JPS5842639B2 - セラミツク配線基板の製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はセラ□ツク配線基板の製造法に関するもので、
主としてＩＣ（集積回路装置）を封止するセラミックパ
ッケージの製造を対象とするものである。

セラミックパッケージの製造に釦いて、セラミックの高
温焼成工程後に、半導体ペレット、外部リード線及び封
止用キャップを取付けるためのメッキ処理が成され、そ
のメタライズ配線層表面にＮ １２Ａｕメツキ被膜が形
成される。

配線層へのメッキ処理の方法としては、従来より電気メ
ッキによる方法と無電解メッキによる方法があるが、後
者の無電解メッキ法による方法では配線層にのみに選択
的に施すことが面倒で、かつ困難であることから、電気
メッキによる方法が一般に採用される。

ところで、電気メツキ法による場合、配線が夫夫独立し
ているとこれらに同時にメッキを施すことができないの
で、セラミック基板の余白部分を利用して配線相互間を
接続する構造にしている。

そして、焼成後、導通個所の一部をメッキ用電極として
配線層にメッキを施している。

。その後、不要な導通配線層（補助配線層）の
部分を切断し、セラ□ツク配線基板を個々の小基板に分
離する境界線に沿って分離溝を形成し、然る後、該溝に
沿って切断し所定の七う□ツクパッケージを作る。

しかしながら、焼成後のセラミック基板は硬質でこの基
板に正確でしかも深い分離溝を形成することは困難であ
る。

そのために、その後に行なう切断分離の確実性が悪く不
良品が多量に出ることになった。

また、分離溝の形成にはダイヤモンドカッターを使用す
るが、焼成後のセラミック基板は前述したように硬質で
あるため、カッター摩耗が激しくカッターの交換頻度が
高くなり、その結果セラミック配線基板の製造単価が高
価になる問題があった。

上記の対策として、焼成前の未焼成セラミツク配線基板
の状態で分離溝を形成することが考えられるが、この分
離溝の形成の際にその部分にあるメッキ用導通配線層が
同時に切断されてしまうので、その後に配線層にメッキ
を施すことができない○ したがって、従来に釦いては、焼成及びメッキ処理後、
セラミック配線基板に分離溝を形成しなければならず、
上記問題をさけることができなかったＯ 本発明は上記した困難な問題を解決するためになされた
もので、その目的は、焼成前のセラミック配線基板にあ
らかじめ分離溝を形成してもメッキ用導通配線層が切断
されないようにして配線層に電気メツキ法によりメッキ
を施せるようにし、もって、セラミック基板の切断を容
易ならしめ、かつ確実にできるようにするとともに安価
なセラミック配線基板を提供することにある。

本発明の要旨は、未焼成セラ□ツク大形基板主面に単位
配線層パターンをくりかえし複数形成するとともに、上
記単位配線層パターン毎に上記大形基板を個別基板に分
離すべき境界線が横切る各配線層に対し、上記境界線上
に位置するようにスルーホール導体層を配設し、前記ス
ルーホール導体層より幅の細い分離溝を形成した後、上
記大形基板を焼成し、しかる後、上記スルーホール導体
層の一部を電極の通路として利用した電気メツキ法によ
り上記各配線層にメッキを施し、然る後、上記分離溝に
沿って上記大形基板を個別基板に切断することにある。

以下本発明の一実施例を図面を参照しながら具体的に説
明する。

（１） 打抜き切断により未焼成セラミツクシートを
所定形状に打抜いて、大寸法の未焼成セラミック基板（
上層、中層、下層）Ｌ２，３を形成し、それぞれ各基板
表面に所定のパターンの配線層（導体層）４，５，６を
形成するとともにスルーホール部にもスルーホール導体
層７を形成する。

同時に積層するときの上層板１の上面及び下層板３の下
面のそれぞれの余白部にそれぞれ独立した配線層（導体
層）４及び６を相互に接続する補助配線層８及び９を形
成する。

そして、３層の未焼成セラミック板１，２，３を積層し
第１図に示すような大きな未焼成セラミツク配線基板を
形成する。

なむ、上記スルーホール導体層７は一方でセラミック板
２上面に形成された配線層５とセラミック板３下面に形
成された配線層６と接続し、゛他方、各基板毎に分離す
るＸ方向及びＹ方向の境界線Ｘ線及びＹ線に沿って配設
されている。

（２）次に積層した未焼成セラミツク配線基板の下面に
、各基板毎に分離する境界線Ｘ線及びＹ線に沿って第２
図に示すように基板の厚さの約１／１０の深さの分離溝
１０を形成する。

この分離溝１０はホットプレスにより一体化して未焼成
セラミツク配線基板を形成するとき同時に形成するよう
にしてもよい。

分離溝１０は同時に各スルーホール導体層７の中央を通
るようになる。

なむ、この分離溝１０の形成によって各配線層を相互接
続している補助配線層９が切断されることはない。

（３）次に上記大形未焼成配線基板を１１００℃〜１２
００℃で焼成し焼成セラミック配線基板にする。

その後者配線層４及び６を相互接続する補助配線層８及
び９をそれぞれ電気メツキ用−電極として基板上に露出
する配線層４，５，６上面にＮｉ又はＡｕメッキを施す
。

然る後、焼威犬形セラミック配線基板を上記分離溝１０
に沿って切断し、第３図に示すようなセラミックパッケ
ージを得る。

以上実施例で説明したような本発明によれば下記の理由
から上記目的が遠戚できる。

すなわち、本発明によれば、未焼成セラミック配線基板
の状態で各セラミック基板毎に分離する分離溝を形成し
ても、この分離溝をスルーホール導体層上に形成するた
め、このスルーホール導体層内部で接続してむり、配線
相互間を接続しているメッキ用補助配線層が切断される
ことがない。

したがって、その後め焼成し、配線の二端を電極とし電
気メツキ法により、配線層上にメッキを施すことができ
る。

また、未焼成セラミツク基板の状態のときに形成した深
い分離溝を基線として、焼成後者セラミック配線基板に
切断することから、切断を容易ならしめ、かつ確実に切
断できる。

さらに本発明によれば、分離溝を未焼成セラミック基板
に形成しておくから、ダイヤモンドカッターを使う必要
がなく、かつカッターの消耗がない。

したがって、安価なセラミック配線基板を提供すること
ができる。

本発明は上記実施例に限定されず、これ以外に下記の形
態で実施できるものである。

上記実施例においては、上下層間の二つの配線層を相互
接続するスルーホール導体層に、各セラミック配線基板
に分離する分離溝を形成したが、上下層間暫４相互接続
するスルーホール導体層とは別に、各配線層を相：亙接
続する補助配線層の切断を防接するためにス１ノ←二ホ
ール導体層を設け、このスルーホ−ル導体層に分離溝を
形成するようにしてもよい。

、、。また、未焼成セラミツク配線基
板に形成する分離溝は基板の両面にそれぞれ形感するよ
うにしてもよい。

この場合、分離溝の形 によって各配線層を相互接続し
ているメッキ用 助配線層が切断されないような配線パ
ターンに る。

本発明は一般に、パッケージ以外に単なるセラミック配
線基板を形成する場合べも利用できるも□ のであり、多層セラミック配線基板に限らず、単層セラ
ミック配線基板の製造に利用できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明製造工程の未焼成セラミック配線基板を
示し、ａは平面図、ｂはＡ −Ａ断面図、Ｃは下面図、
第２図は本発明製造工程の分離溝形成した状態を示す断
面拡大図、第３図は本発明により得られたセラミック配
線基板を示すもので、ａ平面図、ｂは断面図、Ｃは下面
図を示すものである０ １．２，３・・・・・・セラミック板、４，５，６・・
・・・・配線層、７・・・・・・スルーホール導体層、
８，９・・・・・・補助配線層、１０・・・・・・分離
溝。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 未焼成セラミツク大形基板主面に単位配線層ご〈タ
   ーンをくりかえし複数形成するとともに、上記単位配線
   層パターン毎に上記大形基板を個別基板に分離すべき境
   界線ｐ二横切る各配線層に対し、上記境界線上に位置す
   るようにスルーホール導体層を配設し、前記スルーホー
   ル導体層を通る境界線上に沿って土即スルーホーノ、し
   導体層より幅の細い分離溝を形成した後、上記大形基板
   を焼成し１、しかる後、上記スルーホール導体層の一部
   を電極の通路として利用した電気メツキ法により上記分
   離溝によって２公事れる上記各配線層にメッキを施し、
   然る後、上記分離溝に沿って上記大形基板を個別基板に
   切断することを特徴とするセラミック配線基板の製造法
   。