JPS59125726A - 光重合性樹脂組成物 - Google Patents
光重合性樹脂組成物Info
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- JPS59125726A JPS59125726A JP68683A JP68683A JPS59125726A JP S59125726 A JPS59125726 A JP S59125726A JP 68683 A JP68683 A JP 68683A JP 68683 A JP68683 A JP 68683A JP S59125726 A JPS59125726 A JP S59125726A
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- Japan
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- photoresist
- phenyltetrazole
- resin composition
- composition
- amount
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/085—Photosensitive compositions characterised by adhesion-promoting non-macromolecular additives
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0076—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the composition of the mask
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Graft Or Block Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属表面への密着が改善された。
特にプリント配線板用のフォトレジストの形式に用いら
れる光重合性樹脂組成物に関する。
れる光重合性樹脂組成物に関する。
フォトレジストを用いたプリント配線板の製造は一般に
次の工程よりなる。（１）ガラス・エポキシ銅張積層板
等の基板にフォトレジストを積層する。（２］ ハター
ンマスクフィルムヲ通して画像形成できるように活性光
線を照射する。（３）適当な現像液でフォトレジストの
未硬化部分を選択的に溶解除去し、銅面な露出させると
共にレジストパターンを形成する。（４〕露出銅面上に
電気銅メッキした後、電気ハンダメッキを行なう。
次の工程よりなる。（１）ガラス・エポキシ銅張積層板
等の基板にフォトレジストを積層する。（２］ ハター
ンマスクフィルムヲ通して画像形成できるように活性光
線を照射する。（３）適当な現像液でフォトレジストの
未硬化部分を選択的に溶解除去し、銅面な露出させると
共にレジストパターンを形成する。（４〕露出銅面上に
電気銅メッキした後、電気ハンダメッキを行なう。
（５）硬化レジストを適当な溶媒で剥離し、銅面を露出
させる。（６）ハンダメッキ層をレジストとして露出銅
面を適答な溶媒でエツチングし、ハンダコートした部分
が配線部となるプリント配線板を得る。
させる。（６）ハンダメッキ層をレジストとして露出銅
面を適答な溶媒でエツチングし、ハンダコートした部分
が配線部となるプリント配線板を得る。
これらの製造工程において、フォトレジストに対する特
に重要な要求性能は、フォトレジストがメッキ液等の液
体に侵されず、フォトレジストに被覆された基材を十分
に保護できることである。特にハイスローハンダメッキ
時に生じる硬化レジストの剥離は、硬化レジストと銅面
間へのメッキ液の浸み込みとなって２回路部以外にもハ
ンダがメンキされ、導線間の短絡、導線幅の拡大、導線
周辺部の形状の乱れ等の問題を生じていた。
に重要な要求性能は、フォトレジストがメッキ液等の液
体に侵されず、フォトレジストに被覆された基材を十分
に保護できることである。特にハイスローハンダメッキ
時に生じる硬化レジストの剥離は、硬化レジストと銅面
間へのメッキ液の浸み込みとなって２回路部以外にもハ
ンダがメンキされ、導線間の短絡、導線幅の拡大、導線
周辺部の形状の乱れ等の問題を生じていた。
これらの問題は硬化レジストと銅面の密着力の不足によ
るものであり、このため密着促進剤の研究開発が行なわ
れ、米国特許第３，６２２，３３４号明細書に記載され
るようなベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾールのよ
うな複素環式窒素含有化合物を光重合性樹脂組成物に添
加すること等が提案されている。
るものであり、このため密着促進剤の研究開発が行なわ
れ、米国特許第３，６２２，３３４号明細書に記載され
るようなベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾールのよ
うな複素環式窒素含有化合物を光重合性樹脂組成物に添
加すること等が提案されている。
しかしながら、近年の高密度、高精度化によるライ／＠
の狭い配線を用いたプリント配線板を製造するには、上
記複素環式窒素含有化合物の添加量を増加しなげれば高
精度パターンが得られず、このことが新たな問題を引き
おこす原因となっている。すなわちベンゾトリアゾール
。
の狭い配線を用いたプリント配線板を製造するには、上
記複素環式窒素含有化合物の添加量を増加しなげれば高
精度パターンが得られず、このことが新たな問題を引き
おこす原因となっている。すなわちベンゾトリアゾール
。
ベンズイミダゾールの増加は従来から、フォトレジスト
のパターン形状確認のため必須な染料を退色したり、フ
ォトレジストの感度を低下させる。−力感度向上のため
光重合開始剤の添加量を増すと解像されたパターン断面
が逆台形となり、解像度の低下を生じる。また分子量の
小さい添加剤の量を増加すると、多くの工程で硬化レジ
スト膜の溶解を促進し、レジスト膜の耐性の低下をきた
す点から好ましくない。
のパターン形状確認のため必須な染料を退色したり、フ
ォトレジストの感度を低下させる。−力感度向上のため
光重合開始剤の添加量を増すと解像されたパターン断面
が逆台形となり、解像度の低下を生じる。また分子量の
小さい添加剤の量を増加すると、多くの工程で硬化レジ
スト膜の溶解を促進し、レジスト膜の耐性の低下をきた
す点から好ましくない。
本発明者らは、上記したよ５な従来からある問題点を克
服すべく鋭意検討した結果、光重合性樹脂組成物に２特
定の化合物を極めて少量添２７ｏ−することにより、金
属面への密着性が改善できることを見い出し本発明を完
成した。
服すべく鋭意検討した結果、光重合性樹脂組成物に２特
定の化合物を極めて少量添２７ｏ−することにより、金
属面への密着性が改善できることを見い出し本発明を完
成した。
すなわち１本発明の要旨とするところは。
（ａ） バインダー用熱可塑性重合体（ｂｌ 分子
中に少なくとも１個のエチレン性不飽和基を有する架橋
性単量体 （ｃ）光重合開始剤 および （ｄ） テトラゾールまたはその誘導体よりなる光重
合性樹脂組成物にある。
中に少なくとも１個のエチレン性不飽和基を有する架橋
性単量体 （ｃ）光重合開始剤 および （ｄ） テトラゾールまたはその誘導体よりなる光重
合性樹脂組成物にある。
本発明の光重合性樹脂組成物の特徴は、テトラゾールま
たはその誘導体を含有しているためフォトレジストと銅
板との密着性が優れ、レジスト剥離、メッキもぐ９等の
現象を全く引き起さず微細パターンのプリント配線板の
製造に適している。
たはその誘導体を含有しているためフォトレジストと銅
板との密着性が優れ、レジスト剥離、メッキもぐ９等の
現象を全く引き起さず微細パターンのプリント配線板の
製造に適している。
本発明の組成物を構成するバインダー用熱可塑性１合体
は、使用する現像液に可溶であるかまたは膨潤するもの
であれは種々のものが使用できる。具体例としては、
１，１．１ ）リクロロエタンを現像液とするフォト
レジストの場合、ポリメタクリル酸メチルまたはメタク
リル酸メチルを生成分とする共重合体が用いられる。メ
タクリル酸メチルと共重合するのに使用される単量体の
具体例としては、（メタ）アクリル酸メチル（アクリル
酸メチルまたはメタクリル酸メチルの意、以下同様）、
（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プ
ロピル、（メタ）アクリル酸インプロピル、（メタ）ア
フリルミｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸インブチル、
（メタ）アクリル酸し−ブチル、（メタ）アクリル酸２
−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ラウリル、（メ
タ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリ
ル酸２−ヒ）−０キシプロピル等の（メタ）アクリル酸
エステル。
は、使用する現像液に可溶であるかまたは膨潤するもの
であれは種々のものが使用できる。具体例としては、
１，１．１ ）リクロロエタンを現像液とするフォト
レジストの場合、ポリメタクリル酸メチルまたはメタク
リル酸メチルを生成分とする共重合体が用いられる。メ
タクリル酸メチルと共重合するのに使用される単量体の
具体例としては、（メタ）アクリル酸メチル（アクリル
酸メチルまたはメタクリル酸メチルの意、以下同様）、
（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プ
ロピル、（メタ）アクリル酸インプロピル、（メタ）ア
フリルミｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸インブチル、
（メタ）アクリル酸し−ブチル、（メタ）アクリル酸２
−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ラウリル、（メ
タ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリ
ル酸２−ヒ）−０キシプロピル等の（メタ）アクリル酸
エステル。
スチレンなどがあけられろ。
一方、炭酸す） ＩＪウム等のアルカリ希薄溶液を現像
液とするフォトレジストの場合は、前記の（メタ）アク
リル酸エステルまたはスチレン等とアクリル酸、メタタ
リル酸、イタコン酸。
液とするフォトレジストの場合は、前記の（メタ）アク
リル酸エステルまたはスチレン等とアクリル酸、メタタ
リル酸、イタコン酸。
フマル峻、マレイン酸等のカルボン酸との共重合体があ
げられる。
げられる。
本発明のバインダー用熱可塑性樹脂は、使用目的によっ
て分子量、共重合体の組成を一概に決め、られないが１
分子量の範囲としては２０，０００〜２００，０００が
よい。
て分子量、共重合体の組成を一概に決め、られないが１
分子量の範囲としては２０，０００〜２００，０００が
よい。
本発明の組成物を構成する分子中に少な（とも１個のエ
チレン性不飽和基な有する架橋性単量体としては、ポリ
エチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリト
ールジアクリレート、ベンタエリスリトールト１ノアク
リレート。
チレン性不飽和基な有する架橋性単量体としては、ポリ
エチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリト
ールジアクリレート、ベンタエリスリトールト１ノアク
リレート。
ペンタエリスリトールテトラアクリレート、トリメチロ
ールプロパントリアクリレート等のポリエステルアクリ
レートやエポキシアクリレート、ウレタンアクリレート
等があげられ２ これらは１種またはそれ以上併用して
２組成物中２５〜５０重量係の範囲で使用される。架橋
性単量体の使用量が２５５重量％満では硬化皮膜が十分
でなく、また５ＯＮ量係をこえるとフォトレジストが軟
くな９すぎてコールドフローを起しやすい。
ールプロパントリアクリレート等のポリエステルアクリ
レートやエポキシアクリレート、ウレタンアクリレート
等があげられ２ これらは１種またはそれ以上併用して
２組成物中２５〜５０重量係の範囲で使用される。架橋
性単量体の使用量が２５５重量％満では硬化皮膜が十分
でなく、また５ＯＮ量係をこえるとフォトレジストが軟
くな９すぎてコールドフローを起しやすい。
本発明の組成物を構成する光重合開始剤は公知の例文は
、ベンゾフェノン、シヒラーズケトン、 ４，４’−
ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ｔ−ブチルア
ントラキノン、２−エチルアントラキノン、チオキサ／
トン類、ベンゾインアルキルエーテル類、ベンジルケタ
ール類等があげられ、これらは１種ま１こは２種以上を
併用できる。組成物中の光重合開始剤の使用量は：Ｉ
ス） 、 パターンの仕上り具合、あるいは解像度等の
点から０．５〜５重量係である。
、ベンゾフェノン、シヒラーズケトン、 ４，４’−
ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ｔ−ブチルア
ントラキノン、２−エチルアントラキノン、チオキサ／
トン類、ベンゾインアルキルエーテル類、ベンジルケタ
ール類等があげられ、これらは１種ま１こは２種以上を
併用できる。組成物中の光重合開始剤の使用量は：Ｉ
ス） 、 パターンの仕上り具合、あるいは解像度等の
点から０．５〜５重量係である。
また本発明において使用するテトラゾールまたはその誘
導体は、フォトレジストの金属板への密着性を改良する
ための極めて有効な成分であって２％に好ましいものと
して１−フェニルテトラゾール、５−フェニルテトラゾ
ール、５−アミノテトラゾール、５−アミノ−１メチル
テトラゾール、５−アミノ−２フエニルテトラゾール、
５−メルカプト−１フエニルテトラゾール、５−メルカ
プト−１メチルテトラゾール等があげられる。これらの
化合物の組成物への添加量は、フォトレジストの組成成
分と組成比および光硬化後のフォトレジストの硬さによ
って一概に決められないが、有効な密着効果を得るため
の量は組成物中０．００１〜ＩＭ量係、好ましくは０．
０１〜０．５重量％の範囲である。多すぎると感度が低
下し、少なすぎるとハンダメッキ時にメッキもぐりを起
しやすい。
導体は、フォトレジストの金属板への密着性を改良する
ための極めて有効な成分であって２％に好ましいものと
して１−フェニルテトラゾール、５−フェニルテトラゾ
ール、５−アミノテトラゾール、５−アミノ−１メチル
テトラゾール、５−アミノ−２フエニルテトラゾール、
５−メルカプト−１フエニルテトラゾール、５−メルカ
プト−１メチルテトラゾール等があげられる。これらの
化合物の組成物への添加量は、フォトレジストの組成成
分と組成比および光硬化後のフォトレジストの硬さによ
って一概に決められないが、有効な密着効果を得るため
の量は組成物中０．００１〜ＩＭ量係、好ましくは０．
０１〜０．５重量％の範囲である。多すぎると感度が低
下し、少なすぎるとハンダメッキ時にメッキもぐりを起
しやすい。
本発明の組成物は、希釈剤の不存在下でも使用可である
が、ベース樹脂を溶解させ、かつ沸点のあまり高くない
溶剤２例えばメチルエチルケトン、メチレンクロリド、
塩化メチレノ／メチルアルコール混合物、またはインフ
ロビルアルコール等を併用した方が好ましい結果が得ら
れる。溶剤の使用量は２組成物に対して２００重量係以
下、好ましくは１００〜２００重量係である。
が、ベース樹脂を溶解させ、かつ沸点のあまり高くない
溶剤２例えばメチルエチルケトン、メチレンクロリド、
塩化メチレノ／メチルアルコール混合物、またはインフ
ロビルアルコール等を併用した方が好ましい結果が得ら
れる。溶剤の使用量は２組成物に対して２００重量係以
下、好ましくは１００〜２００重量係である。
本発明の組成物は、必要に応じて可塑剤、熱重合禁止剤
、充填剤等を添加することもできる。
、充填剤等を添加することもできる。
以上のべたような成分組成からなる本発明の光重合性樹
脂組成物は、金属面２例えば銅、ニッケル、クロム好ま
しくは銅の上にラミネートして用いられる。使用法とし
ては液状のレジストとして金属面に塗布し、乾燥後、保
護フィルムを被覆して用いるか、またはドライフィルム
フォトレジストとしてそれを金属面にラミネートシタも
のとして用いられる。フォトレジスト層の厚みは用途に
よって異なるが、乾燥後の厚みで５〜１００μｍ程度で
ある。
脂組成物は、金属面２例えば銅、ニッケル、クロム好ま
しくは銅の上にラミネートして用いられる。使用法とし
ては液状のレジストとして金属面に塗布し、乾燥後、保
護フィルムを被覆して用いるか、またはドライフィルム
フォトレジストとしてそれを金属面にラミネートシタも
のとして用いられる。フォトレジスト層の厚みは用途に
よって異なるが、乾燥後の厚みで５〜１００μｍ程度で
ある。
液状レジストとした時の保護フィルムとしてはポリエチ
レン、ポリプロピレンのような不活性なポリオレフィン
フィルムが好ましく用いられる。ドライフィルムフォト
レジストはポリエステルの支持フィルム上に光重合性樹
脂組成物を塗布し、乾燥後、ポリオレフィンの保護フィ
ルムを積層して作られる。
レン、ポリプロピレンのような不活性なポリオレフィン
フィルムが好ましく用いられる。ドライフィルムフォト
レジストはポリエステルの支持フィルム上に光重合性樹
脂組成物を塗布し、乾燥後、ポリオレフィンの保護フィ
ルムを積層して作られる。
次にアートワークと呼ばれるネガまたはポジマスクパタ
ーンフィルムを通して活性光線を照射する。活性光線と
してはカーボンアーり灯。
ーンフィルムを通して活性光線を照射する。活性光線と
してはカーボンアーり灯。
超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の紫外線
を有効に放射するものが用いられる。
を有効に放射するものが用いられる。
露光量は一概に決められないが３００ ｍＪ／ＣｒｒＬ
２＋好ましくは５０〜２００ｍＪ／ｃｒＩＬ２である。
２＋好ましくは５０〜２００ｍＪ／ｃｒＩＬ２である。
活性光線露光後、適当な現像′ｔＬを用いて未露光部分
を洗浄除去することにより硬化部分のレジストパターン
を得る。
を洗浄除去することにより硬化部分のレジストパターン
を得る。
現像液は、安全で安定である必要がある。しかし特にＮ
要な点は現像の操作性、すなわちフォトレジストの硬化
部と未硬化部の溶解速度差が極めて犬ぎく、未硬化部の
溶解速度が適度に速いような溶媒を現像液として選択す
ることである。一般溶剤現像型のフォトレジストでは。
要な点は現像の操作性、すなわちフォトレジストの硬化
部と未硬化部の溶解速度差が極めて犬ぎく、未硬化部の
溶解速度が適度に速いような溶媒を現像液として選択す
ることである。一般溶剤現像型のフォトレジストでは。
１．１．１ ） ！Ｊクロロエタン、アルカリ現像型の
フォトレジストでは炭酸ナトリウムの希薄溶液等が好ま
しく用いられる。
フォトレジストでは炭酸ナトリウムの希薄溶液等が好ま
しく用いられる。
現像の方法は、デツプ方式、パドル方式、スプレ一方式
等があるが、高圧スプレ一方式が、解像度向上には最も
適している。
等があるが、高圧スプレ一方式が、解像度向上には最も
適している。
現像後に行なわれる電気銅メッキは、硫酸銅メッキ、ピ
ロリ／酸銅メッキが用いられ、ハンダメッキにはハイス
ローハンダメッキが多く用いられている。
ロリ／酸銅メッキが用いられ、ハンダメッキにはハイス
ローハンダメッキが多く用いられている。
本発明の光重合性樹脂組成物は、金属積層板の配線加工
、特にプリント配線板に使用される銅張り積層板の配線
加工に対して、極めてすぐれたレジスト性能を有するた
め、高精度、高密度化が要求される配線加工に適したも
のである。
、特にプリント配線板に使用される銅張り積層板の配線
加工に対して、極めてすぐれたレジスト性能を有するた
め、高精度、高密度化が要求される配線加工に適したも
のである。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
実施例中の部はＮ承部を表わす。
実施例中の部はＮ承部を表わす。
実施例１〜６．比較例１
ガラス・エポキシ銅張積層板上に、下記の組成からなる
感光性樹脂組成物 ポリメタクリル酸メチル １００部（分子
蓋（ＰＮ）＝ ６０，０００） トリメチロールプロパ／トリアクリレート ５０
〃ポリエチレングリコールジアクリレート １０
〃ベンジルメチルケタール １〃ハ
イドロキノン ０．０５部マカ
ライトグリーン 。、１ 〃メチル
エチルケトン １５ｏ〃５〜フエニルテ
トラゾール 変更量ヲトクターナイフで塗布し
、乾燥してメチルエチルケトンを放散させてフォトレジ
ストの厚みを５０μ７ｎ とした。この上に２５μｍ厚
のポリエチレン製フィルムを保護膜として積層し、さら
にこの上にアートワークを密着して超高圧水銀灯で露光
した。アートワークは５０μｍ、６Ｑμｍ、８０μｍ、
ＩＱＱμｍのラインアンドスペイスパターンを用いた。
感光性樹脂組成物 ポリメタクリル酸メチル １００部（分子
蓋（ＰＮ）＝ ６０，０００） トリメチロールプロパ／トリアクリレート ５０
〃ポリエチレングリコールジアクリレート １０
〃ベンジルメチルケタール １〃ハ
イドロキノン ０．０５部マカ
ライトグリーン 。、１ 〃メチル
エチルケトン １５ｏ〃５〜フエニルテ
トラゾール 変更量ヲトクターナイフで塗布し
、乾燥してメチルエチルケトンを放散させてフォトレジ
ストの厚みを５０μ７ｎ とした。この上に２５μｍ厚
のポリエチレン製フィルムを保護膜として積層し、さら
にこの上にアートワークを密着して超高圧水銀灯で露光
した。アートワークは５０μｍ、６Ｑμｍ、８０μｍ、
ＩＱＱμｍのラインアンドスペイスパターンを用いた。
露光に使用した超高圧水銀灯はウシオ電機（株）製、Ｕ
ＳＨ−１０２Ｄで８０ｍＪ／ｃＴＬ２ 照射した。こ
の際の露光強度は。
ＳＨ−１０２Ｄで８０ｍＪ／ｃＴＬ２ 照射した。こ
の際の露光強度は。
ウシオ電機（株）製、紫外線強度計ＵＩＴ−１００に受
光器ｔＪ４Ｄ−３６５Ｐ を取付けて測定し２ｍｙ／
ｃｔｒｔ２ 一定とした。
光器ｔＪ４Ｄ−３６５Ｐ を取付けて測定し２ｍｙ／
ｃｔｒｔ２ 一定とした。
露光後、２０分間放置して、保護フィルムを剥離し、１
，１．１）リクロロエタンを入れたデュポン社製、デュ
ポンゞｃ′′プロセッサー中で現像した。温度は１８〜
２０ ’Ｃに保ち２通過速度は２００α／分で、ヌグレ
ー圧カは１．４ｋｆｉ／α２に調節した。
，１．１）リクロロエタンを入れたデュポン社製、デュ
ポンゞｃ′′プロセッサー中で現像した。温度は１８〜
２０ ’Ｃに保ち２通過速度は２００α／分で、ヌグレ
ー圧カは１．４ｋｆｉ／α２に調節した。
次いで現像処理したものを中性洗剤水溶液中に室温で約
１分間浸漬し、脱脂後、オーバフロータンクでスプレー
水洗を約１分間行ない２次いで約２０重量係濃度の過硫
酸アンモニウム水溶液中に１分間浸漬した。引続き再び
スプレー水洗洗浄を約１分間行なった後、約１５条の硫
酸水溶液浴に１分間浸漬い再びスプレー水洗を１分間行
なった。
１分間浸漬し、脱脂後、オーバフロータンクでスプレー
水洗を約１分間行ない２次いで約２０重量係濃度の過硫
酸アンモニウム水溶液中に１分間浸漬した。引続き再び
スプレー水洗洗浄を約１分間行なった後、約１５条の硫
酸水溶液浴に１分間浸漬い再びスプレー水洗を１分間行
なった。
次いでビロリン酸銅メッキ槽（ＰＩ（＝８．２〜８．４
．温度５０±２℃）に入れて４５分間２．７Ａ／ ｄｍ
２でメッキを行なった。
．温度５０±２℃）に入れて４５分間２．７Ａ／ ｄｍ
２でメッキを行なった。
メッキ終了後、直ちに水洗し、１５チ硼フツ酸水溶液に
浸漬し８次いで下記の組成 錫 １５ ノ （ハンダメッキ液１１！当
つ量）鉛 ｘｏｙ（） 遊離硼フン酸 ４００ Ｐ （） 遊離硼酸 ２１．６Ｊ’（） ベグトン ５．２７（ハンダメッキｉ１７洛り量
）ヲ有スるハイスローハンダメッキ浴中で、室温にて１
．５ Ａ／ ｄｍ２でハンダメッキを行なった。メッキ
終了後、水洗を行ない乾燥した。メッキ製品のもぐり現
像を観察するため、試料を切り出し、レジスト断面を光
学顕微鏡で観察した。結果を表１に示す。
浸漬し８次いで下記の組成 錫 １５ ノ （ハンダメッキ液１１！当
つ量）鉛 ｘｏｙ（） 遊離硼フン酸 ４００ Ｐ （） 遊離硼酸 ２１．６Ｊ’（） ベグトン ５．２７（ハンダメッキｉ１７洛り量
）ヲ有スるハイスローハンダメッキ浴中で、室温にて１
．５ Ａ／ ｄｍ２でハンダメッキを行なった。メッキ
終了後、水洗を行ない乾燥した。メッキ製品のもぐり現
像を観察するため、試料を切り出し、レジスト断面を光
学顕微鏡で観察した。結果を表１に示す。
実施例７〜８
添〃ｕ斉Ｉ４５−フェニルテトラゾールを５−アミノテ
トラゾールに変えてほかは実施例１と同様な方法をくり
返してメッキを行ないその性能を評価した。得られた結
果を表１に示す。
トラゾールに変えてほかは実施例１と同様な方法をくり
返してメッキを行ないその性能を評価した。得られた結
果を表１に示す。
比較例２〜５
添加剤５−フェニルテトラゾールをベンゾトリアゾール
に変え、かつその使用量および露光量を表１に示すよう
にした以外は実施例１と同様な方法をくり返してメッキ
を行ないその性能を評価した。得られた結果を表１に示
す。
に変え、かつその使用量および露光量を表１に示すよう
にした以外は実施例１と同様な方法をくり返してメッキ
を行ないその性能を評価した。得られた結果を表１に示
す。
手続補正書（自発）
昭和５ｇ年ダ月２日
特許庁長官 若杉和夫 殿
１、事件の表示
特願昭ｓｇ−ｔｇｔ号
２、開明の名称
元祖合性樹１ｊｄ組成物
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
東京都中央区京橋二丁目３番１９号
（６０３）三菱レイヨン株式会社
取締役社長金品脩三
４、代 理 人
東京都中央区京橋二丁ＩＪ３番１９号
５、補正命令の日付
（１）明細６第左頁第ｇ行〜／／行記載の「（メタ）ア
クリル酸メチル（・・・・・・〕（メタ〕アクリル敵エ
チル、」を「アクリル酸エチル１（メタノアクリル哉エ
チル（アクリル酸エチルまたはメタクリル巌エチルの、
（：、以下同様）、」にｔｌｔｌ正１−る。
クリル酸メチル（・・・・・・〕（メタ〕アクリル敵エ
チル、」を「アクリル酸エチル１（メタノアクリル哉エ
チル（アクリル酸エチルまたはメタクリル巌エチルの、
（：、以下同様）、」にｔｌｔｌ正１−る。
（’） ”Ａ ｒｆｉｌ Ｂ ｍ ？ ’ＪＪ 第Ｊ
行自ｉｆｄｇ、’；、’／） ｒｒ 、Ａ ドア０−
」を「コールド７０−ＪＶＣ４ｑＵ正する。
行自ｉｆｄｇ、’；、’／） ｒｒ 、Ａ ドア０−
」を「コールド７０−ＪＶＣ４ｑＵ正する。
（３） 明他脅第フ頁第Ａヤ〒〜？行目記載の「シヒ
ラーズケトン」を「ミヒラーズヶトン」ニ袖正する。
ラーズケトン」を「ミヒラーズヶトン」ニ袖正する。
（グ） 明机害第／１頁取下行記ｉ（ｙの「ベンジルメ
チルケタール」を「ベンジルジメチルケタール」に補正
する。
チルケタール」を「ベンジルジメチルケタール」に補正
する。
！５） 明ポｂし第１λ頁第ス行目化載の「マラカト
グリーン」企「マラカイトグリーン」に補正する。
グリーン」企「マラカイトグリーン」に補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ） バインダー用熱可塑性重合体（ｂｌ
分子中に少なくとも１個のエチレン性不飽和基を有する
架橋性単量体 （ｅｌ 光重合開始剤 および （ｄｌ テトラゾールまたはその誘導体よりなる光１
合性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP68683A JPS59125726A (ja) | 1983-01-06 | 1983-01-06 | 光重合性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP68683A JPS59125726A (ja) | 1983-01-06 | 1983-01-06 | 光重合性樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59125726A true JPS59125726A (ja) | 1984-07-20 |
| JPH047499B2 JPH047499B2 (ja) | 1992-02-12 |
Family
ID=11480639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP68683A Granted JPS59125726A (ja) | 1983-01-06 | 1983-01-06 | 光重合性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59125726A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61186952A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-20 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光重合性樹脂組成物 |
| JPS61260237A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
| JPH01223444A (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-06 | Toyobo Co Ltd | 光重合性組成物 |
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| JPH0217698A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 高密度プリント回路板の製造方法 |
| JPH0284652A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物および感光性樹脂組成物積層体 |
| JPH0511439A (ja) * | 1990-09-13 | 1993-01-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光重合性組成物 |
| EP0665468A1 (en) * | 1993-12-30 | 1995-08-02 | Hercules Incorporated | Staining inhibitor for photopolymerizable compositions containing a tetrazole |
| EP0718386A1 (en) * | 1994-12-22 | 1996-06-26 | Loctite (Ireland) Limited | Air-activable polymerizable compositions containing tetrazoles |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS545292A (en) * | 1977-06-15 | 1979-01-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Grinding device |
-
1983
- 1983-01-06 JP JP68683A patent/JPS59125726A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS545292A (en) * | 1977-06-15 | 1979-01-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Grinding device |
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| JPH0561796B2 (ja) * | 1988-07-05 | 1993-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH047499B2 (ja) | 1992-02-12 |
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