JPS6239835B2 - - Google Patents

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JPS6239835B2
JPS6239835B2 JP56012550A JP1255081A JPS6239835B2 JP S6239835 B2 JPS6239835 B2 JP S6239835B2 JP 56012550 A JP56012550 A JP 56012550A JP 1255081 A JP1255081 A JP 1255081A JP S6239835 B2 JPS6239835 B2 JP S6239835B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電界効果型半導体装置の製造方法に関
し、特に基板が化合物半導体から構成され、ゲー
ト電極が当該化合物半導体基板にシヨツトキー接
触する構成を有する電界効果半導体装置の改良に
関する。
シヨツトキーゲート電界効果型半導体装置、例
えばGaAsシヨツトキーゲート電界効果トランジ
スタは、高超周波用半導体素子として近年ますま
す使用されつつある。
かかるシヨツトキーゲート電界効果半導体装置
のゲート電極としては、従来アルミニウム
（Al）、金（Au）、チタン（Ti）、モリブデン
（Mo）、タングステン（Ｗ）あるいはタンタル
（Ta）等の金属が用いられている。しかしなが
ら、これらの金属によつて構成されたゲート電極
を有する半導体装置は、耐熱性が低く600〔℃〕
程の熱処理によつてもゲート電極の電気的特性、
例えば障壁高さ、逆方向耐圧等が劣化し、トラン
ジスタとしての動作が不可能となつてしまう。
そこで、近年ゲート電極としてチタン―タング
ステン電極を用いることが提案された。
しかしながら、かかる構成にあつても加熱処理
温度が例えば850〔℃〕程まで上昇すると障壁が
失なわれ不安定となる。更に前記チタン―タング
ステン電極は製造工程中において腐蝕され易く比
抵抗の上昇をきたしてしまう。
このため本発明の出願人は先に前記ゲート電極
を高融点金属の珪化物（シリサイド）から構成す
ること、並びに前記高融点金属のシリサイドから
構成されたゲート電極をマスクとして不純物を導
入して所望の領域を形成することを提案してい
る。かかる既提案の発明によれば、高融点金属の
シリサイドからなるゲート電極は850〔℃〕以上
の高温処理を行つても障壁の消失等を生ずること
がなく、したがつてかかるゲート電極をマスクと
して行なわれるソースコンタクト領域、ドレイン
コンタクト領域のためのイオン注入並びにかかる
イオン注入によつて導入されたイオンの活性化の
ための熱処理に十分に耐えることができる。した
がつて、かかる高融点金属のシリサイドをシヨツ
トキーゲート電極とする電界効果型半導体装置は
ゲート長を１〔μｍ〕程度とすることが容易であ
り、より高い周波数を扱う半導体装置の形成が容
易である。
本発明はこのような既提案の電界効果型半導体
装置の特にゲート電極の有する抵抗をより低減
し、もつてより高速な動作が可能であり、より高
い周波数の信号を扱うことができる構成を提供し
ようとするものである。
このため本願発明によれば、化合物半導体基板
の一導電型領域上に、高融点金属の珪化物であつ
て、該一導電型領域に接する部分と上側表面部分
とで高融点金属の珪化物の組成が異なる電極層を
形成する工程、該電極層に対し一のエツチング工
程を施して前記一導電型領域に接する部分の幅が
表面部分の幅より小とされたシヨツトキーゲート
電極を形成する工程、前記シヨツトキーゲート電
極をマスクとして前記化合物半導体基板に一導電
型不純物をイオン注入し活性化のための熱処理を
施す工程、前記シヨツトキーゲート電極をマスク
として前記一導電型領域上にソース電極、ドレイ
ン電極を形成する工程とを有することを特徴とす
る電界効果型半導体装置の製造方法が提供され
る。
以下本発明の実施例をその製造工程とともに詳
細に説明する。
第１図乃至第８図は本発明による電界効果型半
導体装置の製造工程を示す。
本発明によれば第１図に示されるように、まず
クロム（Cr）が添加されたGaAs半導体基板１１
が準備され、その一方の主面に厚さ6000〔Å〕程
に二酸化シリコン（SiO2〕層１２が形成され、更
に当該二酸化シリコン層１２が選択的に除去され
て窓１３が形成される。
ここで前記二酸化シリコン層１２はスパツタリ
ング法等によつて形成され、また当該二酸化シリ
コン層１２の選択的な除去は通常のフオトリソグ
ラフイ法を適用することができる。
次いで前記二酸化シリコン層１２をマスクとし
て前記半絶縁性基板１１にシリコン（Si）がイオ
ン注入される。この時加速エネルギーは175
〔KeV〕、ドーズ量は2.6×1012〔個／cm2〕とされ
る。
本発明によれば、次いで前記二酸化シリコン層
１２が除去された後、当該半絶縁性基板１１の主
表面に厚さ1000〔Å〕程の第２の二酸化シリコン
層が被着形成される。しかる後、窒素（N2）雰囲
気中において850〔℃〕、15分程の加熱処理が行な
われ、前記イオン注入されたシリコンが活性化さ
れてＮ型領域が形成される。
かかる状態を第２図に示す。第２図において、
１４は第２の二酸化シリコン層、１５はＮ型領域
である。二酸化シリコン層１２の除去には化学的
なエツチング法を適用することができ、また第２
の二酸化シリコン層１４もスパツタリング法によ
つて被着、形成することができる。
次いで前記第２の二酸化シリコン層１４が除去
された後、当該半絶縁性基板１１の主面上に厚さ
１〔μｍ〕程の高融点金属硅化物（シリサイド）
層が被着、形成される。
かかる高融点金属硅化物層は、例えばチタン
（Ti）―タングステン（Ｗ）―シリコン（Si）合
金、から構成される。本発明によれば、かかるチ
タン―タングステン硅化物層は、前記半絶縁性基
板１１の表面近傍ではTi0.3W0.7Si2とチタンに比
較してタングステンが多い状態とされ、かかる半
絶縁性基板１１から離れるにつれて漸次あるいは
段階的にチタンの量が増加されて、表面部分では
Ti0.8W0.2Si2とチタンがタングステンよりも多い
状態とされる。
かかるチタン―タングステン硅化物層はスパツ
タリング法によつて被着形成することができる。
この場合、前述の如くチタンとタングステンとの
比を変える手段としては、 (1) スパツタリングチヤンバー内にスパツタリン
グターゲツトとしてチタン、タングステン及び
シリコンの円板を個々に配置し、各ターゲツト
と被処理基板との間に配設されるシヤツタの開
閉時間または量を制御する。
(2) スパツタリングチヤンバー内にチタンとタン
グステンとの混合組成比の異なるチタン―タン
グステン混合体ターゲツトを少くとも２個配置
し、各ターゲツトと被処理基板との間に配置さ
れるシヤツタの開閉を切換える。この時、シリ
コンターゲツトは個片状として、チタン―タン
グステン混合部ターゲツト上に載置するか、あ
るいは当該チタン―タングステン混合体ターゲ
ツトと並べて配置する。
等の手段をとることができる。
第３図は、前記半絶縁性基板１１上に厚さ7000
〔Å〕のTi0.3W0.78Si2層１６Ａと厚さ3000〔Å〕
のTi0.8W0.2Si2層１６Ｂとからなるチタン―タン
グステン硅化物層１６が形成された状態を示す。
本発明によれば、次いで前記チタン―タングス
テン珪化物層１６が選択的に除去され、前記Ｎ型
領域１５上に所望のパターンを有するゲート電極
が形成される。
前記チタン―タングステン硅化物層の選択的な
除去には通常のフオト・リソグラフイ技術を適用
することができ、フオトレジストをマスクとし、
４弗化炭素（CF4）＋酸素（O2、５〔％））との混
合ガスを用いたドライエツチング法によつて前記
チタン―タングステン硅化物層は選択的に除去さ
れる。かかるドライエツチング処理においては、
チタンはタングステンに比較して被速度が遅いた
めに、Ti0.8W0.2Si2層１６Ｂが所望のパターン
にエツチングされるまでにTi0.3W0.7Si2層１６
Ａは横方向にもエツチングされ、当該
Ti0.3W0.7Si2層１６ＡのＮ型領域１５への接触
幅はTi0.8W0.2Si2層１６Ｂの表面（最上面）の
幅よりも小とされる。
かかるエツチング処理後の状態を第４図に示
す。同図から明らかなように、チタン―タングス
テン硅化物層１６は断面がＴ字状を有して形成さ
れる。
本発明によれば、次いで第５図に示されるよう
に、前記半絶縁性基板１１の主表面に再び厚さ
6000〔Å〕程の二酸化シリコン層１７が形成さ
れ、更に当該二酸化シリコン層１７が選択的に除
去されて、窓１８が形成される。
ここで窓１８は前記Ｎ型領域１５よりも若干広
くされ、半絶縁性基板１１の一部も表出される。
次いで前記二酸化シリコン層１７並びに前記チ
タン―タングステン硅化物層１６をマスクとして
前記半絶縁性基板１１及びＮ型領域１５にシリコ
ンがイオン注入される。この時の加速エネルギー
は175〔KeV〕、ドーズ量は1.7×1013〔個／cm-2〕
とされる。
次いで、前記半絶縁性基板１１及びＮ型領域１
５等の表面を覆つて二酸化シリコン層が被着形成
された後、窒素雰囲気中において800〔℃〕、15分
程の熱処理が行なわれイオン注入されたシリコン
が活性化されてＮ型領域１５の一部が高不純物濃
度（N+）化される。
かかる状態を第６図に示す。同図において１９
は二酸化シリコン層、２０，２１はN+型領域で
ある。ここでN+型領域２０は例えばソース（ソ
ースコンタクト）領域を構成し、N+型領域２１
はドレイン（ドレインコンタクト）領域を構成す
る。
次いで前記二酸化シリコン層１９が除去された
後、当該半絶縁性基板の主面上に厚さ7000〔Å〕
の金属層が被着形成される。
かかる金属層は、例えば厚さ6000〔Å〕程の金
（Au）―ゲルマニウム（Ge）合金と当該AuGe合
金層上に被着された厚さ1000〔Å〕程のニツケル
（Ni）層とから構成される。これらの金属の被着
法としては通常の蒸着法を適用することができ
る。
かかる蒸着法の適用によつて、また前記ゲート
電極１６の厚さが被着物層より厚く、かつ断面形
状がＴ字状であることからして、第７図に示され
るように、前記AuGe／Ni層はゲート電極１６上
の部分２２Ａと、N+型領域２０上の部分２２Ｂ
並びにN+型領域２１上の部分２２Ｃとに分離し
て形成される。
ここでAuGe／Ni層２２Ｂは例えばソース電極
を構成し、またAuGe／Ni層２２Ｃはドレイン電
極を構成する。更にゲート電極１６上に被着され
たAuGe／Ni層２２Ａは当該ゲート電極１６と一
体となり、チタン―タングステン珪化物のみによ
つて構成される場合に比較してゲート電極全体の
抵抗を数10分の１に低減する。
以上のような製造工程がとられて形成された
GaAs電界効果トランジスタはＮ型領域（活性
層）１５に接するゲート電極１６の被接触幅（ゲ
ート長）を極めて小とすることができ、しかも当
該ゲート電極の抵抗値を十分に低い値とすること
ができる。したがつて当該GaAs電界効果トラン
ジスタは高速動作が可能であり、より高い周波数
の信号を扱うことができる。
また前述の如き製造工程にあつては、ソース
（ソースコンタクト）領域２０、ドレイン（ドレ
インコンタクト）領域２１、ソース電極２２Ｂ並
びにドレイン電極２２Ｃをゲート電極１６をマス
クとする自己整合法（セルフアラメント法）によ
つて形成することができ、より微小な寸法の
GaAs電界効果トランジスタを少ない工程をもつ
て実現することができる。
なお、前記第７図に示される構造において、ソ
ース電極２２Ｂ、ドレイン電極２２Ｃの導出抵抗
をより低下せしめるために第８図に示されるよう
にこれらの電極それぞれの表面に、厚さ１〔μ
ｍ〕程の金メツキ層２３を形成してもよい。
また前記ゲート電極１６は、実施例の如き組成
の異なる２層の金属珪化物層から構成する場合に
限られるものではなく、３層以上の金属硅化物層
あるいは半絶縁性基板１１から離れるにつれて漸
次組成の変化する金属硅化物層によつて構成する
ことができる。いずれの場合も絶縁性基板に当接
する部分が当該基板から最も遠い当該ゲート電極
１６の表面部分に比較して被エツチング速度また
は被エツチング量が大となるように組成が決定さ
れる。
また、高融点金属硅化物も、前記チタン―タン
グステン珪化物に限られるものではなく、タンタ
ル（Ta）、モリブデン（Mo）等の高融点金属の
硅化物を適用することができる。
また前記半絶縁性基板上に被着される絶縁膜は
二酸化シリコンに限られるものではなく、窒化シ
リコン（Si3N4）、酸化アルミニウム（Al2O3）等を
適用することができる。
更に前記実施例にあつては、単体の単一のゲー
トを持つGaAs電界効果トランジスタを掲げて説
明したが、本発明は複数個のゲートを持つ電界効
果トランジスタや同一基板に複数個の素子を形成
する場合にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第８図は本発明による電界効果型半
導体装置の製造工程を示す断面図である。 同図において、１１……半絶縁性基板、１２，
１４，１７，１９……二酸化シリコン層、１５…
…Ｎ型領域、１６……ゲート電極、２０，２１…
…N+型領域、２２Ｂ……ソース電極、２２Ｃ…
…ドレイン電極。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 化合物半導体基板の一導電型領域上に、高融
    点金属の珪化物であつて、該一導電型領域に接す
    る部分と上側表面部分とで高融点金属の珪化物の
    組成が異なる電極層を形成する工程、 該電極層に対し一のエツチング工程を施して前
    記一導電型領域に接する部分の幅が表面部分の幅
    より小とされたシヨツトキーゲート電極を形成す
    る工程、 前記シヨツトキーゲート電極をマスクとして前
    記化合物半導体基板に一導電型不純物をイオン注
    入し活性化のための熱処理を施す工程、 前記シヨツトキーゲート電極をマスクとして前
    記一導電型領域上にソース電極、ドレイン電極を
    形成する工程とを有することを特徴とする電界効
    果型半導体装置の製造方法。
JP56012550A 1981-01-30 1981-01-30 Field-effect type semiconductor device and manufacture thereof Granted JPS57128071A (en)

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JP56012550A JPS57128071A (en) 1981-01-30 1981-01-30 Field-effect type semiconductor device and manufacture thereof
DE8282300384T DE3270703D1 (en) 1981-01-30 1982-01-26 Field effect semiconductor device and method of manufacturing such a device
EP82300384A EP0057558B1 (en) 1981-01-30 1982-01-26 Field effect semiconductor device and method of manufacturing such a device
US07/191,737 US4845534A (en) 1981-01-30 1988-05-02 Field effect semiconductor device

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JPS57128071A JPS57128071A (en) 1982-08-09
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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57152166A (en) * 1981-03-13 1982-09-20 Nec Corp Manufacture of schottky barrier gate field effect transistor
JPS58103175A (ja) * 1981-12-15 1983-06-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US4561169A (en) * 1982-07-30 1985-12-31 Hitachi, Ltd. Method of manufacturing semiconductor device utilizing multilayer mask
JPS5947772A (ja) * 1982-09-13 1984-03-17 Oki Electric Ind Co Ltd 電界効果トランジスタの製造方法
JPS5950567A (ja) * 1982-09-16 1984-03-23 Hitachi Ltd 電界効果トランジスタの製造方法
JPS59181676A (ja) * 1983-03-31 1984-10-16 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS6039865A (ja) * 1983-08-12 1985-03-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置の電極
JPS6068662A (ja) * 1983-09-26 1985-04-19 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JPS6081861A (ja) * 1983-10-11 1985-05-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd シヨツトキ−障壁半導体装置
JPS60132375A (ja) * 1983-12-21 1985-07-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd シヨツトキ−バリアゲ−ト型電界効果型トランジスタ
JPS60183726A (ja) * 1984-03-02 1985-09-19 Toshiba Corp 半導体装置の電極パタ−ンの形成方法
GB2156579B (en) * 1984-03-15 1987-05-07 Standard Telephones Cables Ltd Field effect transistors
JPS61220376A (ja) * 1985-03-26 1986-09-30 Sumitomo Electric Ind Ltd ショットキゲート電界効果トランジスタの製造方法
JPH0758714B2 (ja) * 1985-06-25 1995-06-21 株式会社東芝 ＧａＡｓ半導体装置の製造方法
JPS6240781A (ja) * 1985-08-15 1987-02-21 Toshiba Corp シヨツトキ−ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法
US4847212A (en) * 1987-01-12 1989-07-11 Itt Gallium Arsenide Technology Center Self-aligned gate FET process using undercut etch mask
US4956308A (en) * 1987-01-20 1990-09-11 Itt Corporation Method of making self-aligned field-effect transistor
US4662060A (en) * 1985-12-13 1987-05-05 Allied Corporation Method of fabricating semiconductor device having low resistance non-alloyed contact layer
DE3685495D1 (de) * 1986-07-11 1992-07-02 Ibm Verfahren zur herstellung einer unteraetzten maskenkontur.
JPS63155671A (ja) * 1986-12-18 1988-06-28 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH01109770A (ja) * 1987-10-22 1989-04-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH022142A (ja) * 1988-06-13 1990-01-08 Mitsubishi Electric Corp 電界効果トランジスタ及びその製造方法
US5089863A (en) * 1988-09-08 1992-02-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor with T-shaped gate electrode
US5543646A (en) * 1988-09-08 1996-08-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor with a shaped gate electrode
JP3170141B2 (ja) * 1993-07-27 2001-05-28 株式会社東芝 半導体装置
KR950034830A (ko) * 1994-04-29 1995-12-28 빈센트 비. 인그라시아 전계 효과 트랜지스터 및 이 트랜지스터의 제조 방법
KR100211070B1 (ko) * 1994-08-19 1999-07-15 아끼구사 나오유끼 반도체 장치 및 그 제조방법
US5550065A (en) * 1994-11-25 1996-08-27 Motorola Method of fabricating self-aligned FET structure having a high temperature stable T-shaped Schottky gate contact
JPH08264562A (ja) * 1995-03-24 1996-10-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置，及びその製造方法
JP2904167B2 (ja) * 1996-12-18 1999-06-14 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH11354541A (ja) * 1998-06-11 1999-12-24 Fujitsu Quantum Devices Kk 半導体装置およびその製造方法
JP3375928B2 (ja) * 2000-02-08 2003-02-10 富士通カンタムデバイス株式会社 半導体装置
US7078284B2 (en) * 2002-06-20 2006-07-18 Micron Technology, Inc. Method for forming a notched gate
US6524901B1 (en) * 2002-06-20 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Method for forming a notched damascene planar poly/metal gate
US6642119B1 (en) 2002-08-08 2003-11-04 Advanced Micro Devices, Inc. Silicide MOSFET architecture and method of manufacture
US8125008B2 (en) * 2006-11-17 2012-02-28 System General Corporation Schottky device and process of making the same comprising a geometry gap

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS499914A (ja) * 1972-03-30 1974-01-29
JPS5197984A (en) * 1975-02-26 1976-08-28 Shotsutoki baria geetodenkaikokatoranjisuta oyobi sonoseizohoho

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5226042B2 (ja) * 1973-05-28 1977-07-12
JPS54162973A (en) * 1978-06-14 1979-12-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of schottky junction-type field effect transistor
US4196439A (en) * 1978-07-03 1980-04-01 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Semiconductor device drain contact configuration
JPS5541031A (en) * 1978-09-19 1980-03-22 Nec Corp Mobile communication system
JPS5543888A (en) * 1978-09-22 1980-03-27 Nec Corp Manufacture of junction gate type field effect transistor
JPS5655074A (en) * 1979-10-11 1981-05-15 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Schottky barrier gate type field effect transistor
US4393578A (en) * 1980-01-02 1983-07-19 General Electric Company Method of making silicon-on-sapphire FET
JP2578044B2 (ja) * 1992-03-14 1997-02-05 呉羽化学工業株式会社 フェニルアラニン−グリシン誘導体、その製造方法、及びその誘導体を含有する抗腫瘍剤

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS499914A (ja) * 1972-03-30 1974-01-29
JPS5197984A (en) * 1975-02-26 1976-08-28 Shotsutoki baria geetodenkaikokatoranjisuta oyobi sonoseizohoho

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Publication number Publication date
EP0057558B1 (en) 1986-04-23
US4845534A (en) 1989-07-04
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EP0057558A2 (en) 1982-08-11
DE3270703D1 (en) 1986-05-28
JPS57128071A (en) 1982-08-09

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