JPS63159744A - ガスセンサ - Google Patents

ガスセンサ

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JPS63159744A
JPS63159744A JP31464786A JP31464786A JPS63159744A JP S63159744 A JPS63159744 A JP S63159744A JP 31464786 A JP31464786 A JP 31464786A JP 31464786 A JP31464786 A JP 31464786A JP S63159744 A JPS63159744 A JP S63159744A
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gas
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Takashi Yamaguchi
隆司 山口
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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の利用分野] この発明はガスセンサの構造の改良に関する。
この発明のガスセンサは雰囲気中のメタンやプロパン等
の可燃性ガス、−酸化炭素等の毒性ガス、あるいは酸素
や水蒸気の検出等に用いる。
[従来技術] 特開昭52−49,094号は、リードフレームに設け
た支承面にセンサ本体を固着することを開示している。
この公報でのセンサを第6図に示すと、(02)はアル
ミナ基板上にS n 02等のガス感応部を設けたセン
サ本体で、(04)は4本に分岐したリードフレームで
ある。リードフレームの4本の分岐の内、対角線上の2
本を連結して支承部(06)とし、ここにセンサ本体を
乗せる。リードフレームの先端には折り返し部(08)
を4ケ所に設け、これを折り曲げてセンサ本体(02)
を固着する。
センサ本体をリードフレームに固着することにより、本
体の保持強度は著しく改善される。しかし同時に、折り
返し部(08)を折り曲げる過程で本体が破損する恐れ
が有ること、折り曲げ工程は複雑で自動化に適さないこ
とも明らかである。
[発明の課題] この発明は、センサ本体のリードフレームへの固着の信
頼性に富み、量産に適したガスセンサの構造を提供する
ことを課題とする。
[発明の構成コ この発明では、リードフレームに設けた支承面にセンサ
本体をダイボンディングする。ダイボンディングは自動
化に適し、信頼性も高い。センサ本体の構造はダイボン
ディングに適合させるため、耐熱絶縁性基板の一面にガ
ス感応部を設けたものとし、他面でボンディングを行う
またリードフレームを介しての熱伝導を抑制し、センサ
の消費電力を軽減するため、リードフレームの基部と支
承面との間にくびれ部を設けることか望ましい。
ガス感応部の材料には、SnowやIntOs等のガス
吸着により抵抗値が変化する金属酸化物半導体、アンチ
モン酸やリン酸ジルコニウム等の水素や一酸化炭素によ
り起電力を生じるプロトン導電体、Zr0tやCent
等の酸素濃度の差により起電力を生じる固体電解質、あ
るいはMgCrt04等の吸着水により抵抗値が変化す
る金属酸化物等を用いる。これらのもののガス感応特性
は周知である。
[実施例コ 第1図〜第3図に、センサ構造を示す。第1図において
、(2)はセンサ本体で、アルミナ等の耐熱絶縁性基板
(4)の−面に、5nOz膜等のガス感応部(6)と、
Ru O2や白金等のヒータ膜(8)を設けたものであ
る。ヒータ膜(8)はガラス膜(10)で覆い、雰囲気
から遮断して保護する。ガス感応部(6)やヒータ膜(
8)には共通電極(12)を接続し、これ以外にセンサ
電極(14)と、ヒータ電極(16)とを設ける。
ここではガス感応部(6)の材質をSnO2としたが、
これ以外に種々のものを用い得る。プロトン導電体を用
いる場合、例えば電極(12)、(+ 4)の一方を雰
囲気から遮断し、電極間に水素や一酸化炭素濃度の差を
設ければ、起電力を得ることができる。またZ r O
を等の固体電解質を用いる場合、例えば電極の一方を雰
囲気から遮断し、その電極をNi−Ni0等の酸素分圧
を一定とした基亭極とすれば、起電力を得ることができ
る。なおMgCr104等の感湿材料やプロトン導電体
は室温でも動作するが、雰囲気中の油等の付着による劣
化を防止する几め、ヒートクリーニングが必要である。
従ってこれらの材料でも、ヒータ(8)は必要である。
基板(4)にはガス感応部(6)の負荷抵抗等を設けて
も良い。その場合の構造を、第5図により後に説明する
。またヒータ(8)は基板(4)の裏面に設け、あるい
は基板(4)に埋設しても良い。これらの場合、ヒータ
(8)と電極(12)等との接続には、スルーホールを
用い、あるいは基板(4)の端面を用いれば良い。スル
ーホールや端面に導電性層を設ければ、ヒータを容易に
電極に接続できる。
またヒータ(8)はガラス膜(10)で保護されており
、ヒータ(8)を基板(4)の裏面に配置しダイボンデ
ィングしても問題は生じない。
(1B)、(20)、(22)は42合金等のリードフ
レームで、後述のリード線のワイヤボンディングを容易
にするため、表面に金や白金等の貴金属メッキを施すこ
とが好ましい。42合金の組成は、Ni42重量%、F
e56重量%、残部はCo、 Mn。
Si等である。42合金を用いるのは、熱膨張率がアル
ミナに近く、熱伝導度が低く、耐熱温度が高いためであ
る。アルミナの熱膨張率は約7×10 ”’cm/cm
’c、42合金の熱膨張率は7XIO−’cm/cm℃
である。42合金の耐熱温度は650〜700℃で、銅
合金、例えば0.1%Fe。
0.03%P1残部銅の、耐熱温度は約400°Cであ
る。42合金の熱伝導率は0 、03 cal/cm・
sec・℃で、上記の銅合金では0 、8 cal/a
m ・sec・℃である。これらの点を除けば、純ニッ
ケル、ステンレス、各種銅合金等もリードフレーム(1
8)等の材質に用いえる。
(24)はリードフレームの脱落防止用の突起、(26
)はフレーム配置の表示用マークである。
(28)はセンサ本体(2)の支承面、(30)は熱損
失の抑制用のくびれ部である。
実験によれば、ヒータ(8)からの熱の損失は以下の通
りであった。基板(4)を3.2X2.2mmのアルミ
ナとし、ガス感応部(6)の温度を400℃、くびれ部
(30)の摩さを0.25mm、幅を0 、3 mm。
長さを3mmとし、材質を42合金とした。なおリード
フレーム(18)、(20)等の幅は、その端部を外部
リードに兼用するため制約が有り、0 、8 mmとし
た。ヒータ(8)の電カフ00mWの内、くびれ部(3
0)からの熱伝導で失われるものが200mW、後述の
リード線(34)等で失われるものがGOmW、対流や
熱放射で失われるものが440mWであった。ここでく
びれ部(30)を設けず0.8mm幅のままとすると、
リードフレーム(20)への熱損失は500mW程度に
達した。そこでフレーム(20)にはくびれ部(30)
を設け、熱損失を抑制することが好ましい。
第2図にダイボンディング層(32)を示す。ダイボン
ディング層(32)は、リードフレームの支承面(28
)と基板(4)を結合するためのもので、金や銀等の低
融点金属、シリカ−カリウム接着剤等の耐熱無機接着剤
、あるいはガラス等を用いる。
これらの内好ましいものは、金や銀等の金属結合とSi
n、−に、0系接着剤で、K、oはRb1O1Cs t
 Oに代えても良い。しかしNatOではガス感応部(
6)に接触した際に、特性に影響する。金や銀等の金属
結合を用いる場合、センサ本体(2)の特性への影響が
少ない。また5iOz−に20゜5iOt−RbtO,
5iO1−Cs2O系の接着剤は、アルミナ基板(4)
やリードフレームの42合金と熱膨張率が一致し、かつ
基板(4)の反対面に回りこんだ際の、センサ特性への
影響が少ない。これに対して池の耐熱無機接着剤にはガ
ス感応部(6)の応答特性に影響するものが有り、使用
前に応答特性への影響を確認することが必要である。ガ
ラスでは、軟化点がセンサの使用温度以上のものを用い
ねばならず、軟化温度が高いため支承面(28)を酸化
させ、またダイボンディングを複雑にする。
第1図に戻って、(34)、(36)、(38)は直径
lO〜60μ程度の金等のリード線で、リードフレーム
(18)、(20)、(22)と各電極を接続し、ワイ
ヤボンディングにより設ける。
(40)は合成樹脂等のベースで、リードフレーム(1
8)、(20)、(22)は同一面内で同じ方向へベー
ス(40)を貫通し、貫通部分はセンサの外部リードと
なる。これに対して特開昭52−49゜094号では、
外部リードをリードフレームと別に設け、両者を溶接し
ている。またリードフレームの貫通方向を同一面内で同
じ方向としたのは、リードフレームへのベース(40)
の一体成型ヲ行うためである。また一体成型のためには
、センサ本体(2)とベース(40)との位置か分離さ
れている、即ち支承面(28)とベース(40)との位
置がリードフレーム(20)等の長さ方向に沿って分離
されていることも必要である。例えば第6図のように、
2つの方向へリードフレームを延在させると、ベースに
はセンサ本体(02)に対応した中空部を設けねばなら
ず、支承部(06)等が障害となり一体成型はできない
(42)は上部カバー(44)をベースに結合するため
のノツチで、カバー(44)の上部には開口部(46)
を設け、ガスが流通し得るようにする。
(48)は防爆金網、(50)は合成樹脂膜等の気体選
択性透過膜である。気体選択性透過膜(50)は設けな
くとも良い。開口部(46)をカバーの上部に設けるの
は、カバー(44)の量産性を高めるためである。即ち
開口部をカバーの側部に設けると、カバーの成型と開口
部の形成とを別に行わねばならない。これは開口部に対
応した金型がカバーの成型の妨げとなるためである。こ
れに対して開口部(46)をカバー(44)の上部に置
けば、カバー(44)の成型と同時に開口部(46)を
設けることができる。
開口部(46)の径はセンサの特性に影響する。
例えばカバー(44)の内径を7 n++nX 6 m
mX 8 mmとし、ガス感応部(6)の材質をSnO
2の印刷膜とし、その温度を400℃とする。開口部(
46)の直径を2mmとすると、開口部の影響は少ない
。開口部の径を絞ると、センサ本体(2)での可燃性ガ
スの燃焼と開口部からのガスの拡散とのバランスのため
、各種ガスへの相対感度が変化する。またセンサのガス
への応答も遅くなる。開口部の影響を小さなものから順
に示すと、以下のようになる。
H20<CH4<H2<Go 〜C2H50HA−C4
H1(1水蒸気の場合、拡散のみが問題となり内部での
ガスの消費がないため、開孔径の感度への影響は小さい
。メタンの場合には、難燃性ガスであるため開孔径を絞
っても影響が小さい。水素の場合、着火点は低いが分子
量が小さく拡散定数が大きいため、メタンの次に開孔径
の感度への影響が小さい。他のガスの場合、着火点も低
く、分子量も大きいため(特にイソブタンの場合)、内
部でのガスの酸化速度が拡散速度を上回り、相対感度が
低下する。
実験によれば、開孔径が1mmでは、メタンの相対感度
が上昇し、水素の相対感度はやや上昇する。
開孔径が0.5mmではメタン以外の可燃性ガスへの感
度は著しく低下し、開孔径が0 、2 mmではメタン
感度も低下して水蒸気感度が支配的となる。
従って開口部(46)の開口面積を制御することにより
、各種ガスへの相対感度を制御することができる。これ
は、開口部(46)からのガスの拡散とセンサ本体(2
)でのガスの燃焼とのバランスで定まるものである。な
お相対感度の制御には、開口部(46)の位置は重要で
はなく、例えばカバー(44)の側壁に開口部を設けて
も良い。
センサの相対感度は、気体選択性透過膜(50)によっ
ても調整できろ。気体選択性透過膜(50)は例えば、
1〜10μ程度の膜厚の合成樹脂フィルムとし、この膜
を介してガスがカバー(44)内に拡散するように構成
する。例えば、ポリアクリロニトリル、ポリアクリロニ
トリル等の合成樹脂は、水蒸気を選択的に透過し、他の
気体への透過係数は水蒸気のl/100以下となる。従
ってこれのみで水蒸気への相対感度を100倍以上も高
めることができる。また合成樹脂膜への気体の透過係数
は、多くの場合、気体の分子量と気体と膜との親和性と
で定まる。分子量の小さな水素は、膜内の小さな細孔で
も拡散し易く、酢酸セルロース、ポリピロピレン等の適
当な材質を用いれば、水素を選択的に検出できる。従っ
て気体選択性透過膜(50)、特に膜状の合成樹脂、に
よる相対感度の調整は、この実施例の1つの特徴となる
なお相対感度の調整には、ガス感応部(6)の表面を白
金触媒等の接触酸化触媒で被覆しても良い。
この場合は、不要なガス、特にエタノールや水素等の易
燃性の可燃性ガスを触媒で酸化除去し、メタン等の被検
出ガスへの相対感度を高める。
第5図に、ガス感応部(6)の負荷抵抗(52)をセン
サ本体(3)に一体に設けた変形例を示す。この変形例
では、ガス感応部(6)と負荷抵抗(52)とをセンサ
電極(14)を介し直列に接続する。そして例えば負荷
抵抗(52)への印加電圧、電極(14)、(16)間
の電圧を、出力とする。負荷抵抗(52)は例えば厚膜
印刷や蒸着等により形成し、白金や銀等の金属、Ru5
tや5nOt、In、O,等の金属酸化物を用いる。負
荷抵抗(52)は表面をガラス等で被覆し、雰囲気から
遮断するのが好ましい。
実施例のガスセンサの製造工程を、模式的に第4図に示
す。絶縁基板(4)上に、印刷や真空蒸着、スパッタリ
ング等により、ガス感応部(6)、RuO2等のヒータ
(8)、ガラス膜(10)、電極(12)。
(14)、(16)を設ける。この状聾で絶縁基板(4
)は未分割の大きなウェーハーをなし、その表面には多
数のセンサ本体(2)に対応したものを設ける。
ウェーハーのまま、センサ本体のエージングと検査とを
行い、レーザー等を用い、ヒータ(8)のトリミングを
行い、ヒータ抵抗値をそろえる。またガス感応部(6)
に付いても、検出目標のガス中で抵抗値を測定し、レー
ザーでトリミングして抵抗値をそろえるのが好ましい。
エージングと検査、トリミングを行ったウェーハーを切
断し、センサ本体(2)とする。なお第5図の実施例を
用いる場合には、負荷抵抗(52)をトリミングし、ガ
ス感応部(6)と負荷抵抗(52)との抵抗値の比を調
整するのが良い。
これとは別に、リードフレーム(18)、(20)。
(22)を一連に結合したものを作成し、IO連に結合
してマガジンに収容し、あるいはより長いテープ状とし
て、センサ1個分ずつ移動させて加工する。実際には、
ダイボンディング、ワイヤボンディング、カバー(44
)の結合、タイバーカットの工程はそれぞれ別の装置で
行なわれるが、ここでは模式的に表示する。
適当な金型を用い、リードフレームに合成樹脂製のベー
ス(40)を一体成型する。ここで各リードフレームが
同一面内で同じ方向へ配置されていること、センサ本体
(2)に対応した支承面(28)とベース(40)の形
成位置が分離されていることのため、一体成型が可能と
なる。例えば第6図のフレーム(04)の配置では、支
承部(06)か存在し、センサ本体(02)に対応した
スペースが必要なため、一体成型はできない。
センサ本体(2)を支承面(28)にダイボンディング
する。センサ本体(2)を真空吸引等で移送し、パター
ン認識等で位置と方向とをそろえ、適当な温度に予熱し
た支承面(28)にダイボンディングを行う。例えばシ
リカセメント等の耐熱無機接着剤を用いる場合、ダイボ
ンディング而に支承面(28)にセメントを塗布し、2
00℃程度でセメントを硬化させダイボンディングする
。金や銀等の金属をダイボンディング材料とする場合、
例えばセンサ本体(2)の裏面と支承面(28)とに金
等の皮膜を設けておき、300℃程度の予熱温度で振動
を加え、摩擦熱と予熱とでボンディングする。またガラ
スをボンディング材料とする場合、700℃程度でガラ
スを軟化させボンディングする。しかしこの温度は高く
、ボンディング装置が複雑化し、またフレーム(18)
等が酸化される恐れが生じ、好ましくはない。真空吸引
による移送、パターン認識、ボンディング等は自動的に
行われ、人手を要しない。
ダイボンディングが完了し、センサ本体(2)等が充分
冷却してから、ワイヤボンディングを行う。
金や白金等のリード線を、ボンディング装置で自動的に
ボンディングする。この作業もパターン認識装置を用い
各電極(12)等の位置を認識しながら行うことが好ま
しいが、ダイボンディングの位置精度が高いため特にパ
ターン認識をしなくとも自動的に行える。
最後に上部カバー(44)をベース(40)に結合し、
リードフレームの不要部をタイバーカットすれば、セン
サが完成する、完成したセンサは、エージングや検査等
の出荷前の作業が完了済みで、そのままセンサとして使
用し得る。
実施例のガスセンサの特性は、基本的には他のものと変
わらない。構造の変更に伴う特性への影響を以下に示す
ヒータ(8)を基板(4)の片面に配置したことによる
、温度分布に付いて説明する。基板(4)を3.2+n
mX2.2mmの厚さ0 、4 mmとし、リードフレ
ーム(20)等の素材を42合金とし、厚さを0.25
mmとした。ガス感応部(6)を幅0 、3 mm。
長さ0 、4 +nmとし、基板(4)の他方の中央部
に配置すると、加熱温度400℃で、ガス感応部(6)
の温度分布は5℃程度であった。これは基板(4)や支
承面(28)での熱伝導に基づくもので、問題とならな
い程度の温度分布である。
次に耐熱無機接着剤をボンディング材料(32)に用い
る場合に付いて、センサ特性への影響を示す。好ましい
ものは、5iOvとカリウムや、ルビジウム、セシウム
を有効成分とするものである。
なお接着剤にはアルミナ等の骨材を加えても良い。
第1にこの接着剤は、基板(4)のアルミナや支承面(
28)の42合金と熱膨張率が等しい。アルミナの熱膨
張率(線膨張率、以下同じ)は、7XIO−’cm/c
m℃程度で、42合金では7 X 10−”am/cm
’c、これらの接着剤では8 X 10−”am/cm
’C程度である。
またこれらの接着剤は、ガス感応部(6)にふれた際の
特性への悪影響か小さい。特性への悪影響は主として、
応答速度の低下に生じた。人為的に接着剤をガス感応部
(6)に添加する。粘度各90゜000c、p、(セン
チポアズ)にそろえた接着剤を水で10倍に希釈し、ガ
ス感応部(6)に滴下し、センサ本体(2)を回転させ
余剰の接着剤を捨てる。
これを200℃で10分間硬化させ、カバー(44)な
しで、清浄空気中と11000ppの水素中との間の応
答速度を測定した。センサ温度を400℃とし、雰囲気
は20℃、相対湿度65%で、雰囲気の変化への90%
応答の時間を測定した。結果を表1に示す。
表 1 (接着剤の影響) 1 20SiOt−KyO24 220SiOt−CstO24 320SiOt−RbtO24 4〜1    〜2 5 3SiOt−Na、0   6      86 
リン酸アルミ     8      12* 組成は
SiO2とM20換算でのアルカリとのモル比を示し、
粘度90,000c、 p、でのPHは、試料1.2.
3で約12)試料6で約1であった。また試料5のリン
酸アルミは、Atイオンとリン酸イオンとのモル比で1
6=1の組成を用いた。接着剤はいずれも水性で、表の
組成のものを水に分散させて粘度を90,000c、 
p、とじたものを用いた。
SiOxとKto等を用いた接着剤により、接着できる
ことが判る。5iftとに20等との好ましいモル比は
50:l〜6:lで、この範囲であれば熱膨張率も変わ
らず、応答速度への影響も小さい。
実施例のセンナでは、センサ本体(2)が平面状のため
、カバー(44)への放熱がセンサ本体(2)に対向し
た位置に集中する。カバー(44)の温度上昇は大きく
、センサ本体(2)とカバー(44)との間隔を大きく
しないと、耐熱温度以上に過熱されることになる。カバ
ー(44)の材質に耐熱性の高いポリブチレンテレフタ
レート(1mm厚)を用い、その内径を第1図の高さ方
向で8mm、横手方向で7mmとした。勿論カバー(4
4)の材質には、ポリアミド樹脂やポリフェニレンサル
ファイド樹脂、あるいはこれに強化用のガラス繊維を混
合したもの等、種々の材質を用い得る。センサ本体(2
)に垂直なカバーの奥行きを変え、カバー(44)の外
面の最高温度を調べた。基板(4)の厚さは0.4mm
1フレームの厚さは0 、25 m’mで、センサ本体
と支承面の合計での厚さは約0.7mmである。
センサ本体の温度は400℃、室温は20°C剤がガス
感応部(6)に侵入した際の悪影響を抑制で、カバー(
44)の表裏には20℃程度の温度差が有る。カバー(
44)の耐熱温度は一般に150〜200℃で、カバー
(44)の表面温度はこれ以下が好ましく、各部の温度
は熱電対で測定し、ヒータ(8)からの熱の配分は温度
分布と熱伝導率とから計算した。センサ本体(2)や支
承面(28)とカバー(44)との距離をd(mm)、
ヒータ(8)の発熱量をwh(w)、その内輻射や対流
に用いられる熱量をW(W)、カバー(44)の最高温
度をT(’C)とし、結果を表2に示す。なおくびれ部
(30)の幅は0 、3 mmで、dが2.7 mmの
場合、カバー(44)の奥行きは6mmとなる。
表 2 (カバーの過熱) 1)   3.6   70  7.5 0.48 0
.751)   2.7   90  6.1 0.4
4 0.701)   1.8  130  4.3 
0.42 0.681)   0.8  180  2
   0.40 0.662)   3.6   55
 11   0.32 0.552)’  2.7  
 70  9.6 0.28 0.502)   1.
8  100  6.7 0.27 0.502)  
0.8  150  3.2 0.25 0.471)
条件l)基板サイズ(3,2x2.2mm)、dが2 
、7 mmの場合、whは0.7W、Wは0.44Wで
あった、残部の0.26Wの内、くびれ部(30)を介
しての熱伝導が200mW、直径25μの金線(34)
、(36)、(38)を介しての熱伝導が合計で60m
Wであった、 2)条件2)基板サイズ(2,2X1.6mm)、dが
2.7mmの場合、whは0.5W、Wは0.28Wで
あった、なお他の条件は、条件1)と同じ。
なおここでカバー(44)の内径は、空気の対流等によ
る消費電力を抑制し、内容積を減少してガスへの応答速
度を高め、フレーム(18)等でセンサを支えろ際の機
械的安定性を増すため、小さいほど好ましいことはいう
までもない。
これらの結果から、カバー(44)の過熱防止にはd/
W(mm/W)を4以上15以下に、より好ましくは5
以上15以下に、更に好ましくは5以上12以下とする
のが良いことが判る。ここにdはセンサ本体(2)や支
承面(28)とカバー(44)の内面との間隔、Wはヒ
ータ(8)の発熱量の内、フレームやリード線による熱
伝導を除いたものである。またまたWの測定は、くびれ
部(30)やリード線(34)等の両端での温度差の測
定から、これらでの熱損失を熱伝導率により計算して求
めるものとする。
[発明の効果] この発明では、リードフレームへのセンサ本体の固着の
信頼性に富み、量産に適したセンサ構造を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例のガスセンサの断面図、第2図はその■
−■方向拡大部分断面図、第3図は第1図の実施例の■
−■方向断面図、第4図は実施例のガスセンサの製造工
程を現す平面図である。 第5図は他の実施例のガスセンサの要部正面図である。 第6図は従来例のガスセンサの要部底面図である。 図において、(2)センサ本体、 (18)、(20)、(22)  リードフレーム、(
28)支承面、 (30)  <びれ部、(32)グイ
ポンディング層、 (40)ベース、 (42)上部カバー、(52)負荷
抵抗。 第1図 第2図 i3図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)リードフレームに設けた支承面にセンサ本体を固
    着したガスセンサにおいて、 前記センサ本体を耐熱絶縁性基板の一面にガス感応部を
    設けたものとし、 かつ前記基板の他面をリードフレームの支承面にダイボ
    ンディングしたことを特徴とするガスセンサ。
  2. (2)特許請求の範囲第1項記載のガスセンサにおいて
    、 前記リードフレームの支承面と基部との間に、熱伝導を
    抑制するためのくびれ部を設けたことを特徴とするガス
    センサ。
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