JPH02150055A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH02150055A JPH02150055A JP30502088A JP30502088A JPH02150055A JP H02150055 A JPH02150055 A JP H02150055A JP 30502088 A JP30502088 A JP 30502088A JP 30502088 A JP30502088 A JP 30502088A JP H02150055 A JPH02150055 A JP H02150055A
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- Japan
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- circuit device
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- resistor
- semiconductor integrated
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電気的特性変化後に再び正常電気的特性に自
己回復が可能となる半導体集積回路装置の構造に関し、
特に、半導体集積回路装置表面に熱を発生させる為の抵
抗体を具備した半導体集積回路装置の構造に関する。
己回復が可能となる半導体集積回路装置の構造に関し、
特に、半導体集積回路装置表面に熱を発生させる為の抵
抗体を具備した半導体集積回路装置の構造に関する。
従来の技術
従来、この種の半導体集積回路装置は、システムに実装
する前にスクリーニング、初期特性の測定、信頼性試験
等を行うことによって特性保証（特性確認）を行ってい
た。しかしながら、時には半導体集積回路装置の電気的
特性が変化する渇きがあり、この場合には、この半導体
集積回路装面を新規品に交換することで対応していた。
する前にスクリーニング、初期特性の測定、信頼性試験
等を行うことによって特性保証（特性確認）を行ってい
た。しかしながら、時には半導体集積回路装置の電気的
特性が変化する渇きがあり、この場合には、この半導体
集積回路装面を新規品に交換することで対応していた。
第３図は１足来におけるこの種の半導体集積回路装置の
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
発明が解決しようとする課題
上述した従来の半導体Ｓａ回路装置は、スクリーニング
、初期電気特性の測定及び信頼性試験等て電気特性が確
認され、その後、システムに実装されている。
、初期電気特性の測定及び信頼性試験等て電気特性が確
認され、その後、システムに実装されている。
しかしながら、例えば半導体集積回路装置が回路動作中
に特性変化した場合には、この半導体集積回路装置をシ
ステムより取り除き、新規の半導体集積回路装置と交換
しなければならず、多大の工数及び時間がかかってしま
う欠点がある。
に特性変化した場合には、この半導体集積回路装置をシ
ステムより取り除き、新規の半導体集積回路装置と交換
しなければならず、多大の工数及び時間がかかってしま
う欠点がある。
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであり、
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記欠点
を解消することを可能とした新規な半導体集積回路装置
を提供することにある。
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記欠点
を解消することを可能とした新規な半導体集積回路装置
を提供することにある。
発明の従来技術に対する相違点
上述した従来の半導体集積回路装置の構造に対し、本発
明は、外部引き出し［ｗ７１部を除く領域に絶縁膜を形
成した半導体集積回路装置において、半導体素子形成領
域を被う様にこの絶縁膜上に所望の形状をした抵抗体を
形成したという相違点を有する。
明は、外部引き出し［ｗ７１部を除く領域に絶縁膜を形
成した半導体集積回路装置において、半導体素子形成領
域を被う様にこの絶縁膜上に所望の形状をした抵抗体を
形成したという相違点を有する。
課題を解決するための手段
前記目的を達成する為に、本発明に係る半導体集積回路
装置は、外部引き出し用電極部（バット部）を除いた領
域に絶縁膜を形成し、半導体素子形成領域を被う様にこ
の絶縁膜上に所望の形状をした抵抗体を形成した構造を
有している。
装置は、外部引き出し用電極部（バット部）を除いた領
域に絶縁膜を形成し、半導体素子形成領域を被う様にこ
の絶縁膜上に所望の形状をした抵抗体を形成した構造を
有している。
実施例
次に本発明をその好ましい各実施例について図面を参照
して具体的に説明する。
して具体的に説明する。
第１図（ａ） 、（ｂ）は本発明による第１の実施例を
示す縦断図面、平面図である。
示す縦断図面、平面図である。
第１図（ａ） 、（ｂ）を参照するに、外部引き出し用
土導体素子ｔＭｉ部８を除くチップ２の領域には絶縁膜
３が形成されている。チップ２の半導体素子形成領域を
被う様に、この絶縁膜３上に抵抗体４が形成されている
。そして、ボンディング・ワイヤ５等の金属線により、
チップ２の電極部８と所定の外部引き出し用リード線で
あるリード・フレーム１が配線される。同様に、ボンデ
ィング・ワイヤ９により抵抗体４に形成された電極部７
と所定の外部引き出し用リード線（リード・フレーム）
１を配線する。その後、樹脂材６により封入、もしくは
セラミック・パッケージで封入される。
土導体素子ｔＭｉ部８を除くチップ２の領域には絶縁膜
３が形成されている。チップ２の半導体素子形成領域を
被う様に、この絶縁膜３上に抵抗体４が形成されている
。そして、ボンディング・ワイヤ５等の金属線により、
チップ２の電極部８と所定の外部引き出し用リード線で
あるリード・フレーム１が配線される。同様に、ボンデ
ィング・ワイヤ９により抵抗体４に形成された電極部７
と所定の外部引き出し用リード線（リード・フレーム）
１を配線する。その後、樹脂材６により封入、もしくは
セラミック・パッケージで封入される。
ここで今、半導体集積回路装置の電気特性が例えば、可
動イオン又はある種の電荷がゲート酸化膜もしくは界面
にトラップされることにより、変化した場合には、外部
よりボンディング・ワイヤ９を経由して、抵抗体４に制
御電流を流し、所望の温度、時間で発熱するように設定
する。この結果、ゲート酸化膜中もしくは界面にトラッ
プされた電荷又は可動イオンを再び半導体基板内部に逃
がすことが可能となる。
動イオン又はある種の電荷がゲート酸化膜もしくは界面
にトラップされることにより、変化した場合には、外部
よりボンディング・ワイヤ９を経由して、抵抗体４に制
御電流を流し、所望の温度、時間で発熱するように設定
する。この結果、ゲート酸化膜中もしくは界面にトラッ
プされた電荷又は可動イオンを再び半導体基板内部に逃
がすことが可能となる。
第２図は本発明による第２の実施例を示す概略平面図で
ある。
ある。
第２図を参照するに、この第２の実施例では、チップ２
の絶縁膜３の表面上に第２図の斜線部の形状に抵抗体１
４がパターンニングされ形成されている。
の絶縁膜３の表面上に第２図の斜線部の形状に抵抗体１
４がパターンニングされ形成されている。
この第２の実施例に示すように、抵抗体１４を第２図の
形状にすることにより、低抵抗値の抵抗体１４を使って
も容易に電気的抵抗値を高めることが可能となる。その
結果、低抵抗体を使用して第１図（ｂ）の形状で形成し
た場合と同様の効果を生むことが可能となる利点がある
。
形状にすることにより、低抵抗値の抵抗体１４を使って
も容易に電気的抵抗値を高めることが可能となる。その
結果、低抵抗体を使用して第１図（ｂ）の形状で形成し
た場合と同様の効果を生むことが可能となる利点がある
。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、外部引き出し用電
極部を除いた領域に絶縁膜を形成した半導体集積回路装
置において、半導体素子形成領域を被う様にこの絶縁膜
上に所望の抵抗体を形成する。これはより、半導体集積
回路装置が例えばゲート酸化膜中に電荷もしくは可動イ
オンがトラップされる原因により電気的特性が変動、変
化した場合には、この抵抗体に外部より制御電流を流し
、半導体集積回路装置を発熱させる。この時の発熱条件
として、半導体素子の温度を例えば１５０℃〜２００℃
程度で数時間はどｔｎ持すれば、ゲート酸化ＩＩ５！中
らしくは界面にトラップされた電荷を再び半導体基板内
部に逃がすことが可能となる場合がある。従って本発明
によれば、電荷もしくは可動イオンがトラップされる現
象により、電気的特性が変化した学導Ｉ＋、集積回路装
置をシステムにより取り出し交換することなしで、電気
的特性を自己回復又は改善することが可能となる効果が
得られる。
極部を除いた領域に絶縁膜を形成した半導体集積回路装
置において、半導体素子形成領域を被う様にこの絶縁膜
上に所望の抵抗体を形成する。これはより、半導体集積
回路装置が例えばゲート酸化膜中に電荷もしくは可動イ
オンがトラップされる原因により電気的特性が変動、変
化した場合には、この抵抗体に外部より制御電流を流し
、半導体集積回路装置を発熱させる。この時の発熱条件
として、半導体素子の温度を例えば１５０℃〜２００℃
程度で数時間はどｔｎ持すれば、ゲート酸化ＩＩ５！中
らしくは界面にトラップされた電荷を再び半導体基板内
部に逃がすことが可能となる場合がある。従って本発明
によれば、電荷もしくは可動イオンがトラップされる現
象により、電気的特性が変化した学導Ｉ＋、集積回路装
置をシステムにより取り出し交換することなしで、電気
的特性を自己回復又は改善することが可能となる効果が
得られる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は、本発明に係る半導体集積
回路装置の第１の実施例を示す縦断面図概略平面図、第
２図は本発明に係る半導ｔ４ｃ集積回路装置の第２の実
施例を示す概略平面図、第３図は従来における半導体集
積回路装置の縦断面図である５゜１・・・リード・フレ
ーム、２・・・チップ、３・・・絶縁膜、４．１４・・
・抵抗体、５・・・ポンデイグ・ワイヤ、６・・・樹脂
封止材、７・・・抵抗体電極、８・・・半導体素子電極
回路装置の第１の実施例を示す縦断面図概略平面図、第
２図は本発明に係る半導ｔ４ｃ集積回路装置の第２の実
施例を示す概略平面図、第３図は従来における半導体集
積回路装置の縦断面図である５゜１・・・リード・フレ
ーム、２・・・チップ、３・・・絶縁膜、４．１４・・
・抵抗体、５・・・ポンデイグ・ワイヤ、６・・・樹脂
封止材、７・・・抵抗体電極、８・・・半導体素子電極
Claims (1)
- 半導体集積回路装置の外部引き出し用電極部を除いた領
域上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に抵抗体を形成し
たことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30502088A JPH02150055A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30502088A JPH02150055A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02150055A true JPH02150055A (ja) | 1990-06-08 |
Family
ID=17940124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30502088A Pending JPH02150055A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02150055A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0503201A3 (ja) * | 1990-12-20 | 1994-03-16 | Toshiba Kk | |
| US5633785A (en) * | 1994-12-30 | 1997-05-27 | University Of Southern California | Integrated circuit component package with integral passive component |
| US8881944B2 (en) | 2008-06-30 | 2014-11-11 | S.C. Johnson & Son, Inc. | Overcap for and a method of actuating a volatile material dispenser |
| US9511926B2 (en) | 2011-12-22 | 2016-12-06 | Conopco, Inc. | Sprayhead for a spray device |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP30502088A patent/JPH02150055A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0503201A3 (ja) * | 1990-12-20 | 1994-03-16 | Toshiba Kk | |
| US5473514A (en) * | 1990-12-20 | 1995-12-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an interconnecting circuit board |
| US5613295A (en) * | 1990-12-20 | 1997-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an interconnecting circuit board and method for manufacturing same |
| US5646830A (en) * | 1990-12-20 | 1997-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an interconnecting circuit board |
| US5715147A (en) * | 1990-12-20 | 1998-02-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an interconnecting circuit board |
| US5633785A (en) * | 1994-12-30 | 1997-05-27 | University Of Southern California | Integrated circuit component package with integral passive component |
| US8881944B2 (en) | 2008-06-30 | 2014-11-11 | S.C. Johnson & Son, Inc. | Overcap for and a method of actuating a volatile material dispenser |
| US9511926B2 (en) | 2011-12-22 | 2016-12-06 | Conopco, Inc. | Sprayhead for a spray device |
| US9714131B2 (en) | 2011-12-22 | 2017-07-25 | Conopco, Inc. | Sprayhead for a spray device |
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