JPH10125926A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH10125926A5
JPH10125926A5 JP1996294418A JP29441896A JPH10125926A5 JP H10125926 A5 JPH10125926 A5 JP H10125926A5 JP 1996294418 A JP1996294418 A JP 1996294418A JP 29441896 A JP29441896 A JP 29441896A JP H10125926 A5 JPH10125926 A5 JP H10125926A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon film
thin film
transistor according
film transistor
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1996294418A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPH10125926A (ja
JP3662371B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP29441896A priority Critical patent/JP3662371B2/ja
Priority claimed from JP29441896A external-priority patent/JP3662371B2/ja
Priority to KR1019970052691A priority patent/KR100500033B1/ko
Priority to US08/951,193 priority patent/US6590230B1/en
Publication of JPH10125926A publication Critical patent/JPH10125926A/ja
Publication of JPH10125926A5 publication Critical patent/JPH10125926A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3662371B2 publication Critical patent/JP3662371B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP29441896A 1996-10-15 1996-10-15 薄膜トランジスタの作製方法及び薄膜トランジスタ Expired - Fee Related JP3662371B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29441896A JP3662371B2 (ja) 1996-10-15 1996-10-15 薄膜トランジスタの作製方法及び薄膜トランジスタ
KR1019970052691A KR100500033B1 (ko) 1996-10-15 1997-10-15 반도체장치
US08/951,193 US6590230B1 (en) 1996-10-15 1997-10-15 Semiconductor device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29441896A JP3662371B2 (ja) 1996-10-15 1996-10-15 薄膜トランジスタの作製方法及び薄膜トランジスタ

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPH10125926A JPH10125926A (ja) 1998-05-15
JPH10125926A5 true JPH10125926A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2004-10-21
JP3662371B2 JP3662371B2 (ja) 2005-06-22

Family

ID=17807507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29441896A Expired - Fee Related JP3662371B2 (ja) 1996-10-15 1996-10-15 薄膜トランジスタの作製方法及び薄膜トランジスタ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3662371B2 (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012864A (ja) * 1998-06-22 2000-01-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP4476390B2 (ja) 1998-09-04 2010-06-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2000208771A (ja) 1999-01-11 2000-07-28 Hitachi Ltd 半導体装置、液晶表示装置およびこれらの製造方法
JP3961240B2 (ja) 2001-06-28 2007-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3961310B2 (ja) 2002-02-21 2007-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR100530041B1 (ko) * 2003-03-28 2005-11-22 주승기 니켈 합금층을 이용한 다결정 실리콘 박막 형성방법 및이를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
KR100623251B1 (ko) 2004-02-19 2006-09-18 삼성에스디아이 주식회사 다결정 실리콘 박막의 제조 방법 및 이를 사용하여제조되는 다결정 실리콘을 사용하는 박막 트랜지스터
JP2007158371A (ja) * 2007-02-02 2007-06-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
CN115295558A (zh) 2022-08-05 2022-11-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 驱动基板和显示面板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4732599B2 (ja) 薄膜トランジスタ装置
TW399227B (en) Method of manufacturing a crystalline semiconductor
JP4067651B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2814049B2 (ja) 半導体装置およびその作製方法
JP3389022B2 (ja) 半導体装置
JPH10135468A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JPH07321323A (ja) 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JPH09312403A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JPH02140915A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3522441B2 (ja) 半導体装置
JP4358998B2 (ja) 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法
JPH10125926A5 (enrdf_load_stackoverflow)
TW201214568A (en) Method of forming a polycrystalline silicon layer and method of manufacturing thin film transistor
JP2505736B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2638869B2 (ja) 半導体素子の製造方法
JPH10125927A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP3220864B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10209465A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP3357707B2 (ja) 多結晶半導体膜の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法
JP3575698B2 (ja) 多結晶半導体装置の製造方法
JPH1168109A (ja) 多結晶薄膜の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法
JP3203652B2 (ja) 半導体薄膜の製造方法
JPS63119576A (ja) 薄膜トランジスターの活性領域の形成方法
JPH07249574A (ja) 半導体作製方法および薄膜トランジスタ作製方法
JPH03293731A (ja) 半導体装置の製造方法