JPH0217698A - 高密度プリント回路板の製造方法 - Google Patents
高密度プリント回路板の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
- H05K3/427—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in metal-clad substrates
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高密度プリント回路板の製造方法、特にス
ルーホールの内面のみに選択的にめっきを行う工程を有
する同回路板の製造方法に関するものである。
ルーホールの内面のみに選択的にめっきを行う工程を有
する同回路板の製造方法に関するものである。
多層基板のスルーホールの内面に銅めっきを施す場合、
従来は、孔あけした銅張積層板にめっき核処理を施し、
薄く無電解銅めっきを行って電気的な導通を得た後、電
気めっきによって所望の厚さのめっきを行う方法がとら
れてきた。
従来は、孔あけした銅張積層板にめっき核処理を施し、
薄く無電解銅めっきを行って電気的な導通を得た後、電
気めっきによって所望の厚さのめっきを行う方法がとら
れてきた。
この方法では、実装密度が増すに伴いスルーホール径が
小さくなり、また積層数が増して板厚が厚くなると、電
気めっきの厚さが、スルーホールの開口部付近で厚く、
奥になるにつれて薄くなるという問題があった。しかし
、この問題は無電解銅めっきの採用によって解決できた
。
小さくなり、また積層数が増して板厚が厚くなると、電
気めっきの厚さが、スルーホールの開口部付近で厚く、
奥になるにつれて薄くなるという問題があった。しかし
、この問題は無電解銅めっきの採用によって解決できた
。
ところが、この無電解銅めっきによれば、スルーホール
内面に析出した分と同じ厚さの銅が表面にも析出するた
め、回路パターン形成のためのエツチング量が増えて、
エツチングに時間を要するだけでなく、サイドエツチン
グやアンダーカントによってパターン精度が低下するこ
とがあった。
内面に析出した分と同じ厚さの銅が表面にも析出するた
め、回路パターン形成のためのエツチング量が増えて、
エツチングに時間を要するだけでなく、サイドエツチン
グやアンダーカントによってパターン精度が低下するこ
とがあった。
このため、無電解銅めっきは、高密度プリント回路板の
製造には不向であった。
製造には不向であった。
そこで、こうした問題を解決するために、いくつかの提
案がなされている。
案がなされている。
たとえば、特開昭48−8063号公報には、スルーホ
ールをあけてからパターンエツチングを行い、その後め
っき核処理を施し、ついで耐めっきソルダーレジストを
塗布して無電解めっきを行う方法が提案されている。
ールをあけてからパターンエツチングを行い、その後め
っき核処理を施し、ついで耐めっきソルダーレジストを
塗布して無電解めっきを行う方法が提案されている。
また、特開昭48−8062号公報には、孔あけしたw
4張積層板に、めっき核処理を施してからパターンエツ
チングを行い、ついで耐めっきソルダーレジストを塗布
した後、無電解銅めワきを行う方法が提案されている。
4張積層板に、めっき核処理を施してからパターンエツ
チングを行い、ついで耐めっきソルダーレジストを塗布
した後、無電解銅めワきを行う方法が提案されている。
さらに、特開昭61−70790号公報には、孔あけし
た銅張積層板に、めっき核処理を施し、無電解銅めっき
をスルーホール内の所望厚さよりも薄く施し、パターン
エツチングを行い、耐めっきソルダーレジストを塗布し
た後、少なくともスルーホールの内面を所望厚さまで無
電解めっきする方法が提案されている。
た銅張積層板に、めっき核処理を施し、無電解銅めっき
をスルーホール内の所望厚さよりも薄く施し、パターン
エツチングを行い、耐めっきソルダーレジストを塗布し
た後、少なくともスルーホールの内面を所望厚さまで無
電解めっきする方法が提案されている。
しかし、これらの提案にも次のような問題がある。
すなわち、特開昭48−8063号公報の方法では、銅
配線パターンの精度は高くなるが、基材表面にめっき核
金属粒子が残留するため、マイグレーションを生じて回
路パターン間の絶縁性が低下する。
配線パターンの精度は高くなるが、基材表面にめっき核
金属粒子が残留するため、マイグレーションを生じて回
路パターン間の絶縁性が低下する。
また、特開昭48−8062号公報の方法では、種々の
処理工程においてめっき核が脱離したり、その機能が低
下することがある。
処理工程においてめっき核が脱離したり、その機能が低
下することがある。
さらに特開昭48−8062号公報や特開昭61−70
790号公報の方法では、ソルダーレジストはインクと
して供給されるため、必要部分に無電解銅めっきを行う
ときのマスキングは、スクリーン印刷で行われる。とこ
ろが、このスクリーン印刷の精度には限界がある。この
ため、この方法では、小径スルーホールやピン間配線数
の増加には対応しきれず、高密度プリント回路板の作製
は困難である。
790号公報の方法では、ソルダーレジストはインクと
して供給されるため、必要部分に無電解銅めっきを行う
ときのマスキングは、スクリーン印刷で行われる。とこ
ろが、このスクリーン印刷の精度には限界がある。この
ため、この方法では、小径スルーホールやピン間配線数
の増加には対応しきれず、高密度プリント回路板の作製
は困難である。
この発明は、このような従来の問題点に着目してなされ
たもので、無電解銅めっきをするときのマスキングレジ
ストとして無電解めっき液に耐性のあるホトレジストを
使用することにより、小径スルーホールや高密度のピン
間配線を有する高密度プリント回路板を容易に製造する
ことができる同回路板の製造方法を従供することを目的
とする。
たもので、無電解銅めっきをするときのマスキングレジ
ストとして無電解めっき液に耐性のあるホトレジストを
使用することにより、小径スルーホールや高密度のピン
間配線を有する高密度プリント回路板を容易に製造する
ことができる同回路板の製造方法を従供することを目的
とする。
この発明に係る高密度プリント回路板の製造方法は、次
の7エ程を備えたものである。各工程は、それらを模式
的に示した第1〜7図によって説明する。
の7エ程を備えたものである。各工程は、それらを模式
的に示した第1〜7図によって説明する。
(1)内層加工を行った銅張積層板1に、第1図のよう
に、スルーホール2をあける工程。
に、スルーホール2をあける工程。
(2)スルーホール2をあけた銅張積層板1に、無電解
銅めっきのための活性化処理を施す工程、すなわち、同
積層板1に脱脂、酸化膜除去、粗化などの処理を行った
後、第2図のように、めっき核3(通常パラジウム)を
付与する工程。
銅めっきのための活性化処理を施す工程、すなわち、同
積層板1に脱脂、酸化膜除去、粗化などの処理を行った
後、第2図のように、めっき核3(通常パラジウム)を
付与する工程。
(3)活性化処理をした銅積層N板1の表面に、所定の
厚さより薄く (通常1〜5μm程度)無電解銅めっき
を施して、第3図のように、第1の無電解銅めっき層4
を形成する工程。
厚さより薄く (通常1〜5μm程度)無電解銅めっき
を施して、第3図のように、第1の無電解銅めっき層4
を形成する工程。
(4)薄い無電解銅めっきN4の表面に、エツチング(
テンティング法またははんだはがし法など)により、第
4図のように、回路パターン5を形成する工程。
テンティング法またははんだはがし法など)により、第
4図のように、回路パターン5を形成する工程。
(5)回路パターン5の上から銅張積層板1に、第5図
のように、無電解銅めっき液に耐性のあるホトレジスト
6を装着する工程。
のように、無電解銅めっき液に耐性のあるホトレジスト
6を装着する工程。
(6)写真製版技術を用いてホトレジスト6を露光し、
続いて現像し、第6図のように、レジストパターン7を
形成する工程。
続いて現像し、第6図のように、レジストパターン7を
形成する工程。
(7)少なくともスルーホール2の内面に、第7図のよ
うに、無電解銅めっきを行って、第1の無電解銅めっき
層4の上に第2の無電解銅めっきN8(信転性の観点か
ら15μm以上)を形成し、両層4,8で所定の厚さの
無電解銅めっき層9を形成する工程。
うに、無電解銅めっきを行って、第1の無電解銅めっき
層4の上に第2の無電解銅めっきN8(信転性の観点か
ら15μm以上)を形成し、両層4,8で所定の厚さの
無電解銅めっき層9を形成する工程。
なお、(5)〜(7)の工程で使用した無電解銅めっき
時のマスキングのためのホトレジスト6はソルダーマス
クとして使用される。
時のマスキングのためのホトレジスト6はソルダーマス
クとして使用される。
この発明で使用する上記ホトレジスト6は、無電解銅め
っき液に耐性を有することが必要である。
っき液に耐性を有することが必要である。
通常知られているエツチングのためのドライフィルムレ
ジストやソルダーマスク用ホトレジスト等はアルカリ耐
性が不十分であり、この発明での使用は困難である。
ジストやソルダーマスク用ホトレジスト等はアルカリ耐
性が不十分であり、この発明での使用は困難である。
この発明で使用できるホトレジストとしては、例えば、
次のfa)〜+e)の組成分で構成されるものをあげる
ことができる。すなわち、 (at一般式 (式中、kは1又は2.lは1又は2.mは1又は2、
R1へ(5−k)は水素原子又はメチル基、0、〜(4
−1)は水素原子又゛はメチル基、R8へ(5−曽)は
水素原子又はメチル基、nは0〜20の整数を示す)で
示される多価芳香族イソシアネートおよび2価アルコー
ルの(メタ)アクリル酸モノエステルを反応させてえら
れ、1分子2個以上の(メタ)アクリルロイル基及び2
個以上のウレタン結合を有するポリウレタンポリ (メ
タ)アクリレート10〜60部、 (blビスフェノール型エポキシ(メタ)アクリレ−ト
5〜45部 、 [01線状高分子化合物20〜60部および(dl光照
射を受けて遊離ラジカルを生成νる重合開始剤1〜10
部と、 tel必要に応じて添加される着色剤、密着性向上剤、
熱重合安定側、 とで組成される(bl + (bl + (C)の合計
量が100部であるホトレジストをあげることができる
。このフォトレジストは、アルカリ耐性に特に優れてお
り、この発明の実施を可能にする。
次のfa)〜+e)の組成分で構成されるものをあげる
ことができる。すなわち、 (at一般式 (式中、kは1又は2.lは1又は2.mは1又は2、
R1へ(5−k)は水素原子又はメチル基、0、〜(4
−1)は水素原子又゛はメチル基、R8へ(5−曽)は
水素原子又はメチル基、nは0〜20の整数を示す)で
示される多価芳香族イソシアネートおよび2価アルコー
ルの(メタ)アクリル酸モノエステルを反応させてえら
れ、1分子2個以上の(メタ)アクリルロイル基及び2
個以上のウレタン結合を有するポリウレタンポリ (メ
タ)アクリレート10〜60部、 (blビスフェノール型エポキシ(メタ)アクリレ−ト
5〜45部 、 [01線状高分子化合物20〜60部および(dl光照
射を受けて遊離ラジカルを生成νる重合開始剤1〜10
部と、 tel必要に応じて添加される着色剤、密着性向上剤、
熱重合安定側、 とで組成される(bl + (bl + (C)の合計
量が100部であるホトレジストをあげることができる
。このフォトレジストは、アルカリ耐性に特に優れてお
り、この発明の実施を可能にする。
なお、上記ホトレジストについては、同一発明者の同日
出願特願昭第何号(A P S 4137)感光性樹脂
組成物および感光性エレメントに詳しく説明している。
出願特願昭第何号(A P S 4137)感光性樹脂
組成物および感光性エレメントに詳しく説明している。
上記ホトレジストは、液状レジストとして塗布すること
ができるが、液状レジストは、塗布時に、スルーホール
2の内部に入りこむので、現像でこれを完全に除去する
ことは困難である。特に、0、3 m以下の小径スルー
ホール2の場合は不可能である。このため、液状レジス
トとして塗布する場合は、穴うめ法によるレジスト塗布
などのように、煩雑なプロセス工程で処理しなければな
らない、したがって、この方法は効率的なプリント回路
の製造の点からみて好ましくない。
ができるが、液状レジストは、塗布時に、スルーホール
2の内部に入りこむので、現像でこれを完全に除去する
ことは困難である。特に、0、3 m以下の小径スルー
ホール2の場合は不可能である。このため、液状レジス
トとして塗布する場合は、穴うめ法によるレジスト塗布
などのように、煩雑なプロセス工程で処理しなければな
らない、したがって、この方法は効率的なプリント回路
の製造の点からみて好ましくない。
しかし、この問題点は、液状レジストをドライ化してフ
ィルムとし、これをラミネートすることで回避すること
ができる。フィルムのラミネートによれば、スルーホー
ル2にレジストが侵入するおそれはないし、現像処理で
完全に除去することもできるからである。
ィルムとし、これをラミネートすることで回避すること
ができる。フィルムのラミネートによれば、スルーホー
ル2にレジストが侵入するおそれはないし、現像処理で
完全に除去することもできるからである。
このため、この発明においては、上記組成のホトレジス
トをドライ化した感光性エレメントの状能で使用するの
が好ましい。
トをドライ化した感光性エレメントの状能で使用するの
が好ましい。
感光性エレメントは、真空ラミネーターを用いて処理す
れば、配線間に空気を巻き込むことはないので、良好な
配線被覆性をもって積層板lに装着することができる。
れば、配線間に空気を巻き込むことはないので、良好な
配線被覆性をもって積層板lに装着することができる。
この発明においては、無電解鋼めっき用レジストとして
、アルカリ耐性の高いホトレジストを使用し、これを写
真製版技術で露光、現像してマスキングのためのパター
ニングを行うので、小径スルーホールやピン間配線の高
密度化が可能になり、したがって、高密度プリント回路
板を容易に作製することができる。
、アルカリ耐性の高いホトレジストを使用し、これを写
真製版技術で露光、現像してマスキングのためのパター
ニングを行うので、小径スルーホールやピン間配線の高
密度化が可能になり、したがって、高密度プリント回路
板を容易に作製することができる。
以下、この発明の詳細な説明する。
実施例1
(11ポリウレタンポリアクリレートの合成−S式(1
1で示される多価芳香族イソシアネートとして、ミリオ
ネー)MR−400(日本ポリウレタン工業(株)製)
450gと、2−ヒドロキシエチルアクリレート400
gとメチルエチルケトン400gとを21のフラスコに
入れ、これにオクチル酸亜鉛1.9gを添加して、60
℃で8時間反応させた。このとき、重合を防止するため
、空気を1m 1 / m i nの流量で吹き込みな
がら反応を行った。NCOの測定を常法によって行い、
0.2以下になった時点を反応の終了とした。得られた
ポリウレタンポリアクリレートは70重量%の固形部を
含んでいた。
1で示される多価芳香族イソシアネートとして、ミリオ
ネー)MR−400(日本ポリウレタン工業(株)製)
450gと、2−ヒドロキシエチルアクリレート400
gとメチルエチルケトン400gとを21のフラスコに
入れ、これにオクチル酸亜鉛1.9gを添加して、60
℃で8時間反応させた。このとき、重合を防止するため
、空気を1m 1 / m i nの流量で吹き込みな
がら反応を行った。NCOの測定を常法によって行い、
0.2以下になった時点を反応の終了とした。得られた
ポリウレタンポリアクリレートは70重量%の固形部を
含んでいた。
(2)ビスフェノール型エポキシアクリレートの合成
エピコート82B(油化シェル社製、エポキシ当量19
0)570g (3当量)およびアクリル酸201g(
2,8モル)をIAIのフラスコに入れ、重合禁止剤と
してメトキシフェノール0.77g(0,1重量%)、
ベンジルジメチルアミン3.9g(0,5重量%)を加
えて、90℃で6時間反応させた。その後、常法により
酸価を測定し、その値が1以下になつたときに終点とし
た。
0)570g (3当量)およびアクリル酸201g(
2,8モル)をIAIのフラスコに入れ、重合禁止剤と
してメトキシフェノール0.77g(0,1重量%)、
ベンジルジメチルアミン3.9g(0,5重量%)を加
えて、90℃で6時間反応させた。その後、常法により
酸価を測定し、その値が1以下になつたときに終点とし
た。
(3)感光性エレメントの作製
上記(llのウレタンアクリレート40部(固形部は6
0%(24部)) 上記(2)のエポキシアクリレート 25部メタ
クリル酸メチル・メタクリル酸 ブチル・メタクリル酸(重量比: 1110/18/2共重合物、分子量約15万 4
0部2−エチルアントラキノン 4.5部p−メ
トキシフェノール 0.1部メチルエチルケト
ン 45部上記組成の感光性樹脂組成
物の溶液を調製した。
0%(24部)) 上記(2)のエポキシアクリレート 25部メタ
クリル酸メチル・メタクリル酸 ブチル・メタクリル酸(重量比: 1110/18/2共重合物、分子量約15万 4
0部2−エチルアントラキノン 4.5部p−メ
トキシフェノール 0.1部メチルエチルケト
ン 45部上記組成の感光性樹脂組成
物の溶液を調製した。
この樹脂液を厚さ25μmのポリエチレンテレフタレー
トフィルム上に塗布し、室温で20分間、70℃で10
分間、100℃で5分間乾燥し、感光性樹脂組成物の層
の厚さが約70μmの感光性エレメントを得た。
トフィルム上に塗布し、室温で20分間、70℃で10
分間、100℃で5分間乾燥し、感光性樹脂組成物の層
の厚さが約70μmの感光性エレメントを得た。
(4)プリント回路板の作製
基板の厚さ1.6龍、銅箔厚さ18μmのガラスエポキ
シ銅張積層板に、スルーホールおよび部品孔を形成した
。ついで、無電解めっき用の触媒処理を行ったのち、無
電解銅めっき浴(pH12,5,60℃)に基板を2時
間浸漬し、約3μmの銅膜を全面に施した。
シ銅張積層板に、スルーホールおよび部品孔を形成した
。ついで、無電解めっき用の触媒処理を行ったのち、無
電解銅めっき浴(pH12,5,60℃)に基板を2時
間浸漬し、約3μmの銅膜を全面に施した。
ついで、エツチングレジストを施し、配線パターンを形
成した。
成した。
この基板上に上記(3)で得た感光性エレメントを、真
空ラミネータを用いて積層した。積層後、ネガマスクを
用いて露光し、次いで80℃で10分間加熱したのち、
1.1.1−トリクロロエタンを用いてスプレー現像を
行った(20℃、80秒間)、現像後、80℃で5分間
乾燥し、高圧水銀灯(80W/am)を用いて2.5J
/−照射した。その後、150℃で30分間加熱処理を
行い保護膜を形成した。
空ラミネータを用いて積層した。積層後、ネガマスクを
用いて露光し、次いで80℃で10分間加熱したのち、
1.1.1−トリクロロエタンを用いてスプレー現像を
行った(20℃、80秒間)、現像後、80℃で5分間
乾燥し、高圧水銀灯(80W/am)を用いて2.5J
/−照射した。その後、150℃で30分間加熱処理を
行い保護膜を形成した。
つぎに、無電解銅めっき浴(pH12,0,60℃)に
基板を12時間浸漬し、厚さ約20μmの銅めっきをス
ルーホールおよび部品孔に施した。無電解めっき処理後
、充分水洗を行ったのち、80℃で10分間乾燥し、さ
らに130℃で60分間加熱処理を行った。
基板を12時間浸漬し、厚さ約20μmの銅めっきをス
ルーホールおよび部品孔に施した。無電解めっき処理後
、充分水洗を行ったのち、80℃で10分間乾燥し、さ
らに130℃で60分間加熱処理を行った。
この一連の無電解めっき処理の間、保護膜の劣化。
ふくれ、剥離は起こらず、充分な耐性を示した。
以上の工程を経て作製したプリント回路板のスルーホー
ルには、良好なめっきが施されていた。
ルには、良好なめっきが施されていた。
半田耐熱試験として255〜265 ℃の半田浴で10
秒間浸漬したが、めっき膜の剥離は発生しなかった。
秒間浸漬したが、めっき膜の剥離は発生しなかった。
また、ホトレジストも安定であり、クランクの発生およ
び剥離は認められず、半田マスクとして充分用いること
が判明した。
び剥離は認められず、半田マスクとして充分用いること
が判明した。
実施例2
(1)ビスフェノール型エポキシアクリレートの合成
エピコート5050(油化シェル社製、ブロム化含有エ
ポキシ樹脂、エポキシ当1390)390g(1当量)
アクリル酸67g(0,94当量)およびメチルエチル
ケトン460gを11のフラスコに入れ、重合禁止剤と
してメトキシフェノール0.45 g 、イミダゾール
262gを加え、実施例1と同様にしてエポキシアクリ
レートを得た。生成物は約50%重量の固形部を含んで
いた。
ポキシ樹脂、エポキシ当1390)390g(1当量)
アクリル酸67g(0,94当量)およびメチルエチル
ケトン460gを11のフラスコに入れ、重合禁止剤と
してメトキシフェノール0.45 g 、イミダゾール
262gを加え、実施例1と同様にしてエポキシアクリ
レートを得た。生成物は約50%重量の固形部を含んで
いた。
(2)感光性エレメントの作製
実施例1のウレタンアクリレート66部(固形部は40
部) 上記il+のエポキシアクリレート30部(固形部は1
5部) メタクリル酸メチル・アクリル酸メチルの共重合体(重
量比80/20/ 、分子量約15万)40部2−エチ
ルアントラキノン 5部p−メトキシフェノ
ール 0.1部フタトシアニングリーン
0.4部ベンゾトリアゾール 0.1
部メチルエチルケトン 40部上記組
成の感光性樹脂組成物の溶液を調製した。
部) 上記il+のエポキシアクリレート30部(固形部は1
5部) メタクリル酸メチル・アクリル酸メチルの共重合体(重
量比80/20/ 、分子量約15万)40部2−エチ
ルアントラキノン 5部p−メトキシフェノ
ール 0.1部フタトシアニングリーン
0.4部ベンゾトリアゾール 0.1
部メチルエチルケトン 40部上記組
成の感光性樹脂組成物の溶液を調製した。
この樹脂液を厚さ25μmのポリエチレンテレフタレー
トフィルム上に塗布し、室温で20分間、70℃で10
分間、100℃で5分間乾燥し、感光性樹脂組成物の層
の厚さが約70μmの感光性エレメントを得た。
トフィルム上に塗布し、室温で20分間、70℃で10
分間、100℃で5分間乾燥し、感光性樹脂組成物の層
の厚さが約70μmの感光性エレメントを得た。
(3)プリント回路板の作製
実施例1と同様の基板を用いて、同様の工程を経て、プ
リント回路板を作製した。この一連の無電解めっき処理
の間、保護膜の劣化、ふくれ、剥離は起こらず、充分な
耐性を示した。
リント回路板を作製した。この一連の無電解めっき処理
の間、保護膜の劣化、ふくれ、剥離は起こらず、充分な
耐性を示した。
以上の工程を経て作製したプリント回路板のスルーホー
ルには、良好なめっきが施されていた。
ルには、良好なめっきが施されていた。
半田耐熱試験として255〜265℃の半田浴で10秒
間浸漬したが、めっき膜の剥離は発生しなかった。
間浸漬したが、めっき膜の剥離は発生しなかった。
また、ホトレジストも安定であり、クランクの発生およ
び剥離は認められず、半田マスクとして充分用いうろこ
とが判明した。
び剥離は認められず、半田マスクとして充分用いうろこ
とが判明した。
比較例
基板の厚さ1.5wm、銅箔厚さ18μmのガラスエポ
キシ銅張積層板にスルーホールおよび部品孔を形成し、
無電解銅めっき用の触媒処理を行ったのち、実施例1と
同じめっき液で約3μmの銅膜を全面に施した。ついで
、常法に従い配線パターンを形成した。
キシ銅張積層板にスルーホールおよび部品孔を形成し、
無電解銅めっき用の触媒処理を行ったのち、実施例1と
同じめっき液で約3μmの銅膜を全面に施した。ついで
、常法に従い配線パターンを形成した。
得られた基板に、溶媒現像型のエツチング用ドライフィ
ルムを、真空ラミネータを用いて積層し、常法でマスキ
ングパターンを作製した。その後、実施例1と同様に、
高圧水銀炉の照射、加熱処理を行い、無電解銅めっきを
行った。
ルムを、真空ラミネータを用いて積層し、常法でマスキ
ングパターンを作製した。その後、実施例1と同様に、
高圧水銀炉の照射、加熱処理を行い、無電解銅めっきを
行った。
4〜6時間後、基板をひき上げて銅の析出性を調べたが
、銅の析出は良好であったが、マスキングの保護膜は白
化した。さらに、無電解銅めっきを続行したところ、保
護膜の剥離、めっき液のもぐり込み等が発生した。この
ことから、エツチング用のホトレジストは、この発明に
は適用できないことが明らかとなった。
、銅の析出は良好であったが、マスキングの保護膜は白
化した。さらに、無電解銅めっきを続行したところ、保
護膜の剥離、めっき液のもぐり込み等が発生した。この
ことから、エツチング用のホトレジストは、この発明に
は適用できないことが明らかとなった。
以上のように、この発明によれば、無電解銅めっきをす
るときのマスキングレジストとして、無電解銅めっき液
に耐性のあるホトレジストを使用するので、また、第1
の無電解鋼めっき層の厚さはわずかであるため、エツチ
ングによるパターン形成も従来方法より影響を受けにく
いので、小径スルーホールや高密度のビン間配線を有す
る高密度のプリント回路板を極めて容易に製造すること
ができる。
るときのマスキングレジストとして、無電解銅めっき液
に耐性のあるホトレジストを使用するので、また、第1
の無電解鋼めっき層の厚さはわずかであるため、エツチ
ングによるパターン形成も従来方法より影響を受けにく
いので、小径スルーホールや高密度のビン間配線を有す
る高密度のプリント回路板を極めて容易に製造すること
ができる。
第1図〜第7図は、この発明による高密度プリント回路
板の製造方法を工程順に示す断面図である。 図において、1は銅張積層板、2はスルーホール、3は
めっき核、4は第1の無電解銅めっき層、5は回路パタ
ーン、6はホトレジスト、7はレジストパターン、8は
第2の無電解銅めっき層、9は所定の厚さの無電解銅め
っき層を示す。 代理人 大 岩 増 謹 第5図 1:釧積層層扱 2°ズルーホール めっき桟 $1の黒電解嗣めっき着 I■Lマダーン 6:水トレジズト 7: レジズト■クーン 8:嘆2り黒電解鋸わっ多層 9:所定の厚ブリ 熱電F!g1カ、も曾 1、事件の表示 3.補正をする者 書(自発) 特願昭63−168455号 5゜ 6゜ 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号
名 称 (601)三菱電機株式会社代表者志岐守哉 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 補正の内容 (1)明細書第8頁第19行〜第20行の「同−発明者
の同日出願特願昭第何号(APS4137) Jを「一
部同一発明者の同日出願特願昭63−168452号」
に訂正する。 (2)同書第10頁第1行の「能で」を「態で」に訂正
する。 以上 4、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号
板の製造方法を工程順に示す断面図である。 図において、1は銅張積層板、2はスルーホール、3は
めっき核、4は第1の無電解銅めっき層、5は回路パタ
ーン、6はホトレジスト、7はレジストパターン、8は
第2の無電解銅めっき層、9は所定の厚さの無電解銅め
っき層を示す。 代理人 大 岩 増 謹 第5図 1:釧積層層扱 2°ズルーホール めっき桟 $1の黒電解嗣めっき着 I■Lマダーン 6:水トレジズト 7: レジズト■クーン 8:嘆2り黒電解鋸わっ多層 9:所定の厚ブリ 熱電F!g1カ、も曾 1、事件の表示 3.補正をする者 書(自発) 特願昭63−168455号 5゜ 6゜ 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号
名 称 (601)三菱電機株式会社代表者志岐守哉 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 補正の内容 (1)明細書第8頁第19行〜第20行の「同−発明者
の同日出願特願昭第何号(APS4137) Jを「一
部同一発明者の同日出願特願昭63−168452号」
に訂正する。 (2)同書第10頁第1行の「能で」を「態で」に訂正
する。 以上 4、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号
Claims (1)
- 銅張積層板にスルーホールを形成する工程と、その積層
板に無電解銅めっきのための活性化処理を施す工程と、
その積層板の表面に無電解銅めっきを所定の厚さより薄
して第1の無電解銅めっき層を形成する工程と、その積
層板の表面にエッチングにより回路パターンを形成する
工程と、その積層板に無電解銅めっき液に耐性のあるホ
トレジストを装着する工程と、その積層板に写真製版技
術を用いてレジストパターンの形成する工程と、その積
層板の少なくともスルーホールの内面の第1の無電解銅
めっき層の上に無電解銅めっきを施して第2の無電解銅
めっき層を形成し、両層で所定の厚さの無電解銅めっき
層を形成する工程とを有する高密度プリント回路板の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16845588A JPH0217698A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 高密度プリント回路板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16845588A JPH0217698A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 高密度プリント回路板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0217698A true JPH0217698A (ja) | 1990-01-22 |
JPH0561796B2 JPH0561796B2 (ja) | 1993-09-07 |
Family
ID=15868430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16845588A Granted JPH0217698A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 高密度プリント回路板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0217698A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5936246A (ja) * | 1975-12-19 | 1984-02-28 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 樹脂組成物 |
JPS59125726A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-20 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光重合性樹脂組成物 |
JPS6170790A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-11 | 株式会社日立製作所 | プリント回路板の製造方法 |
JPH01129494A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-22 | Hitachi Ltd | プリント回路板の製造方法 |
JPH01189993A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-31 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-05 JP JP16845588A patent/JPH0217698A/ja active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5936246A (ja) * | 1975-12-19 | 1984-02-28 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 樹脂組成物 |
JPS59125726A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-20 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光重合性樹脂組成物 |
JPS6170790A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-11 | 株式会社日立製作所 | プリント回路板の製造方法 |
JPH01129494A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-22 | Hitachi Ltd | プリント回路板の製造方法 |
JPH01189993A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-31 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0561796B2 (ja) | 1993-09-07 |
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