JPH10199807A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH10199807A5
JPH10199807A5 JP1996358973A JP35897396A JPH10199807A5 JP H10199807 A5 JPH10199807 A5 JP H10199807A5 JP 1996358973 A JP1996358973 A JP 1996358973A JP 35897396 A JP35897396 A JP 35897396A JP H10199807 A5 JPH10199807 A5 JP H10199807A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon film
amorphous silicon
annealing temperature
substrate
annealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP1996358973A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPH10199807A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP8358973A priority Critical patent/JPH10199807A/ja
Priority claimed from JP8358973A external-priority patent/JPH10199807A/ja
Priority to US08/995,368 priority patent/US6733584B1/en
Priority to KR1019970073264A priority patent/KR100493804B1/ko
Publication of JPH10199807A publication Critical patent/JPH10199807A/ja
Publication of JPH10199807A5 publication Critical patent/JPH10199807A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

JP8358973A 1996-12-27 1996-12-27 結晶性珪素膜の作製方法 Withdrawn JPH10199807A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8358973A JPH10199807A (ja) 1996-12-27 1996-12-27 結晶性珪素膜の作製方法
US08/995,368 US6733584B1 (en) 1996-12-27 1997-12-22 Method of forming crystalline silicon film
KR1019970073264A KR100493804B1 (ko) 1996-12-27 1997-12-24 결정성 규소막 형성 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8358973A JPH10199807A (ja) 1996-12-27 1996-12-27 結晶性珪素膜の作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10199807A JPH10199807A (ja) 1998-07-31
JPH10199807A5 true JPH10199807A5 (enExample) 2004-12-09

Family

ID=18462080

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8358973A Withdrawn JPH10199807A (ja) 1996-12-27 1996-12-27 結晶性珪素膜の作製方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6733584B1 (enExample)
JP (1) JPH10199807A (enExample)
KR (1) KR100493804B1 (enExample)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100623689B1 (ko) 2004-06-23 2006-09-19 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법
US8987728B2 (en) 2011-03-25 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5604360A (en) 1992-12-04 1997-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a plurality of thin film transistors at least some of which have a crystalline silicon film crystal-grown substantially in parallel to the surface of a substrate for the transistor
TW226478B (en) 1992-12-04 1994-07-11 Semiconductor Energy Res Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
US5843225A (en) 1993-02-03 1998-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for fabricating semiconductor and process for fabricating semiconductor device
JPH06296023A (ja) 1993-02-10 1994-10-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜状半導体装置およびその作製方法
US5639698A (en) 1993-02-15 1997-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same
JP3662263B2 (ja) 1993-02-15 2005-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3562588B2 (ja) 1993-02-15 2004-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JP3107941B2 (ja) 1993-03-05 2000-11-13 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタおよびその作製方法
TW278219B (enExample) 1993-03-12 1996-06-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3193803B2 (ja) 1993-03-12 2001-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体素子の作製方法
CN1095204C (zh) 1993-03-12 2002-11-27 株式会社半导体能源研究所 半导体器件和晶体管
TW241377B (enExample) 1993-03-12 1995-02-21 Semiconductor Energy Res Co Ltd
US5624851A (en) 1993-03-12 1997-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process of fabricating a semiconductor device in which one portion of an amorphous silicon film is thermally crystallized and another portion is laser crystallized
US5501989A (en) 1993-03-22 1996-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making semiconductor device/circuit having at least partially crystallized semiconductor layer
KR100355938B1 (ko) 1993-05-26 2002-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치제작방법
US5481121A (en) * 1993-05-26 1996-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having improved crystal orientation
US5818076A (en) 1993-05-26 1998-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
JP3450376B2 (ja) 1993-06-12 2003-09-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5488000A (en) 1993-06-22 1996-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor using a nickel silicide layer to promote crystallization of the amorphous silicon layer
TW295703B (enExample) 1993-06-25 1997-01-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US5663077A (en) 1993-07-27 1997-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor in which the gate insulator comprises two oxide films
US5529937A (en) 1993-07-27 1996-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for fabricating thin film transistor
US5492843A (en) 1993-07-31 1996-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device and method of processing substrate
JP2975973B2 (ja) 1993-08-10 1999-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP2762215B2 (ja) 1993-08-12 1998-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタおよび半導体装置の作製方法
JP2814049B2 (ja) 1993-08-27 1998-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
TW264575B (enExample) 1993-10-29 1995-12-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3562590B2 (ja) * 1993-12-01 2004-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
US5612250A (en) 1993-12-01 1997-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a catalyst
JP2860869B2 (ja) * 1993-12-02 1999-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US5654203A (en) 1993-12-02 1997-08-05 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film transistor using catalyst elements to promote crystallization
US5869362A (en) 1993-12-02 1999-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
KR100319332B1 (ko) 1993-12-22 2002-04-22 야마자끼 순페이 반도체장치및전자광학장치
JP3221473B2 (ja) 1994-02-03 2001-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3378078B2 (ja) 1994-02-23 2003-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3150840B2 (ja) 1994-03-11 2001-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3195157B2 (ja) 1994-03-28 2001-08-06 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法およびその製造装置
JP3540012B2 (ja) 1994-06-07 2004-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
JPH07335906A (ja) 1994-06-14 1995-12-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜状半導体装置およびその作製方法
JP3067949B2 (ja) 1994-06-15 2000-07-24 シャープ株式会社 電子装置および液晶表示装置
JP3072000B2 (ja) 1994-06-23 2000-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW273639B (en) 1994-07-01 1996-04-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk Method for producing semiconductor device
TW395008B (en) 1994-08-29 2000-06-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor circuit for electro-optical device and method of manufacturing the same
JP3442500B2 (ja) 1994-08-31 2003-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体回路の作製方法
US5712191A (en) 1994-09-16 1998-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing semiconductor device
JP3942651B2 (ja) 1994-10-07 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3486240B2 (ja) 1994-10-20 2004-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP3535241B2 (ja) 1994-11-18 2004-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体デバイス及びその作製方法
US5756364A (en) 1994-11-29 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method of semiconductor device using a catalyst
JP3573811B2 (ja) 1994-12-19 2004-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 線状レーザー光の照射方法
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3675886B2 (ja) 1995-03-17 2005-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜半導体デバイスの作製方法
TW355845B (en) 1995-03-27 1999-04-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and a method of manufacturing the same
JP3499327B2 (ja) 1995-03-27 2004-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
TW319912B (enExample) 1995-12-15 1997-11-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US5888858A (en) 1996-01-20 1999-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
TW335503B (en) 1996-02-23 1998-07-01 Semiconductor Energy Lab Kk Semiconductor thin film and manufacturing method and semiconductor device and its manufacturing method
JP4601731B2 (ja) 1997-08-26 2010-12-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、半導体装置を有する電子機器及び半導体装置の作製方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1187243A5 (enExample)
JPH10223532A5 (enExample)
JPH09312260A5 (enExample)
EP0984317A3 (en) Active matrix display device and semiconductor device
JPS6432622A (en) Formation of soi film
JPS6046074B2 (ja) 半導体結晶成長方法
JPH10199807A5 (enExample)
JPH1050608A5 (enExample)
US5843811A (en) Method of fabricating a crystalline thin film on an amorphous substrate
JPH10199806A5 (enExample)
JP2756320B2 (ja) 結晶の形成方法
JPH01132116A (ja) 結晶物品及びその形成方法並びにそれを用いた半導体装置
JPH071755B2 (ja) エピタキシャル成長方法
JPS61185917A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02167896A (ja) 結晶膜成長用基板及びその形成方法
JPH02105517A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH11106279A (ja) セラミックス薄膜の製造方法
JPH0236052B2 (enExample)
JP2003059832A (ja) 結晶シリコン薄膜半導体装置の製造方法及び結晶シリコン薄膜半導体装置
JPH10256559A5 (enExample)
JP2615629B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH038798A (ja) 多結晶シリコン膜の製造方法
JP2001326175A5 (enExample)
JPH10214998A5 (enExample)
JPH02132819A (ja) 単結晶3−v族化合物半導体層の形成法