JPH11288007A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
スク数を減少させて製造する方法及びその液晶表示装置
に関する。 【解決手段】 本発明は、ゲート物質にアルミニウムと
アルミニウムを覆うモリブデン、タンタル、タングステ
ン、又はアンチモンを連続蒸着し、単一マスクでパター
ン化した。そして、静電気短絡配線の切断工程を保護膜
パターン工程と洗浄工程を実施する。従って、本発明に
よる液晶表示装置は、基板上に第1コンタクトホールを
有する第1金属層と、前記第1金属層を覆って前記第1
コンタクトホールより小さい第2コンタクトホールを有
する第2金属層と、前記第2金属層を覆って前記第1コ
ンタクトホールより大きい第3コンタクトホールを有す
る絶縁層と、前記第3コンタクトホールを通して露出さ
れた第2金属層と接触して絶縁層上に形成された導電層
を含むパッド部を含む。
Description
quid Crystal Display: LCD)の製造方法及びその構造
に関する。特に、本発明は液晶表示装置において、マス
クの使用回数を減少させることが出来る製造方法及びそ
の構造に関する。
で今まで広く用いられているブラウン管表示装置(又
は、Cathode Ray Tube;CRT)は、薄型及び軽量という
長点で如何なる場所でも容易に使用が出来る薄膜型の平
板表示装置で代替されつつある。特に、液晶表示装置
は、他の平板装置より表示解像度が優れ、動画像を倶現
する際のその品質はブラウン管に比べることができる程
に反応速度が早いため、最も活発な開発研究が行われて
いる。
異方性と分極性質とを利用したことである。方向性と分
極性を有している細長い液晶分子に人為的の電気場を印
加して分子配列の方向を調節することが出来る。従っ
て、配向方向を任意に調節すると、液晶の光学的異方性
による液晶分子の配列方向に沿って光を透過、又は遮断
させることが出来て、画面表示装置に応用することが可
能である。薄膜トランジスタ及びそれに連結されている
画素電極が行列方式で配列された能動マトリクス液晶表
示装置は、優れた画質と自然色を提供するので、最も注
目されている製品である。一般的な液晶表示装置の構造
は、次の如くである。図1は、液晶パネルの一般の構造
を示す斜視図であり、図2は液晶パネルの平面図であ
る。
れた二つのパネル3と5が対向し、その間に液晶層が介さ
れている形状である。液晶表示装置の一方のパネルに
は、色を現す複数個の素子が構成されており、これを一
般的にカラーフィルターパネルと称する。カラーフィル
ターパネル3には、第1透明基板81上に行列方式で設
けられた画素の位置に沿って赤(R)、緑(G)、青
(B)のカラーフィルター7が順次に配列されている。前
記カラーフィルター7の間には、細い網模様のブラック
マトリクス9が形成されている。それは、各々の色の間
で混合色が現れることを防止するためである。又、カラ
ーフィルター全面に共通電極85が形成されている。共
通電極は、液晶87に印加する電気場を形成する一方の
電極としての役割をする。
駆動するために電気場を発生させるスイッチ素子及び複
数個の配線が形成されており、これを一般的にアクティ
ブパネル5と称する。アクティブパネルには、第2透明
基板83上に行列方式で設けられた画素の位置に合わせ
て画素電極41が形成されている。前記画素電極41は、カ
ラーフィルターパネル3に形成されている共通電極8と対
向して液晶61に印加される電気場を形成する他方の電
極としての役割をする。複数個の前記画素電極41の水平
配列方向に沿って信号配線13が形成されており、垂直配
列方向に沿っては、データ配線23が形成されている。そ
して、前記画素電極41の一部には、前記画素電極41に電
気場信号を印加する薄膜トランジスタ89が形成されて
いる。前記薄膜トランジスタのゲート電極11は、信号配
線(ゲートバス配線)13に連結されており、ソース電極
21はデータ配線(ソース配線)23に連結されている。そ
して、前記薄膜トランジスタ89のドレイン電極31は、
前記画素電極41に連結されている。又、前記ゲートバス
配線13と前記ソース配線23の端部には、外部から印加さ
れる信号を受け取る終端端子(Terminal)のパッドが形
成されている。
と、ゲートバス配線に沿ってゲート電極に印加され、前
記ゲート電極11に印加された信号に沿ってソース電極21
に印加されたデータ信号がドレイン電極31を通して画素
電極41に表示するか、しないかが決められる。従って、
前記ゲート電極の信号を調節することによって、前記デ
ータ信号印加を調節することが出来る。従って、前記ド
レイン電極31に連結されている前記画素電極にデータ信
号を人為的に伝達することが出来るようになる。即ち、
前記薄膜トランジスタ19は、画素電極41を駆動するスイ
ッチとしての役割をする。
定間隔(“セルギャップ(Cell Gap)”と称する)を隔
てて対向して貼り合わせられ、その間に液晶物質が注入
される。又、貼り合わせられた前記パネルの間から液晶
物質が漏れることを防ぐためにエポキシのようなシール
材81で封入される。このように、液晶表示装置の液晶パ
ネルが完成される。
は、非常に複雑である。特に、薄膜トランジスタを含む
アクティブパネルの製造には多くの段階が要求される。
この複雑な製造工程で製品の性能が決定されるため、可
能な限り工程が簡単であれば不良の確率を減らせる。ア
クティブパネルには液晶表示装置の性能に関連がある重
要な素子が多く形成されているため、これを製造する工
程を単純化するのが良い製品を製作するに重要な役割を
する。一般に製造工程は、どんな物質から構成される
か、どんな仕様によって設計されるのか、又製造工程で
発生される静電気のような問題点をどんな方法で解決す
るのかによって決定される場合が多い。
問題が無いが、12インチ以上のコンピューターモニタ
用液晶表示装置のような大面積液晶表示装置の場合はゲ
ート配線に使用される材質の固有抵抗値が画質の優秀性
を決定する重要な要素になる。即ち、小面積液晶表示装
置にはタンタル、タングステン、モリブデン等のような
薄膜の表面安定性が良い金属でゲート物質(ゲート配
線、ゲート電極及びゲートパッド等)に使用されたが、
大面積の場合にはアルミニウムのような抵抗が低い金属
を使用するのが望ましい。
金をゲート物質に使用することは多くの問題点を有す
る。その代表的問題点は、アルミニウムの表面に発生す
るヒロック(Hillock)である。即ち、アルミニウムの
蒸着後の表面に細微なアルミニウム粒子が残っている場
合、製造工程上の高温状態になる場合に前記粒子は大き
く成長して絶縁膜を破壊し、不良の発生を呼ぶ。一層詳
細に言えば、アルミニウム表面にITOを蒸着接触する場
合、その間に酸化アルミニウム膜(Al2O3)が形成され
て界面接触抵抗が大きくなることに従ってゲート物質に
電気信号の伝達が遅延される問題が発生する。
極酸化して表面の安定度を高くする方法が提示された。
そして、外部と電気的に接触する部分は、陽極酸化を無
しにクロームのような金属で中間電極を形成してITOと
の接触抵抗を減らした。このような製造工程に使用され
るマスクの回数は、最小8回が要求される。陽極酸化を
通して液晶表示装置を製造する方法を平面図である図
2、図2のIII−IIIに沿って製造工程を示す工程図3
(a)−5(b)を参照して説明する。
し、第1マスクを使用してゲート配線13、ゲートパッ
ド15、ゲート電極11、短絡配線19及び複数のソー
ス短絡連結端子27を形成する。ここで短絡配線19
は、ゲートパッド15を全部連結し、前記基板1の縁部
を囲んだ形態を有する。従って、多くのゲート物質(ゲ
ート電極、ゲートパッド、ゲート配線、短絡配線及びソ
ース短絡配線)は全部等電位を有して製造工程中に発生
する静電気による断線、又は絶縁破壊を防ぐことが出来
る。そしてソース短絡連結端子27は、後で形成される
ソースパッドと連結される部分である。前記ソース短絡
連結端子27は、ソース配線が形成される時、静電気を
防ぐために短絡配線19を通して互いに等電位を有する
ようにする(図2、図3(a))。
面にヒロックが形成されることを防ぐために陽極酸化す
る。陽極酸化時、後で他の導電層と電気的接触する部分
は陽極酸化されると電気信号の交換ができないためでフ
ォトレジストを用いて選択的に陽極酸化をする。この
際、第2マスクを使用してフォトレジストをパターン化
して陽極酸化する部分だけを露出させて陽極酸化する。
ここでゲートパッド部分と短絡配線中のソースパッドと
接触される部分には陽極酸化されないようにフォトレジ
ストを防止膜として陽極酸化する。その結果、図3
(b)のようにアルミニウム層の表面一部に陽極酸化膜
91が形成される。
化シリコン(SiNx)、又は酸化シリコン(SiOx)のよう
な絶縁物質を蒸着してゲート絶縁膜17を形成する。そ
して、純粋アモルファスシリコンのような真性半導体物
質と、不純物が添加されたアモルファスシリコンのよう
な不純物半導体物質を連続に蒸着する。第3マスクを使
用して真性半導体物質及び不純物半導体物質をパターニ
ングして半導体層33と不純物半導体層35を形成する
(図2、図3(c))。
かったゲート物質、即ちゲートパッド15とソース短絡
連結端子27を覆う部分を第4マスクをパターンとして
除去する。そうすると、ゲートパッド15とソース短絡
連結端子27が露出される(図4(a))。
クローム、クローム合金を蒸着し、第5マスクをパター
ンとして配線23、ソース電極21、ソースパッド2
5、ドレイン電極31及びゲートパッド電極53を形成
する。前記ソースパッド25は、前記ゲート絶縁膜17
に露出されたソース短絡配線19に連結されて等電位状
態をなす。ゲートパッド中間電極53はゲート絶縁膜1
7に露出されたゲートパッド15と完全に接触する(図
2、図4(b))。
極、ソース配線、ソースパッド及びゲートパッド中間電
極)が形成された基板全面に酸化シリコン(SiOx)、若
しくは窒化シリコン(SiNx)のような絶縁物質を蒸着し
て保護膜37を形成する。そして、第6マスクで上記保
護膜をパターン化してゲートパッド中間電極53、ソー
スパッド25及びドレイン電極31等を露出させる(図
4(c))。
ースパッド25が短絡配線19に全部連結された状態で
ある。従って、製造工程中に同じ電位を有して静電気に
よる断線、又は絶縁破壊のような問題を防ぐことが出来
た。然し、最終製品ではこの全配線が連結されてはなら
ないため、全部独立的に分離しなければならない。その
ために、短絡配線19が形成されたガラス基板1部分を
カットするようになる。その前に、配線が形成された
後、近接した多くの配線の短絡及び断線等を検査する段
階が要求される。一般に奇数番目配線と偶数番目配線で
分けて連結後電気的に信号を印加して検査する方法が使
用される。そのためには現在短絡配線19が連結された
状態で奇数番目、偶数番目配線で連結を分ける必要があ
る。即ち、短絡配線の四角部を除去して短絡配線を上、
下、左、右で分ける。そして、左側短絡配線に連結され
た偶数番目のゲート配線の連結部分を切断し、右側短絡
配線に連結された奇数番目のゲート配線の連結部分を切
断する。そうすると、奇数番目配線と偶数番目配線で区
分される。ソース配線も同じ方法で分離する。この時も
切断したい連結部分の短絡配線切断部93を第7マスク
を用いて食刻法で除去する(図2、図5(a))。
透明導電物質を前記保護膜37上に蒸着し、第8マスク
でパターニングしてゲートパッド中間電極53に連結さ
れたゲートパッド端子57と、ソースパッド25に連結
されたソースパッド端子67及びドレイン電極31に連
結された画素電極41を形成する(図2、図5
(b))。
使用し、アルミニウム表面のヒロック問題を解決するこ
とが出来た。又、ゲートパッドとITO間にクロームを介
してアルミニウムとITO間の接触問題も解決した。然
し、陽極酸化のため、又製造工程で発生する静電気の防
止のために連結された部分を除去する工程が要求され
た。結局、アルミニウム膜を陽極酸化してアクティブパ
ネルの製造ために8回のマスク工程が要求される。然
し、液晶表示装置に使用されるアクティブパネルの製造
において使用されるマスク工程中には洗浄、蒸着、ベイ
キング、食刻等の様々な工程が含まれている。従って、
マスク工程を1回も短縮しても製造時間が短縮され、歩
留まりが向上される。
ジスタを含む液晶表示装置の製造において、アルミニウ
ムのように低抵抗金属をゲート物質として使用する製造
方法を提供することを目的とする。
として使用する液晶表示装置において、アルミニウム表
面にヒロックが発生することを防ぐことを目的とする。
として使用する液晶表示装置において、使用されるマス
ク数を減らすことを目的とする。
融点物質のモリブデン、タンタル、タングステン、アン
チモンのような金属を蒸着し、同一マスクでパターン化
してゲート物質を形成することによってアルミニウム表
面に発生するヒロックを防止し、製造工程に使用するマ
スク数を減少させる。アルミニウムと高融点金属物質を
連続蒸着し、同時にパターン化してゲート物質を形成す
る方法について本出願人は、韓国特許庁に特許出願した
(出願番号97−07010)。上記件の発明には、第
1金属層と第2金属層を連続蒸着し形成し、同一マスク
で第2金属と第1金属を湿式食刻法でパターン化した。
従って、第1金属層の幅がその上に形成された第2金属
層の幅より狭く形成される。この時、第1金属層の幅と
第2金属層の幅との差は、ヒロック発生を抑制する機能
を十分にするために1〜4μm位の範囲になるように形
成した。本発明では前記二重金属からなるゲート物質を
含む薄膜トランジスタの形成方法を基づいて液晶表示装
置を5回のマスク工程で製造する方法及びその方法によ
る液晶表示装置の構造を提供する。
発明は、第1金属物質と第2金属物質を連続蒸着して同
一マスクでパターン化してゲート配線、ゲート電極、ゲ
ートパッド及び短絡配線を形成する段階と、前記ゲート
物質が形成された基板上に第1絶縁物質と、純粋半導体
物質及び不純物が添加された半導体物質を連続蒸着し、
前記純粋半導体物質と不純物半導体物質をパターン化し
てゲート絶縁膜上に半導体層及び不純物半導体層を形成
する段階と、前記不純物半導体層が形成された基板上に
第3金属を蒸着しパターン化してソース配線、ソース電
極、ドレイン電極及びソースパッドを形成する段階と、
前記ソース物質が形成された基板上に第2絶縁物質を蒸
着しパターン化してゲートパッドとソースパッド及びド
レイン電極の一部を露出させる絶縁膜を形成し、前記短
絡配線と不必要に連結された部分を切断する段階と、前
記保護膜上に透明導電物質で画素電極、ゲートパッド端
子及びソースパッド端子を形成する段階とを含む。
図7(a)−図8(b)を参照しながら説明する。
又アルミニウム合金のような金属を蒸着して第1金属層
を形成する。次に、モリブデン(Mo)、タンタル(T
a)、タングステン(W)、又はアンチモン(Sb)のよう
な高融点を有する金属を連続的に蒸着して第2金属層2
13を形成する。前記二重金属層211、213を第1
マスクで食刻してゲート配線113、ゲート電極11
1、ゲートパッド115及びゲート短絡配線119を形
成する。この時、第2金属層213と第1金属層211
を湿式食刻法でパターン化して第1金属層211より幅
が狭い第2金属層213が積層されたゲート物質(ゲー
ト配線、ゲート電極、ゲートパッド及びゲート短絡配
線)を形成する。基板101の横に伸びる複数のゲート
配線113が列方向で並んでいる。ゲート電極111
は、ゲート配線113から分岐され設計された画素の隅
部に形成されている。そして、複数個のゲートパッド1
15は、全部ゲート短絡配線119に連結されて等電位
状態になって静電気による断線、又は絶縁膜破壊等を防
ぐことが出来る(図6、図7(a))。
からなる前記ゲート物質が形成された基板101上に窒
化シリコン(SiNx)、又は酸化シリコン(SiOx)のよう
な無機絶縁物質を蒸着し、又場合によりBCB(BenzoCyclo
Butene)若しくはアクリル(Acryl)系樹脂のような有機絶
縁物質を塗布してゲート絶縁膜117を形成する。次
に、純粋アモルファスシリコンのような真性半導体物質
と不純物が添加されたアモルファスシリコンのような不
純物半導体物質を連続蒸着し、第2マスク工程でパター
ン化して半導体層133及び不純物半導体層135を形
成する。前記半導体層133は、ゲート絶縁膜上のゲー
ト電極111部分に形成される(図6、図7(b))。
板101上にクローム(Cr)、又はクローム合金のような
金属を蒸着し、第3マスク工程でパターン化してソース
配線123、ソース電極121、ドレイン電極131、
ソースパッド125及びソース短絡配線129等を形成
する。ゲート絶縁膜117上でゲート配線113と直交
して縦に伸びる複数のソース配線123が行方向に配列
されている。不純物半導体層135の一辺にソース配線
から分岐されたソース電極121が接触されている。不
純物半導体層135の他辺にはソース電極121と向か
い合うドレイン電極131が接触されている。ソース配
線123の終端部にはソースパッド125が形成されて
いる。そして、複数のソースパッド125はソース短絡
配線129に互いに連結されている。この時、基板の上
辺には奇数番目ソースパッド125を連結するソース短
絡配線129を、基板の下辺には偶数番目ソースパッド
125を連結する第2ソース短絡配線(図示せず)を別
に形成することが出来る。図6には基板の一隅部だけを
示し、奇数番目ソースパッド125はソース短絡配線1
29に連結され、偶数番目ソースパッド125はソース
短絡配線129に連結されるように表示される。従っ
て、全てのソース配線123が互いに連結されることに
よって工程中に発生される静電気のため配線が切断され
る問題は起こらない(図6、図7(c))。
極、ゲートパッド及びゲート短絡配線)等が形成された
基板上に窒化シリコン(SiNx)、又は酸化シリコン(Si
Ox)のような無機絶縁物質を蒸着し、又場合によりBCB
(BenzoCycloButene)若しくはアクリル(Acryl)系樹脂の
ような有機絶縁物質を塗布して保護膜137を形成す
る。第4マスク工程で前記ソースパッド125と前記ド
レイン電極131を覆う保護膜137の一部を除去して
ソースコンタクトホール161とドレインコンタクトホ
ール171を形成する。そして、ゲートパッと115及
びゲート短絡配線119中、奇数番目ゲートパッドに連
結される部分を覆う保護膜137とゲート絶縁膜117
の一部を除去し、ゲートコンタクトホール151及び短
絡配線切断ホール193を形成する。ここで短絡配線切
断ホール193を通して露出されたゲート物質は除去さ
れることが望ましい。
れたゲートパッド115中、奇数、または偶数番目の連
結部分を切断することによって奇数番目ゲート配線と偶
数番目ゲート配線を分離する。図6は基板の左辺を示
し、ゲート短絡配線に奇数番目ソースパッドが連結さ
れ、偶数番目ソースパッドは連結されない。反面、図示
されないが基板の右辺にはゲート短絡配線に奇数番目ソ
ースパッドが連結されなく偶数番目ソースパッドだけが
連結される。
ような方法を提供する。現在のゲート物質はアルミニウ
ムを含む第1金属層211とその上にモリブデン、タン
グステン、タンタル、又はアンチモンのような高融点金
属を含む第2金属層213が積層されてある。先ず、第
2金属層213は、保護膜137及びゲート絶縁膜11
7を除去する乾式食刻で同時に除去することが出来る。
これは第2金属層213を形成するモリブデン、タング
ステン、タンタル、又はアンチモンのような保護膜13
7及びゲート絶縁膜117と食刻選択比が殆ど無いとい
う性質を利用したことである。換言すると、保護膜13
7とゲート絶縁膜117の食刻時短絡配線の切断部分の
除去を容易にするため、アルミニウム上に保護膜137
及びゲート絶縁膜117と食刻選択比が等しく、高融点
の金属を使用してアルミニウムのヒロック防止に使用す
る。
で除去する。一般に食刻工程は、蒸着、フォトレジスト
塗布、感光、現象、食刻、フォトレジスト除去のような
過程を経る。保護膜137とゲート絶縁膜117の食刻
工程にも同じ過程を経る。そして、フォトレジストの除
去後にフォトレジストの除去時に使用した液を強風を照
射し除去し、洗浄する工程を経る。一般に前記液の除去
後、洗浄工程に移転するのにある程度の時間がかかるの
で、その間に残っているフォトレジスト除去液が前記保
護膜の表面137を汚染させる場合がある。これを防ぐ
ために洗浄工程の移転前に反応性が小さい液を塗って移
送する。この時、保護膜には反応性が小さいがアルミニ
ウムを含む第1金属層211との反応性が大きい弱アル
カリ性液を利用する。従って、露出された第1金属製2
11が除去される(図8(a))。
de)のような透明導電物質を蒸着し、第5マスク工程で
パターン化して画素電極141、ゲートパッド端子15
7及びソースパッド端子167を形成する。画素電極1
41は、ドレインコンタクトホール171を通して露出
されたドレイン電極131と接している。ゲートパッド
端子157はゲートコンタクトホール151が形状によ
って食刻されたゲートパッド115の食刻断面と接して
いる。前記ゲートパッド端子157は、ゲートパッド1
15をなす第2金属層213の食刻断面、又は第1金属
層211の食刻断面と接する。そして、ソースパッド端
子167は、ソースコンタクトホール161を通して露
出されたソースパッド125と接する(図6、図8
(b))。
断面図の図10(a)−図11(b)を参照しながら説
明する。本発明では発明の実施の形態1と薄膜トランジ
スタの形成方法が同一であるため、その断面図は省略す
る。
(Al)、又アルミニウム合金のような金属で蒸着して第
1金属層211を形成する。次に、モリブデン(Mo)、
タンタル(Ta)、タングステン(W)、又はアンチモン
(Sb)のような高融点を有する金属を連続に蒸着して第
2金属層213を形成する。前記二重金属層211、2
13を第1マスクで食刻してゲート配線113、ゲート
電極111、ゲートパッド115、第1ゲート短絡配線
119a及び第1ソース短絡配線129aを形成する。
この時、第2金属層213と第1金属層211を湿式食
刻法でパターン化して第1金属層211より幅が狭い第
2金属層213が積層されたゲート物質(ゲート配線、
ゲート電極、ゲートパッド、第1ゲート短絡配線及び第
1ソース短絡配線)を形成する。基板101の横に伸び
る複数のゲート配線133が列方向で並んでいる。ゲー
ト電極111は、ゲート配線113から分岐されて設計
された画素の隅部に形成されている。ゲート配線113
の終端にはゲートパッド115が形成されている。そし
て、複数個のゲートパッド115は、全部第1ゲート短
絡配線119aに連結されて等電位状態になって静電気
による断線、又は絶縁膜破壊等を防ぐことが出来る。複
数の偶数番目ゲート配線は第1ゲート短絡配線119a
に迂回され連結されているが、これは奇数番目、偶数番
目ゲート配線を分け易くするためである。第1ソース短
絡配線129aは、後に形成されるソース配線中、複数
の奇数番目ソースパッドと連結される(図9、図11
(a))。
からなる前記ゲート物質が形成された基板101上に窒
化シリコン(SiNx)、又は酸化シリコン(SiOx)のよう
な無機絶縁物質を蒸着し、又場合によりBCB(BenzoCyclo
Butene)若しくはアクリル(Acryl)系樹脂のような有機絶
縁物質を塗布してゲート絶縁膜117を形成する。次
に、純粋アモルファスシリコンのような真性半導体物質
と不純物が添加されたアモルファスシリコンのような不
純物半導体物質を連続蒸着し、第2マスク工程でパター
ン化して半導体層133及び不純物半導体層135を形
成する。前記半導体層133は、ゲート絶縁膜117上
のゲート電極111部分に形成される(図9、図11
(b))。
板101上にクローム(Cr)、又はクローム合金のような
金属を蒸着し、第3マスク工程でパターン化してソース
配線123、ソース電極121、ドレイン電極131、
ソースパッド125、第2ゲート短絡配線119a及び
第2ソース短絡配線129b等を形成する。ゲート絶縁
膜117上でゲート配線113と直交して縦に伸びる複
数のソース配線123が行方向に配列されている。不純
物半導体層(図示されない)の一辺にソース配線123
から分岐されたソース電極121が接触されている。不
純物半導体層(図示されない)の他辺にはソース電極1
21と向かい合うドレイン電極131が接触されてい
る。ソース配線123の終端部にはソースパッド125
が形成されている。そして、偶数番目ソースパッド12
5は第2ソースパッド配線129bに互いに連結されて
いる。全ての偶数番目ソース配線123が互いに連結さ
れることによって工程中に発生される静電気のため配線
が切断される問題は起こらない。現在奇数番目ソースパ
ッド125はソース短絡配線と連結されてないが、静電
気による損傷は発生しない。そして、第1ゲート短絡配
線119aと並びに配列されるように第2ゲート短絡配
線119bが形成される(図9、図10(c))。
極、ゲートパッド、第2ソース短絡配線及び第2ゲート
短絡配線)等が形成された基板上に窒化シリコン(SiN
x)、又は酸化シリコン(SiOx)のような無機絶縁物質
を蒸着し、又場合によりBCB(BenzoCycloButene)若しく
はアクリル(Acryl)系樹脂のような有機絶縁物質を塗布
して保護膜137を形成する。第4マスク工程で前記ソ
ースパッド125と前記ドレイン電極131を覆う保護
膜137の一部を除去してソースコンタクトホール16
1とドレインコンタクトホール171を形成する。そし
て、第2ゲート短絡配線119中、偶数番目ゲートパッ
ド115の延長線上の部分を覆う保護膜137の一部を
除去してゲート短絡コンタクトホール181を形成す
る。そして、ゲートパッド115及び第1ゲート短絡配
線119aと偶数番目ソースパッドと連結された部分を
覆う保護膜137とゲート絶縁膜117の一部を除去し
て奇数番目ソースパッド125てゲートコンタクトホー
ル151と短絡配線切断ホール193を形成する。この
時、奇数番目ソースパッド125の延長線上の第1ソー
ス短絡配線129aの一部を覆う保護膜137とゲート
絶縁膜117を除去してソース短絡コンタクトホール1
91を形成する。ここで短絡配線切断ホール193を通
して露出されたゲート物質は除去されることが望まし
い。即ち、第1ゲート短絡配線119aと偶数番目ゲー
トパッド115の連結部分を切断することによって第1
ゲート短絡配線119aに連結された奇数番目ゲートパ
ッドと第2ゲート短絡配線119bに連結された偶数番
目ゲート配線の連結を切断する。
連結部を切断する。即ち、第2金属層213は、保護膜
137とゲート絶縁膜117を除去する乾式食刻で同時
に除去する。残っているアルミニウムも発明の実施の形
態1と同一方法で除去する。即ち、保護膜137とゲー
ト絶縁膜117食刻工程で使用したフォトレジストの除
去後、フォトレジストの除去時に使用した液を強風を照
射し除去し、洗浄する工程に移転する基板を保護膜には
反応性が小さいが、アルミニウムを含む第1金属層21
1との反応性が大きい弱アルカリ性液を塗布する。従っ
て、短絡配線切断ホール193が露出された第1金属製
211は除去される。このように第1ゲート短絡配線1
19aと偶数番目ゲートパッド115を連結するゲート
物質、例えばゲートパッド115とソース短絡コンタク
トホール191を通して露出された第1ソース短絡配線
129aの一部分も同じ形態で食刻される(図11
(a))。
de)のような透明導電物質を蒸着し、第5マスク工程で
パターン化して画素電極141、ゲートパッド端子15
7及びソースパッド端子167を形成する。画素電極1
41は、ドレインコンタクトホール171を通して露出
されたドレイン電極131と接してある。ゲートパッド
端子157はゲートコンタクトホール151が形状によ
って食刻されたゲートパッド115の食刻断面と接す
る。前記ゲートパッド端子157は、ゲートパッド11
5をなす第2金属層213の食刻断面、又は第1金属層
211の食刻断面と接する。そして、複数のゲートパッ
ド端子157中、偶数番目ゲートパッド115に連結さ
れることはゲート短絡コンタクトホール181を通して
露出された第2ゲート短絡配線119bと連結されるよ
うに形成する。又、ソースパッド端子167はソースコ
ンタクトホール161を通して露出されたソースパッド
125に接する。奇数番目ソースパッド125に連結さ
れるソースパッド端子167はソース短絡コンタクトホ
ール191を形状によって食刻された第1ソース短絡配
線129aの食刻断面と接する。従って、第1ゲート短
絡配線119aと第1ソース短絡配線129aには各々
奇数番目ゲートパッド115及び偶数番目ソースパッド
125が連結される(図9、図11(b))。
2に示したように、ゲートコンタクトホール151を通
してゲートパッド端子157と接する部分はゲートパッ
ドコンタクトホール151の形状で縁部に沿って露出さ
れた第2金属層213の食刻断面図である。従って、ゲ
ートパッド端子157とゲートパッド115との接触抵
抗はゲートコンタクトホール151の縁部の長さによっ
て決定される。ゲートパッド部の接触抵抗が高くなるこ
とを防ぐためにはゲートコンタクトホール151形状の
縁部長さを長くすることが望ましい。従って、ゲートコ
ンタクトホール151の形状は、複数の小さい穴が配列
されるように設計するのが当然である。一方、ゲートパ
ッド115の中央部は、外部の電気信号を印加されるこ
ととして外部の連結端子と接触する部分である。従っ
て、中央部にはコンタクトホールを形成しないことが外
部連結端子と接触を良好に維持される。又、前述の図1
2(a)〜(c)に示すように長方形のゲートパッド1
15の両端部に複数の小さい穴が配列された形状を有す
るゲートコンタクトホール151を他の方法で設計する
ことも良い。
る液晶表示装置の製造方法により、ゲート物質中にITO
で形成される物質と接触される全部分、即ちゲートパッ
ド、奇数番目ソースパッド短絡配線に連結される部分、
発明の実施の形態では説明しなかったがカラーフィルタ
パネルに形成される共通電極とゲート信号の共通電極を
接触させる銀接点部(Ag dot)のようなの所を前記ゲート
パッド部と同一な構造で形成する。本発明による液晶表
示装置でゲート物質とITOが接触される部分の構造は、
次の如くである。ゲートバッド部の中心で、図12
(c)のIX−IX線に沿ってゲートパッド115のゲ
ートコンタクトホール151部の断面を示す図13
(a)−cを参照して説明する。
過程が保護膜137とゲート絶縁区117をパターンす
る食刻工程で第2金属層213と共に食刻するように保
護膜137及びゲート絶縁膜117に形成される絶縁膜
コンタクトホール151aの幅W1と第2金属層213
に形成される第2金属層151bの幅W2は等しい値を
有することが出来る。又、第2金属コンタクトホール1
51bにより第1金属層211がパターンされるため、
第1金属層211に形成される第1金属コンタクトホー
ル151cの幅W3は、第2金属層コンタクトホール1
51bの幅W2と等しい値を有することが出来る。この
場合、ゲートパッド端子157は、第2金属層213と
第1金属層211の食刻された側面と接する(図13
(a))。
に塗布されたレジストを除去し、保護膜との反応性が殆
ど無く、第1金属層211と反応性がある液を塗布した
状態で洗浄過程に移転するまで時間がかかる場合が多
い。従って、第1金属層211は図13(b)に示すよ
うに第2金属層213下に過食刻(Undercutting)され
る。従って、第1金属コンタクトホール153cの幅W
3は、第2金属層コンタクトホール153bの幅W2よ
り大きく形成されることもある。この場合、ゲートパッ
ド端子157は第2金属層213の食刻された側面に接
するようになる。ゲートパッド端子157が第1金属層
211と接しなくてもゲートパッドとゲートパッド端子
間の接触問題は発生しない。第1金属層にアルミニウム
を用い、ゲートパッド端子157にITOを使用するため
でアルミニウムとITO界面に酸化アルミニウム膜が形成
されて接触抵抗が非常に高くてあまりの影響を与えない
ためである。しかし、第2金属層213とゲートパッド
端子157間の接触抵抗が高くならないように設計する
ことが重要である。従って、絶縁膜コンタクトホール1
51aと第2金属コンタクトホール151bを形成する
乾式食刻法で使用されるプラズマエネルギーを調節して
絶縁膜コンタクトホール151aが斜めになった食刻断
面を有するように調節し、絶縁膜コンタクトホール15
1aの幅W1が第2金属コンタクトホール151bの幅
W2より大きく形成するほうが望ましい。そうすると、
第2金属層213の露出部分が一層広く確保されること
が出来、ゲートパッド端子157と接触する面積を一層
広く確保して接触抵抗が高くなる問題を防ぐことが出来
る。
が低い物質をゲート物質で使用する液晶表示装置におい
て、使用するマスク数を減少させる製造方法及びその構
造を提供する。本発明により、ゲート物質でアルミニウ
ムとアルミニウムを覆うモリブデン、タンタル、タング
ステン、又はアンチモンを連続蒸着し、一つのマスク工
程でパターン化し形成した。そして、静電気短絡配線の
切断工程を保護膜パターン工程及び洗浄工程で行う。従
って、液晶表示装置のアクティブパネルの製造方法は、
5回のマスク工程だけで制作が可能で歩留まりが向上さ
れ、コストの節減及び生産時間を短縮することが出来
る。
パネルを示す平面図。
従来の製造方法を示す工程断面図。
従来の製造方法を示す工程断面図(続き)。
従来の製造方法を示す工程断面図(続き)。
ティブパネルを示す平面図。
ティブパネルを製造する工程断面図。
ティブパネルを製造する工程断面図(続き)。
ティブパネルを示す平面図。
クティブパネルを製造する工程断面図。
クティブパネルを製造する工程断面図(続き)。
ルにおいて、ゲートパッド部に形成されるゲートコンタ
クトホールの様々な形状を示す複数の断面図。
ルのゲートパッド及びゲートコンタクトホールの形態を
示す拡大断面図。
Claims (19)
- 【請求項1】 基板上に第1金属及び第2金属を連続蒸
着し、パターン化して第1及び第2金属層を有するゲー
ト配線、ゲート電極及びゲートパッドを形成する段階
と、 前記ゲート配線、ゲート電極及びゲートパッドを覆うゲ
ート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極部
分に半導体層と、前記半導体層上に不純物半導体層を形
成する段階と、 前記不純物半導体層上に第3金属でソース配線、ソース
電極、ドレイン電極及びソースパッドを形成する段階
と、 前記ソース配線、前記ソース電極、前記ドレイン電極及
び前記ソースバッド上に保護膜を形成する段階と、 前記ゲートパッドを覆うゲート絶縁膜及び保護膜をパタ
ーン化してゲートパッドを露出させるゲートコンタクト
ホール、前記ドレイン電極を露出するドレインコンタク
トホール及び前記ソースパッドを露出するソースコンタ
クトホールを形成し、前記ゲートコンタクトホールに露
出された第2金属層及び前記第2金属層下にある第1金
属層を除去する段階と、 前記保護膜上に導電物質を蒸着しパターン化して前記ド
レイン電極に連結された画素電極と、前記ゲートパッド
に連結されたゲートパッド端子及び前記ソースパッドに
連結されたソースパッド端子を形成する段階と、を含む
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記ゲートパッドを形成する段階におい
て前記第1金属層及び前記第2金属層を含む前記ゲート
パッドを全部連結する短絡配線を加えて形成し、 前記ゲートコンタクトホールを形成する段階において前
記短絡配線の一部分を露出する短絡配線切断ホールを加
えて形成し、前記短絡配線切断ホールを通して露出され
た第2金属層及び前記第2金属層下にある前記第1金属
層を除去することを特徴とする、請求項1記載の液晶表
示装置の製造方法。 - 【請求項3】 前記ゲートコンタクトホールを通して露
出された前記第2金属層は、前記ゲートコンタクトホー
ルを形成する食刻過程を通して露出させ、 前記ゲートコンタクトホールを通して露出された前記第
1金属層は、前記食刻工程後の洗浄工程で前記第1金属
層と反応性が強い液で除去することを特徴とする、請求
項1記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項4】 前記ゲートパッド端子の形成段階におい
て、前記第2金属層の食刻断面と前記ゲートパッド端子
が接触されることを特徴とする、請求項3記載の液晶表
示装置の製造方法。 - 【請求項5】 前記ゲートコンタクトホールは、一つ以
上の小さいコンタクトホールを配列し形成することを特
徴とする、請求項1記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項6】 前記複数のゲートコンタクトホールは前
記ゲートパッドの両端部に一つ以上が形成され、前記ゲ
ートパッドの中央部には前記コンタクトホールが形成さ
れないことを特徴とする、請求項5記載の液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項7】 基板上に第1金属と第2金属を連続蒸着
し、パターン化して第1金属層と第2金属層を有するゲ
ート物質を形成する段階と、 前記ゲート物質を覆う絶縁膜を形成する段階と、 前記絶縁膜の一部を食刻して前記ゲート物質の一部を露
出するコンタクトホールを形成して前記コンタクトホー
ルを通して露出された第2金属層及び前記第1金属層を
連続除去する段階と、を含むことを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。 - 【請求項8】 前記コンタクトホールを通して露出され
た第2金属層は前記コンタクトホールを形成する食刻過
程を続けて食刻側面を露出させ、 前記コンタクトホールを通して露出された前記第1金属
層は、前記食刻工程後に洗浄工程で前記第1金属層と反
応性が強い液で除去することを特徴とする、請求項7記
載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項9】 前記絶縁膜上に導電物質で前記コンタク
トホールを通して前記第2金属層と接する導電層を形成
する段階を加えて含むことを特徴とする、請求項7記載
の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項10】 前記導電層の形成段階において、前記
第2金属層の食刻断面と前記導電層が接することを特徴
とする、請求項9記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項11】 前記コンタクトホールは、一つ以上の
小さいコンタクトホールを配列し形成することを特徴と
する、請求項7記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項12】 前記複数のゲートコンタクトホールは
前記ゲート物質の両端部に一つ以上が形成され、前記ゲ
ートパッドの中央部には前記コンタクトホールが形成さ
れないことを特徴とする、請求項11記載の液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項13】 基板と、前記基板上に形成された第1
金属層と、前記第1金属層上に形成された第2金属層
と、前記第2金属層上に形成された絶縁層と、前記絶縁
層に形成された第1コンタクトホールと、前記第1コン
タクトホールに向かい合う位置に殆ど等しいサイズで前
記第2金属層に形成された第2コンタクトホールと、前
記第2コンタクトホールに向かい合う位置に殆ど等しい
サイズで前記第1金属層に形成された第3コンタクトホ
ールと、前記第1、第2及び第3コンタクトホールを通
して前記第2金属層のコンタクトホールの断面側部と接
するように形成された導電層を含むパッド部を含むこと
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項14】 前記第1コンタクトホールは、前記第
2コンタクトホールより大きく形成されて前記導電層の
表面一部と広く接触することを特徴とする、請求項13
記載の液晶表示装置。 - 【請求項15】 前記第2コンタクトホールは、前記第
3コンタクトホールより小さく形成されることを特徴と
する、請求項13記載の液晶表示装置。 - 【請求項16】 前記コンタクトホールは、一つ以上の
小さいコンタクトホールを配列し形成することを特徴と
する、請求項13記載の液晶表示装置。 - 【請求項17】 前記複数のゲートコンタクトホールは
前記ゲート物質の両端部に一つ以上が形成され、前記ゲ
ートパッドの中央部には前記コンタクトホールが形成さ
れないことを特徴とする、請求項16記載の液晶表示装
置。 - 【請求項18】 前記第1金属層は、アルミニウムを含
むことを特徴とする、請求項13乃至17いずれかに記
載の液晶表示装置。 - 【請求項19】 前記第2金属層は、モリブデン、タン
タル、タングステン及びアンチモン中の少なくとも一つ
を含むことを特徴とする、請求項13乃至17いずれか
に記載の液晶表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980005363A KR100276442B1 (ko) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 액정표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 의한 액정표시장치 |
KR1998-5363 | 1998-02-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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---|---|---|---|
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---|---|
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GB (1) | GB2334619B (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002258319A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置 |
US6717632B2 (en) * | 2000-10-30 | 2004-04-06 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Transflective liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
JP2007213065A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示パネル及びその製造方法 |
CN100447643C (zh) * | 2005-06-30 | 2008-12-31 | 乐金显示有限公司 | 薄膜晶体管基板及其制造方法 |
KR20110008639A (ko) * | 2009-07-20 | 2011-01-27 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
JP2011095784A (ja) * | 2004-12-31 | 2011-05-12 | Lg Display Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
KR20120023572A (ko) * | 2010-09-03 | 2012-03-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP2012212168A (ja) * | 2008-05-16 | 2012-11-01 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板、表示装置、アクティブマトリクス基板の製造方法または検査方法、および表示装置の製造方法または検査方法 |
JP2013101232A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | 配線構造及びそれを備える薄膜トランジスタアレイ基板並びに表示装置 |
JP2014134801A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd | アレイ基板及びその製造方法 |
JP2014158030A (ja) * | 2008-11-07 | 2014-08-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び表示モジュール |
JP2014222342A (ja) * | 2008-09-12 | 2014-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
CN104733475A (zh) * | 2015-03-26 | 2015-06-24 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
US9691789B2 (en) | 2008-10-22 | 2017-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US10153380B2 (en) | 2008-10-24 | 2018-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2019012833A (ja) * | 2012-03-14 | 2019-01-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019207416A (ja) * | 2008-09-19 | 2019-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100190041B1 (ko) * | 1995-12-28 | 1999-06-01 | 윤종용 | 액정표시장치의 제조방법 |
US6653216B1 (en) * | 1998-06-08 | 2003-11-25 | Casio Computer Co., Ltd. | Transparent electrode forming apparatus and method of fabricating active matrix substrate |
US6678017B1 (en) * | 1998-06-08 | 2004-01-13 | Casio Computer Co., Ltd. | Display panel and method of fabricating the same |
KR100280889B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2001-02-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정 표시 장치의 패드부 제조 방법 및 그 방법에 의한 액정 표시 장치 |
EP0981066A1 (de) * | 1998-08-20 | 2000-02-23 | Gretag Imaging Ag | Lichtdichtesteuerung mittels LCD-Einrichtung |
US6255130B1 (en) * | 1998-11-19 | 2001-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and a method for manufacturing the same |
JP2001053283A (ja) | 1999-08-12 | 2001-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
US6387600B1 (en) * | 1999-08-25 | 2002-05-14 | Micron Technology, Inc. | Protective layer during lithography and etch |
US6322712B1 (en) | 1999-09-01 | 2001-11-27 | Micron Technology, Inc. | Buffer layer in flat panel display |
KR100498630B1 (ko) * | 1999-09-01 | 2005-07-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 |
KR100582599B1 (ko) * | 1999-10-25 | 2006-05-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치 |
US6587086B1 (en) | 1999-10-26 | 2003-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
KR20010065038A (ko) * | 1999-12-21 | 2001-07-11 | 구본준, 론 위라하디락사 | 박막트랜지스터 및 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
KR100660811B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2006-12-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치용 배선 형성방법 |
KR100673331B1 (ko) * | 2000-02-19 | 2007-01-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치 |
KR100364832B1 (ko) * | 2000-05-18 | 2002-12-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치 제조방법 |
US6930732B2 (en) * | 2000-10-11 | 2005-08-16 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for a liquid crystal display |
KR100803177B1 (ko) * | 2001-05-14 | 2008-02-14 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR100812137B1 (ko) * | 2001-08-22 | 2008-03-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
KR100858297B1 (ko) * | 2001-11-02 | 2008-09-11 | 삼성전자주식회사 | 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법 |
KR100831280B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2008-05-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
KR100839150B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2008-06-20 | 삼성전자주식회사 | 반사전극을 갖는 액정표시장치의 제조방법 |
KR100499570B1 (ko) * | 2002-09-06 | 2005-07-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 입력배선 형성방법 |
CN1267780C (zh) | 2002-11-11 | 2006-08-02 | Lg.飞利浦Lcd有限公司 | 用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法 |
KR100971955B1 (ko) * | 2002-11-11 | 2010-07-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
KR100904270B1 (ko) | 2002-12-31 | 2009-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
JP2004221234A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
TW594337B (en) * | 2003-02-14 | 2004-06-21 | Quanta Display Inc | Method of forming a liquid crystal display panel |
CN1303467C (zh) * | 2003-04-11 | 2007-03-07 | 广辉电子股份有限公司 | 液晶显示面板的制作方法 |
KR100538328B1 (ko) * | 2003-06-20 | 2005-12-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
TWI366054B (en) * | 2003-06-27 | 2012-06-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Contact structure of conductive films and thin film transistor array panel including the same |
CN1301430C (zh) * | 2003-07-01 | 2007-02-21 | 统宝光电股份有限公司 | 液晶显示器装置 |
KR101001986B1 (ko) * | 2003-10-30 | 2010-12-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100560399B1 (ko) * | 2003-11-04 | 2006-03-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101002307B1 (ko) * | 2003-12-04 | 2010-12-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치와 그 제조방법 |
KR100698062B1 (ko) * | 2004-04-01 | 2007-03-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100603336B1 (ko) * | 2004-04-07 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
TWI252587B (en) * | 2004-12-14 | 2006-04-01 | Quanta Display Inc | Method for manufacturing a pixel electrode contact of a thin-film transistors liquid crystal display |
JP4020132B2 (ja) * | 2005-07-21 | 2007-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | ディザマトリクス生成装置、ディザマトリクス生成方法、プログラムおよび画像処理装置 |
JP5389672B2 (ja) * | 2008-01-21 | 2014-01-15 | ゴールドチャームリミテッド | 表示装置 |
US8222090B2 (en) * | 2009-08-04 | 2012-07-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | Modular die and mask for semiconductor processing |
WO2011046015A1 (en) | 2009-10-16 | 2011-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and semiconductor device |
JP5613635B2 (ja) * | 2011-07-21 | 2014-10-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR101385244B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2014-04-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
CN103715138B (zh) | 2013-12-31 | 2017-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法、显示装置 |
CN104617049B (zh) * | 2015-03-11 | 2017-06-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN104966674A (zh) * | 2015-07-09 | 2015-10-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管和阵列基板的制备方法及相关装置 |
CN205428907U (zh) * | 2016-02-17 | 2016-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 层堆叠结构、阵列基板和显示装置 |
KR102534051B1 (ko) | 2018-04-06 | 2023-05-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 도전층의 연결 구조 |
KR20240042270A (ko) | 2022-09-23 | 2024-04-02 | 정희선 | 카트 바퀴 제작방법 및 이에 의해 제작된 카트 바퀴 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5162933A (en) * | 1990-05-16 | 1992-11-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Active matrix structure for liquid crystal display elements wherein each of the gate/data lines includes at least a molybdenum-base alloy layer containing 0.5 to 10 wt. % of chromium |
DE69116337T2 (de) | 1990-10-05 | 1996-09-12 | Gen Electric | Dünnfilmtransistorstruktur mit verbesserten source/drainkontakten |
JPH04171744A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR950010661B1 (ko) | 1992-11-07 | 1995-09-21 | 엘지전자주식회사 | 티에프티 엘씨디(tft-lcd)용 신호선 제조방법 및 구조 |
US5532853A (en) * | 1993-03-04 | 1996-07-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reparable display device matrix for repairing the electrical connection of a bonding pad to its associated signal line |
KR960016638B1 (en) * | 1993-07-20 | 1996-12-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Active matrix liquid crystal display and its making method |
US5470790A (en) | 1994-10-17 | 1995-11-28 | Intel Corporation | Via hole profile and method of fabrication |
US5737041A (en) * | 1995-07-31 | 1998-04-07 | Image Quest Technologies, Inc. | TFT, method of making and matrix displays incorporating the TFT |
US5835177A (en) * | 1995-10-05 | 1998-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers |
JP3663261B2 (ja) * | 1995-10-05 | 2005-06-22 | 株式会社東芝 | 表示装置用アレイ基板及びその製造方法 |
KR0186206B1 (ko) | 1995-11-21 | 1999-05-01 | 구자홍 | 액정표시소자 및 그의 제조방법 |
EP1338914A3 (en) * | 1995-11-21 | 2003-11-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing liquid crystal display |
KR100190041B1 (ko) * | 1995-12-28 | 1999-06-01 | 윤종용 | 액정표시장치의 제조방법 |
KR100241287B1 (ko) * | 1996-09-10 | 2000-02-01 | 구본준 | 액정표시소자 제조방법 |
KR19980032463A (ko) | 1996-10-03 | 1998-07-25 | 윌리엄비.켐플러 | 개선된 전자이주 능력을 위한 비아(via) 패드와 캡 |
KR100251091B1 (ko) * | 1996-11-29 | 2000-04-15 | 구본준 | 액정표시장치의 제조방법 및 그 제조방법으로 제조되는 액정표시장치 |
KR100229613B1 (ko) * | 1996-12-30 | 1999-11-15 | 구자홍 | 액정 표시 장치 및 제조 방법 |
KR100248123B1 (ko) | 1997-03-04 | 2000-03-15 | 구본준 | 박막트랜지스터및그의제조방법 |
KR100244447B1 (ko) | 1997-04-03 | 2000-02-01 | 구본준 | 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법 |
-
1998
- 1998-02-20 KR KR1019980005363A patent/KR100276442B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-09-02 US US09/145,448 patent/US6172733B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-02-10 JP JP03347799A patent/JP4199357B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-12 GB GB9903232A patent/GB2334619B/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-02-18 DE DE19906815A patent/DE19906815B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-02-19 FR FR9902103A patent/FR2775386B1/fr not_active Expired - Fee Related
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6717632B2 (en) * | 2000-10-30 | 2004-04-06 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Transflective liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
JP4646420B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2011-03-09 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板およびそれを用いた表示装置 |
JP2002258319A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置 |
US7872698B2 (en) | 2001-02-28 | 2011-01-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Liquid crystal display with structure resistant to exfoliation during fabrication |
JP2011095784A (ja) * | 2004-12-31 | 2011-05-12 | Lg Display Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
CN100447643C (zh) * | 2005-06-30 | 2008-12-31 | 乐金显示有限公司 | 薄膜晶体管基板及其制造方法 |
JP2007213065A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示パネル及びその製造方法 |
JP2012212168A (ja) * | 2008-05-16 | 2012-11-01 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板、表示装置、アクティブマトリクス基板の製造方法または検査方法、および表示装置の製造方法または検査方法 |
US10236303B2 (en) | 2008-09-12 | 2019-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer |
JP2014222342A (ja) * | 2008-09-12 | 2014-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP2019207416A (ja) * | 2008-09-19 | 2019-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9691789B2 (en) | 2008-10-22 | 2017-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US10211240B2 (en) | 2008-10-22 | 2019-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9853069B2 (en) | 2008-10-22 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US10170632B2 (en) | 2008-10-24 | 2019-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor layer |
US10153380B2 (en) | 2008-10-24 | 2018-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10763372B2 (en) | 2008-10-24 | 2020-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with dual and single gate structure transistors |
US11563124B2 (en) | 2008-10-24 | 2023-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including flip-flop circuit which includes transistors |
JP2014158030A (ja) * | 2008-11-07 | 2014-08-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び表示モジュール |
KR20110008639A (ko) * | 2009-07-20 | 2011-01-27 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR20190022584A (ko) * | 2010-09-03 | 2019-03-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR20120023572A (ko) * | 2010-09-03 | 2012-03-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP2013101232A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | 配線構造及びそれを備える薄膜トランジスタアレイ基板並びに表示装置 |
JP2019012833A (ja) * | 2012-03-14 | 2019-01-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2014134801A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd | アレイ基板及びその製造方法 |
CN104733475A (zh) * | 2015-03-26 | 2015-06-24 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2334619A (en) | 1999-08-25 |
GB2334619B (en) | 2000-12-20 |
JP4199357B2 (ja) | 2008-12-17 |
FR2775386B1 (fr) | 2006-03-31 |
DE19906815A1 (de) | 1999-09-02 |
KR19990070487A (ko) | 1999-09-15 |
FR2775386A1 (fr) | 1999-08-27 |
KR100276442B1 (ko) | 2000-12-15 |
GB9903232D0 (en) | 1999-04-07 |
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