JPH11251589A5 - - Google Patents

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KR1019980047622A KR100317160B1 (ko) 1998-03-05 1998-11-07 반도체장치및그제조방법
KR1020010039229A KR100318571B1 (ko) 1998-03-05 2001-07-02 반도체 장치 및 그 제조 방법
US10/650,703 US7052954B2 (en) 1998-03-05 2003-08-29 Method of fabricating a MOS structure with two conductive layers on the gate electrode
US11/267,514 US7910987B2 (en) 1998-03-05 2005-11-07 Semiconductor device

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Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3502531B2 (ja) * 1997-08-28 2004-03-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP5058406B2 (ja) * 2000-10-31 2012-10-24 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
JP2002176177A (ja) * 2000-12-07 2002-06-21 Denso Corp 半導体装置及びその製造方法
DE10063443B4 (de) 2000-12-20 2005-03-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer Elektrode eines mittels Feldeffekt steuerbaren Halbleiterbauelements und mittels Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement
JP5025071B2 (ja) * 2001-02-01 2012-09-12 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2002368220A (ja) * 2001-06-04 2002-12-20 Hitachi Ltd 半導体装置及びこれを用いた電源システム
US6882000B2 (en) * 2001-08-10 2005-04-19 Siliconix Incorporated Trench MIS device with reduced gate-to-drain capacitance
JP2004022941A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Toshiba Corp 半導体装置
JP4219630B2 (ja) * 2002-07-17 2009-02-04 株式会社豊田中央研究所 トレンチゲート型半導体装置とその製造方法
JP2004055803A (ja) * 2002-07-19 2004-02-19 Renesas Technology Corp 半導体装置
US8080459B2 (en) * 2002-09-24 2011-12-20 Vishay-Siliconix Self aligned contact in a semiconductor device and method of fabricating the same
US8629019B2 (en) 2002-09-24 2014-01-14 Vishay-Siliconix Method of forming self aligned contacts for a power MOSFET
KR100593445B1 (ko) * 2004-02-13 2006-06-28 삼성전자주식회사 채널부 홀들 사이에 채널 영역을 갖는 트랜지스터들 및 그제조방법들
US6960519B1 (en) 2004-06-25 2005-11-01 International Business Machines Corporation Interconnect structure improvements
KR100562657B1 (ko) * 2004-12-29 2006-03-20 주식회사 하이닉스반도체 리세스게이트 및 그를 구비한 반도체장치의 제조 방법
US9111754B2 (en) * 2005-07-26 2015-08-18 Vishay-Siliconix Floating gate structure with high electrostatic discharge performance
US8110868B2 (en) 2005-07-27 2012-02-07 Infineon Technologies Austria Ag Power semiconductor component with a low on-state resistance
JP5087542B2 (ja) * 2005-07-27 2012-12-05 インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト ドリフト領域とドリフト制御領域とを有する半導体素子
US8461648B2 (en) 2005-07-27 2013-06-11 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor component with a drift region and a drift control region
JP2007088010A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4844077B2 (ja) * 2005-10-13 2011-12-21 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
JP4867333B2 (ja) * 2005-12-27 2012-02-01 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置、及び炭化珪素半導体装置の製造方法
US7544545B2 (en) 2005-12-28 2009-06-09 Vishay-Siliconix Trench polysilicon diode
JP2008042166A (ja) * 2006-07-12 2008-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 縦型ゲート半導体装置及びその製造方法
US9437729B2 (en) 2007-01-08 2016-09-06 Vishay-Siliconix High-density power MOSFET with planarized metalization
US9947770B2 (en) 2007-04-03 2018-04-17 Vishay-Siliconix Self-aligned trench MOSFET and method of manufacture
US9484451B2 (en) 2007-10-05 2016-11-01 Vishay-Siliconix MOSFET active area and edge termination area charge balance
JP4581011B2 (ja) 2008-01-25 2010-11-17 株式会社東芝 電気部品とその製造方法
US10600902B2 (en) 2008-02-13 2020-03-24 Vishay SIliconix, LLC Self-repairing field effect transisitor
JP5599388B2 (ja) * 2009-04-28 2014-10-01 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
JP2010283132A (ja) 2009-06-04 2010-12-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US9443974B2 (en) * 2009-08-27 2016-09-13 Vishay-Siliconix Super junction trench power MOSFET device fabrication
US9230810B2 (en) 2009-09-03 2016-01-05 Vishay-Siliconix System and method for substrate wafer back side and edge cross section seals
US9431530B2 (en) 2009-10-20 2016-08-30 Vishay-Siliconix Super-high density trench MOSFET
US9842911B2 (en) 2012-05-30 2017-12-12 Vishay-Siliconix Adaptive charge balanced edge termination
KR101388706B1 (ko) * 2012-08-30 2014-04-24 삼성전기주식회사 전력 반도체 소자 및 그 제조방법
JP2014075483A (ja) * 2012-10-04 2014-04-24 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP6218423B2 (ja) * 2013-04-25 2017-10-25 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
US9887259B2 (en) 2014-06-23 2018-02-06 Vishay-Siliconix Modulated super junction power MOSFET devices
CN106575666B (zh) 2014-08-19 2021-08-06 维西埃-硅化物公司 超结金属氧化物半导体场效应晶体管
WO2016028943A1 (en) 2014-08-19 2016-02-25 Vishay-Siliconix Electronic circuit
JP6623772B2 (ja) * 2016-01-13 2019-12-25 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2018152514A (ja) * 2017-03-14 2018-09-27 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP7135302B2 (ja) * 2017-11-08 2022-09-13 富士電機株式会社 炭化シリコン半導体装置及びその製造方法
US10529662B2 (en) * 2018-01-29 2020-01-07 International Business Machines Corporation Method and structure to construct cylindrical interconnects to reduce resistance
JP7048659B2 (ja) * 2020-04-07 2022-04-05 ローム株式会社 半導体装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4761385A (en) * 1987-02-10 1988-08-02 Motorola, Inc. Forming a trench capacitor
EP0283964B1 (en) * 1987-03-20 1994-09-28 Nec Corporation Dynamic random access memory device having a plurality of improved one-transistor type memory cells
JPS6427252A (en) * 1987-04-13 1989-01-30 Nec Corp Semiconductor storage device
US4954854A (en) * 1989-05-22 1990-09-04 International Business Machines Corporation Cross-point lightly-doped drain-source trench transistor and fabrication process therefor
US5055900A (en) * 1989-10-11 1991-10-08 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Trench-defined charge-coupled device
JP3226669B2 (ja) 1993-07-27 2001-11-05 株式会社東芝 半導体装置
JP2586000B2 (ja) * 1993-10-28 1997-02-26 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5485031A (en) * 1993-11-22 1996-01-16 Actel Corporation Antifuse structure suitable for VLSI application
JP3400846B2 (ja) * 1994-01-20 2003-04-28 三菱電機株式会社 トレンチ構造を有する半導体装置およびその製造方法
JP3396553B2 (ja) * 1994-02-04 2003-04-14 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
TW360980B (en) * 1994-05-04 1999-06-11 Nippon Precision Circuits Single transistor EEPROM memory device
JP3338178B2 (ja) 1994-05-30 2002-10-28 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JPH0823092A (ja) 1994-07-06 1996-01-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3155894B2 (ja) * 1994-09-29 2001-04-16 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JP2792467B2 (ja) * 1995-06-13 1998-09-03 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5689128A (en) * 1995-08-21 1997-11-18 Siliconix Incorporated High density trenched DMOS transistor
US5895766A (en) * 1995-09-20 1999-04-20 Micron Technology, Inc. Method of forming a field effect transistor
US5894149A (en) * 1996-04-11 1999-04-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having high breakdown voltage and method of manufacturing the same
JPH09331063A (ja) 1996-04-11 1997-12-22 Mitsubishi Electric Corp 高耐圧半導体装置およびその製造方法
US5661085A (en) * 1996-06-17 1997-08-26 Chartered Semiconductor Manufacturing Pte, Ltd. Method for forming a low contact leakage and low contact resistance integrated circuit device electrode
DE19638439C2 (de) * 1996-09-19 2000-06-15 Siemens Ag Durch Feldeffekt steuerbares, vertikales Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
US6025269A (en) * 1996-10-15 2000-02-15 Micron Technology, Inc. Method for depositioning a substantially void-free aluminum film over a refractory metal nitride layer
US5744395A (en) * 1996-10-16 1998-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Low resistance, self-aligned, titanium silicide structures, using a single rapid thermal anneal procedure
JP3976374B2 (ja) * 1997-07-11 2007-09-19 三菱電機株式会社 トレンチｍｏｓゲート構造を有する半導体装置及びその製造方法
US5834353A (en) * 1997-10-20 1998-11-10 Texas Instruments-Acer Incorporated Method of making deep sub-micron meter MOSFET with a high permitivity gate dielectric

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