JPS58124259A - リードフレームアセンブリ - Google Patents

リードフレームアセンブリ

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JPS58124259A
JPS58124259A JP57125607A JP12560782A JPS58124259A JP S58124259 A JPS58124259 A JP S58124259A JP 57125607 A JP57125607 A JP 57125607A JP 12560782 A JP12560782 A JP 12560782A JP S58124259 A JPS58124259 A JP S58124259A
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capacitor
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electrode
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エリオツト・フイロフスキ−
ワ−ド・パ−キンソン
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EI BUI ETSUKUSU CORP
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 集積回路（ＩＣ）装置を電子語篩機の記憶回路の部品と
して、あるいは同様な他の用途に用いることは広く行な
われている。１９８１年１月１２日付の米国特許出願第
２２４．１２７号［集積回路装置及びサブアセンブリ」
の明細−の中に指摘されたように、電子計算機のエラー
の最も多い原因は、ＩＣのスイッチング回路素子の１つ
あるいは複数個が駆動され、電流及び電圧の過渡現象が
生じる場合である。そのような過渡現象は電力供給回路
へパルスとして注入され、それは多くの場合、機能的信
号の特性に近いものとなる。そのような機能的信号の発
生は、不正確な情報の伝達あるいはあやまった読みとり
の原因となり、その結果当業分野で「ソフトエラー」と
して知られている結果をもたらす。
従来は、電力供給回路における誤まりを発生する振幅の
パルスの伝達を防止することは、その回路入力と並列に
コンデンサを接続し、パルスを減衰させることによって
行われている。
上述の特許出願に述べられているように、外部の減衰用
コンデンサからＩＣ装置の電力供給端子への導体の長さ
は、有効な減衰を得るために必要な容量の大きざに直接
関係している。ＩＣ装置と減衰コンデンサとの間に長い
外部リードが用いられた場合には、必要な容量の大きさ
は、前記出願中の明細書に従った場合、即ちコンデンサ
がＩＣ装置の中に物理的に埋め込まれ、従って電力供給
端子とコンデンサとの間のリードが非常に短くてよい場
合よりもずっと大きくなる。
コンデンサを付随させたＩＣ装置を得る試みが行なわれ
ている他の構造については、例えば、米国特許第４．０
２３．１９８号、 第４．１０５．４７５号、 第４．１６８．５０７号、 第４．２０８．６９８号、 第４，２４９．１９６号及び日本国特許明細書箱５３−
１２１３２９号に述べられている。
本発明は、ＩＣにつながれた複数個の電力供給回路の内
部電力供給減衰を有効に行わせることを特徴とする進歩
したリードフレーム型ＩＣ装置に関するものであると要
約することができる。
本発明に従えば、上記明細書によるのと同じようにセラ
ミックコンデンサがリードフレームに電気的及び機械的
につながれており、コンデンサはＩＣチップの機械的な
支持台となっている。セラミックコンデンサは最短長の
リードを用いて電力供給端子の間に並列接続（分路）さ
れている。第２の電力供給回路に対するパルス減衰を得
るために、コンデンサの容器を形成するセラミックの外
表面上に導電性電極層を堆積させることによって第２の
コンデンサを形成する。この外部導電性付加電極層はコ
ンデンサの内部最上電極とすくなくとも部分的に位置を
そろえである。このように、第２のコンデンサが、主コ
ンデンサの最上内部電極と外部の堆積導電性層とをその
電極とし、コンデンサの容器あるいはセラミックの外部
面をそれの誘電部分として、作成されることがわかるで
あろう。第２のコンデンサは、ＩＣ装置の第２の電力供
給入力を分路するために必要なリード長が短いために、
容量は比較的小さいにもかかわらず第２の電力供給中の
パルスを減衰さゼるのに有効である。　従って、本発明
の目的は、進歩したＩＣ装置を得ることであり、そのＩ
Ｃ装置とは、主電力供給の基本的分路装置であるととも
にＩＣチップの支持台を規定するセラミックコンデンサ
を有するリードフレームを含み、コンデンサの最上電極
とコンデンサの外面上に堆積させた導電性被覆との間に
、ＩＣ装置の第２の電力供給の減衰用の第２のコンデン
サを形成し、コンデンサの容器表面を形成している誘電
物質を第２のコンデンサの誘電成分とすることを特徴と
するものである。
本発明の更に他の目的は、ここに述べた型の進歩したＩ
Ｃ装置を得ることであって、そこでは複数個の回路に対
する外部電力供給減衰コンデンサの形成が不要どなる。
図面を参照すれば、第２図には簿い金属板の細長いウェ
ブ（Ｗｅｂ）あるいはバンド１０の短い１区分が示され
ており、それは、それ自体は既知の方法によって、穿孔
あるいはエッヂされて複数個の抜【フた（ｂｌａｎｋ　
）領域Ｂが作られている。打扱かれた領域Ｂの間に残存
している金属部分Ｍは、それの最も内側の終端において
、それ自体は既知の半導体シリコンＩＣデツプ１１内に
形成されて７− いる回路の電極Ｃとの接続のための導体１５を形成する
ために用いられる。
第１図に示されたように外観的には従来のものとかわら
ない完成したＩＣチップは、ポリマ成型累材１２内にカ
プセル封じされ、外側へそして下方へ延びた複数個の導
体部分１３を有しており、それらの末端部は、使用時に
はプリント回路板中に形成され、相補的に配置された受
容体ソケットへ電気的に接続される。
第２図を参照すると、これは既述の同時係属出願の明細
書により詳細に指摘されているが、導電性部分１５は最
初から中央部の金属パレット１６と一体で形成されてい
るが、後にライン１７−１７にそって切離され、第３図
と第４図に示されたようにその後折り曲げられ、その上
にセラミックコンデンサ２０をとりつけるための支持体
１８．１８が形成される。
セラミック」ンデンサ２０は、従来のものと同じように
端子２１．２２が設けられ、それらは各各コンデンサの
別の電極２３．２４へつながれる。
８− 第３図と第４図かられかるように、はんだづ番プ端子２
５．２６は、それぞれ端子２１．２２を支持台１９．１
８へ機械的及び電気的に固定する。
第３図、第４図から最も良くわかるように、コンデンサ
２０は最上被覆層２７を有しており、それは電極２３．
２４の封人材となっている。この層２７はコンデンサの
本体と同じセラミックでできており、従って高い誘電率
を有していることが叩解されるであろう。銀あるいは同
等の導電性層２８が上部セラミック層２７上に堆積され
る。この層２８は、コンデンサの本体内の最上部電極２
４′とすくなくとも部分的にそろった配置になっている
。このようにコンデンサの内の層２４′ど銀あるいは同
等の導電性被覆２８とは、間にはさんだコンデンサ２０
のセラミック層２７と共に］ンデンサ２０により与えら
れる容量よりも小さい容量の第２のコンデンサを規定す
ることが理解されるであろう。更に電極２４′は端子２
１とはんだ接続２５を通して、導体１５ａへつながる支
持体１９へつながれていることがわかるであろう３電極
２４′、層２７、電極２８で構成されるコンデンサ（こ
の第２のコンデンサを以下では参照番号３０で示すこと
にする）は、ＩＣ装置へつながれた第２の小容量電力供
給を分路するようにつながれ、第２の電力供給を通るパ
ルスの伝達を減衰させる。
第２のコンデンサ３０への効果的接続の好ましいやり方
は以下に述べるが、この回路へのコンデンサの導入の別
の方法が得られることが、当業者には理解されるであろ
う。
図示の場合はシリコンである半導体でできたＩＣデツプ
１１は、コンデンサ３０の上部電極を形成する導電性層
２８へ、図示の場合は金属を充填したエポキシ接着剤で
あるが、同等の導電性接着］ンパウンド層３１によって
接着される。このように、電極２８が半導体デツプ１１
の本体へ、あるいは必要であれば、チップ上に形成され
、チップの裏面で露出して１１３１と電気的に接触して
いる回路部品へ電気的に接続されることがわかるであろ
う。
リードフレームアセンブリの１部分を構成している導体
１５ｂは、例えば第２の電力供給の負電圧を表わしてい
る。ジャンパ導体３３が、端子１５ｂを電極Ｃ′をつな
ぎ、電極Ｃ′はチップ１１への第２の電力供給電極であ
る。第２の電力供給を受【プているＩＣ中の内部回路へ
のアースラインは、ジＶンバ３４で電極Ｃ″へつながれ
たリードフレームアセンブリのアース導体１５ａから与
えられる。既に述べたように、補助的コンデンサ３０の
電極２４′とアース端子１５ａどの間の接続は終端部２
１と支接体１９を通して得られる。
コンデンサ３０の電極を形成する導電層２８は、チップ
内の内部回路を通して直接電極Ｃ′へつながれている。
このように補助的コンデンサ３０が、リードフレームア
センブリの導体１５ｂとアース導体１５ａとの間につな
がれた第２の電力供給入力を分路するように接続されて
いることがわかるであろう。主コンデンサ２０はその終
端部２２をリードフレームアセンブリの支持台１８へつ
ながれており、導体１５Ｇは主電力供給の正の側へつ＝
］］　　へ ながれ、ＩＣデツプ１１の正電極Ｃ″′′ヘジヤンパで
つながれている。主コンデンサの終端部２１は、アース
導体１５ａをっｄがれた支持台１９につながれている。
このように、主コンデンサ２０はＩＣチップと主電力供
給との間に分路されている。
残りのジャンパ導体は通常のように、各種のリードフレ
ーム導体１５とＩＣチップ装置の電極Ｃとの間をつない
でいる。
必要な接続を通常のように施した後に、隣接する導体１
５をつないでいる空間領域Ｓが切離され、各導体１５を
電気的に絶縁する。導体が分離され、リードフレームの
境界部が取除かれた後、導体は折り曲げられて、第１図
の１３で示されたような最終的な形状とされてポリマ成
型体１２の中にカブ廿ル封入される。
完成したＩＣアセンブリはこの時点で使用できる状態と
なる。これまでの説明から、このＩＣアセンブリが、半
導体チップの支持台となるコンデンサを含んでいること
が理解されるであろう。こ１２− のコンデンサの上の誘電体表面は、堆積された外部電極
層とコンデンサの内部最上部電極層と共に第２のコンデ
ンサを形成している。このように、それによる特別な経
済的負担なしで、２つの］ンデンザ部品を有するＩＣチ
ップ装置を得ることができる。それら２つのコンデンサ
とは、装置への主電力供給端子と並列に分路された主コ
ンデンサど、そのコンデンサの誘電上層ど、そのコンデ
ンサの内部最上層電極と堆積された外部金属電極層とに
よって規定される第２のあるいは小容量コンデンサとで
ある。
以上の説明から明らかなように、上述の構成において数
多くの変更が、本発明の範囲がら離れることなく行いう
る。更に詳細には、本発明の主たる貢献は、リードフレ
ームと、リードフレーム中にＩＣチップの支持体として
埋めこまれたセラミックコンデンサとを供給することと
、支持コンデンサの上表面誘電層を最上層内部電極と外
部堆積電極と共に用いて、回路を通してのスイッチング
過渡現象の伝達を阻止するために、２つの電力供給入力
を分路するための２つの別々のコンデンサを供給するこ
ととにある。図示のようなコンデンサへの電気接続を効
果的に行うための特別な装置は一例としてのものど考え
るべきであり、そのような接続を行なうための唯一のも
のと考えられるべきではない。同様に、珀積された外部
金属層を電気的に絶縁し、それによって堆積層の各絶縁
部分がその下の主コンデンサの最上層の電極の同じ位置
部分と共に、分離した容量をなすように付加的なコンデ
ンサを形成することも本発明の範囲に含まれる。従って
、本発明はそのような各種変更を含むように、特許請求
の範囲内で広く解釈されるべぎである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明に従ったＩＣ装置の外観図であって、
外観からは従来の装置と区別できない。 第２図は、コンデンサとＩＣチップとを支持するための
リードフレームとなる。金属ウェアのある長さ区分の拡
大平面図である。 第３図は、本発明に従うＩＣ装置の中間製作段階すなわ
ちカプセル封じの前の状態にお【プる部分的外観図であ
る。 第４図は、リードフレームアセンブリととりつけられた
ＩＣチップの垂直断面図である。 第５図は、ＩＣチップとコンデンサを含む回路の回路図
である。 （参照番号） １０・・・ウェブ　　　　　　１１・・・ＩＣデツプ１
２・・・ポリマ成型体　　　１３・・・導体部１４・・
・導電性部分　　　　１５・・・導電性部分１６・・・
金属パレット　　　１７・・・切離し部分１８・・・支
持体　　　　　　１日・・・支持体２０・・・コンデン
サ　　　　２１・・・端子２２・・・端子　　　　　　
　２３・・・電極２４・・・電極　　　　　　　２４′
・・・最上部電極２５・・・はｌυだ接続　　　　２６
・・・はｌυだ接続２７・・・被覆層　　　　　　２８
・・・導電層３０・・・第２のコンデンサ　３１・・・
接着層３３・・・ジャンパ　　　　　３４・・・ジャン
パ４０・・・ジャンパ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）　金属の格子板であって、 複数個の導体であって、そのうちの１対が間隔を置いた
    終端部を有している、複数個の導体と、コンデンサであ
    って、誘電体本体部分と間隔を置いた内部電極を有し、
    上記間隔を置いた終端部によって機械的に支持された終
    ＠端子を有し、それは電気的には終端部及び別の間隔を
    置いた電極へつながれているコンデンサと、 上記コンデンサの外表面上の導電性物質の層であって、
    上記第１のコンデンサの内部最上層に関して第２のコン
    デンサを規定する導電層と、を含む前記金属の格子板。 （２、特許請求の範囲第１項の金属格子板であって、上
    記導電性物質層の上に半導体物質のＩＣチップがとりつ
    【プられており、上記チップは少なくとも２対の電力供
    給入力を有しており、更に上記入力対の各々を付属のコ
    ンデンサへ分路させるように接続するための装置を有し
    ている前記金属格子板。 （３）　集積回路装置であって、 ポリマ絶縁性物質の成型体と、 上記成型体中に埋込まれた一体化つニブ（Ｗｅｂ）から
    作成された金属の格子板であって、それは上記成型体内
    に、同一面にそろってｊ任積された部分を有する複数個
    の導体を含んでおり、上記導体は上記成型体から外方へ
    延びる電極部分を有しており、上記成型体内の上記導体
    の一対は、上記導体部分の面から離れた位置にある間隔
    を置いた１対のとりつレプ部分を含む支持台を規定する
    、間隔を置いた内部端子終端部を上記成型体中に有して
    おり、上記１対の導体と付属のとりつ（プ部分とは第１
    の電力供給と並列につながれるようになっており、上記
    導体の付加的な１個と上記導体の対の１つとは第２の電
    力供給と並列につながれるようになっている金属の格子
    板と、 コンデンサであって、それは、上記間隔を買いたどりつ
    け部分上に各々支持されそれに電気的に接続された１対
    の電極端子を有し、上記コンデンサは誘電性物質ででき
    た一般的に平面的表面層部分を有し、上記層の露出面が
    とりつけ領域を規定しており、上記コンデンサは、上記
    とりつけ領域と平行に間隔を置いて並んだ内部最上層電
    極を含み、上記電極終端の１つにつながれており、それ
    によって付属のとりつけ領域へ電気的につながれている
    コンデンサと、 上記最上層電極とすくなくとも部分的に位置あわせされ
    た、上記露出面上の導電層と、上記導電層上にとりつけ
    られた半導体物質のＩＣチップであって、第１及び第２
    の電力供給入力対を含んでいるＩＣチップと、 第１の対の回路導体であって、各々上記導体対の各１つ
    ど、電力供給入力の上記第１対の各々とを電気的につな
    いでおり、それによって上記コンデンサが上記第１の電
    力供給電極を分路しているようにする、第１の対の回路
    導体と、 別の回路導体であって、上記回路導体の上記付加的な１
    つを電気的に上記ＩＣチップの電力供給入力の上記第２
    の対の１つへつなぎ、それによって、上記第２の電力供
    給及び電力供給入力の上記第２の対ど並列に、上記上層
    電極、上記コンデンサの上記表面層、上記導電層で規定
    される容量性負荷を形成する別の回路導体と、 の組合ぜを含む前記集積回路装置。 （４）　特許請求の範囲第３項の集積回路装置であって
    、上記ＩＣチップと、上記コンデンサの上記導電層との
    間に挿入された導電性接着層を含み、上記接着層が上記
    チップを上記導電層へ固定するようにしている、前記集
    積回路装置。 （５）　特許請求の範囲第４項の集積回路装置であって
    、上記半導体チップの部分が、上記導体の上記付加的な
    １つど上記接着層との間の導電路の延長を形成している
    、前記集積回路８Ｍ。
JP57125607A 1982-01-15 1982-07-19 リードフレームアセンブリ Granted JPS58124259A (ja)

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SG (1) SG62286G (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6077432A (ja) * 1983-10-05 1985-05-02 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4527185A (en) * 1981-01-12 1985-07-02 Avx Corporation Integrated circuit device and subassembly
JPS5954249A (ja) * 1982-09-22 1984-03-29 Fujitsu Ltd 半導体装置
FR2550009B1 (fr) * 1983-07-29 1986-01-24 Inf Milit Spatiale Aeronaut Boitier de composant electronique muni d'un condensateur
US4534105A (en) * 1983-08-10 1985-08-13 Rca Corporation Method for grounding a pellet support pad in an integrated circuit device
US4595945A (en) * 1983-10-21 1986-06-17 At&T Bell Laboratories Plastic package with lead frame crossunder
US4680613A (en) * 1983-12-01 1987-07-14 Fairchild Semiconductor Corporation Low impedance package for integrated circuit die
JPS60192359A (ja) * 1984-03-14 1985-09-30 Nec Corp 半導体メモリ装置
DE3424876A1 (de) * 1984-07-06 1986-02-06 Telefunken Fernseh Und Rundfunk Gmbh, 3000 Hannover Integrierter schaltkreis
US4714981A (en) * 1986-04-09 1987-12-22 Rca Corporation Cover for a semiconductor package
US5173621A (en) * 1986-06-30 1992-12-22 Fairchild Semiconductor Corporation Transceiver with isolated power rails for ground bounce reduction
US5065224A (en) * 1986-06-30 1991-11-12 Fairchild Semiconductor Corporation Low noise integrated circuit and leadframe
KR960013630B1 (ko) * 1986-06-30 1996-10-10 페어차일드 세미콘덕터 코퍼레이션 집적회로에서의 접지 변동 감소 장치
US4819056A (en) * 1986-07-03 1989-04-04 Delco Electronics Corporation Hybrid thick film circuit device
DE3635375A1 (de) * 1986-10-17 1988-04-28 Heraeus Gmbh W C Systemtraeger fuer elektronische bauelemente
US4744008A (en) * 1986-11-18 1988-05-10 International Business Machines Corporation Flexible film chip carrier with decoupling capacitors
WO1989005034A1 (en) * 1987-11-20 1989-06-01 Magellan Corporation (Australia) Pty. Ltd. Z-folded capacitor construction
US5099306A (en) * 1988-11-21 1992-03-24 Honeywell Inc. Stacked tab leadframe assembly
DE3900512A1 (de) * 1989-01-10 1990-07-19 Tucker Gmbh Bostik Halbleiterbauelement fuer ein schaltnetzteil
US5049979A (en) * 1990-06-18 1991-09-17 Microelectronics And Computer Technology Corporation Combined flat capacitor and tab integrated circuit chip and method
US5219787A (en) * 1990-07-23 1993-06-15 Microelectronics And Computer Technology Corporation Trenching techniques for forming channels, vias and components in substrates
US8352400B2 (en) 1991-12-23 2013-01-08 Hoffberg Steven M Adaptive pattern recognition based controller apparatus and method and human-factored interface therefore
US10361802B1 (en) 1999-02-01 2019-07-23 Blanding Hovenweep, Llc Adaptive pattern recognition based control system and method
JPH06173081A (ja) * 1992-12-03 1994-06-21 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
DE4410212A1 (de) * 1994-03-24 1995-09-28 Telefunken Microelectron Elektronische Baugruppe
DE19520700B4 (de) * 1994-06-09 2004-09-09 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Halbleiterbausteinanordnung
US5877930A (en) * 1997-03-27 1999-03-02 Digital Equipment Corporation Input and output noise reduction circuit
US7904187B2 (en) 1999-02-01 2011-03-08 Hoffberg Steven M Internet appliance system and method
JP2002026251A (ja) * 2000-07-11 2002-01-25 Toshiba Corp 半導体装置
US6683781B2 (en) * 2002-05-23 2004-01-27 Industrial Technology Research Institute Packaging structure with low switching noises
JP4661645B2 (ja) * 2005-03-23 2011-03-30 トヨタ自動車株式会社 パワー半導体モジュール
US20070096269A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-03 Mediatek Inc. Leadframe for semiconductor packages
DE102011002864A1 (de) * 2011-01-19 2012-07-19 Zf Friedrichshafen Ag Leiterplatine und Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatine
US10204737B2 (en) 2014-06-11 2019-02-12 Avx Corporation Low noise capacitors
JP6620404B2 (ja) * 2015-03-03 2019-12-18 Tdk株式会社 電子部品
DE102015106151B4 (de) * 2015-04-22 2019-07-11 Infineon Technologies Ag Leiterplatte mit eingebettetem Leistungshalbleiterchip
CN110098156B (zh) * 2018-01-29 2023-04-18 光宝新加坡有限公司 用于电容耦合隔离器的电容耦合封装结构
US11869727B2 (en) * 2021-08-31 2024-01-09 Kemet Electronics Corporation Device and process for forming membrane type capacitor devices

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5332233B1 (ja) * 1968-12-25 1978-09-07
US3866311A (en) * 1971-06-14 1975-02-18 Nat Semiconductor Corp Method of providing electrically isolated overlapping metallic conductors
US3942245A (en) * 1971-11-20 1976-03-09 Ferranti Limited Related to the manufacture of lead frames and the mounting of semiconductor devices thereon
US4079511A (en) * 1976-07-30 1978-03-21 Amp Incorporated Method for packaging hermetically sealed integrated circuit chips on lead frames
US4200880A (en) * 1978-03-28 1980-04-29 Microwave Semiconductor Corp. Microwave transistor with distributed output shunt tuning
US4210885A (en) * 1978-06-30 1980-07-01 International Business Machines Corporation Thin film lossy line for preventing reflections in microcircuit chip package interconnections
US4234666A (en) * 1978-07-26 1980-11-18 Western Electric Company, Inc. Carrier tapes for semiconductor devices
US4249196A (en) * 1978-08-21 1981-02-03 Burroughs Corporation Integrated circuit module with integral capacitor
FR2456388A1 (fr) * 1979-05-10 1980-12-05 Thomson Brandt Microboitier de circuit electronique, et circuit hybride comportant un tel microboitier
JPS568854A (en) * 1979-07-04 1981-01-29 Mitsubishi Electric Corp Package for semiconductor device
US4303934A (en) * 1979-08-30 1981-12-01 Burr-Brown Research Corp. Molded lead frame dual in line package including a hybrid circuit
DE3001613C2 (de) * 1980-01-17 1986-04-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Befestigung eines, eine monolithisch integrierte Halbleiterschaltung enthaltenden Halbleiterkörpers aus Silicium an einer Unterlage mit einem entsprechenden Verfahren hierzu

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6077432A (ja) * 1983-10-05 1985-05-02 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CA1180824A (en) 1985-01-08
FR2521780A1 (fr) 1983-08-19
US4454529A (en) 1984-06-12
JPS6352781B2 (ja) 1988-10-20
SG62286G (en) 1987-03-27
GB2113908B (en) 1985-12-04
GB2113908A (en) 1983-08-10
FR2521780B1 (fr) 1987-03-20
DE3234668A1 (de) 1983-07-21
HK83786A (en) 1986-11-14

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