JPH09263440A - アルミナ焼結体およびその製造方法 - Google Patents
アルミナ焼結体およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】超高純度の微粒子からなる原料粉末を使用する
ことなく、半導体製造装置でも使用可能な、ナトリウム
およびカリウムの含有量の少ないアルミナ焼結体を提供
する。 【解決手段】アルミナ中に含有される不純物である酸化
ナトリウム、酸化カリウム、酸化珪素、酸化カルシウ
ム、酸化第二鉄および酸化チタンの合計含有量が１００
ｐｐｍ以上、１００００ｐｐｍ以下であり、合計含有量
に対する酸化ナトリウムおよび酸化カリウムの合計含有
量の比率が４重量％以下である。アルミナ焼結体の原料
粉末に対して少なくとも酸化合物を添加し、原料粉末中
の金属と前記酸化合物との反応によって金属塩を生成さ
せ、この金属塩を除去する。
ことなく、半導体製造装置でも使用可能な、ナトリウム
およびカリウムの含有量の少ないアルミナ焼結体を提供
する。 【解決手段】アルミナ中に含有される不純物である酸化
ナトリウム、酸化カリウム、酸化珪素、酸化カルシウ
ム、酸化第二鉄および酸化チタンの合計含有量が１００
ｐｐｍ以上、１００００ｐｐｍ以下であり、合計含有量
に対する酸化ナトリウムおよび酸化カリウムの合計含有
量の比率が４重量％以下である。アルミナ焼結体の原料
粉末に対して少なくとも酸化合物を添加し、原料粉末中
の金属と前記酸化合物との反応によって金属塩を生成さ
せ、この金属塩を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置用の部
品等として有用なアルミナ焼結体およびその製造方法に
関するものである。
品等として有用なアルミナ焼結体およびその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置中においては、エッチン
グガス、クリーニングガス等としてハロゲン系腐食性ガ
スを使用する。こうした用途に使用する各種の製品は、
ＣｌＦ3 等のハロゲン系腐食性ガスに対してさらされる
ので、ハロゲン系腐食性ガスに対する耐蝕性が必要であ
る。こうした耐蝕性の高い材質としては、緻密質アルミ
ナ、窒化アルミニウムが知られている。
グガス、クリーニングガス等としてハロゲン系腐食性ガ
スを使用する。こうした用途に使用する各種の製品は、
ＣｌＦ3 等のハロゲン系腐食性ガスに対してさらされる
ので、ハロゲン系腐食性ガスに対する耐蝕性が必要であ
る。こうした耐蝕性の高い材質としては、緻密質アルミ
ナ、窒化アルミニウムが知られている。
【０００３】一方、半導体製造装置内においては、特に
ナトリウムおよびカリウムの混入を防止することが極め
て重要である。微量のナトリウムおよびカリウムが存在
していても、半導体膜の性質に対して多大な悪影響を及
ぼすからである。
ナトリウムおよびカリウムの混入を防止することが極め
て重要である。微量のナトリウムおよびカリウムが存在
していても、半導体膜の性質に対して多大な悪影響を及
ぼすからである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、現実には高純
度のアルミナ焼結体を提供することは困難である。なぜ
なら、ナトリウムおよびカリウムの含有量が極めて少な
いアルミナ焼結体を製造するためには、やはり同様の超
高純度の原料粉末を製造しなければならないが、実際の
市販のアルミナ用原料粉末は、こうしたレベルには達し
ていない。原料粉末中のナトリウムおよびカリウムの含
有量を前記のレベルまで減少させるためには、特殊な処
理が必要であり、このためには多大なコストがかかるの
で、現実的ではない。しかも、原料粉末中のナトリウム
およびカリウムの含有量を前記のレベルまで減少させる
ためには、原料粉末の粒径を著しく小さくする処理を行
う必要があるが、こうして得られた微粒子を成形し、焼
成することは困難である。従って、ナトリウムおよびカ
リウムの含有量の少ない、かつ低いコストで製造できる
アルミナ焼結体を提供することが求められている。
度のアルミナ焼結体を提供することは困難である。なぜ
なら、ナトリウムおよびカリウムの含有量が極めて少な
いアルミナ焼結体を製造するためには、やはり同様の超
高純度の原料粉末を製造しなければならないが、実際の
市販のアルミナ用原料粉末は、こうしたレベルには達し
ていない。原料粉末中のナトリウムおよびカリウムの含
有量を前記のレベルまで減少させるためには、特殊な処
理が必要であり、このためには多大なコストがかかるの
で、現実的ではない。しかも、原料粉末中のナトリウム
およびカリウムの含有量を前記のレベルまで減少させる
ためには、原料粉末の粒径を著しく小さくする処理を行
う必要があるが、こうして得られた微粒子を成形し、焼
成することは困難である。従って、ナトリウムおよびカ
リウムの含有量の少ない、かつ低いコストで製造できる
アルミナ焼結体を提供することが求められている。
【０００５】本発明の課題は、ナトリウムおよびカリウ
ムの含有量の少ないアルミナ焼結体を、低いコストで提
供できるようにすることである。
ムの含有量の少ないアルミナ焼結体を、低いコストで提
供できるようにすることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、アルミナ中に
含有される不純物である酸化ナトリウム、酸化カリウ
ム、酸化珪素、酸化カルシウム、酸化第二鉄および酸化
チタンの合計含有量が１００ｐｐｍ以上、１００００ｐ
ｐｍ以下であり、合計含有量に対する酸化ナトリウムお
よび酸化カリウムの合計含有量の比率が４重量％以下で
あることを特徴とする、アルミナ焼結体に係るものであ
る。
含有される不純物である酸化ナトリウム、酸化カリウ
ム、酸化珪素、酸化カルシウム、酸化第二鉄および酸化
チタンの合計含有量が１００ｐｐｍ以上、１００００ｐ
ｐｍ以下であり、合計含有量に対する酸化ナトリウムお
よび酸化カリウムの合計含有量の比率が４重量％以下で
あることを特徴とする、アルミナ焼結体に係るものであ
る。
【０００７】また、本発明は、アルミナ中に含有される
不純物である酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化珪
素、酸化カルシウム、酸化第二鉄および酸化チタンの合
計含有量が１００ｐｐｍ以上、１００００ｐｐｍ以下で
あるアルミナ焼結体を製造するのに際して、アルミナ焼
結体の原料粉末に対して少なくとも酸化合物を添加し、
原料粉末中のナトリウムおよびカリウムと酸化合物との
反応によって金属塩を生成させ、この金属塩を除去する
ことを特徴とする、アルミナ焼結体の製造方法に係るも
のである。
不純物である酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化珪
素、酸化カルシウム、酸化第二鉄および酸化チタンの合
計含有量が１００ｐｐｍ以上、１００００ｐｐｍ以下で
あるアルミナ焼結体を製造するのに際して、アルミナ焼
結体の原料粉末に対して少なくとも酸化合物を添加し、
原料粉末中のナトリウムおよびカリウムと酸化合物との
反応によって金属塩を生成させ、この金属塩を除去する
ことを特徴とする、アルミナ焼結体の製造方法に係るも
のである。
【０００８】本発明者は、アルミナ中に含有される不純
物である酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化珪素、酸
化カルシウム、酸化第二鉄および酸化チタンの合計含有
量が１００ｐｐｍ以上、１００００ｐｐｍ以下であるア
ルミナ焼結体において、合計含有量に対する酸化ナトリ
ウムおよび酸化カリウムの含有量の比率を４重量％以下
であるアルミナ焼結体を提供することに成功した。この
うち、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化珪素、酸化
カルシウム、酸化第二鉄および酸化チタンは、アルミナ
の高純度原料粉末中に通常含有されている不純物であ
り、その合計含有量は通常は１００ｐｐｍ以上である。
物である酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化珪素、酸
化カルシウム、酸化第二鉄および酸化チタンの合計含有
量が１００ｐｐｍ以上、１００００ｐｐｍ以下であるア
ルミナ焼結体において、合計含有量に対する酸化ナトリ
ウムおよび酸化カリウムの含有量の比率を４重量％以下
であるアルミナ焼結体を提供することに成功した。この
うち、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化珪素、酸化
カルシウム、酸化第二鉄および酸化チタンは、アルミナ
の高純度原料粉末中に通常含有されている不純物であ
り、その合計含有量は通常は１００ｐｐｍ以上である。
【０００９】これらの各金属不純物の含有量をすべて減
少させることは困難であるが、不純物の合計含有量が１
００ｐｐｍ以上である粉末は、通常市販されている水準
のものであり、入手コストが低い。しかも、後述するよ
うに、こうしたレベルの原料粉末において酸化ナトリウ
ムおよび酸化カリウムのみを減少させることによって、
これによる悪影響を著しく減少させることができる。
少させることは困難であるが、不純物の合計含有量が１
００ｐｐｍ以上である粉末は、通常市販されている水準
のものであり、入手コストが低い。しかも、後述するよ
うに、こうしたレベルの原料粉末において酸化ナトリウ
ムおよび酸化カリウムのみを減少させることによって、
これによる悪影響を著しく減少させることができる。
【００１０】この観点から、前記の合計含有量に対する
酸化ナトリウムおよび酸化カリウムの合計含有量の比率
を２重量％以下とすることが一層好ましい。なお、酸化
ナトリウムおよび酸化カリウムの合計含有量の比率の下
限はなく、実質的に検出不能であって良い。
酸化ナトリウムおよび酸化カリウムの合計含有量の比率
を２重量％以下とすることが一層好ましい。なお、酸化
ナトリウムおよび酸化カリウムの合計含有量の比率の下
限はなく、実質的に検出不能であって良い。
【００１１】こうしたアルミナ焼結体を製造するには、
アルミナ焼結体の原料粉末に対して少なくとも酸化合物
を添加し、原料粉末中のナトリウムおよびカリウムと前
記酸化合物との反応によって金属塩を生成させ、この金
属塩を除去する。この際、酸化合物は、原料粉末に対し
て成形用バインダーとして添加することが好ましく、こ
の場合には原料粉末と成形用バインダーとの混合物を成
形する。この成形方法としては、射出成形法、プレス成
形法、鋳込み成形法を例示することができる。
アルミナ焼結体の原料粉末に対して少なくとも酸化合物
を添加し、原料粉末中のナトリウムおよびカリウムと前
記酸化合物との反応によって金属塩を生成させ、この金
属塩を除去する。この際、酸化合物は、原料粉末に対し
て成形用バインダーとして添加することが好ましく、こ
の場合には原料粉末と成形用バインダーとの混合物を成
形する。この成形方法としては、射出成形法、プレス成
形法、鋳込み成形法を例示することができる。
【００１２】この製造方法によれば、ナトリウムおよび
カリウムの含有量が最初から極めて低い超高純度粉末を
使用する必要はなく、前記したようなナトリウムおよび
カリウムの含有比率が極めて低いアルミナ焼結体を製造
することができる。市販されているアルミナ粉末の純度
としては、９９．９％〜９９．５％が好ましい。
カリウムの含有量が最初から極めて低い超高純度粉末を
使用する必要はなく、前記したようなナトリウムおよび
カリウムの含有比率が極めて低いアルミナ焼結体を製造
することができる。市販されているアルミナ粉末の純度
としては、９９．９％〜９９．５％が好ましい。
【００１３】前記原料粉末は、未顆粒品、顆粒品のいず
れであっても良く、通常、未顆粒の平均粒子径は０．５
μｍ程度であり、顆粒品では１００μｍ程度である。
れであっても良く、通常、未顆粒の平均粒子径は０．５
μｍ程度であり、顆粒品では１００μｍ程度である。
【００１４】原料粉末に対して添加するべき酸化合物と
しては、特に限定はされないが、ナトリウムおよびカリ
ウムとの反応性が必要である。また、酸化合物として、
有機カルボン酸のような、成形用バインダー中に添加可
能な化合物を使用することが最も好ましい。成形体中に
酸化合物が均一に分散するからである。
しては、特に限定はされないが、ナトリウムおよびカリ
ウムとの反応性が必要である。また、酸化合物として、
有機カルボン酸のような、成形用バインダー中に添加可
能な化合物を使用することが最も好ましい。成形体中に
酸化合物が均一に分散するからである。
【００１５】酸化合物としては、有機カルボン酸が好ま
しく、オレイン酸、エライジン酸、パルミチン酸、ヘキ
サデセン酸、ヘプタデセン酸、ノナデセン酸等が特に好
ましい。
しく、オレイン酸、エライジン酸、パルミチン酸、ヘキ
サデセン酸、ヘプタデセン酸、ノナデセン酸等が特に好
ましい。
【００１６】成形体中における酸化合物の含有量は０．
２重量部〜２重量部が好ましい。また、成形用バインダ
ーとしては、成形法に応じて、適したバインダーを適宜
選定すれば良い。
２重量部〜２重量部が好ましい。また、成形用バインダ
ーとしては、成形法に応じて、適したバインダーを適宜
選定すれば良い。
【００１７】例えば、射出成形法においては、原料粉
末、酸化合物および所定の成形用バインダーを混合し、
混合物を混練し、混練物を成形して成形体を得、成形体
を脱脂処理する。この脱脂工程において、成形体中のナ
トリウムおよびカリウムと酸化合物との反応が進行し、
金属塩が生成するものと思われる。この金属塩は、脱脂
工程または焼成工程において除去される。
末、酸化合物および所定の成形用バインダーを混合し、
混合物を混練し、混練物を成形して成形体を得、成形体
を脱脂処理する。この脱脂工程において、成形体中のナ
トリウムおよびカリウムと酸化合物との反応が進行し、
金属塩が生成するものと思われる。この金属塩は、脱脂
工程または焼成工程において除去される。
【００１８】通常、脱脂温度は５００℃程度であり、こ
の段階で酸化ナトリウム、酸化カリウム金属化合物の含
有量は、粉末中に含まれる酸化ナトリウム、酸化カリウ
ム金属化合物の含有量に対し、約半分となる。焼成温度
は１５５０℃〜１７００℃が一般的であり、この段階で
酸化ナトリウム、酸化カリウム金属化合物の含有量は、
脱脂体に含まれる酸化ナトリウム、酸化カリウム金属化
合物の含有量に対し、１／５〜１／２０となる。
の段階で酸化ナトリウム、酸化カリウム金属化合物の含
有量は、粉末中に含まれる酸化ナトリウム、酸化カリウ
ム金属化合物の含有量に対し、約半分となる。焼成温度
は１５５０℃〜１７００℃が一般的であり、この段階で
酸化ナトリウム、酸化カリウム金属化合物の含有量は、
脱脂体に含まれる酸化ナトリウム、酸化カリウム金属化
合物の含有量に対し、１／５〜１／２０となる。
【００１９】本発明のアルミナ焼結体の適用対象として
は、アルミナ基材中に抵抗発熱体を埋設したセラミック
スヒーター、アルミナ基材中に静電チャック用電極を埋
設したセラミックス静電チャック、アルミナ基材中に抵
抗発熱体と静電チャック用電極とを埋設した静電チャッ
ク付きヒーター、アルミナ基材中にプラズマ発生用電極
を埋設した高周波発生用電極装置のような能動型装置を
例示することができる。
は、アルミナ基材中に抵抗発熱体を埋設したセラミック
スヒーター、アルミナ基材中に静電チャック用電極を埋
設したセラミックス静電チャック、アルミナ基材中に抵
抗発熱体と静電チャック用電極とを埋設した静電チャッ
ク付きヒーター、アルミナ基材中にプラズマ発生用電極
を埋設した高周波発生用電極装置のような能動型装置を
例示することができる。
【００２０】更に、ダミーウエハー、シャドーリング、
高周波プラズマを発生させるためのチューブ、高周波プ
ラズマを発生させるためのドーム、高周波透過窓、赤外
線透過窓、半導体ウエハーを支持するためのリフトピ
ン、シャワー板を例示できる。また、前記の能動型装置
を半導体製造装置内の所定箇所に保持するためのアーム
を例示できる。
高周波プラズマを発生させるためのチューブ、高周波プ
ラズマを発生させるためのドーム、高周波透過窓、赤外
線透過窓、半導体ウエハーを支持するためのリフトピ
ン、シャワー板を例示できる。また、前記の能動型装置
を半導体製造装置内の所定箇所に保持するためのアーム
を例示できる。
【００２１】
【実施例】以下、更に具体的な実験結果について述べ
る。 （実施例１）表１に示す成分比率を有する顆粒粉末を準
備した。ただし、表１において、各不純物金属の含有量
は、酸化物換算時の「ｐｐｍ」で示す。
る。 （実施例１）表１に示す成分比率を有する顆粒粉末を準
備した。ただし、表１において、各不純物金属の含有量
は、酸化物換算時の「ｐｐｍ」で示す。
【００２２】この顆粒粉末５６ｖｏｌ．％と、成形用バ
インダー４４ｖｏｌ．％とを混合した。ここで、成形用
バインダー４４ｖｏｌ．％の内訳は、日本精蝋製パラフ
ィンワックス「ＳＰ−３０３５」が３１．０ｖｏｌ．％
であり、日本精蝋製ＭＣワックス「ＨＩ−ＭＩＣ−１０
７０」が９．０ｖｏｌ．％であり、三井ポリケミカル社
製ＥＶＡ「エバフレックス２２０」が１．９ｖｏｌ．％
であり、片山化学製オレイン酸（試薬一級）が２．１ｖ
ｏｌ．％である。この混合物２０ｋｇを揺動混合機中で
２時間混合した。
インダー４４ｖｏｌ．％とを混合した。ここで、成形用
バインダー４４ｖｏｌ．％の内訳は、日本精蝋製パラフ
ィンワックス「ＳＰ−３０３５」が３１．０ｖｏｌ．％
であり、日本精蝋製ＭＣワックス「ＨＩ−ＭＩＣ−１０
７０」が９．０ｖｏｌ．％であり、三井ポリケミカル社
製ＥＶＡ「エバフレックス２２０」が１．９ｖｏｌ．％
であり、片山化学製オレイン酸（試薬一級）が２．１ｖ
ｏｌ．％である。この混合物２０ｋｇを揺動混合機中で
２時間混合した。
【００２３】こうして得られた混合物を、１０リットル
の加圧ニーダー中に入れて２時間混練し、混練物を成形
し、直径４ｍｍ、厚さ５ｍｍの射出成形用ペレットを製
造した。このペレットを使用し、インラインスクリュー
型射出成形機によって、縦７０ｍｍ、横７０ｍｍ、厚さ
６ｍｍの平板状の成形体を得、この成形体を、大気雰囲
気中で、２℃／時間の昇温速度によって最高温度５００
℃まで加熱し、５００℃で５時間保持して脱脂体を得
た。この脱脂体を、１トン／ｃｍ2 の圧力下で等方静水
圧加圧して成形体を得、この成形体を大気雰囲気中、１
６００℃で３時間保持した。
の加圧ニーダー中に入れて２時間混練し、混練物を成形
し、直径４ｍｍ、厚さ５ｍｍの射出成形用ペレットを製
造した。このペレットを使用し、インラインスクリュー
型射出成形機によって、縦７０ｍｍ、横７０ｍｍ、厚さ
６ｍｍの平板状の成形体を得、この成形体を、大気雰囲
気中で、２℃／時間の昇温速度によって最高温度５００
℃まで加熱し、５００℃で５時間保持して脱脂体を得
た。この脱脂体を、１トン／ｃｍ2 の圧力下で等方静水
圧加圧して成形体を得、この成形体を大気雰囲気中、１
６００℃で３時間保持した。
【００２４】こうして得られたアルミナ脱脂体と焼結体
について、日本セラミックス協会規格「ファインセラミ
ックス用アルミナ微粉末の化学分析方法ＪＣＲＳ１０４
−１９９３」に従って化学分析し、表１に示す各成分の
重量比率を測定した。この測定結果を表１に示す。ただ
し、表１に示した各数値は、原則として「ｐｐｍ」単位
で示してある。このアルミナ焼結体の相対密度は９８．
５％であった。
について、日本セラミックス協会規格「ファインセラミ
ックス用アルミナ微粉末の化学分析方法ＪＣＲＳ１０４
−１９９３」に従って化学分析し、表１に示す各成分の
重量比率を測定した。この測定結果を表１に示す。ただ
し、表１に示した各数値は、原則として「ｐｐｍ」単位
で示してある。このアルミナ焼結体の相対密度は９８．
５％であった。
【００２５】（実施例２）実施例１と同様の実験を行っ
た。ただし、前記の顆粒粉末５６ｖｏｌ．％と、成形用
バインダー４４ｖｏｌ．％とを混合し、成形用バインダ
ー４４ｖｏｌ．％の内訳を、下記のように変更した。
た。ただし、前記の顆粒粉末５６ｖｏｌ．％と、成形用
バインダー４４ｖｏｌ．％とを混合し、成形用バインダ
ー４４ｖｏｌ．％の内訳を、下記のように変更した。
【００２６】即ち、この内訳は、日本精蝋製パラフィン
ワックス「ＳＰ−３０３５」が３２．０ｖｏｌ．％であ
り、日本精蝋製ＭＣワックス「ＨＩ−ＭＩＣ−１０７
０」が９．１ｖｏｌ．％であり、三井ポリケミカル社製
ＥＶＡ「エバフレックス２２０」が１．９ｖｏｌ．％で
あり、片山化学製オレイン酸（試薬一級）１．０ｖｏ
ｌ．％である。即ち、オレイン酸の比率を減少させた。
ワックス「ＳＰ−３０３５」が３２．０ｖｏｌ．％であ
り、日本精蝋製ＭＣワックス「ＨＩ−ＭＩＣ−１０７
０」が９．１ｖｏｌ．％であり、三井ポリケミカル社製
ＥＶＡ「エバフレックス２２０」が１．９ｖｏｌ．％で
あり、片山化学製オレイン酸（試薬一級）１．０ｖｏ
ｌ．％である。即ち、オレイン酸の比率を減少させた。
【００２７】他は実施例１とまったく同様にしてアルミ
ナ焼結体を製造し、表１に示す各成分について化学分析
を行った。この結果を表１に示す。また、このアルミナ
焼結体の相対密度は９８．２％であった。
ナ焼結体を製造し、表１に示す各成分について化学分析
を行った。この結果を表１に示す。また、このアルミナ
焼結体の相対密度は９８．２％であった。
【００２８】（比較例）表１に示す成分比率を有する顆
粒粉末を準備した。この顆粒粉末を、油圧成形機によっ
て成形し、縦７０ｍｍ、横７０ｍｍ、厚さ６ｍｍの平板
状の成形体を得、この成形体を、１トン／ｃｍ2 の圧力
下で等方静水圧加圧してＣＩＰ成形体を得た。このＣＩ
Ｐ成形体を、大気雰囲気中、１６００℃で３時間保持
し、アルミナ焼結体を得た。
粒粉末を準備した。この顆粒粉末を、油圧成形機によっ
て成形し、縦７０ｍｍ、横７０ｍｍ、厚さ６ｍｍの平板
状の成形体を得、この成形体を、１トン／ｃｍ2 の圧力
下で等方静水圧加圧してＣＩＰ成形体を得た。このＣＩ
Ｐ成形体を、大気雰囲気中、１６００℃で３時間保持
し、アルミナ焼結体を得た。
【００２９】こうして得られたアルミナ焼結体につい
て、化学分析を行った結果を、表１に示す。また、この
アルミナ焼結体の相対密度は９７．５％であった。
て、化学分析を行った結果を、表１に示す。また、この
アルミナ焼結体の相対密度は９７．５％であった。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１から分かるように、実施例１のアルミ
ナ焼結体においては、顆粒粉末に比べて、Ｎａ2 ０、Ｋ
2 Ｏの含有比率が著しく減少しており、しかも、他の金
属不純物の含有比率は若干上昇している。実施例２のア
ルミナ焼結体においても、これと同様の傾向が見られ
た。このように、本発明によれば、特に有害なナトリウ
ムおよびカリウムのみを著しく減少させることができる
ので、産業上極めて有益である。
ナ焼結体においては、顆粒粉末に比べて、Ｎａ2 ０、Ｋ
2 Ｏの含有比率が著しく減少しており、しかも、他の金
属不純物の含有比率は若干上昇している。実施例２のア
ルミナ焼結体においても、これと同様の傾向が見られ
た。このように、本発明によれば、特に有害なナトリウ
ムおよびカリウムのみを著しく減少させることができる
ので、産業上極めて有益である。
【００３２】なお、実施例１と実施例２とを比較する
と、実施例２の焼結体の方が、酸化ナトリウムおよび酸
化カリウムの含有量が若干多い。これは、実施例２の方
が、成形用バインダー中におけるオレイン酸の量が少な
かったためと考えられる。比較例のアルミナ焼結体にお
いては、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ共に、顆粒粉末よりも減少し
てはいるが、いまだ半導体製造装置などの低アルカリ材
料が要求される用途には不十分である。
と、実施例２の焼結体の方が、酸化ナトリウムおよび酸
化カリウムの含有量が若干多い。これは、実施例２の方
が、成形用バインダー中におけるオレイン酸の量が少な
かったためと考えられる。比較例のアルミナ焼結体にお
いては、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ共に、顆粒粉末よりも減少し
てはいるが、いまだ半導体製造装置などの低アルカリ材
料が要求される用途には不十分である。
【００３３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、超
高純度の微粒子からなる原料粉末を使用することなく、
半導体製造装置等において使用可能な、ナトリウムおよ
びカリウムの含有量の少ないアルミナ焼結体を提供でき
る。
高純度の微粒子からなる原料粉末を使用することなく、
半導体製造装置等において使用可能な、ナトリウムおよ
びカリウムの含有量の少ないアルミナ焼結体を提供でき
る。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年３月１４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】こうしたアルミナ焼結体を製造するには、
アルミナ焼結体の原料粉末に対して少なくとも酸化合物
を添加し、原料粉末中のナトリウムおよびカリウムと前
記酸化合物との反応によって金属塩を生成させ、この金
属塩を除去する。この際、酸化合物は、原料粉末に対し
て成形用バインダーの成分として添加することが好まし
く、この場合には原料粉末と成形用バインダーとの混合
物を成形する。この成形方法としては、射出成形法、プ
レス成形法、鋳込み成形法を例示することができる。
アルミナ焼結体の原料粉末に対して少なくとも酸化合物
を添加し、原料粉末中のナトリウムおよびカリウムと前
記酸化合物との反応によって金属塩を生成させ、この金
属塩を除去する。この際、酸化合物は、原料粉末に対し
て成形用バインダーの成分として添加することが好まし
く、この場合には原料粉末と成形用バインダーとの混合
物を成形する。この成形方法としては、射出成形法、プ
レス成形法、鋳込み成形法を例示することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】
【表１】
Claims (4)
- 【請求項１】アルミナ焼結体中に含有される不純物であ
る酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化珪素、酸化カル
シウム、酸化第二鉄および酸化チタンの合計含有量が１
００ｐｐｍ以上、１００００ｐｐｍ以下であり、前記合
計含有量に対する酸化ナトリウムおよび酸化カリウムの
合計含有量の比率が４重量％以下であることを特徴とす
る、アルミナ焼結体。 - 【請求項２】前記合計含有量に対する酸化ナトリウムお
よび酸化カリウムの合計含有量の比率が２重量％以下で
あることを特徴とする、請求項１記載のアルミナ焼結
体。 - 【請求項３】アルミナ焼結体中に含有される不純物であ
る酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化珪素、酸化カル
シウム、酸化第二鉄および酸化チタンの合計含有量が１
００ｐｐｍ以上、１００００ｐｐｍ以下であるアルミナ
焼結体を製造するのに際して、アルミナ焼結体の原料粉
末に対して少なくとも酸化合物を添加し、前記原料粉末
中のナトリウムおよびカリウムと前記酸化合物との反応
によって金属塩を生成させ、この金属塩を除去すること
を特徴とする、アルミナ焼結体の製造方法。 - 【請求項４】前記原料粉末に対して成形用バインダーと
して少なくとも前記酸化合物を添加して混合し、この混
合物を成形することを特徴とする、請求項３記載のアル
ミナ焼結体の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8076943A JPH09263440A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | アルミナ焼結体およびその製造方法 |
| EP97302084A EP0798276B1 (en) | 1996-03-29 | 1997-03-26 | Alumina sintered bodies and method for producing the same |
| DE69703944T DE69703944T2 (de) | 1996-03-29 | 1997-03-26 | Sinterkörper aus Aluminiumoxid und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| TW086103960A TW410215B (en) | 1996-03-29 | 1997-03-27 | Alumina sintering body and the manufacture method thereof |
| US08/824,957 US5854159A (en) | 1996-03-26 | 1997-03-27 | Alumina sintered bodies and method for producing the same |
| KR1019970011076A KR100213950B1 (ko) | 1996-03-29 | 1997-03-28 | 알루미나 소결체 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8076943A JPH09263440A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | アルミナ焼結体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09263440A true JPH09263440A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=13619839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8076943A Withdrawn JPH09263440A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-29 | アルミナ焼結体およびその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5854159A (ja) |
| EP (1) | EP0798276B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09263440A (ja) |
| KR (1) | KR100213950B1 (ja) |
| DE (1) | DE69703944T2 (ja) |
| TW (1) | TW410215B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016084722A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 日本碍子株式会社 | アルミナ焼結体及び光学素子用下地基板 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0982820B1 (en) * | 1998-02-27 | 2007-04-25 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Spark plug, alumina insulator for spark plug, and method of manufacturing the same |
| ES2154146B1 (es) * | 1998-05-19 | 2001-12-01 | Univ Santiago Compostela | Procedimiento de purificacion de alumina por reduccion de impurezas a especies volatiles. |
| US6592695B1 (en) | 2000-11-16 | 2003-07-15 | General Electric Company | Binder system for ceramic arc discharge lamp |
| WO2004003976A2 (en) * | 2002-07-01 | 2004-01-08 | Coorstek, Inc. | Aluminum oxide ceramic components and methods |
| US7304010B2 (en) * | 2004-02-23 | 2007-12-04 | Kyocera Corporation | Aluminum oxide sintered body, and members using same for semiconductor and liquid crystal manufacturing apparatuses |
| US20070098611A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | Yang Xiaolin D | Stabilized flash calcined gibbsite as a catalyst support |
| JP2021054676A (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 京セラ株式会社 | セラミック構造体 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU399487A1 (ru) * | 1971-09-20 | 1973-10-03 | Вакуумплотная керамика | |
| DE3140063A1 (de) * | 1980-10-09 | 1982-05-13 | Vasipari Kutató Intézet, Budapest | Presspulver zur herstellung von korrosionsfesten und/oder verschleissbestaendigen gegenstaenden und unter ihrer verwendung gefertigte presswerkzeuge |
| HU185474B (en) * | 1981-11-10 | 1985-02-28 | Almasfuezitoei Timfoeldgyar | Process for preparing alpha-aluminium oxyde poor in alkali for ceramic purposes |
| JPS63117952A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-21 | 呉羽化学工業株式会社 | 高靭性コランダム−ルチル複合焼結体およびその製造方法 |
| EP0567095B1 (en) * | 1992-04-22 | 1996-07-03 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Translucent polycrystalline alumina and process for producing the same |
| JP3036367B2 (ja) * | 1994-08-19 | 2000-04-24 | 住友金属工業株式会社 | アルミナ磁器組成物 |
| US5593468A (en) * | 1995-07-26 | 1997-01-14 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Sol-gel alumina abrasives |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP8076943A patent/JPH09263440A/ja not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-03-26 DE DE69703944T patent/DE69703944T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-26 EP EP97302084A patent/EP0798276B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-27 TW TW086103960A patent/TW410215B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-03-27 US US08/824,957 patent/US5854159A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-28 KR KR1019970011076A patent/KR100213950B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016084722A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 日本碍子株式会社 | アルミナ焼結体及び光学素子用下地基板 |
| KR20170088823A (ko) * | 2014-11-28 | 2017-08-02 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 알루미나 소결체 및 광학 소자용 하지 기판 |
| JPWO2016084722A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2017-09-07 | 日本碍子株式会社 | アルミナ焼結体及び光学素子用下地基板 |
| US10138166B2 (en) | 2014-11-28 | 2018-11-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Alumina sintered body and base substrate for optical device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0798276B1 (en) | 2001-01-24 |
| DE69703944T2 (de) | 2001-06-21 |
| US5854159A (en) | 1998-12-29 |
| KR100213950B1 (ko) | 1999-08-02 |
| EP0798276A1 (en) | 1997-10-01 |
| DE69703944D1 (de) | 2001-03-01 |
| KR970065471A (ko) | 1997-10-13 |
| TW410215B (en) | 2000-11-01 |
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|---|---|---|---|
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