JPS58200558A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS58200558A
JPS58200558A JP57083094A JP8309482A JPS58200558A JP S58200558 A JPS58200558 A JP S58200558A JP 57083094 A JP57083094 A JP 57083094A JP 8309482 A JP8309482 A JP 8309482A JP S58200558 A JPS58200558 A JP S58200558A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
film
semiconductor device
package
rays
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57083094A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshio Tominaga
富永　四志夫
Chikatake Uchiumi
内海　京丈
Masayoshi Mochizuki
望月　正良
Kazuhiro Komori
小森　和宏
Michio Fujimoto
藤本　道夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS58200558A publication Critical patent/JPS58200558A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はレジンモールド型パッケージを有する半導体装
置に関するものである。
従来、たとえばＥ　Ｐ　ＲＯＭ　（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａ
ｌｌｙＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ
　Ｍｅｍｏｒｙ　）型半導体装置を製造する場合におい
て、コストの低減を図るためにパッケージとしてレジン
モールド型ノくツケージを用いることがある。その場合
、耐湿性を良くするために半導体ペレットの表面にナイ
トライド（Ｓｉ４Ｎ３）膜をコーティングすることが行
われている。
ところが、ナイトライド膜は紫外線の透過率が悪いので
、折角透明レジンでモールドしても、紫外線による消去
が困難となってしまうという欠点がある一 本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解消し、耐温性
および紫外線またはＸ線等の透過率の良い半導体装置を
提供することにある。
この目的を達成するため、本発明は、レジンモールド型
パッケージを有する半導体装置において、ペレットの表
面に紫外線またはＸ線等の記憶消去媒体の透過率お゛よ
び耐湿性の良い材料な被着したものである。　　　　　
　　　　　　″以下、本発明を図面に示す実施例にした
がって詳細に説明する。
第１図は本発明による半導体装置の一実施例を示す断ｌ
１ｌＩＩである。
本実施例において、リードフレーム１のタブ２には半導
体ペレット３が取り付けられ、該半導体ペレット３のポ
ンディングパッド４とリードフレーム１のインナーリー
ド部とはワイヤ５のボンディングにより互いに電気的に
接続され、外部り−ド６に導通している。
前記半導体ペレット３の上には、紫外線またはＸ線等の
記憶消去媒体の透過率が良く、かつ耐湿性の良い材料の
膜７がコーティングされている。
また、その上にはたとえば透明レジンよりなるパッケー
ジ８がレジンモールドされ、半導体ペレット３等を気密
封止している。
前記膜７は紫外線等による記憶の情夫を容易にするため
に紫外線やＸ線等の記憶消去媒体の透過率が良く、かつ
耐湿性の良い材料で作られているので、記憶の消去を容
易かつ確実に行うことができるのみならず、パッケニジ
８のレジンとリードフレーム１との接着部および該レジ
ン自体を透過して水分が浸入貝て来ようとし【も、その
水分は膜７で浸入を防止される。膜７の材料として（・
マ。
ＳｉＯ゛、　Ｓｉｎ、のようなシリコン酸化物な単醜で
用いてもよく、またＳｉＯとＳｉｎ、の配合物として用
いてもよい。これらや：舛料は紫外線等の透過率および
耐湿性の両方共に良好なものである。
したがって１本実施例では、紫外線等による記憶の消去
を容易に行うことができ、また耐湿性も確保できるとと
Ｋより、レジンモールド型パッケージの低コスト性をよ
り良く活かすことができる。
なお、パッケージ８のレジンは必ずしも透明でなくても
よく、たとえば黒レジンを用いて１回限りの書込みを行
５ＥＦＲＯＭにおいてＸ線等の記憶消去媒体で記憶の消
去を行うような場合も本発明を適用することができる。
ｍ２図は本発明による半導体装置の他の１つの実施例な
示す断面図である。この実施例で；よ、膜７は半導体ベ
レット３をタブ２上にボンディングする以前に％該半導
体ペレット３の表面上にコーティングされており、ポン
ディングパッド４の部分だけ穴９としＣ残され、この穴
９を通してワイヤ５をポンディングパッド４上にボンデ
ィングする例である。本爽施例の場合にも、紫外線等の
透過性および耐湿性を良好にすることができる。
なお、膜７の材料、・は］前記したものに限定されるも
のではなく、記憶消去媒体の種類、性質等に応じて適当
なものを選択できる。
以上説明したように、本発明によれば、記憶消去媒体の
透過率および耐温性の良好な半導体装置を低コストで得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による半導体装置の一実施例を示す断面
図、 第２図は本発明の他の１つの実施例を示す断面図である
。 １・・・リードフレーム、２・・・タブ、３・・・当Ｃ
体ベレット、４・・・ポンディングパッド、５・・・ワ
イヤ。 ６・・・外部リード、７・・・記憶消去媒体の透過率お
よび耐湿性の良い材料の膜、８・・・パッケージ、９・
・・穴。 第　１　図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レジンモールド型パッケージを有する半導体装置におい
    て、ベレットの表面゛に紫外線またはＸ線等の記憶消去
    媒体の透過率および耐湿性の良い材料な被着したことを
    特徴とする半導体装置。
JP57083094A 1982-05-19 1982-05-19 半導体装置 Pending JPS58200558A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57083094A JPS58200558A (ja) 1982-05-19 1982-05-19 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57083094A JPS58200558A (ja) 1982-05-19 1982-05-19 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58200558A true JPS58200558A (ja) 1983-11-22

Family

ID=13792585

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57083094A Pending JPS58200558A (ja) 1982-05-19 1982-05-19 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58200558A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4707725A (en) * 1985-09-30 1987-11-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Fluorescent coating for uv sensitive semiconductor device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5578554A (en) * 1978-12-11 1980-06-13 Hitachi Ltd Semiconductor

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5578554A (en) * 1978-12-11 1980-06-13 Hitachi Ltd Semiconductor

Cited By (1)

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