(BPA)6gを溶解させた。この中に過酸化ベンゾイル(日本油脂(株)製、商品名:ナイパーBMT)の10%トルエン溶液60gを120分かけて添加し、90℃にて60分間攪拌し再分配反応させた。このときのラジカル開始剤の分解速度定数は0.55であり、分解速度定数を滴下時間で割った値は0.28(1/hr)であった。
この反応溶液に、炭酸水素ナトリウム水を添加し十分洗浄(アルカリ洗浄)した後に、水溶液のみを取り除いた。このときの有機層を少量取り、GPC法により数平均分子量を求めたところ2,400であり、分子量20,000以上の成分は13.0%であり、分子量分布(Mw/Mn)は3.1であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、650meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.6個の低分子量ポリフェニレンエーテルVIIを得た。
底栓弁つきのリアクターに溶媒としてトルエン100gを入れ、90℃に加熱後、数平均分子量18,000の原料ポリフェニレンエーテル(旭化成ケミカルズ(株)製、商品名:SA202)100gおよび、ポリフェノール性化合物としてビスフェノールA(BPA)6gを溶解させた。この中に過酸化ベンゾイル(日本油脂(株)製、商品名:ナイパーBMT)の10%トルエン溶液60gを120分かけて添加し、90℃にて60分間攪拌し再分配反応させた。このときのラジカル開始剤の分解速度定数は0.55であり、分解速度定数を滴下時間で割った値は0.28(1/hr)であった。
この反応溶液に、炭酸水素ナトリウム水を添加し十分洗浄(アルカリ洗浄)した後に、水溶液のみを取り除いた。このときの有機層を少量取り、GPC法により数平均分子量を求めたところ2,400であり、分子量20,000以上の成分は13.0%であり、分子量分布(Mw/Mn)は3.1であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、650meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.6個の低分子量ポリフェニレンエーテルVIIを得た。
[実施例6]
滴下時の温度、反応温度をともに110℃にする以外は製造例3と同様に実験を行った。このときのラジカル開始剤の分解速度定数は5.1であり、分解速度定数を滴下時間で割った値は1.3(1/hr)であった。GPC法により数平均分子量を求めたところ1,750であり、分子量20,000以上の成分は8.5%であり、分子量分布(Mw/Mn)は3.2であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、810meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.4個の低分子量ポリフェニレンエーテルVIIIを得た。
滴下時の温度、反応温度をともに110℃にする以外は製造例3と同様に実験を行った。このときのラジカル開始剤の分解速度定数は5.1であり、分解速度定数を滴下時間で割った値は1.3(1/hr)であった。GPC法により数平均分子量を求めたところ1,750であり、分子量20,000以上の成分は8.5%であり、分子量分布(Mw/Mn)は3.2であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、810meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.4個の低分子量ポリフェニレンエーテルVIIIを得た。
[実施例7]
ビスフェノールAの代わりの2,6キシレノールを使用した以外は製造例1と同様の実験を行った。GPC法により数平均分子量を求めたところ2,380であり、分子量20,000以上の成分は9.3%であり、分子量分布(Mw/Mn)は2.5であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、460meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.1個の低分子量ポリフェニレンエーテルIXを得た。
ビスフェノールAの代わりの2,6キシレノールを使用した以外は製造例1と同様の実験を行った。GPC法により数平均分子量を求めたところ2,380であり、分子量20,000以上の成分は9.3%であり、分子量分布(Mw/Mn)は2.5であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、460meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.1個の低分子量ポリフェニレンエーテルIXを得た。
[比較例3]
低栓弁つきのリアクターに溶媒としてトルエン900gを入れ、90℃に加熱後、数平均分子量18,000の原料ポリフェニレンエーテル(旭化成ケミカルズ(株)製、商品名:SA202)100gおよび、ポリフェノール性化合物としてビスフェノールA(BPA)2gを溶解させた。この中に過酸化ベンゾイル(日本油脂(株)製、商品名:ナイパーBMT)の2%トルエン溶液100gを240分かけて添加し、90℃で240分反応させた。このときのラジカル開始剤の分解速度定数は0.55であり、分解速度定数を滴下時間で割った値は0.14(1/hr)であった。
この反応溶液に、炭酸水素ナトリウム水を添加し、十分洗浄(アルカリ洗浄)した後に、水溶液のみを取り除いた。このときの有機層を少量取り、GPC法により数平均分子量を求めたところ8,400であり、分子量20,000以上の成分は36.2%であり、分子量分布(Mw/Mn)は2.7であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、160meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.3個の低分子量ポリフェニレンエーテルXを得た。
低栓弁つきのリアクターに溶媒としてトルエン900gを入れ、90℃に加熱後、数平均分子量18,000の原料ポリフェニレンエーテル(旭化成ケミカルズ(株)製、商品名:SA202)100gおよび、ポリフェノール性化合物としてビスフェノールA(BPA)2gを溶解させた。この中に過酸化ベンゾイル(日本油脂(株)製、商品名:ナイパーBMT)の2%トルエン溶液100gを240分かけて添加し、90℃で240分反応させた。このときのラジカル開始剤の分解速度定数は0.55であり、分解速度定数を滴下時間で割った値は0.14(1/hr)であった。
この反応溶液に、炭酸水素ナトリウム水を添加し、十分洗浄(アルカリ洗浄)した後に、水溶液のみを取り除いた。このときの有機層を少量取り、GPC法により数平均分子量を求めたところ8,400であり、分子量20,000以上の成分は36.2%であり、分子量分布(Mw/Mn)は2.7であった。また、同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、160meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.3個の低分子量ポリフェニレンエーテルXを得た。
[実施例8]
製造例1において、炭素水素ナトリウム水による洗浄をなくし、同様の実験を行い、低分子量ポリフェニレンエーテルXを得た。GPC法により数平均分子量を求めたところ2,610であり、分子量20,000以上の成分は5.3%であり、分子量分布(Mw/Mn)は2.2であった。同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、580meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.5個の低分子量ポリフェニレンエーテルXを得た。
製造例1において、炭素水素ナトリウム水による洗浄をなくし、同様の実験を行い、低分子量ポリフェニレンエーテルXを得た。GPC法により数平均分子量を求めたところ2,610であり、分子量20,000以上の成分は5.3%であり、分子量分布(Mw/Mn)は2.2であった。同じ有機層中の溶剤を乾固させてフェノール水酸基当量を測定してみたところ、580meq/kgであり、1分子あたりのフェノール基数が約1.5個の低分子量ポリフェニレンエーテルXを得た。
表1の結果から、以下の内容が読み取れる。
(1)MOL≧20,000(%)(分子量が20,000以上の成分の含有率)を10%以下とする観点から、触媒の使用、ラジカル開始剤の滴下時間の調整、原料ポリフェニレンエーテルと溶媒との配合比の調整、ラジカル開始剤と溶媒との配合比の調整が有効である。
(2)分子量分布(Mw/Mn)を改良する(小さくする)観点から、ラジカル開始剤の滴下時間の調整、原料ポリフェニレンエーテルと溶媒との配合比の調整、ラジカル開始剤と溶媒との配合比の調整が有効である。
(1)MOL≧20,000(%)(分子量が20,000以上の成分の含有率)を10%以下とする観点から、触媒の使用、ラジカル開始剤の滴下時間の調整、原料ポリフェニレンエーテルと溶媒との配合比の調整、ラジカル開始剤と溶媒との配合比の調整が有効である。
(2)分子量分布(Mw/Mn)を改良する(小さくする)観点から、ラジカル開始剤の滴下時間の調整、原料ポリフェニレンエーテルと溶媒との配合比の調整、ラジカル開始剤と溶媒との配合比の調整が有効である。
[実施例9〜16、比較例4〜7]
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(旭化成エポキシ(株)製、商品名:A250)40gに、触媒としてトリ−o−トリルホスフィンを0.1g添加し、十分攪拌した後、160℃まで昇温した。更に、低分子量ポリフェニレンエーテルI〜XI、又は数平均分子量18,000の高分子量ポリフェニレンエーテル(旭化成ケミカルズ(株)製、商品名:SA202)の配合量が60gとなるように添加(滴下)し、5時間反応させて、エポキシ化ポリフェニレンエーテル(エポキシ化PPE)を得た。各種物性の評価結果を表2に示す。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(旭化成エポキシ(株)製、商品名:A250)40gに、触媒としてトリ−o−トリルホスフィンを0.1g添加し、十分攪拌した後、160℃まで昇温した。更に、低分子量ポリフェニレンエーテルI〜XI、又は数平均分子量18,000の高分子量ポリフェニレンエーテル(旭化成ケミカルズ(株)製、商品名:SA202)の配合量が60gとなるように添加(滴下)し、5時間反応させて、エポキシ化ポリフェニレンエーテル(エポキシ化PPE)を得た。各種物性の評価結果を表2に示す。
また、上記のようにして得られたエポキシ化PPE70gに、高臭素化エポキシ樹脂(旭化成ケミカルズ(株)製、商品名:AER8018)を30g加え、硬化剤として組成物のエポキシ基に対しアミノ基量として0.6倍当量のジシアンジアミドを加え、溶媒としてメチルエチルケトンを加えた。ワニスの固形分は60質量%であった。実施例9〜11については、低分子量ポリフェニレンエーテルのフェノール性水酸基がエポキシ基と反応するものと仮定し、エポキシ基数からフェノール性水酸基数を差し引いた量に対してジシアンジアミドを加えた。また、硬化触媒として2−メチルイミダゾールを、ワニスの170℃ゲルタイムが4分〜5分となるよう、ワニス固形分に対し0.1〜0.3質量%の範囲で調整して添加した。このようにして、エポキシ樹脂ワニスを得た。
次に、上記エポキシ樹脂ワニスをガラスクロス(旭シュエーベル株式会社製、商品名2116)に含浸させ、乾燥させて、樹脂含有量50質量%のプリプレグを得た。上記プリプレグを4枚重ね、その上下に厚み35μmの銅箔を重ね合わせたものを温度190℃、圧力20kg/cm2の条件下で60分加熱加圧した。このようにして両面銅張積層板を得た。
得られた両面銅張積層板につき、各種積層板物性を評価した。結果を表2に示す。なお、比較例4、比較例5においてはTgが二つ現われたので、ΔTgは解析不能とした。
次に、上記エポキシ樹脂ワニスをガラスクロス(旭シュエーベル株式会社製、商品名2116)に含浸させ、乾燥させて、樹脂含有量50質量%のプリプレグを得た。上記プリプレグを4枚重ね、その上下に厚み35μmの銅箔を重ね合わせたものを温度190℃、圧力20kg/cm2の条件下で60分加熱加圧した。このようにして両面銅張積層板を得た。
得られた両面銅張積層板につき、各種積層板物性を評価した。結果を表2に示す。なお、比較例4、比較例5においてはTgが二つ現われたので、ΔTgは解析不能とした。
表2の結果から、以下の内容が読み取れる。
(1)MOL≧20,000(%)が10%以下(好ましくは5%以下)の低分子量ポリフェニレンエーテルを用いることにより、エポキシ変性後に得られるエポキシ化ポリフェニレンエーテルは、室温でトルエンに対し良好な可溶性を示した。また、MOL≧20,000(%)が2%以下の低分子量ポリフェニレンエーテルを用いることにより、エポキシ変性後に得られるエポキシ化ポリフェニレンエーテルは、メチルエチルケトンに対し良好な可溶性を示した。
(2)MOL≧20,000(%)が10%以下であり、フェノール性水酸基数が1.2個以上の低分子量ポリフェニレンエーテルを用いることにより、エポキシ変性後に得られるエポキシ化ポリフェニレンエーテルを含むエポキシ樹脂組成物は、積層板製造時に相分離を起こすことなく硬化が進行した。さらに、積層板の対溶剤性が向上した。
(3)低分子量ポリフェニレンエーテルを製造する際にアルカリ洗浄工程を採用することで、ガラス転位温度や電気特性などが良好な積層板が得られた。
(1)MOL≧20,000(%)が10%以下(好ましくは5%以下)の低分子量ポリフェニレンエーテルを用いることにより、エポキシ変性後に得られるエポキシ化ポリフェニレンエーテルは、室温でトルエンに対し良好な可溶性を示した。また、MOL≧20,000(%)が2%以下の低分子量ポリフェニレンエーテルを用いることにより、エポキシ変性後に得られるエポキシ化ポリフェニレンエーテルは、メチルエチルケトンに対し良好な可溶性を示した。
(2)MOL≧20,000(%)が10%以下であり、フェノール性水酸基数が1.2個以上の低分子量ポリフェニレンエーテルを用いることにより、エポキシ変性後に得られるエポキシ化ポリフェニレンエーテルを含むエポキシ樹脂組成物は、積層板製造時に相分離を起こすことなく硬化が進行した。さらに、積層板の対溶剤性が向上した。
(3)低分子量ポリフェニレンエーテルを製造する際にアルカリ洗浄工程を採用することで、ガラス転位温度や電気特性などが良好な積層板が得られた。
Claims (13)
- 数平均分子量10,000以上の原料ポリフェニレンエーテルと、ポリフェノール性化合物と、ラジカル開始剤とを反応させる再分配反応により、分子量20,000以上の成分の割合が10質量%以下であり、且つ数平均分子量が4,000以下である低分子量ポリフェニレンエーテルを製造する方法であって、
前記再分配反応工程は溶媒中で行われる工程であると共に、
前記原料ポリフェニレンエーテルと前記溶媒との配合比は、(原料ポリフェニレンエーテル):(溶媒)(質量比)として0.4:100〜40:100(質量比)であり、
前記ラジカル開始剤と前記溶媒との配合比は、(ラジカル開始剤):(溶媒)(質量比)として0.5:100〜5:100(質量比)
であることを特徴とする低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法。 - 前記低分子量ポリフェニレンエーテルの1分子中に含まれるフェノール性水酸基の平均数は1.2個以上である請求項1記載の製造方法。
- 前記再分配反応工程は、ナフテン酸の金属塩、五酸化バナジウム、アニリン、アミン化合物、4級アンモニウム塩、イミダゾール、及びホスホニウム塩よりなる群から選択される1種又は2種以上の触媒を用いて行われる工程である請求項1又は2記載の製造方法。
- 前記再分配反応工程は、前記ラジカル開始剤が、前記原料ポリフェニレンエーテル100質量部に対して0.1質量部/分以下の平均添加速度で配合される工程である請求項1、2又は3記載の製造方法。
- 前記再分配反応工程は、前記ラジカル開始剤が、当該ラジカル開始剤の分解速度定数を当該過酸化物の添加時間で除したしきい値として0.5(1/hr)以下となるような条件で配合される工程である請求項1〜4のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記再分配反応工程の後に、水及び/又はアルカリ溶液を用いて前記低分子量ポリフェニレンエーテルを洗浄する洗浄工程を有する請求項1〜5のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記ラジカル開始剤は過酸化ベンゾイル又は過酸化ベンゾイル誘導体である請求項1〜6のいずれか1項に記載の製造方法。
- 分子量20,000以上の成分の割合が10質量%以下であり、且つ数平均分子量が4,000以下である低分子量ポリフェニレンエーテルであって、
フェノール性水酸基と、当該フェノール性水酸基のオルト位に存するメチレン基とを有する分子鎖末端ユニットが1分子中に占める割合が、1〜20質量%であることを特徴とする低分子量ポリフェニレンエーテル。 - 数平均分子量が4,000以下である低分子量ポリフェニレンエーテルに含まれるフェノール性水酸基と、エポキシ化合物に含まれるエポキシ基とを付加反応させてエポキシ化ポリフェニレンエーテル樹脂を製造する方法であって、
前記低分子量ポリフェニレンエーテルに含まれる分子量20,000以上の成分の割合は10質量%以下であり、且つ
前記エポキシ化合物の1分子中に含まれる前記エポキシ基の平均数は2個以上
あることを特徴とするエポキシ化ポリフェニレンエーテルの製造方法。 - 前記低分子量ポリフェニレンエーテルの1分子中に含まれる前記フェノール性水酸基の平均数は1.2個以上である請求項9記載の製造方法。
- 前記低分子量ポリフェニレンエーテルは、請求項1〜7のいずれかに記載の製造方法により得られる低分子量ポリフェニレンエーテル、又は請求項8に記載の低分子量ポリフェニレンエーテルである請求項9又は10記載の製造方法。
- 請求項9〜11のいずれかに記載の製造方法により得られたエポキシ化ポリフェニレンエーテル樹脂と、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の硬化剤とを含むエポキシ樹脂組成物。
- エポキシプリプレグ、エポキシプリプレグを用いた積層板、樹脂シート、又は樹脂シートを用いた積層板よりなる群から選択される電子部材であって、請求項12に記載のエポキシ樹脂組成物を用いて形成される電子部材。
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---|---|---|---|
JP2006043881 | 2006-02-21 | ||
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PCT/JP2007/052577 WO2007097231A1 (ja) | 2006-02-21 | 2007-02-14 | 低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法 |
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---|---|
JPWO2007097231A1 true JPWO2007097231A1 (ja) | 2009-07-09 |
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ID=38437269
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008501682A Pending JPWO2007097231A1 (ja) | 2006-02-21 | 2007-02-14 | 低分子量ポリフェニレンエーテルの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7858726B2 (ja) |
EP (1) | EP1988112A4 (ja) |
JP (1) | JPWO2007097231A1 (ja) |
CN (1) | CN101389691B (ja) |
TW (1) | TW200745208A (ja) |
WO (1) | WO2007097231A1 (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5192198B2 (ja) * | 2007-08-22 | 2013-05-08 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 多官能エポキシ化ポリフェニレンエーテル樹脂及びその製造方法 |
US8058359B2 (en) * | 2008-11-10 | 2011-11-15 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Varnish compositions for electrical insulation and method of using the same |
CN102361903B (zh) * | 2009-03-26 | 2013-08-28 | 松下电器产业株式会社 | 环氧树脂组合物、预浸料、树脂涂覆的金属箔、树脂片、层压板和多层板 |
JP5550095B2 (ja) * | 2009-11-06 | 2014-07-16 | 株式会社伏見製薬所 | オリゴ(フェニレンオキシ)基含有環状ホスファゼン化合物およびその製造方法 |
CN102516530B (zh) * | 2011-12-08 | 2014-03-12 | 中山台光电子材料有限公司 | 一种环氧基改质聚苯醚树脂、树脂组合物及其应用 |
CN102532520A (zh) * | 2011-12-29 | 2012-07-04 | 广东生益科技股份有限公司 | 含磷低分子量聚苯醚树脂的制备方法 |
WO2013097128A1 (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-04 | 广东生益科技股份有限公司 | 含磷低分子量聚苯醚树脂的制备方法 |
US9243164B1 (en) | 2012-02-21 | 2016-01-26 | Park Electrochemical Corporation | Thermosetting resin composition containing a polyphenylene ether and a brominated fire retardant compound |
US9051465B1 (en) | 2012-02-21 | 2015-06-09 | Park Electrochemical Corporation | Thermosetting resin composition containing a polyphenylene ether and a brominated fire retardant compound |
CN104070737B (zh) * | 2012-03-19 | 2016-08-17 | 旭化成株式会社 | 层压板 |
CN104781307B (zh) * | 2012-11-06 | 2017-04-12 | 日本化药株式会社 | 多元亚苯基醚酚醛清漆树脂、环氧树脂组合物及其固化物 |
WO2014197458A1 (en) * | 2013-06-03 | 2014-12-11 | Polyone Corporation | Low molecular weight polyphenylene ether prepared without solvents |
WO2015103427A1 (en) * | 2013-12-31 | 2015-07-09 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Composites for protecting signal transmitters/receivers |
US10252220B2 (en) | 2014-05-01 | 2019-04-09 | Sabic Global Technologies B.V. | Porous asymmetric polyphenylene ether membranes and associated separation modules and methods |
JP2017515663A (ja) | 2014-05-01 | 2017-06-15 | サビック グローバル テクノロジーズ ベスローテン フェンノートシャップ | スキンド非対称ポリ(フェニレンエーテル)共重合体膜、気体分離装置、及びこれらの作製方法 |
US10207230B2 (en) | 2014-05-01 | 2019-02-19 | Sabic Global Technologies B.V. | Composite membrane with support comprising poly(phenylene ether) and amphilphilic polymer; method of making; and separation module thereof |
KR20170005039A (ko) | 2014-05-01 | 2017-01-11 | 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. | 양친매성 블록 공중합체;그것의 조성물, 막, 및 분리 모듈;및 그것의 제조 방법 |
CN104744687B (zh) * | 2015-04-16 | 2017-12-12 | 腾辉电子(苏州)有限公司 | 一种低分子量聚苯醚的制备方法 |
US10421046B2 (en) | 2015-05-01 | 2019-09-24 | Sabic Global Technologies B.V. | Method for making porous asymmetric membranes and associated membranes and separation modules |
CN105315454B (zh) * | 2015-11-23 | 2019-01-15 | 浙江华正新材料股份有限公司 | 有机硅改性制备含硅双羟基聚苯醚的方法及产物的应用 |
US10307717B2 (en) * | 2016-03-29 | 2019-06-04 | Sabic Global Technologies B.V. | Porous membranes and associated separation modules and methods |
CN108371931B (zh) * | 2017-12-29 | 2020-07-03 | 上海载正化工科技发展有限公司 | 一种合成小分子量聚苯醚的生产设备 |
EP3778709A4 (en) * | 2018-03-29 | 2021-05-12 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | POLYPHENYLENE ETHER, COMPOSITION THEREOF AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF |
JP7102202B2 (ja) * | 2018-04-19 | 2022-07-19 | 旭化成株式会社 | ポリフェニレンエーテル及びその製造方法 |
TW202007709A (zh) * | 2018-07-17 | 2020-02-16 | 日商太陽控股股份有限公司 | 聚苯醚、包含聚苯醚之硬化性組成物、乾膜、預浸體、硬化物、積層板,及電子零件 |
CN110437439A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-11-12 | 广东省石油与精细化工研究院 | 一种烯基封端聚苯醚的合成方法 |
WO2021065275A1 (ja) * | 2019-10-02 | 2021-04-08 | 旭化成株式会社 | ポリフェニレンエーテル組成物 |
CN110746594B (zh) * | 2019-11-14 | 2020-08-04 | 杭州聚丰新材料有限公司 | 一种低分子量含氟聚苯醚及其制备方法与应用 |
CN111732849B (zh) * | 2020-06-23 | 2022-02-08 | 西南石油大学 | 具有自修复性能的vpc纳米复合材料及其涂层的制备方法 |
CN118027390A (zh) | 2021-06-18 | 2024-05-14 | 山东圣泉新材料股份有限公司 | 一种多官能聚亚芳基醚树脂及其制备方法 |
CN115477748B (zh) * | 2022-09-20 | 2023-10-13 | 广东省科学院化工研究所 | 一种低分子量双羟基聚苯醚及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02233723A (ja) | 1989-03-08 | 1990-09-17 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 新規な官能化ポリフェニレンエーテル樹脂組成物 |
JPH03248424A (ja) | 1990-02-26 | 1991-11-06 | Sharp Corp | ドライエッチング方法 |
TW203081B (ja) | 1991-10-09 | 1993-04-01 | Gen Electric | |
DE69318665T2 (de) | 1992-10-09 | 1998-12-10 | General Electric Co., Schenectady, N.Y. | Polyphenylenether/Polyepoxid Harzzusammensetzungen |
JPH08236942A (ja) | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 新しい多層回路基板 |
JP3265984B2 (ja) | 1995-12-26 | 2002-03-18 | 松下電工株式会社 | エポキシ樹脂組成物、この樹脂組成物を用いたプリプレグ、及びこのプリプレグを用いた積層板 |
JP3248424B2 (ja) | 1996-02-29 | 2002-01-21 | 松下電工株式会社 | 変成ポリフェニレンオキサイドの製法、この製法による変成ポリフェニレンオキサイドを用いたエポキシ樹脂組成物、この組成物を用いたプリプレグ、及びこのプリプレグを用いた積層板 |
US5834565A (en) * | 1996-11-12 | 1998-11-10 | General Electric Company | Curable polyphenylene ether-thermosetting resin composition and process |
US5880221A (en) * | 1997-02-14 | 1999-03-09 | General Electric Company | Redistribution of polyphenylene ethers and polyphenylene ethers with novel structure |
US20030045757A1 (en) * | 2000-02-23 | 2003-03-06 | Yoshiyuki Ishii | Modified polyphenylene ether |
JP2003002965A (ja) | 2000-07-26 | 2003-01-08 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、及び、金属張積層板 |
EP1176172B1 (en) | 2000-07-26 | 2004-12-15 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Epoxy resin composition, prepreg and metal-clad laminate |
JP2003292570A (ja) | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 積層板用エポキシ樹脂組成物 |
US6835785B2 (en) * | 2002-01-28 | 2004-12-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Polyphenylene ether oligomer compound, derivatives thereof and use thereof |
JP3895694B2 (ja) | 2003-02-27 | 2007-03-22 | ジャパンエポキシレジン株式会社 | オリゴマー変性エポキシ樹脂、その組成物、及びその組成物を用いたプリント配線板 |
SG157958A1 (en) * | 2003-05-22 | 2010-01-29 | Asahi Kasei Chemicals Corp | Epoxy resin composition |
-
2007
- 2007-02-14 WO PCT/JP2007/052577 patent/WO2007097231A1/ja active Application Filing
- 2007-02-14 JP JP2008501682A patent/JPWO2007097231A1/ja active Pending
- 2007-02-14 US US12/224,181 patent/US7858726B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-14 EP EP07708379A patent/EP1988112A4/en not_active Withdrawn
- 2007-02-14 CN CN2007800062415A patent/CN101389691B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-15 TW TW096105749A patent/TW200745208A/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007097231A1 (ja) | 2007-08-30 |
CN101389691B (zh) | 2013-01-02 |
EP1988112A1 (en) | 2008-11-05 |
TWI363770B (ja) | 2012-05-11 |
US7858726B2 (en) | 2010-12-28 |
US20090018303A1 (en) | 2009-01-15 |
CN101389691A (zh) | 2009-03-18 |
EP1988112A4 (en) | 2012-02-01 |
TW200745208A (en) | 2007-12-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20090511 |