JPS61138181A

JPS61138181A - 半導体搬送装置

Info

Publication number: JPS61138181A
Application number: JP59261068A
Authority: JP
Inventors: Masatoshi Mishima; 三嶋　正敏
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1984-12-11
Filing date: 1984-12-11
Publication date: 1986-06-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の技術分野］本発明は半導体搬送装置に係り、特に半導体製品の電気
的特性を測定する試験装置の測定部に被測定用の半導体
製品を搬送するための半導体搬送装置に関する。

［発明の技術的背景］一般に、半導体装置は樹脂封止され製品化された後各種
特性の試験がなされるが、例えば高圧、高周波特性を測
定する場合には、従来、第２図に示すような方法で行わ
れている。同図に於いて、１１は試験装置であり、この
試験装置１１の下面部にはソケット１２が固定されてい
る。試験装置１１の下方部には金属例えば鉄で形成され
た送りレール）３が配設されている。被測定用のＩＣ（
集積回路）１４はこの送りレール１３に沿って空気圧に
より搬送されるもので、ソケット１２の下部にくるとス
トッパ及び押え棒（図示せず）により保持されるように
なっている。送りレール１３は矢印Ａで示すように上下
に移動自在となっており、ＩＣ１４の位置決めがなされ
ると、上昇してそのリード１５をソケット１２に挿入し
、その後下降する。送りレール１３が下降すると、試験
装置１１により測定が行われる。

測定終了後、再度送りレール１３が上昇してソケツト１
２からＩＣ１４を取出し、その後送りレール１３は下降
する。

［背景技術の問題点］前述のように、従来の送りレール１３は、ＩＣ１４を測
定プる際には下降して試験装置１１から離される。これ
は、高圧あるいは高周波による測定時に於いて、金属製
の送りレール１３との間に放電現象が生じ、さらには送
りレール１３に渦電流が発生したりすること等によりノ
イズが発生し、これにより測定値に誤差が生じるので、
その影響を防止するためである。

しかしながら、このような構成では、送りレール１３を
上昇及び下降させるために、その駆動機構が必要であり
、そのため装置全体が大型化すると共に高価になり、ま
た測定全体に要する時間も長くなるという欠点があった
。

なお、従来、送りレール１３を上下移動させることなく
、レー・ル自体を開閉させ試験装置から離す機構のもの
もあるが、この場合も上記と同様の問題がある。

［発明の目的］本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的は
、半導体製品の高圧、高周波特性の測定を簡単な機構で
可能とし、安価かつ作業性の向上した試験装置を実現で
きる半導体搬送装置を提供することにある。

［発明の概要］本発明は、半導体製品の電気的特性を測定する半導体試
験装置の測定部に被測定用の半導体製品を搬送する半導
体搬送装置に於いて、前記半導体製品搬送用の金属レー
ルの前記試験装置による電気的影響の及ぶ箇所に選択的
に絶縁膜例えばセラミック層を溶射して形成するもので
ある。このような構成によれば、セラミック層により、
測定時の送りレールへの電気的影響を防止することがで
きるので、送りレールを試験装置から離すことなく高圧
、高周波特性の測定が可能となる。

［発明の実施例］以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第
１図に於いて、２１は下面部にソケット２２を備えた試
験装置である。この試験装置２１の下方部には金属例え
ば鉄により形成された送りレール２３が配設されている
。また、この送りレール２３の。

上記試験袋＠２１による測定の際に高圧、高周波の影響
の及ぶ箇所には、選択的に耐摩耗性の絶縁膜例えばセラ
ミック層２４が溶射により形成されている。その他の構
成は、第１図と同様であり、空気圧により搬送されてき
たＩＣ２５はストッパ及び押え棒（図示せず）により位
置決めされるようになっている。

すなわち、上記装置にあっては、ＩＣ２５が位置決めさ
れると、送りレール２３が矢印Ｂに示すように上昇して
ＩＣ２５のリード２６をソケット２２に挿入する。続い
て、そのままの状態で試験装置２１により測定が行われ
る。しかして、この測定の際、送りレール２３にはセラ
ミック層２４が形成されているため、高圧、高周波測定
により放電現象が生じたり、渦電流が発生してノイズが
発生するようなことはなく、安定した測定を行なうこと
ができる。

測定が終了すると、送りレール２３が元の位置まで下降
し、その後ＩＣ２５を開放して矢印Ｃで示すように送り
出す。

このように本発明にあっては、送りレール２３を上昇さ
せた状態で、ＩＣ２５の高圧、高周波特性の測定が可能
であるので、送りレール２３の上下移動は一往復でよい
。従って、従来機構に比べて余分な動作が不要であり、
このため上下駆動機構の構造が簡単になる。また、セラ
ミック層２４は耐摩耗性に優れているために、送りレー
ル２３の寿命が長くなり、たとえセラミック層２４が欠
けても再生が容易である。

尚、上記実施例に於いては、上下駆動させる構造の送り
レール２３について説明したが、測定時開閉駆動させる
構造の送りレールについても本発明を適用できることは
勿論である。

［発明の効果コ以上のように本発明によれば、送りレールを試験装置か
ら離すことなく半導体製品の高圧、高周波特性を測定す
ることができるので、送りレールの駆動機構が簡単にな
り、このため安価な試験装置を実現できると共に、測定
全体に要する時間を短縮でき、作業性が大幅に向上する
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る半導体試験装置全体の
構成を示す側面図、第２図は従来の半導体試験装置全体
の構成を示す側面図である。２１・・・試験装置、２２・・・ソケット、２３・・・
送りレール、２４・・ヘセラミック層、２５・・・ＩＣ
。出願人代理人　弁理士　鈴　江　武　彦第　１　図２５　　　　　　　ｃ第２図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体製品の電気的特性を測定する半導体試験装
置の測定位置に被測定用の半導体製品を搬送する半導体
搬送装置に於いて、前記半導体製品搬送用の金属レール
と、前記半導体製品を前記金属レールに沿つて搬送させ
前記測定位置に位置決めする位置決め手段とを具備し、
前記金属レールの前記試験装置による電気的影響の及ぶ
箇所に選択的に耐摩耗性の絶縁膜を形成したことを特徴
とする半導体搬送装置。
（２）前記絶縁膜はセラミックを溶射して形成してなる
特許請求の範囲第１項記載の半導体搬送装置。