WO2019208625A1 - 静電チャック及びその製造方法 - Google Patents

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WO2019208625A1
WO2019208625A1 PCT/JP2019/017408 JP2019017408W WO2019208625A1 WO 2019208625 A1 WO2019208625 A1 WO 2019208625A1 JP 2019017408 W JP2019017408 W JP 2019017408W WO 2019208625 A1 WO2019208625 A1 WO 2019208625A1
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WO
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electrode
gap
electrostatic chuck
height
predetermined
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PCT/JP2019/017408
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English (en)
French (fr)
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保典 川邊
大川　善裕
Original Assignee
京セラ株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Definitions

  • the present disclosure relates to an electrostatic chuck and a manufacturing method thereof.
  • Electrostatic chucks used in semiconductor manufacturing equipment and the like are known (for example, Patent Documents 1 and 2).
  • Such an electrostatic chuck has, for example, a flat substrate made of ceramic and a layered electrode embedded in the substrate. The wafer is superimposed on the upper surface (the widest surface of the plate shape, the main surface) of the substrate. And by applying a voltage to an electrode, a base
  • Patent Document 1 the side surface of the electrode is formed in a pointed shape in a cross section orthogonal to the upper surface of the substrate.
  • a heater plate for heating a wafer is overlaid on the lower surface of the base.
  • the heater plate has two resin layers and a resistance heating element disposed therebetween, and a gap is formed on the side of the resistance heating element.
  • the electrostatic chuck includes an insulating base and a layered electrode.
  • the base has a predetermined surface.
  • the electrode is along the predetermined surface in the substrate.
  • the upper surface of the electrode facing the predetermined surface side is in contact with the substrate.
  • a vacuum or gas filled gap is interposed between the side surface of the electrode and the base body.
  • An electrostatic chuck has an insulating base and a layered electrode.
  • the base has a predetermined surface.
  • the electrode is along the predetermined surface in the substrate.
  • the upper surface of the electrode facing the predetermined surface side is in contact with the substrate.
  • a vacuum or gas-filled gap is interposed between the lower surface of the electrode facing away from the predetermined surface and the base.
  • the manufacturing method of the electrostatic chuck includes a recess forming step, a material arranging step, a stacking step, and a firing step.
  • a recess is formed in a predetermined planar shape on the first main surface of the first ceramic green sheet or the second main surface of the second ceramic green sheet.
  • the electrode material is arranged in one of the first main surface and the second main surface in a planar shape having an outer edge located inside the outer edge of the predetermined planar shape.
  • the first ceramic green sheet and the second ceramic green sheet are overlapped with the first main surface and the second main surface facing each other after the recess forming step and the material arranging step.
  • the firing step the first ceramic green sheet and the second ceramic green sheet stacked on each other are fired.
  • FIG. 1A is a plan view showing the configuration of the electrostatic chuck according to the first embodiment
  • FIG. 1B is a sectional view taken along line Ib-Ib in FIG. 1A
  • FIG. 1C is FIG. The enlarged view of the area
  • 2A is a cross-sectional view taken along line IIa-IIa in FIG. 1B
  • FIG. 2B is an enlarged view of region IIb in FIG. 2A
  • FIG. 3A, FIG. 3B, FIG. 3C, and FIG. 3D are views showing first to fourth specific examples relating to the cross-sectional shape of the gap in the electrostatic chuck according to the embodiment.
  • FIG. 4A, 4B, and 4C are views showing fifth to seventh specific examples of the cross-sectional shape of the gap in the electrostatic chuck according to the embodiment.
  • Sectional drawing which shows the electrode of the electrostatic chuck which concerns on 2nd Embodiment.
  • FIG. 7A is a cross-sectional view showing the main part of the electrostatic chuck according to the third embodiment
  • FIG. 7B is a cross-sectional view showing the main part of the electrostatic chuck according to the fourth embodiment.
  • the flowchart which shows an example of the outline
  • FIG. 9D are schematic cross-sectional views supplementing the flowchart of FIG. 10A is an enlarged view of a region Xa in FIG. 9C, and FIGS. 10B and 10C are enlarged views of a region Xb in FIG. 9D.
  • FIG. 11A, FIG. 11B, and FIG. 11C are diagrams illustrating a modification of the method for manufacturing the electrostatic chuck. The figure which shows the 8th example of the space
  • electrostatic chuck according to an embodiment of the present disclosure will be described with reference to the drawings.
  • drawings referred to below are schematic for convenience of explanation. Accordingly, details may be omitted, and the dimensional ratios do not necessarily match the actual ones.
  • the electrostatic chuck may further include a well-known component not shown in each drawing.
  • FIG. 1A is a plan view illustrating a configuration of an electrostatic chuck 10 (hereinafter, “electrostatic” may be omitted) according to the embodiment.
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line Ib-Ib in FIG.
  • FIG.1 (c) is an enlarged view of the area
  • FIG. 2A is a cross-sectional view taken along the line IIa-IIa in FIG.
  • the chuck 10 When the chuck 10 is used, for example, the positive side in the Z-axis direction is set upward.
  • the chuck 10 has a substantially flat plate 10a.
  • the chuck 10 is used to hold the wafer 101 placed on the plate 10a.
  • the chuck 10 includes a pipe 10b suspended from the plate 10a, a cable (not shown) connected to the plate 10a, and / or a control (not shown) for controlling power supply to the plate 10a. May have a part.
  • the upper surface 1a and the lower surface 1b of the plate 10a are generally flat, for example.
  • the planar shape and various dimensions of the plate 10a may be appropriately set in consideration of the shape and dimensions of the object to be held.
  • the planar shape is a circle (illustrated example) or a rectangle.
  • the diameter is 20 cm to 35 cm
  • the thickness is 5 mm to 30 mm.
  • the plate 10a includes, for example, an insulating base 1, a pair of electrodes 2A and 2B (hereinafter, A and B may be omitted) embedded in the base 1, a resistance heating element 9, and an electrode 2 Alternatively, a plurality of terminals 4 (only one is shown) for supplying power to the resistance heating element 9 are provided.
  • the base body 1 When a voltage is applied to the electrode 2, the base body 1 is charged, and the wafer 101 is attracted to the upper surface 1 a of the base body 1.
  • the adsorption force include Coulomb force, Johnson Rabeck force, and gradient force.
  • the detailed configuration of the chuck 10 (for example, the material of the substrate 1, the thickness of the substrate 1 on the electrode 2 and / or the shape of the electrode 2) varies. In the electrostatic chuck according to the present disclosure, any type of force may be used.
  • the chuck 10 also serves as a heater for heating the wafer 101.
  • the chuck 10 may have other functions besides heating.
  • the chuck 10 may have a flow path through which a fluid as a cooling medium and / or a purge gas flows.
  • the electrostatic chuck 10 may have a wiring pattern for connecting the terminal 4 and the electrode 2 or the resistance heating element 9 in a layer separate from the layer of the electrode 2 and the resistance heating element 9.
  • the outer shape of the base 1 constitutes the outer shape of the plate 10a. Therefore, the description related to the shape and dimensions of the plate 10a described above may be regarded as the description of the outer shape and dimensions of the substrate 1 as it is.
  • the material of the substrate 1 is, for example, ceramic.
  • the ceramic is a sintered body mainly composed of, for example, aluminum nitride (AlN), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), silicon nitride (Si 3 N 4 ), or the like.
  • the base body 1 does not need to be made of the same material as a whole. For example, different materials may be used on the upper surface 1a side and the lower surface 1b side.
  • the pair of electrodes 2 are not connected to each other, and different potentials are applied to each other. That is, the electrostatic chuck 10 is a so-called bipolar type.
  • the electrode 2 is a layered conductor along the upper surface 1a of the substrate 1 (for example, parallel). In a plan view, the pair of electrodes 2 spreads in a solid shape so as to divide the entire surface of the base 1 into two equal parts, for example.
  • the planar shape may be set as appropriate, and in the illustrated example, each electrode 2 is generally semicircular.
  • the pair of electrodes 2 have linear portions facing each other in parallel.
  • the thickness (Z direction) of the electrode 2 is, for example, constant over the entire surface of the electrode 2.
  • the specific value may be set appropriately.
  • the thickness of the electrode 2 is 0.1 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the depth of the electrode 2 from the upper surface 1a of the base body 1 may be appropriately set according to the type of force used as the attracting force, the dielectric constant of the base body 1, and the like.
  • the depth of the electrode 2 from the upper surface 1a of the substrate 1 is 10 ⁇ m or more and 10 mm or less.
  • the material of the electrode 2 is, for example, a metal.
  • the type of metal may be selected as appropriate, and is, for example, tungsten (W), tungsten carbide (WC), molybdenum (Mo), or an alloy containing these as a main component.
  • the material of the electrode 2 may be obtained by firing a conductive paste containing the metal as described above. That is, the material of the electrode 2 may include an additive such as glass powder and / or ceramic powder (in another aspect, an inorganic insulator).
  • the resistance heating element 9 extends roughly along the upper surface 1a of the base body 1 (for example, in parallel) on the lower surface 1b side of the base body 1 with respect to the electrode 2. Further, the electrode 2 extends, for example, over substantially the entire surface of the base 1 in a plan view. When a current flows through the resistance heating element 9, heat is generated according to Joule's law, and the wafer 101 placed on the upper surface 1a of the base body 1 is heated.
  • the resistance heating element 9 may be composed of a layered conductor as in the illustrated example, and unlike the illustrated example, the resistance heating element 9 includes a coil configured by spirally winding a wire around a coil axis, The coil shaft may be arranged so as to extend along the upper surface 1 a of the base 1.
  • the pattern in the plan view of the resistance heating element 9 (in the case of a coil, the path of the coil axis) may be appropriate.
  • the resistance heating element 9 may extend in a meander shape in a plan view, or may extend in a spiral shape.
  • the material, dimensions, depth from the upper surface 1a, and the like of the resistance heating element 9 may be set as appropriate.
  • the plurality of terminals 4 are located, for example, on the center side of the base body 1 in plan view, and are exposed to the outside of the base body 1 from the lower surface 1 b of the base body 1.
  • the terminal 4 may be located at a position other than the center of the base body 1 in a plan view.
  • the plurality of terminals 4 include, for example, two terminals individually connected to the electrodes 2 ⁇ / b> A and 2 ⁇ / b> B and two terminals connected to both ends of the resistance heating element 9, although not particularly illustrated.
  • the terminal 4 may be connected, for example, directly or via a via conductor to a portion located immediately above the terminal 2 of the electrode 2 or the resistance heating element 9, or via a layered wiring formed in the substrate 1.
  • the electrode 2 or the resistance heating element 9 may be connected to an appropriate position.
  • One terminal 4 may be connected to a plurality of positions of one electrode 2.
  • FIG. 2B is an enlarged view of the region IIb in FIG.
  • FIG. 2C is a cross-sectional view taken along the line IIc-IIc in FIG.
  • These drawings are enlarged cross-sectional views of the linear portion of the outer edge of the electrode 2 (outer edge in plan view, the same applies hereinafter).
  • the cross section of the arc-shaped portion of the outer edge of the electrode 2 may be basically the same as the cross section of the linear portion.
  • Each electrode 2 includes an upper surface 2a facing the upper surface 1a side of the substrate 1, a lower surface 2b facing the lower surface 1b side of the substrate 1, and a side surface 2c connecting the upper surface 2a and the lower surface 2b (a linear portion and a circle in plan view). Two of the arcuate portions).
  • the upper surface 2a, the lower surface 2b, and the side surface 2c are substantially planar and are orthogonal to each other. Unlike the illustrated example, the boundary between the upper surface 2a (or the lower surface 2b) and the side surface 2c is not necessarily clear.
  • the upper surface 2 a and the lower surface 2 b of the electrode 2 are in contact with the substrate 1.
  • at least a part (all in the illustrated example) of the side surface 2 c is not in contact with the substrate 1, and the gap 3 is located between the side surface 2 c and the substrate 1.
  • the entire upper surface 2a of the electrode 2 does not have to be completely in contact with the substrate, and a gap may exist in part.
  • the gap is smaller than the gap 3 in contact with the side surface 2c.
  • the gap 3 is evacuated or filled with gas.
  • the gas is, for example, air or nitrogen.
  • the theoretical dielectric constant of vacuum is 1, and the relative dielectric constant of gas is generally close to 1.
  • the relative dielectric constant of the gap 3 is smaller than the relative dielectric constant of the substrate 1.
  • the relative dielectric constant of the substrate 1 is, for example, 4-12.
  • the vacuum gap 3 does not conduct heat. In general, the thermal conductivity of the gas is lower than that of the insulating material constituting the substrate 1.
  • the gap 3 basically extends continuously over the entire outer edge of the electrode 2. However, a part that is interrupted may be formed due to an error or intentionally.
  • the gap 3 includes a portion that continuously extends along the outer edge of the electrode 2. The length of the portion is, for example, longer than the width W of the gap 3, longer than 10 times the width W, or longer than 80% of the length of the outer edge of the electrode 2.
  • the shape and size of the transverse cross section of the gap 3 may be constant or may vary along the outer edge of the electrode 2.
  • the change may be intentional or may be due to manufacturing errors.
  • the width W is within the entire length of the gap 3 or of the portion. It may be an average value or a maximum value within the length.
  • the width of the gap 3 may vary depending on the position in the vertical direction (see FIG. 4B described later). In the present disclosure, when the width of the gap 3 is simply referred to, for example, as indicated by the width W in FIG.
  • the shape and size of the cross section of the gap 3 are basically substantially constant along the outer edge of the electrode 2. It shall be. That is, the description regarding the shapes and dimensions of the electrodes 2 and the gaps 3 in one transverse section described below is substantially the same in the other transverse sections (the same applies to various specific examples described later and the second and subsequent embodiments). .) When the shape and size of the cross section are not constant along the outer edge of the electrode 2, the following description may be made only in a predetermined range of the outer edge of the electrode 2.
  • the shape of the cross section of the gap 3 may be appropriately set as understood from various specific examples related to the shape of the cross section described later.
  • a rectangle is illustrated as the shape of the cross section of the gap 3.
  • the rectangle has two sides substantially parallel to the upper surface 1a and the lower surface 1b of the base 1 and two sides orthogonal to the two sides. Two sides substantially parallel to the upper surface 1a and the lower surface 1b of the substrate 1 are substantially flush with the upper surface 2a and the lower surface 2b of the electrode 2, for example. That is, in FIG. 2C, the height H (size in the Z-axis direction) of the gap 3 is equal to the thickness of the electrode 2.
  • the height H of the air gap 3 (for example, the maximum value, the average value, or the minimum value when the height is not constant in the width direction) is the thickness of the electrode 2 (for example, the average value excluding the vicinity of the side surface 2c. As long as it is the same in the present disclosure), may be small, equivalent (for example, the difference between the two is less than 10% of the thickness of the electrode 2), or may be large.
  • the width W of the gap 3 may be smaller than, equal to, or larger than the height H (for example, the maximum height when the height is not constant).
  • width W is, for example, 10 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less and / or 1/10 or more and 20 times or less of the maximum height of the gap 3 or the thickness of the electrode 2.
  • the height and width dimensions and the magnitude relationship between the two may be set as appropriate.
  • FIGS. 3A to 4C are diagrams showing various specific examples of the shape of the gap 3 in the cross section, and correspond to the region IV in FIG. 2C. 2C may be regarded as a specific example in which the shape of the cross section of the gap 3 is a rectangle, or may be regarded as an abstract example of various specific examples described below. Good.
  • the corners between the side surface 3c (surface opposite to the electrode 2) of the gap 3 and the upper surface 3a or the lower surface 3b of the gap 3 are chamfered.
  • the chamfered surface may have a curved surface shape as illustrated, or may have a planar shape unlike the illustrated one.
  • the entire side surface 3c may be a curved surface with the electrode 2 side concave.
  • the side surface 2c of the electrode 2 is a convex surface that bulges outward.
  • the convex surface is, for example, an outline and a curved surface. That is, the change in the direction of the tangent line of the convex surface is basically continuous. However, minute irregularities may exist on the side surface 2 c as compared with the height H and width W of the gap 3.
  • the shape of the gap 3 (and the shape of the side surface 2c of the electrode 2) is the same as the example of FIG.
  • the height H of the gap 3 is equal to the thickness of the electrode 2, whereas in the example of FIG. The thickness is smaller than 2.
  • the gap 3 includes a portion having a height smaller than the thickness of the electrode 2 (the whole gap 3 in this example). From another point of view, only part of the side surface 2 c of the electrode 2 is in contact with the gap 3. The other part of the side surface 2 c is in contact with the substrate 1.
  • the specific value of the length may be set as appropriate. For example, these values may be less than 9/10 of the thickness of the electrode 2, may be less than 1/2, or may be less than 2/5. Moreover, these values are 1 micrometer or more and / or 1% or more of the thickness of the electrode 2, for example.
  • the gap 3 has a portion whose height is smaller than the thickness of the electrode 2, and / or the side surface 2 c of the electrode 2 is in contact with the gap 3 only in a part in the vertical direction.
  • the specific value of the size in the vertical direction in such an example may also be set appropriately as described above.
  • the magnitudes of the values of the examples actually illustrated are basically mentioned.
  • the height of the gap 3 (the vertical length of the portion of the side surface 2 c in contact with the gap 3) is set to 1 ⁇ 2 or more and less than 9/10 of the thickness of the electrode 2.
  • the position of the portion in contact with the gap 3 in the side surface 2c of the electrode 2 may be set as appropriate.
  • the portion may be a portion that is not connected to either the upper surface 2a or the lower surface 2b as illustrated, or may be a portion that is connected to the upper surface 2a, or may be connected to the lower surface 2b. It may be a part.
  • the portion when the portion is not connected to either the upper surface 2a or the lower surface 2b, it may be positioned at the approximate center of the thickness of the electrode 2 and, unlike the illustration, approaches the upper surface 2a side or the lower surface 2b side. It may be.
  • a part of the side surface 2 c of the electrode 2 may be in contact with the gap 3.
  • the position where the side surface 2c in such an example is in contact with the gap 3 may be various positions as described above. However, in the description of various examples described later, only the positions of the examples actually illustrated are basically referred to.
  • the portion of the side surface 2 c that contacts the gap 3 is located at the center of the thickness of the electrode 2.
  • the portion in contact with the gap 3 is located at the center of the thickness of the electrode 2, for example, in a state where the center position in the vertical direction of the portion is within 1/3 of the center of the thickness of the electrode 2. is there.
  • the electrode 2 has a protrusion 2d on the side surface 2c.
  • the protrusion 2 d has an upper surface in contact with the base 1 and a lower surface away from the base 1. That is, the vacuum 3 or the space 3 filled with gas extends between the lower surface of the protrusion 2 d and the base 1.
  • the specific shape, thickness (vertical direction), protrusion amount (lateral direction, direction orthogonal to the outer edge of the electrode 2 in plan view), the relative size with respect to the gap 3, etc. are appropriately set. It's okay.
  • the protrusion 2d has a tapered shape that becomes thinner toward the tip side.
  • the length in the lateral direction (direction perpendicular to the outer edge of the electrode 2 in plan view) of the surface where the protrusion 2d and the gap 3 are in contact is, for example, 1/3 or more of the width W of the gap 3.
  • the gap 3 has a first height portion 3e having a height H1 and a second height portion 3f having a height H2 lower than the height H1.
  • the second height portion 3f is located on the opposite side to the side surface 2c of the electrode 2 with respect to the first height portion 3e.
  • the shape and size of the first height portion 3e and the second height portion 3f may be set as appropriate.
  • the height H1 is further smaller than the height H of the gap 3 in the example of FIG. 3B and is 2/5 or more and less than 1/2 of the thickness of the electrode 2.
  • the first height portion 3e extends from the electrode 2 side to the side opposite to the electrode 2 at a substantially constant height.
  • the protrusion 2d enters the space above the space 3 so that the space 3 is lower than the first height 3e on the electrode 2 side than the first height 3e.
  • the 2nd height part 3f is made into the taper shape which becomes thin as the front end side (opposite side to the electrode 2).
  • the shape and size of the void (including the gap 3) in the substrate 1 are generally the same as the shape and size of FIG. It is.
  • the electrode 2 has the protrusion 2d on the side surface 2c
  • the electrode 2 has the recess 2e on the side surface 2c.
  • the gap 3 has a portion that enters the side surface 2 c of the electrode 2.
  • the said part contains the part whose height is lower than the 1st height part 3e.
  • the shape and size of the recess 2e may be set as appropriate.
  • the recess 2e is tapered so that the diameter in the vertical direction (thickness direction of the electrode 2) decreases toward the bottom surface side (inner side in the planar direction of the electrode 2).
  • the maximum vertical diameter (diameter at the opening surface) of the recess 2e is, for example, smaller than the thickness of the electrode 2 and is not less than 1/3 and not more than 1 time the height of the gap 3.
  • the entire gap 3 is tapered so that the diameter in the vertical direction becomes smaller on the side opposite to the electrode 2. From another point of view, the gap 3 is located on the opposite side of the first height portion 3e from the electrode 2 with respect to the first height portion 3e, as in the example of FIGS. 3 (c) and 3 (d). And a second height portion 3f having a height H2 lower than the height H1 of the first height portion 3e.
  • the gap 3 is closer to the electrode 2 side than the first height portion 3e, and is a portion having a height lower than the first height portion 3e (reference number omitted).
  • the first height portion 3 e is in contact with the side surface 2 c of the electrode 2.
  • a portion of the gap 3 that is in contact with the side surface 2 c is a portion having the largest height in the gap 3.
  • the height of the portion is smaller than the thickness of the electrode 2.
  • the gap 3 has the first height portion 3e having the height H1 and the electrode with respect to the first height portion 3e, as in FIGS. 3C to 4A. 2 and a second height portion 3f having a height H2 lower than the height H1. Further, in the gap 3, the first height portion 3 e is in contact with the side surface 2 c of the electrode 2 as in FIG.
  • the height of the gap 3 is not gradually lowered as in the other examples described above, but the height of the gap 3 is gradually reduced. That is, the change in height between the first height portion 3e and the second height portion 3f is relatively abrupt, and the second height portion 3f is opposite to the electrode 2 from the first height portion 3e. It has a shape that protrudes to the side.
  • first height portion 3e and the second height portion 3f may be set as appropriate.
  • first height portion 3e has a height H1 substantially equal to the thickness of the electrode 2, and has a side surface that swells to the opposite side to the side surface 2c of the electrode 2.
  • the height H1 is, for example, 4/5 or more of the thickness of the electrode 2.
  • the second height portion 3f has a height H2 lower than the height H1 and a width larger than the height H2.
  • the height H of the gap 3 is divided up and down by the convex surface or protrusion of the side surface 2c of the electrode 2, the height H of the gap 3 is divided. Instead of each, it may be defined that there is no division by the convex surface of the electrode 2 or the like.
  • the gap 3 is inclined so as to be positioned downward as it is away from the side surface 2 c of the electrode 2.
  • the gap 3 includes the first position portion 3m, the second position portion 3n located on the opposite side of the side surface 2c with respect to the first position portion 3m and below the first position portion 3m, Is included.
  • the 2nd position part 3n here is located below the 1st position part 3m that the 2nd position part 3n whole is located below the whole 1st position part 3m.
  • the reference position for example, the vertical center position
  • the reference position of the second position portion 3n is located below the reference position (for example, the vertical center position) of the first position portion 3m. is there.
  • the shape and size of the first position portion 3m and the second position portion 3n may be set as appropriate.
  • the gap 3 extends linearly at a substantially constant height H, and the first position portion 3m and the second position portion 3n have the same shape and height.
  • the gap 3 is substantially in contact with the side surface 2 c of the electrode 2, and the tip of the gap 3 (on the side opposite to the side surface 2 c) is located slightly above the lower surface 2 b of the electrode 2.
  • the second position portion 3n may be positioned such that the center position of the height H is lower than the center position of the height H of the first position portion 3m. Therefore, for example, in the case where the gap 3 has a triangular shape including a horizontal lower surface and an upper surface that is inclined so as to be positioned farther away from the side surface 2c of the electrode 2, the first position portion 3m and the second position portion 3n are It can be said that it is provided.
  • the center position of the height H2 of the second height portion 3f may be located below the center position of the height H1 of the first height portion 3e. It can be said that the gap 3 has the first position portion 3m and the second position portion 3n.
  • FIG. 12 is a diagram showing an eighth specific example of the shape of the gap 3 in the cross section, and corresponds to, for example, the left half of FIG. However, here, cross sections at three different positions in the direction along the outer edge of the electrode 2 are shown.
  • the height H of the gap 3 is larger than the thickness of the electrode 2. More specifically, the gap 3 extends above the electrode 2 and extends below the electrode 2. In other words, the upper surface 3 a of the gap 3 is located above the upper surface 2 a of the electrode 2, and the lower surface 3 b of the gap 3 is located below the lower surface 2 b of the electrode 2.
  • the upper surface 3a is positioned above the upper surface 2a, while the lower surface 3b is flush with the lower surface 2b, or the lower surface 3b is the lower surface 2b. Or between the upper surface 2a and the upper surface 2a.
  • the lower surface 3b is positioned below the lower surface 2b, while the upper surface 3a is flush with the upper surface 2a, or the upper surface 3a is the upper surface. It may be located between 2a and the lower surface 2b.
  • the height H may be larger than the width W of the gap 3 (example shown in the figure), or may be equal or smaller.
  • the specific values of the height H and the width W in this specific example may also be within the size range described with reference to FIG.
  • the height H may be 1.1 to 20 times the thickness of the electrode 2. Further, the height H may be larger than 20 times the thickness of the electrode 2.
  • FIG. 2 (c) it has been described that there may be a portion where the gap 3 is interrupted in the direction along the outer edge of the electrode 2 due to an error or intentionally. In other words, there may be a portion where the side surface 2c of the electrode 2 is in contact with the base 1. In FIG. 12, the positional relationship between the side surface 2c and the gap 3 in the width direction of the electrode 2 also shows an error or intentional variation.
  • the left side of FIG. 12 shows a configuration in which the side surface 2c of the electrode 2 and the side surface 3d of the gap 3 on the electrode 2 side are approximately flush with each other.
  • a configuration in which the side surface 2c is located in the gap 3 (located between the side surface 3c and the side surface 3d) is shown.
  • the right side of FIG. 12 shows a configuration in which the side surface 2 c is in contact with the side surface 3 c on the side opposite to the electrode 2 in the gap 3.
  • the electrode 2 may be bent in the gap 3 so that portions other than the side surface 2c are in contact with the side surface 3c and the like.
  • the proportion of any configuration in the direction along the outer edge of the electrode 2 may be large.
  • the above-described plurality of structures are described as being located at different positions in the direction along the outer edge of one electrode 2, but any one structure is substantially the entire outer edge of one electrode 2. It may be over.
  • the side surface 2c of the electrode 2 is entirely convex, but FIG. As shown in FIG. 3D, the shape may have a protrusion 2d or a recess 2e. Conversely, in FIGS. 3C and 3D, the entire side surface 2c may be a convex surface.
  • the height of the portion of the gap 3 that is in contact with the side surface 2c of the electrode 2 (in another aspect, high The height H1 and / or the maximum height) is made smaller than the thickness of the electrode 2, but the thickness of the portion is the same as that of the example of FIG. 3 (a) or FIG. 4 (b). May be equivalent.
  • the taper shape of the gap 3 in FIG. 4A and the stepwise change in the height of the gap 3 in FIG. 4B may be combined, or FIGS. 3C to 4 may be combined.
  • the shape of the gap 3 in (b) and the inclination of the gap 3 in FIG. 4C may be combined.
  • a planar shape is shown as the side surface 2 c of the electrode 2, but as the shape of the side surface 2 c, FIGS.
  • the shape of c) or a combination thereof may be applied.
  • the side surface 2c may include a convex surface or a concave surface.
  • the shape of the cross section of the gap 3 is a rectangular shape as in FIG. 3A, but the shape of FIG. 3A to FIG. Shapes or combinations thereof may be applied.
  • the gap 3 may have chamfered corners, a side surface may have a convex surface or a concave surface, or a height and / or position may change continuously or stepwise.
  • the electrostatic chuck 10 includes the insulating base 1 having a predetermined surface (upper surface 1a) and the layered electrode 2 along the upper surface 1a in the base 1. Have. The upper surface 2a of the electrode 2 and the substrate 1 are in contact with each other, and a gap 3 filled with a vacuum or gas is interposed between the side surface 2c of the electrode 2 and the substrate 1.
  • the static elimination time can be shortened.
  • the relative permittivity of the ceramic used for the electrostatic chuck 10 is usually about 10, whereas the relative permittivity of the gap 3 (vacuum or gas) is 1 or a value very close to 1, so that the gap 3 is relative. Hardly charged. Therefore, the accumulated charges in the substrate 1 as a whole are reduced according to the volume ratio of the gap 3. Therefore, since the charge to be neutralized is small, the charge is eliminated quickly.
  • the portion of the base 1 in contact with the electrode 2 tends to flow to the ground.
  • gap 3 is located in the part adjacent to the electrode 2, the residual charge of the base
  • the thickness of the substrate 1 is secured above and below the electrode 2 (in another aspect, without increasing the thickness of the electrostatic chuck 10 by the gap 3). Can be suppressed.
  • the mechanical strength of the substrate 1 is improved.
  • the force for attracting the wafer 101 of the chuck 10 decreases.
  • the gap 3 exists in the state where the upper surface 2a of the electrode 2 and the substrate 1 are in contact with each other, the adsorption force can be maintained.
  • the chuck 10 can easily remove the wafer 101 while maintaining the mechanical strength and the suction force.
  • the gap 3 has a length larger than the width W from the side surface 2c of the electrode 2 along the side surface 2c of the electrode 2 (the outer edge of the electrode 2) in a plan view of the upper surface 1a of the substrate 1. It is continuous.
  • the volume of the gap 3 can be increased. Further, since the gap 3 is continuous along the outer edge of the electrode 2, the distribution of charges to be neutralized is not easily biased. For this reason, the charge is removed even faster and the wafer is removed.
  • the gap 3 is formed on both sides of the electrode 2 in the direction along the upper surface 1a.
  • the gap 3 is formed in each of the linear part and the arc part of the outer edge of the electrode 2.
  • the electrode 2 is easy to be neutralized because charge movement is promoted on both sides thereof. The possibility that the electric charge moves only in a certain direction and an unintended current increases is also reduced.
  • the gap 3 may include a portion in which the size in the vertical direction (the direction perpendicular to the upper surface 1a of the substrate 1) is smaller than the size in the vertical direction of the electrode 2 (for example, FIG. ) To FIG. 4 (c)).
  • the volume of the substrate 1 is secured near the outer edge of the electrode 2 to reduce the risk of dielectric breakdown, while the length that can promote static elimination by creeping movement can be increased.
  • the gap 3 may include a portion in which the vertical size is larger than the vertical size of the electrode 2 (FIG. 12).
  • the electrode 2 when the temperature change of the electrostatic chuck 10 is large, the electrode 2 is likely to be allowed to expand at the outer edge of the electrode 2. For example, when the electrode 2 expands in the direction along the plane, the outer edge of the electrode 2 can be bent upward or downward in the gap 3 and displaced beyond the width W of the gap 3. As a result, for example, the stress applied to the substrate 1 is reduced.
  • the gap 3 is located on the opposite side of the first height 3e and the side 2c of the electrode 2 with respect to the first height 3e, and the vertical size is the first. And a second height portion 3f smaller than the first height portion 3e (FIGS. 3C to 4B).
  • the second height portion 3f since the second height portion 3f is relatively small, it is possible to increase the length for promoting static elimination by creeping movement while reducing the risk of dielectric breakdown.
  • the effect that the expansion of the electrode 2 is absorbed by the first height portion 2e having a relatively large height is also exhibited. In particular, when the first height portion 2e is larger than the thickness of the electrode 2 as shown in FIG. 12, the effect is improved.
  • the gap 3 includes the first position portion 3m, the side opposite to the side surface 2c of the electrode 2 with respect to the first position portion 3m, and below the first position portion 3m (the upper surface 1a of the base 1). 2nd position part 3n located in the other side).
  • the gap 3 is bent to the opposite side (downward) from the wafer suction surface, so that the volume 3 of the base body 1 between the electrode 2 and the upper surface 1a of the base body 1 is increased and the gap 3 is widened. Can do. As a result, for example, the residual charge can be gradually slowed while reducing the risk of dielectric breakdown between the electrode 2 and the upper surface 1a.
  • the side surface 2c of the electrode 2 may have a convex surface (for example, FIG. 3A to FIG. 4C).
  • the area of the electrode 2 in contact with the gap 3 can be increased, so that the residual charge after voltage interruption can be reduced quickly.
  • the side surface 2c of the electrode 2 may have a protrusion 2d.
  • the surface of the protrusion 2 d on the upper surface 1 a side of the base body 1 may be in contact with the base body 1.
  • the gap 3 may include a portion interposed between the surface of the protrusion 2d on the lower surface 1b side of the base body 1 and the base body 1 (FIG. 3C).
  • the protrusion 2d is more likely to distribute charges to the upper portion of the base 1 than the lower portion of the base 1.
  • the adsorption force can be efficiently increased.
  • the contact area between the electrode 2 and the substrate 1 is increased with respect to the volume of the gap 3, charging and discharging are speeded up while maintaining a reduced amount of charge to be discharged.
  • the side surface 2c of the electrode 2 may have a recess 2e (FIG. 3D).
  • the protrusions of the electrode 2 are formed on both sides of the recess 2e, the contact area between the electrode 2 and the substrate 1 is increased with respect to the volume of the gap 3. .
  • charging and discharging can be accelerated while maintaining a reduced amount of charge to be discharged. Since the two protrusions are provided, the charge removal is speeded up as compared with the case where one protrusion having the same size is provided.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the chuck 20 according to the second embodiment, and corresponds to FIG.
  • the chuck 20 is different from the first embodiment only in the planar shape of the electrodes.
  • the detailed configuration for example, the thickness of the base 1 on the electrode
  • the thickness of the base 1 on the electrode may differ between the first embodiment and the second embodiment in accordance with the difference in the planar shape of the electrodes.
  • the electrodes 12A and 12B of the chuck 20 are, for example, a pair of comb-shaped electrodes that mesh with each other.
  • each electrode 12 has a bus portion 12r and a plurality of tooth portions 12s extending from the bus portion 12r in parallel (for example, parallel to each other).
  • the wafer is arranged so that, for example, the outer edge thereof overlaps with the bus portion 12r.
  • the bus portion 12r extends, for example, with a certain width along the outer edge of the base 1.
  • the bus portion 12r has an arc shape in response to the outer edge of the base body 1 being a circle.
  • the pair of bus portions 12r are opposed to each other across a central region in plan view of the base body 1.
  • the tooth portion 12s of one electrode 12 extends, for example, linearly with a certain width from the bus portion 12r of the one electrode 12 toward the bus portion 12r of the other electrode 12.
  • the tooth portions 12s of one electrode 12 and the tooth portions 12s of the other electrode 12 are alternately arranged one by one in the width direction of the tooth portion 12s.
  • the adjacent tooth portions 12s face each other while being separated from each other.
  • the portion located on the most side in the Y direction may be regarded as a part of the bus portion 12 r, or may be regarded as a tooth portion 12 s whose width is not constant. May be. Except for this unique portion, in the illustrated example, the width of the bus portion 12r is equal to the width of the tooth portion 12s. However, both widths may be different.
  • the widths of the plurality of tooth portions 12 s are the same, and the pitch of the plurality of tooth portions 12 s is constant.
  • the sizes of the gaps between the plurality of tooth portions 12s are the same.
  • the sizes of the gaps between the tips of the plurality of tooth portions 12s and the bus portion 12r are, for example, the same as each other, and may be the same as or different from the sizes of the gaps between the plurality of tooth portions 12s. Also good.
  • FIG. 6 is an enlarged view of region VI in FIG.
  • the gap 3 is formed between the side surface 12c of the electrode 12 and the substrate 1 as in the first embodiment.
  • the shape of the gap 3 in the cross section orthogonal to the outer edge of the electrode 12 may be the same as in the first embodiment. That is, FIG. 2C, FIG. 3A to FIG. 4C, and FIG. 12 may be sectional views of the present embodiment by replacing the reference numeral of the electrode 2 with the reference numeral of the electrode 12.
  • the length of the gap 3 with respect to the length of the outer edge of the electrode 12 may be the same as in the first embodiment.
  • the gap 3 may extend continuously over the entire length of the outer edge of the electrode 12.
  • the gap 3 includes portions extending along the side surfaces 12c on both sides in the width direction (X direction) of the bus portion 12r and the side surfaces 12c on both sides in the width direction (Y direction) of the tooth portion 12s.
  • the shape and size of the gap 3 in the cross section may be basically constant along the outer edge of the electrode 12. However, as shown in FIG. 6, there may be a difference in the shape and / or size of the gap 3 between the bus portion 12r and the tooth portion 12s.
  • the gap 3 is in contact with the first side portion 3p that is in contact with the side surface 12c of the tooth portion 12s and the side surface 12c of the bus portion 12r that is located between the plurality of tooth portions 12s. And a second side portion 3q. And the width W2 of the 2nd side part 3q is wider than the width W1 of the 1st side part 3p. Further, the width W2 of the second side portion 3q is wider than the width W3 of the outer side portion 3r opposite to the tooth portion 12s of the bus portion 12r. Note that the width W3 of the outer portion 3r may be wider than, equal to, or narrower than the width W1 of the first side portion 3p.
  • gap 3 may be the same in three or two of the 1st side part 3p, the 2nd side part 3q, and the outer side part 3r, and may differ.
  • Specific values of the widths W1 to W3 may be set as appropriate.
  • the width W2 is 1.1 times or more or 1.5 times or more of the width W1 or W3.
  • the electrostatic chuck 20 includes the insulating base 1 having a predetermined surface (see the top face 1a in FIG. 1A) and the top face 1a in the base body 1. And a layered electrode 12.
  • the upper surface 12a of the electrode 12 and the substrate 1 are in contact with each other, and a gap 3 filled with a vacuum or gas is interposed between the side surface 12c of the electrode 12 and the substrate 1. Therefore, the same effect as the first embodiment is achieved. For example, static elimination is speeded up.
  • the electrode 12 includes a connecting portion (bus portion 12r) and two extending portions (tooth portions 12s) extending in parallel from the bus portion 12r in a plan view of the upper surface 1a of the base body 1. And have.
  • the gap 3 is in contact with the first side portion 3p that is in contact with the side surface 12c of the tooth portion 12s and the side surface 12c of the bus portion 12r, and the width W2 from the side surface 12c of the bus portion 12r is the first side portion.
  • a second side portion 3q wider than the width W1 from the side surface 12c of the 3p tooth portion 12s may be included.
  • connection portion between the plurality of tooth portions 12s and the bus portion 12r is unique in terms of charge removal because, for example, the ratio of the volume of the base 1 to the volume of the conductor is different from the majority of the plurality of tooth portions 12s. It tends to be a point.
  • By facilitating charge removal by relatively increasing the width of the gap 3 at this singular point for example, when evaluating the speed of charge removal of the chuck 20, it becomes easier to exclude the singular point from consideration. As a result, for example, the design is facilitated.
  • the gap 3 includes the outer portion 3r that is in contact with the side surface 12c (outer side surface) opposite to the extending portion (tooth portion 12s) of the connection portion (bus portion 12r), and the bus portion 12r.
  • the inner side second side which is in contact with the side surface 12c (inner side surface) located between the two tooth portions 12s and whose width W2 from the inner side surface is larger than the width W3 from the outer side surface of the outer side 3r.
  • the inner radius of curvature is smaller than the outer radius of curvature. For this reason, when the width
  • FIG. 7A is a cross-sectional view showing the main part of the electrostatic chuck according to the third embodiment, and corresponds to FIG.
  • the electrostatic chuck according to the third embodiment is different from the first and second embodiments only in that a gap 5 is formed between the lower surface 12b of the electrode 12 and the base 1. Like the gap 3 between the side surface 12c of the electrode 12 and the substrate 1, the gap 5 is a space that is evacuated or filled with gas.
  • FIG. 7A illustrates the electrode 12 of the second embodiment (more specifically, for example, a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the bus portion 12r or the tooth portion 12s) as an electrode.
  • the electrode 2 of the first embodiment may be used.
  • only the symbol of the electrode 12 may be attached, but may be appropriately replaced with the symbol of the electrode 2.
  • FIG. 7B a fourth embodiment
  • the shape illustrated in FIG. 4A is illustrated as the shape of the cross section of the gap 3.
  • gap 3 is not limited to this,
  • the other specific example illustrated by 1st Embodiment may be combined with this embodiment.
  • a shape in which a rectangular corner portion is chamfered is illustrated as a shape of a cross section of the electrode 12.
  • the shape of the cross section of the electrode 12 is not limited thereto, and various specific examples illustrated in the first embodiment may be combined with this embodiment, for example.
  • the shape and size of the cross section of the gap 3 are, for example, substantially constant over the entire outer edge of the electrode 12.
  • the gap 5 may also extend continuously over the entire length of the outer edge of the electrode 12 basically.
  • the gap 5 may extend in a direction in which the bus portion 12r and / or the tooth portion 12s extend, and in the first embodiment, the linear portion of the outer edge of the electrode 2 and It may extend along the arcuate portion.
  • the length of the portion of the gap 5 that continuously extends along the outer edge of the electrode 12 is, for example, longer than the width of the gap 5 from the outer edge of the electrode 12 or longer than ten times these.
  • the shape and size of the cross section of the gap 5 may be set as appropriate.
  • the gap 5 extends in a direction intersecting the outer edge of the electrode 12 (for example, the width direction of the bus portion 12r or the tooth portion 12s) at a substantially constant height (Z-axis direction).
  • the height of the gap 5 is, for example, 1 ⁇ 2 or less of the thickness of the electrode 12 and / or 30 ⁇ m or less or 10 ⁇ m or less, and 1 ⁇ m or more and / or 1% or more of the thickness of the electrode 12.
  • the width of the gap 5 in the direction intersecting the outer edge of the electrode 12 is, for example, not less than 1/2 and less than 1 times the width of the electrode 12 in the intersecting direction.
  • the gap 5 extends without interruption throughout the width direction, but there may be a portion where the gap 5 is interrupted due to a manufacturing error or intentionally. Moreover, the space
  • the gap 3 and the gap 5 are basically blocked from each other, for example.
  • a cross section in which the gap 3 and the gap 5 communicate with each other may exist in a part of the direction along the outer edge of the electrode 12 (the back direction in the drawing).
  • the gap 3 and the gap 5 are blocked from each other over 80% or more of the length along the outer edge of the electrode 12 of the gap 5.
  • the lower surface 3 b of the gap 3 is positioned below the lower surface 2 b of the electrode 12 as in the example of FIG. 12, the lower surface 3 b may be positioned above the lower surface of the gap 5. , May be flush or may be positioned below. The same applies to the fourth embodiment described later.
  • the electrostatic chuck has the base 1 and the electrode 12.
  • the substrate 1 is made of an insulating material and has an upper surface 1a (see the first embodiment).
  • the electrode 12 has a layered shape along the upper surface 1 a in the substrate 1.
  • the upper surface 12a of the electrode 12 and the substrate 1 are in contact with each other, and a gap 5 filled with a vacuum or gas is interposed between the lower surface 12b of the electrode 12 and the substrate 1.
  • the electrode 12 is more likely to distribute charges to the upper portion of the substrate 1 than to the lower portion of the substrate 1.
  • the adsorption force can be efficiently increased.
  • the charge to be neutralized in the lower portion of the substrate 1 that does not contribute to the adsorption or has a low contribution to the adsorption is reduced.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view showing the main part of the electrostatic chuck according to the fourth embodiment, which is the same as FIG. 7A.
  • the fourth embodiment is different from the third embodiment only in that the gap 3 between the side surface 12c of the electrode 12 and the substrate 1 and the gap 5 between the lower surface 2b of the electrode 12 and the substrate 1 communicate with each other. To do.
  • FIG. 7B illustrates a substantially semicircular shape as the shape of the cross section of the gap 3. That is, the inner surface of the gap 3 is formed in a curved shape with the electrode 12 side being concave. Further, as the shape of the cross section of the electrode 12, a rectangular shape is illustrated. However, as in the third embodiment, the shape of the cross section of the gap 3 and the electrode 12 is not limited to this, and for example, various specific examples illustrated in the first embodiment may be combined with this embodiment. .
  • the size of the cross section of the gap 3 and the gap 5 may be set as appropriate. However, these are set so that the gap 3 and the gap 5 communicate with each other.
  • the height of the gap 3 on the side surface 12c side (Z-axis direction) of the electrode 12 is equal to or greater than the thickness of the electrode 12 (the gap 3 is similar to the example of FIG. 12) and / or.
  • the part on the electrode 12 side is approaching downward.
  • the gap 5 has a width on the lower surface 12 b side of the electrode 12 equal to or larger than the width of the electrode 12.
  • the boundary between the gap 3 and the gap 5 may not be clear. Further, in the illustrated example, the gap 5 communicates with both the gaps 3 on both sides, but may communicate with only one side. In this case, the gap 5 may be closer to the gap 3 through which the electrode 12 communicates.
  • the same effects as in the third embodiment are achieved.
  • the electrode 12 easily distributes charges to the upper side portion of the base body 1 rather than the lower side portion of the base body 1, the adsorption force can be efficiently increased.
  • the gap 5 and the gap 3 to communicate with each other, for example, the volume positioned below the electrode 12 of the substrate 1 can be further reduced to improve the above effect.
  • 3rd Embodiment contributes to supporting the electrode 12 with respect to the base
  • FIG. 8 is a flowchart showing an example of the outline of the procedure of the manufacturing method of the chucks 10 and 20.
  • 9 (a) to 9 (d) are schematic cross-sectional views supplementing the flowchart, and correspond to the line IV-IV in FIG. In these drawings, only ten tooth portions 12s of the pair of electrodes 12 are shown.
  • FIG. 10A is an enlarged view of a region Xa in FIG.
  • FIGS. 10B and 10C are enlarged views of the region Xb in FIG. 9D.
  • the existence of the resistance heating element 9 and the terminal 4 is ignored.
  • the resistance heating element 9 it is only necessary to increase the number of ceramic green sheets described later.
  • the electrode 12 is taken as an example, but the same applies to the electrode 2. In the following description, even if the characteristics and shape of the member change as the manufacturing process proceeds, the same reference numerals may be used before and after the change.
  • step ST1 as shown in FIG. 9A (and FIG. 9C), ceramic green sheets 6 and 7 to be the base 1 are prepared.
  • the ceramic green sheet 6 constitutes the lower surface 1b side portion of the substrate 1
  • the ceramic green sheet 7 represents the upper surface 1a side portion of the substrate 1. It constitutes.
  • the method for producing the ceramic green sheet may be the same as various known methods.
  • a recess 6a is formed in the ceramic green sheet 6 as shown in FIG.
  • the recess 6a is a portion that accommodates the electrode 12 in the base 1 and a part thereof becomes the gap 3 (and the gap 5), and is formed in a planar shape that is substantially the same as the planar shape of the electrode 12 in plan view.
  • the formation method of the recessed part 6a may be made appropriate. For example, a blasting method in which abrasive grains are sprayed onto the ceramic green sheet 6 to cut the ceramic green sheet 6 may be used.
  • a conductive material 8 (for example, a conductive paste) to be the electrode 12 is disposed on the ceramic green sheet 7.
  • the conductive material 8 is arranged in a pattern similar to the pattern of the electrodes 12 in plan view.
  • the arrangement method of the conductive material 8 may be various known ones. For example, screen printing may be used.
  • the conductive material 8 can be disposed not in the ceramic green sheet 7 but in the recess 6 a of the ceramic green sheet 6.
  • step ST4 as shown in FIG. 9D and FIG. 10B, the ceramic green sheets 6 and 7 are bonded to each other.
  • the conductive material 8 is accommodated in the recess 6a.
  • the planar shape of the recess 6 a is larger than the planar shape of the conductive material 8, and a space serving as the gap 3 is formed around the conductive material 8.
  • a compressive force F may be applied in the thickness direction. Thereby, the recess 6a and the conductive material 8 may be crushed and deformed.
  • step ST5 the ceramic green sheets 6 and 7 are fired. Thereby, the base
  • the portion of the recess 6a that becomes the gap 3 is crushed and / or the portion of the ceramic green sheet that overlaps with the conductive material 8 is recessed, and FIGS. As shown in c), a gap 3 thinner than the thickness of the electrode 2 may be formed.
  • the concave portion 6a is made shallower with respect to the thickness of the conductive material 8, the compression force F is made relatively large, the ceramic green sheet is made relatively soft, or the conductive material 8 is made. May be relatively high, and / or ceramic green sheets may be bonded together under a reduced pressure atmosphere (vacuum 3 may be reduced in pressure).
  • a deeper portion than the center side is formed on the outer peripheral side, and / or a concave groove is formed at a position facing the outer peripheral side portion of the concave portion 6a of the ceramic green sheet 7, As shown in FIG. 12, a gap 3 thicker than the thickness of the electrode 2 may be formed.
  • the shape shown in FIGS. 2C, 3A, and 3B may be realized by bringing the shape of the cross section of the recess 6a closer to a rectangle.
  • the recess 6a is formed so as to become wider (expand diameter) toward the opening side, and FIGS. 3 (c) to 4 (c).
  • a shape whose height decreases as the distance from the electrode 2 decreases may be realized.
  • the recessed part 6a whose diameter is expanded toward the opening side can be formed by a blast method.
  • the shrinkage amount of the electrode 2 after firing is relatively large as compared with the shrinkage amount of the base body 1, and the side surface 2 c of the electrode 2 is separated from the base body 1 toward the center in the width direction. 1e may be formed.
  • the ceramic green sheet 7 is pushed by the conductive material 8 to form a recess, so that the gap 3 is positioned on the center side of the thickness of the electrode 2.
  • one of the ceramic green sheets 6 and 7 may be made relatively soft so that the gap 3 is moved toward the one side.
  • the relatively wide second side portion 3q shown in FIG. 6 may be realized by widening the width of the recess 6a to the inside of the bus portion 12r at a portion corresponding to the bus portion 12r.
  • the gap 3 is formed only on one side in the direction along the electrode 2 by moving the position of the recess 6a toward one side along the plane of the conductive material 8, or the gap 3 on one side. May be wider than the gap 3 on the other side.
  • the gap 5 may be formed by making the depth of the recess 6 a larger than the thickness of the conductive material 8.
  • the gap 5 may be formed when the contraction amount of the electrode 2 after firing is relatively large compared to the contraction amount of the substrate 1 and the lower surface 2 b of the electrode 2 is separated from the substrate 1. You may apply
  • the concave and convex portions are formed on the bottom surface of the concave portion 6a so that the convex portion comes into contact with the conductive material 8 and the concave portion is separated from the conductive material, the void 5 blocked from the void 3 in FIG. Can be formed.
  • the electrode 2 when the ceramic green sheets are bonded, by appropriately selecting the arrangement method of the conductive material 8, or by crushing the conductive material 8, FIG. 3 (a), FIG. 3 (b), FIG. As shown in FIGS. 4A to 4C, the electrode 2 may have a curved surface (convex surface) 2c. Further, the squeezed conductive material 8 protrudes into the gap 3, whereby the electrode 2 having the protrusion 2 d as shown in FIG. 3C may be realized. Further, for example, the shrinkage amount of the electrode 2 after firing is relatively large compared to the shrinkage amount of the base body 1, and due to this, the portion not in contact with the base body 1 is recessed, as shown in FIG. An electrode 2 having such a recess 2e may be realized. The electrode 2 having the concave portion 2e as shown in FIG. 3D may be realized by the atmospheric pressure of the gap 3 without reducing the pressure of the atmosphere when the ceramic green sheet is bonded or by suppressing the pressure reduction.
  • FIG. 11A is a view showing a modified example of the manufacturing method of the electrostatic chuck, and corresponds to FIG.
  • FIG.11 (b) is a figure which shows the continuation of Fig.11 (a), and respond
  • the ceramic green sheet 6 may have a recess 7a.
  • the recessed part 6a may have an unevenness
  • the presence of the unevenness realizes the gap 3 having the first height portion 3e and the second height portion 3f as shown in FIG. 4 (b). May be.
  • the unevenness can be realized by using, for example, a blast method.
  • FIG. 11 (c) is a diagram showing another modification of the method for manufacturing the electrostatic chuck, and corresponds to FIG. 10 (a).
  • FIG. 11C shows an example of unevenness on the bottom surface.
  • the bottom surface of the recess 6a is deeper at the corner formed by the side surface of the recess 6a and higher at the inside than the center in the width direction of the bottom surface.
  • Such a recess 6a easily forms, for example, the gap 5 shown in FIG.
  • Such a shape can be formed by a blast method.
  • the deepened portion near the side surface of the recess 6a in FIG. It may be realized by becoming.
  • the electrostatic chuck according to the present disclosure is not limited to the above embodiment, and may be implemented in various modes.
  • the electrostatic chuck is not limited to a bipolar type having a pair of electrodes to which different potentials are applied, but is a single electrode having only one electrode or a plurality of electrodes to which the same potential is applied. It may be of a type. Further, the electrostatic chuck is not limited to the one having only one layer, and may have two or more layers, or may have two kinds of electrodes having different roles. For example, a main electrode layer that generates an adsorption force and an auxiliary electrode layer for promoting charging and / or charge removal may be provided.
  • the planar shape of the electrodes may also be various other than those illustrated.
  • the monopolar electrode may be a solid shape that extends substantially over the entire surface of the wafer, may be a spiral shape or a meander shape, and may include a linear portion extending in the radial direction and a linear portion extending from the linear portion. It may have a plurality of arcuate portions extending in parallel to each other in the circumferential direction. This arc-shaped portion may be C-shaped or circular.
  • the bipolar electrode may be a solid electrode that extends over substantially the entire surface of the wafer and is divided into three or more in the circumferential direction instead of being divided into two.
  • the bipolar electrode may be one in which two spiral electrodes are concentrically arranged alternately in the radial direction.
  • Bipolar electrodes each have a linear portion and a plurality of C-shaped portions extending in parallel with each other in the circumferential direction from the linear portion, and the arc-shaped portions of both electrodes mesh with each other (radius (Alternately arranged in the direction).
  • this electrode may be regarded as a comb electrode.
  • an electrode having an arc-shaped portion of less than 180 ° or less than 90 ° may be provided.
  • the bus part 12r and the tooth part 12s of the comb electrode are illustrated as the connection part and the extension part.
  • the connecting portion and the extending portion are not limited to the bus portion 12r and the tooth portion 12s.
  • the portions extending in parallel with each other may be two extending portions, and the folded portion may be the connecting portion.
  • the manufacturing method of the electrostatic chuck is not limited to the method of firing the laminated ceramic green sheets, and the insulating layer may be sequentially formed.
  • the insulating material constituting the substrate is not limited to ceramic.
  • the combination of the gap 3 between the side surface of the electrode and the substrate and the gap 5 between the lower surface of the electrode and the substrate is shown.
  • the gap 5 may be formed without forming the gap 3.
  • the configuration in which the outer edge of the electrode 2 enters the gap 3 located on the side of the electrode 2 and the side surface 2c of the electrode 2 abuts against the base 1 shown in the right side of FIG. 12 covers the entire outer edge of the electrode 2. May be.
  • the portion of the gap 3 located below the electrode 2 may be regarded as the gap 5 of the second and third embodiments.
  • the gap 3 be interposed between the side surface 2c of the electrode 2 and the substrate 1.
  • a region on the center side of the upper surface of the electrode is in contact with the substrate, and a gap is interposed between the region on the outer edge side (at least a part thereof) of the electrode upper surface and the substrate. It may be the composition which is.

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Abstract

静電チャックは、上面を有している絶縁性の基体と、基体内で上面に沿っている層状の電極と、を有している。電極の上面と基体とは接しており、かつ電極の側面と基体との間には、真空の、又はガスが満たされている空隙が介在している。

Description

静電チャック及びその製造方法
　本開示は、静電チャック及びその製造方法に関する。
　半導体製造装置などに用いられる静電チャックが知られている（例えば特許文献１及び２）。このような静電チャックは、例えば、セラミックからなる平板状の基体と、当該基体に埋設された層状の電極とを有している。ウェハは、基体の上面（板形状の最も広い面。主面）に重ねられる。そして、電極に電圧を印加することによって、基体が帯電し、ウェハが吸着される。
　特許文献１では、基体の上面に直交する断面において電極の側面が尖頭状に形成されている。特許文献２では、ウェハを加熱するためのヒータプレートが基体の下面に重ねられている。ヒータプレートは、２層の樹脂層と、その間に配置された抵抗発熱体とを有しており、抵抗発熱体の側方には空隙が形成されている。
国際公開第０１／６３９７２号 特開２０１７－１６８８１８号公報
　本開示の一態様に係る静電チャックは、絶縁性の基体と、層状の電極とを有している。前記基体は、所定面を有している。前記電極は、前記基体内で前記所定面に沿っている。前記電極の前記所定面側に面する上面と前記基体とは接している。前記電極の側面と前記基体との間には、真空の、又はガスが満たされている空隙が介在している。
　本開示の他の態様に係る静電チャックは、絶縁性の基体と、層状の電極とを有している。前記基体は、所定面を有している。前記電極は、前記基体内で前記所定面に沿っている。前記電極の前記所定面側に面する上面と前記基体とは接している。前記電極の前記所定面とは反対側に面する下面と前記基体との間には、真空の、又はガスが満たされている空隙が介在している。
　本開示の一態様に係る静電チャックの製造方法は、凹部形成ステップと、材料配置ステップと、積層ステップと、焼成ステップとを有している。前記凹部形成ステップでは、第１セラミックグリーンシートの第１主面又は第２セラミックグリーンシートの第２主面に、所定の平面形状で凹部を形成する。前記材料配置ステップでは、前記第１主面及び前記第２主面の一方に、前記所定の平面形状の外縁よりも内側に位置する外縁を有する平面形状で、電極の材料を配置する。前記積層ステップでは、前記凹部形成ステップ及び前記材料配置ステップの後に、前記第１主面及び前記第２主面を互いに向かい合わせて前記第１セラミックグリーンシートと前記第２セラミックグリーンシートとを重ねる。前記焼成ステップでは、互いに重ねられた前記第１セラミックグリーンシート及び前記第２セラミックグリーンシートを焼成する。
図１（ａ）は第１実施形態に係る静電チャックの構成を示す平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＩｂ－Ｉｂ線における断面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）の領域Ｉｃの拡大図。 図２（ａ）は図１（ｂ）のIIａ－IIａ線における断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の領域IIｂの拡大図、図２（ｃ）は図２（ｂ）のIIｃ－IIｃ線における断面図。 図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）及び図３（ｄ）は実施形態に係る静電チャックにおける空隙の横断面形状に係る第１～第４具体例を示す図。 図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）は実施形態に係る静電チャックにおける空隙の横断面形状に係る第５～第７具体例を示す図。 第２実施形態に係る静電チャックの電極を示す断面図。 図５の領域VIの拡大図。 図７（ａ）は第３実施形態に係る静電チャックの要部を示す断面図、図７（ｂ）は第４実施形態に係る静電チャックの要部を示す断面図。 実施形態に係る静電チャックの製造方法の手順の概要の一例を示すフローチャート。 図９（ａ）、図９（ｂ）、図９（ｃ）及び図９（ｄ）は図８のフローチャートを補足する模式的な断面図。 図１０（ａ）は図９（ｃ）の領域Ｘａの拡大図、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）は図９（ｄ）の領域Ｘｂの拡大図。 図１１（ａ）、図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）は静電チャックの製造方法の変形例を説明する図。 実施形態に係る静電チャックにおける空隙の第８具体例を示す図。
　以下、本開示の実施形態に係る静電チャックについて、図面を参照しながら説明する。但し、以下で参照する各図は、説明の便宜上の模式的なものである。従って、細部は省略されていることがあり、また、寸法比率は必ずしも現実のものとは一致していない。また、静電チャックは、各図に示されていない周知の構成要素をさらに備えていても構わない。
＜第１実施形態＞
（静電チャックの概略構成）
　図１（ａ）は、実施形態に係る静電チャック１０（以下、「静電」は省略することがある。）の構成を示す平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩｂ－Ｉｂ線における断面図である。図１（ｃ）は、図１（ｂ）の領域Ｉｃの拡大図である。図２（ａ）は、図１（ｂ）のIIａ－IIａ線における断面図である。
　これらの図には、直交座標系ＸＹＺを付している。チャック１０の使用時においては、例えば、Ｚ軸方向正側が上方とされる。チャック１０は、概略平板状のプレート１０ａを有している。そして、チャック１０は、プレート１０ａ上に載置されるウェハ１０１の保持に利用される。なお、チャック１０は、例えば、プレート１０ａに加えて、プレート１０ａから垂下されたパイプ１０ｂ、プレート１０ａに接続され不図示のケーブル、及び／又はプレート１０ａへの電力供給の制御を行う不図示の制御部を有していてもよい。
　プレート１０ａの上面１ａ及び下面１ｂは、例えば、概ね平面である。プレート１０ａの平面形状及び各種の寸法は、保持対象物の形状及び寸法等を考慮して適宜に設定されてよい。例えば、平面形状は、円形（図示の例）または矩形である。寸法の一例を示すと、直径は２０ｃｍ以上３５ｃｍ以下、厚さは５ｍｍ以上３０ｍｍ以下である。
　プレート１０ａは、例えば、絶縁性の基体１と、基体１に埋設されている１対の電極２Ａ及び２Ｂ（以下、Ａ及びＢを省略することがある。）並びに抵抗発熱体９と、電極２又は抵抗発熱体９に電力を供給するための複数の端子４（１つのみ図示）とを備えている。
　電極２に電圧が印加されることによって、基体１が帯電し、ウェハ１０１が基体１の上面１ａに吸着される。この吸着力としては、例えば、クーロン力、ジョンソン・ラーベック力又はグラジエント力が挙げられる。いずれの力を利用するかによって、チャック１０の細部の構成（例えば、基体１の材料、基体１の電極２上の厚さ及び／又は電極２の形状）が異なる。本開示に係る静電チャックでは、いずれの種類の力が利用されてもよい。
　抵抗発熱体９が設けられていることから理解されるように、図示の例では、チャック１０は、ウェハ１０１を加熱するヒータを兼ねている。ただし、チャック１０がヒータを兼ねることは必須の要件ではなく、抵抗発熱体９は設けられなくてもよい。逆に、チャック１０は、加熱以外に、他の機能を有していてもよい。例えば、チャック１０は、冷却媒体としての、及び／又はパージガスとしての流体が流れる流路を有していてもよい。
　特に図示しないが、静電チャック１０は、端子４と電極２又は抵抗発熱体９とを接続する配線パターンを電極２及び抵抗発熱体９の層とは別個の層に有していてもよい。
　基体１の外形は、プレート１０ａの外形を構成している。従って、上述のプレート１０ａの形状及び寸法に係る説明は、そのまま基体１の外形及び寸法の説明と捉えられてよい。基体１の材料は、例えば、セラミックスである。セラミックスは、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、炭化珪素（ＳｉＣ）及び窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等を主成分とする焼結体である。基体１は、全体が同一の材料から構成されている必要は無く、例えば、上面１ａ側と下面１ｂ側とで互いに異なる材料が用いられていてもよい。
　１対の電極２は、互いに非接続とされており、互いに異なる電位が付与される。すなわち、静電チャック１０は、いわゆる双極型のものである。電極２は、基体１の上面１ａに沿う（例えば平行な）層状導体である。平面視において、１対の電極２は、例えば、基体１の概ね全面を２等分するようにベタ状に広がっている。その平面形状は、適宜に設定されてよく、図示の例では、各電極２は、概ね半円状となっている。そして、１対の電極２は、直線状部分を互いに平行に対向させている。
　電極２の厚さ（Ｚ方向）は、例えば、電極２の全面に亘って一定である。その具体的な値は適宜に設定されてよい。一例を挙げると、電極２の厚さは、０．１μｍ以上２００μｍ以下である。電極２の基体１の上面１ａからの深さは、吸着力として利用する力の種類及び基体１の誘電率等に応じて適宜に設定されてよい。一例を挙げると、電極２の基体１の上面１ａからの深さは、１０μｍ以上１０ｍｍ以下である。
　電極２の材料は、例えば、金属である。金属の種類は、適宜に選択されてよく、例えば、タングステン（Ｗ）、タングステンカーバイト（ＷＣ）もしくはモリブデン（Ｍｏ）又はこれらを主成分とする合金である。また、電極２の材料は、前記のような金属を含む導電ペーストを焼成して得られるものであってもよい。すなわち、電極２の材料は、ガラス粉末及び／又はセラミック粉末等の添加剤（別の観点では無機絶縁物）を含むものであってもよい。
　抵抗発熱体９は、電極２よりも基体１の下面１ｂ側において、概略、基体１の上面１ａに沿って（例えば平行に）延びている。また、電極２は、平面視において、例えば、基体１の概ね全面に亘って延びている。抵抗発熱体９に電流が流れることによって、ジュールの法則に従って熱が発生し、ひいては、基体１の上面１ａに載置されているウェハ１０１が加熱される。
　抵抗発熱体９は、図示の例のように、層状導体からなるものであってもよいし、図示とは異なり、線材がコイル軸回りに螺旋状に巻き回されて構成されたコイルを含み、コイル軸が基体１の上面１ａに沿って延びるように配置されたものであってもよい。抵抗発熱体９の平面視におけるパターン（コイル状の場合はコイル軸の経路）は、適宜なものとされてよい。例えば、抵抗発熱体９は、平面視において、ミアンダ状に延びていてもよいし、螺旋状に延びていてもよい。抵抗発熱体９の材料、寸法及び上面１ａからの深さ等も適宜に設定されてよい。
　複数の端子４は、例えば、平面視において基体１の中央側に位置しており、基体１の下面１ｂから基体１の外部へ露出している。なお、端子４は、平面視において基体１の中央以外に位置していてもよい。複数の端子４は、特に図示しないが、例えば、電極２Ａ及び２Ｂに個別に接続されている２つの端子、及び抵抗発熱体９の両端に接続されている２つの端子を含んでいる。端子４は、例えば、電極２又は抵抗発熱体９の端子４の直上に位置する部分に直接又はビア導体を介して接続されていてもよいし、基体１内に形成された層状配線を介して、電極２又は抵抗発熱体９の適宜な位置と接続されていてもよい。１つの端子４は、１つの電極２の複数位置に対して接続されていてもよい。
（静電チャック内の空隙）
　図２（ｂ）は、図２（ａ）の領域IIｂの拡大図である。図２（ｃ）は、図２（ｂ）のIIｃ－IIｃ線における断面図である。これらの図は、電極２の外縁（平面視における外縁。以下、同様。）のうち直線状部分における断面拡大図となっている。ただし、電極２の外縁のうち円弧状部分の断面も、基本的には直線状部分の断面と同様とされてよい。
　各電極２は、基体１の上面１ａ側に面する上面２ａと、基体１の下面１ｂ側に面する下面２ｂと、上面２ａと下面２ｂとをつなぐ側面２ｃ（平面視における直線状部分及び円弧状部分の２つ）とを有している。図示の例では、上面２ａ、下面２ｂ及び側面２ｃは、概ね平面状であり、互いに直交している。なお、図示の例とは異なり、上面２ａ（又は下面２ｂ）と側面２ｃとの境界は、必ずしも明瞭でなくてもよい。
　電極２の上面２ａ及び下面２ｂは、基体１に接している。一方、側面２ｃは、少なくとも一部（図示の例では全部）が基体１に接しておらず、側面２ｃと基体１との間に空隙３が位置している。なお、電極２の上面２ａは、その全体が完全に基体に接している必要は無く、一部に空隙が存在してもよい。この空隙は、例えば、側面２ｃに接する空隙３に比較して小さい。
　空隙３は、真空とされ、又はガスが満たされている。ガスは、例えば、空気又は窒素である。理論上の真空の比誘電率は１であり、また、一般にガスの比誘電率は１に近い。例えば、空隙３の比誘電率は、基体１の比誘電率よりも小さい。なお、基体１の比誘電率は、例えば、４～１２である。また、理論上、真空の空隙３は、熱を伝えない。また、通常、ガスの熱伝導率は、基体１を構成している絶縁材料よりも熱伝導率が低い。
　空隙３は、基本的に電極２の外縁の全体に亘って連続的に延びている。ただし、誤差により、又は意図的に、途中に途切れる部分が形成されていても構わない。換言すれば、空隙３は、電極２の外縁に沿って連続的に延びる部分を含んでいる。当該部分の長さは、例えば、空隙３の幅Ｗよりも長く、幅Ｗの１０倍よりも長く、又は電極２の外縁の長さの８割よりも長い。
　空隙３の横断面（電極２の外縁に直交する断面）の形状及び大きさは、電極２の外縁に沿って、一定であってもよいし、変化していてもよい。変化は、意図的なものであってもよいし、製造誤差によるものであってもよい。なお、空隙３が電極２の外縁に沿って連続的に延びている部分の長さを空隙３の幅Ｗと比較するとき、幅Ｗは、空隙３の長さ全体内の、又は当該部分の長さ内の、平均値であってもよいし、最大値であってもよい。
　なお、一横断面において、空隙３の幅は、上下方向の位置によって異なることがある（後述する図４（ｂ）参照）。本開示において、単に空隙３の幅という場合、例えば、図４（ｂ）の幅Ｗで示されるように、平面透視したときの各横断面における最大幅を指すものとする。
　実施形態の説明では、特に断りがない限り、空隙３（並びに電極２の側面２ｃ及びその周辺部）の横断面の形状及び大きさは、基本的に、電極２の外縁に沿って概ね一定であるものとする。すなわち、以下に述べる一横断面における電極２及び空隙３の形状及び寸法に関する説明は、他の横断面においても概ね同様に成り立つものとする（後述する種々の具体例及び第２実施形態以降も同様。）。なお、横断面の形状及び大きさが電極２の外縁に沿って一定でない場合は、以下に述べる説明は、電極２の外縁の所定範囲においてのみ成り立つだけでも構わない。
　空隙３の横断面の形状は、後述する横断面の形状に係る種々の具体例からも理解されるように、適宜に設定されてよい。図２（ｃ）では、空隙３の横断面の形状として矩形が例示されている。当該矩形は、基体１の上面１ａ及び下面１ｂに概ね平行な２辺と、当該２辺に直交する２辺とを有している。基体１の上面１ａ及び下面１ｂに概ね平行な２辺は、例えば、電極２の上面２ａ及び下面２ｂに概ね面一である。すなわち、図２（ｃ）では、空隙３の高さＨ（Ｚ軸方向の大きさ）は、電極２の厚さと同等とされている。
　空隙３の高さＨ及び幅Ｗ等の各種の寸法も適宜に設定されてよい。例えば、空隙３の高さＨ（高さが幅方向に一定でない場合は例えば最大値、平均値又は最小値）は、電極２の厚さ（例えば側面２ｃ付近を除く平均値。特に断りがない限り、本開示において同様。）に対して、小さくてもよいし、同等（例えば両者の差は電極２の厚さの１０％未満）でもよいし、大きくてもよい。また、空隙３の幅Ｗは、空隙３の高さＨ（高さが一定でない場合は例えば最大高さ）よりも小さくてもよいし、同等でもよいし、大きくてもよい。幅Ｗの一例を挙げると、例えば、１０μｍ以上５００μｍ以下、及び／又は空隙３の最大高さ若しくは電極２の厚さの１／１０以上２０倍以下である。なお、以下に説明する空隙３の横断面形状に係る種々の具体例においても、高さ及び幅の寸法並びに両者の大小関係は適宜に設定されてよい。
（空隙の横断面形状に係る種々の具体例）
　図３（ａ）～図４（ｃ）は、空隙３の横断面における形状の種々の具体例を示す図であり、図２（ｃ）の領域IVに対応している。なお、図２（ｃ）は、空隙３の横断面の形状が矩形である具体例と捉えられてもよいし、以下に説明する種々の具体例を抽象的に示したものと捉えられてもよい。
（横断面形状の第１具体例）
　図３（ａ）の例では、空隙３の側面３ｃ（電極２とは反対側の面）と、空隙３の上面３ａ又は下面３ｂとの角部は面取りされている。面取り面は、図示のように曲面状であってもよいし、図示とは異なり、平面状であってもよい。なお、特に図示しないが、側面３ｃの全体が電極２側を凹とする曲面状となっていてもよい。
　また、図３（ａ）の例では、電極２の側面２ｃは、外側に膨らむ凸面となっている。この凸面は、例えば、概略、曲面である。すなわち、凸面の接線の向きの変化は基本的に連続的である。ただし、側面２ｃには、空隙３の高さＨ及び幅Ｗに比較して微小な凹凸が存在しても構わない。
（横断面形状の第２具体例）
　図３（ｂ）の例では、空隙３の形状（及び電極２の側面２ｃの形状）は、図３（ａ）の例と同様である。ただし、図３（ａ）の例では、空隙３の高さＨが電極２の厚さと同等であったのに対して、図３（ｂ）の例では、空隙３の高さＨは、電極２の厚さよりも小さくなっている。換言すれば、空隙３は、電極２の厚さよりも高さが小さい部分（本例では空隙３の全部）を含んでいる。別の観点では、電極２の側面２ｃは、一部のみが空隙３に接している。側面２ｃの他の部分は、基体１に接している。
　このような空隙３のうち電極２の厚さよりも小さい部分の高さ、及び／又は電極２の側面２ｃのうち空隙３に接する部分の上下方向に平行な長さ（側面２ｃの湾曲等を無視した長さ）の具体的な値は、適宜に設定されてよい。例えば、これらの値は、電極２の厚さの９／１０未満であってもよいし、１／２未満であってもよいし、２／５未満であってもよい。また、これらの値は、例えば、１μｍ以上、及び／又は電極２の厚さの１％以上である。
　なお、後述する種々の例においても、空隙３は、電極２の厚さよりも高さが小さい部分を有し、及び／又は電極２の側面２ｃは、上下方向の一部のみが空隙３に接することがある。そのような例における上下方向の大きさの具体的な値も、上記と同様に適宜に設定されてよい。ただし、後述する種々の例の説明では、基本的に、実際に図示されている例の値の大きさについてのみ言及する。図３（ｂ）では、空隙３の高さ（側面２ｃのうち空隙３に接する部分の上下方向の長さ）は、電極２の厚さの１／２以上９／１０未満とされている。
　電極２の側面２ｃのうち空隙３に接する部分の位置も適宜に設定されてよい。例えば、当該部分は、図示のように、上面２ａ及び下面２ｂのいずれにもつながらない部分であってもよいし、図示とは異なり、上面２ａにつながる部分であってもよいし、下面２ｂにつながる部分であってもよい。また、当該部分は、上面２ａ及び下面２ｂのいずれにもつながらない場合において、電極２の厚さの概ね中央に位置していてもよいし、図示とは異なり、上面２ａ側又は下面２ｂ側に寄っていてもよい。
　なお、後述する種々の例においても、電極２の側面２ｃのうち一部が空隙３に接することがある。そのような例における側面２ｃが空隙３に接する位置も上記と同様に種々の位置とされてよい。ただし、後述する種々の例の説明では、基本的に、実際に図示されている例の位置についてのみ言及する。図３（ｂ）では、側面２ｃのうち空隙３に接する部分は、電極２の厚さの中央に位置している。空隙３に接する部分が電極２の厚さの中央に位置しているとは、例えば、当該部分の上下方向の中央位置が電極２の厚さの中央側の１／３に収まっている状態である。
（横断面形状の第３具体例）
　図３（ｃ）の例では、電極２は、側面２ｃに突部２ｄを有している。突部２ｄは、上方側の面が基体１に接しており、下方側の面が基体１から離れている。すなわち、真空の、又はガスが満たされている空隙３は、突部２ｄの下方側の面と基体１との間に広がっている。
　突部２ｄの具体的な形状、厚さ（上下方向）、突出量（横方向、平面視において電極２の外縁に直交する方向）、空隙３に対する相対的な大きさ等は、適宜に設定されてよい。図示の例では、突部２ｄは、先端側ほど薄くなるテーパ形状とされている。突部２ｄと空隙３とが接している面の、横方向（平面視において電極２の外縁に直交する方向）における長さは、例えば、空隙３の幅Ｗの１／３以上である。
　また、図３（ｃ）の例では、空隙３は、高さＨ１の第１高さ部３ｅと、高さＨ１よりも低い高さＨ２の第２高さ部３ｆとを有している。第２高さ部３ｆは、第１高さ部３ｅに対して、電極２の側面２ｃに対して反対側に位置している。
　第１高さ部３ｅ及び第２高さ部３ｆの形状及び大きさ等は適宜に設定されてよい。図示の例では、高さＨ１は、図３（ｂ）の例の空隙３の高さＨよりも更に小さくなっており、電極２の厚さの２／５以上１／２未満となっている。第１高さ部３ｅは、突部２ｄが設けられていないと仮定すると、電極２側から概ね一定の高さで電極２とは反対側へ延びている。図示の例では、空隙３を構成する空間の上方へ突部２ｄが入り込むことによって、空隙３は、第１高さ部３ｅよりも電極２側に第１高さ部３ｅよりも高さが低い部分を含んでいる。第２高さ部３ｆは、先端側（電極２とは反対側）ほど薄くなるテーパ状とされている。
（横断面形状の第４具体例）
　図３（ｄ）の例では、電極２が無いものとして考えると、基体１内の空所（空隙３を含む）の形状及び大きさは、概ね、図３（ｃ）の形状及び大きさと同様である。ただし、図３（ｃ）の例では、電極２は、側面２ｃに突部２ｄを有していたのに対して、図３（ｄ）の例では、電極２は、側面２ｃに凹部２ｅを有している。別の観点では、空隙３は、電極２の側面２ｃへ入り込む部分を有している。当該部分は、第１高さ部３ｅよりも高さが低い部分を含む。
　凹部２ｅの形状及び大きさ等は適宜に設定されてよい。図示の例では、凹部２ｅは、底面側（電極２の平面方向内側）ほど上下方向（電極２の厚さ方向）の径が小さくなるテーパ状とされている。凹部２ｅの上下方向の最大径（開口面における径）は、例えば、電極２の厚さよりも小さく、空隙３の高さの１／３以上１倍以下となっている。
（横断面形状の第５具体例）
　図４（ａ）の例では、空隙３は、その全体が電極２とは反対側ほど上下方向の径が小さくなるテーパ状とされている。別の観点では、空隙３は、図３（ｃ）及び図３（ｄ）の例と同様に、第１高さ部３ｅと、第１高さ部３ｅよりも電極２とは反対側に位置し、第１高さ部３ｅの高さＨ１よりも低い高さＨ２の第２高さ部３ｆとを有している。
　ただし、図３（ｃ）及び図３（ｄ）の例では、空隙３は、第１高さ部３ｅよりも電極２側に、第１高さ部３ｅよりも低い高さの部分（符号省略）を有していたが、本例では、第１高さ部３ｅが電極２の側面２ｃに接している。換言すれば、空隙３のうち側面２ｃに接している部分は、空隙３内で高さが最も大きい部分である。当該部分の高さは、例えば、電極２の厚さよりも小さくされている。
（横断面形状の第６具体例）
　図４（ｂ）の例では、空隙３は、図３（ｃ）～図４（ａ）と同様に、高さＨ１の第１高さ部３ｅと、第１高さ部３ｅに対して電極２とは反対側に位置しており、高さＨ１よりも低い高さＨ２の第２高さ部３ｆとを有している。また、空隙３は、図４（ａ）と同様に、第１高さ部３ｅが電極２の側面２ｃに接している。
　ただし、本例では、既述の他の例のように徐々に空隙３の高さが低くなるのではなく、段階的に空隙３の高さが低くなっている。すなわち、第１高さ部３ｅと第２高さ部３ｆとの間の高さの変化は比較的急激であり、第２高さ部３ｆは、第１高さ部３ｅから電極２とは反対側へ突出するような形状となっている。
　第１高さ部３ｅ及び第２高さ部３ｆの形状及び大きさ等は、適宜に設定されてよい。図示の例では、第１高さ部３ｅは、電極２の厚さと概ね同等の高さＨ１を有し、また、電極２の側面２ｃとは反対側へ膨らむ側面を有している。高さＨ１は、例えば、電極２の厚さの４／５以上である。第２高さ部３ｆは、高さＨ１よりも低い高さＨ２を有しているとともに、高さＨ２よりも大きい幅を有している。
　なお、図４（ｂ）の高さＨ１から理解されるように、空隙３が電極２の側面２ｃの凸面又は突部によって上下に分断されている場合、空隙３の高さＨは、分断されたそれぞれではなく、電極２の凸面等による分断がないものとして定義されてよい。
（横断面形状の第７具体例）
　図４（ｃ）の例では、空隙３は、電極２の側面２ｃから離れるほど下方に位置するように傾斜している。換言すれば、空隙３は、第１位置部３ｍと、第１位置部３ｍに対して側面２ｃとは反対側かつ第１位置部３ｍよりも下方に位置している第２位置部３ｎと、を含んでいる。なお、ここでいう第２位置部３ｎが第１位置部３ｍよりも下方に位置しているとは、第２位置部３ｎの全体が第１位置部３ｍの全体よりも下方に位置しているという意味ではなく、第２位置部３ｎの基準位置（例えば上下方向の中央位置）が、第１位置部３ｍの基準位置（例えば上下方向の中央位置）よりも下方に位置しているという意味である。
　第１位置部３ｍ及び第２位置部３ｎの形状及び大きさ等は適宜に設定されてよい。図示の例では、空隙３は、概ね一定の高さＨで直線状に延びており、第１位置部３ｍ及び第２位置部３ｎは互いに同等の形状及び高さである。空隙３は、例えば、電極２の側面２ｃに対して概ね中央に接しており、空隙３の先端（側面２ｃとは反対側）は、電極２の下面２ｂよりもやや上方に位置している。
　なお、上記のように、第２位置部３ｎは、その高さＨの中央位置が第１位置部３ｍの高さＨの中央位置よりも下方に位置すればよい。従って、例えば、空隙３が、水平な下面と、電極２の側面２ｃから離れるほど下方に位置するように傾斜した上面とからなる三角形の場合も、第１位置部３ｍ及び第２位置部３ｎが設けられているといえる。また、例えば、図４（ｂ）の例において、第２高さ部３ｆの高さＨ２の中央位置が第１高さ部３ｅの高さＨ１の中央位置よりも下方に位置している場合も、空隙３は、第１位置部３ｍ及び第２位置部３ｎを有しているといえる。
（横断面形状の第８具体例）
　図１２は、空隙３の横断面における形状の第８具体例を示す図であり、例えば、図２（ｃ）の左側半分に相当している。ただし、ここでは、電極２の外縁に沿う方向における互いに異なる３位置における断面が示されている。
　この例では、空隙３の高さＨは、電極２の厚さよりも大きくなっている。より詳細には、空隙３は、電極２よりも上方に広がっているとともに、電極２よりも下方に広がっている。換言すれば、空隙３の上面３ａは、電極２の上面２ａよりも上方に位置し、空隙３の下面３ｂは、電極２の下面２ｂよりも下方に位置している。
　ただし、高さＨが電極２の厚さよりも大きい場合において、上面３ａが上面２ａよりも上方に位置している一方で、下面３ｂが下面２ｂと面一となっていたり、下面３ｂが下面２ｂと上面２ａとの間に位置していたりしてもよい。同様に、高さＨが電極２の厚さよりも大きい場合において、下面３ｂが下面２ｂよりも下方に位置している一方で、上面３ａが上面２ａと面一となっていたり、上面３ａが上面２ａと下面２ｂとの間に位置していたりしてもよい。
　高さＨが電極２の厚さよりも大きい空隙３において、高さＨは、空隙３の幅Ｗよりも大きくてもよいし（図示の例）、同等でもよいし、小さくてもよい。また、この具体例における高さＨ及び幅Ｗの具体的な値も、図２（ｃ）を参照して説明した大きさの範囲内とされてよい。例えば、高さＨは、電極２の厚さの１．１倍以上２０倍以下とされてよい。また、高さＨは、電極２の厚さの２０倍よりも大きくされてもよい。
　図２（ｃ）の説明において、誤差により、又は意図的に、電極２の外縁に沿う方向において、空隙３が途切れる部分が存在していてもよいことを述べた。これは、換言すれば、電極２の側面２ｃが基体１に接する部分が存在してもよいということである。図１２では、側面２ｃと空隙３との、電極２の幅方向における位置関係について、誤差による、又は意図的なばらつきも示している。
　具体的には、図１２の左側においては、電極２の側面２ｃと空隙３の電極２側の側面３ｄとが概ね面一である構成が示されている。図１２の中央においては、側面２ｃが空隙３内に位置している（側面３ｃと側面３ｄとの間に位置している）構成が示されている。図１２の右側においては、側面２ｃが空隙３の電極２とは反対側の側面３ｃに当接している構成が示されている。特に図示しないが、電極２は、空隙３内で屈曲するなどして、側面２ｃ以外の部分が側面３ｃ等に接していてもよい。
　上記のようなばらつきがある場合において、いずれの構成が電極２の外縁に沿う方向に占める割合が大きくてもよい。また、図１２では、上記の複数の構成が１個の電極２の外縁に沿う方向の互いに異なる位置にあるものとして説明したが、いずれか１つの構成が１個の電極２の外縁の概ね全体に亘っていてもよい。
　上記の種々の具体例は、適宜に組み合わされてよい。例えば、図３（ａ）、図３（ｂ）及び図４（ａ）～図４（ｃ）の例では、電極２の側面２ｃは、全面が凸面とされたが、図３（ｃ）又は図３（ｄ）のように、突部２ｄ又は凹部２ｅを有する形状とされてもよい。逆に、図３（ｃ）及び図３（ｄ）において、側面２ｃの全面が凸面とされてもよい。
　また、例えば、図３（ｃ）、図３（ｄ）、図４（ａ）及び図４（ｃ）において、空隙３の電極２の側面２ｃに接する部分の高さ（別の観点では、高さＨ１及び／又は最大高さ）は、電極２の厚さよりも小さくされたが、当該部分の厚さは、図３（ａ）又は図４（ｂ）の例と同様に、電極２の厚さと同等であってもよい。
　また、例えば、図４（ａ）の空隙３のテーパ形状と、図４（ｂ）の空隙３の高さの段階的な変化とが組み合わされてもよいし、図３（ｃ）～図４（ｂ）の空隙３の形状と、図４（ｃ）の空隙３の傾きとが組み合わされてもよい。
　また、例えば、図１２の例では、図２（ｃ）と同様に、電極２の側面２ｃとして平面状のものが示されたが、側面２ｃの形状として、図３（ａ）～図４（ｃ）の形状又はその組み合わせが適用されてよい。例えば、図１２において、側面２ｃは、凸面又は凹面を含んでいてよい。また、例えば、図１２の例では、空隙３の横断面の形状として、図３（ａ）と同様に、矩形状のものが示されたが、図３（ａ）～図４（ｃ）の形状又はその組み合わせが適用されてよい。例えば、図１２において、空隙３は、角部が面取りされていたり、側面が凸面又は凹面を有していたり、高さ及び／又は位置が連続的若しくは段階的に変化していたりしてよい。
　以上のとおり、本実施形態では、静電チャック１０は、所定面（上面１ａ）を有している絶縁性の基体１と、基体１内で上面１ａに沿っている層状の電極２と、を有している。電極２の上面２ａと基体１とは接しており、かつ電極２の側面２ｃと基体１との間には、真空の、又はガスが満たされている空隙３が介在している。
　従って、例えば、電極２に対する電圧印加を停止した後、基体１から残留電荷を迅速に除去できる。その結果、ウェハ１０１を基体１から速やかに搬出し、生産性を向上させることができる。除電の時間を短くできる理由は、例えば、次の通りである。
　静電チャック１０に使われるセラミックの比誘電率は通常１０程度であるのに対し、空隙３（真空またはガス）の比誘電率は１または１に極近い値であるため、空隙３は相対的に帯電しにくい。そのため、基体１全体として、蓄積される電荷は空隙３の体積割合に応じて少なくなる。よって、除電すべき電荷が少なく済むので速く除電される。
　通常、アースが電極２に電気的につながっている場合、基体１の電極２に当接している部分の電荷はアースに流れやすい。そして、電極２に隣接する部分に空隙３が位置していることにより、基体１の残留電荷が、空隙３の内壁を移動しやすい（内壁を沿面移動しやすい）。よって、基体１の残留電荷が、電極２を介して速く徐電される。
　電極２の側面２ｃに空隙が位置していれば、電極２の上下に基体１の厚みを確保したまま（別の観点では、空隙３によって静電チャック１０の厚みを増加させることなく）、蓄積される電荷を抑制できる。電極２の上下に基体１の厚みが確保されることによって、例えば、基体１の機械的強度が向上する。
　電極２と基体１の上面１ａとの間に空隙があると、チャック１０のウェハ１０１を吸着する力が低下する。しかし、電極２の上面２ａと基体１とは接した状態で、空隙３が存在することから、吸着力を維持することができる。このように、チャック１０では、機械的強度及び吸着力を維持しつつ、ウェハ１０１を外しやすくできる。
　また、本実施形態では、空隙３は、基体１の上面１ａの平面視において、電極２の側面２ｃからの幅Ｗよりも大きい長さで電極２の側面２ｃ（電極２の外縁）に沿って連続している。
　従って、空隙３の幅が小さくとも、空隙３の体積を増やせる。さらに、空隙３が電極２の外縁に沿って連続しているので、除電すべき電荷の分布に偏りが生じにくい。このため、さらに速く除電され、ウェハを外しすい。
　また、本実施形態では、空隙３は、電極２の、上面１ａに沿う方向の両側に形成されている。例えば、電極２の外縁の直線状部分と円弧状部分とのそれぞれに空隙３が形成されている。
　従って、電極２は、その両側で電荷の移動が促進されるので除電されやすい。一定の方向にのみ電荷が移動して意図しない電流が大きくなるおそれも低減される。
　また、本実施形態では、空隙３は、上下方向（基体１の上面１ａに直交する方向）の大きさが電極２の上下方向の大きさよりも小さい部分を含んでいてよい（例えば図３（ｂ）～図４（ｃ））。
　この場合、例えば、電極２の外縁付近で基体１の体積を確保して絶縁破壊のおそれを低減し、その一方で、沿面移動によって除電を促進することができる長さを長くすることができる。
　また、本実施形態では、空隙３は、上下方向の大きさが電極２の上下方向の大きさよりも大きい部分を含んでいてよい（図１２）。
　この場合、例えば、静電チャック１０の温度変化が大きい場合に、電極２の外縁において電極２の膨張が許容されやすくなる。例えば、電極２がその平面に沿う方向に膨張したときに、電極２の外縁は、空隙３内で上方又は下方に屈曲して、空隙３の幅Ｗ以上に変位することが可能である。その結果、例えば、基体１に加えられる応力が低減される。
　また、本実施形態では、空隙３は、第１高さ部３ｅと、第１高さ部３ｅに対して電極２の側面２ｃとは反対側に位置しており、上下方向の大きさが第１高さ部３ｅよりも小さい第２高さ部３ｆと、を含んでいてよい（図３（ｃ）～図４（ｂ））。
　この場合、例えば、第２高さ部３ｆが相対的に小さいことにより、絶縁破壊のおそれを低減しつつ、沿面移動によって除電を促進する長さを長くすることができる。一方で、相対的に高さが大きい第１高さ部２ｅによって電極２の膨張を吸収するという効果も奏される。特に、第１高さ部２ｅが図１２のように電極２の厚さよりも大きい場合に、当該効果が向上する。
　また、本実施形態では、空隙３は、第１位置部３ｍと、第１位置部３ｍに対して電極２の側面２ｃとは反対側かつ第１位置部３ｍよりも下方（基体１の上面１ａとは反対側）に位置している第２位置部３ｎと、を含んでいる。
　従って、例えば、空隙３がウェハ吸着面と反対側（下方）に曲がっていることで、電極２と基体１の上面１ａとの間にある基体１の体積割合を増やしつつ、空隙３を広げることができる。その結果、例えば、電極２と上面１ａとの間の絶縁破壊のおそれを低減しつつ、残留電荷を速く徐電できる。
　また、本実施形態では、電極２の側面２ｃは、凸面を有していてもよい（例えば図３（ａ）～図４（ｃ））。
　この場合、例えば、電極２の厚みを厚くしなくても、空隙３に接する電極２の面積を増やすことができるので、電圧遮断後の残留電荷を速く減らすことができる。
　また、本実施形態では、電極２の側面２ｃは、突部２ｄを有していてもよい。突部２ｄの基体１の上面１ａ側の面は、基体１に接していてよい。空隙３は、突部２ｄの基体１の下面１ｂ側の面と基体１との間に介在する部分を含んでいてよい（図３（ｃ））。
　この場合、例えば、突部２ｄは、基体１の下方側部分よりも基体１の上方側部分に電荷を振り分けやすい。その結果、例えば、効率的に吸着力を大きくすることができる。また、別の観点では、空隙３の容積に対して電極２と基体１との接触面積を大きくしたことになるから、除電すべき電荷の減少量を維持しつつ、帯電及び除電が迅速化される。
　また、本実施形態では、電極２の側面２ｃは、凹部２ｅを有していてもよい（図３（ｄ））。
　この場合、例えば、別の観点では、凹部２ｅの両側に電極２の突部を形成したことになるから、空隙３の容積に対して電極２と基体１との接触面積を大きくしたことになる。その結果、例えば、除電すべき電荷の減少量を維持しつつ、帯電及び除電が迅速化される。２つの突部が設けられていることから、同等の大きさの１つの突部が設けられている場合に比較して除電が迅速化される。
＜第２実施形態＞
　図５は第２実施形態に係るチャック２０を示す断面図であり、図２（ａ）に対応している。
　チャック２０は、電極の平面形状のみが第１実施形態と相違する。なお、電極の平面形状の相違に伴って、細部の構成（例えば基体１の電極上の厚さ）が第１実施形態と第２実施形態とで異なっていてもよいことはもちろんである。
　チャック２０の電極１２Ａ及び１２Ｂ（以下、Ａ及びＢを省略することがある。）は、例えば、互いに噛み合う１対の櫛型電極とされている。具体的には、各電極１２は、バス部１２ｒと、バス部１２ｒから互いに並列（例えば平行）に延びる複数の歯部１２ｓとを有している。なお、特に図示しないが、ウェハは、例えば、その外縁が、バス部１２ｒに重なるように配置される。
　バス部１２ｒは、例えば、基体１の外縁に沿って一定の幅で延びている。図示の例では、基体１の外縁が円であることに応じて、バス部１２ｒは円弧状である。１対のバス部１２ｒは、基体１の平面視における中央側の領域を挟んで互いに対向している。
　一方の電極１２の歯部１２ｓは、例えば、当該一方の電極１２のバス部１２ｒから他方の電極１２のバス部１２ｒへ向かって一定の幅で直線状に延びている。そして、一方の電極１２の歯部１２ｓと、他方の電極１２の歯部１２ｓとは、歯部１２ｓの幅方向へ１つずつ交互に配列されている。互いに隣り合う歯部１２ｓは、互いに離間しつつ対向している。
　１対の電極１２において、Ｙ方向（歯部１２ｓの配列方向）の最も両側に位置する部分は、バス部１２ｒの一部と捉えられてもよいし、幅が一定でない歯部１２ｓと捉えられてもよい。この特異部分を除いて、図示の例では、バス部１２ｒの幅と歯部１２ｓの幅とは同等とされている。ただし、両者の幅は異なっていてもよい。
　１対の電極１２において、例えば、複数の歯部１２ｓの幅は互いに同一であり、また、複数の歯部１２ｓのピッチは一定である。別の観点では、複数の歯部１２ｓ間の隙間の大きさは互いに同一である。複数の歯部１２ｓの先端とバス部１２ｒとの隙間の大きさは、例えば、互いに同一であり、また、複数の歯部１２ｓ間の隙間の大きさと同一であってもよいし、異なっていてもよい。
　図６は、図５の領域VIの拡大図である。
　本実施形態においても、第１実施形態と同様に、電極１２の側面１２ｃと基体１との間には空隙３が形成されている。特に図示しないが、電極１２の外縁に直交する断面における空隙３の形状は、第１実施形態と同様でよい。すなわち、図２（ｃ）、図３（ａ）～図４（ｃ）及び図１２は、電極２の符号を電極１２の符号に置き換えて、本実施形態の断面図とされてよい。
　また、空隙３の、電極１２の外縁の長さに対する長さ等も第１実施形態と同様とされてよい。例えば、空隙３は、電極１２の外縁の長さの全体に亘って連続的に延びてよい。従って、例えば、空隙３は、バス部１２ｒの幅方向（Ｘ方向）両側の側面１２ｃ及び歯部１２ｓの幅方向（Ｙ方向）両側の側面１２ｃに沿って延びている部分を含んでいる。
　第１実施形態と同様に、空隙３の横断面における形状及び寸法は、基本的に電極１２の外縁に沿って一定とされてよい。ただし、図６に示すように、バス部１２ｒと歯部１２ｓとの間で、空隙３の形状及び／又は寸法に差異があってもよい。
　図６に示す例では、空隙３は、歯部１２ｓの側面１２ｃに接している第１側方部３ｐと、バス部１２ｒの、複数の歯部１２ｓの間に位置する側面１２ｃに接している第２側方部３ｑとを有している。そして、第２側方部３ｑの幅Ｗ２は、第１側方部３ｐの幅Ｗ１よりも広くなっている。また、第２側方部３ｑの幅Ｗ２は、バス部１２ｒの歯部１２ｓとは反対側の外側部３ｒの幅Ｗ３よりも広くなっている。なお、外側部３ｒの幅Ｗ３は、第１側方部３ｐの幅Ｗ１よりも広くてもよいし、同等でもよいし、狭くてもよい。
　なお、空隙３の横断面の形状は、第１側方部３ｐ、第２側方部３ｑ及び外側部３ｒの３つ又は２つ同士で同一であってもよいし、異なっていてもよい。幅Ｗ１～Ｗ３の具体的な値等は適宜に設定されてよい。例えば、幅Ｗ２は、幅Ｗ１又はＷ３の１．１倍以上又は１．５倍以上である。
　以上のとおり、本実施形態においても、静電チャック２０は、所定面（図１（ａ）の上面１ａ参照）を有している絶縁性の基体１と、基体１内で上面１ａに沿っている層状の電極１２と、を有している。電極１２の上面１２ａと基体１とは接しており、かつ電極１２の側面１２ｃと基体１との間には、真空の、又はガスが満たされている空隙３が介在している。従って、第１実施形態と同様の効果が奏される。例えば、除電が迅速化される。
　また、本実施形態では、電極１２は、基体１の上面１ａの平面視において、接続部（バス部１２ｒ）と、バス部１２ｒから互いに並列に延びている２つの延在部（歯部１２ｓ）と、を有している。空隙３は、歯部１２ｓの側面１２ｃに接している第１側方部３ｐと、バス部１２ｒの側面１２ｃに接しており、バス部１２ｒの側面１２ｃからの幅Ｗ２が、第１側方部３ｐの歯部１２ｓの側面１２ｃからの幅Ｗ１よりも広い第２側方部３ｑと、を有していてよい。
　複数の歯部１２ｓとバス部１２ｒとの接続部分は、例えば、複数の歯部１２ｓの大部分に比較して、基体１の体積と導体との体積の比が異なることなどから、除電に関して特異点となりやすい。この特異点において空隙３の幅を相対的に大きくして除電を促進することによって、例えば、チャック２０の除電の速さを評価するときに、特異点を考慮対象外にしやすくなる。その結果、例えば、設計が容易化される。
　また、本実施形態では、空隙３は、接続部（バス部１２ｒ）の延在部（歯部１２ｓ）とは反対側の側面１２ｃ（外側側面）に接している外側部３ｒと、バス部１２ｒの、２つ歯部１２ｓの間に位置している側面１２ｃ（内側側面）に接しており、内側側面からの幅Ｗ２が外側部３ｒの外側側面からの幅Ｗ３よりも大きい内側部（第２側方部３ｑ）とを有していてよい。
　実施形態のように円弧状のバス部１２ｒにおいては、内側の曲率半径は外側の曲率半径よりも小さい。このため、空隙３の幅が内側と外側で同じ場合、バス部１２ｒの単位長さ当たりの空隙３の体積は、外側よりも内側が小さくなる。そこで、内側の空隙３の幅Ｗ２を外側の幅Ｗ３よりも広くすることで、その差を縮小することができる。
＜第３実施形態＞
　図７（ａ）は、第３実施形態に係る静電チャックの要部を示す断面図であり、図２（ｃ）に対応している。
　第３実施形態に係る静電チャックは、電極１２の下面１２ｂと基体１との間に空隙５が形成されている点のみが第１及び第２実施形態と相違する。空隙５は、電極１２の側面１２ｃと基体１との間の空隙３と同様に、真空とされ、又はガスが満たされている空間である。
　なお、図７（ａ）では、電極として、第２実施形態の電極１２（より詳細には例えばバス部１２ｒ又は歯部１２ｓの長手方向に直交する横断面）が例示されているが、電極は、第１実施形態の電極２であっても構わない。以下の説明では、電極１２の符号のみを付すことがあるが、適宜に電極２の符号に置き換えられてよい。後述する第４実施形態（図７（ｂ））についても同様である。
　また、図７（ａ）では、空隙３の横断面の形状として、図４（ａ）に例示したものが図示されている。ただし、空隙３の横断面の形状はこれに限定されず、例えば、第１実施形態で例示した他の具体例が本実施形態に組み合わされてよい。また、図７（ａ）では、電極１２の横断面の形状として、矩形の角部を面取りした形状が図示されている。ただし、電極１２の横断面の形状はこれに限定されず、例えば、第１実施形態で例示した種々の具体例が本実施形態に組み合わされてもよい。
　既に述べたように、空隙３の横断面の形状及び大きさは、例えば、電極１２の外縁の全体に亘って概ね一定である。空隙５も、基本的に電極１２の外縁の長さ方向の全体に亘って連続的に延びてよい。例えば、第２実施形態であれば、空隙５は、バス部１２ｒ及び／又は歯部１２ｓが延びる方向へ延びていてよいし、第１実施形態であれば、電極２の外縁の直線状部分及び／又は円弧状部分に沿って延びていてよい。ただし、途中に途切れる部分が存在しても構わない。空隙５の、電極１２の外縁に沿って連続的に延びる部分の長さは、例えば、空隙５の、電極１２の外縁からの幅よりも長く、又はこれらの１０倍よりも長い。
　空隙５の横断面の形状及び大きさ等は適宜に設定されてよい。図示の例では、空隙５は、概略一定の高さ（Ｚ軸方向）で電極１２の外縁に交差する方向（例えばバス部１２ｒ又は歯部１２ｓの幅方向）に広がっている。空隙５の高さは、例えば、電極１２の厚さの１／２以下、及び／又は３０μｍ以下若しくは１０μｍ以下であり、また、１μｍ以上、及び／又は電極１２の厚さの１％以上である。空隙５の、電極１２の外縁に交差する方向の幅は、例えば、電極１２の前記交差する方向の幅の１／２以上１倍未満である。なお、図示の例では、空隙５は、幅方向の全体に亘って途切れずに広がっているが、製造誤差により、又は意図的に、空隙５が途切れる部分が存在していてもよい。また、空隙５は、例えば、電極１２の幅に対して、その中央側に位置している。ただし、電極１２に対してその幅方向の一方に寄っていてもよい。
　空隙３と空隙５とは、例えば、基本的に互いに遮断されている。ただし、電極１２の外縁に沿う方向（紙面奥手方向）の一部において、空隙３と空隙５とが通じている横断面が存在していてもよい。例えば、空隙３と空隙５とは、空隙５の、電極１２の外縁に沿う長さの８割以上に亘って互いに遮断されている。空隙３の下面３ｂが図１２の例のように電極１２の下面２ｂよりも下方に位置している場合において、下面３ｂは、空隙５の下面に対して、上方に位置していてもよいし、面一であってもよいし、下方に位置していてもよい。このことは、後述する第４実施形態においても同様である。
　以上のとおり、第３実施形態では、静電チャックは、基体１及び電極１２を有している。基体１は、絶縁性材料からなり、また、上面１ａ（第１実施形態参照）を有している。電極１２は、基体１内で上面１ａに沿う層状である。電極１２の上面１２ａと基体１とは接しており、かつ電極１２の下面１２ｂと基体１との間には、真空の、又はガスが満たされている空隙５が介在している。
　従って、例えば、電極１２は、基体１の下方側部分よりも基体１の上方側部分に電荷を振り分けやすい。その結果、例えば、効率的に吸着力を大きくすることができる。また、別の観点では、吸着に寄与しない、又は吸着への寄与度が低い、基体１の下方側部分における除電すべき電荷が低減される。
＜第４実施形態＞
　図７（ｂ）は、第４実施形態に係る静電チャックの要部を示す断面図であり、図７（ａ）と同様の図である。
　第４実施形態は、電極１２の側面１２ｃと基体１との間の空隙３と、電極１２の下面２ｂと基体１との間の空隙５とが通じている点のみが第３実施形態と相違する。
　図７（ｂ）では、空隙３の横断面の形状として、概略半円状のものを例示している。すなわち、空隙３の内面は、電極１２側を凹とする曲面状に形成されている。また、電極１２の横断面の形状として、矩形状のものが例示されている。ただし、第３実施形態と同様に、空隙３及び電極１２の横断面の形状は、これに限定されず、例えば、第１実施形態で例示した種々の具体例が本実施形態に組み合わされてよい。
　空隙３及び空隙５の横断面の大きさ等が適宜に設定されてよいことは、第１及び第３実施形態と同様である。ただし、これらは、空隙３と空隙５とが連通されるように設定されている。例えば、空隙３は、電極１２の側面１２ｃ側の高さ（Ｚ軸方向）が電極１２の厚さ以上となっている（空隙３は図１２の例に類するものである。）、及び／又は電極１２側の部分が下方に寄っている。また、空隙５は、電極１２の下面１２ｂ側の幅が電極１２の幅以上となっている。
　なお、空隙３と空隙５との境界は明確でなくてもよい。また、図示の例では、空隙５は、両側の空隙３の双方に通じているが、一方のみに通じていてもよい。この場合、空隙５は、電極１２に対して、その通じている空隙３側に寄っていてもよい。
　以上の第４実施形態においても、第３実施形態と同様の効果が奏される。例えば、電極１２は、基体１の下方側部分よりも基体１の上方側部分に電荷を振り分けやすいから、効率的に吸着力を大きくすることができる。空隙５と空隙３とが通じることにより、例えば、基体１の電極１２に対して下方に位置する体積を更に減じて上記効果を向上させることができる。なお、第３実施形態は、第４実施形態に比較して、例えば、空隙３と空隙５とを遮断している部分が基体１に対して電極１２を支持することに寄与するから、静電チャックの強度を確保することが容易である。
＜静電チャックの製造方法＞
　図８は、チャック１０及び２０の製造方法の手順の概要の一例を示すフローチャートである。図９（ａ）～図９（ｄ）は、当該フローチャートを補足する模式的な断面図であり、図５のIV－IV線に対応している。なお、これらの図では、１対の電極１２のうち、１０本の歯部１２ｓのみが示されている。図１０（ａ）は図９（ｃ）の領域Ｘａの拡大図である。図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）は、図９（ｄ）の領域Ｘｂの拡大図である。
　なお、ここでは、抵抗発熱体９及び端子４等の存在は無視する。ただし、抵抗発熱体９が設けられる場合も、後述するセラミックグリーンシートの枚数を増やすなどすればよいだけである。また、図面では、電極１２を例に取っているが、電極２の場合も同様である。以下の説明では、製造工程の進行に伴って、部材の特性及び形状が変化しても、その変化の前後で同一の符号を用いることがある。
　ステップＳＴ１では、図９（ａ）（及び図９（ｃ））に示すように、基体１となるセラミックグリーンシート６及び７を準備する。上面１ａ及び下面１ｂの符号から理解されるように、セラミックグリーンシート６は、基体１のうち下面１ｂ側部分を構成するものであり、セラミックグリーンシート７は、基体１のうち上面１ａ側部分を構成するものである。ただし、セラミックグリーンシート６及び７と上面１ａ及び下面１ｂとの関係は、上記とは逆であってもよい。セラミックグリーンシートの製造方法は、公知の種々の方法と同様でよい。
　ステップＳＴ２では、図９（ｂ）に示すように、セラミックグリーンシート６に凹部６ａを形成する。凹部６ａは、基体１において電極１２を収容するとともに一部が空隙３（及び空隙５）となる部分であり、平面視において、電極１２の平面形状と概ね同一の平面形状で形成されている。凹部６ａの形成方法は適宜なものとされてよい。例えば、砥粒をセラミックグリーンシート６に吹き付けてセラミックグリーンシート６を削るブラスト法が用いられてよい。
　ステップＳＴ３では、図９（ｃ）及び図１０（ａ）に示すように、セラミックグリーンシート７に電極１２となる導電材料８（例えば導電ペースト）を配置する。導電材料８は、平面視において、電極１２のパターンと同様のパターンで配置される。導電材料８の配置方法は、公知の種々のものとされてよい。例えば、スクリーン印刷が用いられてよい。なお、特に図示しないが、セラミックグリーンシート７ではなく、セラミックグリーンシート６の凹部６ａ内に導電材料８を配置することも可能である。
　ステップＳＴ４では、図９（ｄ）及び図１０（ｂ）に示すように、セラミックグリーンシート６及び７を互いに貼り合わせる。この際、導電材料８は凹部６ａに収容される。凹部６ａの平面形状は、導電材料８の平面形状よりも大きく、導電材料８の周囲には、空隙３となる空間が構成される。貼り合わせにおいては、図１０（ｃ）に示すように、厚さ方向に圧縮力Ｆが加えられてもよい。これにより、凹部６ａ及び導電材料８が潰れて変形してもよい。
　ステップＳＴ５では、セラミックグリーンシート６及び７を焼成する。これにより、電極１２（２）が埋設された基体１が作成される。すなわち、チャック２０（１０）が作製される。
　上記の製造方法において、凹部６ａ及び導電材料８の形状及び寸法、セラミックグリーンシートの周囲の雰囲気、セラミックグリーンシートに付与する圧力等の種々の条件を適宜に調整することによって、空隙３の横断面の形状に係る種々の具体例等が実現される。
　例えば、セラミックグリーンシートの貼り合わせに際して、凹部６ａのうち空隙３となる部分を潰し、及び／又はセラミックグリーンシートのうち導電材料８と重なる部分を凹ませて、図３（ｂ）～図４（ｃ）に示すような、電極２の厚さよりも薄い空隙３が形成されてよい。このような変形が生じるように、例えば、導電材料８の厚さに対して凹部６ａを浅くしたり、圧縮力Ｆを比較的大きくしたり、セラミックグリーンシートを比較的柔らかくしたり、導電材料８の粘度を比較的高くしたり、及び／又は減圧雰囲気下でセラミックグリーンシートを貼り合わせたり（空隙３を減圧したり）してよい。
　また、例えば、凹部６ａにおいて、外周側に中央側よりも深い部分を形成し、及び／又は、セラミックグリーンシート７の凹部６ａの外周側部分に対向する位置に凹溝を形成したりして、図１２に示すような、電極２の厚さよりも厚い空隙３が形成されてよい。
　また、例えば、凹部６ａの横断面の形状を矩形に近づけて、図２（ｃ）、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す形状が実現されてよい。
　また、例えば、図１０（ａ）～図１０（ｃ）から理解されるように、開口側ほど広くなる（拡径する）ように凹部６ａを形成して、図３（ｃ）～図４（ａ）に示すような、空隙３の全部又は一部において、電極２から離れるほど高さが小さくなる形状が実現されてよい。なお、このような開口側ほど拡径する凹部６ａは、ブラスト法によって形成することができる。
　また、例えば、焼成後の電極２の収縮量が基体１の収縮量に比較して相対的に大きく、電極２の側面２ｃが基体１から幅方向中央側へ離れることによって、図４（ｂ）に示す第１高さ部３ｅが形成されてよい。
　また、例えば、セラミックグリーンシートの貼り合わせに際して、セラミックグリーンシート７が導電材料８に押されて凹部が形成されることによって、空隙３が電極２の厚さの中央側に位置するようにされてよい。また、セラミックグリーンシート６及び７の一方を相対的に柔らかくして、空隙３を前記一方側へ寄せてもよい。
　また、例えば、凹部６ａの幅をバス部１２ｒに対応する部分にてバス部１２ｒの内側へ広くすることによって、図６に示す、相対的に広い第２側方部３ｑが実現されてよい。なお、特に図示しないが、凹部６ａの位置を導電材料８の平面に沿う方向の一方側へ寄せることによって、電極２に沿う方向の一方側にのみ空隙３が形成されたり、一方側の空隙３の幅が他方側の空隙３の幅よりも広くされたりしてもよい。
　また、例えば、凹部６ａの深さを導電材料８の厚さよりも大きくすることによって、空隙５が形成されてよい。又は、焼成後の電極２の収縮量が基体１の収縮量に比較して相対的に大きく、電極２の下面２ｂが基体１から離れることによって、空隙５が形成されてよい。下面２ｂが上面２ａに優先して離れるように、セラミックグリーンシート６及び／又は７の表面に薬剤を塗布してもよい。また、例えば、凹部６ａの底面に凹凸を形成し、凸部が導電材料８に当接し、凹部が導電材料から離れるようにすれば、図７（ａ）の空隙３から遮断された空隙５を形成することができる。
　また、例えば、セラミックグリーンシートの貼り合わせに際して、導電材料８の配置方法を適宜に選択することによって、又は導電材料８を押し潰すことによって、図３（ａ）、図３（ｂ）、図４（ａ）～図４（ｃ）に示すような、電極２において、曲面（凸面）状の側面２ｃが実現されてよい。また、押し潰された導電材料８が空隙３へはみ出すことによって、図３（ｃ）に示すような、突部２ｄを有する電極２が実現されてよい。また、例えば、焼成後の電極２の収縮量が基体１の収縮量に比較して相対的に大きく、これに起因して基体１に接していない部分が凹んで、図３（ｄ）に示すような凹部２ｅを有する電極２が実現されてよい。セラミックグリーンシートの貼合わせ時の雰囲気の減圧を行わず、又は減圧を抑制して、空隙３の気圧によって、図３（ｄ）に示すような凹部２ｅを有する電極２が実現されてもよい。
　図１１（ａ）は、静電チャックの製造方法の変形例を示す図であり、図１０（ａ）に対応している。また、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）の続きを示す図であり、図１０（ｂ）に対応している。
　この図に示すように、セラミックグリーンシート６だけでなく、セラミックグリーンシート７にも凹部７ａが形成されてもよい。及び／又は凹部６ａ（凹部７ａでもよい）は、側面に凹凸を有していてもよい。そして、図１１（ｂ）から理解されるように、この凹凸があることによって、図４（ｂ）等の第１高さ部３ｅ及び第２高さ部３ｆを有している空隙３が実現されてもよい。なお、凹凸は、例えば、ブラスト法を用いることによって実現できる。
　図１１（ｃ）は、静電チャックの製造方法の他の変形例を示す図であり、図１０（ａ）に対応している。
　既述のように、凹部６ａの底面には凹凸が形成されてよい。図１１（ｃ）は、底面の凹凸の一例を示している。この例では、凹部６ａの底面は、当該底面の幅方向中央側に比較して、凹部６ａの側面となす角部において深くなっており、その内側において高くなっている。このような凹部６ａは、例えば、図７（ａ）に示す空隙５を形成しやすい。このような形状は、ブラスト法によって形成可能である。
　なお、図４（ｃ）に示すような第１位置部３ｍ及び第２位置部３ｎを有する電極２は、図１１（ｃ）における凹部６ａの側面付近の深くなっている部分が潰れて空隙３となることによって実現されてよい。
　本開示に係る静電チャックは、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
　例えば、静電チャックは、互いに異なる電位が付与される１対の電極を有する双極型のものに限定されず、１つの電極のみ、又は互いに同一の電位が付与される複数の電極を有する単極型のものであってもよい。また、静電チャックは、電極を１層のみ有するものに限定されず、２層以上の電極を有していてもよいし、役割が異なる２種の電極を有していてもよい。例えば、吸着力を生じる主たる電極層と、帯電及び／又は除電を促進するための補助的な電極層とが設けられていてもよい。
　電極の平面形状も、例示したもの以外の種々のものとされてよい。例えば、単極型の電極は、ウェハの略全面に広がるベタ状であってもよいし、渦巻状若しくはミアンダ状であってもよいし、半径方向に延びる直線状部分と、当該直線状部分から円周方向へ互いに並列に延びる複数の円弧状部分とを有するものであってもよい。この円弧状部分は、Ｃ字状であってもよいし、円状であってもよい。
　また、例えば、双極型の電極は、ウェハの略全面に広がるベタ状の電極が、２分割ではなく、周方向に３分割以上されたものであってもよい。また、双極型の電極は、２つの渦巻状の電極が、同心状に、かつ半径方向に交互に位置するように設けられたものであってもよい。双極型の電極は、各電極が、直線状部分と、当該直線状部分から円周方向へ互いに並列に延びる複数のＣ字状部分とを有し、両電極の円弧状部分が互いに噛み合う（半径方向に交互に配列される）ものであってもよい。なお、この電極は、櫛型電極と捉えられてもよい。略３６０°に亘って延びるＣ字状部分に代えて、１８０°未満又は９０°未満の円弧状部分を有する電極が設けられてもよい。
　第２実施形態では、接続部及び延在部として、櫛歯電極のバス部１２ｒ及び歯部１２ｓを例示した。上記の電極の他の態様の例示から理解されるように、接続部及び延在部はバス部１２ｒ及び歯部１２ｓに限定されない。例えば、ミアンダ状の電極において、互いに並列に延びる部分が２つの延在部とされ、その折り返し部分が接続部とされてもよい。
　静電チャックの製造方法は、積層されたセラミックグリーンシートを焼成するものに限定されず、絶縁層を順次成膜していくものであってもよい。別の観点では、基体を構成する絶縁材料はセラミックに限定されない。
　第３及び第４実施形態では、電極の側面と基体との間の空隙３と、電極の下面と基体との間の空隙５との組み合わせを示した。ただし、空隙３が形成されずに、空隙５のみが形成されていてもよい。
　図１２の紙面右側に示した、電極２の側方に位置する空隙３に電極２の外縁が入り込み、電極２の側面２ｃが基体１に当接する構成は、電極２の外縁の全体に亘っていてもよい。この場合、空隙３のうち電極２よりも下方に位置する部分は、第２及び第３実施形態の空隙５と捉えられても構わない。
　また、図１２の例からは、電極２の側面２ｃと基体１との間に空隙３が介在することを要件としない技術思想を抽出可能である。例えば、静電チャックは、電極の上面のうち中央側の領域と基体とが接しており、電極の上面のうち外縁側の領域（その少なくとも一部）と基体との間に空隙が介在している構成であってよい。
　１…基体、１ａ…上面（所定面）、２…電極、２ｃ…側面、３…空隙、１０１…ウェハ。

Claims (17)

  1. 　所定面を有している絶縁性の基体と、
    　前記基体内で前記所定面に沿っている層状の電極と、
    　を有しており、
    　前記電極の前記所定面側に面する上面と前記基体とは接しており、かつ前記電極の側面と前記基体との間には、真空の、又はガスが満たされている空隙が介在している
    　静電チャック。
  2. 　前記空隙は、前記所定面の平面視において、前記電極の側面からの幅よりも大きい長さで前記電極の側面に沿って連続している
    　請求項１に記載の静電チャック。
  3. 　前記空隙は、前記電極の、前記所定面に沿う方向の両側に形成されている
    　請求項１又は２に記載の静電チャック。
  4. 　前記空隙は、前記所定面に直交する方向の大きさが、前記電極の、前記所定面に直交する方向の大きさよりも小さい部分を含んでいる
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の静電チャック。
  5. 　前記空隙は、前記所定面に直交する方向の大きさが、前記電極の、前記所定面に直交する方向の大きさよりも大きい部分を含んでいる
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の静電チャック。
  6. 　前記空隙は、
    　　第１高さ部と、
    　　前記第１高さ部に対して前記電極の側面とは反対側に位置しており、前記所定面に直交する方向の大きさが前記第１高さ部よりも小さい第２高さ部と、を含んでいる
    　請求項１～５のいずれか１項に記載の静電チャック。
  7. 　前記空隙は、
    　　第１位置部と、
    　　前記第１位置部に対して前記電極の側面とは反対側かつ前記第１位置部よりも前記所定面とは反対側に位置している第２位置部と、を含んでいる
    　請求項１～６のいずれか１項に記載の静電チャック。
  8. 　前記電極は、前記所定面の平面視において、
    　　接続部と、
    　　前記接続部から互いに並列に延びている２つの延在部と、を有しており、
    　前記空隙は、
    　　前記延在部の側面に接している第１側方部と、
    　　前記接続部の側面に接しており、前記接続部の側面からの幅が、前記第１側方部の前記延在部の側面からの幅よりも広い第２側方部と、を有している
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の静電チャック。
  9. 　前記電極は、前記所定面の平面視において、
    　　接続部と、
    　　前記接続部から互いに並列に延びている２つの延在部と、を有しており、
    　前記空隙は、
    　　前記接続部の、前記延在部とは反対側の外側側面に接している外側部と、
    　　前記接続部の、前記２つの延在部の間に位置している内側側面に接しており、前記内側側面からの幅が前記外側部の前記外側側面からの幅よりも大きい内側部と、を有している
    　請求項１～８のいずれか１項に記載の静電チャック。
  10. 　前記電極の側面は、凸面を有している
    　請求項１～８のいずれか１項に記載の静電チャック。
  11. 　前記電極の側面は、突部を有しており、
    　前記突部の前記所定面側の面は、前記基体に接しており、
    　前記空隙は、前記突部の前記所定面とは反対側の面と前記基体との間に介在する部分を含んでいる
    　請求項１～１０のいずれか１項に記載の静電チャック。
  12. 　前記電極の側面は、凹部を有している
    　請求項１～１１のいずれか１項に記載の静電チャック。
  13. 　前記電極の、前記所定面とは反対側に面する下面と前記基体との間には、真空の、又はガスが満たされている他の空隙が介在している
    　請求項１～１２のいずれか１項に記載の静電チャック。
  14. 　所定面を有している絶縁性の基体と、
    　前記基体内で前記所定面に沿っている層状の電極と、
    　を有しており、
    　前記電極の前記所定面側に面する上面と前記基体とは接しており、かつ前記電極の前記所定面とは反対側に面する下面と前記基体との間には、真空の、又はガスが満たされている空隙が介在している
    　静電チャック。
  15. 　２つの前記電極を有しており、
    　各電極は、
    　　接続部と、
    　　前記接続部から並列に延びている複数の延在部と、を有しており、
    　一方の前記電極の前記複数の延在部と、他方の前記電極の複数の延在部とが、これらの幅方向に交互に配列されている
    　請求項１～１４のいずれか１項に記載の静電チャック。
  16. 　第１セラミックグリーンシートの第１主面又は第２セラミックグリーンシートの第２主面に、所定の平面形状で凹部を形成する凹部形成ステップと、
    　前記第１主面及び前記第２主面の一方に、前記所定の平面形状の外縁よりも内側に位置する外縁を有する平面形状で、電極の材料を配置する材料配置ステップと、
    　前記凹部形成ステップ及び前記材料配置ステップの後に、前記第１主面及び前記第２主面を互いに向かい合わせて前記第１セラミックグリーンシートと前記第２セラミックグリーンシートとを重ねる積層ステップと、
    　互いに重ねられた前記第１セラミックグリーンシート及び前記第２セラミックグリーンシートを焼成する焼成ステップと、
    　を有している静電チャックの製造方法。
  17. 　前記凹部形成ステップでは、開口側ほど広くなるように前記凹部を形成する
    　請求項１６に記載の静電チャックの製造方法。
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