JPS60211962A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS60211962A
JPS60211962A JP59067702A JP6770284A JPS60211962A JP S60211962 A JPS60211962 A JP S60211962A JP 59067702 A JP59067702 A JP 59067702A JP 6770284 A JP6770284 A JP 6770284A JP S60211962 A JPS60211962 A JP S60211962A
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JP
Japan
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resin
semiconductor device
light
package
pellet
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JP59067702A
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English (en)
Inventor
Yoshio Tominaga
富永　四志夫
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、光透過装置に適用して有効な技術に関するも
ので、たとえば、光消去型半導体記憶装置に利用して特
に有効な技術に関するものである。
［背景技術］ ペレットに書き込まれているメモリー内容を、該ペレッ
トに光を照射することにより消去し、再び書き込みがで
きる状態に戻すことができる半導体装置は一般にＥ　Ｐ
　ＲＯＭ　（Ｅｒａｓａｂｌｅ　Ｐｒｏｇｒａｍａｂｌ
ｅ、Ｒｅａｄ　０ｏｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ　）と呼ばれて
いる。
このＥＰＲＯＭ型半導体装置は、少なくともパッケージ
の一部である所要部分に光照射部を設けておく必要があ
る。
すなわち、書き込まれているメモリーを消去するという
ことは、ペレットに形成されているフローティングゲー
トに蓄積されている電子を、光を照射して励起してやる
ことにより、未書き込み状態のペレットに戻してやるこ
とをいう。
従って、メモリーを消去するためには、所定のエネルギ
ー以上の波長域Φ光を照射する必要があり、それ故にＥ
ＰＲＯＭ型半導体装置については、少なくともペレット
に光を照射する部分を、所定波長以下のエネルギーの高
い電磁波をも透過する材料で形成する必要がある。特に
、紫外線（波長域２００ｎｍ〜４００ｎｍ）を良く透過
する材料であることが好ましい。
一般に、前記の性質を備えたＥＰＲＯＭ型半導体装置に
は、セラミックパッケージが用いられ、パッケージのキ
ャップまたはその一部に紫外線をも透過する無機材料で
ある紫外線透過ガラス等を用いて光照射部が形成されて
いる（特開昭５３−７４３６８号公報）。
ところが、セラミックパッケージは非常に高価であるた
め、このようなパンケージを使用するＥＰＲＯＭ型半導
体装置も、高価にならざるを得ないという問題がある。
そこで、本発明者は、廉価な樹脂封止型パッケージを採
用してＥＰＲＯＭ半導体装置を製造し得ることを見い出
した。
［発明の目的］ 本発明の目的は、光照射部を一部に有する半導体装置を
樹脂封止型パッケージで形成することにより、半導体装
置のコストを低減する技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、樹脂封止型半導体装置において、少なくとも
ペレットの光照射面上方のパッケージ部を、光透過性樹
脂で形成することにより、光照射を必要とする半導体装
置のコスト低減を達成するものである。
［実施例１］ 第１図は、本発明の実施例１である半導体装置をその断
面図で示したものである。
本実施例１に示す半導体装置は、ペレット取り付は部１
に銀ペースト等の接着材２で取り付けられたペレット３
、該ペレットの電磁バッド４とリード端子とを電気的に
接続するためにボンディングしているワイヤ５および内
部リード部を樹脂６でモールドすることによりパッケー
ジが形成されてなるものであり、該パッケージ全体が２
７０ｍμ（ｎｍ）以上の波長の光であれば紫外線の領域
であっても十分に透過する性質を有するポリメチルメタ
アクリレート（以下、ＰＭＭＡと言う。）を前記樹脂６
として形成されているものである。
本実施例１の半導体装置は、通常の樹脂封止型半導体装
置と同様の製造方法で、モールド用樹脂のみをＰＭＭＡ
に代えることによって容易に製造することができるもの
である。
このように、安価な光透過性樹脂を材料として用いた上
にパッケージを一体成型することにより、大巾に工程数
を削減することができるので、極めて安価なＥＦＲＯＭ
等の半導体装置を提供することが可能となる。
［実施例２］ 第２図は、本発明による実施例２である樹脂封止型半導
体装置を、その断面図で示したものである。
本実施例２の半導体装置は、パッケージ以外の基本的構
成は前記実施例１の半導体装置と同一のものである。す
なわち、パッケージ部のペレット上方に光照射部である
窓７が空隙部８を形成するように設けられた構造のパッ
ケージであって、該窓７の材料として光透過性樹脂であ
るＰＭＭＡを用い、他のパッケージ部の樹脂６ａとして
通常使用しているエポキシ樹脂を用いて形成してなるも
のである。
なお、本実施例２の半導体装置は、通常の樹脂封止型半
導体装置の組立方法により、ワイヤボンディング工程ま
で行った後、樹脂モールドする際に空隙部８および窓材
料の支持部等が形成されている型を用いることにより、
ペレット上部が空洞になったパッケージ本体を形成し、
さらに、該パノケージ本体のキャンプとしてＰＭＭＡか
らなる窓７の部材を接着材を用いるか、または熱融着を
行う等により密着形成することにより容易に製造するこ
とができるものである。なお、前記空洞部８に光透過物
質が充填されていてもよく、本発明の本質的な目的を外
れるものではない。
［実施例３コ 第３図は、本発明による実施例３である半導体装置を、
その断面図で示したものである。
本実施例３の半導体装置は、前記実施例２に示した半導
体装置に比し、パッケージの光透過部１０のみが異なる
ものである。
すなわち、光透過部１０は、ペレソ１−の回路部全体を
覆うようにその一端がペレット表面に接触し、他端がパ
ッケージ上部にまで達する一体となった柱体でできてお
り、パッケージはこの柱状の光透過部の周囲をパッケー
ジ樹脂６ａで密着した状態で取り囲むようにモールドし
た構造で形成されている。
そして、前記光透過部１０はＰＭＭＡで形成されてなる
もので、樹脂モールドの際に予め用意した柱状のＰＭＭ
Ａからなる光透過部１０をワイヤボンディングが終わっ
たペレット上に載置し、そのままの状態で光透過部１０
の先端部が露出するよう樹脂モールドを行うことによっ
て、本実施例３の半導体装置は製造することができるも
のである。
［効果］ （１）、光照射を必要とする半導体装置を、樹脂封止型
パッケージで形成することにより、安価な半導体装置を
提供することができる。
（２）、パッケージ全体を光透過性樹脂でモールドして
形成することにより、一工程でパッケージ形成を行うこ
とができるので、半導体装置を安価に製造することがで
きる。
（３）、光透過部のみを光透過性樹脂で形成し、他のパ
ッケージ部を通常用いている安価な樹脂で形成すること
により、さらに安価な半導体装置を提供できる。
（４）、光照射部の有機材料からなる部材をペレット上
面に接触し、かつパ・７ケ一ジ上部にまで達する略柱状
構造にすることにより、その後の樹脂モールドでパッケ
ージを一体形成することができるので、十分な気密封止
が可能となる。
（５）、光照射部材として有機材料を使用することによ
り、パンケージ材料である樹脂と熱膨張率が同程度で、
かつ接着性が良いので、前記（１）に記載した半導体装
置の信頼性を向上することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、光透過性樹脂としてポリメチルメタアクリレ
ート（ＰＭＭＡ）を用いたものについて説明したが、こ
れに限るものでなく本発明の目的を達成する機能を有す
る樹脂材料であれば如何なるものであってもよい。
その１つとして、たとえばポリ−４−メチルペンテン−
１（ＰＭＰ）がある。この樹脂材料はペレットのメモリ
ー消去に非常に有効な波長とされている２５０ｍμ付近
の紫外線をも十分に透過する性質を有しているため、非
常に優れたＥＰＲＯＭ等の半導体装置を提供することが
できるものである。
また、実施例１ではＰＭＭＡを単独で使用した例を示し
たが、これに限るものでなく、たとえば半導体装置の信
頼性向上のため、樹脂の成型性やパッケージ強度の向上
または熱膨張特性の制御を目的として光透過性を有する
フィラーを前記樹脂に充填してもよい。このフィラーは
ＰＭＰ等の他の樹脂を使用する場合も同様に充填するこ
とができる。
それに、必要に応じてパッケージの劣化を防止する等の
ために、樹脂に添加剤を使用してもよく、さらに、モー
ルド後のパッケージ表面の全部または一部を補強膜で被
覆して半導体装置の性能向上を図ることも考えられる。
加えて、実施例２に記載した窓部材は、取付部に載置さ
れた構造になっているが、これに限るものではなく、パ
ンケージ内側に溝を設けて窓部材をはめ込む構造等、如
何なるものであってもよい。
また、実施例３に記載した光、照射部は、柱状構造に限
るものでなく、たとえば光透過性樹脂でパンケージ上部
をモールド形成する等のペレット上面に光が十分に照射
される如何なる構造であってもよい。
さらに、実施例２および３では、ペレット上方のパッケ
ージ部のみに光透過部を形成したものを示したが、これ
らに限るものでなく、パッケージ下部のみが通常の樹脂
で形成され、パッケージ上部全体が光透過性樹脂で形成
されたものであってもよい。
［利用分野］ 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＤＩＰ型半導体装置
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、たとえば、フラットパッケージ型等のあ
らゆる樹脂封止型パッケージからなる半導体装置に適用
して有効な発明である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例１である半導体装置の断面図、 第２図は本発明の実施例２である半導体装置の断面図、 第３図は本発明の実施例３である半導体装置の断面図で
ある。 ｌ・・・ペレット取付部、２・・・接着材、３・・・ペ
レット、４・・・電極バッド、５・・・ワイヤ、６，６
ａ・・・樹脂、７・・・窓、８・・・空隙部、９・・・
取付部、１０・・・光透過部。 第　１　図 第　２　図 第　３　図 ０

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、樹脂封止型半導体装置において、パンケージ全体が
    光透過性樹脂で形成されていることを特徴とする半導体
    装置。 ２、光透過性樹脂がポリメチルメタアクリレートである
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装
    置。 ３、光透過性樹脂がポリ−４−メチルペンテン−１であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
    装置。 ４、樹脂封止型半導体装置において、パッケージ上部の
    少なくともペレット表面上方のパンケージ部が光透過性
    樹脂で形成されていることを特徴とする半導体装置。 ５、光透過性樹脂がポリメチルメタアクリレートである
    ことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の半導体装
    置。 ６、光透過性樹脂がポリ−４−メチルペンテン−１であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の半導体
    装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5300808A (en) * 1992-05-04 1994-04-05 Motorola, Inc. EPROM package and method of optically erasing
US5355016A (en) * 1993-05-03 1994-10-11 Motorola, Inc. Shielded EPROM package
KR100840821B1 (ko) * 2001-05-11 2008-06-23 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 반도체장치 및 그 제조방법

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KR100840821B1 (ko) * 2001-05-11 2008-06-23 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 반도체장치 및 그 제조방법

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