JPS62214649A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62214649A JPS62214649A JP61057468A JP5746886A JPS62214649A JP S62214649 A JPS62214649 A JP S62214649A JP 61057468 A JP61057468 A JP 61057468A JP 5746886 A JP5746886 A JP 5746886A JP S62214649 A JPS62214649 A JP S62214649A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- molding material
- resin
- semiconductor
- ultraviolet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 23
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000012778 molding material Substances 0.000 abstract description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000872 buffer Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/18—Circuits for erasing optically
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に関し、特に紫外線消去型の半
導体記憶装置を備えた半導体装置の構造に関するもので
ある。
導体記憶装置を備えた半導体装置の構造に関するもので
ある。
第３図は紫外線消去形半導体記憶装置を備えた半導体装
置のチップと組立部品の一般的な構成を示し、図におい
て、１は半導体チップ、２ａはこの半導体チップ１に設
けられたワイヤボンディング用電極、２ｂは電極窓、３
は半導体チップ１の最上層保護膜であり、これは一般に
窒化シリコン。
置のチップと組立部品の一般的な構成を示し、図におい
て、１は半導体チップ、２ａはこの半導体チップ１に設
けられたワイヤボンディング用電極、２ｂは電極窓、３
は半導体チップ１の最上層保護膜であり、これは一般に
窒化シリコン。
シリコン酸化膜あるいは、これらの組合せで構成されて
いる。４はワイヤボンディング用電極２ａとパッケージ
端子を結ぶ為の金属ワイヤ、５は単導体チップ１の上方
に設けられたパッケージの透明窓、６は中空部で、一般
に不活性ガスが封入しである。
いる。４はワイヤボンディング用電極２ａとパッケージ
端子を結ぶ為の金属ワイヤ、５は単導体チップ１の上方
に設けられたパッケージの透明窓、６は中空部で、一般
に不活性ガスが封入しである。
このような通常の紫外線消去型記憶装置を備えた集積回
路素子では、第３図に示すように最上層保護膜３及び透
明窓５は紫外線を透過させる材料で構成されているので
、通常の読出し時は透明窓５の上方にあるカバー（図示
せず）により紫外線を遮断し、一方記憶内容消去時には
、そのカバーを取り外すことにより外部から紫外線を照
射してその消去を行なう。
路素子では、第３図に示すように最上層保護膜３及び透
明窓５は紫外線を透過させる材料で構成されているので
、通常の読出し時は透明窓５の上方にあるカバー（図示
せず）により紫外線を遮断し、一方記憶内容消去時には
、そのカバーを取り外すことにより外部から紫外線を照
射してその消去を行なう。
上述の集積回路素子は、必要な時に内容の消去・書込み
が繰返し行なえる紫外線消去型の素子構成のものである
が、書込みのみで消去機能無しの素子も同一チップで構
成できる。この消去機能無しの素子は紫外線消去型記憶
装置を備え一回のみ書込み可能でその後消去できないよ
うに組立てられた半導体チップを構成部品に用いた半導
体素子であり、ＯＴ Ｐ （Ｏｎｅ Ｔｉｍｅ Ｐｒｏ
ｇｒａｍｍａｂｌｅ；−回のみプログラム可能）と呼ぶ
、第４図はその構成の下 概要を示し図中、７はモールド材であり、咳Ｏ≠中は第
３図の透明窓を有するパッケージに比べて安価なモール
ドパッケージを用いて組立てられており、第３図の中空
部６がなく、パンケージのモールド材と半導体チップと
が接している。
が繰返し行なえる紫外線消去型の素子構成のものである
が、書込みのみで消去機能無しの素子も同一チップで構
成できる。この消去機能無しの素子は紫外線消去型記憶
装置を備え一回のみ書込み可能でその後消去できないよ
うに組立てられた半導体チップを構成部品に用いた半導
体素子であり、ＯＴ Ｐ （Ｏｎｅ Ｔｉｍｅ Ｐｒｏ
ｇｒａｍｍａｂｌｅ；−回のみプログラム可能）と呼ぶ
、第４図はその構成の下 概要を示し図中、７はモールド材であり、咳Ｏ≠中は第
３図の透明窓を有するパッケージに比べて安価なモール
ドパッケージを用いて組立てられており、第３図の中空
部６がなく、パンケージのモールド材と半導体チップと
が接している。
安価ではあるが、パッケージのモールド材と半導体チッ
プが接しているので、モールド材によ“る圧力、またそ
の充填物によ、る半導体チップへの局所応力、あるいは
半導体素子とモールド材との熱膨張係数の差等により組
立後に不良が発生するなどの欠点があり、また組立後の
テストが不可能で、不良を除去することができなかった
。
プが接しているので、モールド材によ“る圧力、またそ
の充填物によ、る半導体チップへの局所応力、あるいは
半導体素子とモールド材との熱膨張係数の差等により組
立後に不良が発生するなどの欠点があり、また組立後の
テストが不可能で、不良を除去することができなかった
。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、組立後の不良発生がなく、信頼性
の高い半導体装置を提供することを目的としている。
めになされたもので、組立後の不良発生がなく、信頼性
の高い半導体装置を提供することを目的としている。
の一部または全部を紫外線透過型の樹脂で被覆しその後
全体を樹脂封止してなるものである。
全体を樹脂封止してなるものである。
この発明においては、紫外ｖＡ透過型樹脂を、紫外線消
去型記憶装置を備えた半導体チップ上に形成したから、
紫外ｖＡ透過型樹脂により半導体チップと該チップの封
止樹脂との間に生ずる局所応力等を緩衝でき、また該紫
外線透過型樹脂の形成後に記憶内容を消去できる。
去型記憶装置を備えた半導体チップ上に形成したから、
紫外ｖＡ透過型樹脂により半導体チップと該チップの封
止樹脂との間に生ずる局所応力等を緩衝でき、また該紫
外線透過型樹脂の形成後に記憶内容を消去できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の構成を示
し、図において、１は半導体チップ、２ａはワイヤボン
ディング用電極、２ｂは電極窓、３は半導体チップ表面
の保護膜、４はワイヤボンディング用電極２ａとパッケ
ージ端子を結ぶ為の金属ワイヤである。また、７はパフ
ケージのモールド材、８は表面保護膜３の表面に形成さ
れた紫外線透過型の樹脂である。
し、図において、１は半導体チップ、２ａはワイヤボン
ディング用電極、２ｂは電極窓、３は半導体チップ表面
の保護膜、４はワイヤボンディング用電極２ａとパッケ
ージ端子を結ぶ為の金属ワイヤである。また、７はパフ
ケージのモールド材、８は表面保護膜３の表面に形成さ
れた紫外線透過型の樹脂である。
次に製造方法を説明する。半導体ウェハ（半導体チップ
１）上に、表面保護膜３を形成し、電極窓２を形成した
後、回転塗布により紫外線透過型ポリイミド樹脂８をウ
ェハ上に均一に塗布する。
１）上に、表面保護膜３を形成し、電極窓２を形成した
後、回転塗布により紫外線透過型ポリイミド樹脂８をウ
ェハ上に均一に塗布する。
その後通常の写真製版装置により上記樹脂８を所望のパ
ターンに形成し、半導体チップｌに紫外線を照射し記憶
内容を消去し、その後全体をモールド材７で封止して半
導体チップ１の組立を完了する。
ターンに形成し、半導体チップｌに紫外線を照射し記憶
内容を消去し、その後全体をモールド材７で封止して半
導体チップ１の組立を完了する。
次に作用効果について説明する。
この実施例装置では紫外線透過型樹脂８が半導体チップ
１とモールド材７との間に生ずる局所応力等の緩衝部と
なる。このため従来モールドパッケージ組立直後モール
ド材７と半導体素子との応きると同時に、モールドパッ
ケージ製品の耐湿性も向上できる。また、上記緩衝部と
なる樹脂は紫外線透過型なので、この樹脂を半導体チッ
プ上に形成した後、紫外線を照射してチップの記憶内容
を消去することができる。
１とモールド材７との間に生ずる局所応力等の緩衝部と
なる。このため従来モールドパッケージ組立直後モール
ド材７と半導体素子との応きると同時に、モールドパッ
ケージ製品の耐湿性も向上できる。また、上記緩衝部と
なる樹脂は紫外線透過型なので、この樹脂を半導体チッ
プ上に形成した後、紫外線を照射してチップの記憶内容
を消去することができる。
なお、上記実施例では紫外線透過型樹脂にポリイミド樹
脂を用いたが、これは適当な硬度がありかつ紫外線を透
過させる樹脂であればよく、上記実施例と同様な効果を
奏する。
脂を用いたが、これは適当な硬度がありかつ紫外線を透
過させる樹脂であればよく、上記実施例と同様な効果を
奏する。
また上記実施例では、写真製版装置による紫外線透過樹
脂の所望パターン形成法について述べたが、これは均一
な樹脂膜厚のパターンが形成されるなら他の方法でもよ
く、上記実施例と同様な効果を奏する。
脂の所望パターン形成法について述べたが、これは均一
な樹脂膜厚のパターンが形成されるなら他の方法でもよ
く、上記実施例と同様な効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、紫外線透過型樹脂を
、紫外線消去型記憶装置を、備えた半導体チップ上に形
成しその後全体を樹脂封止するようにしたので、上記半
導体チップの組立（樹脂封止）直前に記憶内容を消去で
きるだけでなく組立後の不良発生がない信頼性の高い半
導体装置が安価に得られる効果がある。
、紫外線消去型記憶装置を、備えた半導体チップ上に形
成しその後全体を樹脂封止するようにしたので、上記半
導体チップの組立（樹脂封止）直前に記憶内容を消去で
きるだけでなく組立後の不良発生がない信頼性の高い半
導体装置が安価に得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面図、第２図は他の実施例装置を示す断面図、第３図は
従来の繰返し消去可能型の紫外線消去型半導体装置の組
立断面模式図、第４図は従来のＯＴＰ断面模式図である
。 １・・・半導体チップ、２・・・ワイヤボンディング用
電極及び電極窓、３・・・最上層保護膜、４・・・金属
ワイヤ、７・・・モールド材、８・・・紫外線透過型樹
脂。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
面図、第２図は他の実施例装置を示す断面図、第３図は
従来の繰返し消去可能型の紫外線消去型半導体装置の組
立断面模式図、第４図は従来のＯＴＰ断面模式図である
。 １・・・半導体チップ、２・・・ワイヤボンディング用
電極及び電極窓、３・・・最上層保護膜、４・・・金属
ワイヤ、７・・・モールド材、８・・・紫外線透過型樹
脂。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）紫外線消去型の半導体記憶装置を搭載した半導体チ
ップを樹脂封止してなる半導体装置において、 上記半導体チップのワイヤボンディング用電極部を除く
表面の一部または全部が紫外線透過型の樹脂で覆われて
いることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5746886A JPH0783075B2 (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 半導体装置の製造方法 |
| KR1019860009524A KR900007758B1 (ko) | 1986-03-14 | 1986-11-12 | 반도체 장치 |
| GB8706061A GB2189646B (en) | 1986-03-14 | 1987-03-13 | A semiconductor device comprising erasable memory |
| DE19873708251 DE3708251A1 (de) | 1986-03-14 | 1987-03-13 | Halbleiterbauelement |
| US07/025,824 US4853761A (en) | 1986-03-14 | 1987-03-13 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5746886A JPH0783075B2 (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62214649A true JPS62214649A (ja) | 1987-09-21 |
| JPH0783075B2 JPH0783075B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=13056518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5746886A Expired - Lifetime JPH0783075B2 (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4853761A (ja) |
| JP (1) | JPH0783075B2 (ja) |
| KR (1) | KR900007758B1 (ja) |
| DE (1) | DE3708251A1 (ja) |
| GB (1) | GB2189646B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5045918A (en) * | 1986-12-19 | 1991-09-03 | North American Philips Corp. | Semiconductor device with reduced packaging stress |
| US5171716A (en) * | 1986-12-19 | 1992-12-15 | North American Philips Corp. | Method of manufacturing semiconductor device with reduced packaging stress |
| JPH02105418A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH04261049A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP5147249B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2013-02-20 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3622419A (en) * | 1969-10-08 | 1971-11-23 | Motorola Inc | Method of packaging an optoelectrical device |
| US4001872A (en) * | 1973-09-28 | 1977-01-04 | Rca Corporation | High-reliability plastic-packaged semiconductor device |
| JPS55156343A (en) * | 1979-05-25 | 1980-12-05 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS56137658A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-27 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Semiconductor device |
| JPS5763831A (en) * | 1980-10-06 | 1982-04-17 | Nec Corp | Semiconductor device |
| DE3125284A1 (de) * | 1981-06-26 | 1983-01-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von bauelementen aus halbleiterscheiben |
| US4460915A (en) * | 1981-12-28 | 1984-07-17 | Intel Corporation | Plastic package for radiation sensitive semiconductor devices |
| JPS58126645A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-28 | Toshiba Corp | 偏向ヨ−ク装置 |
| US4574465A (en) * | 1982-04-13 | 1986-03-11 | Texas Instruments Incorporated | Differing field oxide thicknesses in dynamic memory device |
| JPS58182837A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-25 | Hitachi Ltd | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
| JPS59110174A (ja) * | 1982-12-15 | 1984-06-26 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS6083338A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｅｐｒｏｍ装置の製造方法 |
| JPS6083337A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6083351A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｅｐｒｏｍ装置 |
-
1986
- 1986-03-14 JP JP5746886A patent/JPH0783075B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-11-12 KR KR1019860009524A patent/KR900007758B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1987
- 1987-03-13 US US07/025,824 patent/US4853761A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-03-13 DE DE19873708251 patent/DE3708251A1/de active Granted
- 1987-03-13 GB GB8706061A patent/GB2189646B/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900007758B1 (ko) | 1990-10-19 |
| GB2189646A (en) | 1987-10-28 |
| KR870009468A (ko) | 1987-10-27 |
| GB2189646B (en) | 1990-07-11 |
| DE3708251A1 (de) | 1987-09-17 |
| DE3708251C2 (ja) | 1992-06-04 |
| US4853761A (en) | 1989-08-01 |
| GB8706061D0 (en) | 1987-04-15 |
| JPH0783075B2 (ja) | 1995-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5037779A (en) | Method of encapsulating a sensor device using capillary action and the device so encapsulated | |
| US7312106B2 (en) | Method for encapsulating a chip having a sensitive surface | |
| JPS6249741B2 (ja) | ||
| JPS62214649A (ja) | 半導体装置 | |
| US4460915A (en) | Plastic package for radiation sensitive semiconductor devices | |
| JPH049381B2 (ja) | ||
| JPS62241358A (ja) | ワンタイムプログラム型半導体装置 | |
| JPS63269554A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63310142A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JP3054929B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61111569A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JPS61102758A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS5893359A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2830067B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58200558A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02150055A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS63257251A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61189656A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS60211962A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63133653A (ja) | 光消去型半導体メモリ装置 | |
| JPS5891662A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61113272A (ja) | 紫外線消去型半導体記憶装置 | |
| JPS62179136A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS63271939A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5885553A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |