JPS58144824A - フォトレジスト製品 - Google Patents

フォトレジスト製品

Info

Publication number
JPS58144824A
JPS58144824A JP57207462A JP20746282A JPS58144824A JP S58144824 A JPS58144824 A JP S58144824A JP 57207462 A JP57207462 A JP 57207462A JP 20746282 A JP20746282 A JP 20746282A JP S58144824 A JPS58144824 A JP S58144824A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
monomer
addition polymerization
compound
layer
photopolymerizable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP57207462A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0136924B2 (ja
Inventor
マイケル・ニコラス・ギラノ
メルビン・アラン・リプソン
リチヤ−ド・エドマンド・ビユ−プレ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dynachem Corp
Original Assignee
Dynachem Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dynachem Corp filed Critical Dynachem Corp
Publication of JPS58144824A publication Critical patent/JPS58144824A/ja
Publication of JPH0136924B2 publication Critical patent/JPH0136924B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0076Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the composition of the mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/12Using specific substances
    • H05K2203/122Organic non-polymeric compounds, e.g. oil, wax, thiol
    • H05K2203/124Heterocyclic organic compounds, e.g. azole, furan
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061Etching masks
    • H05K3/064Photoresists
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/389Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a coupling agent, e.g. silane

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規かつ改良された光重合可能な組成物に、お
よび該組成物の製造法および該組成物の利用に関するも
のである。どくに、本発明はアルカリ性水溶液によって
容易に現像され【印刷板および光抵抗体として有用な生
成物を生成しうる感光性組成物を教示する。該組成物は
それから作られた抵抗体が慣用のめつき溶液忙不透過性
であるから印刷回路の製造にとくに有用である。
慣用の有機溶剤を必要とせずに、現像し5る感光性組成
物を形成する望みが長らく認められた。
有機溶剤は高価で、毒性および可燃性の点で危険で、そ
し【空気および水を汚す。
該水性系の有利性は米国特許第2,760,863号(
1956年)K記されたが、この特殊な組成物は記載さ
れなかったしそして満足すべき組成物を見出しえない点
が推測されつる。該水溶性組成物の他の文献は米国特許
第2,927,022号および米国特許第2,893,
868号に提示される、該特許に開示せる組成物の利点
がいずれである忙しろ、水性アルカリ溶液で現像されつ
る程度に、該組成物が、光抵抗体が印刷回路に用いられ
た場合に、曝露部分く充分に不溶でないかあるいは慣用
のめつきかつ腐蝕溶液により攻撃をうけたようである。
本発明に従って、水性アルカリ溶液で現像されうる光重
合可能な組成物を製造し5ることがいまや分った。さら
に、該組成物の露出部分が印刷回路および化学的に仕上
げた部品の成形に際ししばしば遭遇せ、る、アルカリ性
腐蝕剤およびアルカリ性めっき溶液を含むアルカリ性溶
液に対して著しい抵抗性を有する。− 規約に1本発明の有利性は(1)スチレン型材料または
非酸性ビニル単量体および、(2)不飽和カルボキシル
含有単量体の共重合体である予備形成せる。
相溶性の巨大分子重合体結合剤を選択することによりえ
られる。ここに定義の組成物を用いると有機溶剤の必要
性を完全に減少しそして高度に溶剤抵抗性の抵抗体を提
供する。
本発明の光重合可能な組成物は(1)慣用の附加重合可
能な非ガス状のエチレン式不飽和化合物。
10ないし60重量部、(2)上記結合剤4oないし9
0重量部、(3)慣用の遊離基発生性附加重合開始剤、
 0.001ないし10重量部および(4)慣用の熱附
加重合禁止剤0.001ないし5重量部から構成される
。さらに1組成物は適当な染料および顔料および他の添
加剤、たとえば、光重合可能な組成物の物理的および化
学的性質を向上するのに必要であろう、可塑剤および接
着促進剤を含有しうる。
エチレン式不飽和化合物は大気圧下で100℃以上の沸
点を有し、少なくとも2個の末端エチレン性基(C!H
,W cり)を含有しそして遊離基光開始の鎖伝播の附
加重合によって高重合体を形成しうるものでなければな
らない。該化合物は米国特許第2,760,863号に
開示される。
好適には、化合物は20℃でかつ大気圧で非ずス状であ
り、2ないし4個またはそれ以上、好ましくは2個また
はそれ以上の末端エチレン性基を有し、モして熱可塑性
重合体結合剤に可塑化作用を与える。単独でまたは組合
わせ【用い5る適当な化合物は2ないし15個の炭素原
子を有するアルキレングリコールまたは1ないし10個
のエーテル結合のポリアルキレンエーテルグリコールか
ら製造されたアルキレンまたはポリアルキレングリコー
ルジアクリレートを含む。
一般に曝露時に、恐らくは網目状の重合体構造を比較的
に迅速に形成するととによってより迅速に不溶化するが
故に、著しい級の低分子量附加重合可能な成分は、とく
に末端結合として存在するどきに複数個の附加重合可能
なエチレン結合を有するもの、およびとくに少なくとも
1個の、好ましくは大抵の該結合が酸素、窒素、および
硫黄の如き複素原子におよび炭素に対して二重結合せる
炭素を含む二重結合の炭素と共役しているものである。
エチレン式不飽和基、と(Kビニリデン基。
カニステルまたはアミド構造と共役している該材料が著
しい。下記の特殊な化合物はこの級の他の例である:ポ
リオールの不飽和エステル、ト<K71’F−レンカル
ボン酸のエステル、たとえばエチレンジアクリレート;
ジエチレングリコールジアクリレート;グリセロールジ
アクリレート;グリセロールトリアセテート;エチレン
ジメタクリレ−);1,3−ゾロ−レンジメタクリレー
ト;1゜2.4−ブタントリオールトリメタクリレート
;1.4−ベンゼン−ジオールジメタクリレート;ペン
タエリスリトールテトラメタクリレート;1゜3−プロ
パンジオールジアクリレート;1.5−ペンタン−ジオ
ールジメタクリレート;分子量200〜500のぼりエ
チレングリコールのビスアクリレートおよびメタクリレ
ート;不飽和アミド;と(Kメチレンカルざン酸のアミ
ド、およびと(にα、ω−ジアミン、および酸素−中断
のω−ジアミン、たとえばメチレンビスアクリルアミド
;メチレンビス−メタクリルアミド;1,6−へキサメ
チレンビスアクリルアミド;ジエチレントリアミントリ
ス−メタクリルアミド;ビス(メタクリルアミドシロキ
シ)エタン;B−メタクリルアミドエチルメタクリレー
ト; N−(B−ヒドロキシエチル)−オキシエチル)
アクリルアミド;ビニルエステルたとえば、ジぜニルこ
はく酸エステル、ジビニルアジペート、ジビニルフタレ
ート、ジビニルテレフタレート、ジーニルベンゼン−1
゜3−ジスルホネート、およびジビニルブタン−1゜4
−ジスルホネート;そしてソルビアルデヒド(ヘキサン
ジェナール)の如き不飽和アルヂヒP。
好ましい単量体性化合物は二官能性または多官能性であ
るが、単官能性単量体をまた用いうるう単量体の添加量
は特定の熱可履性重合体によって変化する。
重合体結合剤のスチレン産構成分は一般式=(Rは水素
または1ないし6個の炭素原子を有するアルキル基また
はハロゲン基である)を有し5る。ベンゼン環は1ない
し5個の他の官能基、たとえばニトロ1.、アルコキシ
、アシル、カルボキシル、スルホ、ヒドロキシルまたは
ハロゲン基テ環置換されつる。好ましくは、置換基はメ
チルまたはt−ブチル基の如き単独のアルキル基である
核化合物のうちスチレン、α−メチルスチレン、P−メ
チルスチレンおよびp−1−ブチルスチレンがもつとも
好ましい。
重合体結合剤中の非酸性ビニル単量体は一般式:%式% (ただし、Xが水素のとき忙、Yは0OCR1,0R1
、OCRl、(! OOR1、CH、CH2= ’HQ
 s 一式3R4またClであり、Xがメチルのときに
、Yは(’!OORよ。
([、CM寓=CH窃、またはpえ、8 であり;そし
 4 てXが塩素のときに、YはCIであり;そしてR。
は1ないし12個の炭素原子を有するアルキル基または
ベンジル基でありそしてR5およびR4は同一または異
種であり、そして水素、1ないし12個の炭素原子を有
するアルキル基、またはベンジル基から選択される)を
有する。
該ビニル単量体の例は酢酸ビニル、酪酸Cニル、安息香
酸げエル、塩化Cエル、塩化ビニリデン。
メチルメタクリレートおよびメチルアクリレート。
アクリロニトリルおよびメタクリレートリル、メタクリ
ルアミド、およびアルキル置換アクリルアミド、ビニル
メチルケトン、−エルゾロビルケトン、−エルメチルエ
ーテル、−二ルーエチルエーテルおよびビニルヘキシル
エーテルである。
第2の共単量体は3ないし15個の好ましくは3ないし
6個の炭素原子を有する1種またはそれ以上の不飽和カ
ルボキシル含有単量体である。もつと好ましい化合物は
アクリル酸およびメタクリル酸である。用いうる他の酸
はけい皮酸、クロトン酸、ソルビン酸、イタコン酸、ゾ
ロ−オル酸、マレイン酸およびフマル酸、または相当す
る半エステル、または可能なら、相当する無水物である
スチレンまたはビニル成分対酸共単量体の比は共重合体
が水性アルカリ性媒体に可溶であるよう忙選択される。
もしスチレンまたは一声ル単量体の量が余、に大き;、
ならば、非露ヵ部2分1.1充分ヤ可溶性でないが、一
方には、もしスチレンまたは♂ニル単量体の量が余りに
低いならば、露出部分は粘稠で、水性アルカリ性溶液に
膨潤または溶解する。有利な基準として、結合剤共重合
体はケトンまたはアルコール中4096溶液が100な
いし50.000センチポイズの粘度を有する如きもの
であるべきである。
代表的な共単量体の比はスチレン−アクリル酸またはメ
タクリル酸、K対しセフ0 : 30ないしs5:15
であt);スチレン−モツプチルマレニー)K対して3
5:65ないし70 : 30でありおよび酢1!ビニ
ルークロトン酸に対して70:30ないし95:5であ
る。結合剤の重合度は結合剤が露出かつ現儂後に非粘稠
の連続フィルムを形成する如きものである。広義には1
分子量は1.000ないし500.000である。共重
合体の比の範囲および特定の結合剤の重合度は代表的な
重合体の稀ブルカり性溶液中の溶解性を試験することに
より容易に確堅されうる。これは約1.000ないしs
 o o、o o oの分子量を表わす。
関められるよ“5に、本発明の実施からえられた抵抗体
は通常のめつきおよび腐蝕溶液に抵抗性を示す。パター
ンのめつき(Plating ) K用いられそしてき
わめて高いアルカリ性を含有する銅ぜロホスフエートに
対する抵抗性はもつとも驚くべきものである。抵抗体に
影響を与えない他の溶液は塩化第二鉄、過硫酸アンモニ
ウムおよびクロム酸−硫酸を含む。
組成物に用いる光開始剤は好ましくは活性光によって活
性可能でありおよび185℃またはそれ以・下で熱的に
不活性であるものである。該化合物は置換または非置換
の多核キノン、9,10−アントラキノン;1−クロロ
アントラキノン;2−クロロアントラキノン;2−メチ
ルアントラキノン;2−エチルアントラキノン;2−t
エチルアントラキノン;オクタメチルアントラキノン;
114−ナフトキノン;9,10−フェナンスレン−キ
ノン;1,2−ベンズアントラキノン:2,3−ベンズ
アントラキノン;2−メチル−1,4−ナフトキノン;
2,3−ジクロロナフトキノン;1゜4−ジメチルアン
トラキノンS2.’3−ジメチルアントラキノン;2−
フェニルアントラキノン;2.3−ジフェニルアントラ
キノン;、アントラキノンα−スルホン酸のナトリウム
塩;3−クロロ−2−メチルアントラキノン;レチンキ
ノン;7゜8.9.10−テトラヒドロナフトアセンキ
ノン;1.2,3.4−テトラヒドロベンズアンスラセ
ン−7,12−ジオンな含む。
米国特許第2,760,8.65号に記載の下記の光開
始剤(それらは85℃糧度に低い温度で熱的に活性であ
りうる)がまた有用であるニジアセチルおよびベンジル
の如き隣接ケトアルドニル化合物;ペンゾイレおよびぎ
パロインの如きα−ケトアルドニルアルコール;アシロ
インエーテルたとえば。
ペンディンメチルおよびエチルエーテル;およびα−メ
チルペンディンの如きα−炭化水素置換の芳香族アシロ
イン;α−アリル−ベンゾイン;およびα−フェニルペ
ンナイン。
過硫酸銀がまた活性照射により活性化しつる遊離基発生
性開始剤とし【有用である。特定の芳香族ケトンたとえ
ばペンテフェノンおよびA 、 4’−♂スージアルキ
ルアミノーペンデフエノンがまた有用である。
熱重合禁止剤がまた好ましい組成物に存在する。
該禁止剤はP−メトキシフェノール、ヒドロキノン、お
よびアルキルかつアリール置換のヒドロキノンおよびキ
ノン、tブチルカテコール、fロガロール、**酸S、
ナフチルアミン、B−ナフトール、塩化第一銅、2.6
−ジーtデチルーP−クレソール、2.2−メチレンビ
ス−〔4−エチル−6−tプチルフエ/−ル〕、フェノ
−チアジン、キリジン、ニトロベンゼン、シニトロペン
ゼy、P−)ルエキノン、クロラニル 71J−To 
thスファイト、およびアリールアルキルホスファイト
を含む。。
所望なら1組成物は染料および顔料を含有し5る。′適
当な着色剤は感光性組成物と相溶性でありそして組成物
の感光性をあまり妨害しない。下記の特殊な化合物が例
示される:ツクシン(C0I。
42510);オーラミン塩基(C,X’、4100B
);カルコシト・グリーンs (C,工、44090)
;パラ・マジエンタ(C,!、42500);)リパロ
サン(c、1.42505 ) ;ニュー・マジ工ンタ
(C,I、42520);アシッド・バイオレットRR
H((!、 1.42425 ) ;レッド・バイオレ
ット5R8(0,1,42,690) ;ナイル・デル
−2B(C,1,51185)’:ニュー・メチレン・
ゾル−・GG(C,I、51195) p c−I−ベ
ーシック・デル−20(C1工、42585);アイオ
ドン・グリーン(C1I、42556);ナイト・グリ
ー−ンs (C,1,42115) ; C−Lダイレ
クト・イエロー・9.(c、x、19540);(!。
1、アシッド・イエロー17(c、I、18965);
(”、 X、アシンP・イエロー29 (c、 r、 
18900);タートラジン(c、x、19140);
スジラミン・イエロー・G(C,1,19300);バ
フアロ・プラック・10B (C,1,27790);
ナフタレン・プラック12R((!、1.20350)
;7アスト・プラック・L ((!、L 51215 
) ;エチル・バイオレット(c、X、42600);
/y−シル−ウール、デル−BL((!、z、5031
5):一ンタシル、ウッド・デル−・GL (c、 I
52320 )(カラーインテックスの第2編かもえら
れた数字)。
光重合可能な要素を活性照射源に曝露する。これは半一
トーン像またはfロセス透明性たとえばプロセスネガま
たはポジ、ステンシルマタはマスクを介して行われうる
。曝露はまた連続トーン、ネガまたはポジ儂を介して行
われうる。曝露は光重合可能な層上にカバーシートを伴
いまたは伴わずして接触法または投影法によりまた)1
カバーシートを用いる投影法により行われうる。これら
の処方は当業者に周知である。
活性照射により活性化し5る遊離基発生性附加重合開始
剤は一般に紫外領域でその最大の感応性を示すから、照
射源はこの照射の有効量を出すべきである。二点のまた
は広い照射源が有効である。
該供給源は炭素アーク、水銀蒸気アーク、紫外線照射性
燐を伴う螢西ランプ、アル♂ン白熱ランプ。
電子火花単位および隼真照明ランデを゛含む。これらの
うち、水銀蒸気アーク、とくに日光ランプがもつとも適
当である。特定の環境下で、可視領域のスペクトルに感
応性の光開始剤、たとえば9゜10−フェナンスレンキ
ノンを用い【、可視光に曝露することが有利でありうる
。この場合に、照射源は有効量の可視放射を与えるべき
である。上記列記の多くの照射源は必要量の可視光を有
する。
曝露後の光重合可能な組゛成物は水性塩基で、即ち一般
KO,01ないし10重量番の範囲の濃度で水溶性塩基
の水性溶液で所望の儂に攪拌しつつ浸漬刷毛塗りまたは
こすりながら、スプレージエ・シトを衝突させることK
より現像され5る。
現像に適当な塩基はアルカリ金属の水酸化物、たとえば
水酸化リチウム、ナトリウム、およびカリウム;弱酸の
塩基反応性アルカリ金属塩、たとえば、炭酸および重炭
酸のリチウム、ナトリウムおよびカリウム塩;約1 x
 10−6よりも大きい塩基イオン化恒数を有するアミ
ン、たとえば、ベンジル、エチルおよびアリルア建ンの
如き第1アミン;第2ア電ン、たとえば、ジメチルアミ
ンおよびペンジルメチルア叱ン;第3アミン、たとえば
、トリメチルアミンおよびFジメチルアミン;第1゜第
2、および第3ヒF 、キシアミン、たとえば、プロパ
ノ−ルー、ジェタノール゛−1およびトリエタノールア
ミン、および2−アミノ−2−ヒドロリジン;ポリアミ
ノたとえばヒドラジン、エチレンおよびヘキサメチレン
ア叱ン;水溶性塩基性塩。
たとえば、上記アミンの炭酸塩および重炭酸塩;水酸化
アンモニウムおよび回置換水酸化アンモニウム、たとえ
ば、テトツメテルー、テトラエチル−、トリメチルベン
ジル−1およびトリメチルフェニル水酸化アンモニウム
;スルホニウムヒドロオキシド、たとえばトリメチル−
、ジエチルメチル−、ジメチルベンジルスルホニウムヒ
ドロオキシド。
およびそれらの塩基可溶性塩、たとえば、炭酸塩。
重炭酸塩および硫化物;アルカリ金属燐酸塩および一口
燐酸塩、たとえば、ナトリウムおよびカリウムトリホス
フェート、そしてナトリ、ウムおよびカリウムピロホス
フェート;四置換(好まシくハ蚕部゛アルキル置換)ホ
スホニウム、アルソニウJ。
およびスチボニウムヒドロオキシr、たとえばテトラメ
チルホスホニウムヒドロオキシドを含む。
光重合せる組成物は一般に強アルカ91)加熱水溶液中
に浸漬することによりまたは所望なら当業界に周知の固
有の剥離処方中で除去されうる。
本発明をさらに説明するために、下記の実施例忙注意を
むける。
実施例1 下記の溶液を1ミルの厚さのポリエステルフィルム上に
被覆しそして空気中で乾燥した。感応化層の乾厚みは約
0.001インチであった。乾燥層を1ミルの厚みのポ
リエチレンフィルムで[覆した。
20.000の平均分子量、15QcP8のアンモニウ
ム塩の101水溶液中の粘度、の37鴫のスチレンと6
3畳のモツプチルマレエートとの共重合体      
  67.0.!?トリメチロールプロパントリアクリ
レート   22.09テトラエチレングリコールシア
クリv−)  ’   11.0gベンゾフェノン  
           2.3I4.4′−ビス−(ジ
メチルアミノ)−ベンゾフェノン          
        0.3.!72.2′−メチレン−ビ
ス(4−エチル−6−tブチルフェノール)     
        0.1 gメチルバイオレット2Bペ
ース         0.07.9ベンゾトリアゾー
ル          0.20.9メチルエチルケト
ン          140.0111片の鋼箔(C
1ad )・エポキシ−ガラス繊維板を、研摩クリーナ
ーでこすり落し、ふきそして完全に水中で洗浄するとと
により清浄化した。稀塩酸溶液(2容量の水+1容量の
濃塩酸)中で20秒浸漬し1、水で2回目の洗浄を行い
そして空気ジェットで乾燥した。
ポリエチレン被覆フィルムを、サンrウッチせる光重合
可能な要素の部分から除いた。?リエステル支持体で被
覆?裸かの抵抗体を銅面と接触させ【光重合可能な層の
表面と共に清浄鋼に積層した。2501で3ポンド/線
状インチの圧力で操゛作せる♂ム被覆のロールの助けで
2フイ一ト/分の速さでニップで積層を行った。ポリエ
ステルフィルAによる如くに保護せる感応化鋼箔板な必
要なら後の用途のために支持しえた。実際上、これを高
いコントラスト透明像を通って光に曝露し、その際にえ
られたパターンは不透明の背景上に透明領域として現わ
れた。感応化銅箔板(ポリエステルフィルムはやはり完
全のま\である。、)および透明体を写真印刷枠におく
こと和より曝露を行った。曝露は12インチの距離で4
00ワツトの50アンペアの水銀蒸気ランプに45秒間
行った。
ポリエチレンテレフタレート支持体フィルムを剥離しそ
し℃曝露せる抵抗体層を、水中296の炭酸ナトリウム
含有のトレー中で3”/=分間板をかきまぜ、次に水洗
することにより現儂した。生成せる板は露出透明体の透
明領域中に染色せる抵抗体パターンを含有した。
45@B、’  の塩化第二鉄溶液で板を腐蝕し1次に
洗浄しそして乾燥した。水酸化ナトリ ラムの3憾水溶
液中に70℃で2分間浸漬するとと忙より抵抗体を除い
た。その結果は高品質の印刷回路板であった。
実施例2 この下記の溶液を1ミルの厚みのポリエステルフィルム
上に被覆しそして30分間環境条件下で乾燥させた。
75俤のスチレンと25嗟のメタクリル酸との共重合体
(メチルエチルケトン中の40鳴溶液の粘度は1036
0(!Palである)    11.00.!ilト、
リメチロールプロパントリアクリレート    4.6
6.9テトラエチレングリコールジアクリレート   
 2.5511ベンゾフエノン           
0.75 g2.2′−メチレン−ビス−(4・エチル
−6−tデチ&7=c)−ル)           
 0.31メチルバイオレツト2Bペース      
  0.2 、!?ベンゾトリアゾール       
  0.079メチルエチルケトン 、       
  30.0.9感応化層の乾厚みは約1.35 ミル
であった。被覆せる材料を実施例1のように清浄な銅箔
板IIcm層した。実施例1に記載のよ5に露出単位で
11711分間既知の不透明なパターン領域を含有する
透明体を介して曝露した。ポリエステル支持体フィルム
を剥離しそして水中の2俤のトリナトリウムホスフェー
トを含有するトレイ中で2分間板をかきまぜ1次に水洗
することにより露出せる抵抗体層を現像した。
20畳の過硫酸アンモニウム浴中に30秒間板を浸漬し
、水で沢山洗浄し、水中の塩酸の20チ溶液中に30秒
間浸漬し、水で洗浄し、′rLK空気1ジェットで板を
乾燥することにより現像してのちに、露出せる銅の表面
をさらに清浄とした。この清浄な板を銅ぎロホスフエー
トめっき浴中で55℃で60アンペ、ア/フィート2で
45分間めっきした。
実施例3 工fキシーガラス繊維板の鋼箔片を実施例1に記載のよ
うに清浄化した。清浄とした乾燥板を板の表面に下記溶
液を流すととKより感応化した:平均分子量20,00
0の37憾のスチレンと63嗟のモツプチルマレエート
との共重合体(アンモニウム塩の1o嗟水溶液中の粘度
150C!Pit)              40
.0.9ペンタエリスリトールテトラアクリレ−)  
  25.011ペンψフエノン          
 1.5JF4.4′−ビス−(ジメチルアt))−ベ
ンゾフェノン                   
0.2g2.2′−メチレン−ビス−(4−エテル−6
−tエチルフエノ〒ル5           0.6
gメチルバイオレット2Bペース0.4gメチルエチル
ケトン       100.0 gベンゾトリアゾー
ル        0.151過剰の溶液を室温で2分
間板から排出する。
60℃で5分間強制空気オープン中で加熱することによ
り被覆をさらに乾燥した。
冷却後に、被覆せる板を実施例1に記載されるように、
曝露した。1分間水中の2憾トリナトリウムホスフエー
ト溶液中で板をかきまぜ、次に水洗することにより岬抗
体を現像した。板を実施例1に記載されるように塩化第
二鉄中で腐蝕した。
腐蝕後圧、水中水酸化ナトリウムの5%溶液中忙2分間
板を浸漬することにより曝露抵抗体を保護せる鋼から剥
離した。その結果は高品質の印刷回路板である。
実施例4 下記の溶液を1ミルの厚みのぼりエステルフィルムに被
覆しそして風乾した。
ペンタエリスリトールテトラアク;リレート   30
.0gペンナフエノン          2.3g4
.4′−ビス(ジメチルアミノ)−ベンゾフェノン  
                 0.3g2.2′
−メチレン−ビス−(4−エチル−6−tブチルフェノ
ール’)            0.1.9メチルバ
イオレツト2Bペース         0.079ペ
アfトリアナール        0.20.9メチル
エチルケトン        150.[l 、9感応
化層の乾厚みは約0.001インチであった。
銅箔板を製造し、抵抗体被覆をそれに積層し、そして生
成せる要素をまさに実施例1把おけるよ5に曝露した。
支持フィルムを剥離しそして2俤のトリナトリウムホス
フェート含有のトレイ中で2分間板をかきまぜ、次に水
洗するとと忙より露出せる抵抗体層を現像した。
板を実施例IKおけるように腐蝕して高品質の印刷回路
板を生成した。
実施例5 実施例1に記載の感光性溶液を亜鉛、マグネシウムおよ
び調印刷板上に被覆する。約0.001インチの乾厚み
まで温風で乾燥してのちに、感光層をポリビニルアルコ
ールの稀薄水溶液で被覆しそして温風で再乾燥する。水
溶性重合体は酸素圧対する薄い保護迩へい体を形成する
。この予備感応化金属板を長期間貯蔵し5る。
適当な写真ネガを介して活性光に曝露時に、未露出感光
層および水溶性トップ層を同時に現偉し、腐蝕のために
直ちに金属板をのけた。光重合せる像領域は金属印刷板
の成型時に通常遭遇する深腐蝕法用のすぐれた抵抗体と
して役立つ、これらの結果は通常の腐蝕剤、たとえば塩
化第二鉄、硝酸、フィルム化剤およ・び腐蝕の輪郭を調
節するために腐蝕用混合物に通常加えるブランク剤に抵
抗性を示す。
実施例6 0.001インチの厚みのポリエステルフィルムを水溶
性重合体の代りに保護層として用いる点を除いて、実施
例5の処方に従5゜活性光に曝露後圧、水性アルカリ溶
液中で現偉に先立って保護層を剥離する。実施例5のよ
うに、光重合せる像領域は印刷板の深腐蝕用のすぐれた
抵抗体として役立つ。
実施例7 実施例1に記載の感光性溶液を0.001インチの厚み
のポリエステルフィルム上に被覆し、風乾しそして0.
001インチの厚みの4リエテレンフイルムで被覆する
。この3種の層のフィルムサンドラッチを不定期間値党
領域中でシートまたはロール状で貯蔵し5る。使用前に
、ぼりエチレン被覆フィルムを剥離し、そして実施例5
に記載の型の金属プレートと接触して感光層をおきそし
て積層裏張りする。活性光に曝露時に、保@ポリエステ
ル層を剥離しそし【水性アルカリ溶液中で現儂する。実
施例5におけるように、光重合せる像領域は印刷板の深
腐蝕用のすぐれた抵抗体である。
実施例8 実施例1に記載の感光性溶液を、実施例5.6および7
に記載の処方によりてオフセット印刷に慣用のように、
薄いアルミニウム板上に被覆する。
活性光に曝露しそし【水性アルカリ溶液中で現儂し℃か
ら、光重合せる像領域はすぐれたインク受容体として役
立つ。これはまた著しい研摩抵抗性を有する。えられる
板はオフセット印刷圧すぐれた結果を伴って用いうる。
実施例9 実施例1に記載の感光性溶液を実施例5.6および7に
記載の処方により織成せるメツシュ様の基体上に被覆す
る。活性光に曝露しかつ水性アルカリ溶液中で現gI炉
てから、光重合せる像領域はすぐれたマスクとして役立
つ。この適・用はシルクスクリーン型の印刷に有用性を
示した。
代理人 浅 村   皓 外〆名 第1頁の続き 0発 明 者 メルビン・アラン・リプソンアメリカ合
衆国カリフォルニア 州フラートン・アルチボ・プレ ース2829 0発 明 者 リチャード・ニドマント・ビュープレ アメリカ合衆国ロード・アイラ ンド州ウェスト・バーリントン ・アンソニー・ロード11 手続補正書 昭和57年12月−6日 特許庁長官殿 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住  所 氏名      ダイナナム、コーポレーション(名 
称) 5、補正命令の日付 昭和  年  月  日 6、補正により増加する発明の数 8、補正の内容  別紙のとおり 9、添付書類の目録  同時に出願審査請求書を提出し
てあり薫−す。
(11特許請求のSSの欄を別紙の通9訂正する。
(2)明細書第3頁10行、第4買6行「光抵抗体」を
「ホトレジスト」に夫々訂正する。
(3)同第3貫12行、第5買3行、第12員5行、9
行、第21頁之行、第21貫17行、20行。
第23頁10行、第25貫2行、5行、第26頁6行、
8行、第27貫3行、14行、第28員8行「抵抗体」
を「レジスト」に夫々訂正する。
(4)同第6j[1芝2行「、好ましく社2個またはそ
れ以上」を削除する。
(5)同第9貫下から6行及び5行の「C00RI、」
を削除する。
(6)  同第9jj下から6行及び4行の[ca2 
= CH3S Jを削除する。 − (7)同第9真下から6行「また」を「tたは」に訂正
する。
(8)  同第10員6行「メチルメタクリレートおよ
びメヂルアクリレート、」を削除する。
2、特許請求の範囲 (1)予かしめ形成した巨大分子重合体結合剤の光重合
可能な組成物で、 A、少なくとも2つの末端エチレン性基を有し、100
℃以上の沸点を有し、ポリオールの不飽和エステル、不
飽和アミド及びビニルエステルからなる群から選択され
た一種以上の非ガス状化合物だけから本質的になる付加
重合可能な材料10〜60重量部、 B、光で開始される遊離基発生付加重合開始系o、oo
i〜10重量部、 C0熱付加重合禁止剤0.001〜5重量部。
D、一般式: (式中Rは水素、1〜6個の炭素原子を有するアルキル
基又はハロゲン基で、Xが水素の時、Yは0OCR1、
OR1,0CR1、CN、O又はI CNR3B。
C1;X−がメチルの時、χはCN又はo:x1 NR3R4 が塩素の時、YはC’lであシ、上記式中Ellは1〜
12個の炭素原子を有するアルキル基、フェニル基、又
はペンシル基で、R3及び九は水素、1〜12個の炭素
原子を有するフルキル基又はペンシル基である) を有す、る群から選択された一種以上の非酸性ビニル化
合物を含む第1単量体材料と、3〜15個の炭素原子を
有する一種以上のα、β−エチレン系不飽和カルlン酸
又はその無水物を含む単量体から本質的になる第2単量
体材料との重合体である予かしめ形成された巨大分子重
合体結合剤40〜90重量部、 から本質的になシ、然も前記第1単量体材料対第2単量
体材料の比が、2%の炭酸ナトリウムを含有する実質的
に完全に水性の希薄溶液中に実質1、的に全ての結合剤
を可溶にするのに充分な比であり一然も光重合に続いて
、組成物の光重合した部分が、2%の炭酸ナトリウムを
含有する上記希薄水浴液と最初に接触し、次に45°ボ
ーメの塩化第二鉄溶液と1接触する連続した接触によっ
て影響を受けず、更に組成物の光重合された部分が3%
の水酸化す) IJウムを含有する加熱された溶液によ
って基材から除去できる、光重合可能な組成物で被覆し
た銅または銅合金の金属基体からなることを特徴とする
被覆した組成物。
(2)  l)  銅または銅合金の金属基体、11)
予かしめ形成した巨大分子重合体結合剤の光重合可能な
組成物で、 A、少なくとも2つの末端エチレン性基を有し、100
℃以上の沸点を有し、ポリオールの不飽和エステル、不
飽和アミド及びビニルエステルからなる群から選択され
た一種以上の非ガス状化合物だけから本質的になる付加
重合可能な材料10〜60重量部、 B、光で開始される遊離基発生付加重合開始系0.00
1〜10重量部、 C0熱付加重合禁止剤0.001〜5重量部。
p、一般式: (式中Rは水素、1〜6個の炭素原子を有するアルキル
基又はハロゲン基で、Xが水素の時、Yは0OCRI 
、 OR1,0CR1,CN、 O又は1 NR3R4 の;Xがメチルの時、Y#:iCN又はO;x+1 CNR3R。
が塩素の時、YはC1であり、上記式中Rユは1〜12
個の炭素原子を有するアルキル基、フェニル基、又はペ
ンシル基で、R3及び穐は水素1、、.1〜12個の炭
素原子を有するアルキル基又はペンシル基である) を有する群から選択された一種以上の非酸性ビニル化合
物を含む第1単量体材料と、6〜15個の炭素原子を、
有する一種以上のα、β−エチレン系不飽和カルがン酸
又紘その無水物を含む単量体から本質的になる第2単量
体材料との重合体である予かしめ形成された巨大分子重
合体結合剤40〜90重量部、 から本質的にな〕、然も前記第1単量体材料対第2単量
体材料の比が、2%の炭酸ナト・リウムを含有する実質
的に完全に水性の希薄溶液中に実質的に全ての結合剤を
可溶にするのに充分な比であシ、然も光重合に続いて、
組成物の光重合した部分が、2%の炭酸す)リクムを含
有する上記希薄水溶液と最初に接触し1次に45°ボー
メの塩化第二鉄溶液と接触する連続した接触によって影
響を受けず、更に組成物の光重合された部分が3%の水
酸化ナトリウムを含有する加熱された溶液によって基材
から除去できる、光重合可能な組成物の中間層、および
111)酸素不透過性の被覆層からなることを特徴とす
る積層体。
(3)  予かしめ形成した巨大分子重合体結合剤の光
重合可能な組成物で、 A、少なくとも2つの末端エチレン性基を有し、100
℃以上の沸点を有し、ポリオールの不飽和エステル、不
飽和アミド及びビニルエステルからなる群から選択され
た一種以上の非ガス状化合物だけから本質的になる付加
重合可能な材料10〜60重量部、 B、光で開始される遊離基発生付加重合開始系0.00
1〜10重量部。
C1熱付加重合禁止剤0.001〜5重量部、D、一般
式: (式中Ra水素、1〜6個の炭素原子を有するアルキル
基又はハロゲン基で、Xが水素の時、Yは0OCRI 
、 OR1,0CR1%C’N、O又は1 CNR5R。
C1;Xがメチルの時、YはCN又は0;X1 NR3R4 が塩素の時、YはCIであり、上記式中R1は1〜12
個の炭素原子を有するアルキル基、フェニル基、又はベ
ンジル基でs R3及び穐は水素、1〜12個の炭素原
子を有するアルキル基又はベンジル基である) を有する群から選択された一種以上の非酸性ビニル化合
物を含む第1単量体材料と、3〜15個の炭素原子を有
する一種以上のd、β−エチレン系不飽和カルボン酸又
はその無水物を含む単量体から本質的になる第2単量体
材料との重合体である予かしめ形成された巨大分子重合
体結合剤40〜90重量部、 から本質的になシ、然も前記第1単量体材料対第2単量
体材料の比が、2%の炭酸ナトリウムを含有する実質的
に完全に水性の希薄溶液中に実質的に全ての結合剤を可
溶にするのに充分な比であり、然も光重合に続いて、組
成物の光重合した部分が、2%の炭酸ナトリウムを含有
する上記希薄水溶液と最初に接触し、次に45°ボーメ
の塩化第二鉄溶液と接触する連続した接触によって影響
を受けず、更に組成物の光重合された部分が6%の水酸
化す) IJウムを含有する加熱された溶液によって基
材から除去できる、光重合可能な組成物の層を製造し、
該光重合可能な層の部分を化学線に露出し、そして該層
を稀薄水性アルカリ溶液で洗滌して光重合可能な層の未
露出部分を溶解することを特徴とするホトレゾストの製
造方法。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 +1)  少なくとも1個の末端エチレン性基を含有し
    100℃以上の沸点を有する附加重合可能な非ガス状の
    化合物;遊離基発生性附加重合開始系;熱附加重合禁止
    剤;およびスチレン型材料または非酸性の一二ル化合物
    である第1の単量体および3ないし15個の炭素原子を
    有する不飽和カル?キシル含有単量体との共重合体であ
    って第1の単量体対不飽和カルがキシル含有単量体の比
    が結合剤に稀アルカリ性溶液に可溶性とするのに充分で
    ある予備形成せる巨大分子重合体結合剤の光重合可能な
    組成物で被覆せる銅または銅合金の金属基体を特徴とす
    る被覆組成物。 (2) (11鋼または銅合金の金属基体、(2)少な
    くとも14mの末端エチレン性基を含有し、100℃以
    上の沸点を有する附加重合可能な非ガス状化合物;遊離
    基発生性附加重合開始系;熱附加重合禁止剤および;ス
    チレン型材料または非酸性♂ニル化合物である第1の単
    量体および6ない°し15個の炭素原子を有する不飽和
    カシホキシル含有単量体との共重合体であって第1の単
    量体対不飽和カルボキシル含有単量体の比が結合剤溶液
    な種アルカリ溶液に可溶とするに充分なものである。予
    備形成せる巨大分子重合体□結合剤の光重合可能な中間
    層、および(3)酸素不透過性の被覆層からなることを
    特徴とする積層体。 (3)少なくとも1個の末端エチレン性基を含有し、1
    00℃以上の沸点を有する非ガス状の附加重合可能な化
    合物;遊離基発生性附加重合開始系;熱附加重合禁止剤
    ;およびスチレン型材料または非酸性%4”=ル化合物
    である第1の単量体および6ないし15個の炭素原子を
    有する不飽和カルボキシル含有単量体との共重合体であ
    って第1の単量体対不飽和カルボキシル含有単量体の比
    が結合剤を稀アルカリ溶液に可溶とするのに充分である
    予備形成せる巨大分子重合体結合剤の光重合可能な層を
    製造し;該光重合可能な層の部分を活性光に曝露し;そ
    して該層を種水性アルカリ溶液で洗浄して光重合可能な
    層の未露出部分を溶解・することを特徴とする、光抵抗
    体を製造する方法。
JP57207462A 1971-02-04 1982-11-26 フォトレジスト製品 Granted JPS58144824A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11279771A 1971-02-04 1971-02-04
US112797 1971-02-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58144824A true JPS58144824A (ja) 1983-08-29
JPH0136924B2 JPH0136924B2 (ja) 1989-08-03

Family

ID=22345895

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1214572A Pending JPS5538961B1 (ja) 1971-02-04 1972-02-02
JP57207462A Granted JPS58144824A (ja) 1971-02-04 1982-11-26 フォトレジスト製品

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1214572A Pending JPS5538961B1 (ja) 1971-02-04 1972-02-02

Country Status (23)

Country Link
JP (2) JPS5538961B1 (ja)
AU (1) AU461461B2 (ja)
BE (1) BE778729A (ja)
BG (1) BG26673A3 (ja)
CA (1) CA965291A (ja)
CH (1) CH592322A5 (ja)
DD (1) DD101035A5 (ja)
DE (1) DE2205146C2 (ja)
DK (2) DK142623B (ja)
ES (1) ES399317A1 (ja)
FI (1) FI57429C (ja)
FR (1) FR2124974A5 (ja)
GB (1) GB1361298A (ja)
HK (1) HK28382A (ja)
IL (1) IL38677A (ja)
IT (1) IT949005B (ja)
LU (1) LU64712A1 (ja)
NL (1) NL176021C (ja)
NO (1) NO141804C (ja)
PL (1) PL83391B1 (ja)
RO (1) RO64896A (ja)
SE (1) SE390218B (ja)
ZA (1) ZA72345B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60247638A (ja) * 1984-02-18 1985-12-07 バスフ アクチェン ゲゼルシャフト 感光性記録材料
JPH02176754A (ja) * 1988-12-28 1990-07-09 Konica Corp 画像形成材料及び画像形成方法
JPH0459411U (ja) * 1990-09-28 1992-05-21

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1056189A (en) * 1974-04-23 1979-06-12 Ernst Leberzammer Polymeric binders for aqueous processable photopolymer compositions
ZA757984B (en) * 1974-10-04 1976-12-29 Dynachem Corp Polymers for aqueous processed photoresists
JPS5917414B2 (ja) * 1975-10-07 1984-04-21 村上スクリ−ン (株) スクリ−ン版用感光性組成物及び感光膜
JPS5944615B2 (ja) * 1976-02-16 1984-10-31 富士写真フイルム株式会社 感光性樹脂組成物及びそれを用いた金属画像形成材料
SU941918A1 (ru) * 1976-08-10 1982-07-07 Предприятие П/Я Г-4444 Сухой пленочный фоторезист
US4239849A (en) 1978-06-19 1980-12-16 Dynachem Corporation Polymers for aqueous processed photoresists
JPS55501072A (ja) * 1978-12-25 1980-12-04
DE3034343A1 (de) * 1979-02-21 1981-04-09 Panelgraphic Corp Radiation curable cellulosic polyacrylic abrasion resistant coating
JPS5619752A (en) * 1979-07-27 1981-02-24 Hitachi Chemical Co Ltd Photosensitive resin composition laminate
DD250593A1 (de) * 1984-04-03 1987-10-14 Wolfen Filmfab Veb Fotopolymerisierbares material
DE3504254A1 (de) 1985-02-08 1986-08-14 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Lichtempfindliches aufzeichnungselement
DE3619129A1 (de) * 1986-06-06 1987-12-10 Basf Ag Lichtempfindliches aufzeichnungselement
DE3841025A1 (de) * 1988-12-06 1990-06-07 Hoechst Ag Durch strahlung polymerisierbares gemisch und daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial
DE19638032A1 (de) * 1996-09-18 1998-03-19 Du Pont Deutschland Photopolymerisierbares Gemisch mit geringerer Sauerstoffempfindlichkeit zur Herstellung von Farbprüfdrucken
US7052824B2 (en) 2000-06-30 2006-05-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for thick film circuit patterning
US20100209843A1 (en) 2009-02-16 2010-08-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for thick film circuit patterning

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA614181A (en) * 1961-02-07 J. Mcgraw William Photopolymerizable compositions, elements and processes
US2893868A (en) * 1955-08-22 1959-07-07 Du Pont Polymerizable compositions
NL218803A (ja) * 1956-07-09
GB835849A (en) * 1957-04-26 1960-05-25 Du Pont Photopolymerisable compositions and uses thereof
US3458311A (en) * 1966-06-27 1969-07-29 Du Pont Photopolymerizable elements with solvent removable protective layers
US3469982A (en) * 1968-09-11 1969-09-30 Jack Richard Celeste Process for making photoresists

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60247638A (ja) * 1984-02-18 1985-12-07 バスフ アクチェン ゲゼルシャフト 感光性記録材料
JPH0550738B2 (ja) * 1984-02-18 1993-07-29 Basf Ag
JPH02176754A (ja) * 1988-12-28 1990-07-09 Konica Corp 画像形成材料及び画像形成方法
JPH0459411U (ja) * 1990-09-28 1992-05-21

Also Published As

Publication number Publication date
HK28382A (en) 1982-07-02
DK142623C (ja) 1981-08-03
RO64896A (ro) 1980-01-15
CH592322A5 (ja) 1977-10-31
DK144184B (da) 1982-01-04
ZA72345B (en) 1973-03-28
SE390218B (sv) 1976-12-06
FI57429C (fi) 1980-08-11
DE2205146A1 (de) 1972-11-23
ES399317A1 (es) 1974-12-16
LU64712A1 (ja) 1973-09-04
IL38677A (en) 1974-12-31
JPS5538961B1 (ja) 1980-10-07
NO141804B (no) 1980-02-04
CA965291A (en) 1975-04-01
DK144184C (da) 1982-06-14
DE2205146C2 (de) 1990-03-08
IT949005B (it) 1973-06-11
AU461461B2 (en) 1975-05-12
BG26673A3 (ja) 1979-05-15
AU3839272A (en) 1973-08-02
IL38677A0 (en) 1972-03-28
NO141804C (no) 1980-05-14
NL7201460A (ja) 1972-08-08
PL83391B1 (ja) 1975-12-31
NL176021B (nl) 1984-09-03
JPH0136924B2 (ja) 1989-08-03
NL176021C (nl) 1987-07-16
GB1361298A (en) 1974-07-24
BE778729A (fr) 1972-07-31
DD101035A5 (ja) 1973-10-12
FR2124974A5 (ja) 1972-09-22
FI57429B (fi) 1980-04-30
DK142623B (da) 1980-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4239849A (en) Polymers for aqueous processed photoresists
US3953309A (en) Polymerization compositions and processes having polymeric binding agents
JPS58144824A (ja) フォトレジスト製品
US4539286A (en) Flexible, fast processing, photopolymerizable composition
JPH0359416B2 (ja)
JPH0219941B2 (ja)
JPS63229451A (ja) 高められた可撓性を有する感光性記録材料
US3718473A (en) Photopolymerizable elements containing hydro philic colloids and polymerizable monomers for making gravure printing plate resists
JP2009128419A (ja) 感光性樹脂組成物および積層体
JPS60208748A (ja) 感光性樹脂組成物及びこれを用いた積層体
JPH033212B2 (ja)
US4610951A (en) Process of using a flexible, fast processing photopolymerizable composition
JP4240282B2 (ja) 感光性樹脂組成物これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法
JPS59125726A (ja) 光重合性樹脂組成物
US4230790A (en) Photopolymerizable compositions useful in dry film photoresist
US4339527A (en) Process for using photopolymerizable compositions
JPH02161442A (ja) 光重合性組成物
JP4569700B2 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
JPS60240715A (ja) 感光性樹脂組成物
JP4172248B2 (ja) 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
JP2004294553A (ja) 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
JP2008209880A (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
JP4529289B2 (ja) 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法
JPS6380252A (ja) 画像形成材料
JP2005128300A (ja) 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造方法、プリント配線板、ディスプレイ板の製造方法