JPS62136053A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62136053A JPS62136053A JP27606985A JP27606985A JPS62136053A JP S62136053 A JPS62136053 A JP S62136053A JP 27606985 A JP27606985 A JP 27606985A JP 27606985 A JP27606985 A JP 27606985A JP S62136053 A JPS62136053 A JP S62136053A
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- JP
- Japan
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- chip
- package
- window
- resin
- transmitting
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
プラスチックＥＦＲＯＭにおいて、窓材を含む表面を樹
脂材でコーティングして紫外線透過率を向上させ、かつ
、耐湿性を向上させることを特徴とする。
脂材でコーティングして紫外線透過率を向上させ、かつ
、耐湿性を向上させることを特徴とする。
本発明は半導体装置に関するもので、更に詳しく言えば
、従来のセラミックＥＦＲＯＭ （消去・書込み可能
な読出し専用メモリ）に代り、ＥＦＲＯＭを樹脂封止す
るが、ＲＯＭの上方に紫外線を通す窓材を配置し、この
窓材の側面部に密着性従って耐湿性に優れた樹脂材をコ
ーティングした構造のＥＰＩ？ＯＭパンケージに関する
ものである。
、従来のセラミックＥＦＲＯＭ （消去・書込み可能
な読出し専用メモリ）に代り、ＥＦＲＯＭを樹脂封止す
るが、ＲＯＭの上方に紫外線を通す窓材を配置し、この
窓材の側面部に密着性従って耐湿性に優れた樹脂材をコ
ーティングした構造のＥＰＩ？ＯＭパンケージに関する
ものである。
第４図の断面図に示されるセラミック形ＥＦＲＯＭパン
ケージは知られたものであり、同図において、３１はＲ
ＯＭが形成されたＩＣチップ、３２はセラミック本体、
３３はセラミック製のキャップ、３４はキャッブ３３に
設けたガラス窓、３５はガラスシール、３６はメタライ
ズ層、３７はリードを示し、ＩＣチップ３１にガラス窓
３４を通して光３８を照射しＩＣチップ３１に形成され
たメモリを消去し、かつ、書込みをなす。
ケージは知られたものであり、同図において、３１はＲ
ＯＭが形成されたＩＣチップ、３２はセラミック本体、
３３はセラミック製のキャップ、３４はキャッブ３３に
設けたガラス窓、３５はガラスシール、３６はメタライ
ズ層、３７はリードを示し、ＩＣチップ３１にガラス窓
３４を通して光３８を照射しＩＣチップ３１に形成され
たメモリを消去し、かつ、書込みをなす。
セラミック本体３２はセラミックのグリーンシートを積
層し焼結して形成するものであり、工程数が多くコスト
が著しく高（なる問題がある。
層し焼結して形成するものであり、工程数が多くコスト
が著しく高（なる問題がある。
そこでＥ Ｐ １１０ ？’ｌのパッケージを樹脂封止
によって形成することが提案され、第５図の断面図に示
される構造のものが提案された。なお第５図において、
４１はＲＯＭが形成されたＩＣチップ、４２は封止樹脂
例えばエポキシレジン、４３はセラミック窓材、４４は
リードを示し、セラミック窓材４３を通して光４５を照
射し１７０Ｍの消去・書込みを行う。
によって形成することが提案され、第５図の断面図に示
される構造のものが提案された。なお第５図において、
４１はＲＯＭが形成されたＩＣチップ、４２は封止樹脂
例えばエポキシレジン、４３はセラミック窓材、４４は
リードを示し、セラミック窓材４３を通して光４５を照
射し１７０Ｍの消去・書込みを行う。
かかる構造においては、セラミック窓材４３と封止１ｊ
Ｊ脂（例えばエポキシレジン）４２の密着性が悪く、か
つ、両者の熱膨張係数が異なるために、セラミック窓材
４３とエポキシレジン４２の接触面に隙間ができ、そこ
から水分、湿気が入ってくる、すなわち耐湿性に劣ると
いう問題がある。
Ｊ脂（例えばエポキシレジン）４２の密着性が悪く、か
つ、両者の熱膨張係数が異なるために、セラミック窓材
４３とエポキシレジン４２の接触面に隙間ができ、そこ
から水分、湿気が入ってくる、すなわち耐湿性に劣ると
いう問題がある。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、低コ
ストでかつ耐湿性に優れたＥＦＲＯＭを提供することを
目的とする。
ストでかつ耐湿性に優れたＥＦＲＯＭを提供することを
目的とする。
第１図は本発明実施例の断面図で、同図において、１１
はＲＯＭが形成されたＩＣチップ、１２はＩＣチ・７プ
１１がグイ付けされたリードフレームのステージ、１３
はリード、１４はＩＣチップ１１の電極とリード１３と
を接続するワイヤ、１５はＩＣチンプ１１上に塗布され
た例えばシリコーン樹脂の如き紫外線を通す性質（以下
には透光性という）と弾性をもった材料の薄膜、１６は
エポキシ樹脂の如き封止用の樹脂、１７は例えばアルミ
ナの如き透光性材料で作った窓材、１８は窓材を含むパ
ッケージの表面にコーティングされたシリコーン変成ア
クリル樹脂の如き透光性被覆材である。
はＲＯＭが形成されたＩＣチップ、１２はＩＣチ・７プ
１１がグイ付けされたリードフレームのステージ、１３
はリード、１４はＩＣチップ１１の電極とリード１３と
を接続するワイヤ、１５はＩＣチンプ１１上に塗布され
た例えばシリコーン樹脂の如き紫外線を通す性質（以下
には透光性という）と弾性をもった材料の薄膜、１６は
エポキシ樹脂の如き封止用の樹脂、１７は例えばアルミ
ナの如き透光性材料で作った窓材、１８は窓材を含むパ
ッケージの表面にコーティングされたシリコーン変成ア
クリル樹脂の如き透光性被覆材である。
第１図において、ＩＣチップ１１が樹脂封止されたＥＰ
ＲＯＭパッケージが提供されるが、ＩＣチップ１１の上
部には窓材１７が配置され、この窓材１７を含むパンケ
ージの表面には透光性被覆材１８がコーティングされて
いる。
ＲＯＭパッケージが提供されるが、ＩＣチップ１１の上
部には窓材１７が配置され、この窓材１７を含むパンケ
ージの表面には透光性被覆材１８がコーティングされて
いる。
上記した構造のＥＰＲＯＭパッケージにおいて、窓材１
７を含むパッケージの表面には透光性被覆材がコーティ
ングされているので、被覆材、窓材の散乱の効果によっ
て全体として紫外線透過率が向上され、かつ、耐湿性も
向上するものである。
７を含むパッケージの表面には透光性被覆材がコーティ
ングされているので、被覆材、窓材の散乱の効果によっ
て全体として紫外線透過率が向上され、かつ、耐湿性も
向上するものである。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
再び第１図を参照すると、リードフレームのステージ１
２にグイ付けされたＲＯＭを形成したＩＣチップ１１は
例えばエポキシ樹脂１６で樹脂封止されるのであるが、
ＩＣチップを完全に樹脂封止する型の従来のプラスチッ
クタイプのパッケージとは異なり、ＩＣチップ１１の上
方にはＩＣチップの寸法とほぼ同じ大きさの断面積をも
った窓材１７が配置される。窓材１７は例えばセラミッ
クの如き透光性材料で作るが、材料はそれに限定される
ものではない。窓材１７の高さＨ２は、パッケージの上
方半部分の高さＨｌよりも小に設定し、かつ、パンケー
ジの上方半部分には、窓材１７よりも大なる拡がりの凹
部１９を設ける。そして、この凹部１８内に透光性被覆
材１８をコーティングする。かかる被覆材１８としては
例えばシリコーン変成アクリル樹脂を用いるが、材料は
それに限定されるものではない。
２にグイ付けされたＲＯＭを形成したＩＣチップ１１は
例えばエポキシ樹脂１６で樹脂封止されるのであるが、
ＩＣチップを完全に樹脂封止する型の従来のプラスチッ
クタイプのパッケージとは異なり、ＩＣチップ１１の上
方にはＩＣチップの寸法とほぼ同じ大きさの断面積をも
った窓材１７が配置される。窓材１７は例えばセラミッ
クの如き透光性材料で作るが、材料はそれに限定される
ものではない。窓材１７の高さＨ２は、パッケージの上
方半部分の高さＨｌよりも小に設定し、かつ、パンケー
ジの上方半部分には、窓材１７よりも大なる拡がりの凹
部１９を設ける。そして、この凹部１８内に透光性被覆
材１８をコーティングする。かかる被覆材１８としては
例えばシリコーン変成アクリル樹脂を用いるが、材料は
それに限定されるものではない。
窓材１７を装着し、その上を被覆材１８でコーティング
した状態は第２図の斜視図に示される。同図に示す例で
凹部１９は丸くくぼんだ盆の形状をなしているが、凹部
１９の形状はそれに限定されるものではなく、方形その
他の形状をとりうる。
した状態は第２図の斜視図に示される。同図に示す例で
凹部１９は丸くくぼんだ盆の形状をなしているが、凹部
１９の形状はそれに限定されるものではなく、方形その
他の形状をとりうる。
ＲＯＭの消去・書込みのための光は、被覆材１８、窓材
１７、薄膜１５を通ってＩＣチップ１１に照射されるが
、これら３種の材料の光散乱の相互的効果によって紫外
線の透過率が向上する。
１７、薄膜１５を通ってＩＣチップ１１に照射されるが
、これら３種の材料の光散乱の相互的効果によって紫外
線の透過率が向上する。
以上に加えて、窓材１７は被覆材１８によって外部から
遮断されているので、外部の水、湿気の侵入が防止され
、パッケージの耐湿性が向上する。
遮断されているので、外部の水、湿気の侵入が防止され
、パッケージの耐湿性が向上する。
ＩＣチップ１１の表面には、樹脂封止の際にＩＣチップ
１１を保護するための透光性薄膜１５を例えばシリコー
ン樹脂で形成する。この薄１５ｔｉ１５はＩＣチップ１
１の表面を完全に覆う如くに塗布する。
１１を保護するための透光性薄膜１５を例えばシリコー
ン樹脂で形成する。この薄１５ｔｉ１５はＩＣチップ１
１の表面を完全に覆う如くに塗布する。
第３図は透光性薄膜１５が塗布された状態を詳細に示す
断面図で、同図でｌｌａはＩＣチップのセル部分を示す
。ワイヤ１４は既にＩＣチップの電極に接着され終って
いるから、シリコーン樹脂でワイヤの接着部分を覆って
もなんら支障はない。図示の例で、ワイヤのボール状の
接着部分１４ａの高さハ５０μｍＸＩＣチップ１１の厚
さは４００〜５００μｍであり、シリコーン樹脂の厚さ
は１００〜２００μｍ程度にした。透光性薄膜１５はシ
リコーン樹脂以外の弾性をもった透光性のゲル状のレジ
ンで形成してもよい。
断面図で、同図でｌｌａはＩＣチップのセル部分を示す
。ワイヤ１４は既にＩＣチップの電極に接着され終って
いるから、シリコーン樹脂でワイヤの接着部分を覆って
もなんら支障はない。図示の例で、ワイヤのボール状の
接着部分１４ａの高さハ５０μｍＸＩＣチップ１１の厚
さは４００〜５００μｍであり、シリコーン樹脂の厚さ
は１００〜２００μｍ程度にした。透光性薄膜１５はシ
リコーン樹脂以外の弾性をもった透光性のゲル状のレジ
ンで形成してもよい。
第１図に示したパッケージは、
ＩＣチップ付け／ワイヤ付は
シリコン樹脂塗布
窓付は
モールド成形
被覆材コーティング
の工程によって作ることができる。
透光性薄膜は前記したモールド成形においてＩＣチップ
１１を保護する機能を果す。そしてモールド成形におい
ては、通常の金型を用いることが出来る。
１１を保護する機能を果す。そしてモールド成形におい
ては、通常の金型を用いることが出来る。
以上述べてきたように、本発明によれば、ＥＰＩ？ＯＭ
パッケージを従来の高価なセラミックパッケージに代え
て樹脂封止によって形成して、コストを１／２０〜１７
１０程度大幅に減少することが可能になり、しかも樹脂
封止したパッケージは優れた耐湿性をもち、かつ、紫外
線透過率を向上させる。
パッケージを従来の高価なセラミックパッケージに代え
て樹脂封止によって形成して、コストを１／２０〜１７
１０程度大幅に減少することが可能になり、しかも樹脂
封止したパッケージは優れた耐湿性をもち、かつ、紫外
線透過率を向上させる。
第１図は本発明実施りＩＩの断面図、
第２図は第１図の装置の斜視図、
第３図は第１図の装置の一部を詳細に示す断面図、
第４図は従来例の断面図、
第５図は他の従来例の断面図である。
第１図ないし第３図において、
１１はＩＣチップ、
１１ａはＩＣチップのセル部分、
１２はリードフレームのステージ、
１３はリード、
１４はワイヤ、
１’４ａはワイヤの接着部分、
１５は透光性薄膜、
１６はエポキシ樹脂（封止樹脂）、
１６ａは内壁、
１７は窓材、
１８は被覆材、
１９は凹部、
代理人 弁理士 久木元 彰
復代理人 弁理士 大 菅 義 之
本拠８Ｆ４突美（？Ｊ＊ｆｆ０ｆ！］
第１図
本娶絹災姥例料筏図
第２図
木ＩＩ！］υ習工の一却の耕押断面囚
第３図
力゛°うＸ％、３４
に肉簑棄イ列＠、ｉ７ａ口
第４図
１足米側＃ｒ面図
第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 消去・書込み可能な読出し専用メモリが形成されたＩＣ
チップ（１１）を樹脂封止してなるプラスチックタイプ
パッケージにして、 ＩＣチップ（１１）の表面には紫外線透過性の弾性ある
薄膜（１５）が設けられ、 ＩＣチップ（１１）の上方にはそれの面積とほぼ同じ面
積をもち、パッケージの上方半部分の高さ（Ｈ１）より
小なる高さ（Ｈ２）の窓材（１７）が配置され、 パッケージの上方半部分の窓材（１７）の上方部分には
窓材（１７）の面積より大なる面積の凹部（１９）が設
けられ、 凹部（１９）内に紫外線透過性の密着性をもった被覆材
（１８）がコーティングされてなることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27606985A JPS62136053A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27606985A JPS62136053A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136053A true JPS62136053A (ja) | 1987-06-19 |
Family
ID=17564368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27606985A Pending JPS62136053A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62136053A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5622873A (en) * | 1994-01-24 | 1997-04-22 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Process for manufacturing a resin molded image pick-up semiconductor chip having a window |
| WO1997026727A3 (de) * | 1996-01-16 | 1997-09-18 | Siemens Ag | Mikrochip mit einem diesen ganz oder teilweise umgebenden lichtundurchlässigen ummantelungsabschnitt |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP27606985A patent/JPS62136053A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5622873A (en) * | 1994-01-24 | 1997-04-22 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Process for manufacturing a resin molded image pick-up semiconductor chip having a window |
| WO1997026727A3 (de) * | 1996-01-16 | 1997-09-18 | Siemens Ag | Mikrochip mit einem diesen ganz oder teilweise umgebenden lichtundurchlässigen ummantelungsabschnitt |
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