JPH10501925A - 静電チャック - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
静電チャックおよびチャックの形成方法が開示されている。このチャックは、活性ロウ付け合金の層と直接結合したセラミック材料を含む。活性合金は、静電チャックの導電層およびチャックのベースに誘電層を結合させるための成分として作用する。電極への電気的なフィードスルーもまた活性合金を用いて形成することができる。
Description
【発明の詳細な説明】
静電チャック
本発明は、静電気的に固定される物品のための装置に関するものである。この
ような装置は、以下の記載において静電チャックと呼ぶ。
半導体装置の製造には多段階のステップがある。製造時、半導体ウエハをその
後部または背部のガス圧に対して固定するためにチャックが使用されている。こ
の固定の目的のために商業的に入手可能なチャックは、典型的には真空ポンプ、
機械的固定または静電力を使用している。
真空ポンプは、非常に低いプロセスチャンバー圧力が要求されるときは不適当
であるので、ある特定の場合にのみ有用である。
機械的なクランプは、比較的安価であるがために半導体工業界で主に幅広く使
用されている。機械的クランプは、ウエハの周囲を物理的に係合するものである
が、接触による損傷のリスクがあり、またクランプされた範囲が処理または加工
されないことがある。さらにこの係合は、ウエハの製造歩留まりを減少させる屑
（すなわち粒子）を生み出すことがある。また機械的なクランプは、ウエハの中
央部分を固定することができず、その支持されない部分の所望されないソリを生
じる。
これに対し静電チャックは、クーロン力を使用して半導体ウエハの背面全体を
固定するものである。このようなチャックは、単極および双極（多極）の一般的
に２つのタイプが採用されている。単極の静電チャックは、平行板コンデンサの
一方の板として有効に機能し、ベースにより支持された単一電極および薄い誘電
層コーティングを含む。他の静電プレートとして作用するウエハは、続いて誘電
層の上部におかれる。ウエハと電極との間に電圧が印加されるとき、ウエハは電
極に吸引され、隣接する誘電材料に対して平坦となる。
多極誘電チャックは、典型的には２つまたはそれ以上の電極を有し、これらは
異なる電位が維持されている。結果としてウエハへの実効電荷の転移の要求は生
じない。双極の静電チャックを存在させることは比較的難しく、製造も高コスト
ではあるが、ウエハの加工中電極に存在する電圧の調節または平衡が可能である
。
Ａｂｅの米国特許第４，３８４，９１８号は、静電チャックを用いて発生する吸
引力に関する数式を提供するものである。単極チャックの場合、吸引力“Ｆ”は
、次のようにして計算される：
式中、ε＝ 誘電体の誘電率
Ｖ＝印加した電圧
ｄ＝絶縁（誘電）材料の厚さ
Ｓ＝電極の面積
同様に、双極チャックの吸引力は次のようになる：
数式（１）および（２）において、半導体ウエハに生じる吸引力は、誘電材料
厚さの平方に反比例する。
これらの数学的関係の結果として、誘電層の厚さを減少するための数多くの努
力がなされてきた。Ｔｏｊｏらの米国特許第４，４８０，２８４号明細書には、
これらの努力の幾つかが記載され、マイカ、ポリエステルまたはバリウムチタネ
ートの誘電層を電極ディスクに結合するための接着剤を使用し、金属材料をアノ
ード処理することにより誘電層を製造している。しかしながら、Ｔｏｊｏらの特
許でディスカッションされているように、これらの工程により形成された誘電層
は、典型的には均一な厚さ且つ平坦な表面にはならず、幾つかの場合において時
間の経過によりクラックを生じることがある。この欠点は、コスト高の複雑なプ
ロセスによると組み合わせた場合に顕著となり、加工技術の商業的価値を減少さ
せる。
Ｔｏｊｏらの特許は、誘電チャックとともに使用するための信頼性のある誘電
層を形成する方法を開示すると主張している。この特許によれば、酸化アルミニ
ウム（アルミナ）、２酸化チタン、またはバリウムチタネート（またはこれらの
混合物）は、誘電層を形成するために電極プレート上に溶射される。溶射プロセ
スを使用することにより生じる粗い表面は十分な誘電強度をもたないために、誘
電層は、プラスチック材料に含浸される。ソリおよびクラックを減少させるため
に、誘電層および電極は実質上同一の熱膨張率を有する。
本発明は、上記の従来技術の課題を解決することを目的とし、添付の請求の範
囲にこれを明らかにしている。
具体的には本発明は、平坦なセラミック部材（例えばディスク）と活性ロウ付
け合金とを直接結合させる静電チャックを形成することを含む。この単一ステッ
プの組立体は、誘電層および他の部分のチャックが一般的に入手可能であり且つ
比較的安価であるのための成分を使用するので、従来技術よりも多くの利点を有
する。パターンを結合するために同様に安価であるパターンスクリーン技術を採
用するので、柔軟性のあるジオメトリの形成もまた高められ、また活性合金の使
用は、チャック電極への電気的フィードスルーの形成を可能にする。活性ロウ付
け合金は、活性金属を含む材料であり、ロウ付けの際にセラミックと反応し、セ
ラミックに前記材料を化学的に結合させるものである。用語“活性ロウ付け合金
”は、金属の非合金混合物を含み、且つ活性金属含有ペーストを含む。このよう
な材料のディスカッションは、ＷＯ−Ａ−９４／０３９２３号明細書に記載され
、またこのような材料はセラミックスの接着分野でよく知られている。本発明に
おいて、活性合金は導電層（電極）および誘電層がチャックのベースに結合する
ための手段として作用する。
したがって本発明は、比較的低コストで、容易に組立体となせる誘電チャック
を提供するものである。このチャックの誘電層は、様々な条件下で高い信頼性を
示し、その現況の単極および多極静電チャックに使用されているものの代用とし
て商業的有用性を高めるものである。また誘電層は、適当な吸引力の発生を導き
出すために受け入れられる、別に製造した誘電層に不適切な薄さにまですること
が可能である。さらに本発明は、もし望むならばその形状および寸法をより大き
なものにすることができる。
活性合金およびセラミックは異なる熱膨張率を有するために、本発明はセラミ
ックにおけるネットの圧縮表面応力を発生することにより、誘電層の一体性を改
善
する。選択された活性合金に依存して、十分な高温の結合がなされ得、例えば有
機接着法により形成されたチャックに一般的に用いられる温度を超えて、静電チ
ャックを使用することができる。活性合金の適切なパターンおよび厚さは、プラ
ズマ化学蒸着装置のＲＦ帯域の均一性を高めることができる。
本発明の他の特性および有利さは、下記の説明および図面を考慮して、請求の
範囲により明らかになろう。
図１は、サンプルおよび電源とともに示される典型的な静電チャックの部分的
に概略的な断面図である。
図２は、本発明の単極静電チャックの断面図である。
図２Ａは、本発明の静電チャックの一部分を形成する例示的なフィードスルー
の断面図であり、ＷＯ−Ａ−９４／０３９２３号の図４と同様である。
図３は、本発明の双極静電チャックの断面図である。
図４は、図３の静電チャックの別の一実施態様の断面図である。
図５は、図３の静電チャックの別の一実施態様の断面図である。
図１は、一般的な単極静電チャック１０を示すものであり、電極プレート１４
および誘電層１８を有する。また、図１には電源２２および半導体ウエハ（これ
に限定されない）のようなサンプル２６も示されている。チャック１０の使用時
、電源２２の負極端子３０が電極１４に電気的に接続され、また正極端子３４が
サンプル２６に電気的に接続され、これにより電極プレート１４とサンプル２６
との間に電界が発生する。続いて誘電層１８が分極し、その下部表面３８が正電
荷になりその上部表面４２が負電荷になる。生じた分極は静電的にサンプル２６
を電極プレート１４の方向に吸引し、誘電層１８に対してこれを固定する。分極
が逆である場合も同様の効果が奏される。
図２は、本発明の単極誘電チャック４６の一例である。チャック１０のように
、チャック４６は誘電層５０および電極５４を含む。またチャック４６はベース
５８を有し、フィードスルー６２が形成されている。しかしながらチャック１０
とは異なり、電極５４は活性ロウ付け合金により形成され、誘電層５０およびベ
ース５８は例えばアルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、バリウムチタネート
またはカルシウムチタネートのような（これらには限定されない）、セラミック
材料である。例えば図２に見られる本発明の幾つかの態様において、誘電層５０
お
よびベース５８は、多結晶アルミナから実質上なり（すなわち９４．０〜９９．
８％）、また電極５４は、重量％として次のもののうちの１つから実質上なる活
性合金から形成される：
（１） ０〜９７．５％Ａｕ、０〜１５．５％Ｎｉ、０〜９３．２５％Ａｇ、
０〜３５．２５％Ｃｕ、０〜２．２５％Ｔｉ、０〜１２．５％Ｉｎ、０〜２％Ａ
ｌ、０〜１％Ｓｎ、０〜３％Ｓｉ、０〜０．７５％Ｍｏ、０〜１．７５％Ｖ（好
ましくは、商品名Incusil ABAとして提供される５８〜６０％Ａｇ、２６．２５
〜２８．２５％Ｃｕ、１２〜１３％Ｉｎ、１〜１．５％Ｔｉ）；
（２） ６２〜６４％Ａｇ、３３．２５〜３５．２５％Ｃｕ、０．７５〜１．
２５％Ｓｎ、１．５〜２．０％Ｔｉ（商品名Cusin-1 ABA）；
（３） ６２〜６４％Ａｇ、３４．２５〜３６．２５％Ｃｕ、１．５〜２．０
％Ｔｉ（商品名Cusin ABA）；
（４） ９２．２５〜９３．２５％Ａｇ、４．５〜５．５％Ｃｕ、０．７５〜
１．２５％Ａｌ、１〜１．５％Ｔｉ（商品名Silver ABA）；
（５） ９２．２５〜９３．２５％Ｃｕ、１．７５〜２．２５％Ａｌ、２．７
５〜３．２５％Ｓｉ、２〜２．５％Ｔｉ（商品名Copper ABA）；
（６） ９５．９〜９６．９％Ａｕ、２．５〜３．５％Ｎｉ、０．５〜０．７
％Ｔｉ（商品名Gold ABA）；
（７） ８１〜８３％Ａｕ、１４．５〜１６．５％Ｎｉ、０．５〜１．０％Ｍ
ｏ、１．５〜２．０％Ｖ（商品名Nioro ABA）；
（８） ６４〜６６％Ａｇ、１．７５〜２．５％Ｔｉ、３１．５〜３４．２５
％Ｃｕ（商品名Cusil ABA）；または
（９） ７０％Ｔｉ、１５％Ｃｕ、１５％Ｎｉ（商品名Ticuni ABA）。
本発明においては他の活性合金も使用することができるが、上記の合金は、カ
リフォルニア州94002、ベルモント、ハーバーボールバード(Harbor Boulevard)
４７７のWesgo社から商業的に入手可能である。電極５４として使用するのに適
当な他の合金を用いる場合、これらは誘電層５０およびベース５８のために選択
されるセラミック（または他の）材料の表面と化学的に反応するに十分な活性元
素を有する。また、このような活性合金の使用は、チャック４６の導電層（電極
５４）として、また誘電層５０とベース５８が結合する手段として合金が機能す
るので、本発明の顕著な特性である。
チャック４６の１つの形成方法は、２つのセラミックディスクを成形し、その
間に活性合金のシートをおくことを包含する。次にこの組立体をロウ付けし、活
性合金を用いて２つのセラミックディスクを結合する。続いて従来の研磨技術を
行って、誘電層５０に好適な厚さの範囲である０．００４〜０．０１０インチ（
約０．１〜０．２５mm）にセラミックディスクの１つの厚さを減少させることが
できる。例えば通常多結晶アルミナは、減少された厚さではその一体性を保持し
ないが、活性合金は良好な薄さを可能にするように各アルミナ粒子を所望の場所
に保持する。このように本発明は、単結晶サファイアのような高価な誘電層を使
用する必要がなく、その代わりに低コストのセラミック材料を用いることができ
る（但しもし望むならばサファイアを引き続き使用することもできる）。活性合
金はアルミナディスクよりも大きい熱膨張率を有するので、これらをロウ付けす
ることはアルミナ表面に圧縮応力を生じさせ、これは研磨プロセスのときに層の
一体性の保持に役立つ。
幾つかの態様において、２つのセラミックディスクは最初に１／８インチの厚
さ（約３mm）で１インチ、３．５インチまたは８インチの直径（それぞれ約２５
、８９および２００mm）の９９．５％アルミナであり、活性合金は、約０．００
２インチ（約０．０５mm）の厚さの商品名Copper ABAのシートである。２つのデ
ィスクのうち薄くされたものは結果として誘電層５０となり、他のものはベース
５８となる。上記のように、活性合金は電極５４として機能する。
また図２は、フィードスルー６２が存在する場合の詳細を示すものであり、フ
ィードスルーは固体、液体および気体の通過を阻止しながらベース５８への電気
的に接続される通路を提供するものである。ＷＯ−Ａ−９４／０３９２３号明細
書に詳細にディスカッションされているようにフィードスルー６２は、（セラミ
ック）ベース５８と化学的に反応するように、それ自体活性合金ワイヤまたは他
の接点６６を有する。図２Ａは例えばその共に係属中の出願から取り上げたもの
であるが、フィードスループレフォーム（接点６６）および物品（ベース５８）
を示すものであり、これらは規定時間および温度で加熱されて、物品の挿入孔部
（開口部７０）の内側表面とプレフォームの外側表面との間の界面でロウ付け反
応が行われる。
図３〜５は、本発明の双極静電チャック７４を例示するものである。チャック
４６のように、チャック７４は誘電層７８およびベース８２を有し、これらはセ
ラミック材料から形成され得る。しかしながら、単極チャック４６とは異なり、
活性合金は誘電層７８とベース８２との間の一部に設けられ、他の部分は結合し
ていない。したがって図３〜５に示されるように、非導電性領域８６は電極９０
を分離し、電極９０はいずれもベース８２を通じるフィードスルー９４に電気的
に接続されている。図３および５において、領域８６は空気の満たされている空
間である。これとは別に、領域８６は、ベース８２のポート１０２からエポキシ
またはアルミナ充填有機金属懸濁液のような有機または無機誘電フィラー９８を
注入してこれを満たすことができる（図４）。誘電層７８とベース８２との間の
周囲領域１０６もフィラー９８を含むことができる（図４〜５）。当業者ならば
パターンおよび活性合金ペーストを結合するためにパターンスクリーン技術を用
いて多極静電チャックのような他のジオメトリの形成が可能であることが理解さ
れよう。次に示すように、６つの多極チャックを形成した。
以下、実施例により本発明をさらに説明するが、これらの例は請求の範囲を限
定するものではない：
実施例１
実質上多結晶アルミナからなる３．５インチの直径（約８９mm）および０．２
５インチの厚さ（約６mm）の２つのウエハを、重量基準で９２．２５〜９３．２
５％Ｃｕ、１．７５〜２．２５％Ａｌ、２．７５〜３．２５％Ｓｉおよび２〜２
．５％Ｔｉ（商品名Copper ABA）から実質上構成される活性ロウ付け合金ペース
トを用いて結合した。この合金層は、０．００３インチの厚さ（約０．０７６mm
）であり、上部のセラミック層の厚さを続いて研磨により０．００４インチ（約
０．１mm）まで薄くした。１．０ｋＶまでの試験で静電チャックの一部分を評価
してみると、この組立体は良好に機能した。
実施例２
商品名Copper ABAの０．００３インチの厚さ（約０．０７６mm）のシート（フ
ォイル）を用い、実質上多結晶アルミナからなる８インチの直径（約２００mm）
および０．３７５インチの厚さ（約９．５mm）のディスクを、同じディスクに結
合した。その上部表面を続いて０．００７インチの厚さ（約０．１８mm）まで薄
く
し、組立体の静電チャックの部分を評価した。チャックは１．５ｋＶまでの試験
で良好に機能しただけではなく、誘電層の一体性のために、上記電圧で１０１１
オームを超える抵抗を示した。
実施例３
実質上多結晶アルミナからなる０．１２５インチの厚さ（約３．２mm）の２つ
の長方形プレートを、重量基準で６２〜６４％Ａｇ、３４．２５〜３６．２５％
Ｃｕおよび１．５〜２．０％Ｔｉ（商品名Cusin ABA）から実質上構成されるパ
ターンスクリーンペーストを用いて結合した。結合後、誘電層を０．０２０イン
チ（約０．５mm）ないし０．００２インチ（約０．０５mm）の範囲の厚さまで良
好に薄くすることができた。ロウ付けしない領域は、非導電性の重合性材料で支
持され、フィードスルーがセラミック材料中の孔部に溶融した活性ロウ付け合金
ワイヤを導入することにより形成された。背面の銅のピッグテイルもまた使用し
た。
実施例４
実質上多結晶アルミナからなる５．２インチの直径（約１３２mm）および０．
３００インチの厚さ（約７．６mm）の２つのディスクを、６つの分離した電極領
域を形成するように星形パターンとして商品名Cusin-1 ABAを用いて結合した。
各電極は、活性ロウ付け合金を用いてニッケルワイヤ接点に取り付けられた。チ
ャックの活性誘電表面は、０．００９インチ（約０．２３mm）の厚さに仕上げら
れ、組立体全体の厚さは０．１２５インチ（約３．２mm）であった。電極パター
ン領域の間に有機誘電体充填物を使用した。このチャックは、仕損じることなく
５００〜１０００Ｖの電圧で有効にシリコンウエハを固定した。
実施例５
それぞれ出発厚として０．１２５インチ（約３．２mm）の２つのセラミック部
材を結合するために、スクリーンCusin ABAロウ付け合金を用い、５．９インチ
の直径（約１５０mm）および０．０８９インチの厚さ（約２．３mm）のセラミッ
ク静電チャックを形成した。この合金は同心円パターンを有する双極の電極を形
成した。これらの電極を、ニッケル−銅合金端子ピンまで、セラミックを通じる
活性合金フィードスルーによってチャックの背面に接続した。有機充填物のシー
ルを縁部に設けた。チャックの誘電表面は０．００６インチの厚さ（約１．５mm
）
であり、使用時にガスの通過を許す溝が設けられた。
実施例６
背面のセラミックおよび０．００６インチ（約０．１５mm）の上部の誘電層を
通じて接続する活性ロウ付け合金ペーストのフィードスルーを有する２．５イン
チの直径（約６３．５mm）の単極静電チャックを形成した。ロウ付け合金電極が
おかれない場所の領域に無機誘電シーラントを用い、６００℃の温度でチャック
の操作を可能にした。チャックが形成されるセラミック部材の出発厚は、それぞ
れ０．４インチ（約１０．２mm）および０．１２５インチ（約３．２mm）であり
、シーラントは微粉アルミナパウダーと混合された市販の無機の液体（シリカお
よびホスフェート接着剤）を含み、熱硬化性セラミックセメントとした。
上記説明は静電チャックの提供に関するものであり、半導体製造について述べ
た。本発明はこん半導体製造に限定されず、静電的に物品を固定する装置が要求
されるならばどんなものでも本発明は適用可能であることは、当業者ならば理解
されよう。
【手続補正書】特許法第１８４条の８
【提出日】１９９６年７月１２日
【補正内容】
補正された請求の範囲
１． ａ．第１および第２部材を有し、且つ少なくとも一方が実質上多結晶ア
ルミナから製造されたものであり；および
ｂ．前記第１および第２部材間の少なくとも１部分に挟まれ且つ両者を
化学的に結合する金属を含む電極；
を備えた静電チャック。
２． 第２部材を通じて伸びる、電源に電極を電気的に接続するための手段を
さらに有する請求の範囲第１項に記載の静電チャック。
３． 金属により結合していない第１および第２非金属性部材間に挟まれた、
空気ではない誘電フィラーをさらに有する請求の範囲第１項または第２項に記載
の静電チャック。
４． 電気的に接続する手段が、第２部材に形成された開口部を有し、前記開
口部を通じて伸び且つこれに結合している活性合金を有する請求の範囲第２項に
従属する請求の範囲第２項に記載の静電チャック。
５． 空気ではない誘電フィラーが、エポキシおよびアルミナ充填有機金属懸
濁体からなる群から選択される請求の範囲第３項に記載の静電チャック。
６． ａ．第１および第２部材間に挟まれ、且つ使用時に電圧源に接続可能で
ある１つ以上の電極を有し；ここで
ｂ．前記１つ以上の電極が、第１部材を第２部材に結合する活性ロウ付
け合金から形成される請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか１項に記載の静
電チャック。
７． 誘電層を形成する第１および第２部材のいずれかが０．０２０インチ（
０．５０８mm）以下の厚さを有する請求の範囲第６項に記載の静電チャック。
８． 第１および第２部材のいずれかが０．００４インチ（０．１０mm）〜０
．０１インチ（０．２５mm）の範囲の厚さを有する請求の範囲第７項に記載の静
電チャック。
９． ６００℃の温度で使用可能である請求の範囲第６項ないし第８項のいず
れか１項に記載の静電チャック。
１０． 活性合金が第１部材の熱膨張率よりも高い値を有する請求の範囲第１
項ないし第９項のいずれか１項に記載の静電チャック。
１１． 活性合金が非貴金属から実質上なる請求の範囲第１項ないし第１０項
のいずれか１項に記載の静電チャック。
１２． ａ．第１および第２部材；
ｂ．前記第１および第２部材間の少なくとも１部分に挟まれ且つ両者
を化学的に結合する金属を含む電極；および
ｃ．金属により結合していない第１および第２非金属性部材間に挟ま
れた、空気ではない誘電フィラーを有し、ここで製造時に空気ではない誘電フィ
ラーが注入されるポートを第１セラミック部材が形成する静電チャック。
１３． 第１および第２セラミック部材の少なくとも１つが窒化珪素、窒化ア
ルミニウム、バリウムチタネート、カルシウムチタネートおよびサファイアから
なる群から選択された材料を含む請求の範囲第１項ないし第１３項のいずれか１
項に記載の静電チャック。
１４． 加工時に請求の範囲第１項ないし第１３項のいずれか１項に記載の静
電チャックの使用を含む半導体ウエハの固定方法。
１５． ａ．第１および第２セラミック部材の少なくとも１部分と金属とを化
学的に結合させ；
ｂ．続いて第１セラミック部材の厚さを減少させ；および
ｃ．第１セラミック部材のポートを通じて、空気ではない誘電フィラ
ーを、金属により結合していない第１および第２非金属性部材間に挟まれた場所
に注入する；
ステップを包含する静電チャックの形成方法。
１６． 第１および第２セラミック部材の結合ステップが、第１および第２セ
ラミック部材の少なくとも１部分と活性合金との結合を含む請求の範囲第１５項
に記載の方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １． ａ．第１および第２部材；および ｂ．前記第１および第２部材間の少なくとも１部分に挟まれ且つ両者を 化学的に結合する金属を含む電極； を備えた静電チャック。 ２． 第２部材を通じて伸びる、電源に電極を電気的に接続するための手段を さらに有する請求の範囲第１項に記載の静電チャック。 ３． 金属により結合していない非金属性の第１および第２部材間に挟まれた 非導電性の材料をさらに有する請求の範囲第１項または第２項に記載の静電チャ ック。 ４． 第１および第２部材がセラミックであり、且つ金属が前記第１および第 ２部材を互いにロウ付けするために用いられる活性合金から形成される請求の範 囲第１項ないし第３項のいずれか１項に記載の静電チャック。 ５． 電気的に接続する手段が、第２部材に形成された開口部を有し、前記開 口部を通じて伸び且つこれに結合している活性合金を有する請求の範囲第２項に 従属する請求の範囲第４項に記載の静電チャック。 ６． 非導電性材料がエポキシおよびアルミナ充填有機金属懸濁体からなる群 から選択される請求の範囲第３項に記載の静電チャック。 ７． ａ．ベース部； ｂ．誘電層；および ｃ．前記ベース部および誘電層間に挟まれ、且つ使用時に電圧源に接続 可能である１つ以上の電極を有し；ここで ｄ．前記ベース部および誘電層はセラミックから形成され；且つ ｅ．前記１つ以上の電極が前記ベース部に前記誘電層を結合させる活性 ロウ付け合金から形成される請求の範囲第１項ないし第６項のいずれか１項に記 載の静電チャック。 ８． 誘電層が０．０２０インチ（０．５０８mm）以下の厚さを有する請求の 範囲第７項に記載の静電チャック。 ９． 誘電層が０．００４インチ（０．１０mm）〜０．０１インチ（０．２５ mm）の範囲の厚さを有する請求の範囲第８項に記載の静電チャック。 １０． ６００℃の温度で使用可能である請求の範囲第７項ないし第９項のい ずれか１項に記載の静電チャック。 １１． 活性合金が第１部材の熱膨張率よりも高い値を有する請求の範囲第４ 項に従属する請求の範囲第５項ないし第１０項のいずれか１項に記載の静電チャ ック。 １２． 第１および第２部材の少なくとも１つが実質上アルミナから形成され る請求の範囲第１項ないし第１１項のいずれか１項に記載の静電チャック。 １３． 活性合金が非貴金属から実質上なる請求の範囲第４項に従属する請求 の範囲第５項ないし第１２項のいずれか１項に記載の静電チャック。 １４． 非導電性材料が注入されるポートを第１セラミック部材が形成する請 求の範囲第３項に記載の静電チャック。 １５． 第１および第２セラミック部材の少なくとも１つが窒化珪素、窒化ア ルミニウム、バリウムチタネート、カルシウムチタネートおよびサファイアから なる群から選択された材料を含む請求の範囲第１項ないし第１４項のいずれか１ 項に記載の静電チャック。 １６． 加工時に請求の範囲第１項ないし第１５項のいずれか１項に記載の静 電チャックの使用を含む半導体ウエハの固定方法。 １７． ａ．第１および第２セラミック部材の少なくとも１部分と金属とを化 学的に結合させ；および ｂ．続いて第１セラミック部材の厚さを減少させる； ステップを包含する静電チャックの形成方法。 １８． 第１および第２セラミック部材の結合ステップが、第１および第２セ ラミック部材の少なくとも１部分と活性合金との結合を含む請求の範囲１７に記 載の方法。
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