DE3635375A1 - Systemtraeger fuer elektronische bauelemente - Google Patents
Systemtraeger fuer elektronische bauelementeInfo
- Publication number
- DE3635375A1 DE3635375A1 DE19863635375 DE3635375A DE3635375A1 DE 3635375 A1 DE3635375 A1 DE 3635375A1 DE 19863635375 DE19863635375 DE 19863635375 DE 3635375 A DE3635375 A DE 3635375A DE 3635375 A1 DE3635375 A1 DE 3635375A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- island
- central part
- contact fingers
- component
- system carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Systemträger für mit Gehäuse versehene elektro
nische Bauelemente, insbesondere integrierte Halbleiter-Bauelemente, bei denen
das Bauelement auf einem von wenigstens zwei Streben gehaltenen Mittenteil
angeordnet ist und über Kontaktfinger mit durch das Gehäuse geführten Außen
kontakten elektrisch verbunden ist sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.
Aus EP-OS 58 761 ist ein Systemträger für mit Kunststoff umhüllte elektrische
Bauelemente bekannt, bei dem das Bauelement auf dem ganz oder teilweise aus
einer Aluminiumlegierung bestehenden Systemträger aufgebracht ist. Der System
träger besteht aus einem Rahmen, der über zwei Stege mit einem zur Aufnahme des
Bauelements vorgesehenen Mittenteil verbunden ist, wobei der Rahmen eine Viel
zahl von strahlenförmig auf das Mittenteil ausgerichteten Kontaktfingern auf
weist. Die das Mittenteil haltenden Stege sind jeweils so abgewinkelt, daß die
Oberfläche des Mittenteils etwas tiefer als die Ebene des Rahmens und der
Finger liegt.
Durch die Grundfläche des Mittenteils und die Länge der Kontaktfinger ist die
Verwendung eines solchen Systemträgers auf ein ganz bestimmtes Bauelement
format beschränkt. Der Einsatz von Bauelementen anderer Formate erfordert
dabei ein neues Stanzwerkzeug, um passende Systemträger herzustellen. Dabei
erweist es sich als nachteilig, daß die Herstellung derartiger Stanzwerkzeuge
verhältnismäßig zeitaufwendig und kostenspielig ist.
Die Erfindung stellt sich die Aufgabe, einen Systemträger zu schaffen, der zur
Aufnahme von Bauelementen verschiedener Formate geeignet ist sowie ein Ver
fahren zu seiner Herstellung anzugeben.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des An
spruchs 1 und des Anspruchs 8 gelöst.
Als besonders vorteilhaft erweist es sich, daß die Trägerinsel durch Material
und Gestaltung den gegebenen Anforderungen genügen kann; so ist es beispiels
weise möglich, durch Einsatz hochwärmeleitfähiger Materialien der Trägerinsel
eine vorgegebene Kühleigenschaft zukommen zu lassen. Weiterhin können elek
trisch isolierende Stoffe eingesetzt werden, um die Gefahr von irgendwelchen
Kurzschlüssen zu vermeiden. Die Anpassung von Bauelementen verschiedener Höhen
kann durch Variation der Schichtstärke der Trägerinsel erfolgen.
Als vorteilhaft erweist sich nach dem erfindungsgemäßen Verfahren die Auftei
lung in zwei Verfahrensabschnitte, von denen der erste Verfahrensabschnitt
eine hohe Präzision erfordert und mit einem standardmäßigen Werkzeug durchge
führt wird, während der zweite Verfahrensabschnitt lediglich eine Anpassungs
funktion zu erfüllen hat, die mit verhältnismäßig geringen Werkzeugkosten ver
bunden ist.
Im folgenden ist der Gegenstand der Erfindung anhand der Fig. 1 bis 5 näher
erläutert.
Fig. 1 zeigt in der Draufsicht ein erfindungsgemäßes Trägersystem, welches
bereits mit der Trägerinsel versehen ist;
Fig. 2a zeigt einen Längsschnitt durch die mit A, B bezeichnete Schnittfläche
in Fig. 1, während Fig. 2b einen Querschnitt entlang der
Fläche C, D gemäß Fig. 1 darstellt.
Die Fig. 3a und 3b entsprechen den Fig. 2a, 2b, wobei jedoch das elek
tronische Bauelement in die Darstellung aufgenommen wurde. Fig. 4a zeigt ein
Trägersystem, bei dem das Mittenteil durch vier Streben gehalten wird.
Fig. 4b zeigt einen Querschnitt entlang der mit E - F - G - H bezeichneten
Schnittfläche; in Fig. 4c ist schematisch der Einsatz zweier Bauelemente
unterschiedlicher Größe dargestellt, Fig. 5 zeigt schematisch eine Klebe
verbindung zwischen Mittenteil und Trägerinsel.
Gemäß Fig. 1 besteht das Trägersystem aus einem Rahmen 1, der jeweils zwei
sich gegenüberliegende Seitenstreifen 1′ aufweist, die durch quer zu ihnen
verlaufende Stege, die als Verbindungen zwischen den einzelnen Kontakt
fingern 2 dienen, miteinander verbunden sind. Im Zentrum des Rahmens 1 ist ein
Mittenteil 3 angeordnet, welches durch Streben 4 mit den Seitenstreifen 1′ des
Rahmens 1 verbunden ist. Mit dem Mittenteil 3 ist die ebenfalls zentrisch auf
gebrachte Trägerinsel 5 fest verbunden. Auf die Trägerinsel 5 sind die
Spitzen 2′ der Kontaktfinger 2 mit Abstand strahlenförmig gerichtet. Die
Spitzen 2′ der Kontaktfinger können als Kontaktfahnen für die sogenannten
Bonddrähte zwecks Anschluß des elektronischen Bausteines mit besonderen Bond
schichten versehen sein, wie sie beispielsweise aus der DE-PS 24 19 157
bekannt sind.
Fig. 2a zeigt einen Längsschnitt entlang einer durch die Linie A, B darge
stellten Schnittfläche gemäß Fig. 1. Ausgehend von den beiden Rändern 1′ sind
die Streben 4 erkennbar, welche jeweils aus zwei horizontal verlaufenden Teil
stücken 4′ bestehen, welche durch ein schräg verlaufendes Teilstück 4′′ unter
brochen sind. Nach Fig. 2a gehen die unteren Teilstücke 4′ in das Mitten
teil 3 über. Auf dem Mittenteil 3 und den horizontal verlaufenden Streben 4′
ist die Trägerinsel 5 aufgebracht. Sie wird vorzugsweise aufgeklebt, es ist
jedoch auch möglich, sie durch Löten oder Schweißen aufzubringen. Oberhalb der
Trägerinsel 5 sind die Kontaktfinger 2 mit ihren Kontaktspitzen 2′ erkennbar,
die in der gleichen Ebene liegen wie die oberen vertikalen Streben 4′. Durch
Einsatz von Trägerinseln verschiedener Schichtstärken läßt sich jeweils eine
der Höhe des Bauelements angepaßte Kontakthöhe erzielen, so daß alle Lötstel
len des Bauelements und des Systemträgers auf gleicher Höhe liegen.
In diesem Zusammenhang wird auf die Fig. 3a und 3b verwiesen, in denen
schematisch die Aufnahme des Bauelements dargestellt ist.
Gemäß Fig. 3a ist das elektronische Bauelement 6 mit der Trägerinsel 5 bei
spielsweise durch Verkleben fest verbunden. Es kann jedoch auch mit Hilfe
einer formschlüssigen Verbindung auf der Trägerinsel angeordnet sein. An der
Oberseite des Bauelements 6 sind die Bonddrähte 7 angeordnet, welche die elek
trische Verbindung zwischen den Kontakten des Bauelements und den Spitzen der
Kontaktfinger herstellen. Die der Fig. 2b entsprechende Fig. 3b zeigt das
bereits fertig in den Träger eingesetzte Bauelement mit Gehäuseummantelung,
wobei insbesondere die Verbindung zwischen Bauelement und Kontaktfingern 2
durch die Bonddrähte 7 erkennbar ist. Die Zwischenstege 1′′ sowie die Rahmen
teile 1′ sind entfernt, die nach außen geführten Kontaktfinger zwecks
Sockelung nach unten weggebogen.
Ein weiteres erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel ist anhand der Fig. 4 er
läutert, welche ein durch vier Streben 4 gehaltenes Mittenteil 3 aufweist.
Fig. 4a zeigt eine Draufsicht, während Fig. 4b einen Querschnitt längs der
Linien E, F, G, H darstellt; Fig. 4c zeigt in einer zweigeteilten Figur
schematisch die Aufbringung einer großen und einer kleinen Trägerinsel.
Gemäß Fig. 4a wird das Mittenteil 3 von vier diagonal angeordneten Streben 4
gehalten. Der Querschnittsverlauf entlang der Linien E, F, G, H ist sinngemäß
dem aus Fig. 2a bekannten Verlauf entsprechend gestaltet, so daß die dem Mit
tenteil 3 benachbarten Bereiche der Streben 4′ horizontal verlaufen; die ab
geschrägten Bereiche 4′′ sind so weit auseinander angeordnet, daß Träger
inseln 5 verschiedener Formate auf dem Mittenteil untergebracht werden können,
ohne an die Schrägteile 4′′ der Streben 4 zu stoßen. Fig. 4b stellt zwecks
besserer Übersicht den rein schematischen Querschnitt ohne Berücksichtigung
des Hintergrundes dar. Fig. 4c zeigt in einem Ausschnitt des Mittenteils in
der rechten Bildhälfte die Aufbringung einer verhältnismäßig kleinen Träger
insel 5′, während in der linken Bildhälfte die Aufbringung einer großen
Insel 5′′ dargestellt ist. In der rechten Hälfte ist erkennbar, daß die
Spitzen 2′ der Kontaktfinger 2 verhältnismäßig weit in das Zentrum vorstoßen,
um bei der kleinen Trägerinsel 5′ eine möglichst kurze Überleitung zwischen
Bauelement und Kontaktfingern durch Bonddrähte zu erzielen. In der linken
Bildhälfte der Fig. 4c ist dagegen die Verkürzung der Spitzen der Kontakt
finger erkennbar, da diese ansonsten auf das Bauelement 5′′ stoßen würden. Das
formatgerechte Zuschneiden der Kontaktfinger 2 kann beispielsweise durch
Stanzen erfolgen.
Die in den Fig. 4a bis 4c dargestellte Halterung des Mittenteils durch vier
Streben ist für die erfindungsgemäße Aufbringung einer Trägerinsel ganz
besonders gut geeignet, da hier keine Verdrehung auf der Strebe auftreten
kann. Auch bei dieser Anordnung würden nach Fertigstellung die zwischen den
Kontaktfingern 2 angeordneten Stege 1′′, wie bereits oben beschrieben, durch
Stanzen entfernt.
Als Material für den Systemträger können ebenso wie als Material für die
Trägerinsel Eisenlegierungen, Kupferlegierungen oder Aluminium bzw. Aluminium
legierungen in Frage kommen. Um irgendwelchen Kurzschlußgefahren vorzubeugen,
kann die Trägerinsel jedoch auch aus Aluminiumnitrid, Graphit oder Silizium
gefertigt sein, welche neben einer guten Wärmeleitfähigkeit eine gute elek
trische Isolation bis zu hohen Temperaturen aufweisen. Im Hinblick auf einen
hohen Automatisierungsgrad der Fertigung kann es sich als zweckmäßig erweisen,
die Trägerinsel vor ihrer Verbindung mit dem Mittenteil mit dem aufzubringen
den Bauelement zu bestücken.
Als besonders zweckmäßig hat sich die in Fig. 5 schematisch dargestellte Ver
klebung von Trägerinsel und Mittenteil erwiesen. Zwischen Trägerinsel 5 und
Mittenteil ist der mit Ziffer 8 bezeichnete Kleber erkennbar; es handelt sich
dabei um einen härtbaren Kunststoff, der vorzugsweise auf der Basis eines
Epoxids als Zweikomponentenkleber eingesetzt wird. Als besonders geeignet hat
sich dabei der Zusatz von Keramikpulver zum Kleber erwiesen, weil dadurch
Haftfähigkeit und Wärmeleitfähigkeit verbessert werden und unterschiedliche
Wärmeausdehnungskoeffizienten von Trägerinsel und Mittenteil ausgeglichen
werden.
Weiterhin ist es möglich, die Trägerinsel durch eine formschlüssige Verbindung
mit dem Mittenteil zu verbinden; dabei können in Ausnehmungen des Mittenteils
greifende, arretierbare Elemente der Trägerinsel, wie beispielsweise Nocken,
eingesetzt werden.
Eine solche Ausführungsform hat sich insbesondere bei einer Trägerinsel aus
Keramikmaterial als zweckmäßig erwiesen.
Weiterhin ist es möglich, Trägerinsel und Mittenteil miteinander zu verlöten
bzw. zu verschweißen, sofern die Trägerinsel aus Metall besteht bzw. eine
metallisierte Oberfläche aufweist. Als besonders vorteilhaft hat sich neben
der Verklebung der Einsatz einer Silber- oder Goldflocken enthaltenden
Lötpaste erwiesen, die nach ihrer Einbringung in einem Durchlaufofen mit einer
Temperatur von ca. 300°C behandelt wird.
Claims (12)
1. Systemträger für mit Gehäuse versehene elektronische Bauelemente, insbe
sondere integrierte Halbleiter-Bauelemente, bei denen das Bauelement auf
einem von wenigstens zwei Streben gehaltenen Mittenteil angeordnet ist und
über Kontaktfinger mit durch das Gehäuse geführten Außenkontakten
elektrisch verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Mittenteil (3)
mit einer Trägerinsel (5) zur Aufnahme des Bauelements (6) fest verbunden
ist, wobei die Grundfläche des Mittenteils (3) kleiner ist als die der
Trägerinsel (5).
2. Systemträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Träger
insel (5) plattenförmig ausgebildet ist und daß das Verhältnis der
Schichtstärken von Trägerinsel (5) zu Mittenteil (3) im Bereich von 1
bis 5 liegt.
3. Systemträger nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das
Material der Trägerinsel (5) bei 20°C eine Wärmeleitfähigkeit aufweist,
die zwischen 50 und 500 W/mk liegt.
4. Systemträger nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der
Trägerinsel (5) einen höheren Wärmeleitungs-Koeffizienten aufweist als das
Material des Mittenteils (3).
5. Systemträger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Trägerinsel (5) wenigstens teilweise aus elektrisch
isolierendem Material besteht.
6. Systemträger nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Trägerinsel (5) wenigstens teilweise aus Aluminium
oder einer Aluminiumlegierung besteht.
7. Systemträger nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Trägerinsel (5) wenigstens teilweise aus Kupfer
oder einer Kupferlegierung besteht.
8. Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers nach Anspruch 1, nach dem
durch Stege miteinander verbundene Kontaktfinger ausgestanzt werden,
welche in Form eines Rahmens ein Mittenteil umfassen, das durch wenigstens
zwei Streben mit dem Rahmen verbunden ist, wobei die Streben so abge
winkelt werden, daß das Mittenteil in einer anderen Ebene liegt als die
Kontaktfinger, dadurch gekennzeichnet, daß die Spitzen (2′) der Kontakt
finger (2) auf den für das aufzubringende Bauelement (6) erforderlichen
Bondabstand gekürzt und in einer Ebene ausgerichtet werden und daß an
schließend eine Trägerinsel (5) zur Aufnahme des Bauelements (6) auf das
Mittenteil (3) so aufgebracht wird, daß sie sich zwischen der Ebene der
Kontaktfinger (2) und der Ebene des Mittenteils (3) befindet.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakt
finger (2) durch Stanzen verkürzt werden.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakt
finger (2) nach dem Stanzen an ihren Spitzen (2′) mit einer Bondschicht
versehen werden.
11. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerinsel (5)
mit dem Mittenteil (3) verklebt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerinsel (5)
vor dem Aufbringen auf das Mittenteil (3) mit dem Bauelement (6) verbunden
wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863635375 DE3635375A1 (de) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | Systemtraeger fuer elektronische bauelemente |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863635375 DE3635375A1 (de) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | Systemtraeger fuer elektronische bauelemente |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3635375A1 true DE3635375A1 (de) | 1988-04-28 |
DE3635375C2 DE3635375C2 (de) | 1988-07-21 |
Family
ID=6311928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863635375 Granted DE3635375A1 (de) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | Systemtraeger fuer elektronische bauelemente |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3635375A1 (de) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5309019A (en) * | 1993-02-26 | 1994-05-03 | Motorola, Inc. | Low inductance lead frame for a semiconductor package |
US5334872A (en) * | 1990-01-29 | 1994-08-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Encapsulated semiconductor device having a hanging heat spreading plate electrically insulated from the die pad |
DE4424549A1 (de) * | 1993-07-12 | 1995-01-19 | Korea Electronics Telecomm | Verfahren zum Gehäusen eines Leistungshalbleiterbauelements und durch dieses Verfahren hergestelltes Gehäuse |
DE19526010A1 (de) * | 1995-07-17 | 1997-01-23 | Siemens Ag | Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements |
US6149223A (en) * | 1997-07-02 | 2000-11-21 | Daimlerchrysler Ag | Lowerable rear window for a folding roof |
DE10103091A1 (de) * | 2001-01-24 | 2002-08-01 | Ecolab Gmbh & Co Ohg | Verfahren zur Herstellung, Förderung und Dosierung einer Lösung und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US6870245B1 (en) | 1997-01-22 | 2005-03-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Electric component with an integrated circuit mounted on an island of a lead frame |
US7287536B2 (en) * | 1998-12-16 | 2007-10-30 | Bsh Bosch Und Siemens Hausgeraete Gmbh | Heater for heating the dishwashing liquid in a dishwasher |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4041346B4 (de) * | 1990-12-21 | 2005-10-06 | Infineon Technologies Ag | Standard-Kunststoffgehäuse mit darin verkapselten Halbleiterchips |
JP2608192B2 (ja) * | 1991-04-26 | 1997-05-07 | 三菱電機株式会社 | リードフレーム |
DE4116321A1 (de) * | 1991-05-16 | 1991-11-28 | Ermic Gmbh | Verfahren zur selektiven haeusung von sensor-halbleiterbauelementen in chip-on -boardtechnik |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2419157A1 (de) * | 1974-04-20 | 1975-10-30 | Heraeus Gmbh W C | Metallischer traeger fuer halbleiterbauelemente |
EP0058761A2 (de) * | 1981-02-19 | 1982-09-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Systemträger für mit Kunststoff umhüllte elektrische Bauelemente |
DE3234668A1 (de) * | 1982-01-15 | 1983-07-21 | AVX Corp.,(n.d.Ges.d.Staates Delaware), 11022 Great Neck, N.Y. | Ic-bauteil mit eigendaempfung fuer eine vielzahl von zuleitungen |
US4482913A (en) * | 1982-02-24 | 1984-11-13 | Westinghouse Electric Corp. | Semiconductor device soldered to a graphite substrate |
EP0153618A2 (de) * | 1984-02-24 | 1985-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Verfahren zur Herstellung eines hochwärmeleitenden Substrates und Kupferleiterblech verwendbar in diesem Verfahren |
DD231166A1 (de) * | 1984-04-06 | 1985-12-18 | Erfurt Mikroelektronik | Verfahren zum verkappen von halbleiterbauelementen |
-
1986
- 1986-10-17 DE DE19863635375 patent/DE3635375A1/de active Granted
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2419157A1 (de) * | 1974-04-20 | 1975-10-30 | Heraeus Gmbh W C | Metallischer traeger fuer halbleiterbauelemente |
EP0058761A2 (de) * | 1981-02-19 | 1982-09-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Systemträger für mit Kunststoff umhüllte elektrische Bauelemente |
DE3234668A1 (de) * | 1982-01-15 | 1983-07-21 | AVX Corp.,(n.d.Ges.d.Staates Delaware), 11022 Great Neck, N.Y. | Ic-bauteil mit eigendaempfung fuer eine vielzahl von zuleitungen |
US4482913A (en) * | 1982-02-24 | 1984-11-13 | Westinghouse Electric Corp. | Semiconductor device soldered to a graphite substrate |
EP0153618A2 (de) * | 1984-02-24 | 1985-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Verfahren zur Herstellung eines hochwärmeleitenden Substrates und Kupferleiterblech verwendbar in diesem Verfahren |
DD231166A1 (de) * | 1984-04-06 | 1985-12-18 | Erfurt Mikroelektronik | Verfahren zum verkappen von halbleiterbauelementen |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
IBM-Technical Disclosure Bulletin, Bd. 17, Nr. 7, Dez. 1974, S. 1893 * |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5334872A (en) * | 1990-01-29 | 1994-08-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Encapsulated semiconductor device having a hanging heat spreading plate electrically insulated from the die pad |
US5309019A (en) * | 1993-02-26 | 1994-05-03 | Motorola, Inc. | Low inductance lead frame for a semiconductor package |
DE4424549A1 (de) * | 1993-07-12 | 1995-01-19 | Korea Electronics Telecomm | Verfahren zum Gehäusen eines Leistungshalbleiterbauelements und durch dieses Verfahren hergestelltes Gehäuse |
DE19526010A1 (de) * | 1995-07-17 | 1997-01-23 | Siemens Ag | Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements |
DE19526010B4 (de) * | 1995-07-17 | 2005-10-13 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauelement |
US6870245B1 (en) | 1997-01-22 | 2005-03-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Electric component with an integrated circuit mounted on an island of a lead frame |
US6149223A (en) * | 1997-07-02 | 2000-11-21 | Daimlerchrysler Ag | Lowerable rear window for a folding roof |
US7287536B2 (en) * | 1998-12-16 | 2007-10-30 | Bsh Bosch Und Siemens Hausgeraete Gmbh | Heater for heating the dishwashing liquid in a dishwasher |
DE10103091A1 (de) * | 2001-01-24 | 2002-08-01 | Ecolab Gmbh & Co Ohg | Verfahren zur Herstellung, Förderung und Dosierung einer Lösung und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3635375C2 (de) | 1988-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102005049687B4 (de) | Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad und Verfahren zur Herstellung | |
DE1489781A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelementes und nach diesem Verfahren hergestelltes Bauelement | |
DE4220966C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Trägerplatte für elektrische Bauteile | |
DE102016112289B4 (de) | Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE19756185A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Anordnung aus Verbindungskontakten für IC-Chips | |
EP0292848B1 (de) | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung des Moduls | |
DE2815776A1 (de) | Halbleiterbauelement mit einer elektrisch und thermisch leitenden tragplatte | |
EP0464232B1 (de) | Lötverbinder und Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Schaltung mit diesem Lötverbinder | |
DE3635375C2 (de) | ||
DE102012212968A1 (de) | Optoelektronisches halbleiterbauteil mit elektrisch isolierendem element | |
DE102014114808A1 (de) | Elektronikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls | |
WO1999044234A1 (de) | Leadframevorrichtung und entsprechendes herstellungsverfahren | |
DE2639979B2 (de) | Halbleiterbaueinheit | |
DE102014010373A1 (de) | Elektronisches Modul für ein Kraftfahrzeug | |
EP1595287B1 (de) | Elektronisches bauteil mit halbleiterchip und verfahren zur herstellung desselben | |
DE19822794C1 (de) | Mehrfachnutzen für elektronische Bauelemente, insbesondere akustische Oberflächenwellen-Bauelemente | |
DE10157362B4 (de) | Leistungsmodul und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE4201931C1 (de) | ||
DE2536957A1 (de) | Elektronisches bauelement | |
DE102014206606A1 (de) | Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements auf einem Substrat | |
DE2439670A1 (de) | Elektrische schaltungsanordnung mit einem substrat und mit darauf aufgebrachten elektrischen bauelementen sowie verfahren zur herstellung einer solchen schaltungsanordnung | |
EP0785563A1 (de) | Verfahren zum Befestigen eines ersten Teils aus Metall oder Keramik an einem zweiten Teil aus Metall oder Keramik | |
DE3931551A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines mehrschichtigen, kupfer- und keramikschichten aufweisenden substrates | |
DE3020466A1 (de) | Sammelschiene mit mindestens einem paar langgestreckter, zueinander parallel gefuehrter leiter und verfahren zur herstellung einer solchen sammelschiene | |
DE10333840A1 (de) | Halbleiterbauteil mit einem Kunststoffgehäuse, das eine Umverdrahrungsstruktur aufweist und Verfahren zu deren Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |