JPH01185998A - 高周波回路基板装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、印刷回路を搭載した回路基板をシールドケ
ースに収納してなる高周波回路基板装置に係り、特に信
号入出力端における電磁波シールド素子として用いられ
る。＠油コンデンサを、そのシールド効果が高く、且つ
簡潔な工程で形成することができるようにした高周波回
路基板装置に関する。

（従来の技術） オーディオビデオ機器等の電子機器にチューナや高周波
モジュレータ等の高周波回路基板装置を搭載する場合、
回路周辺からの妨害電磁波や回路自体からの電磁波リー
クを防止する為、回路基板全体をシールドケース内に収
納し、且つ入出力端子部分はシールドケース上に設置し
た貫通コンデンサを貫通する状態で配設する。これによ
り、貫通コンデンサを通してノイズ成分がシールドケー
ス〈アース）に導かれ、電圧源や信号へのノイズ重畳を
抑制している。

一般に用いられている貫通コンデンサは、第４図（ａ）
、（ｂ）に示すように、中央に貫通孔１を有する円環状
に形成されたセラミック誘電体２を用いて構成する。第
４図に示す誘電体２は、第５図（ａ）に示すように、貫
通孔１に直交する両面に、°電極３．３を形成し、更に
第５図（ｂ）に示すように錫メツキ導線製のリード線４
を貫通孔１に挿入してその突出部を電極３に半田５によ
り半田付けする。このリード線４が引出された１通コン
デンサは、シールドケース６の側壁にリード線４を挿入
し、半田付は又は導電性接着剤７による接着を行い第５
図（Ｃ）に示すように構成される。

また、実際の回路に適用する場合は、第６図に示すよう
に、シールドケース６に取付ける。

第６図は厚膜基板をシールドケース６に収納して構成す
るようにしたもので、第５図と同一部分には同一の符号
を付しである。

第６図において、符号８は厚膜技術によって配線導体９
及び抵抗体１０が形成された絶縁基板である。この絶縁
基板８の所定位置には、貫通コンデンサのリード線４が
挿通される透孔１１が形成されている。第５図のように
シールドケース６に取付けられた貫通コンデンサのリー
ド線４は、上記透孔１１に挿通された半田５により配線
導体９と電気的に接続されると共に、更に取付は側と対
面するシールドケース平坦側壁を貫通して端子部１２を
形成している。

しかしながら、第６図に示す貫通コンデンサは、シール
ドケース６より突設するので、外観的に不具合である。

また、その製造工程は、第５図に示すようにシールドケ
ース６に貫通コンデンサを構成（取付け）した後、第６
図に示すように印刷回路基板をシールドケースに収納す
る際にリード線を配線導体接続するという煩雑な作業と
なる。

また、第７図は第６図の貫通コンデンサの等価回路図で
あるが、この回路図から分るように、貫通コンデンサは
、端子部１２の反対側にある。即ち、リード線４とと配
線導体９との接続点を中心にして、貫通コンデンサは一
方側に、端子部１２は他方側に別れている。このような
構造は、Ｔｓｍ波シールド効果からすると最適ではない
。つまり、貫通コンデンサは、端子部１２と接続点との
中間に位置する方が電磁波シールド効果は高くなる。

（発明が解決しようとする課題） このように、従来の貫通コンデンサ形成技術は、本来の
目的（電磁波シールド）も十分に達成されないような構
造をしており、しかも形成工程が煩雑であるという不都
合があった。

この発明の目的は、貫通コンデンサ形成の為に特別な工
程を要さず、且つ電磁波シールド効果が高い高周波回路
基板装置を提供することにある。

［発明の構成１ （課題を解決するための手段） この発明の高周波回路基板装置は、通常のバイ央部で入
力信号を基板の他面に接続する為のスルーホールが形成
された厚膜回路基板を用いて構成される。

（作用） この発明によれば、貫通コンデンサ部が、シールドケー
スに収納される基板側に形成されるので、貫通コンデン
サ部の一方の電極と配線導体との接続点、及びシールド
ケースより突出される端子部とは貫通コンデンサ部を挟
んで相対峙する形となり、電磁波シールド効果の良好な
回路構成となる。

また、貫通コンデンサ部は他のコンデンサと同時に形成
可能な為、貫通コンデンサ形成の為に特別な工程を必要
としないものである。しかも、貫通コンデンサの中央部
にスルーホール部を設けたことで、信号ラインを基板表
面から裏面に引回すことが余分なスペースをとらずに行
える。

（実施例） 以下、図面に示した実施例に基づいて本発明を説明する
。

第１図は本発明の高周波回路基板装置に係る一実施例を
示す所面図である。

この図において、符号２４は入出力端子部分を構成する
リード端子、２６は高周波回路基板を収納するシールド
ケース、２８はアルミナ基板等の絶縁基板である。絶縁
基板２８には銀・パラジウム系導体ペーストをスクリー
ン印刷法にて印刷し、９００℃で１時間焼成して、絶縁
基板２０両面に下ｇｌＳ導体庖２９ａ、２９ｂを形成す
る。この際、予め基板２８に透孔３３を形成し、基板両
面を導通させるために透孔３３内周にも導体層２９ｃを
形成して、スルーホールを構成する。

次に、高誘電率セラミックスペーストを用いて誘電体層
３１ａ、３１ｂを形成するが、このときへ周波回路用バ
イパスコンデンサ用の誘電体層３１ａと貫通コンデンサ
用の誘電体ＦＷ３１ｂを同じ材料を用いて同時に印刷し
、９００℃で１時間空気中で焼成して形成した。次に、
誘電体層３１ａ。

３１ｂに上部電極３２を前記と同じ材料の銀・パラジウ
ム系導体ペーストを用いてスクリーン印刷法で前記と同
じ条件で形成した。その後に、酸化ルテニウム系の抵抗
体ペーストを用い８５０℃で１時間焼成して厚膜抵抗体
３０を形成し、トランジスタ等のチップ部品３４を半田
付けして基板上に実装する。次に、挟着部を有したリー
ド端子２４を絶縁基板２８の端部に圧入し、端子上部を
半田３５にて上部°電極３２に半田付けする。

そして、以上のように構成された高周波回路基板を、リ
ード端子２４の一部を外部に導出するようにしてシール
ドケース２６内に収納し、前記貫通コンデンサの下部電
極２９ａとシールドケース２６を半田３６にて接続する
。なお、上記スルーホールの導体層２９ｃは上部電極３
２を印刷する際に形成することも可能である。

上記実施例では、貫通コンデンサの中央部にスルーホー
ル部が設けられており、信号ラインを基板表面から裏面
に余分なスペースをとらずに引回すことができる。しか
も、バイパスコンデンサと貫通コンデンサを同時に形成
でき製造プロセスを大幅に簡略化できる。

第２図は上記の高周波回路基板の貫通コンデンサ部の一
例を示す平面図である。貫通コンデンサ部は例えば角形
に形成してあり、下部導体層２９ａの一端部にはシール
ドケースと接続する為の接続部２つａ′が形成されてい
る。この時、例えば上部電極３２は２．２ＨＲ角の大き
さで、容ｉｈ値は３５００ｐＦであった。

本実施例による貫通コンデンサの実装面積は、同じ容量
の従来のものに比し、略半分以下の面積で形成すること
ができる。

第３図は第２図に対応する貫通コンデンサの等価回路図
を示す。この等価回路図と第７図の等価回路図を比較す
ると明らかなように、第７図の貫通コンデンサはコンデ
ンサ部が端子部１２と反対側にあるのに対し、本実施例
による貫通コンデンサは端子部２４と配線ライン２９ｂ
との間に貫通コンデンサが位置しているので、電磁波シ
ールド性能が良好となっている。

［発明の効果］ 以上説明したように、貫通コンデンサ形成工程が簡略化
でき、且つ″電磁波シールド効果を高くすることができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の高周波回路基板装置に係る一実施例を
示す断面図、第２図は第１図における高周波回路基板の
要部を示す平面図、第３図は第２図の貫通コンデンサの
等価回路図、第４図は従来の貫通コンデンサに用いられ
るセラミック誘電体を示す説明図、第５図は従来の貫通
コンデンサの製造工程を示す説明図、第６図は従来の高
周波回路基板装置を示す断面図、第７図は第６図の貫通
コンデンサの等価回路図である。 ２４・・・リード端子、２６・・・シールドケース、２
８・・・絶縁基板、２９ａ、２９ｂ・・・下部導体層、
２９Ｃ・・・スルーホール導体層、 ３１ａ・・・バイパスコンデンサのＨ”Ｔ１体層、３１
ｂ・・・貫通コンデンサの誘電体層、３５．３６・・・
半田。 第１図 第３図　　　　　　第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　通常のバイパスコンデンサが形成された厚膜基板を用
   いた高周波回路基板装置において、前記バイパスコンデ
   ンサを形成する過程で前記厚膜基板の一面に貫通コンデ
   ンサを形成し、かつ貫通コンデンサの中央部で入力信号
   を前記厚膜基板の他面に接続するためのスルーホールを
   設けたことを特徴とする高周波回路基板装置。