JPS61169415A

JPS61169415A - 電子部品移送シユ−ト

Info

Publication number: JPS61169415A
Application number: JP878685A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Ichikawa; 浩市川
Original assignee: Toshiba Seiki Co Ltd
Current assignee: Toshiba Mechatronics Co Ltd
Priority date: 1985-01-21
Filing date: 1985-01-21
Publication date: 1986-07-31

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の技術分野］本発明は電子部品をシュート上にて滑走させて移送する
ようにした移送シュートに関する。

［発明の技術的背景〕例えばデュアルインラインパッケージ（ＤＩＰ）型ＩＣ
等の双脚型電子部品の製造工程においては、その部品を
１つの処理位置から次の処理位置に移送する場合、電子
部品をシュート上で滑走させることにより移送するとい
うことが行なわれる。

ところで移送シュートは電子部品の滑走に対し耐摩耗性
を有するものが適当とされる。これはシュート上を滑走
する電子部品の本体部は、型離れ性を向上させるため砂
を含んだ樹脂材で形成され、仮にシュートを耐摩耗性を
有しない材料で形成した場合、砂を含んだ樹脂材により
シュートの特に滑走面に傷を発生させ、Ｎ子部品に所定
の滑走状態が得られなくなる可能性があるためである。

このため従来のシュートは鋼等の硬質金属材料が使用さ
れていた。

［背景技術の問題点］しかしながら、シュートを鋼等の８質金属材わ１で形成
しても、滑走するＩＣにより徐々にその滑走面に傷が付
き、摩耗に関してみても充分なものが得られなかった。

またこの硬質金属材料は導電性を有し、絶縁性はない。

このため、この５！！質金属材料で形成されたシュート
上の電子部品のビン端子に例えばコンタクトビンを接触
させてその特性を測定するような場合、後述するように
、シュートを形成している電子部品の本体下面を案内す
るガイドレール幅をできる限り小さくしなければならな
かった。これはシュートが導電性材料で形成されている
ために、ガイドレール幅を広くすると、測定時に電子部
品のビン端子がガイドレールに接触してしまい、正確な
測定が阻害されるためである。また仮にビン端子がガイ
ドレールに接触しない場合でも、ビン端子とガイドレー
ルが近接しているために余分なコンダクタンスが発生さ
れ、この点でも正確な測定ができないためである。従っ
てこれを避けるためにガイドレール幅を狭くすると、電
子部品を案内するガイドレールとしての機能が低下し、
移送中に電子部品が傾き、つまり現象を生じる原因とな
っていた。

［発明の目的］本発明は上記欠点を取り除くために成されたもので、耐
摩耗性を有するとともに、このシュートを特に電子部品
の特性測定部に用いれば、電子部品がシュート上を確実
に滑走することのできる移送シュートを提供することを
特徴とする。

［発明の概要］上記目的を達成するために、本発明は電子部品の移送シ
ュートにおいて、前記移送シュートをセラミック等の非
導電性材料から形成したことを特徴とするものである。

［発明の実施例］本発明の移送シュートをハンドラと一般に称せられる特
性測定装置、特に高温特性測定装置に適用した例につい
て以下説明する。第１図において、特性測定装置は、大
きく分けて搬入部Ａ、測定部Ｂ、搬出部Ｃから成り立っ
ていて、全体的にある一定角度傾斜している。搬入部Ａ
、搬出部Ｃはそれぞれ搬入シュート１、搬出シュート２
が配置されている。搬入シュート１、搬出シュート２の
断面は同一形状なので今搬入シュート１について説明す
る。このシュートは第１図におけるＩ−ｎ断面図を第２
図に示すように、上部ガイドレール３と下部ガイドレー
ル４により構成される。上部ガイドレール３、下部ガイ
ドレール４は共に非導電性材料、例えばセラミック材料
により形成されていて、上部ガイドレール３は電子部品
であるＤＩＰ型ＩＣ５の本体５の上面を案内するもので
あり、一方下部ガイドレール４はＩＣ５の本体６の下面
を案内するものであり、１０５はその本体６の下面を下
部ガイドレール４上に接触させ、ＩＣ５の本体６の両側
から突出するビン端子７をまたがらせる状態にてその自
重により下方へと滑走するものである。なお搬入部Ａの
上部には第３図に示すようなＩＣ５を充填されたマガジ
ン８が装填され、搬出部Ｃの下部には測定部Ｂにて測定
の終了したＩＣ５が分類されて収納される適宜数の空マ
ガジン９が装填される。

測定部Ｂには、測定シュート１０が搬入シュート１、搬
出シュート２に対して一直線状になるように配置され、
この測定シュート１０も第２図とその断面形状を同じに
し、かつセラミック材料などの非導電性材料で形成され
ているとともに、この測定シュート１０の途中には、適
宜間隔を有して第１のシリンダ１１、第２のシリンダ１
２、第３のシリンダ１３が設けられ、各シリンダはそれ
ぞれ同期して作動される。またこれらシリンダ１１．１
２．１３の各ピストンロッド１１ａ、１２ａ、１３ａが
上部ガイドレール３と下部ガイドレール４間に突出可能
なように、上部ガイドレール３の各シリンダ１１．１２
．１３との対向位置には貫通孔１４．１５．１６がそれ
ぞれ設けられている。第１のシリンダ１１のピストンロ
ッド１１ａは、その突出によりピストンロッド１１ａの
先端をＩＣ５の本体６に押し付け、そのＩＣ５の落下を
防いでいる。第２のシリンダ１２のピストンロッド１２
ａは、その突出により一連のＩＣ５の落下を防いでいる
。第３のシリンダ１３のピストンロッド１３ａは、その
突出により測定されるＩＣ５の落下を防いでいる。１７
は特性測定装置で、測定されるＩＣ５のビン端子７との
電気的接触を得ることのできる複数のコンタクトビン１
８が設けられる。この部分の断面を後述する第５図を借
りて説明する。コンタクトピン１８は［０５を中心５に
左右に複数個設けられる。各コンタクトピン１８の一端
は絶縁部材１９で支持されて、他端にてＩＣ５のビン端
子７への接触部２０を形成し、各コンタクトピン１８は
シリンダ２１の作動によりそのピストンロッド２１ａが
コンタクトピン１８の接触部２０をＩＣ５のビン端子７
に向って移動、接触させられ、ＩＣ５の特性がビン端子
７を介して測定されるものである。また第１図、第２図
、第５図において２２はヒーターで、搬入シュート１の
下部ガイドレール４内と、測定シュート１０における、
搬入シュート１との接続部から特性測定装置１７の位置
する部分にかけての下部ガイドレール４内に埋設されて
いる。

次にＩＣ５の特性を測定する場合の作動について説明す
る。まず搬入部Ａの上部に第３図に示されたマガジン８
を装填する。マガジン８内のＩＣ５はその自重によりマ
ガジン８から搬入部Ａに設けられている搬入シュート１
に乗り移り、さらにこの搬入シュート１から測定シュー
ト１０に乗り移る。この状態の時には第１のシリンダ１
１のピストンロッド１１ａは非突出状態、第２のシリン
ダ１２のピストンロッド１２ａは突出状態とされており
、マガジン８から自重で搬入シュート１、測定シュート
１０上を滑走してきた一連のＩＣ５は第２のシリンダ１
２のピストンロッド１２ａにてその滑走を妨げられ、こ
の位置で停止する。次に第１のシリンダ１１が作動され
、そのピストンロッド１１ａが突出状態となるために、
第２のシリンダ１２のピストンロッド１２ａでその滑走
が妨げられたＩＣ５の下から２番目に位置するＩＣ５の
本体６を測定シュー１０とにおける下部ガイドレール４
に対して押圧する。この状態から第２のシリンダ１２の
ピストンロッド１２ａが非突出状態とされることにより
、１個のＩＣ５だけが測定シュート１０上をさらに下方
に滑走する。この時第３のシリンダ１３のピストンロッ
ド１３ａは突出状態となっており、滑走した１個のＩＣ
５はこのピストンロッド１３ａで再度その滑走を停止さ
せられる。なおマガジン８からこの位置まで滑走してき
たＩＣ５は下部ガイドレール４内に埋設されたヒーター
２２により高温測定に適した温度に昇温させられている
。さてこの時点でシリンダ２１が作動され、そのピスト
ンロッド２１ａがコンタクトピン１８の接触部２０をＩ
Ｃ５のピン端子７方向に移動、接触させ、この位置に達
したＩＣ５の特性が測定される。測定が終了すると、シ
リンダ２１のピストンロッド２１ａが非突出状態とされ
、ＩＣ５のビン端子７とコンタクトビン１８との接触状
態が解除され、第３のシリンダ１３のピストンロッド１
３ａが非突出状態とされ、測定の終了したＩＣ５は測定
シュート１０をさらに下方に滑走し、搬出シュート２に
乗り移り最終的に測定された結果に応じて所定の分類マ
ガジン９内に収納される。

上記実施例においては、搬入シュート１、測定シュート
１０．Ｍ出シ、ニート２をすべてセラミック材料から形
成したものである。従って上記説明したシュートによれ
ば、シュート１．１０．２上を滑走するＩＣ５による摩
耗度を著しく減少させることができるという大きな特徴
がある。またこれに加えて特に搬入シュート１、測定シ
ュート１０をセラミック材料から形成したため、ヒータ
ー２２による耐熱性にもすぐれるとともに、ヒーターか
らの熱伝導も極めて良好で、そのため温度分布が一定と
なるため、測定位置に達したＩＣ５を常に均一に昇温さ
せることが可能となり、正確な高温測定を行なうことが
できる。さらにこの場合測定シュート１０における下部
ガイドレール４の幅を大きくとることができ、ＩＣ５の
滑走を確実に案内することができる。この点についても
う少し説明する。測定シュート１０を、鋼等の硬質金属
材料を用いた従来の例を第４図、セラミック材料等の非
Ｓ電性材料を用いた本発明の例を第５図にそれぞれ示す
。なお第４図において、第５図に相当する部分には第５
図と同一符号を付しかつその符号にダッシュを付けて示
す。第４図にＪ′３いては測定シュート１０′が導電性
材料であるために先に示した理由等により上部ガイドレ
ール３−１上部ガイドレール４′の幅を極力狭くシ、測
定時ピン端子７が下部ガイドレール４′に接触、あるい
は上部、下部ガイドレール３−．４＝からの余分なコン
ダクタンスの影響を阻止しなければならない。従って特
に下部ガイドレール４′の幅が狭くなれば、この下部ガ
イドレール４′によるＩＣ５の本体６下面における案内
部分が少なくなり、下部ガイドレール４′上を滑走する
状態が非常に不安定にならざろを冑ず、ＩＣ５の滑走時
傾いてつまり現象を引き起す原因となってしまっていた
。

ところが本発明のようにセラミック材料から測定シュー
ト１０を形成すればシュート１０自体が非導電性材料で
あるために、第５図に示すように下部ガイドレール４の
幅をＩＣ５の本体６の幅一杯に形成することができ、従
ってＩＣ５がその自重により測定シュート１０上を滑走
する場合でも極めて確実に案内することが可能どなるわ
けである。

なおこの効果を冑るためには、第１図において測定シュ
ート１０における特性測定装置１７に対向する部分の測
定シュート１０のみをセラミック材料で形成すればよい
。

［発明の効果］本発明は電子部品のシュートをセラミック等の非導電性
材料から形成したことを特徴とするために、シュート上
を滑走する電子部品による摩耗を極力おさえることで可
能となる。また本発明を電子部品の特性測定部に用いれ
ば、電子部品がシュート上を確実に滑走することのでき
るシュートを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を高温特性測定装置に適用した例を示す
一部断面正面図、第２図は第１図におけるＩ−１［断面
図、第３図はマガジンの斜視図、第４図は従来の測定部
における測定シュートの断面正面図、第５図は本発明を
適用した測定部における測定シュートの断面正面図を各
々示す。１・・・搬入シュート、２・・・搬出シュート、３・・
・上部ガイドレール、４・・・下部ガイ１−レール、５
・・・ＩＣ，６・・・本体、７・・・ビン端子、８．９
・・・マガジン、１０・・・測定シュート、１７・・・
高温特性測定装置、２２・・・ヒーター、Ａ・・・搬入
部、Ｂ・・・測定部、Ｃ・・搬出部。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）電子部品の移送シュートにおいて、前記移送シュ
ートをセラミック等の非導電性材料から形成したことを
特徴とする電子部品移送シュート。