JPS6130743B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6130743B2 JPS6130743B2 JP55117979A JP11797980A JPS6130743B2 JP S6130743 B2 JPS6130743 B2 JP S6130743B2 JP 55117979 A JP55117979 A JP 55117979A JP 11797980 A JP11797980 A JP 11797980A JP S6130743 B2 JPS6130743 B2 JP S6130743B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- ultraviolet
- pellet
- resin
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 18
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 6
- 101100521334 Mus musculus Prom1 gene Proteins 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/18—Circuits for erasing optically
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は紫外線消去型PROMの製造方法に関す
るものである。
るものである。
半導体メモリー装置、特に書き換えが要求され
るPROMでは消去が必要で、その消去方法として
紫外線が古くより使われている。従つて半導体装
置には紫外線照射用の窓が設けられる。
るPROMでは消去が必要で、その消去方法として
紫外線が古くより使われている。従つて半導体装
置には紫外線照射用の窓が設けられる。
第１図ないし第３図は従来の此の種のメモリー
装置の断面図を示すもので、第１図は多層セラミ
ツク技術を用いたパツケージの例で、図において
配線２を挾んでセラミツク１，３は一体化されパ
ツケージ本体を構成している。その中央凹部には
メタライズ層５があり、ペレツト４が取り付けら
れる。ボンデイング細線７によりペレツト４と配
線２が接続される紫外線透光材料、例えば透光性
アルミナ、サフアイヤよりなる蓋部材１２は透光
部１３を残してメタライズ層８が形成され、本体
のメタライズ層８′と接着させるためその対応部
分にAu−Sn共晶合金の箔が付着される。組立が
完了すると透光部１３を有する蓋部材１２は容器
本体とAu−Sn共晶合金により接着される。
装置の断面図を示すもので、第１図は多層セラミ
ツク技術を用いたパツケージの例で、図において
配線２を挾んでセラミツク１，３は一体化されパ
ツケージ本体を構成している。その中央凹部には
メタライズ層５があり、ペレツト４が取り付けら
れる。ボンデイング細線７によりペレツト４と配
線２が接続される紫外線透光材料、例えば透光性
アルミナ、サフアイヤよりなる蓋部材１２は透光
部１３を残してメタライズ層８が形成され、本体
のメタライズ層８′と接着させるためその対応部
分にAu−Sn共晶合金の箔が付着される。組立が
完了すると透光部１３を有する蓋部材１２は容器
本体とAu−Sn共晶合金により接着される。
第２図は多層配線に代えリードフレーム２′を
用いて構成したもので、リードフレーム２′は低
融点ガラス１０により下部セラミツク基体１に、
また同じ低融点ガラス１０′により壁部材１１に
接着されている。ペレツト取付用の凹部の底面は
メタライズ層５が形成され、ペレツト４とサブコ
ンタクト６が取りつけられる。サブコンタクト６
はメタライズ層５と外部リードとの接続をとるた
めのものでFe−Ni−Co合金が用いられ、下部は
接続用のAu−Si合金が、上部はAl配線のための
Al蒸着膜がつけられている。ペレツト４並びに
サブコンタクト６はボンデイング線７，７′′によ
りリード２′の端部と接続される。配線が完了す
ると紫外線透光性の窓１３を有する蓋部材１２
が、その端部に付着させた低融点ガラスにより容
器本体に溶着される。このときの加熱温度は400
〜440℃程度で行なわれるのが普通である。
用いて構成したもので、リードフレーム２′は低
融点ガラス１０により下部セラミツク基体１に、
また同じ低融点ガラス１０′により壁部材１１に
接着されている。ペレツト取付用の凹部の底面は
メタライズ層５が形成され、ペレツト４とサブコ
ンタクト６が取りつけられる。サブコンタクト６
はメタライズ層５と外部リードとの接続をとるた
めのものでFe−Ni−Co合金が用いられ、下部は
接続用のAu−Si合金が、上部はAl配線のための
Al蒸着膜がつけられている。ペレツト４並びに
サブコンタクト６はボンデイング線７，７′′によ
りリード２′の端部と接続される。配線が完了す
ると紫外線透光性の窓１３を有する蓋部材１２
が、その端部に付着させた低融点ガラスにより容
器本体に溶着される。このときの加熱温度は400
〜440℃程度で行なわれるのが普通である。
また第３図は第２図における壁部材１１を設け
ず低融点ガラス１０′により透光性窓１３を有す
る蓋部材１２を直線下部組立体に接着させる。こ
の接着のための加熱温度は第２図の場合より高く
450〜500℃で行うのが普通である。
ず低融点ガラス１０′により透光性窓１３を有す
る蓋部材１２を直線下部組立体に接着させる。こ
の接着のための加熱温度は第２図の場合より高く
450〜500℃で行うのが普通である。
以上説明したとおり多層配線方式のものは凹部
メタライズ層と外部リードとの接続はセラミツク
面に設けられた配線により行うのでサブコンタク
トを設ける必要はないが、蓋部材は通常サフアイ
ヤ、透光性アルミナ等が用いられその接続には
Au−Sn合金を使う。従つて複雑な工程と高価な
材料を使うのでパツケージは高価格となる、また
Au−Sn合金による封入のため400℃付近の加熱が
必要となり接続不良の原因となるので接続の材料
や工法に留意する必要がある。
メタライズ層と外部リードとの接続はセラミツク
面に設けられた配線により行うのでサブコンタク
トを設ける必要はないが、蓋部材は通常サフアイ
ヤ、透光性アルミナ等が用いられその接続には
Au−Sn合金を使う。従つて複雑な工程と高価な
材料を使うのでパツケージは高価格となる、また
Au−Sn合金による封入のため400℃付近の加熱が
必要となり接続不良の原因となるので接続の材料
や工法に留意する必要がある。
また低融点ガラスを用いる方法においてもセラ
ミツクパツケージのための高価格であることは多
層配線方式パツケージと同様であるとともに接着
させるためには400〜500℃の加熱が必要であると
共に加熱時間はAu−Sn合金を用いるときより長
時間を要する。従つて工法、材料の選択が必要と
なり、価格面、生産性、特性面から問題となる。
ミツクパツケージのための高価格であることは多
層配線方式パツケージと同様であるとともに接着
させるためには400〜500℃の加熱が必要であると
共に加熱時間はAu−Sn合金を用いるときより長
時間を要する。従つて工法、材料の選択が必要と
なり、価格面、生産性、特性面から問題となる。
本発明は上記問題に対処してなされたもので、
特性を低下させることなく、生産性のすぐれた紫
外線消去型PROMの製造方法を提供しようとする
ものである。
特性を低下させることなく、生産性のすぐれた紫
外線消去型PROMの製造方法を提供しようとする
ものである。
本発明の他の特徴は、リードフレームに固定さ
れたペレツト上に紫外線透過部材となるガラスを
紫外線透過性接着剤にて接着せしめる工程と、該
ガラス上面にテープ材料を付着せしめる工程と、
しかる後に上記組立体を樹脂封止する工程と、該
テープ材料を剥離しガラスの上面を露出せしめる
工程とを含む紫外線消去型PROMの製造方法にあ
る。
れたペレツト上に紫外線透過部材となるガラスを
紫外線透過性接着剤にて接着せしめる工程と、該
ガラス上面にテープ材料を付着せしめる工程と、
しかる後に上記組立体を樹脂封止する工程と、該
テープ材料を剥離しガラスの上面を露出せしめる
工程とを含む紫外線消去型PROMの製造方法にあ
る。
以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
第４図は本発明を実施した半導体メモリー装置
の一例の断面図であり、リードフレームのペレツ
ト取付部２″上にペレツト４が搭載され、ペレツ
ト４とリードフレームのリード部２′がボンデイ
ング用金細線７により接続され、ペレツト４には
その表面に紫外線透過部材１４例えばUVガラス
（コーニング社＃9741）を紫外線透過率の良好な
接着剤１５例えばガラスレジン（オーエンスイリ
ノイ社＃650）により接着する。このガラスレジ
ンは透光性がよく3000Åの光は70％、2300Åの光
は60％透過し、しかも接着性にすぐれプラスチツ
クやガラスにもよく付着するのでこの目的に好適
である。次に接着したガラスの露出面に相当する
部分にリフトオフテープ１６を付着させ、然るの
ちエポキシ樹脂等の集積回路用のモールド材料１
７によりモールドし、リフトオフテープを除去す
れば透光性部材を備えた紫外線消去型のPROMが
得られる。
の一例の断面図であり、リードフレームのペレツ
ト取付部２″上にペレツト４が搭載され、ペレツ
ト４とリードフレームのリード部２′がボンデイ
ング用金細線７により接続され、ペレツト４には
その表面に紫外線透過部材１４例えばUVガラス
（コーニング社＃9741）を紫外線透過率の良好な
接着剤１５例えばガラスレジン（オーエンスイリ
ノイ社＃650）により接着する。このガラスレジ
ンは透光性がよく3000Åの光は70％、2300Åの光
は60％透過し、しかも接着性にすぐれプラスチツ
クやガラスにもよく付着するのでこの目的に好適
である。次に接着したガラスの露出面に相当する
部分にリフトオフテープ１６を付着させ、然るの
ちエポキシ樹脂等の集積回路用のモールド材料１
７によりモールドし、リフトオフテープを除去す
れば透光性部材を備えた紫外線消去型のPROMが
得られる。
UVガラスとエポキシ樹脂との接着性は一般に
良好であるが、境界面の接着性を増し湿気等の浸
入を防ぐ方法としては通常行なわれているガラス
の表面積を増すとか、中間物質を塗布するとか、
上部の境界部に防湿用樹脂を塗布する等の方法を
とればより効果的である。
良好であるが、境界面の接着性を増し湿気等の浸
入を防ぐ方法としては通常行なわれているガラス
の表面積を増すとか、中間物質を塗布するとか、
上部の境界部に防湿用樹脂を塗布する等の方法を
とればより効果的である。
以上説明したとおり、本発明によればペレツト
表面に透光性部材が透光性接着剤により固定され
これに対向する他の面が外部に露出し、その他の
部分がエポキシ樹脂等により封入された構造の半
導体装置が得られる。しかも透光部を形成する材
料は透光性の優れた材料を使用しているので本実
施例による紫外線による消去が適切に行うことが
出来る。
表面に透光性部材が透光性接着剤により固定され
これに対向する他の面が外部に露出し、その他の
部分がエポキシ樹脂等により封入された構造の半
導体装置が得られる。しかも透光部を形成する材
料は透光性の優れた材料を使用しているので本実
施例による紫外線による消去が適切に行うことが
出来る。
また低融点ガラスやAu−Sn合金による封入を
用いることなく、樹脂封止であると共に透光性部
材の接着は250℃以下で加工するガラスレジン等
を使用しており、従来例のように400〜500℃のよ
うな加熱をする必要はなく、材料の特別な選別利
用の必要はなく例えばワイヤボンデングは従来の
樹脂封止半導体装置と全く同じ金細線を用いるこ
とができ、ボンデイングの方向性を考慮する必要
がなく作業性はいちヾるしく向上する。
用いることなく、樹脂封止であると共に透光性部
材の接着は250℃以下で加工するガラスレジン等
を使用しており、従来例のように400〜500℃のよ
うな加熱をする必要はなく、材料の特別な選別利
用の必要はなく例えばワイヤボンデングは従来の
樹脂封止半導体装置と全く同じ金細線を用いるこ
とができ、ボンデイングの方向性を考慮する必要
がなく作業性はいちヾるしく向上する。
また透光材料は石英、サフアイヤ等の高価なも
のと使用する必要はなく安価なUVガラスで十分
であり、Au−Sn合金も不要である。
のと使用する必要はなく安価なUVガラスで十分
であり、Au−Sn合金も不要である。
またガラスシールセラミツクパツケージのよう
にサブコンタクトを設ける必要もない。
にサブコンタクトを設ける必要もない。
また透光用の窓は必要部分の上にのみ接着され
ているので記憶させたメモリー内容を消去させる
雑光線の侵入を少くする効果もある。
ているので記憶させたメモリー内容を消去させる
雑光線の侵入を少くする効果もある。
以上のとおり本発明によれば、生産性が優れ、
低価格で特性の優れた光透過窓を有する樹脂封止
型半導体装置が提供できる。
低価格で特性の優れた光透過窓を有する樹脂封止
型半導体装置が提供できる。
以上紫外線消去型のPROM装置の製造方法につ
いて述べた。
いて述べた。
第１図ないし第３図はそれぞれ従来の半導体装
置を示す断面図、第４図は本発明の一実施例によ
る半導体装置を示す断面図である。 尚図において、１，３……セラミツク、２……
配線、２′……リード、４……ペレツト、５，
８，８′……メタライズ層、６……サブコンタク
ト、７，７′……ボンデイング細線、９……Au−
Sn合金層、１０，１０′……ガラス層、１１……
壁部材、１２……蓋部材、１３……透光部、１４
……透光性部材、１５……透光性接着剤。
置を示す断面図、第４図は本発明の一実施例によ
る半導体装置を示す断面図である。 尚図において、１，３……セラミツク、２……
配線、２′……リード、４……ペレツト、５，
８，８′……メタライズ層、６……サブコンタク
ト、７，７′……ボンデイング細線、９……Au−
Sn合金層、１０，１０′……ガラス層、１１……
壁部材、１２……蓋部材、１３……透光部、１４
……透光性部材、１５……透光性接着剤。
Claims (1)
- １ リードフレームに固定されたペレツト上に紫
外線透過部材となるガラスを紫外線透過性接着剤
に接着せしめる工程と、該ガラスの上面にテープ
材料を付着せしめる工程と、しかる後に上記組立
体を樹脂封止する工程と、該テープ材料を剥離し
前記ガラスの上面を露出せしめる工程とを含むこ
とを特徴とする紫外線消去型PROMの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55117979A JPS5742152A (en) | 1980-08-27 | 1980-08-27 | Resin sealed type semiconductor and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55117979A JPS5742152A (en) | 1980-08-27 | 1980-08-27 | Resin sealed type semiconductor and manufacture thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5742152A JPS5742152A (en) | 1982-03-09 |
| JPS6130743B2 true JPS6130743B2 (ja) | 1986-07-15 |
Family
ID=14725003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55117979A Granted JPS5742152A (en) | 1980-08-27 | 1980-08-27 | Resin sealed type semiconductor and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5742152A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58207656A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Fujitsu Ltd | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| JPS60239043A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パツケ−ジの製造方法 |
| WO2003061885A1 (fr) | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Outil de coupe presentant un revetement de surface |
-
1980
- 1980-08-27 JP JP55117979A patent/JPS5742152A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5742152A (en) | 1982-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4710797A (en) | Erasable and programable read only memory devices | |
| JPS6249741B2 (ja) | ||
| JP2001177155A (ja) | ケース付チップ型発光装置 | |
| JPS6130743B2 (ja) | ||
| JPH02125454A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR920018880A (ko) | 유리봉지형 세라믹 패키지 | |
| JPH0311757A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0793390B2 (ja) | Ｉｃカード等のための薄型構造の紫外線透過型半導体装置パッケージ | |
| JPS62174956A (ja) | プラスチツク・モ−ルド型半導体装置 | |
| JPS58207656A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS60113950A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3054929B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS584953A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6083337A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05183072A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS584952A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61189656A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6366062B2 (ja) | ||
| JPH11340480A (ja) | プラスティックパッケージ | |
| JPS6150352A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60211962A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02103967A (ja) | 光センサ用パッケージ | |
| JPS6221250A (ja) | 樹脂封止半導体装置とその製造方法 | |
| JPH0321090B2 (ja) | ||
| JPH05211268A (ja) | 半導体装置 |