JPH0681138A - Ｐｂ系強誘電体スパッタリング用ターゲット - Google Patents
Ｐｂ系強誘電体スパッタリング用ターゲットInfo
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- JPH0681138A JPH0681138A JP23239392A JP23239392A JPH0681138A JP H0681138 A JPH0681138 A JP H0681138A JP 23239392 A JP23239392 A JP 23239392A JP 23239392 A JP23239392 A JP 23239392A JP H0681138 A JPH0681138 A JP H0681138A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｐｂ系強誘電体をスパッタリングにより形成
する際に、成分調整のために強誘電体粉末にＰｂＯ粉末
を添加した場合における強誘電体の成分の安定化に要す
る時間の短縮化を図ることを目的とする。 【構成】 Ｐｂ系強誘電体をスパッタリングによって形
成するためのターゲットであって、平均粒径が、１０μ
ｍ以下のＰｂ系強誘電体粉末およびＰｂＯ粉末とを混合
・焼結してなることを特徴とする。
する際に、成分調整のために強誘電体粉末にＰｂＯ粉末
を添加した場合における強誘電体の成分の安定化に要す
る時間の短縮化を図ることを目的とする。 【構成】 Ｐｂ系強誘電体をスパッタリングによって形
成するためのターゲットであって、平均粒径が、１０μ
ｍ以下のＰｂ系強誘電体粉末およびＰｂＯ粉末とを混合
・焼結してなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩメモリー等を構
成する強誘電体をスパッタリングによって形成するため
のターゲットに関するものである。
成する強誘電体をスパッタリングによって形成するため
のターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩメモリーにおけるメモリー
セルの高集積化に伴い、誘電体に比誘電率の大きな材料
を用いる必要が生じており、その好適な材料として、Ｐ
ｂ系の強誘電体が知られており、その具体的な組成とし
て例えばつぎのものが挙げられる。 ＰＺＴ；ＰｂxＺｒYＴｉＯ3 ＰＬＴ；ＰｂxＬａYＴｉＯ3 ＰＺＬＴ；ＰｂxＬａYＺｒZＴｉＯ3 そして、これらの強誘電体は、前記組成の強誘電体粉末
を焼結することによりターゲットを形成しておき、この
ターゲットを用いたスパッタリングによって基板上に形
成される。
セルの高集積化に伴い、誘電体に比誘電率の大きな材料
を用いる必要が生じており、その好適な材料として、Ｐ
ｂ系の強誘電体が知られており、その具体的な組成とし
て例えばつぎのものが挙げられる。 ＰＺＴ；ＰｂxＺｒYＴｉＯ3 ＰＬＴ；ＰｂxＬａYＴｉＯ3 ＰＺＬＴ；ＰｂxＬａYＺｒZＴｉＯ3 そして、これらの強誘電体は、前記組成の強誘電体粉末
を焼結することによりターゲットを形成しておき、この
ターゲットを用いたスパッタリングによって基板上に形
成される。
【０００３】ところで、前記組成のターゲットを用いた
スパッタリングにより前記強誘電体を形成した場合、ス
パッタリング時にＰｂ成分が飛散して、形成される強誘
電体の成分比が、得るべき所定の成分比からずれてしま
うといった問題がある。
スパッタリングにより前記強誘電体を形成した場合、ス
パッタリング時にＰｂ成分が飛散して、形成される強誘
電体の成分比が、得るべき所定の成分比からずれてしま
うといった問題がある。
【０００４】そこで、従来においては、このような現象
に対処すべく、スパッタリング時における前記Ｐｂ成分
の飛散量を想定し、その飛散量に応じたＰｂ成分をＰｂ
Ｏとして予め前記強誘電体成分中に添加することによ
り、Ｐｂが富化された強誘電体スパッタリング用ターゲ
ットを形成し、このＰｂが富化されたターゲットを用い
てスパッタリングを行うことにより、得られる強誘電体
の組成の成分比を所定の値とすることが検討されてい
る。
に対処すべく、スパッタリング時における前記Ｐｂ成分
の飛散量を想定し、その飛散量に応じたＰｂ成分をＰｂ
Ｏとして予め前記強誘電体成分中に添加することによ
り、Ｐｂが富化された強誘電体スパッタリング用ターゲ
ットを形成し、このＰｂが富化されたターゲットを用い
てスパッタリングを行うことにより、得られる強誘電体
の組成の成分比を所定の値とすることが検討されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述のよう
にＰｂが富化されたターゲットを用いたスパッタリング
によって強誘電体を形成した場合、さらに、つぎのよう
な改善すべき点が生じる。
にＰｂが富化されたターゲットを用いたスパッタリング
によって強誘電体を形成した場合、さらに、つぎのよう
な改善すべき点が生じる。
【０００６】すなわち、ＰｂＯを富化したターゲットに
よりスパッタリングを行った場合、強誘電体の組成中に
おけるＰｂ成分の成分比が所定の値となるまでに要する
時間（以下、安定化時間と称す）が長くなるという点で
ある。そして、このような安定化時間の長期化現象は、
図１に曲線Ａ〜Ｃで示すように、前記ＰｂＯの添加量の
増加にしたがって顕著化する傾向にある。なお、図１に
おいて、曲線ＡにおけるＰｂＯの添加量をＰＡとし、曲
線ＢにおけるＰｂＯの添加量をＰＢとし、また、曲線Ｃ
におけるＰｂＯの添加量をＰＣとすると、ＰＡ＜ＰＢ＜
ＰＣの関係にある。
よりスパッタリングを行った場合、強誘電体の組成中に
おけるＰｂ成分の成分比が所定の値となるまでに要する
時間（以下、安定化時間と称す）が長くなるという点で
ある。そして、このような安定化時間の長期化現象は、
図１に曲線Ａ〜Ｃで示すように、前記ＰｂＯの添加量の
増加にしたがって顕著化する傾向にある。なお、図１に
おいて、曲線ＡにおけるＰｂＯの添加量をＰＡとし、曲
線ＢにおけるＰｂＯの添加量をＰＢとし、また、曲線Ｃ
におけるＰｂＯの添加量をＰＣとすると、ＰＡ＜ＰＢ＜
ＰＣの関係にある。
【０００７】そしてこのような問題点は、スパッタリン
グ時間の長期化を招き、生産性の低下を招くことから、
その対策が要望されている。
グ時間の長期化を招き、生産性の低下を招くことから、
その対策が要望されている。
【０００８】本発明者等は、鋭意研究の結果、前述した
スパッタリング時間の長期化が、スパッタリング時にタ
ーゲット表面の磨耗が不均一になることに起因すること
を知見し、本発明に至ったものである。
スパッタリング時間の長期化が、スパッタリング時にタ
ーゲット表面の磨耗が不均一になることに起因すること
を知見し、本発明に至ったものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述した従来
の問題点を有効に解消し得るＰｂ系強誘電体スパッタリ
ング用ターゲットを提供せんとするもので、特に、Ｐｂ
系強誘電体をスパッタリングによって形成するためのタ
ーゲットであって、平均粒径が、１０μｍ以下のＰｂ系
強誘電体粉末およびＰｂＯ粉末とを混合・焼結してなる
ことを特徴とする。そして、前記Ｐｂ系強誘電体粉末
が、ＰＺＴ、ＰＬＴ、ＰＬＺＴであることを含むもので
ある。
の問題点を有効に解消し得るＰｂ系強誘電体スパッタリ
ング用ターゲットを提供せんとするもので、特に、Ｐｂ
系強誘電体をスパッタリングによって形成するためのタ
ーゲットであって、平均粒径が、１０μｍ以下のＰｂ系
強誘電体粉末およびＰｂＯ粉末とを混合・焼結してなる
ことを特徴とする。そして、前記Ｐｂ系強誘電体粉末
が、ＰＺＴ、ＰＬＴ、ＰＬＺＴであることを含むもので
ある。
【００１０】
【作用】本発明に係わるＰｂ系強誘電体スパッタリング
用ターゲットは、強誘電体粉末ならびにＰｂＯ粉末の平
均粒径を１０μｍ以下とすることにより、スパッタリン
グ時のターゲット表面の荒れを少なくし、イオンの照射
条件を均一化して偏磨耗を抑制する。
用ターゲットは、強誘電体粉末ならびにＰｂＯ粉末の平
均粒径を１０μｍ以下とすることにより、スパッタリン
グ時のターゲット表面の荒れを少なくし、イオンの照射
条件を均一化して偏磨耗を抑制する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例について説明する。
まず、形成される強誘電体膜がＰＺＴである場合につい
て説明すれば、Ｐｂ、Ｚｒ、ＴｉＯ3の各要素粉をモル
比で０．５：０．５：１．０となるように混合したのち
に、高温大気炉等により焼成しＰＺＴ（Ｐｂ0.5Ｚｒ0.5
ＴｉＯ3）塊を得る。
まず、形成される強誘電体膜がＰＺＴである場合につい
て説明すれば、Ｐｂ、Ｚｒ、ＴｉＯ3の各要素粉をモル
比で０．５：０．５：１．０となるように混合したのち
に、高温大気炉等により焼成しＰＺＴ（Ｐｂ0.5Ｚｒ0.5
ＴｉＯ3）塊を得る。
【００１２】ついで、このＰＺＴ塊をボールミル等によ
って粉砕して、表１に実施例１ないし実施例３に示す平
均粒径を有するＰＺＴ粉末を生成する。
って粉砕して、表１に実施例１ないし実施例３に示す平
均粒径を有するＰＺＴ粉末を生成する。
【００１３】
【表１】
【００１４】また、前記ＰＺＴ粉末の生成と同様にし
て、表１に実施例１ないし実施例３に示す平均粒径を有
するＰｂＯ粉末を生成する。
て、表１に実施例１ないし実施例３に示す平均粒径を有
するＰｂＯ粉末を生成する。
【００１５】このようにして得られた各ＰＺＴ粉末およ
びＰｂＯ粉末を、同じく表１に実施例１ないし実施例３
に示す配合比で混合したのちに、この混合粉末をＨＰ等
を用いて焼成し、所定形状に加工してバッキングプレー
ト上にボンディングすることによって、実施例１ないし
実施例３の３種のＰＺＴターゲットを得た。なお、前記
各実施例においては、実施例相互の比較を容易にするた
めに、ＰｂＯの添加量を同一とした。
びＰｂＯ粉末を、同じく表１に実施例１ないし実施例３
に示す配合比で混合したのちに、この混合粉末をＨＰ等
を用いて焼成し、所定形状に加工してバッキングプレー
ト上にボンディングすることによって、実施例１ないし
実施例３の３種のＰＺＴターゲットを得た。なお、前記
各実施例においては、実施例相互の比較を容易にするた
めに、ＰｂＯの添加量を同一とした。
【００１６】このようにして得られた各ターゲットを用
い、マグネトロンスパッタリング装置によりスパッタリ
ングを行い、Ｓｉウェハー基板上に、厚さ３０００Åの
強誘電体膜を形成し、この強誘電体膜におけるＰｂ濃度
が所定値となるまでに要した時間（安定化時間）を表１
に示す。
い、マグネトロンスパッタリング装置によりスパッタリ
ングを行い、Ｓｉウェハー基板上に、厚さ３０００Åの
強誘電体膜を形成し、この強誘電体膜におけるＰｂ濃度
が所定値となるまでに要した時間（安定化時間）を表１
に示す。
【００１７】一方、比較のために、表１に比較例１で示
すように、実施例１に示すターゲットの組成の内のＰＺ
Ｔ粉末の平均粒径を１２μｍに代えたターゲットを形成
し、また、比較例２で示すように、実施例１に示すター
ゲットの組成の内のＰｂＯ粉末の平均粒径を１２μｍに
代えたターゲットを形成し、そして、これらの比較例１
および比較例２を用いて、前記実施例１ないし実施例３
と同様の方法により強誘電体膜を形成し、その時の安定
化時間を測定し、その結果を表１に示す。
すように、実施例１に示すターゲットの組成の内のＰＺ
Ｔ粉末の平均粒径を１２μｍに代えたターゲットを形成
し、また、比較例２で示すように、実施例１に示すター
ゲットの組成の内のＰｂＯ粉末の平均粒径を１２μｍに
代えたターゲットを形成し、そして、これらの比較例１
および比較例２を用いて、前記実施例１ないし実施例３
と同様の方法により強誘電体膜を形成し、その時の安定
化時間を測定し、その結果を表１に示す。
【００１８】この結果から明らかなように、本発明に係
わる各実施例においては、強誘電体膜中のＰｂ濃度を短
時間で所定の成分比まで上昇させることができる。
わる各実施例においては、強誘電体膜中のＰｂ濃度を短
時間で所定の成分比まで上昇させることができる。
【００１９】さらに、実施例１に示すターゲットにおい
て、ＰｂＯの添加量を３０ａｔ％および４０ａｔ％に調
整して実施例１ー１、および、実施例１ー２とし、これ
らの実施例１ー１および実施例１ー２における安定化時
間の変化を実施例１との比較により見てみたところ、図
２に示す結果が得られた。
て、ＰｂＯの添加量を３０ａｔ％および４０ａｔ％に調
整して実施例１ー１、および、実施例１ー２とし、これ
らの実施例１ー１および実施例１ー２における安定化時
間の変化を実施例１との比較により見てみたところ、図
２に示す結果が得られた。
【００２０】この結果から、実施例１においては、Ｐｂ
Ｏの添加量の変動による安定化時間への影響が少ないこ
とがわかる。なお、図示しないが、このような現象は、
他の実施例２および実施例３においても同様に見られ
た。
Ｏの添加量の変動による安定化時間への影響が少ないこ
とがわかる。なお、図示しないが、このような現象は、
他の実施例２および実施例３においても同様に見られ
た。
【００２１】ついで、形成される強誘電体膜がＰＬＴで
ある場合について説明すれば、Ｐｂ、Ｌａ、ＴｉＯ3の
各要素粉をモル比で、Ｐｂ0.9Ｌａ0.1Ｔｉ1.0Ｏ3となる
ように混合したのちに、高温大気炉等により焼成しＰＬ
Ｔ塊を得る。
ある場合について説明すれば、Ｐｂ、Ｌａ、ＴｉＯ3の
各要素粉をモル比で、Ｐｂ0.9Ｌａ0.1Ｔｉ1.0Ｏ3となる
ように混合したのちに、高温大気炉等により焼成しＰＬ
Ｔ塊を得る。
【００２２】ついで、このＰＬＴ塊をボールミル等によ
って粉砕して、表２に実施例４ないし実施例６に示す平
均粒径を有するＰＬＴ粉末を生成する。
って粉砕して、表２に実施例４ないし実施例６に示す平
均粒径を有するＰＬＴ粉末を生成する。
【００２３】
【表２】
【００２４】また、前記ＰＬＴ粉末の生成と同様にし
て、表２に実施例４ないし実施例６に示す平均粒径を有
するＰｂＯ粉末を生成する。
て、表２に実施例４ないし実施例６に示す平均粒径を有
するＰｂＯ粉末を生成する。
【００２５】このようにして得られた各ＰＬＴ粉末およ
びＰｂＯ粉末を、同じく表２に実施例４ないし実施例６
に示す配合比で混合したのちに、この混合粉末をＨＰ等
を用いて焼成し、３種のＰＬＴターゲットを得た。な
お、前記各実施例４〜６においては、実施例１〜３と同
様の理由によりＰｂＯの添加量を同一とした。
びＰｂＯ粉末を、同じく表２に実施例４ないし実施例６
に示す配合比で混合したのちに、この混合粉末をＨＰ等
を用いて焼成し、３種のＰＬＴターゲットを得た。な
お、前記各実施例４〜６においては、実施例１〜３と同
様の理由によりＰｂＯの添加量を同一とした。
【００２６】このようにして得られた各ターゲットを用
い、前記実施例１〜３と同様の強誘電体膜を形成し、こ
の強誘電体膜における安定化時間を表２に示す。
い、前記実施例１〜３と同様の強誘電体膜を形成し、こ
の強誘電体膜における安定化時間を表２に示す。
【００２７】一方、比較のために、表２に比較例３で示
すように、実施例４に示すターゲットの組成の内のＰＬ
Ｔ粉末の平均粒径を１５μｍに代えたターゲットを形成
し、また、比較例４で示すように、実施例４に示すター
ゲットの組成の内のＰｂＯ粉末の平均粒径を１５μｍに
代えたターゲットを形成し、そして、これらの比較例３
および比較例４を用いて、前記実施例４と同様の方法に
より強誘電体膜を形成し、その時の安定化時間を測定
し、その結果を表２に示す。
すように、実施例４に示すターゲットの組成の内のＰＬ
Ｔ粉末の平均粒径を１５μｍに代えたターゲットを形成
し、また、比較例４で示すように、実施例４に示すター
ゲットの組成の内のＰｂＯ粉末の平均粒径を１５μｍに
代えたターゲットを形成し、そして、これらの比較例３
および比較例４を用いて、前記実施例４と同様の方法に
より強誘電体膜を形成し、その時の安定化時間を測定
し、その結果を表２に示す。
【００２８】この結果から明らかなように、これらの各
実施例においても、強誘電体膜中のＰｂ濃度を短時間で
所定の成分比まで上昇させることができる。
実施例においても、強誘電体膜中のＰｂ濃度を短時間で
所定の成分比まで上昇させることができる。
【００２９】さらに、実施例４に示すターゲットにおい
て、ＰｂＯの添加量を４０ａｔ％および５０ａｔ％に調
整して実施例４ー１、および、実施例４ー２とし、これ
らの実施例４ー１および実施例４ー２における安定化時
間の変化を実施例４との比較により見てみたところ、図
３に示す結果が得られた。
て、ＰｂＯの添加量を４０ａｔ％および５０ａｔ％に調
整して実施例４ー１、および、実施例４ー２とし、これ
らの実施例４ー１および実施例４ー２における安定化時
間の変化を実施例４との比較により見てみたところ、図
３に示す結果が得られた。
【００３０】この結果から、実施例４においても、Ｐｂ
Ｏの添加量の変動による安定化時間への影響が少ないこ
とがわかる。
Ｏの添加量の変動による安定化時間への影響が少ないこ
とがわかる。
【００３１】さらに、形成される強誘電体膜がＰＬＺＴ
である場合について説明すれば、Ｐｂ、Ｌａ、Ｚｒ、Ｔ
ｉＯ3の各要素粉をモル比で、Ｐｂ0.98Ｌａ0.02Ｚｒ0.5
Ｔｉ0.5Ｏ3となるように混合したのちに、高温大気炉等
により焼成しＰＬＺＴ塊を得る。
である場合について説明すれば、Ｐｂ、Ｌａ、Ｚｒ、Ｔ
ｉＯ3の各要素粉をモル比で、Ｐｂ0.98Ｌａ0.02Ｚｒ0.5
Ｔｉ0.5Ｏ3となるように混合したのちに、高温大気炉等
により焼成しＰＬＺＴ塊を得る。
【００３２】ついで、このＰＬＺＴ塊をボールミル等に
よって粉砕して、表３に実施例７ないし実施例９に示す
平均粒径を有するＰＬＺＴ粉末を生成する。
よって粉砕して、表３に実施例７ないし実施例９に示す
平均粒径を有するＰＬＺＴ粉末を生成する。
【００３３】
【表３】
【００３４】また、前記ＰＬＺＴ粉末の生成と同様にし
て、表３に実施例７ないし実施例９に示す平均粒径を有
するＰｂＯ粉末を生成する。
て、表３に実施例７ないし実施例９に示す平均粒径を有
するＰｂＯ粉末を生成する。
【００３５】このようにして得られた各ＰＬＺＴ粉末お
よびＰｂＯ粉末を、同じく表３に実施例７ないし実施例
９に示す配合比で混合したのちに、この混合粉末をＨＰ
等を用いて焼成し、３種のＰＬＺＴターゲットを得た。
なお、前記各実施例７〜９においても、ＰｂＯの添加量
を同一とした。
よびＰｂＯ粉末を、同じく表３に実施例７ないし実施例
９に示す配合比で混合したのちに、この混合粉末をＨＰ
等を用いて焼成し、３種のＰＬＺＴターゲットを得た。
なお、前記各実施例７〜９においても、ＰｂＯの添加量
を同一とした。
【００３６】このようにして得られた各ターゲットを用
い、前記実施例１〜３と同様の条件で強誘電体膜を形成
し、この強誘電体膜における安定化時間を表３に示す。
い、前記実施例１〜３と同様の条件で強誘電体膜を形成
し、この強誘電体膜における安定化時間を表３に示す。
【００３７】一方、比較のために、表３に比較例５で示
すように、実施例７に示すターゲットの組成の内のＰＬ
Ｔ粉末の平均粒径を３０μｍに代えたターゲットを形成
し、また、比較例６で示すように、実施例７に示すター
ゲットの組成の内のＰｂＯ粉末の平均粒径を３０μｍに
代えたターゲットを形成し、そして、これらの比較例５
および比較例６を用いて、前記実施例７と同様の方法に
より強誘電体膜を形成し、その時の安定化時間を測定
し、その結果を表３に示す。
すように、実施例７に示すターゲットの組成の内のＰＬ
Ｔ粉末の平均粒径を３０μｍに代えたターゲットを形成
し、また、比較例６で示すように、実施例７に示すター
ゲットの組成の内のＰｂＯ粉末の平均粒径を３０μｍに
代えたターゲットを形成し、そして、これらの比較例５
および比較例６を用いて、前記実施例７と同様の方法に
より強誘電体膜を形成し、その時の安定化時間を測定
し、その結果を表３に示す。
【００３８】この結果から明らかなように、これらの各
実施例においても、前述した各実施例と同様に、強誘電
体膜中のＰｂ濃度を短時間で所定の成分比まで上昇させ
ることができる。
実施例においても、前述した各実施例と同様に、強誘電
体膜中のＰｂ濃度を短時間で所定の成分比まで上昇させ
ることができる。
【００３９】さらに、実施例７に示すターゲットにおい
て、ＰｂＯの添加量を５０ａｔ％および６０ａｔ％に調
整して実施例７ー１、および、実施例７ー２とし、これ
らの実施例７ー１および実施例７ー２における安定化時
間の変化を実施例７との比較により見てみたところ、図
４に示す結果が得られた。
て、ＰｂＯの添加量を５０ａｔ％および６０ａｔ％に調
整して実施例７ー１、および、実施例７ー２とし、これ
らの実施例７ー１および実施例７ー２における安定化時
間の変化を実施例７との比較により見てみたところ、図
４に示す結果が得られた。
【００４０】この結果から、実施例７においても、Ｐｂ
Ｏの添加量の変動による安定化時間への影響が少ないこ
とがわかる。
Ｏの添加量の変動による安定化時間への影響が少ないこ
とがわかる。
【００４１】以上説明したように、本発明に係わるＰｂ
系強誘電体スパッタリング用ターゲットによれば、Ｐｂ
系強誘電体をスパッタリングする際に、形成される強誘
電体の組成の成分比を所定の値とすべく、強誘電体粉末
にＰｂＯ粉末を添加しても、得られる強誘電体の成分比
を短時間で安定化することができる。
系強誘電体スパッタリング用ターゲットによれば、Ｐｂ
系強誘電体をスパッタリングする際に、形成される強誘
電体の組成の成分比を所定の値とすべく、強誘電体粉末
にＰｂＯ粉末を添加しても、得られる強誘電体の成分比
を短時間で安定化することができる。
【００４２】したがって、スパッタリングに要する時間
が短縮されるとともに、短時間で成分比が安定化するの
で、形成される強誘電体の組織が均一なものとなり、歩
留まりの向上が図られる。
が短縮されるとともに、短時間で成分比が安定化するの
で、形成される強誘電体の組織が均一なものとなり、歩
留まりの向上が図られる。
【００４３】このように、強誘電体の成分比が短時間で
安定化するのは、強誘電体粉末および添加されるＰｂＯ
粉体の粒径を１０μｍ以下とすることにより、これらの
粉末のスパッタレートが均一化されること、また、ター
ゲットの偏磨耗が抑制されることに起因するものと考え
られる。
安定化するのは、強誘電体粉末および添加されるＰｂＯ
粉体の粒径を１０μｍ以下とすることにより、これらの
粉末のスパッタレートが均一化されること、また、ター
ゲットの偏磨耗が抑制されることに起因するものと考え
られる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わるＰ
ｂ系強誘電体スパッタリング用ターゲットは、Ｐｂ系強
誘電体をスパッタリングによって形成するためのターゲ
ットであって、平均粒径が１０μｍ以下のＰｂ系強誘電
体粉末およびＰｂＯ粉末とを混合・焼結してなることを
特徴とするもので、つぎのような優れた効果を奏する。
ｂ系強誘電体スパッタリング用ターゲットは、Ｐｂ系強
誘電体をスパッタリングによって形成するためのターゲ
ットであって、平均粒径が１０μｍ以下のＰｂ系強誘電
体粉末およびＰｂＯ粉末とを混合・焼結してなることを
特徴とするもので、つぎのような優れた効果を奏する。
【００４５】Ｐｂ系強誘電体をスパッタリングする際
に、形成される強誘電体の組成の成分比を所定の値とす
べく、強誘電体粉末にＰｂＯ粉末を添加しても、得られ
る強誘電体の成分比を短時間で安定化することができ
る。
に、形成される強誘電体の組成の成分比を所定の値とす
べく、強誘電体粉末にＰｂＯ粉末を添加しても、得られ
る強誘電体の成分比を短時間で安定化することができ
る。
【００４６】したがって、スパッタリングに要する時間
が短縮されるとともに、短時間で成分比が安定化するの
で、形成される強誘電体の組織が均一なものとなり、歩
留まりの向上が図られる。
が短縮されるとともに、短時間で成分比が安定化するの
で、形成される強誘電体の組織が均一なものとなり、歩
留まりの向上が図られる。
【図１】従来のＰｂ系強誘電スパッタリング用ターゲッ
トによるスパッタリング時におけるＰｂ濃度の変化曲線
である。
トによるスパッタリング時におけるＰｂ濃度の変化曲線
である。
【図２】本発明の実施例１のＰｂ系強誘電スパッタリン
グ用ターゲットによるスパッタリング時におけるＰｂ濃
度の変化曲線である。
グ用ターゲットによるスパッタリング時におけるＰｂ濃
度の変化曲線である。
【図３】本発明の実施例４のＰｂ系強誘電スパッタリン
グ用ターゲットによるスパッタリング時におけるＰｂ濃
度の変化曲線である。
グ用ターゲットによるスパッタリング時におけるＰｂ濃
度の変化曲線である。
【図４】本発明の実施例７のＰｂ系強誘電スパッタリン
グ用ターゲットによるスパッタリング時におけるＰｂ濃
度の変化曲線である。
グ用ターゲットによるスパッタリング時におけるＰｂ濃
度の変化曲線である。
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｐｂ系強誘電体をスパッタリングによっ
て形成するためのターゲットであって、平均粒径が、１
０μｍ以下のＰｂ系強誘電体粉末およびＰｂＯ粉末とを
混合・焼結してなることを特徴とするＰｂ系強誘電体ス
パッタリング用ターゲット。 - 【請求項２】 前記Ｐｂ系強誘電体粉末が、ＰＺＴであ
ることを特徴とする請求項１記載のＰｂ系強誘電体スパ
ッタリング用ターゲット。 - 【請求項３】 前記Ｐｂ系強誘電体粉末が、ＰＬＴであ
ることを特徴とする請求項１記載のＰｂ系強誘電体スパ
ッタリング用ターゲット。 - 【請求項４】 前記Ｐｂ系強誘電体粉末が、ＰＬＺＴで
あることを特徴とする請求項１記載のＰｂ系強誘電体ス
パッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23239392A JPH0681138A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | Ｐｂ系強誘電体スパッタリング用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23239392A JPH0681138A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | Ｐｂ系強誘電体スパッタリング用ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0681138A true JPH0681138A (ja) | 1994-03-22 |
Family
ID=16938545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23239392A Pending JPH0681138A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | Ｐｂ系強誘電体スパッタリング用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0681138A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10189885A (ja) * | 1996-12-25 | 1998-07-21 | Hitachi Ltd | 強誘電体メモリ素子及びその製造方法 |
| US6331234B1 (en) | 1999-06-02 | 2001-12-18 | Honeywell International Inc. | Copper sputtering target assembly and method of making same |
| US6451222B1 (en) | 1999-12-16 | 2002-09-17 | Honeywell International Inc. | Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target |
| US6758920B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-07-06 | Honeywell International Inc. | Conductive integrated circuit metal alloy interconnections, electroplating anodes; metal alloys for use as a conductive interconnection in an integrated circuit; and physical vapor deposition targets |
| US6849139B2 (en) | 1999-06-02 | 2005-02-01 | Honeywell International Inc. | Methods of forming copper-containing sputtering targets |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP23239392A patent/JPH0681138A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10189885A (ja) * | 1996-12-25 | 1998-07-21 | Hitachi Ltd | 強誘電体メモリ素子及びその製造方法 |
| US6331234B1 (en) | 1999-06-02 | 2001-12-18 | Honeywell International Inc. | Copper sputtering target assembly and method of making same |
| US6645427B1 (en) | 1999-06-02 | 2003-11-11 | Honeywell International Inc. | Copper sputtering target assembly and method of making same |
| US6849139B2 (en) | 1999-06-02 | 2005-02-01 | Honeywell International Inc. | Methods of forming copper-containing sputtering targets |
| US6758920B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-07-06 | Honeywell International Inc. | Conductive integrated circuit metal alloy interconnections, electroplating anodes; metal alloys for use as a conductive interconnection in an integrated circuit; and physical vapor deposition targets |
| US6451222B1 (en) | 1999-12-16 | 2002-09-17 | Honeywell International Inc. | Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target |
| US6579467B2 (en) | 1999-12-16 | 2003-06-17 | Honeywell International Inc. | Ferroelectric composition, ferroelectric vapor deposition target and method of making a ferroelectric vapor deposition target |
| US6746619B2 (en) | 1999-12-16 | 2004-06-08 | Honeywell International Inc. | Ferroelectric vapor deposition targets |
| US6858102B1 (en) | 2000-11-15 | 2005-02-22 | Honeywell International Inc. | Copper-containing sputtering targets, and methods of forming copper-containing sputtering targets |
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