JPS6020143A - Ｉｓｆｅｔセンサ− - Google Patents
Ｉｓｆｅｔセンサ−Info
- Publication number
- JPS6020143A JPS6020143A JP58129158A JP12915883A JPS6020143A JP S6020143 A JPS6020143 A JP S6020143A JP 58129158 A JP58129158 A JP 58129158A JP 12915883 A JP12915883 A JP 12915883A JP S6020143 A JPS6020143 A JP S6020143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chip
- electrode
- 15fet
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用性〉
本発明は、ｌ５ＦＥＴ （イオン選択性ＦＥＴ）センサ
ーの構造の改良に関し、製作が容易で量産性に適したも
のを提供することを目的としている。
ーの構造の改良に関し、製作が容易で量産性に適したも
のを提供することを目的としている。
〈従来技術〉
ｌ５ＦＥＴセンサーの心臓部ともいうべきｌ５ＦＥＴチ
ツプは非常に小さいため、外部との接続を容易にするた
めｌ５ＦＥＴチツプから端子を取出す必要がある。従来
は、端子の取出しにｌ５ＦＥＴチツプ上の電極に直接リ
ード線を半田付けして行なう方法、或いは第１図に示す
ようにリード線１・・を固定用基板２に固定し、ｌ５Ｆ
ＥＴチツプ３上の電極４とリード線１・・端部とをワイ
ヤボンディングで結線５・・する方法を取っている。
ツプは非常に小さいため、外部との接続を容易にするた
めｌ５ＦＥＴチツプから端子を取出す必要がある。従来
は、端子の取出しにｌ５ＦＥＴチツプ上の電極に直接リ
ード線を半田付けして行なう方法、或いは第１図に示す
ようにリード線１・・を固定用基板２に固定し、ｌ５Ｆ
ＥＴチツプ３上の電極４とリード線１・・端部とをワイ
ヤボンディングで結線５・・する方法を取っている。
しかしながらｌ５ＦＥＴチツプの電極に直接リード線を
半田付けする方法であると、半田付けする際の熱によっ
てｌ５ＦＥＴチツプが焼損するおそれがあるし、またワ
イヤボンディングによシリード線と結線する方法にあっ
ても固定基板上のリード線同士の間隔を十分狭くせねば
ならないために、極めて作業性が悪く量産性に欠けるも
のであった。
半田付けする方法であると、半田付けする際の熱によっ
てｌ５ＦＥＴチツプが焼損するおそれがあるし、またワ
イヤボンディングによシリード線と結線する方法にあっ
ても固定基板上のリード線同士の間隔を十分狭くせねば
ならないために、極めて作業性が悪く量産性に欠けるも
のであった。
〈発明の目的及び構成〉
そこで本発明は、主にこのような従来の欠点を解消する
ことを目的として提案されたものであシ、要旨とすると
ころは、微細加工技術によシ配線電極が形成された基板
の上ＫＩＳＦＥＴチップがダイボンディングされ、その
状態で配線電極とｌ５ＦＥＴチツプの電極とがワイヤボ
ンディングにより結線され、又ｌ５ＦＥＴチツプを含む
基板の一部がｌ５ＦＥＴチツプのゲート部を餘さ樹脂封
止され、更に樹脂封止にかからない基板上であって外部
端子との結線部の電極間隔が拡大されている点に存する
。
ことを目的として提案されたものであシ、要旨とすると
ころは、微細加工技術によシ配線電極が形成された基板
の上ＫＩＳＦＥＴチップがダイボンディングされ、その
状態で配線電極とｌ５ＦＥＴチツプの電極とがワイヤボ
ンディングにより結線され、又ｌ５ＦＥＴチツプを含む
基板の一部がｌ５ＦＥＴチツプのゲート部を餘さ樹脂封
止され、更に樹脂封止にかからない基板上であって外部
端子との結線部の電極間隔が拡大されている点に存する
。
〈実施例〉
以下、図面に基づき本発明の一実施例を説明する。第２
図（５）は本発明の一実施例としてのｌ５ＦＥＴセンサ
ーの正面断面図、同図（ト）は平面透視図を示し、図中
１０は基板、１１はｌ５ＦＥＴチツプである。
図（５）は本発明の一実施例としてのｌ５ＦＥＴセンサ
ーの正面断面図、同図（ト）は平面透視図を示し、図中
１０は基板、１１はｌ５ＦＥＴチツプである。
基板１０上には微細加工技術により０，０８〜Ｑ、ｌ＋
＋ｒｍの幅で配線電極１２・・が形成されている。配線
電極の本数は使用するｌ５ＦＥＴチツプの電極数に応じ
て決定すればよい。
＋ｒｍの幅で配線電極１２・・が形成されている。配線
電極の本数は使用するｌ５ＦＥＴチツプの電極数に応じ
て決定すればよい。
ｌ５ＦＥＴチツプ１１はシングルｌ５ＦＥＴ、デュアル
ｌ５ＦＥＴ若しくはこれらのｌ５ＦＥＴと補償用ＭＯ３
ＦＥＴ、温度補償用ザーミスタ或いはダイオードと組合
せたものが含まれる。而して該ｌ５ＦＥＴチツプ１１は
絶縁接着剤１３によって基板１０上にダイボンディング
され、その状態でｌ５ＦＢＴチツプ１１の電極と配線電
極１２・・とがワイヤボンディング１４・・によって結
線されている。ボンディング線１４・・は衝撃、湿気等
から保護するため保護層１５にて覆われている。又ｌ５
ＦＥＴチツプ１１のゲート部１６を除く周辺は耐水、耐
湿性に優れたパッシベーション膜１７として例えばシリ
コーン、ポリイミド等で保護されている。
ｌ５ＦＥＴ若しくはこれらのｌ５ＦＥＴと補償用ＭＯ３
ＦＥＴ、温度補償用ザーミスタ或いはダイオードと組合
せたものが含まれる。而して該ｌ５ＦＥＴチツプ１１は
絶縁接着剤１３によって基板１０上にダイボンディング
され、その状態でｌ５ＦＢＴチツプ１１の電極と配線電
極１２・・とがワイヤボンディング１４・・によって結
線されている。ボンディング線１４・・は衝撃、湿気等
から保護するため保護層１５にて覆われている。又ｌ５
ＦＥＴチツプ１１のゲート部１６を除く周辺は耐水、耐
湿性に優れたパッシベーション膜１７として例えばシリ
コーン、ポリイミド等で保護されている。
１８は、ｌ５ＦＥＴチツプ１１を含む基板ＩＯの一部を
封止したモールド樹脂で、樹脂封入時にゲート部１６を
樹脂の侵入から保護することによって、ゲート部１６を
外部に露出した状態で封止している。この場合、ゲート
開口部１９は図示の如く外側程幅広な斜面となすのがよ
い。溶液の置換及び気泡を逃すことを容易にするだめで
ある。
封止したモールド樹脂で、樹脂封入時にゲート部１６を
樹脂の侵入から保護することによって、ゲート部１６を
外部に露出した状態で封止している。この場合、ゲート
開口部１９は図示の如く外側程幅広な斜面となすのがよ
い。溶液の置換及び気泡を逃すことを容易にするだめで
ある。
前記ｌ５ＦＥＴチツプのゲート部１６を除き樹脂封止す
るには例えば第４図に示すように、キャビティ２０の中
に樹脂封入空間Ａを形成し、その間に第５図に示す如き
形状のゴム弾性体２１を組込み、ｌ５ＦＥＴチツプのゲ
ート部１６を該弾性体２１で押圧し］対脂がゲート部に
侵入しないようにした状態で樹脂を封入空間Ａに封入し
、硬化後ゴム弾性体２１を取り外すことによシ行なうこ
とができる。
るには例えば第４図に示すように、キャビティ２０の中
に樹脂封入空間Ａを形成し、その間に第５図に示す如き
形状のゴム弾性体２１を組込み、ｌ５ＦＥＴチツプのゲ
ート部１６を該弾性体２１で押圧し］対脂がゲート部に
侵入しないようにした状態で樹脂を封入空間Ａに封入し
、硬化後ゴム弾性体２１を取り外すことによシ行なうこ
とができる。
次に、樹脂封止にかからない基板ｌＯ上であって外部端
子との結線部２２は第２図に示すように電極間隔が拡大
され、外部端子との結線が容易に行なえるようにしであ
る。
子との結線部２２は第２図に示すように電極間隔が拡大
され、外部端子との結線が容易に行なえるようにしであ
る。
尚、基板１０としては、第３図に示すようにフレキシブ
ルプリント板を用いることもできる。又、図示はしない
がフィルムキャリアのキャリヤテープを用いることもで
きる。フレキシブルプリント板を用いた場合、ｌ５ＦＥ
’ｌ’チツプ１１のボンディングされた先端部のみ樹脂
封止するようにすれば、フレキシブルプリント板の特性
を活かして狭少な箇所でもｌ５ＦＥＴセンサーを挿入す
ることができるという使用上の利点がある。図中２３・
・はり−ド線である。
ルプリント板を用いることもできる。又、図示はしない
がフィルムキャリアのキャリヤテープを用いることもで
きる。フレキシブルプリント板を用いた場合、ｌ５ＦＥ
’ｌ’チツプ１１のボンディングされた先端部のみ樹脂
封止するようにすれば、フレキシブルプリント板の特性
を活かして狭少な箇所でもｌ５ＦＥＴセンサーを挿入す
ることができるという使用上の利点がある。図中２３・
・はり−ド線である。
〈発明の効果〉
以上述べたように本発明に係るｌ５ＦＥＴセンサーによ
れば、基板にｌ５ＦＥＴチツプをダイボンディングした
状態でチップの電極と基板上の配線電極とがワイヤボン
ディングされ、また樹脂封止にかからない基板上であっ
て外部端子との結線部の電極間隔が拡大されているので
、ｌ５ＦＥＴチツプからの端子の取出しに従来の如（ｌ
５ＦＥＴチツプを焼損しだシ、作業上の困難性を伴なっ
たりすることがなく、非常に簡単に行なうことができる
。
れば、基板にｌ５ＦＥＴチツプをダイボンディングした
状態でチップの電極と基板上の配線電極とがワイヤボン
ディングされ、また樹脂封止にかからない基板上であっ
て外部端子との結線部の電極間隔が拡大されているので
、ｌ５ＦＥＴチツプからの端子の取出しに従来の如（ｌ
５ＦＥＴチツプを焼損しだシ、作業上の困難性を伴なっ
たりすることがなく、非常に簡単に行なうことができる
。
従ってまた、量産性がきき、それによるコストダウンも
可能である。
可能である。
第１図は従来のｌ５ＦＥＴセンサーを示す図、第２図囚
は本発明の一実施例としてのｌ５ＦＥＴセンサーを示す
側面断面図、同図（Ｂ）は平面図、第３図（イ）は基板
としてフレキシブルプリント板ヲ用いた場合の側面図、
同図（Ｂ）は平面図、第４図は、ＩＳＦｇＴチップを含
む基板の一部を樹脂封止を行なうだめの器具を示す図、
第５図は該器具に用いるゴム弾性体を示す図である。 １０・・・基板、１１・・・ｌ５ＦＥＴチツプ、１２・
・・配線電極、１４・・・ワイヤボンディング、１６・
・・ゲート部。
は本発明の一実施例としてのｌ５ＦＥＴセンサーを示す
側面断面図、同図（Ｂ）は平面図、第３図（イ）は基板
としてフレキシブルプリント板ヲ用いた場合の側面図、
同図（Ｂ）は平面図、第４図は、ＩＳＦｇＴチップを含
む基板の一部を樹脂封止を行なうだめの器具を示す図、
第５図は該器具に用いるゴム弾性体を示す図である。 １０・・・基板、１１・・・ｌ５ＦＥＴチツプ、１２・
・・配線電極、１４・・・ワイヤボンディング、１６・
・・ゲート部。
Claims (1)
- 微細加工技術によシ配線電極が形成された基板の上にｌ
５ＦＥＴチツプがダイボンディングされ、その状態で配
線電極とｌ５ＦＥＴチツプの電極とがワイヤボンディン
グにより結線され、又ｌ５ＦＥＴチツプを含む基板の一
部がｌ５ＦＥＴチツプのゲート部を除き樹脂封止され、
更に樹脂封止にかからない基板上であって外部端子との
結線部の電極間隔が拡大されていることを特徴とするｌ
５ＦＢＴセンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58129158A JPS6020143A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | Ｉｓｆｅｔセンサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58129158A JPS6020143A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | Ｉｓｆｅｔセンサ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6020143A true JPS6020143A (ja) | 1985-02-01 |
| JPH0333227B2 JPH0333227B2 (ja) | 1991-05-16 |
Family
ID=15002573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58129158A Granted JPS6020143A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | Ｉｓｆｅｔセンサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020143A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63159744A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-02 | Figaro Eng Inc | ガスセンサ |
-
1983
- 1983-07-14 JP JP58129158A patent/JPS6020143A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63159744A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-02 | Figaro Eng Inc | ガスセンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0333227B2 (ja) | 1991-05-16 |
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