JPH01117014A - 貫通コンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 し発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、印刷回路を搭載した回路基板をシールドケ
ースに収納して成る高周波回路基板装置において、信号
入出力端における電磁波シールド素子として用いられる
貫通コンデンサに関する。

（従来の技術） オーディオ・ビデオ機器等の電子機器にチューナや高周
波モジュレータ−等の高周波回路基板機器を搭載する場
合、回路周辺からの妨害電磁波や回路自体からの電磁波
リークを防止するため、回路基板全体をシールドケース
内に収納し、且つ入出力端子部分はシールドケース上に
設置した貫通コンデンサを貫通する状態で配設する。こ
れにより、貫通コンデンサを通してノイズ成分がシール
ドケース（アース）に導かれ、電圧源や信号へのノイズ
重畳を抑制している。

一般に用いられている貫通コンデンサは、第５図ａ、ｂ
に示すように、中央に貫通孔１を有する円環状に成形さ
れたセラミック誘電体２を用いて構成する。第５図に示
す誘電体２は、第６図ａに示すように、貫通孔１に直行
する両面に電極３゜３を形成し、更に同図すのように、
錫メツキ導線製のリード線４を貫通孔１に挿入してその
突出部を電極３に半田５により半田付けする。このり一
ド線４が引出された貫通コンデンサは、シールドケース
６の側壁にリード線４を挿入し、かつシールドケース６
を貫通コンデンサの間にリング状半田７を挿入し、これ
を電気炉等の中に投入してリング状半田７を溶融させて
同図Ｃに示すように構成される。

又、実際の回路に適用する場合は、第７図に示すように
、シールドケース６に取付ける。

第７図は厚膜基板をシールドケース６に収納して構成す
る回路機器に貫通コンデンサを構成するようにしたもの
で、第６図と同一部分には同一の符号を付しである。

符号８は厚膜技術によって配線導体９及び抵抗体１０が
形成された絶縁基板である。この絶縁基板８の所定位置
には、貫通コンデンサのリード線４が挿通される透孔Ｐ
が形成されている。第６図Ｃのようにシールドケース６
に取付けられた貫通コンデンサのリード線４は、上記透
孔Ｐに挿通され半田５により配線導体９と電気的に接続
されると共に、更にシールドケース平坦側壁を貫通して
端子部４ａを形成している。

しかし、第７図に示す貫通コンデンサは、シールドケー
ス６より突設するので、高周波回路基板装置が大形とな
る点で外観的に不具合である。更に、端子数に相当する
数の貫通コンデンサが必要でありその材料費も高くなる
し、その製造工程は、第６図に示すように、シールドケ
ース６に貫通コンデンサを半田付けした後、第７図に示
すように、印刷回路基板をシールドケースに収納する際
にリード線を配線導体に接続するという煩雑な作業とな
る。

また、外部に露出するため耐湿性が悪意という問題があ
った。

（発明が解決しようとする間９題点） 従来の貫通コンデンサは、形成工程が煩雑であり材料費
が嵩むと共に、大形であるためにシールドケースより突
出した構造を取らざるを得ず、耐湿性が悪化する等の不
都合があった。

この発明の目的は、特別な工程を要さず、他の回路構成
部と同等に絶縁基板上に形成し、小形でシールドケース
から突出することのないようにした貫通コンデンサを提
供することにある。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） この発明は絶縁基板の一方の面に第１の電極導体を形成
し、この第１の電極導体に対応して前記絶縁基板の他方
の面に設けられる下部配線導体層、誘電体層、及び上部
配線導体層から成る貫通コンデンサ部と、該貫通コンデ
ンサ部を覆うオーバーコート層とを介して前記第１の電
極導体に対向する第２の電極導体を形成し、更に、これ
ら第１及び第２の電極導体同志を導電接続するリード線
部材とを具備した貫通コンデンサである。

（作用） この発明によれば、印絶縁基板上に貫通コンデンサを容
易に構成することができると共に、コンデンサ層をオー
バーコートするので耐湿性が良好となるものとなる。

（実施例） 以下、この発明を図示の実施例によって説明する。

第１図はこの発明に係る貫通コンデンサの一実施例を示
す断面図であり、厚膜技術によって構成されている。

第１図において、全体は本実施例を適用した高周波回路
基板装置を示し、１１は絶縁基板、１２はシールドケー
ス、１３はバイパスコンデンサ、１４は本実施例に係る
貫通コンデンサ、１５はジャンパ配線部、１６は厚膜抵
抗部、１７はチップ部品取付部である。絶縁基板１１は
、両面に印刷回路が形成され、前記抵抗部１６及びチッ
プ部品取付部１７が形成された側を下面と称し、バイパ
スコンデンサ１３．ジャンパ配線部１５が形成された側
を上面と称する。

本実施例に係る貫通コンデンサ１４は、絶縁基板１１の
下面に一方の電極導体２１が形成されている。

この一方電極２１に対応する上面には、下部配線導体２
２．厚膜誘電体２３．上部配線導体２４から成る貫通コ
ンデンサ部ＣＩ　　（第２図参照）が形成され、この貫
通コンデンサ部は上層に形成されたオーバーコート層２
５によって被覆されている。そして、上記オーバーコー
ト層２５の上に他方の電極を構成する電極導体２７が形
成されている。尚、電極導体２７と配線導体２４とはピ
アホール導体２６によって接続される。

一方、２８は上記貫通コンデンサ１４のリード端子を構
成するリード線であり、直線状部２８ａに対し角形に曲
折したクリップ部２８１）を有している。このクリップ
２８ｂと直線状部２８ａの一端にて電極導体２１と２７
間を挟持し、更に直線状部２８ａと電極導体２１とは半
田Ｓ１によって接続され、クリップ部２８ｂと電極導体
２１とは半田Ｓ２によって接続されている。そして、リ
ード線２８は直線状部２８ａの他端がシールドケース１
２に形成された孔２９を介して外部に突出し、端子部を
構成している。尚、貫通コンデンサ部の配線導体２２は
一部がオーバーコート層２５から露出し、この露出部２
２ａはがジャンパー線りによってシールドケース１２の
所定部に導電接続されている。

このほか、バイパスコンデンサ１３は、配線導体３２、
誘電体層３３．配線導体３４にて構成され、貫通コンデ
ンサ１４と同様にオーバーコート層３５によって被覆さ
れている。また、ジャンパ配線部１５は、配線導体４７
．絶縁層４８．配線導体４９によって構成され、厚膜抵
抗部１６は厚膜抵抗５５．配線導体５１によつ構成され
、チップ部品取付部１７は配線導体６１゜チップ部品６
３によつ構成されている。尚、チップ部品６３は半田Ｓ
３によって配線導体６１に接続される。

貫通コンデンサ１４は以上のごとく構成されるが、本実
施例は、上記貫通コンデンサ１４をバイパスコンデンサ
１３等と同等の形成工程において製造するものである。

以下この形成方法の一例を第２図を参照して説明する。

第２図ａは絶縁基板１１であり、例えばアルミナ基板を
用いる。この絶縁基板１１に銀パラジウム系の導体ペー
ストを用い、スクリーン印刷等の手法で、配線導体２２
．３２を構成する。その後、第２図すに示すように、高
誘電率の誘電体ペーストにより誘電体層２３．３３を構
成し、更に、各誘電体層２３゜３３の上層に配線導体２
４．３４を形成する。上記のごとく貫通コンデンサ部Ｃ
１，バイパスコンデンサ部Ｃ２が形成された第２図Ｃの
状態の回路基板は、９００℃〜９５０℃の温度で、かつ
空気中で焼成を行う。

次に第２図ｄに示すように、各コンデンサ部はそれぞれ
オーバーコート［２５，３５によって被覆し、更に下面
に厚膜抵抗５５を形成する。これらオーバーコート２５
．３５及び厚膜抵抗５５を形成後、８５０℃で空気中焼
成を行う。

次に、第２図ｅは銅系ペーストを用いてジャンパ配線部
１５．厚膜抵抗部１６．チップ部品取付部１７の下層導
体層としての配線導体４７．５１．６１を形成する工程
であり、このとき貫通コンデンサ１４の一方の導体電極
２１も形成する。尚、同時に、貫通コンデンサ部Ｃ１の
オーバーコート層２５にピアホール２６′を形成し、こ
のピアホール２６′　に導体を充填し、更に、貫通コン
デンサ１４の他方の電極導体２７を形成して、両方の導
体２４．２７を接続する。上記銅系ペーストによる配線
導体は、６００℃のチッ素中で焼成する。

続いて、第２図ｆに示すように、バヤンパ配線部１５す
なわち、配線導体の交差する部分に絶縁層４８を形成し
、６００℃、チッ素中で焼成する。更に、第シ図ｑに示
すように、上記バヤンパ配線部１５の上層導体として配
線導体４９を形成し、６００℃チッ素中で焼成する。尚
、この第２図ｑの工程で貫通コンデンサ１４の電極導体
２７を形成するようにしても良い。

このようにして絶縁基板１１に貫通コンデンサ１４゜バ
イパスコンデンサ１３等が形成される。

上記実施例によれば、リード線２８は、第２図ｑの状態
における電極導体２１．２７間を挟持するように仮止め
し、半田付けすることによって固定される。そして、一
方の端部２８ａが孔２９より出るようにシールドケース
１２に収納すれば、第１図のような高周波回路基板装置
が構成される。　本実施例による貫通コンデンサ１４は
、絶縁基板１１上に他の回路構成部を形成する工程と同
等に製造することができるので、従来のように貫通コン
デンサをシールドケースに半田付けする作業が不要とな
り、製造工程が簡略化される。また、貫通コンデンサ部
Ｃ１を形成した上からオーバーコート層２５で覆ってい
るので、例えば抵抗厚膜抵抗５５や他方の電極導体２１
．配線導体５１等を形成する過程で水分が］ンデンサ部
Ｃ１の中に浸透せず、極めて良質の貫通コンデンサ部と
なる。これはめバイパスコンデンサ部Ｃ２も同様である
。更にリード線２８の取付工程も簡単となる。また更に
、貫通コンデンサ１４はシールドケース１２の外部に突
出することがないものである。

第３図はこの発明による貫通コンデンサの平面形状を説
明する説明図であり、各部は第１図と同一の符号で示し
である。但し、実際の高周波回路基板装置を想定して複
数並べである。このように、本実施例は、第５図で説明
したように円環状の外形とせず、矩形状に形成する。こ
のように形成した貫通コンデンサ１４において、下部配
線導体２２の面積を２．８ｔｔｍ２．誘電体層２３の平
面積を３．５２ｊＩＩ１１２．上部配線導体２４の面積
を２．．１６ＩＮｎ２とした場合、第２図Ｃの焼成後の
容量は４０００ｐＦ〜４５００ｐＦのものが得られた。

この結果は、同容量の従来の貫通コンデンサに比し、半
分以下の面積にて実現されるものである。

次に、第４図によってこの発明の他の実施例を説明する
。第４図において、第１図と対応する部分には同一の符
号を付し、バイパスコンデンサ１３等の回路回路構成部
は省略しである。その特徴とする構成は、第１図の実施
例が上部配線導体２４と電極導体２７との電気的接続を
、ピアホール導体２６を介して接続していたのに対し、
この実施例は、貫通コンデンサ１４の上部電極導体２４
と電極導体２７の所定部をそれぞれオーバーコート層２
５の外側まで延長することによって接続するようにした
ものである。

このような構成によれば、オーバーコート層２５にピア
ホール２６′を形成する必要がないという利点がある。

尚、貫通コンデンサの形状は、第４図のように矩形状に
限定する必要はない。また、電極導体２１は、厚膜抵抗
５５を形成する前に形成しても良い。

［発明の効果］ 以上説明したようにこの発明によれば、簡単な工程で耐
湿性に優れた貫通コンデンサを製造する効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る貫通コンデンサの一実施例を示
す断面図、第２図は第１図の貫通５ンデンサを形成する
工程の一例を説明するための工程図、第３図はこの発明
の詳細な説明する平面図、第４図はこの発明の伯の実施
例を示す断面図、第５図及び第６図は従来の貫通コンデ
ンサ形成方法を説明するための工程図、第７図は第５図
及び第６図の方法で貫通コンデンサが形成された従来の
高周波回路基板装置の一例を示す断面図である。 １１・・・絶縁基板、１２・・・シールドケース、１３
・・・バイパスコンデンサ、１４・・・貫通コンデンサ
、１５・・・バヤンパ配線部、１Ｂ・・・厚膜抵抗部、
１７・・・チップ部品取付部、２１．２７・・・電極導
体、２２．２４・・・配線導体、２３・・・誘電体層、
２５・・・オーバーコート層。 代理人　　　弁理士　　　伊　藤　　進（ａ）　　　　
　　（ｂ） 第５図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　絶縁基板上に形成される貫通コンデンサにおいて、 前記絶縁基板の一方の面に形成された第１の電極導体と
   、 この第１の電極導体に対応して前記絶縁基板の他方の面
   に形成された下部配線導体層，誘電体層，及び上部配線
   導体層から成る貫通コンデンサ部と、この貫通コンデン
   サ部を覆うオーバーコート層と、 このオーバーコート層の上層に形成され、かつ前記上部
   配線導体層と導電接続された第２の電極導体と、 これら第１及び第２の電極導体同志を導電接続するリー
   ド線部材とを具備し、 前記リード線部材をシールドケースの外部に突出して成
   る貫通コンデンサ。