DE3635375A1 - Systemtraeger fuer elektronische bauelemente - Google Patents

Systemtraeger fuer elektronische bauelemente

Info

Publication number
DE3635375A1
DE3635375A1 DE19863635375 DE3635375A DE3635375A1 DE 3635375 A1 DE3635375 A1 DE 3635375A1 DE 19863635375 DE19863635375 DE 19863635375 DE 3635375 A DE3635375 A DE 3635375A DE 3635375 A1 DE3635375 A1 DE 3635375A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
island
central part
contact fingers
component
system carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19863635375
Other languages
English (en)
Other versions
DE3635375C2 (de
Inventor
Metin Dr Ersoy
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WC Heraus GmbH and Co KG
Original Assignee
WC Heraus GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WC Heraus GmbH and Co KG filed Critical WC Heraus GmbH and Co KG
Priority to DE19863635375 priority Critical patent/DE3635375A1/de
Publication of DE3635375A1 publication Critical patent/DE3635375A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3635375C2 publication Critical patent/DE3635375C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft einen Systemträger für mit Gehäuse versehene elektro­ nische Bauelemente, insbesondere integrierte Halbleiter-Bauelemente, bei denen das Bauelement auf einem von wenigstens zwei Streben gehaltenen Mittenteil angeordnet ist und über Kontaktfinger mit durch das Gehäuse geführten Außen­ kontakten elektrisch verbunden ist sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.
Aus EP-OS 58 761 ist ein Systemträger für mit Kunststoff umhüllte elektrische Bauelemente bekannt, bei dem das Bauelement auf dem ganz oder teilweise aus einer Aluminiumlegierung bestehenden Systemträger aufgebracht ist. Der System­ träger besteht aus einem Rahmen, der über zwei Stege mit einem zur Aufnahme des Bauelements vorgesehenen Mittenteil verbunden ist, wobei der Rahmen eine Viel­ zahl von strahlenförmig auf das Mittenteil ausgerichteten Kontaktfingern auf­ weist. Die das Mittenteil haltenden Stege sind jeweils so abgewinkelt, daß die Oberfläche des Mittenteils etwas tiefer als die Ebene des Rahmens und der Finger liegt.
Durch die Grundfläche des Mittenteils und die Länge der Kontaktfinger ist die Verwendung eines solchen Systemträgers auf ein ganz bestimmtes Bauelement­ format beschränkt. Der Einsatz von Bauelementen anderer Formate erfordert dabei ein neues Stanzwerkzeug, um passende Systemträger herzustellen. Dabei erweist es sich als nachteilig, daß die Herstellung derartiger Stanzwerkzeuge verhältnismäßig zeitaufwendig und kostenspielig ist.
Die Erfindung stellt sich die Aufgabe, einen Systemträger zu schaffen, der zur Aufnahme von Bauelementen verschiedener Formate geeignet ist sowie ein Ver­ fahren zu seiner Herstellung anzugeben.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des An­ spruchs 1 und des Anspruchs 8 gelöst.
Als besonders vorteilhaft erweist es sich, daß die Trägerinsel durch Material und Gestaltung den gegebenen Anforderungen genügen kann; so ist es beispiels­ weise möglich, durch Einsatz hochwärmeleitfähiger Materialien der Trägerinsel eine vorgegebene Kühleigenschaft zukommen zu lassen. Weiterhin können elek­ trisch isolierende Stoffe eingesetzt werden, um die Gefahr von irgendwelchen Kurzschlüssen zu vermeiden. Die Anpassung von Bauelementen verschiedener Höhen kann durch Variation der Schichtstärke der Trägerinsel erfolgen.
Als vorteilhaft erweist sich nach dem erfindungsgemäßen Verfahren die Auftei­ lung in zwei Verfahrensabschnitte, von denen der erste Verfahrensabschnitt eine hohe Präzision erfordert und mit einem standardmäßigen Werkzeug durchge­ führt wird, während der zweite Verfahrensabschnitt lediglich eine Anpassungs­ funktion zu erfüllen hat, die mit verhältnismäßig geringen Werkzeugkosten ver­ bunden ist.
Im folgenden ist der Gegenstand der Erfindung anhand der Fig. 1 bis 5 näher erläutert.
Fig. 1 zeigt in der Draufsicht ein erfindungsgemäßes Trägersystem, welches bereits mit der Trägerinsel versehen ist;
Fig. 2a zeigt einen Längsschnitt durch die mit A, B bezeichnete Schnittfläche in Fig. 1, während Fig. 2b einen Querschnitt entlang der Fläche C, D gemäß Fig. 1 darstellt.
Die Fig. 3a und 3b entsprechen den Fig. 2a, 2b, wobei jedoch das elek­ tronische Bauelement in die Darstellung aufgenommen wurde. Fig. 4a zeigt ein Trägersystem, bei dem das Mittenteil durch vier Streben gehalten wird. Fig. 4b zeigt einen Querschnitt entlang der mit E - F - G - H bezeichneten Schnittfläche; in Fig. 4c ist schematisch der Einsatz zweier Bauelemente unterschiedlicher Größe dargestellt, Fig. 5 zeigt schematisch eine Klebe­ verbindung zwischen Mittenteil und Trägerinsel.
Gemäß Fig. 1 besteht das Trägersystem aus einem Rahmen 1, der jeweils zwei sich gegenüberliegende Seitenstreifen 1′ aufweist, die durch quer zu ihnen verlaufende Stege, die als Verbindungen zwischen den einzelnen Kontakt­ fingern 2 dienen, miteinander verbunden sind. Im Zentrum des Rahmens 1 ist ein Mittenteil 3 angeordnet, welches durch Streben 4 mit den Seitenstreifen 1′ des Rahmens 1 verbunden ist. Mit dem Mittenteil 3 ist die ebenfalls zentrisch auf­ gebrachte Trägerinsel 5 fest verbunden. Auf die Trägerinsel 5 sind die Spitzen 2′ der Kontaktfinger 2 mit Abstand strahlenförmig gerichtet. Die Spitzen 2′ der Kontaktfinger können als Kontaktfahnen für die sogenannten Bonddrähte zwecks Anschluß des elektronischen Bausteines mit besonderen Bond­ schichten versehen sein, wie sie beispielsweise aus der DE-PS 24 19 157 bekannt sind.
Fig. 2a zeigt einen Längsschnitt entlang einer durch die Linie A, B darge­ stellten Schnittfläche gemäß Fig. 1. Ausgehend von den beiden Rändern 1′ sind die Streben 4 erkennbar, welche jeweils aus zwei horizontal verlaufenden Teil­ stücken 4′ bestehen, welche durch ein schräg verlaufendes Teilstück 4′′ unter­ brochen sind. Nach Fig. 2a gehen die unteren Teilstücke 4′ in das Mitten­ teil 3 über. Auf dem Mittenteil 3 und den horizontal verlaufenden Streben 4′ ist die Trägerinsel 5 aufgebracht. Sie wird vorzugsweise aufgeklebt, es ist jedoch auch möglich, sie durch Löten oder Schweißen aufzubringen. Oberhalb der Trägerinsel 5 sind die Kontaktfinger 2 mit ihren Kontaktspitzen 2′ erkennbar, die in der gleichen Ebene liegen wie die oberen vertikalen Streben 4′. Durch Einsatz von Trägerinseln verschiedener Schichtstärken läßt sich jeweils eine der Höhe des Bauelements angepaßte Kontakthöhe erzielen, so daß alle Lötstel­ len des Bauelements und des Systemträgers auf gleicher Höhe liegen.
In diesem Zusammenhang wird auf die Fig. 3a und 3b verwiesen, in denen schematisch die Aufnahme des Bauelements dargestellt ist.
Gemäß Fig. 3a ist das elektronische Bauelement 6 mit der Trägerinsel 5 bei­ spielsweise durch Verkleben fest verbunden. Es kann jedoch auch mit Hilfe einer formschlüssigen Verbindung auf der Trägerinsel angeordnet sein. An der Oberseite des Bauelements 6 sind die Bonddrähte 7 angeordnet, welche die elek­ trische Verbindung zwischen den Kontakten des Bauelements und den Spitzen der Kontaktfinger herstellen. Die der Fig. 2b entsprechende Fig. 3b zeigt das bereits fertig in den Träger eingesetzte Bauelement mit Gehäuseummantelung, wobei insbesondere die Verbindung zwischen Bauelement und Kontaktfingern 2 durch die Bonddrähte 7 erkennbar ist. Die Zwischenstege 1′′ sowie die Rahmen­ teile 1′ sind entfernt, die nach außen geführten Kontaktfinger zwecks Sockelung nach unten weggebogen.
Ein weiteres erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel ist anhand der Fig. 4 er­ läutert, welche ein durch vier Streben 4 gehaltenes Mittenteil 3 aufweist. Fig. 4a zeigt eine Draufsicht, während Fig. 4b einen Querschnitt längs der Linien E, F, G, H darstellt; Fig. 4c zeigt in einer zweigeteilten Figur schematisch die Aufbringung einer großen und einer kleinen Trägerinsel.
Gemäß Fig. 4a wird das Mittenteil 3 von vier diagonal angeordneten Streben 4 gehalten. Der Querschnittsverlauf entlang der Linien E, F, G, H ist sinngemäß dem aus Fig. 2a bekannten Verlauf entsprechend gestaltet, so daß die dem Mit­ tenteil 3 benachbarten Bereiche der Streben 4′ horizontal verlaufen; die ab­ geschrägten Bereiche 4′′ sind so weit auseinander angeordnet, daß Träger­ inseln 5 verschiedener Formate auf dem Mittenteil untergebracht werden können, ohne an die Schrägteile 4′′ der Streben 4 zu stoßen. Fig. 4b stellt zwecks besserer Übersicht den rein schematischen Querschnitt ohne Berücksichtigung des Hintergrundes dar. Fig. 4c zeigt in einem Ausschnitt des Mittenteils in der rechten Bildhälfte die Aufbringung einer verhältnismäßig kleinen Träger­ insel 5′, während in der linken Bildhälfte die Aufbringung einer großen Insel 5′′ dargestellt ist. In der rechten Hälfte ist erkennbar, daß die Spitzen 2′ der Kontaktfinger 2 verhältnismäßig weit in das Zentrum vorstoßen, um bei der kleinen Trägerinsel 5′ eine möglichst kurze Überleitung zwischen Bauelement und Kontaktfingern durch Bonddrähte zu erzielen. In der linken Bildhälfte der Fig. 4c ist dagegen die Verkürzung der Spitzen der Kontakt­ finger erkennbar, da diese ansonsten auf das Bauelement 5′′ stoßen würden. Das formatgerechte Zuschneiden der Kontaktfinger 2 kann beispielsweise durch Stanzen erfolgen.
Die in den Fig. 4a bis 4c dargestellte Halterung des Mittenteils durch vier Streben ist für die erfindungsgemäße Aufbringung einer Trägerinsel ganz besonders gut geeignet, da hier keine Verdrehung auf der Strebe auftreten kann. Auch bei dieser Anordnung würden nach Fertigstellung die zwischen den Kontaktfingern 2 angeordneten Stege 1′′, wie bereits oben beschrieben, durch Stanzen entfernt.
Als Material für den Systemträger können ebenso wie als Material für die Trägerinsel Eisenlegierungen, Kupferlegierungen oder Aluminium bzw. Aluminium­ legierungen in Frage kommen. Um irgendwelchen Kurzschlußgefahren vorzubeugen, kann die Trägerinsel jedoch auch aus Aluminiumnitrid, Graphit oder Silizium gefertigt sein, welche neben einer guten Wärmeleitfähigkeit eine gute elek­ trische Isolation bis zu hohen Temperaturen aufweisen. Im Hinblick auf einen hohen Automatisierungsgrad der Fertigung kann es sich als zweckmäßig erweisen, die Trägerinsel vor ihrer Verbindung mit dem Mittenteil mit dem aufzubringen­ den Bauelement zu bestücken.
Als besonders zweckmäßig hat sich die in Fig. 5 schematisch dargestellte Ver­ klebung von Trägerinsel und Mittenteil erwiesen. Zwischen Trägerinsel 5 und Mittenteil ist der mit Ziffer 8 bezeichnete Kleber erkennbar; es handelt sich dabei um einen härtbaren Kunststoff, der vorzugsweise auf der Basis eines Epoxids als Zweikomponentenkleber eingesetzt wird. Als besonders geeignet hat sich dabei der Zusatz von Keramikpulver zum Kleber erwiesen, weil dadurch Haftfähigkeit und Wärmeleitfähigkeit verbessert werden und unterschiedliche Wärmeausdehnungskoeffizienten von Trägerinsel und Mittenteil ausgeglichen werden.
Weiterhin ist es möglich, die Trägerinsel durch eine formschlüssige Verbindung mit dem Mittenteil zu verbinden; dabei können in Ausnehmungen des Mittenteils greifende, arretierbare Elemente der Trägerinsel, wie beispielsweise Nocken, eingesetzt werden.
Eine solche Ausführungsform hat sich insbesondere bei einer Trägerinsel aus Keramikmaterial als zweckmäßig erwiesen.
Weiterhin ist es möglich, Trägerinsel und Mittenteil miteinander zu verlöten bzw. zu verschweißen, sofern die Trägerinsel aus Metall besteht bzw. eine metallisierte Oberfläche aufweist. Als besonders vorteilhaft hat sich neben der Verklebung der Einsatz einer Silber- oder Goldflocken enthaltenden Lötpaste erwiesen, die nach ihrer Einbringung in einem Durchlaufofen mit einer Temperatur von ca. 300°C behandelt wird.

Claims (12)

1. Systemträger für mit Gehäuse versehene elektronische Bauelemente, insbe­ sondere integrierte Halbleiter-Bauelemente, bei denen das Bauelement auf einem von wenigstens zwei Streben gehaltenen Mittenteil angeordnet ist und über Kontaktfinger mit durch das Gehäuse geführten Außenkontakten elektrisch verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Mittenteil (3) mit einer Trägerinsel (5) zur Aufnahme des Bauelements (6) fest verbunden ist, wobei die Grundfläche des Mittenteils (3) kleiner ist als die der Trägerinsel (5).
2. Systemträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Träger­ insel (5) plattenförmig ausgebildet ist und daß das Verhältnis der Schichtstärken von Trägerinsel (5) zu Mittenteil (3) im Bereich von 1 bis 5 liegt.
3. Systemträger nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der Trägerinsel (5) bei 20°C eine Wärmeleitfähigkeit aufweist, die zwischen 50 und 500 W/mk liegt.
4. Systemträger nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der Trägerinsel (5) einen höheren Wärmeleitungs-Koeffizienten aufweist als das Material des Mittenteils (3).
5. Systemträger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Trägerinsel (5) wenigstens teilweise aus elektrisch isolierendem Material besteht.
6. Systemträger nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerinsel (5) wenigstens teilweise aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung besteht.
7. Systemträger nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerinsel (5) wenigstens teilweise aus Kupfer oder einer Kupferlegierung besteht.
8. Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers nach Anspruch 1, nach dem durch Stege miteinander verbundene Kontaktfinger ausgestanzt werden, welche in Form eines Rahmens ein Mittenteil umfassen, das durch wenigstens zwei Streben mit dem Rahmen verbunden ist, wobei die Streben so abge­ winkelt werden, daß das Mittenteil in einer anderen Ebene liegt als die Kontaktfinger, dadurch gekennzeichnet, daß die Spitzen (2′) der Kontakt­ finger (2) auf den für das aufzubringende Bauelement (6) erforderlichen Bondabstand gekürzt und in einer Ebene ausgerichtet werden und daß an­ schließend eine Trägerinsel (5) zur Aufnahme des Bauelements (6) auf das Mittenteil (3) so aufgebracht wird, daß sie sich zwischen der Ebene der Kontaktfinger (2) und der Ebene des Mittenteils (3) befindet.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakt­ finger (2) durch Stanzen verkürzt werden.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakt­ finger (2) nach dem Stanzen an ihren Spitzen (2′) mit einer Bondschicht versehen werden.
11. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerinsel (5) mit dem Mittenteil (3) verklebt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerinsel (5) vor dem Aufbringen auf das Mittenteil (3) mit dem Bauelement (6) verbunden wird.
DE19863635375 1986-10-17 1986-10-17 Systemtraeger fuer elektronische bauelemente Granted DE3635375A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19863635375 DE3635375A1 (de) 1986-10-17 1986-10-17 Systemtraeger fuer elektronische bauelemente

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19863635375 DE3635375A1 (de) 1986-10-17 1986-10-17 Systemtraeger fuer elektronische bauelemente

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3635375A1 true DE3635375A1 (de) 1988-04-28
DE3635375C2 DE3635375C2 (de) 1988-07-21

Family

ID=6311928

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19863635375 Granted DE3635375A1 (de) 1986-10-17 1986-10-17 Systemtraeger fuer elektronische bauelemente

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3635375A1 (de)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5309019A (en) * 1993-02-26 1994-05-03 Motorola, Inc. Low inductance lead frame for a semiconductor package
US5334872A (en) * 1990-01-29 1994-08-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Encapsulated semiconductor device having a hanging heat spreading plate electrically insulated from the die pad
DE4424549A1 (de) * 1993-07-12 1995-01-19 Korea Electronics Telecomm Verfahren zum Gehäusen eines Leistungshalbleiterbauelements und durch dieses Verfahren hergestelltes Gehäuse
DE19526010A1 (de) * 1995-07-17 1997-01-23 Siemens Ag Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
US6149223A (en) * 1997-07-02 2000-11-21 Daimlerchrysler Ag Lowerable rear window for a folding roof
DE10103091A1 (de) * 2001-01-24 2002-08-01 Ecolab Gmbh & Co Ohg Verfahren zur Herstellung, Förderung und Dosierung einer Lösung und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US6870245B1 (en) 1997-01-22 2005-03-22 Siemens Aktiengesellschaft Electric component with an integrated circuit mounted on an island of a lead frame
US7287536B2 (en) * 1998-12-16 2007-10-30 Bsh Bosch Und Siemens Hausgeraete Gmbh Heater for heating the dishwashing liquid in a dishwasher

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4041346B4 (de) * 1990-12-21 2005-10-06 Infineon Technologies Ag Standard-Kunststoffgehäuse mit darin verkapselten Halbleiterchips
JP2608192B2 (ja) * 1991-04-26 1997-05-07 三菱電機株式会社 リードフレーム
DE4116321A1 (de) * 1991-05-16 1991-11-28 Ermic Gmbh Verfahren zur selektiven haeusung von sensor-halbleiterbauelementen in chip-on -boardtechnik

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2419157A1 (de) * 1974-04-20 1975-10-30 Heraeus Gmbh W C Metallischer traeger fuer halbleiterbauelemente
EP0058761A2 (de) * 1981-02-19 1982-09-01 Siemens Aktiengesellschaft Systemträger für mit Kunststoff umhüllte elektrische Bauelemente
DE3234668A1 (de) * 1982-01-15 1983-07-21 AVX Corp.,(n.d.Ges.d.Staates Delaware), 11022 Great Neck, N.Y. Ic-bauteil mit eigendaempfung fuer eine vielzahl von zuleitungen
US4482913A (en) * 1982-02-24 1984-11-13 Westinghouse Electric Corp. Semiconductor device soldered to a graphite substrate
EP0153618A2 (de) * 1984-02-24 1985-09-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zur Herstellung eines hochwärmeleitenden Substrates und Kupferleiterblech verwendbar in diesem Verfahren
DD231166A1 (de) * 1984-04-06 1985-12-18 Erfurt Mikroelektronik Verfahren zum verkappen von halbleiterbauelementen

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2419157A1 (de) * 1974-04-20 1975-10-30 Heraeus Gmbh W C Metallischer traeger fuer halbleiterbauelemente
EP0058761A2 (de) * 1981-02-19 1982-09-01 Siemens Aktiengesellschaft Systemträger für mit Kunststoff umhüllte elektrische Bauelemente
DE3234668A1 (de) * 1982-01-15 1983-07-21 AVX Corp.,(n.d.Ges.d.Staates Delaware), 11022 Great Neck, N.Y. Ic-bauteil mit eigendaempfung fuer eine vielzahl von zuleitungen
US4482913A (en) * 1982-02-24 1984-11-13 Westinghouse Electric Corp. Semiconductor device soldered to a graphite substrate
EP0153618A2 (de) * 1984-02-24 1985-09-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zur Herstellung eines hochwärmeleitenden Substrates und Kupferleiterblech verwendbar in diesem Verfahren
DD231166A1 (de) * 1984-04-06 1985-12-18 Erfurt Mikroelektronik Verfahren zum verkappen von halbleiterbauelementen

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IBM-Technical Disclosure Bulletin, Bd. 17, Nr. 7, Dez. 1974, S. 1893 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5334872A (en) * 1990-01-29 1994-08-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Encapsulated semiconductor device having a hanging heat spreading plate electrically insulated from the die pad
US5309019A (en) * 1993-02-26 1994-05-03 Motorola, Inc. Low inductance lead frame for a semiconductor package
DE4424549A1 (de) * 1993-07-12 1995-01-19 Korea Electronics Telecomm Verfahren zum Gehäusen eines Leistungshalbleiterbauelements und durch dieses Verfahren hergestelltes Gehäuse
DE19526010A1 (de) * 1995-07-17 1997-01-23 Siemens Ag Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE19526010B4 (de) * 1995-07-17 2005-10-13 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauelement
US6870245B1 (en) 1997-01-22 2005-03-22 Siemens Aktiengesellschaft Electric component with an integrated circuit mounted on an island of a lead frame
US6149223A (en) * 1997-07-02 2000-11-21 Daimlerchrysler Ag Lowerable rear window for a folding roof
US7287536B2 (en) * 1998-12-16 2007-10-30 Bsh Bosch Und Siemens Hausgeraete Gmbh Heater for heating the dishwashing liquid in a dishwasher
DE10103091A1 (de) * 2001-01-24 2002-08-01 Ecolab Gmbh & Co Ohg Verfahren zur Herstellung, Förderung und Dosierung einer Lösung und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

Also Published As

Publication number Publication date
DE3635375C2 (de) 1988-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005049687B4 (de) Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad und Verfahren zur Herstellung
DE1489781A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelementes und nach diesem Verfahren hergestelltes Bauelement
DE4220966C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Trägerplatte für elektrische Bauteile
DE102016112289B4 (de) Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung desselben
DE19756185A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Anordnung aus Verbindungskontakten für IC-Chips
EP0292848B1 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung des Moduls
DE2815776A1 (de) Halbleiterbauelement mit einer elektrisch und thermisch leitenden tragplatte
EP0464232B1 (de) Lötverbinder und Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltung mit diesem Lötverbinder
DE3635375C2 (de)
DE102012212968A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil mit elektrisch isolierendem element
DE102014114808A1 (de) Elektronikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls
WO1999044234A1 (de) Leadframevorrichtung und entsprechendes herstellungsverfahren
DE2639979B2 (de) Halbleiterbaueinheit
DE102014010373A1 (de) Elektronisches Modul für ein Kraftfahrzeug
EP1595287B1 (de) Elektronisches bauteil mit halbleiterchip und verfahren zur herstellung desselben
DE19822794C1 (de) Mehrfachnutzen für elektronische Bauelemente, insbesondere akustische Oberflächenwellen-Bauelemente
DE10157362B4 (de) Leistungsmodul und Verfahren zu seiner Herstellung
DE4201931C1 (de)
DE2536957A1 (de) Elektronisches bauelement
DE102014206606A1 (de) Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements auf einem Substrat
DE2439670A1 (de) Elektrische schaltungsanordnung mit einem substrat und mit darauf aufgebrachten elektrischen bauelementen sowie verfahren zur herstellung einer solchen schaltungsanordnung
EP0785563A1 (de) Verfahren zum Befestigen eines ersten Teils aus Metall oder Keramik an einem zweiten Teil aus Metall oder Keramik
DE3931551A1 (de) Verfahren zum herstellen eines mehrschichtigen, kupfer- und keramikschichten aufweisenden substrates
DE3020466A1 (de) Sammelschiene mit mindestens einem paar langgestreckter, zueinander parallel gefuehrter leiter und verfahren zur herstellung einer solchen sammelschiene
DE10333840A1 (de) Halbleiterbauteil mit einem Kunststoffgehäuse, das eine Umverdrahrungsstruktur aufweist und Verfahren zu deren Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee