JPH07170064A - 接着性促進層を有する金属箔 - Google Patents
接着性促進層を有する金属箔Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面粗さ処理を行うことなく、基板との接着
性に優れた金属箔を提供する。 【構成】 少なくとも一面に接着性促進層を有する金属
箔であって、接着性促進層が少なくとも１つのシランカ
ップリング剤を含有し、接着性促進層の下に形成されて
いる金属箔のベース表面が表面粗さが加えられないこと
によって特徴づけられる。１つの実施態様において、接
着性促進層は、クロムが存在しないことによって特徴づ
けられる。１つの実施態様において、接着性促進層の下
に形成されている金属箔のベース表面は、ベース表面に
接着された亜鉛層またはクロム層が存在しないことによ
って特徴づけられる。
性に優れた金属箔を提供する。 【構成】 少なくとも一面に接着性促進層を有する金属
箔であって、接着性促進層が少なくとも１つのシランカ
ップリング剤を含有し、接着性促進層の下に形成されて
いる金属箔のベース表面が表面粗さが加えられないこと
によって特徴づけられる。１つの実施態様において、接
着性促進層は、クロムが存在しないことによって特徴づ
けられる。１つの実施態様において、接着性促進層の下
に形成されている金属箔のベース表面は、ベース表面に
接着された亜鉛層またはクロム層が存在しないことによ
って特徴づけられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属箔に関し、さらに
詳しくは、少なくともその片面を覆う接着性促進層を有
する金属箔に関する。１つの実施態様において、これら
の金属箔は印刷回路板（ＰＣＢ）の製造に用いられる導
体箔（例えば、銅箔）である。
詳しくは、少なくともその片面を覆う接着性促進層を有
する金属箔に関する。１つの実施態様において、これら
の金属箔は印刷回路板（ＰＣＢ）の製造に用いられる導
体箔（例えば、銅箔）である。
【０００２】
【従来の技術】ＰＣＢは、通常銅箔である導体箔および
高分子樹脂基板を有する積層板から形成される電子素子
の構成要素である。導体箔は電子素子中に導体を形成
し、高分子樹脂基板は導体間に絶縁体を形成する。導体
および絶縁体は密着しており、導体と絶縁体との間の接
着により導体および絶縁体で形成される電子素子に性能
および信頼性が与えられる。
高分子樹脂基板を有する積層板から形成される電子素子
の構成要素である。導体箔は電子素子中に導体を形成
し、高分子樹脂基板は導体間に絶縁体を形成する。導体
および絶縁体は密着しており、導体と絶縁体との間の接
着により導体および絶縁体で形成される電子素子に性能
および信頼性が与えられる。
【０００３】印刷回路板の製造に用いられる、電着され
加工されたあるいは圧延された銅箔は、高分子基板によ
く接着しない。従来の方法では、銅箔と絶縁高分子基板
との間の接着を達成するために、銅箔の表面を粗くして
いた。
加工されたあるいは圧延された銅箔は、高分子基板によ
く接着しない。従来の方法では、銅箔と絶縁高分子基板
との間の接着を達成するために、銅箔の表面を粗くして
いた。
【０００４】表面粗さは、いくつかの手段で達成され
る。電着銅箔は、粗面と共に電鋳され得る。この粗面の
上面には、高表面部分処理を行うことによってさらに粗
さが加えられる。これらの処理は、団塊状あるいは樹枝
状に電界蒸着した銅でも、団塊状あるいは樹枝状に成長
した酸化銅でもよい。圧延された銅箔は、圧延の間ある
いはそれに続く摩耗によって与えられる、機械的粗さを
有することがある。圧延された銅箔はまた、団塊状銅処
理あるいは団塊状酸化銅処理を増進させる表面部分で従
来通りに処理される。
る。電着銅箔は、粗面と共に電鋳され得る。この粗面の
上面には、高表面部分処理を行うことによってさらに粗
さが加えられる。これらの処理は、団塊状あるいは樹枝
状に電界蒸着した銅でも、団塊状あるいは樹枝状に成長
した酸化銅でもよい。圧延された銅箔は、圧延の間ある
いはそれに続く摩耗によって与えられる、機械的粗さを
有することがある。圧延された銅箔はまた、団塊状銅処
理あるいは団塊状酸化銅処理を増進させる表面部分で従
来通りに処理される。
【０００５】これらの表面粗さ処理は、樹脂との機械的
嵌合を形成することにより、高分子との接着を増進させ
る。この機械的嵌合は、液状の接着剤を塗布し硬化した
とき、あるいは樹脂が積層過程で硬化する前に融解し流
れるときに形成される。高分子は粗くなった表面部処理
の周辺に流れ、機械的嵌合を形成する。
嵌合を形成することにより、高分子との接着を増進させ
る。この機械的嵌合は、液状の接着剤を塗布し硬化した
とき、あるいは樹脂が積層過程で硬化する前に融解し流
れるときに形成される。高分子は粗くなった表面部処理
の周辺に流れ、機械的嵌合を形成する。
【０００６】銅と高分子樹脂基板との間の接着を増強す
るために用いられる表面粗さによって、ＰＣＢの製造が
困難になり、ＰＣＢの性能が悪くなる。減法（subtract
ive）銅エッチング法においては、樹脂に埋め込まれた
樹枝形あるいは団塊形を除去するための付加的なエッチ
ング時間が必要となる。この付加的なエッチング時間は
製造工程を減速するだけでなく、銅線の側壁の側面エッ
チングによって、ライン損失を大きくするようにする。
表面粗さは高周波数電気信号を減速し、それによってＰ
ＣＢの電気的性能を劣化させる。粗ベース箔を有するこ
とが必要になると、抗張力および伸張などの良質の積層
体およびＰＣＢ性能を生み出すその他の特性が制限され
る。樹枝状あるいは団塊状表面粗さ処理には電解処理の
場合には特殊装置が、酸化処理の場合には特殊薬品が必
要となり、これらの表面粗さ処理は適用が困難である。
るために用いられる表面粗さによって、ＰＣＢの製造が
困難になり、ＰＣＢの性能が悪くなる。減法（subtract
ive）銅エッチング法においては、樹脂に埋め込まれた
樹枝形あるいは団塊形を除去するための付加的なエッチ
ング時間が必要となる。この付加的なエッチング時間は
製造工程を減速するだけでなく、銅線の側壁の側面エッ
チングによって、ライン損失を大きくするようにする。
表面粗さは高周波数電気信号を減速し、それによってＰ
ＣＢの電気的性能を劣化させる。粗ベース箔を有するこ
とが必要になると、抗張力および伸張などの良質の積層
体およびＰＣＢ性能を生み出すその他の特性が制限され
る。樹枝状あるいは団塊状表面粗さ処理には電解処理の
場合には特殊装置が、酸化処理の場合には特殊薬品が必
要となり、これらの表面粗さ処理は適用が困難である。
【０００７】特公昭（公告）第60-15654号公報には、銅
箔のクロム処理層を樹脂基板に接着剤で接着させる方法
が開示されている。第１の実施態様では、クロム処理層
は銅箔の粗面あるいはつや消し面に形成される。このク
ロム処理層は、式ＹＲＳｉＸ3で表されるシランカップ
リング剤溶液で処理される。ここで、Ｙは高分子と反応
する官能基、ＲはＹとＳｉとを結合させる鎖状あるいは
環状炭化水素を含有する結合基、およびＸは加水分解可
能な有機基あるいは無機基である。第２の実施態様で
は、まずクロム処理層が銅箔の粗面に形成され、上記の
式で表されるシランカップリング剤に含浸される。いず
れの実施態様でも、処理表面は樹脂基板に接着される。
箔のクロム処理層を樹脂基板に接着剤で接着させる方法
が開示されている。第１の実施態様では、クロム処理層
は銅箔の粗面あるいはつや消し面に形成される。このク
ロム処理層は、式ＹＲＳｉＸ3で表されるシランカップ
リング剤溶液で処理される。ここで、Ｙは高分子と反応
する官能基、ＲはＹとＳｉとを結合させる鎖状あるいは
環状炭化水素を含有する結合基、およびＸは加水分解可
能な有機基あるいは無機基である。第２の実施態様で
は、まずクロム処理層が銅箔の粗面に形成され、上記の
式で表されるシランカップリング剤に含浸される。いず
れの実施態様でも、処理表面は樹脂基板に接着される。
【０００８】特公平（公告）第2-19994号公報には、印
刷回路の製造に用いられ、粗面あるいはつや消し面上に
亜鉛あるいは亜鉛合金層が形成されている銅箔が開示さ
れている。クロム処理層は亜鉛あるいは亜鉛合金層上に
形成される。このクロム処理層は、式ＹＲＳｉＸ3で表
されるシランカップリング剤で処理される。ここで、Ｙ
は高分子と反応する官能基、ＲはＹとＳｉとを結合させ
る鎖状あるいは環状炭化水素を含有する結合基、および
Ｘは加水分解可能な有機基あるいは無機基である。
刷回路の製造に用いられ、粗面あるいはつや消し面上に
亜鉛あるいは亜鉛合金層が形成されている銅箔が開示さ
れている。クロム処理層は亜鉛あるいは亜鉛合金層上に
形成される。このクロム処理層は、式ＹＲＳｉＸ3で表
されるシランカップリング剤で処理される。ここで、Ｙ
は高分子と反応する官能基、ＲはＹとＳｉとを結合させ
る鎖状あるいは環状炭化水素を含有する結合基、および
Ｘは加水分解可能な有機基あるいは無機基である。
【０００９】米国特許第5,071,520号には、曇り止め処
理を施し、加工された銅箔あるいは電解蒸着した銅箔の
剥離強度を改善する技術が開示されている。曇り止め処
理は、クロムあるいはクロムと亜鉛との組み合せを使用
して行われる。次に、処理された箔は、シランカップリ
ング剤ですすがれる。
理を施し、加工された銅箔あるいは電解蒸着した銅箔の
剥離強度を改善する技術が開示されている。曇り止め処
理は、クロムあるいはクロムと亜鉛との組み合せを使用
して行われる。次に、処理された箔は、シランカップリ
ング剤ですすがれる。
【００１０】米国特許第3,644,146号には、極めて薄い
耐酸化アミノシラン膜を有する処理銅箔シートにより形
成された、銅被覆ガラスエポキシ積層体が開示されてい
る。銅箔は接着を増強するためにその接着面が薬品で処
理され、その結果、結合し、銅箔表面の結晶粒組織の一
部を形成する酸化銅となる。アミノシラン膜は粗い銅表
面を被覆し、有機支持体への酸素の移動および銅箔の酸
化を防ぐ。引例には、酸化の問題が金属にあるならば、
アミノシラン膜は未処理銅箔およびその他のどのような
金属にも塗布し得ることが記載されている。
耐酸化アミノシラン膜を有する処理銅箔シートにより形
成された、銅被覆ガラスエポキシ積層体が開示されてい
る。銅箔は接着を増強するためにその接着面が薬品で処
理され、その結果、結合し、銅箔表面の結晶粒組織の一
部を形成する酸化銅となる。アミノシラン膜は粗い銅表
面を被覆し、有機支持体への酸素の移動および銅箔の酸
化を防ぐ。引例には、酸化の問題が金属にあるならば、
アミノシラン膜は未処理銅箔およびその他のどのような
金属にも塗布し得ることが記載されている。
【００１１】
【発明の要旨】本発明は、少なくとも一面の下に接着性
促進剤を有する金属箔であって、該接着性促進剤は少な
くとも１つのシランカップリング剤を含有し、該接着性
促進層の下に形成される該金属箔のベース表面が、表面
粗さが加えられないことによって特徴付けられる金属箔
に関する。１つの実施態様では、該接着性促進層は、ク
ロムが存在しないことによって特徴付けられる。１つの
実施態様では、該接着性促進層の下に形成される該金属
箔のベース表面は、該ベース表面に付着した亜鉛層もし
くはクロム層が存在しないことによって特徴付けられ
る。
促進剤を有する金属箔であって、該接着性促進剤は少な
くとも１つのシランカップリング剤を含有し、該接着性
促進層の下に形成される該金属箔のベース表面が、表面
粗さが加えられないことによって特徴付けられる金属箔
に関する。１つの実施態様では、該接着性促進層は、ク
ロムが存在しないことによって特徴付けられる。１つの
実施態様では、該接着性促進層の下に形成される該金属
箔のベース表面は、該ベース表面に付着した亜鉛層もし
くはクロム層が存在しないことによって特徴付けられ
る。
【００１２】
【発明の構成】本発明の金属箔は、少なくとも一面に接
着性促進層を有する金属箔であって、該接着性促進層
が、少なくとも１つのシランカップリング剤を含有し、
クロムが存在しないことによって特徴づけられ、該接着
性促進層の下に形成される該金属箔のベース表面が、表
面粗さが加えられないこと、または該ベース表面に付着
した亜鉛層もしくはクロム層が存在しないことによって
特徴づけられる。
着性促進層を有する金属箔であって、該接着性促進層
が、少なくとも１つのシランカップリング剤を含有し、
クロムが存在しないことによって特徴づけられ、該接着
性促進層の下に形成される該金属箔のベース表面が、表
面粗さが加えられないこと、または該ベース表面に付着
した亜鉛層もしくはクロム層が存在しないことによって
特徴づけられる。
【００１３】好適な実施態様においては、上記金属箔が
つや消し面と光沢面とを有し、上記接着性促進層が該つ
や消し面上に形成されている。
つや消し面と光沢面とを有し、上記接着性促進層が該つ
や消し面上に形成されている。
【００１４】好適な実施態様においては、上記金属箔が
つや消し面と光沢面とを有し、上記接着性促進層が該光
沢面上に形成されている。
つや消し面と光沢面とを有し、上記接着性促進層が該光
沢面上に形成されている。
【００１５】好適な実施態様においては、上記金属箔の
上記一面に上記接着性促進層を形成する前に、該金属箔
の該一面は処理されない。
上記一面に上記接着性促進層を形成する前に、該金属箔
の該一面は処理されない。
【００１６】好適な実施態様においては、上記接着性促
進層が上記金属箔の両面に形成されている。
進層が上記金属箔の両面に形成されている。
【００１７】好適な実施態様においては、上記金属箔が
電着銅箔である。
電着銅箔である。
【００１８】好適な実施態様においては、上記金属箔が
錬銅箔である。
錬銅箔である。
【００１９】好適な実施態様においては、上記金属箔の
上記一面が、標準プロフィル面である。
上記一面が、標準プロフィル面である。
【００２０】好適な実施態様においては、上記金属箔の
上記一面が低プロフィル面である。好適な実施態様にお
いては、上記金属箔の上記一面が、超低プロフィル面で
ある。
上記一面が低プロフィル面である。好適な実施態様にお
いては、上記金属箔の上記一面が、超低プロフィル面で
ある。
【００２１】好適な実施態様においては、上記シランカ
ップリング剤が以下の式で示される少なくとも１つの化
合物であり、
ップリング剤が以下の式で示される少なくとも１つの化
合物であり、
【００２２】
【化９】
【００２３】ここで、Ｒは官能基で置換された炭化水素
基であり、該官能基で置換された炭化水素基の官能置換
基はアミノ、ヒドロキシ、ハロ、メルカプト、アルコキ
シ、アシルまたはエポキシであり、Ｘは加水分解性基で
あり、ｎは１、２または３である。
基であり、該官能基で置換された炭化水素基の官能置換
基はアミノ、ヒドロキシ、ハロ、メルカプト、アルコキ
シ、アシルまたはエポキシであり、Ｘは加水分解性基で
あり、ｎは１、２または３である。
【００２４】好適な実施態様においては、上記シランカ
ップリング剤は、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、３−（Ｎ−スチリルメ
チル−２−アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシ
シラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス
（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピ
ルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキ
シシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキ
シシラン、ビニル−トリス（２−メトキシエトキシ）シ
ラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−メチル
アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニルアミ
ノプロピルトリメトキシシラン、３−アセトキシプロピ
ルトリメトキシシラン、Ｎ−（３−アクリルオキシ−２
−ヒドロキシプロピル）−３−アミノプロピルトリエト
キシシラン、３−アクリルオキシプロピルトリメトキシ
シラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリメトキ
シシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、（ア
ミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−（２−アミノエチル−３−アミノプロピル）ト
リメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル−３−アミ
ノプロピル）トリス（２−エチルヘキソキシ）シラン、
６−（アミノヘキシルアミノプロピル）トリメトキシシ
ラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、３−（１−
アミノプロポキシ）−３，３−ジメチル−１−プロペニ
ルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリス（メ
トキシエトキシエトキシ）シラン、３−アミノプロピル
トリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、ω−アミノウンデシルトリメトキシシラン、３
−［２−Ｎ−ベンジルアミノエチルアミノプロピル］ト
リメトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３
−アミノプロピルトリエトキシシラン、８−ブロモオク
チルトリメトキシシラン、ブロモフェニルトリメトキシ
シラン、３−ブロモプロピルトリメトキシシラン、２−
クロロエチルトリエトキシシラン、ｐ−（クロロメチ
ル）フェニルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエ
トキシシラン、クロロフェニルトリエトキシシラン、３
−クロロプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロ
ピルトリメトキシシラン、２−（４−クロロスルホニル
フェニル）エチルトリメトキシシラン、３−（シアノエ
トキシ）−３，３−ジメチル−１−プロペニルトリメト
キシシラン、２−シアノエチルトリエトキシシラン、２
−シアノエチルトリメトキシシラン、（シアノメチルフ
ェネチル）トリメトキシシラン、３−シアノプロピルト
リエトキシシラン、３−シクロペンタジエニルプロピル
トリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−アミノ
プロピル）トリメトキシシラン、ジエチルホスファトエ
チルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−ア
ミノプロピル）トリメトキシシラン、２−（ジフェニル
ホスフィノ）エチルトリエトキシシラン、２−（３，４
−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラ
ン、３−ヨードプロピルトリメトキシシラン、３−イソ
シアナートプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプ
トプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピ
ルトリメトキシシラン、メタクリルオキシプロペニルト
リメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリ
メトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリス
（メトキシエトキシ）シラン、３−メトキシプロピルト
リメトキシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキ
シシラン、Ｏ−４−メチルクマリニル−Ｎ−［３−（ト
リエトキシシリル）プロピル］カルバメート、７−オク
タン−１ーエニルトリメトキシシラン、Ｎ−フェネチル
−Ｎ’−トリエトキシシリルプロピル、Ｎ−フェニルア
ミノプロピルトリメトキシシラン、３−（Ｎ−スチリル
メチル−２−アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキ
シシラン、３−チオシアナートプロピルトリエトキシシ
ラン、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）アセチ
ルグリシンアミド、Ｎ−（トリエトキシシリルプロピ
ル）ダンシルアミド、Ｎ−［３−（トリエトキシシリ
ル）プロピル］−２，４−ジニトロフェニルアミン、ト
リエトキシシリルプロピルエチルカルバメート、Ｎ−
［３−（トリエトキシシリル）プロピル］−４，５−ジ
ヒドロイミダゾール、Ｎ−トリエトキシシリルプロピル
−ｏーメントカルバメート、３−（トリエトキシシリル
プロピル）−ｐ−ニトロベンズアミド、Ｎ−［３−（ト
リエトキシシリル）プロピル］フタルアミド酸、Ｎ−
（トリエトキシシリロプロピル）尿素、１−トリメトキ
シシリル−２−（ｐ，ｍ−クロロメチル）−フェニルエ
タン、２−（トリメトキシシリル）−エチルフェニルス
ルホニルアジド、β−トリメトキシシリルエチル−２−
ピリジン、トリメトキシシリルオクチルトリメチルアン
モニウムブロマイド、トリメトキシシリルプロピルシン
ナメート、Ｎ（３−トリメトキシシリルプロピル）−Ｎ
−メチル−Ｎ，Ｎ−ジアリルアンモニウムクロライド、
トリメトキシシリルプロピルジエチレントリアミン、Ｎ
−［（３−トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジ
アミン三酢酸三ナトリウム塩、トリメトキシシリルプロ
ピルイソチオウロニウムクロライド、Ｎ−（３−トリメ
トキシシリルプロピル）ピロール、Ｎ−トリメトキシシ
リルプロピルトリ−Ｎ−ブチルアンモニウムブロマイ
ド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−ト
リメチルアンモニウムクロライド、ビニルトリエトキシ
シラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリ
メトキシシラン、ビニルトリス−ｔ−ブトキシシラン、
ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、ビニル
トリイソプロペノキシシラン、ビニルトリス（ｔ−ブチ
ルペルオキシ）シラン、２−アセトキシエチルトリクロ
ロシラン、３−アクリルオキシプロピルトリクロロシラ
ン、アリルトリクロロシラン、８−ブロモオクチルトリ
クロロシラン、ブロモフェニルトリクロロシラン、３−
ブロモプロピルトリクロロシラン、２−（カルボメトキ
シ）エチルトリクロロシラン、１−クロロエチルトリク
ロロシラン、２−クロロエチルトリクロロシラン、ｐ−
（クロロメチル）フェニルトリクロロシラン、クロロメ
チルトリクロロシラン、クロロフェニルトリクロロシラ
ン、３−クロロプロピルトリクロロシラン、２−（４−
クロロスルホニルフェニル）エチルトリクロロシラン、
（３−シアノブチル）トリクロロシラン、２−シアノエ
チルトリクロロシラン、３−シアノプロピルトリクロロ
シラン、（ジクロロメチル）トリクロロシラン、（ジク
ロロフェニル）トリクロロシラン、６−ヘキサン−１−
エニルトリクロロシラン、３−メタクリルオキシプロピ
ルトリクロロシラン、３−（４−メトキシフェニル）プ
ロピルトリクロロシラン、７−オクタン−１−エニルト
リクロロシラン、３−（Ｎ−フタルイミド）プロピルト
リクロロシラン、１−トリクロロシリル−２−（ｐ，ｍ
−クロロメチルフェニル）エタン、４−［２−（トリク
ロロシリル）エチル］シクロヘキセン、２−［２−（ト
リクロロシリル）エチル］ピリジン、４−［２−（トリ
クロロシリル）エチル］ピリジン、３−（トリクロロシ
リル）プロピルクロロフォルメート、およびビニルトリ
クロロシランからなる群から選択される少なくとも１つ
の化合物である。
ップリング剤は、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、３−（Ｎ−スチリルメ
チル−２−アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシ
シラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス
（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピ
ルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキ
シシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキ
シシラン、ビニル−トリス（２−メトキシエトキシ）シ
ラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−メチル
アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニルアミ
ノプロピルトリメトキシシラン、３−アセトキシプロピ
ルトリメトキシシラン、Ｎ−（３−アクリルオキシ−２
−ヒドロキシプロピル）−３−アミノプロピルトリエト
キシシラン、３−アクリルオキシプロピルトリメトキシ
シラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリメトキ
シシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、（ア
ミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−（２−アミノエチル−３−アミノプロピル）ト
リメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル−３−アミ
ノプロピル）トリス（２−エチルヘキソキシ）シラン、
６−（アミノヘキシルアミノプロピル）トリメトキシシ
ラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、３−（１−
アミノプロポキシ）−３，３−ジメチル−１−プロペニ
ルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリス（メ
トキシエトキシエトキシ）シラン、３−アミノプロピル
トリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、ω−アミノウンデシルトリメトキシシラン、３
−［２−Ｎ−ベンジルアミノエチルアミノプロピル］ト
リメトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３
−アミノプロピルトリエトキシシラン、８−ブロモオク
チルトリメトキシシラン、ブロモフェニルトリメトキシ
シラン、３−ブロモプロピルトリメトキシシラン、２−
クロロエチルトリエトキシシラン、ｐ−（クロロメチ
ル）フェニルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエ
トキシシラン、クロロフェニルトリエトキシシラン、３
−クロロプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロ
ピルトリメトキシシラン、２−（４−クロロスルホニル
フェニル）エチルトリメトキシシラン、３−（シアノエ
トキシ）−３，３−ジメチル−１−プロペニルトリメト
キシシラン、２−シアノエチルトリエトキシシラン、２
−シアノエチルトリメトキシシラン、（シアノメチルフ
ェネチル）トリメトキシシラン、３−シアノプロピルト
リエトキシシラン、３−シクロペンタジエニルプロピル
トリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−アミノ
プロピル）トリメトキシシラン、ジエチルホスファトエ
チルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−ア
ミノプロピル）トリメトキシシラン、２−（ジフェニル
ホスフィノ）エチルトリエトキシシラン、２−（３，４
−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラ
ン、３−ヨードプロピルトリメトキシシラン、３−イソ
シアナートプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプ
トプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピ
ルトリメトキシシラン、メタクリルオキシプロペニルト
リメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリ
メトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリス
（メトキシエトキシ）シラン、３−メトキシプロピルト
リメトキシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキ
シシラン、Ｏ−４−メチルクマリニル−Ｎ−［３−（ト
リエトキシシリル）プロピル］カルバメート、７−オク
タン−１ーエニルトリメトキシシラン、Ｎ−フェネチル
−Ｎ’−トリエトキシシリルプロピル、Ｎ−フェニルア
ミノプロピルトリメトキシシラン、３−（Ｎ−スチリル
メチル−２−アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキ
シシラン、３−チオシアナートプロピルトリエトキシシ
ラン、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）アセチ
ルグリシンアミド、Ｎ−（トリエトキシシリルプロピ
ル）ダンシルアミド、Ｎ−［３−（トリエトキシシリ
ル）プロピル］−２，４−ジニトロフェニルアミン、ト
リエトキシシリルプロピルエチルカルバメート、Ｎ−
［３−（トリエトキシシリル）プロピル］−４，５−ジ
ヒドロイミダゾール、Ｎ−トリエトキシシリルプロピル
−ｏーメントカルバメート、３−（トリエトキシシリル
プロピル）−ｐ−ニトロベンズアミド、Ｎ−［３−（ト
リエトキシシリル）プロピル］フタルアミド酸、Ｎ−
（トリエトキシシリロプロピル）尿素、１−トリメトキ
シシリル−２−（ｐ，ｍ−クロロメチル）−フェニルエ
タン、２−（トリメトキシシリル）−エチルフェニルス
ルホニルアジド、β−トリメトキシシリルエチル−２−
ピリジン、トリメトキシシリルオクチルトリメチルアン
モニウムブロマイド、トリメトキシシリルプロピルシン
ナメート、Ｎ（３−トリメトキシシリルプロピル）−Ｎ
−メチル−Ｎ，Ｎ−ジアリルアンモニウムクロライド、
トリメトキシシリルプロピルジエチレントリアミン、Ｎ
−［（３−トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジ
アミン三酢酸三ナトリウム塩、トリメトキシシリルプロ
ピルイソチオウロニウムクロライド、Ｎ−（３−トリメ
トキシシリルプロピル）ピロール、Ｎ−トリメトキシシ
リルプロピルトリ−Ｎ−ブチルアンモニウムブロマイ
ド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−ト
リメチルアンモニウムクロライド、ビニルトリエトキシ
シラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリ
メトキシシラン、ビニルトリス−ｔ−ブトキシシラン、
ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、ビニル
トリイソプロペノキシシラン、ビニルトリス（ｔ−ブチ
ルペルオキシ）シラン、２−アセトキシエチルトリクロ
ロシラン、３−アクリルオキシプロピルトリクロロシラ
ン、アリルトリクロロシラン、８−ブロモオクチルトリ
クロロシラン、ブロモフェニルトリクロロシラン、３−
ブロモプロピルトリクロロシラン、２−（カルボメトキ
シ）エチルトリクロロシラン、１−クロロエチルトリク
ロロシラン、２−クロロエチルトリクロロシラン、ｐ−
（クロロメチル）フェニルトリクロロシラン、クロロメ
チルトリクロロシラン、クロロフェニルトリクロロシラ
ン、３−クロロプロピルトリクロロシラン、２−（４−
クロロスルホニルフェニル）エチルトリクロロシラン、
（３−シアノブチル）トリクロロシラン、２−シアノエ
チルトリクロロシラン、３−シアノプロピルトリクロロ
シラン、（ジクロロメチル）トリクロロシラン、（ジク
ロロフェニル）トリクロロシラン、６−ヘキサン−１−
エニルトリクロロシラン、３−メタクリルオキシプロピ
ルトリクロロシラン、３−（４−メトキシフェニル）プ
ロピルトリクロロシラン、７−オクタン−１−エニルト
リクロロシラン、３−（Ｎ−フタルイミド）プロピルト
リクロロシラン、１−トリクロロシリル−２−（ｐ，ｍ
−クロロメチルフェニル）エタン、４−［２−（トリク
ロロシリル）エチル］シクロヘキセン、２−［２−（ト
リクロロシリル）エチル］ピリジン、４−［２−（トリ
クロロシリル）エチル］ピリジン、３−（トリクロロシ
リル）プロピルクロロフォルメート、およびビニルトリ
クロロシランからなる群から選択される少なくとも１つ
の化合物である。
【００２５】好適な実施態様においては、上記シランカ
ップリング剤が以下の式で示される少なくとも１つの化
合物であり、
ップリング剤が以下の式で示される少なくとも１つの化
合物であり、
【００２６】
【化１０】
【００２７】ここで、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は独立して水
素または炭化水素基であり、Ｒ4およびＲ5は独立してア
ルキレン基またはアルキリデン基であり、Ｒ6、Ｒ7およ
びＲ8は独立して炭化水素基である。
素または炭化水素基であり、Ｒ4およびＲ5は独立してア
ルキレン基またはアルキリデン基であり、Ｒ6、Ｒ7およ
びＲ8は独立して炭化水素基である。
【００２８】好適な実施態様においては、上記シランカ
ップリング剤が以下の式で示される少なくとも１つの化
合物であり、
ップリング剤が以下の式で示される少なくとも１つの化
合物であり、
【００２９】
【化１１】
【００３０】ここで、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は独立して水
素または炭化水素基であり、Ｒ4はアルキレン基または
アルキリデン基であり、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は独立して
炭化水素基である。
素または炭化水素基であり、Ｒ4はアルキレン基または
アルキリデン基であり、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は独立して
炭化水素基である。
【００３１】好適な実施態様においては、上記シランカ
ップリング剤が以下の式で示される少なくとも１つの化
合物であり、
ップリング剤が以下の式で示される少なくとも１つの化
合物であり、
【００３２】
【化１２】
【００３３】ここで、Ｒ1およびＲ2は独立して水素また
は炭化水素基であり、Ｒ3はアルキレン基またはアルキ
リデン基であり、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は独立してヒドロ
カルビル基である。
は炭化水素基であり、Ｒ3はアルキレン基またはアルキ
リデン基であり、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は独立してヒドロ
カルビル基である。
【００３４】好適な実施態様においては、上記シランカ
ップリング剤が以下の式で示される少なくとも１つの化
合物であり、
ップリング剤が以下の式で示される少なくとも１つの化
合物であり、
【００３５】
【化１３】
【００３６】ここで、Ｒ1、Ｒ2およびＲ4は独立して水
素または炭化水素基であり、Ｒ3およびＲ5は独立してア
ルキレン基またはアルキリデン基であり、Ｒ6、Ｒ7およ
びＲ8は独立して炭化水素基である。
素または炭化水素基であり、Ｒ3およびＲ5は独立してア
ルキレン基またはアルキリデン基であり、Ｒ6、Ｒ7およ
びＲ8は独立して炭化水素基である。
【００３７】好適な実施態様においては、上記シランカ
ップリング剤が以下の式で示される少なくとも１つの化
合物であり、
ップリング剤が以下の式で示される少なくとも１つの化
合物であり、
【００３８】
【化１４】
【００３９】ここで、Ｒ1は水素または炭化水素基であ
り、Ｒ2はアルキレン基またはアルキリデン基であり、
Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は独立して炭化水素基である。
り、Ｒ2はアルキレン基またはアルキリデン基であり、
Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は独立して炭化水素基である。
【００４０】好適な実施態様においては、上記シランカ
ップリング剤が以下の式で示される少なくとも１つの化
合物であり、
ップリング剤が以下の式で示される少なくとも１つの化
合物であり、
【００４１】
【化１５】
【００４２】ここで、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5およびＲ7は
独立して水素または炭化水素基であり、Ｒ4、Ｒ6および
Ｒ8は独立してアルキレン基またはアルキリデン基であ
り、各Ｒ9は独立して炭化水素基であり、Ａｒは芳香族
基であり、Ｘはハロゲンである。 好適な実施態様にお
いては、上記シランカップリング剤が以下の式で示され
る少なくとも１つの化合物であり、
独立して水素または炭化水素基であり、Ｒ4、Ｒ6および
Ｒ8は独立してアルキレン基またはアルキリデン基であ
り、各Ｒ9は独立して炭化水素基であり、Ａｒは芳香族
基であり、Ｘはハロゲンである。 好適な実施態様にお
いては、上記シランカップリング剤が以下の式で示され
る少なくとも１つの化合物であり、
【００４３】
【化１６】
【００４４】ここで、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ6および
Ｒ7は独立して炭化水素基であり、Ｒ4はアルキレン基ま
たはアルキリデン基であり、ｎは０または１である。
Ｒ7は独立して炭化水素基であり、Ｒ4はアルキレン基ま
たはアルキリデン基であり、ｎは０または１である。
【００４５】好適な実施態様においては、上記シランカ
ップリング剤が、アミノプロピルトリメトキシシラン、
テトラエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）
−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−（Ｎ−
スチリルメチル−２−アミノエチルアミン）プロピルト
リメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキシシ
ラン、２−（２−アミノエチル−３−アミノプロピル）
トリメトキシシラン、およびＮ−フェニルアミノプロピ
ルトリメトキシシランからなる群から選択される。
ップリング剤が、アミノプロピルトリメトキシシラン、
テトラエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）
−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−（Ｎ−
スチリルメチル−２−アミノエチルアミン）プロピルト
リメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキシシ
ラン、２−（２−アミノエチル−３−アミノプロピル）
トリメトキシシラン、およびＮ−フェニルアミノプロピ
ルトリメトキシシランからなる群から選択される。
【００４６】好適な実施態様においては、上記シランカ
ップリング剤がシランカップリング剤の混合物であっ
て、該混合物は、 （Ａ）３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランお
よびフェニルトリエトキシシラン； （Ｂ）Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキシシランお
よびクロロプロピルトリメトキシシラン； （Ｃ）３−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミノエチルア
ミノ）プロピルトリメトキシシランおよびＮ−メチルア
ミノプロピルトリメトキシシラン；または （Ｄ）３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランお
よびＮ−メチルアミノプロピルトリメトキシシランであ
る。
ップリング剤がシランカップリング剤の混合物であっ
て、該混合物は、 （Ａ）３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランお
よびフェニルトリエトキシシラン； （Ｂ）Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキシシランお
よびクロロプロピルトリメトキシシラン； （Ｃ）３−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミノエチルア
ミノ）プロピルトリメトキシシランおよびＮ−メチルア
ミノプロピルトリメトキシシラン；または （Ｄ）３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランお
よびＮ−メチルアミノプロピルトリメトキシシランであ
る。
【００４７】好適な実施態様においては、少なくとも１
つの金属層が、上記金属箔の上記一面と、上記接着性促
進層との間に設けられ、該金属層中の金属が、インジウ
ム、錫、ニッケル、コバルト、真鍮、青銅、または２個
以上のこれらの金属の混合物からなる群から選択され
る。
つの金属層が、上記金属箔の上記一面と、上記接着性促
進層との間に設けられ、該金属層中の金属が、インジウ
ム、錫、ニッケル、コバルト、真鍮、青銅、または２個
以上のこれらの金属の混合物からなる群から選択され
る。
【００４８】好適な実施態様においては、少なくとも１
つの金属層が、上記金属箔の上記一面と、上記接着性促
進層との間に設けられ、該金属層中の金属が、錫、クロ
ム−亜鉛混合物、ニッケル、モリブデン、アルミニウ
ム、および２個以上のこれらの金属の混合物からなる群
から選択される。
つの金属層が、上記金属箔の上記一面と、上記接着性促
進層との間に設けられ、該金属層中の金属が、錫、クロ
ム−亜鉛混合物、ニッケル、モリブデン、アルミニウ
ム、および２個以上のこれらの金属の混合物からなる群
から選択される。
【００４９】好適な実施態様においては、少なくとも１
つの第１金属層が上記金属箔の上記一面に接着され、該
第１金属層中の金属が、インジウム、錫、ニッケル、コ
バルト、真鍮および青銅からなる群から選択され、少な
くとも１つの第２金属層が該第１金属層に接着され、該
第２金属層中の金属が、錫、クロム、クロム−亜鉛混合
物、亜鉛、ニッケル、モリブデン、アルミニウム、およ
び２個以上のこれらの金属の混合物からなる群から選択
され、該接着性促進層が、該第２金属層に接着されてい
る。
つの第１金属層が上記金属箔の上記一面に接着され、該
第１金属層中の金属が、インジウム、錫、ニッケル、コ
バルト、真鍮および青銅からなる群から選択され、少な
くとも１つの第２金属層が該第１金属層に接着され、該
第２金属層中の金属が、錫、クロム、クロム−亜鉛混合
物、亜鉛、ニッケル、モリブデン、アルミニウム、およ
び２個以上のこれらの金属の混合物からなる群から選択
され、該接着性促進層が、該第２金属層に接着されてい
る。
【００５０】本発明の銅箔は、つや消し面と、光沢面
と、該光沢面上に形成されている接着性促進層とを有す
る銅箔であって、該接着性促進層が少なくとも１つのシ
ランカップリング剤を含有し、該接着性促進層の下に形
成されている該銅箔のベース表面が、表面粗さを加えら
れないことによって特徴づけられる。
と、該光沢面上に形成されている接着性促進層とを有す
る銅箔であって、該接着性促進層が少なくとも１つのシ
ランカップリング剤を含有し、該接着性促進層の下に形
成されている該銅箔のベース表面が、表面粗さを加えら
れないことによって特徴づけられる。
【００５１】本発明の銅箔は、つや消し面と、光沢面
と、該光沢面上に形成されている接着性促進層とを有す
る銅箔であって、該接着性促進層が少なくとも１つのシ
ランカップリング剤を含有し、該光沢面のベース表面
が、表面粗さが加えられないこと、および該ベース表面
に付与された亜鉛層が存在しないことによって特徴づけ
られる。
と、該光沢面上に形成されている接着性促進層とを有す
る銅箔であって、該接着性促進層が少なくとも１つのシ
ランカップリング剤を含有し、該光沢面のベース表面
が、表面粗さが加えられないこと、および該ベース表面
に付与された亜鉛層が存在しないことによって特徴づけ
られる。
【００５２】本発明の金属箔は、少なくとも一面に接着
性促進層を有する金属箔であって、該接着性促進層が、
少なくとも１つのシランカップリング剤を含有し、クロ
ムが存在しないことによって特徴づけられ、該シランカ
ップリング剤が３−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン以外のものであり、該接着性促進層の下に形成さ
れている該金属箔のベース表面が、表面粗さが加えられ
ないこと、または該ベース表面に付着した亜鉛層もしく
はクロム層が存在しないことによって特徴づけられる。
性促進層を有する金属箔であって、該接着性促進層が、
少なくとも１つのシランカップリング剤を含有し、クロ
ムが存在しないことによって特徴づけられ、該シランカ
ップリング剤が３−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン以外のものであり、該接着性促進層の下に形成さ
れている該金属箔のベース表面が、表面粗さが加えられ
ないこと、または該ベース表面に付着した亜鉛層もしく
はクロム層が存在しないことによって特徴づけられる。
【００５３】本発明の銅箔は、つや消し面と、光沢面
と、該光沢面上に形成されている接着性促進層とを有す
る銅箔であって、該接着性促進層が少なくとも１つのシ
ランカップリング剤を含有し、該シランカップリング剤
が３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン以外の
ものであり、該接着性促進層の下に形成されている該金
属箔のベース表面が、表面粗さが加えられないことによ
って特徴づけられる。
と、該光沢面上に形成されている接着性促進層とを有す
る銅箔であって、該接着性促進層が少なくとも１つのシ
ランカップリング剤を含有し、該シランカップリング剤
が３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン以外の
ものであり、該接着性促進層の下に形成されている該金
属箔のベース表面が、表面粗さが加えられないことによ
って特徴づけられる。
【００５４】本発明の電着銅箔は、少なくとも一面に接
着性促進層を有する電着銅箔であって、該接着性促進層
が少なくとも１つのシランカップリング剤を含有し、ク
ロムが存在しないことによって特徴づけられ、該接着性
促進層の下に形成されている該銅箔のベース表面が、表
面粗さが加えられないこと、または該ベース表面に付着
した亜鉛層もしくはクロム層が存在しないことによって
特徴づけられ、該ベース表面が、該ベース表面に付着し
た少なくとも１つの金属層を有し、該金属層中の金属
が、インジウム、錫、ニッケル、コバルト、真鍮、青銅
または２個以上のこれらの金属の混合物からなる群から
選択され、該接着性促進層が該金属層に付着している。
着性促進層を有する電着銅箔であって、該接着性促進層
が少なくとも１つのシランカップリング剤を含有し、ク
ロムが存在しないことによって特徴づけられ、該接着性
促進層の下に形成されている該銅箔のベース表面が、表
面粗さが加えられないこと、または該ベース表面に付着
した亜鉛層もしくはクロム層が存在しないことによって
特徴づけられ、該ベース表面が、該ベース表面に付着し
た少なくとも１つの金属層を有し、該金属層中の金属
が、インジウム、錫、ニッケル、コバルト、真鍮、青銅
または２個以上のこれらの金属の混合物からなる群から
選択され、該接着性促進層が該金属層に付着している。
【００５５】本発明の電着銅箔は、少なくとも一面に接
着性促進層を有する電着銅箔であって、該接着性促進層
が少なくとも１つのシランカップリング剤を含有し、ク
ロムが存在しないことによって特徴づけられ、該接着性
促進層の下に形成されている該銅箔のベース表面が、表
面粗さが加えられないこと、または該ベース表面に付着
した亜鉛層もしくはクロム層が存在しないことによって
特徴づけられ、該ベース表面が、該ベース表面に付着し
た少なくとも１つの金属層を有し、該金属層中の金属
が、錫、クロム−亜鉛混合物、ニッケル、モリブデン、
アルミニウム、および２個以上のこれらの金属の混合物
からなる群から選択され、該接着性促進層が該金属層に
付着している。
着性促進層を有する電着銅箔であって、該接着性促進層
が少なくとも１つのシランカップリング剤を含有し、ク
ロムが存在しないことによって特徴づけられ、該接着性
促進層の下に形成されている該銅箔のベース表面が、表
面粗さが加えられないこと、または該ベース表面に付着
した亜鉛層もしくはクロム層が存在しないことによって
特徴づけられ、該ベース表面が、該ベース表面に付着し
た少なくとも１つの金属層を有し、該金属層中の金属
が、錫、クロム−亜鉛混合物、ニッケル、モリブデン、
アルミニウム、および２個以上のこれらの金属の混合物
からなる群から選択され、該接着性促進層が該金属層に
付着している。
【００５６】本発明の電着銅箔は、少なくとも一面に接
着性促進層を有する電着銅箔であって、該接着性促進層
が少なくとも１つのシランカップリング剤を含有し、ク
ロムが存在しないことによって特徴づけられ、該接着性
促進層の下に形成されている該銅箔のベース表面が、表
面粗さが加えられないこと、または該ベース表面に付着
した亜鉛層もしくはクロム層が存在しないことによって
特徴づけられ、該ベース表面が該ベース表面に付着した
少なくとも１つの第１金属層を有し、該第１金属層中の
金属が、インジウム、錫、ニッケル、コバルト、真鍮お
よび青銅からなる群から選択され、少なくとも１つの第
２金属層が該第１金属層に接着され、該第２金属層中の
金属が、錫、クロム、クロム−亜鉛混合物、亜鉛、ニッ
ケル、モリブデン、アルミニウム、および２個以上のこ
れらの金属の混合物からなる群から選択され、該接着性
促進層が、該第２金属層に接着されている。
着性促進層を有する電着銅箔であって、該接着性促進層
が少なくとも１つのシランカップリング剤を含有し、ク
ロムが存在しないことによって特徴づけられ、該接着性
促進層の下に形成されている該銅箔のベース表面が、表
面粗さが加えられないこと、または該ベース表面に付着
した亜鉛層もしくはクロム層が存在しないことによって
特徴づけられ、該ベース表面が該ベース表面に付着した
少なくとも１つの第１金属層を有し、該第１金属層中の
金属が、インジウム、錫、ニッケル、コバルト、真鍮お
よび青銅からなる群から選択され、少なくとも１つの第
２金属層が該第１金属層に接着され、該第２金属層中の
金属が、錫、クロム、クロム−亜鉛混合物、亜鉛、ニッ
ケル、モリブデン、アルミニウム、および２個以上のこ
れらの金属の混合物からなる群から選択され、該接着性
促進層が、該第２金属層に接着されている。
【００５７】本発明の電着銅箔は、少なくとも一面に低
プロフィル表面と、接着性促進層とを有する電着銅箔で
あって、該接着性促進層が少なくとも１つのシランカッ
プリング剤を含有し、クロムが存在しないことによって
特徴づけられ、該接着性促進層の下に形成されている該
銅箔のベース表面が、表面粗さが加えられないこと、ま
たは該ベース表面に接着された亜鉛層もしくはクロム層
が存在しないことによって特徴づけられる。
プロフィル表面と、接着性促進層とを有する電着銅箔で
あって、該接着性促進層が少なくとも１つのシランカッ
プリング剤を含有し、クロムが存在しないことによって
特徴づけられ、該接着性促進層の下に形成されている該
銅箔のベース表面が、表面粗さが加えられないこと、ま
たは該ベース表面に接着された亜鉛層もしくはクロム層
が存在しないことによって特徴づけられる。
【００５８】本発明のラミネートは、導電性材料層と、
非導電性材料層と、該導電性材料層と該非導電性材料層
との間に設けられた接着性促進層とを包含するラミネー
トであって、該接着性促進層が少なくとも１つのシラン
カップリング剤を含有し、クロムが存在しないことによ
って特徴づけられ、該接着性促進層の下に形成されてい
る該導電性材料層のベース表面が、表面粗さが加えられ
ないこと、または該ベース表面に接着された亜鉛層もし
くはクロム層が存在しないことによって特徴づけられ
る。
非導電性材料層と、該導電性材料層と該非導電性材料層
との間に設けられた接着性促進層とを包含するラミネー
トであって、該接着性促進層が少なくとも１つのシラン
カップリング剤を含有し、クロムが存在しないことによ
って特徴づけられ、該接着性促進層の下に形成されてい
る該導電性材料層のベース表面が、表面粗さが加えられ
ないこと、または該ベース表面に接着された亜鉛層もし
くはクロム層が存在しないことによって特徴づけられ
る。
【００５９】本発明のエッチングされたラミネートは、
エッチングされた導電性材料層と、非導電材料層と、該
導電材料層と該非導電性材料層との間に設けられ接着さ
れた接着性促進層とを包含するエッチングされたラミネ
ートであって、該接着性促進層が少なくとも１つのシラ
ンカップリング剤を含有し、クロムが存在しないことに
よって特徴づけられ、該接着性促進層の下に存在する該
導電性材料層のベース表面が、表面粗さが加えられない
こと、または該ベース表面に接着された亜鉛層もしくは
クロム層が存在しないことによって特徴づけられる。
エッチングされた導電性材料層と、非導電材料層と、該
導電材料層と該非導電性材料層との間に設けられ接着さ
れた接着性促進層とを包含するエッチングされたラミネ
ートであって、該接着性促進層が少なくとも１つのシラ
ンカップリング剤を含有し、クロムが存在しないことに
よって特徴づけられ、該接着性促進層の下に存在する該
導電性材料層のベース表面が、表面粗さが加えられない
こと、または該ベース表面に接着された亜鉛層もしくは
クロム層が存在しないことによって特徴づけられる。
【００６０】本発明の多層ラミネートは、対向する第１
面と第２面とを有するエッチングされた導電材料層と、
非導電性材料の第１層と、非導電性材料の第２層と、第
１接着性促進層と、第２接着性促進層とを包含するエッ
チングされた多層ラミネートであって、該第１接着性促
進層が、該エッチングされた導電材料層の該第１面と、
該非導電材料の第１層との間に設けられ接着され、該第
２接着性促進層が、該エッチングされた導電材料の該第
２面と、該非導電材料の第２層との間に設けられ、該第
１接着性促進層および該第２接着性促進層が、少なくと
も１つのシランカップリング剤を含有し、クロムが存在
しないことによって特徴づけられ、該第１および第２接
着性促進層の下に形成されている該導電性材料層の該１
面および該２面のベース表面が、表面粗さが加えられな
いこと、または該ベース表面に接着された亜鉛層もしく
はクロム層が存在しないことによって特徴づけられる。
面と第２面とを有するエッチングされた導電材料層と、
非導電性材料の第１層と、非導電性材料の第２層と、第
１接着性促進層と、第２接着性促進層とを包含するエッ
チングされた多層ラミネートであって、該第１接着性促
進層が、該エッチングされた導電材料層の該第１面と、
該非導電材料の第１層との間に設けられ接着され、該第
２接着性促進層が、該エッチングされた導電材料の該第
２面と、該非導電材料の第２層との間に設けられ、該第
１接着性促進層および該第２接着性促進層が、少なくと
も１つのシランカップリング剤を含有し、クロムが存在
しないことによって特徴づけられ、該第１および第２接
着性促進層の下に形成されている該導電性材料層の該１
面および該２面のベース表面が、表面粗さが加えられな
いこと、または該ベース表面に接着された亜鉛層もしく
はクロム層が存在しないことによって特徴づけられる。
【００６１】本発明で用いられる金属箔は、好ましく
は、銅を有する電気的に導電である箔であり、銅ベース
合金箔が特に好ましい。銅箔は、２つの技術のうちの１
つを用いて形成される。加工された銅箔あるいは圧延さ
れた銅箔は、圧延などの工程によって、銅、銅合金のス
トリップあるいは棒の厚さを機械的に減少することによ
って生成される。電着箔は、回転するカソードドラム上
に電解的に銅イオンを蒸着し、次いでカソードから蒸着
したストリップを剥離することによって生成される。電
着銅箔が、特に好ましい。
は、銅を有する電気的に導電である箔であり、銅ベース
合金箔が特に好ましい。銅箔は、２つの技術のうちの１
つを用いて形成される。加工された銅箔あるいは圧延さ
れた銅箔は、圧延などの工程によって、銅、銅合金のス
トリップあるいは棒の厚さを機械的に減少することによ
って生成される。電着箔は、回転するカソードドラム上
に電解的に銅イオンを蒸着し、次いでカソードから蒸着
したストリップを剥離することによって生成される。電
着銅箔が、特に好ましい。
【００６２】金属箔は、典型的に約0.0002インチ〜約0.
02インチの間の範囲の公称の厚さを有する。銅箔厚さは
重さで示されることがあり、典型的に本発明の箔は約1/
8 oz/ft2〜約14 oz/ft2 の範囲の重量、あるいは厚さを
有する。特に、有用な銅箔は、1/2、1あるいは2 oz/ft2
の重量を有する。
02インチの間の範囲の公称の厚さを有する。銅箔厚さは
重さで示されることがあり、典型的に本発明の箔は約1/
8 oz/ft2〜約14 oz/ft2 の範囲の重量、あるいは厚さを
有する。特に、有用な銅箔は、1/2、1あるいは2 oz/ft2
の重量を有する。
【００６３】電着銅箔は、平滑面あるいは光沢（ドラ
ム）面および粗面あるいはつや消し（銅蒸着成長前）面
を有する。接着性促進層は、銅箔のいずれか一方の面に
接着し得るが、ある例では両面に接着する。
ム）面および粗面あるいはつや消し（銅蒸着成長前）面
を有する。接着性促進層は、銅箔のいずれか一方の面に
接着し得るが、ある例では両面に接着する。
【００６４】接着性促進層が接着する（電着あるいは加
工）銅箔の片面あるいは両面は、「標準プロフィル
面」、「低プロフィル面」、あるいは「超低プロフィル
面」であり得る。特に好ましい実施態様では、低プロフ
ィル面、あるいは超低プロフィル面を有する箔が使用さ
れる。用語「標準プロフィル面」は、ここでは、約１０
ミクロン以下のＲtmを有する箔表面を指す。用語「低プ
ロフィル面」は、ここでは、約７ミクロン以下のＲtmを
有する箔表面を指す。用語「超低プロフィル面」は、こ
こでは、約４ミクロン以下のＲtmを有する箔表面を指
す。Ｒtmは、５つの連続するサンプリング測定のそれぞ
れからの最大山―谷の垂直測定の平均であり、Rank Tay
lor Hobson, Ltd., Leicester, England が販売する S
urftronic 3 プロフィロメータを使用して測定し得る。
工）銅箔の片面あるいは両面は、「標準プロフィル
面」、「低プロフィル面」、あるいは「超低プロフィル
面」であり得る。特に好ましい実施態様では、低プロフ
ィル面、あるいは超低プロフィル面を有する箔が使用さ
れる。用語「標準プロフィル面」は、ここでは、約１０
ミクロン以下のＲtmを有する箔表面を指す。用語「低プ
ロフィル面」は、ここでは、約７ミクロン以下のＲtmを
有する箔表面を指す。用語「超低プロフィル面」は、こ
こでは、約４ミクロン以下のＲtmを有する箔表面を指
す。Ｒtmは、５つの連続するサンプリング測定のそれぞ
れからの最大山―谷の垂直測定の平均であり、Rank Tay
lor Hobson, Ltd., Leicester, England が販売する S
urftronic 3 プロフィロメータを使用して測定し得る。
【００６５】本発明の箔は、ベース表面の接着性促進層
が付着する一面あるいは両面に表面粗さが加えられない
ことによってすべて特徴付けられる。箔の面の、用語
「ベース表面」は、箔の特性を改良しまたは高めおよび
/あるいは表面粗さを増加させるための下記で説明する
種類のような後に続く処理が行われない生の箔表面を指
す。用語「加えられた表面粗さ」は、箔の表面の粗さを
増加させる、箔のベース表面にいかなる行われる処理を
も指す。
が付着する一面あるいは両面に表面粗さが加えられない
ことによってすべて特徴付けられる。箔の面の、用語
「ベース表面」は、箔の特性を改良しまたは高めおよび
/あるいは表面粗さを増加させるための下記で説明する
種類のような後に続く処理が行われない生の箔表面を指
す。用語「加えられた表面粗さ」は、箔の表面の粗さを
増加させる、箔のベース表面にいかなる行われる処理を
も指す。
【００６６】表面粗さを加えた処理、それ故に発明に従
って除外される処理には、団塊状あるいは樹枝状に電界
蒸着した銅、および箔のベース表面に団塊状あるいは樹
枝状に成長する酸化銅が含まれる。従って、発明の箔
は、箔のベース表面に与えられる樹枝状銅、団塊状銅、
樹枝状酸化銅、あるいは団塊状酸化銅が存在しないこと
によって特徴付けられる。（ベース表面に自然に発生す
る酸化銅の非樹枝状層、あるいは非団塊状層を有する銅
箔は、本発明の範囲には入らないものとすることに注
意。）１つの実施態様では、圧延の間あるいは標準プロ
フィル表面の粗さを越えて粗さを増加させる後に行われ
る摩耗によって、加工された銅箔に与えられる機械的粗
さは、加えられた表面粗さ処理であると考えられ、従っ
て、発明に従って除外される。１つの実施態様では、標
準プロフィル表面の粗さを越えて粗さを増加させる、電
解蒸着の間に電解蒸着銅箔に与えられる粗さは、加えら
れた表面粗さであると考えられる。１つの実施態様で
は、標準プロフィル表面の粗さを越えて箔の粗さを増加
させる銅箔のベース表面に与えられる粗さは、すべて加
えられた表面粗さ処理であると考えられる。１つの実施
態様では、低プロフィル表面の粗さを越えて箔の粗さを
増加させる銅箔のベース表面に与えられる粗さは、すべ
て加えられた表面粗さ処理であると考えられる。１つの
実施態様では、超低プロフィル表面の粗さを越えて箔の
粗さを増加させる銅箔のベース表面に与えられる粗さ
は、すべて加えられた表面粗さ処理であると考えられ
る。
って除外される処理には、団塊状あるいは樹枝状に電界
蒸着した銅、および箔のベース表面に団塊状あるいは樹
枝状に成長する酸化銅が含まれる。従って、発明の箔
は、箔のベース表面に与えられる樹枝状銅、団塊状銅、
樹枝状酸化銅、あるいは団塊状酸化銅が存在しないこと
によって特徴付けられる。（ベース表面に自然に発生す
る酸化銅の非樹枝状層、あるいは非団塊状層を有する銅
箔は、本発明の範囲には入らないものとすることに注
意。）１つの実施態様では、圧延の間あるいは標準プロ
フィル表面の粗さを越えて粗さを増加させる後に行われ
る摩耗によって、加工された銅箔に与えられる機械的粗
さは、加えられた表面粗さ処理であると考えられ、従っ
て、発明に従って除外される。１つの実施態様では、標
準プロフィル表面の粗さを越えて粗さを増加させる、電
解蒸着の間に電解蒸着銅箔に与えられる粗さは、加えら
れた表面粗さであると考えられる。１つの実施態様で
は、標準プロフィル表面の粗さを越えて箔の粗さを増加
させる銅箔のベース表面に与えられる粗さは、すべて加
えられた表面粗さ処理であると考えられる。１つの実施
態様では、低プロフィル表面の粗さを越えて箔の粗さを
増加させる銅箔のベース表面に与えられる粗さは、すべ
て加えられた表面粗さ処理であると考えられる。１つの
実施態様では、超低プロフィル表面の粗さを越えて箔の
粗さを増加させる銅箔のベース表面に与えられる粗さ
は、すべて加えられた表面粗さ処理であると考えられ
る。
【００６７】１つの実施態様では、本発明の金属箔は、
接着性促進層の下に形成される金属箔のベース表面に付
与される、亜鉛からなる金属層あるいはクロムからなる
金属層が存在しないことによって特徴付けられる。（こ
の限定は、ベース表面に付与される亜鉛とクロムとの混
合物を含む金属層の使用を除外してはいないことに注
意。）１つの実施態様では、接着性促進層が接着する金
属箔の一面あるいは両面のベース表面が、金属箔に接着
性促進層が接着する前に未処理である。用語「未処理」
は、ここでは、箔の特性を改良しまたは高めおよび/あ
るいは表面粗さを増加させるための後に続く処理が行わ
れない、箔のベース表面を指すために用いられている。
１つの実施態様では、未処理箔は自然に発生しベース表
面に接着する酸化銅の非樹枝状層、あるいは酸化銅の非
団塊状層を有する。
接着性促進層の下に形成される金属箔のベース表面に付
与される、亜鉛からなる金属層あるいはクロムからなる
金属層が存在しないことによって特徴付けられる。（こ
の限定は、ベース表面に付与される亜鉛とクロムとの混
合物を含む金属層の使用を除外してはいないことに注
意。）１つの実施態様では、接着性促進層が接着する金
属箔の一面あるいは両面のベース表面が、金属箔に接着
性促進層が接着する前に未処理である。用語「未処理」
は、ここでは、箔の特性を改良しまたは高めおよび/あ
るいは表面粗さを増加させるための後に続く処理が行わ
れない、箔のベース表面を指すために用いられている。
１つの実施態様では、未処理箔は自然に発生しベース表
面に接着する酸化銅の非樹枝状層、あるいは酸化銅の非
団塊状層を有する。
【００６８】１つの実施態様では、接着性促進層を付与
する前に、箔特性を改良しまたは高めるために１個以上
の表面処理層で接着性促進層が接着する箔の一面あるい
は両面のベース表面を処理する。付与される接着性促進
層を有さない箔の面は、また、いずれも付与される１つ
以上の処理層を任意に有し得る。これらの表面処理は、
当該分野で公知である。
する前に、箔特性を改良しまたは高めるために１個以上
の表面処理層で接着性促進層が接着する箔の一面あるい
は両面のベース表面を処理する。付与される接着性促進
層を有さない箔の面は、また、いずれも付与される１つ
以上の処理層を任意に有し得る。これらの表面処理は、
当該分野で公知である。
【００６９】表面処理は箔のベース表面に金属層を付与
することを含み、該金属が、インジウム、錫、ニッケ
ル、コバルト、真鍮、青銅、および２個以上のこれらの
金属の混合物からなる群から選択される。この種の金属
層は、バリヤ層と呼ばれることがある。これらのバリヤ
層は、好ましくは約0.01〜約1ミクロンの範囲の厚さを
有し、より好ましくは約0.05〜約0.1ミクロンの範囲の
厚さを有する。
することを含み、該金属が、インジウム、錫、ニッケ
ル、コバルト、真鍮、青銅、および２個以上のこれらの
金属の混合物からなる群から選択される。この種の金属
層は、バリヤ層と呼ばれることがある。これらのバリヤ
層は、好ましくは約0.01〜約1ミクロンの範囲の厚さを
有し、より好ましくは約0.05〜約0.1ミクロンの範囲の
厚さを有する。
【００７０】表面処理はまた、金属層の付与を含み、該
金属が錫、クロム―亜鉛混合物（以下の実施例では「Ｚ
ｎ＋Ｃｒ」として示される）、ニッケル、モリブデン、
アルミニウム、または２個以上のこれらの金属の混合物
からなる群から選択される。この種の金属膜は、安定剤
層と呼ばれることがある。これらの安定剤層は箔のベー
ス基板に付与され得、あるいはあらかじめ付与されたバ
リヤ層に付与され得る。これらの安定剤層は、好ましく
は約0.005〜約0.05ミクロンの範囲の厚さを有し、より
好ましくは約0.01〜約0.02ミクロンの範囲の厚さを有す
る。
金属が錫、クロム―亜鉛混合物（以下の実施例では「Ｚ
ｎ＋Ｃｒ」として示される）、ニッケル、モリブデン、
アルミニウム、または２個以上のこれらの金属の混合物
からなる群から選択される。この種の金属膜は、安定剤
層と呼ばれることがある。これらの安定剤層は箔のベー
ス基板に付与され得、あるいはあらかじめ付与されたバ
リヤ層に付与され得る。これらの安定剤層は、好ましく
は約0.005〜約0.05ミクロンの範囲の厚さを有し、より
好ましくは約0.01〜約0.02ミクロンの範囲の厚さを有す
る。
【００７１】１つの実施態様では、まず箔の一面あるい
は両面が少なくとも１つのバリヤ層で処理され、次いで
接着性促進層を付与する前に少なくとも処理された面の
片方が少なくとも１つの安定剤層で処理される。次い
で、接着性促進層が安定剤層上に付与される。この実施
態様では、安定剤層は上記の層に加えて、亜鉛層あるい
はクロム層であり得る。
は両面が少なくとも１つのバリヤ層で処理され、次いで
接着性促進層を付与する前に少なくとも処理された面の
片方が少なくとも１つの安定剤層で処理される。次い
で、接着性促進層が安定剤層上に付与される。この実施
態様では、安定剤層は上記の層に加えて、亜鉛層あるい
はクロム層であり得る。
【００７２】接着性促進層は、箔と高分子樹脂基板との
間の接着を増強するために使用される。接着性促進層
は、少なくとも１つのシランカップリング剤を含有す
る。１つの実施態様では、接着性促進層は、混合される
クロムが存在しないことによって特徴付けられる。接着
性促進層は、１つ以上の下記のシランカップリング剤を
箔の少なくとも１面あるいは１つの表面に付与すること
によって形成される。
間の接着を増強するために使用される。接着性促進層
は、少なくとも１つのシランカップリング剤を含有す
る。１つの実施態様では、接着性促進層は、混合される
クロムが存在しないことによって特徴付けられる。接着
性促進層は、１つ以上の下記のシランカップリング剤を
箔の少なくとも１面あるいは１つの表面に付与すること
によって形成される。
【００７３】シランカップリング剤は以下の式で表され
得る。
得る。
【００７４】
【化１７】
【００７５】ここで、Ｒは官能基で置換された炭化水素
基であり、該官能基で置換された炭化水素基の官能置換
基が、アミノ、ヒドロキシ、ハロ、メルカプト、アルコ
キシ、アシルまたはエポキシであり、Ｘはアルコキシ
（例えば、メトキシ、エトキシなど）あるいはハロゲン
（例えば、塩素）などの加水分解性基であり、ｎは１、
２または３であり、好ましくはｎは３である。上記の式
で表されるシランカップリング剤は、ハロシラン、アミ
ノアルコキシシラン、アミノフェニルシラン、フェニル
シラン、塩素環式シラン、Ｎ‐塩素環式シラン、アクリ
ル酸シラン、メルカプトシラン、およびこれらの中の２
種以上の混合物を含む。
基であり、該官能基で置換された炭化水素基の官能置換
基が、アミノ、ヒドロキシ、ハロ、メルカプト、アルコ
キシ、アシルまたはエポキシであり、Ｘはアルコキシ
（例えば、メトキシ、エトキシなど）あるいはハロゲン
（例えば、塩素）などの加水分解性基であり、ｎは１、
２または３であり、好ましくはｎは３である。上記の式
で表されるシランカップリング剤は、ハロシラン、アミ
ノアルコキシシラン、アミノフェニルシラン、フェニル
シラン、塩素環式シラン、Ｎ‐塩素環式シラン、アクリ
ル酸シラン、メルカプトシラン、およびこれらの中の２
種以上の混合物を含む。
【００７６】シランカップリング剤は以下の式で表され
得る。
得る。
【００７７】
【化１８】
【００７８】ここで、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は独立して水
素あるいは炭化水素基であり、Ｒ4およびＲ5は独立して
アルキレン基あるいはアルキリデン基であり、Ｒ6、Ｒ7
およびＲ8は独立して炭化水素基である。該炭化水素基
は、好ましくは１個から約１０個の炭素原子を有し、よ
り好ましくは１個から約６個の炭素原子を有し、さらに
好ましくは１個から約４個の炭素原子を有する。これら
の炭化水素基は、好ましくはアルキルである。アルキレ
ン基およびアルキリデン基Ｒ4およびＲ5は、好ましくは
１個から約１０個の炭素原子を有し、より好ましくは１
個から約６個の炭素原子を有し、さらに好ましくは１個
から約４個の炭素原子を有し、さらに好ましくは１個あ
るいは２個の炭素原子を有する。アルキレン基あるいは
アルキリデン基はメチレン、エチレン、プロピレンなど
であり得る。１つの実施態様では、シランカップリング
剤は以下の式で表される化合物である。
素あるいは炭化水素基であり、Ｒ4およびＲ5は独立して
アルキレン基あるいはアルキリデン基であり、Ｒ6、Ｒ7
およびＲ8は独立して炭化水素基である。該炭化水素基
は、好ましくは１個から約１０個の炭素原子を有し、よ
り好ましくは１個から約６個の炭素原子を有し、さらに
好ましくは１個から約４個の炭素原子を有する。これら
の炭化水素基は、好ましくはアルキルである。アルキレ
ン基およびアルキリデン基Ｒ4およびＲ5は、好ましくは
１個から約１０個の炭素原子を有し、より好ましくは１
個から約６個の炭素原子を有し、さらに好ましくは１個
から約４個の炭素原子を有し、さらに好ましくは１個あ
るいは２個の炭素原子を有する。アルキレン基あるいは
アルキリデン基はメチレン、エチレン、プロピレンなど
であり得る。１つの実施態様では、シランカップリング
剤は以下の式で表される化合物である。
【００７９】
【化１９】
【００８０】シランカップリング剤は以下の式で表され
得る。
得る。
【００８１】
【化２０】
【００８２】ここで、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は独立して水
素あるいは炭化水素基であり、Ｒ4はアルキレン基ある
いはアルキリデン基であり、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は独立
して炭化水素基である。該炭化水素基は、好ましくは１
個から約１０個の炭素原子を有し、より好ましくは１個
から約６個の炭素原子を有し、さらに好ましくは１個か
ら約４個の炭素原子を有する。これらの炭化水素基は、
好ましくはアルキル（例えば、メチル、エチル、プロピ
ルなど）である。アルキレン基およびアルキリデン基
は、好ましくは１個から約１０個の炭素原子を有し、よ
り好ましくは１個から約６個の炭素原子を有し、さらに
好ましくは１個から約４個の炭素原子を有する。アルキ
レン基はメチレン、エチレン、プロピレンなどを含む。
１つの実施態様では、シランカップリング剤は以下の式
で表される化合物である。
素あるいは炭化水素基であり、Ｒ4はアルキレン基ある
いはアルキリデン基であり、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は独立
して炭化水素基である。該炭化水素基は、好ましくは１
個から約１０個の炭素原子を有し、より好ましくは１個
から約６個の炭素原子を有し、さらに好ましくは１個か
ら約４個の炭素原子を有する。これらの炭化水素基は、
好ましくはアルキル（例えば、メチル、エチル、プロピ
ルなど）である。アルキレン基およびアルキリデン基
は、好ましくは１個から約１０個の炭素原子を有し、よ
り好ましくは１個から約６個の炭素原子を有し、さらに
好ましくは１個から約４個の炭素原子を有する。アルキ
レン基はメチレン、エチレン、プロピレンなどを含む。
１つの実施態様では、シランカップリング剤は以下の式
で表される化合物である。
【００８３】
【化２１】
【００８４】シランカップリング剤は以下の式で表され
得る。
得る。
【００８５】
【化２２】
【００８６】ここで、Ｒ1およびＲ2は独立して水素ある
いは炭化水素基であり、Ｒ3はアルキレン基あるいはア
ルキリデン基であり、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は独立して炭
化水素基である。該炭化水素基は、好ましくは１個から
約１０個の炭素原子を有し、より好ましくは１個から約
６個の炭素原子を有し、さらに好ましくは１個から約４
個の炭素原子を有する。これらの炭化水素基は、好まし
くはアルキル（例えば、メチル、エチル、プロピルな
ど）である。アルキレン基およびアルキリデン基は、好
ましくは１個から約１０個の炭素原子を有し、より好ま
しくは１個から約６個の炭素原子を有し、さらに好まし
くは１個から約４個の炭素原子を有する。アルキレン基
はメチレン、エチレン、プロピレンなどを含む。１つの
実施態様では、この化合物は以下の式で表される。
いは炭化水素基であり、Ｒ3はアルキレン基あるいはア
ルキリデン基であり、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は独立して炭
化水素基である。該炭化水素基は、好ましくは１個から
約１０個の炭素原子を有し、より好ましくは１個から約
６個の炭素原子を有し、さらに好ましくは１個から約４
個の炭素原子を有する。これらの炭化水素基は、好まし
くはアルキル（例えば、メチル、エチル、プロピルな
ど）である。アルキレン基およびアルキリデン基は、好
ましくは１個から約１０個の炭素原子を有し、より好ま
しくは１個から約６個の炭素原子を有し、さらに好まし
くは１個から約４個の炭素原子を有する。アルキレン基
はメチレン、エチレン、プロピレンなどを含む。１つの
実施態様では、この化合物は以下の式で表される。
【００８７】
【化２３】
【００８８】シランカップリング剤は以下の式で表され
得る。
得る。
【００８９】
【化２４】
【００９０】ここで、Ｒ1、Ｒ2およびＲ4は独立して水
素あるいは炭化水素基であり、Ｒ3およびＲ5は独立にア
ルキレン基あるいはアルキリデン基であり、Ｒ6、Ｒ7お
よびＲ8は独立して炭化水素基である。該炭化水素基
は、好ましくは１個から約１０個の炭素原子を有し、よ
り好ましくは１個から約６個の炭素原子を有し、さらに
好ましくは１個から約４個の炭素原子を有する。これら
の炭化水素基は、好ましくはアルキル（例えば、メチ
ル、エチル、プロピルなど）である。アルキレン基およ
びアルキリデン基は、好ましくは１個から約１０個の炭
素原子を有し、より好ましくは１個から約６個の炭素原
子を有し、さらに好ましくは１個から約４個の炭素原子
を有する。アルキレン基はメチレン、エチレン、プロピ
レンなどで有り得る。１つの実施態様では、この化合物
は以下の式で表される。
素あるいは炭化水素基であり、Ｒ3およびＲ5は独立にア
ルキレン基あるいはアルキリデン基であり、Ｒ6、Ｒ7お
よびＲ8は独立して炭化水素基である。該炭化水素基
は、好ましくは１個から約１０個の炭素原子を有し、よ
り好ましくは１個から約６個の炭素原子を有し、さらに
好ましくは１個から約４個の炭素原子を有する。これら
の炭化水素基は、好ましくはアルキル（例えば、メチ
ル、エチル、プロピルなど）である。アルキレン基およ
びアルキリデン基は、好ましくは１個から約１０個の炭
素原子を有し、より好ましくは１個から約６個の炭素原
子を有し、さらに好ましくは１個から約４個の炭素原子
を有する。アルキレン基はメチレン、エチレン、プロピ
レンなどで有り得る。１つの実施態様では、この化合物
は以下の式で表される。
【００９１】
【化２５】
【００９２】シランカップリング剤は以下の式で表され
得る。
得る。
【００９３】
【化２６】
【００９４】ここで、Ｒ1は水素あるいは炭化水素基で
あり、Ｒ2はアルキレン基あるいはアルキリデン基であ
り、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は独立して炭化水素基である。
該炭化水素基は、好ましくは１個から約１０個の炭素原
子を有し、より好ましくは１個から約６個の炭素原子を
有し、さらに好ましくは１個から約４個の炭素原子を有
する。これらの炭化水素基は、好ましくはアルキル（例
えば、メチル、エチル、プロピルなど）である。アルキ
レン基およびアルキリデン基は、好ましくは１個から約
１０個の炭素原子を有し、より好ましくは１個から約６
個の炭素原子を有し、さらに好ましくは１個から約４個
の炭素原子を有する。これらの基は、好ましくはアルキ
レン（例えば、メチレン、エチレン、プロピレンなど）
である。１つの実施態様では、この化合物は以下の式で
表される。
あり、Ｒ2はアルキレン基あるいはアルキリデン基であ
り、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は独立して炭化水素基である。
該炭化水素基は、好ましくは１個から約１０個の炭素原
子を有し、より好ましくは１個から約６個の炭素原子を
有し、さらに好ましくは１個から約４個の炭素原子を有
する。これらの炭化水素基は、好ましくはアルキル（例
えば、メチル、エチル、プロピルなど）である。アルキ
レン基およびアルキリデン基は、好ましくは１個から約
１０個の炭素原子を有し、より好ましくは１個から約６
個の炭素原子を有し、さらに好ましくは１個から約４個
の炭素原子を有する。これらの基は、好ましくはアルキ
レン（例えば、メチレン、エチレン、プロピレンなど）
である。１つの実施態様では、この化合物は以下の式で
表される。
【００９５】
【化２７】
【００９６】シランカップリング剤は以下の式で表され
得る。
得る。
【００９７】
【化２８】
【００９８】ここで、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5およびＲ7は
独立して水素あるいは炭化水素基であり、Ｒ4、Ｒ6およ
びＲ8は独立してアルキレン基あるいはアルキリデン基
であり、各Ｒ9は独立して炭化水素基であり、Ａｒは芳
香族基であり、Ｘはハロゲンである。炭化水素基は、好
ましくは１個から約１０個の炭素原子を有し、より好ま
しくは１個から約６個の炭素原子を有し、さらに好まし
くは１個から約４個の炭素原子を有する。これらの炭化
水素基は、好ましくはアルキル（例えば、メチル、エチ
ル、プロピルなど）である。アルキレン基およびアルキ
リデン基は、好ましくは１個から約１０個の炭素原子を
有し、より好ましくは１個から約６個の炭素原子を有
し、さらに好ましくは１個から約４個の炭素原子を有す
る。これらの基は、好ましくはアルキレン（例えば、メ
チレン、エチレン、プロピレンなど）である。芳香族基
Ａｒは、単核（例えば、フェニレン）あるいは単核基を
有する多核（例えば、ナフチレン）で有り得、特にフェ
ニレンが好ましい。ハロゲンであるＸは、好ましくは塩
素または臭素であり、より好ましくは塩素である。１つ
の実施態様では、この化合物は以下の式で表される。
独立して水素あるいは炭化水素基であり、Ｒ4、Ｒ6およ
びＲ8は独立してアルキレン基あるいはアルキリデン基
であり、各Ｒ9は独立して炭化水素基であり、Ａｒは芳
香族基であり、Ｘはハロゲンである。炭化水素基は、好
ましくは１個から約１０個の炭素原子を有し、より好ま
しくは１個から約６個の炭素原子を有し、さらに好まし
くは１個から約４個の炭素原子を有する。これらの炭化
水素基は、好ましくはアルキル（例えば、メチル、エチ
ル、プロピルなど）である。アルキレン基およびアルキ
リデン基は、好ましくは１個から約１０個の炭素原子を
有し、より好ましくは１個から約６個の炭素原子を有
し、さらに好ましくは１個から約４個の炭素原子を有す
る。これらの基は、好ましくはアルキレン（例えば、メ
チレン、エチレン、プロピレンなど）である。芳香族基
Ａｒは、単核（例えば、フェニレン）あるいは単核基を
有する多核（例えば、ナフチレン）で有り得、特にフェ
ニレンが好ましい。ハロゲンであるＸは、好ましくは塩
素または臭素であり、より好ましくは塩素である。１つ
の実施態様では、この化合物は以下の式で表される。
【００９９】
【化２９】
【０１００】シランカップリング剤は以下の式で示され
得る。
得る。
【０１０１】
【化３０】
【０１０２】ここで、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ6および
Ｒ7は独立して炭化水素基であり、Ｒ4はアルキレン基ま
たはアルキリデン基であり、またｎは０または１であ
る。炭化水素基は好ましくは１から約１０個の炭素原
子、より好ましくは１から約６個の炭素原子、さらに好
ましくは１から約４個の炭素原子を含む。これらの炭化
水素基は好ましくはアルキル（例えば、メチル、エチ
ル、プロピルなど）である。アルキレン基およびアルキ
リデン基は、好ましくは１から約１０個の炭素原子、よ
り好ましくは１から約６個の炭素原子、さらに好ましく
は１から約４個の炭素原子を含む。この基は好ましくは
アルキレン（例えば、メチレン、エチレン、プロピレン
など）である。１つの実施態様ではこの化合物は以下の
式で示される。
Ｒ7は独立して炭化水素基であり、Ｒ4はアルキレン基ま
たはアルキリデン基であり、またｎは０または１であ
る。炭化水素基は好ましくは１から約１０個の炭素原
子、より好ましくは１から約６個の炭素原子、さらに好
ましくは１から約４個の炭素原子を含む。これらの炭化
水素基は好ましくはアルキル（例えば、メチル、エチ
ル、プロピルなど）である。アルキレン基およびアルキ
リデン基は、好ましくは１から約１０個の炭素原子、よ
り好ましくは１から約６個の炭素原子、さらに好ましく
は１から約４個の炭素原子を含む。この基は好ましくは
アルキレン（例えば、メチレン、エチレン、プロピレン
など）である。１つの実施態様ではこの化合物は以下の
式で示される。
【０１０３】 （ＣＨ3Ｏ）3ＳｉＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 １つの実施態様では、この化合物はテトラエトキシシラ
ンである。有用なシランカップリング剤の例としては、
Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、３−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミノ
エチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシ
エチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、β
−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメト
キシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン、３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラ
ン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、ビニルト
リクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニル−
トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルトリ
メトキシシランおよびＮ−フェニルアミノプロピルトリ
メトキシシランが含まれる。
ンである。有用なシランカップリング剤の例としては、
Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、３−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミノ
エチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシ
エチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、β
−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメト
キシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン、３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラ
ン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、ビニルト
リクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニル−
トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルトリ
メトキシシランおよびＮ−フェニルアミノプロピルトリ
メトキシシランが含まれる。
【０１０４】シランカップリング剤としてはまた、３−
アセトキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（３−ア
クリルオキシ−２−ヒドロキシプロピル）−３−アミノ
プロピルトリエトキシシラン、３−アクリルオキシプロ
ピルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、
アリルトリメトキシシラン、４−アミノブチルトリエト
キシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチル
トリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル−３−ア
ミノプロピル）トリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノ
エチル−３−アミノプロピル）トリス（２−エチルヘキ
ソキシ）シラン、６−（アミノヘキシルアミノプロピ
ル）トリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシ
シラン、３−（１−アミノプロポキシ）−３，３−ジメ
チル−１−プロペニルトリメトキシシラン、３−アミノ
プロピルトリス（メトキシエトキシエトキシ）シラン、
３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、ω−アミノウンデシルトリ
メトキシシラン、３−［２−Ｎ−ベンジルアミノエチル
アミノプロピル］トリメトキシシラン、ビス（２−ヒド
ロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、８−ブロモオクチルトリメトキシシラン、ブロモフ
ェニルトリメトキシシラン、３−ブロモプロピルトリメ
トキシシラン、２−クロロエチルトリエトキシシラン、
ｐ−（クロロメチル）フェニルトリメトキシシラン、ク
ロロメチルトリエトキシシラン、クロロフェニルトリエ
トキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラ
ン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、２−（４
−クロロスルホニルフェニル）エチルトリメトキシシラ
ン、３−（シアノエトキシ）−３，３−ジメチル−１−
プロペニルトリメトキシシラン、２−シアノエチルトリ
エトキシシラン、２−シアノエチルトリメトキシシラ
ン、（シアノメチルフェネチル）トリメトキシシラン、
３−シアノプロピルトリエトキシシラン、３−シクロペ
ンタジエニルプロピルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ−
ジエチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、
ジエチルホスファトエチルトリエトキシシラン、（Ｎ，
Ｎ−ジメチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラ
ン、２−（ジフェニルホスフィノ）エチルトリエトキシ
シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチ
ルトリメトキシシラン、３−ヨードプロピルトリメトキ
シシラン、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシ
ラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メタクリル
オキシプロペニルトリメトキシシラン、３−メタクリル
オキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオ
キシプロピルトリス（メトキシエトキシ）シラン、３−
メトキシプロピルトリメトキシラン、Ｎ−メチルアミノ
プロピルトリメトキシシラン、Ｏ−４−メチルクマリニ
ル−Ｎ−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］カル
バメート、７−オクタン−１ーエニルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−フェネチル−Ｎ’−トリエトキシシリルプロピ
ル、Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、
３−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミノエチルアミノ）
プロピルトリメトキシシラン、３−チオシアナートプロ
ピルトリエトキシシラン、Ｎ−（３−トリエトキシシリ
ルプロピル）アセチルグリシンアミド、Ｎ−（トリエト
キシシリルプロピル）ダンシルアミド、Ｎ−［３−（ト
リエトキシシリル）プロピル］−２，４−ジニトロフェ
ニルアミン、トリエトキシシリルプロピルエチルカルバ
メート、Ｎ−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］
−４，５−ジヒドロイミダゾール、Ｎ−トリエトキシシ
リルプロピル−ｏーメントカルバメート、３−（トリエ
トキシシリルプロピル）−ｐ−ニトロベンズアミド、Ｎ
−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］フタルアミ
ド酸、Ｎ−（トリエトキシシリロプロピル）尿素、１−
トリメトキシシリル−２−（ｐ，ｍ−クロロメチル）−
フェニルエタン、２−（トリメトキシシリル）−エチル
フェニルスルホニルアジド、β−トリメトキシシリルエ
チル−２−ピリジン、トリメトキシシリルオクチルトリ
メチルアンモニウムブロマイド、トリメトキシシリルプ
ロピルシンナメート、Ｎ（３−トリメトキシシリルプロ
ピル）−Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジアリルアンモニウムク
ロライド、トリメトキシシリルプロピルジエチレントリ
アミン、Ｎ−［（３−トリメトキシシリル）プロピル］
エチレンジアミン三酢酸三ナトリウム塩、トリメトキシ
シリルプロピルイソチオウロニウムクロライド、Ｎ−
（３−トリメトキシシリルプロピル）ピロール、Ｎ−ト
リメトキシシリルプロピルトリ−Ｎ−ブチルアンモニウ
ムブロマイド、およびＮ−トリメトキシシリルプロピル
−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライドが含
まれる。
アセトキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（３−ア
クリルオキシ−２−ヒドロキシプロピル）−３−アミノ
プロピルトリエトキシシラン、３−アクリルオキシプロ
ピルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、
アリルトリメトキシシラン、４−アミノブチルトリエト
キシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチル
トリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル−３−ア
ミノプロピル）トリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノ
エチル−３−アミノプロピル）トリス（２−エチルヘキ
ソキシ）シラン、６−（アミノヘキシルアミノプロピ
ル）トリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシ
シラン、３−（１−アミノプロポキシ）−３，３−ジメ
チル−１−プロペニルトリメトキシシラン、３−アミノ
プロピルトリス（メトキシエトキシエトキシ）シラン、
３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、ω−アミノウンデシルトリ
メトキシシラン、３−［２−Ｎ−ベンジルアミノエチル
アミノプロピル］トリメトキシシラン、ビス（２−ヒド
ロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、８−ブロモオクチルトリメトキシシラン、ブロモフ
ェニルトリメトキシシラン、３−ブロモプロピルトリメ
トキシシラン、２−クロロエチルトリエトキシシラン、
ｐ−（クロロメチル）フェニルトリメトキシシラン、ク
ロロメチルトリエトキシシラン、クロロフェニルトリエ
トキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラ
ン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、２−（４
−クロロスルホニルフェニル）エチルトリメトキシシラ
ン、３−（シアノエトキシ）−３，３−ジメチル−１−
プロペニルトリメトキシシラン、２−シアノエチルトリ
エトキシシラン、２−シアノエチルトリメトキシシラ
ン、（シアノメチルフェネチル）トリメトキシシラン、
３−シアノプロピルトリエトキシシラン、３−シクロペ
ンタジエニルプロピルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ−
ジエチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、
ジエチルホスファトエチルトリエトキシシラン、（Ｎ，
Ｎ−ジメチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラ
ン、２−（ジフェニルホスフィノ）エチルトリエトキシ
シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチ
ルトリメトキシシラン、３−ヨードプロピルトリメトキ
シシラン、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシ
ラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メタクリル
オキシプロペニルトリメトキシシラン、３−メタクリル
オキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオ
キシプロピルトリス（メトキシエトキシ）シラン、３−
メトキシプロピルトリメトキシラン、Ｎ−メチルアミノ
プロピルトリメトキシシラン、Ｏ−４−メチルクマリニ
ル−Ｎ−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］カル
バメート、７−オクタン−１ーエニルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−フェネチル−Ｎ’−トリエトキシシリルプロピ
ル、Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、
３−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミノエチルアミノ）
プロピルトリメトキシシラン、３−チオシアナートプロ
ピルトリエトキシシラン、Ｎ−（３−トリエトキシシリ
ルプロピル）アセチルグリシンアミド、Ｎ−（トリエト
キシシリルプロピル）ダンシルアミド、Ｎ−［３−（ト
リエトキシシリル）プロピル］−２，４−ジニトロフェ
ニルアミン、トリエトキシシリルプロピルエチルカルバ
メート、Ｎ−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］
−４，５−ジヒドロイミダゾール、Ｎ−トリエトキシシ
リルプロピル−ｏーメントカルバメート、３−（トリエ
トキシシリルプロピル）−ｐ−ニトロベンズアミド、Ｎ
−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］フタルアミ
ド酸、Ｎ−（トリエトキシシリロプロピル）尿素、１−
トリメトキシシリル−２−（ｐ，ｍ−クロロメチル）−
フェニルエタン、２−（トリメトキシシリル）−エチル
フェニルスルホニルアジド、β−トリメトキシシリルエ
チル−２−ピリジン、トリメトキシシリルオクチルトリ
メチルアンモニウムブロマイド、トリメトキシシリルプ
ロピルシンナメート、Ｎ（３−トリメトキシシリルプロ
ピル）−Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジアリルアンモニウムク
ロライド、トリメトキシシリルプロピルジエチレントリ
アミン、Ｎ−［（３−トリメトキシシリル）プロピル］
エチレンジアミン三酢酸三ナトリウム塩、トリメトキシ
シリルプロピルイソチオウロニウムクロライド、Ｎ−
（３−トリメトキシシリルプロピル）ピロール、Ｎ−ト
リメトキシシリルプロピルトリ−Ｎ−ブチルアンモニウ
ムブロマイド、およびＮ−トリメトキシシリルプロピル
−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライドが含
まれる。
【０１０５】シランカップリング剤としてはまた、ビニ
ルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリス−ｔ−ブ
トキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）
シラン、ビニルトリイソプロペノキシシラン、およびビ
ニルトリス（ｔ−ブチルペルオキシ）シランが含まれ
る。
ルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリス−ｔ−ブ
トキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）
シラン、ビニルトリイソプロペノキシシラン、およびビ
ニルトリス（ｔ−ブチルペルオキシ）シランが含まれ
る。
【０１０６】シランカップリング剤としてはまた、２−
アセトキシエチルトリクロロシラン、３−アクリルオキ
シプロピルトリクロロシラン、アリルトリクロロシラ
ン、８−ブロモオクチルトリクロロシラン、ブロモフェ
ニルトリクロロシラン、３−ブロモプロピルトリクロロ
シラン、２−（カルボメトキシ）エチルトリクロロシラ
ン、１−クロロエチルトリクロロシラン、２−クロロエ
チルトリクロロシラン、ｐ−（クロロメチル）フェニル
トリクロロシラン、クロロメチルトリクロロシラン、ク
ロロフェニルトリクロロシラン、３−クロロプロピルト
リクロロシラン、２−（４−クロロスルホニルフェニ
ル）エチルトリクロロシラン、（３−シアノブチル）ト
リクロロシラン、２−シアノエチルトリクロロシラン、
３−シアノプロピルトリクロロシラン、（ジクロロメチ
ル）トリクロロシラン、（ジクロロフェニル）トリクロ
ロシラン、６−ヘキサン−１−エニルトリクロロシラ
ン、３−メタクリルオキシプロピルトリクロロシラン、
３−（４−メトキシフェニル）プロピルトリクロロシラ
ン、７−オクタン−１−エニルトリクロロシラン、３−
（Ｎ−フタルイミド）プロピルトリクロロシラン、１−
トリクロロシリル−２−（ｐ，ｍ−クロロメチルフェニ
ル）エタン、４−［２−（トリクロロシリル）エチル］
シクロヘキセン、２−［２−（トリクロロシリル）エチ
ル］ピリジン、４−［２−（トリクロロシリル）エチ
ル］ピリジン、３−（トリクロロシリル）プロピルクロ
ロフォルメート、およびビニルトリクロロシランが含ま
れる。
アセトキシエチルトリクロロシラン、３−アクリルオキ
シプロピルトリクロロシラン、アリルトリクロロシラ
ン、８−ブロモオクチルトリクロロシラン、ブロモフェ
ニルトリクロロシラン、３−ブロモプロピルトリクロロ
シラン、２−（カルボメトキシ）エチルトリクロロシラ
ン、１−クロロエチルトリクロロシラン、２−クロロエ
チルトリクロロシラン、ｐ−（クロロメチル）フェニル
トリクロロシラン、クロロメチルトリクロロシラン、ク
ロロフェニルトリクロロシラン、３−クロロプロピルト
リクロロシラン、２−（４−クロロスルホニルフェニ
ル）エチルトリクロロシラン、（３−シアノブチル）ト
リクロロシラン、２−シアノエチルトリクロロシラン、
３−シアノプロピルトリクロロシラン、（ジクロロメチ
ル）トリクロロシラン、（ジクロロフェニル）トリクロ
ロシラン、６−ヘキサン−１−エニルトリクロロシラ
ン、３−メタクリルオキシプロピルトリクロロシラン、
３−（４−メトキシフェニル）プロピルトリクロロシラ
ン、７−オクタン−１−エニルトリクロロシラン、３−
（Ｎ−フタルイミド）プロピルトリクロロシラン、１−
トリクロロシリル−２−（ｐ，ｍ−クロロメチルフェニ
ル）エタン、４−［２−（トリクロロシリル）エチル］
シクロヘキセン、２−［２−（トリクロロシリル）エチ
ル］ピリジン、４−［２−（トリクロロシリル）エチ
ル］ピリジン、３−（トリクロロシリル）プロピルクロ
ロフォルメート、およびビニルトリクロロシランが含ま
れる。
【０１０７】有用なシランカップリング剤は、アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ビ
ス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、３−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミ
ノエチルアミン）プロピルトリメトキシシラン、３−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−メチルア
ミノプロピルトリメトキシシラン、２−（２−アミノエ
チル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、およ
びＮ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシランから
なる群から選択されるものを含む。
ロピルトリメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ビ
ス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、３−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミ
ノエチルアミン）プロピルトリメトキシシラン、３−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−メチルア
ミノプロピルトリメトキシシラン、２−（２−アミノエ
チル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、およ
びＮ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシランから
なる群から選択されるものを含む。
【０１０８】有用なシランカップリング剤の混合物は、
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランおよびフ
ェニルトリエトキシシランである。前者の後者に対する
重量比は、好ましくは約１：１０から約１０：１、より
好ましくは約１：５から約５：１の範囲であり、また１
つの実施態様では重量比は約１：３である。
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランおよびフ
ェニルトリエトキシシランである。前者の後者に対する
重量比は、好ましくは約１：１０から約１０：１、より
好ましくは約１：５から約５：１の範囲であり、また１
つの実施態様では重量比は約１：３である。
【０１０９】有用なシランカップリング剤の混合物は、
Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキシシランおよびク
ロロプロピルトリメトキシシランである。前者の後者に
対する重量比は、好ましくは約１：１０から約１０：
１、より好ましくは約１：５から約５：１の範囲であ
り、また１つの実施態様では重量比は約１：１である。
Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキシシランおよびク
ロロプロピルトリメトキシシランである。前者の後者に
対する重量比は、好ましくは約１：１０から約１０：
１、より好ましくは約１：５から約５：１の範囲であ
り、また１つの実施態様では重量比は約１：１である。
【０１１０】有用なシランカップリング剤の混合物は、
３−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミノエチルアミノ）
プロピルトリメトキシシランおよびＮ−メチルアミノプ
ロピルトリメトキシシランである。前者の後者に対する
重量比は、好ましくは約１：１０から約１０：１、より
好ましくは約１：５から約５：１の範囲であり、また１
つの実施態様では重量比は約１：１である。
３−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミノエチルアミノ）
プロピルトリメトキシシランおよびＮ−メチルアミノプ
ロピルトリメトキシシランである。前者の後者に対する
重量比は、好ましくは約１：１０から約１０：１、より
好ましくは約１：５から約５：１の範囲であり、また１
つの実施態様では重量比は約１：１である。
【０１１１】有用なシランカップリング剤の混合物は、
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランおよびＮ
−メチルアミノプロピルトリメトキシシランである。前
者の後者に対する重量比は、好ましくは約１：１０から
約１０：１、より好ましくは約１：５から約５：１の範
囲であり、また１つの実施態様では重量比は約１：３で
ある。
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランおよびＮ
−メチルアミノプロピルトリメトキシシランである。前
者の後者に対する重量比は、好ましくは約１：１０から
約１０：１、より好ましくは約１：５から約５：１の範
囲であり、また１つの実施態様では重量比は約１：３で
ある。
【０１１２】１つの実施態様では、シランカップリング
剤は３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン以外
のものである。
剤は３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン以外
のものである。
【０１１３】箔表面の接着性促進層によるコーティング
は、シランカップリング剤のみを箔の表面に塗布するこ
とによって行われる。しかし、一般には、コーティング
は、適切な媒体に溶かしたシランカップリング剤を箔表
面に塗布することによって行われる。詳しくは、シラン
カップリング剤は、水、水とアルコールとの混合液、ま
たは適切な有機溶媒における溶液の形態で、シランカッ
プリング剤のエマルジョンとして、もしくは適切な有機
溶媒にシランカップリング剤を溶かした溶液のエマルジ
ョンとして、箔表面に塗布され得る。シランカップリン
グ剤に対しては従来の有機溶媒を使用し得、これら有機
溶媒としては、例えば、アルコール、エーテル、ケト
ン、およびこれらの脂肪族または芳香族炭化水素との、
またはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドのようなアミド類
との混合物が含まれる。有用な溶媒は、良好な濡れおよ
び乾燥特性を有するものであり、例えば、水、エタノー
ル、イソプロパノール、およびメチルエチルケトンが含
まれる。シランカップリング剤のエマルジョンは、非イ
オン性分散剤を含む従来の分散剤および表面活性剤を用
いて従来の方法で形成され得る。金属表面をシランカッ
プリング剤のエマルジョンと接触させるのが好都合であ
り得る。このような溶液またはエマルジョンにおけるシ
ランカップリング剤の濃度は、シランカップリング剤の
約１００重量％であり得るが、好ましくは約０．１〜約
５重量％、より好ましくは約０．３〜約１重量％の範囲
であり得る。シランカップリング剤によるコーティング
のプロセスは、望ましくは数回繰り返され得る。しか
し、一般には１回のコーティング工程で有用な結果が得
られる。反転ローラコーティング、ドクターブレードコ
ーティング、浸漬、塗装、およびスプレーを含む公知の
塗布方法を用いて、シランカップリング剤を箔表面に塗
布し得る。
は、シランカップリング剤のみを箔の表面に塗布するこ
とによって行われる。しかし、一般には、コーティング
は、適切な媒体に溶かしたシランカップリング剤を箔表
面に塗布することによって行われる。詳しくは、シラン
カップリング剤は、水、水とアルコールとの混合液、ま
たは適切な有機溶媒における溶液の形態で、シランカッ
プリング剤のエマルジョンとして、もしくは適切な有機
溶媒にシランカップリング剤を溶かした溶液のエマルジ
ョンとして、箔表面に塗布され得る。シランカップリン
グ剤に対しては従来の有機溶媒を使用し得、これら有機
溶媒としては、例えば、アルコール、エーテル、ケト
ン、およびこれらの脂肪族または芳香族炭化水素との、
またはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドのようなアミド類
との混合物が含まれる。有用な溶媒は、良好な濡れおよ
び乾燥特性を有するものであり、例えば、水、エタノー
ル、イソプロパノール、およびメチルエチルケトンが含
まれる。シランカップリング剤のエマルジョンは、非イ
オン性分散剤を含む従来の分散剤および表面活性剤を用
いて従来の方法で形成され得る。金属表面をシランカッ
プリング剤のエマルジョンと接触させるのが好都合であ
り得る。このような溶液またはエマルジョンにおけるシ
ランカップリング剤の濃度は、シランカップリング剤の
約１００重量％であり得るが、好ましくは約０．１〜約
５重量％、より好ましくは約０．３〜約１重量％の範囲
であり得る。シランカップリング剤によるコーティング
のプロセスは、望ましくは数回繰り返され得る。しか
し、一般には１回のコーティング工程で有用な結果が得
られる。反転ローラコーティング、ドクターブレードコ
ーティング、浸漬、塗装、およびスプレーを含む公知の
塗布方法を用いて、シランカップリング剤を箔表面に塗
布し得る。
【０１１４】シランカップリング剤の箔表面への塗布
は、典型的には約１５℃〜約４５℃、より好ましくは約
２０℃〜約３０℃の温度で行われる。シランカップリン
グ剤の箔表面への塗布に続いて、シランカップリング剤
を約６０℃〜約１７０℃、好ましくは約９０℃〜約１５
０℃の温度に、好ましくは約０．１〜約５分間、より好
ましくは約０．２〜約２分間、加熱して、表面の乾燥を
向上させ得る。箔上のシランカップリング剤の乾燥膜厚
さは、好ましくは約０．００２〜約０．１ミクロン、よ
り好ましくは約０．００５〜約０．０２ミクロンであ
る。
は、典型的には約１５℃〜約４５℃、より好ましくは約
２０℃〜約３０℃の温度で行われる。シランカップリン
グ剤の箔表面への塗布に続いて、シランカップリング剤
を約６０℃〜約１７０℃、好ましくは約９０℃〜約１５
０℃の温度に、好ましくは約０．１〜約５分間、より好
ましくは約０．２〜約２分間、加熱して、表面の乾燥を
向上させ得る。箔上のシランカップリング剤の乾燥膜厚
さは、好ましくは約０．００２〜約０．１ミクロン、よ
り好ましくは約０．００５〜約０．０２ミクロンであ
る。
【０１１５】本発明の銅箔の例示実施態様を図１〜４に
示す。先ず、図１を参照して、本発明の銅箔構造は、つ
や消し面１２および光沢面１４を有する銅箔１０、およ
びつや消し面１２のベース表面を覆いこれに接着する接
着性促進層２０よりなる。
示す。先ず、図１を参照して、本発明の銅箔構造は、つ
や消し面１２および光沢面１４を有する銅箔１０、およ
びつや消し面１２のベース表面を覆いこれに接着する接
着性促進層２０よりなる。
【０１１６】図２に示す構造は、図１に示す構造と同様
であるが、図２の箔はまた、箔１０の光沢面１４のベー
ス表面を覆いこれに接着する接着性促進層２２も有する
点で異なる。
であるが、図２の箔はまた、箔１０の光沢面１４のベー
ス表面を覆いこれに接着する接着性促進層２２も有する
点で異なる。
【０１１７】図３を参照すると、つや消し面１２および
光沢面１４を有する銅箔１０は、つや消し面１２のベー
ス表面を覆いこれに接着するバリヤ層１６を有する。安
定剤層１８がこのバリヤ層１６を覆いこれに接着する。
接着性促進層２０がこの安定剤層１８を覆いこれに接着
する。
光沢面１４を有する銅箔１０は、つや消し面１２のベー
ス表面を覆いこれに接着するバリヤ層１６を有する。安
定剤層１８がこのバリヤ層１６を覆いこれに接着する。
接着性促進層２０がこの安定剤層１８を覆いこれに接着
する。
【０１１８】図４に示す構造は、図３に示す構造と同様
であるが、図４に示す構造はまた、光沢面１４のベース
表面を覆いこれに接着するバリヤ層１５、バリヤ層１５
を覆いこれに接着する安定剤層１７、および安定剤層１
７を覆いこれに接着する接着性促進層２２も有する点で
異なる。
であるが、図４に示す構造はまた、光沢面１４のベース
表面を覆いこれに接着するバリヤ層１５、バリヤ層１５
を覆いこれに接着する安定剤層１７、および安定剤層１
７を覆いこれに接着する接着性促進層２２も有する点で
異なる。
【０１１９】接着性促進層を塗布した本発明の銅箔は、
好ましくは、つや消し面の粗さＲtmが約２〜約１７ミク
ロン、より好ましくは約４〜約１０ミクロン、さらに好
ましくは約５〜約７ミクロンである。本発明の１つの実
施態様では、これらの箔は、重量が１平方フィート当り
約１／２オンス、つや消し面のＲtmが好ましくは約２〜
約１１ミクロン、より好ましくは約４〜約７ミクロンで
ある。１つの実施態様では、これらの箔は、重量が１平
方フィート当り約１オンス、つや消し面のＲtmが好まし
くは約２〜約１５ミクロン、より好ましくは約５〜約８
ミクロンである。１つの実施態様では、これらの箔は、
重量が１平方フィート当り約２オンス、つや消し面のＲ
tmが好ましくは約６〜約１７ミクロン、より好ましくは
約７〜約１０ミクロンである。これらの箔の光沢面のＲ
tmは、好ましくは約４ミクロンより小さい、より好まし
くは約３ミクロンより小さい、また好ましくは約１．５
〜約３ミクロンの範囲、より好ましくは約２〜約２．５
ミクロンの範囲である。
好ましくは、つや消し面の粗さＲtmが約２〜約１７ミク
ロン、より好ましくは約４〜約１０ミクロン、さらに好
ましくは約５〜約７ミクロンである。本発明の１つの実
施態様では、これらの箔は、重量が１平方フィート当り
約１／２オンス、つや消し面のＲtmが好ましくは約２〜
約１１ミクロン、より好ましくは約４〜約７ミクロンで
ある。１つの実施態様では、これらの箔は、重量が１平
方フィート当り約１オンス、つや消し面のＲtmが好まし
くは約２〜約１５ミクロン、より好ましくは約５〜約８
ミクロンである。１つの実施態様では、これらの箔は、
重量が１平方フィート当り約２オンス、つや消し面のＲ
tmが好ましくは約６〜約１７ミクロン、より好ましくは
約７〜約１０ミクロンである。これらの箔の光沢面のＲ
tmは、好ましくは約４ミクロンより小さい、より好まし
くは約３ミクロンより小さい、また好ましくは約１．５
〜約３ミクロンの範囲、より好ましくは約２〜約２．５
ミクロンの範囲である。
【０１２０】以下の実施例は、本発明を例示する目的で
提示されるものである。特に言及しない限り、以下の実
施例、ならびに明細書および請求の範囲を通じて、すべ
ての部およびパーセントは重量に基づき、すべての温度
は摂氏温度であり、また全ての圧力は大気圧である。
提示されるものである。特に言及しない限り、以下の実
施例、ならびに明細書および請求の範囲を通じて、すべ
ての部およびパーセントは重量に基づき、すべての温度
は摂氏温度であり、また全ての圧力は大気圧である。
【０１２１】
【実施例】（実施例１）アミノプロピルトリメトキシシ
ランを脱イオン水に溶かした０．５重量％の水溶液を調
製する。下記のような粗さ（Ｒtm）および処理特性（例
えば、無または未処理、安定剤層、バリヤ層の上に安定
剤層）を有する重量１oz/ft2の電着銅箔試料を、この溶
液に３０秒間浸漬し、圧搾して余分な溶液を該当する面
から除去して風乾する。試料を炉で９０±５℃で１分間
加熱し、シラン処理した試料を得る。シラン処理した試
料、およびシラン処理を行わない以外はこれと同一の箔
試料を積層して、二官能性エポキシプリプレグにする。
これら試料に１／４インチ幅で線を刻んで、初期剥離強
度を評価する。結果は以下の通りである。
ランを脱イオン水に溶かした０．５重量％の水溶液を調
製する。下記のような粗さ（Ｒtm）および処理特性（例
えば、無または未処理、安定剤層、バリヤ層の上に安定
剤層）を有する重量１oz/ft2の電着銅箔試料を、この溶
液に３０秒間浸漬し、圧搾して余分な溶液を該当する面
から除去して風乾する。試料を炉で９０±５℃で１分間
加熱し、シラン処理した試料を得る。シラン処理した試
料、およびシラン処理を行わない以外はこれと同一の箔
試料を積層して、二官能性エポキシプリプレグにする。
これら試料に１／４インチ幅で線を刻んで、初期剥離強
度を評価する。結果は以下の通りである。
【０１２２】
【表１】
【０１２３】（実施例２）ビス（２−ヒドロキシエチ
ル）−３−アミノプロピルトリエトキシシランを脱イオ
ン水に溶かした０．５重量％の水溶液を調製する。下記
のような粗さおよび処理特性を有する重量１oz/ft2の電
着銅箔試料を、この溶液に３０秒間浸漬し、圧搾して余
分な溶液を光沢面から除去して風乾する。試料を炉で９
０±５℃で１分間加熱し、シラン処理した試料を得る。
シラン処理した試料、およびシラン処理を行わない以外
はこれと同一の箔試料を積層して、二官能性エポキシプ
リプレグにする。これら試料に１／４インチ幅で線を刻
んで、初期剥離強度を評価する。結果は以下の通りであ
る。
ル）−３−アミノプロピルトリエトキシシランを脱イオ
ン水に溶かした０．５重量％の水溶液を調製する。下記
のような粗さおよび処理特性を有する重量１oz/ft2の電
着銅箔試料を、この溶液に３０秒間浸漬し、圧搾して余
分な溶液を光沢面から除去して風乾する。試料を炉で９
０±５℃で１分間加熱し、シラン処理した試料を得る。
シラン処理した試料、およびシラン処理を行わない以外
はこれと同一の箔試料を積層して、二官能性エポキシプ
リプレグにする。これら試料に１／４インチ幅で線を刻
んで、初期剥離強度を評価する。結果は以下の通りであ
る。
【０１２４】
【表２】
【０１２５】（実施例３）テトラエトキシシランを脱イ
オン水に溶かした０．５重量％の水溶液を調製する。下
記のような粗さおよび処理特性を有する重量１oz/ft2の
電着銅箔試料を、この溶液に３０秒間浸漬し、圧搾して
余分な溶液を片面から除去して風乾する。試料を炉で９
０±５℃で１分間加熱し、シラン処理した試料を得る。
シラン処理した試料、およびシラン処理を行わない以外
はこれと同一の箔試料を積層して、二官能性エポキシプ
リプレグにする。これら試料に１／４インチ幅で線を刻
んで、初期剥離強度を評価する。結果は以下の通りであ
る。
オン水に溶かした０．５重量％の水溶液を調製する。下
記のような粗さおよび処理特性を有する重量１oz/ft2の
電着銅箔試料を、この溶液に３０秒間浸漬し、圧搾して
余分な溶液を片面から除去して風乾する。試料を炉で９
０±５℃で１分間加熱し、シラン処理した試料を得る。
シラン処理した試料、およびシラン処理を行わない以外
はこれと同一の箔試料を積層して、二官能性エポキシプ
リプレグにする。これら試料に１／４インチ幅で線を刻
んで、初期剥離強度を評価する。結果は以下の通りであ
る。
【０１２６】
【表３】
【０１２７】（実施例４）テトラエトキシシランを脱イ
オン水に溶かした０．５重量％の水溶液を調製する。下
記のような粗さおよび処理特性を有する重量１oz/ft2の
電着銅箔試料をこの溶液に３０秒間浸漬し、圧搾して余
分な溶液を片面から除去して風乾する。試料を、炉で９
０±５℃で１分間加熱し、シラン処理した試料を得る。
シラン処理した試料、およびシラン処理を行わない以外
はこれと同一の箔試料を積層して、四官能性エポキシプ
リプレグにする。これら試料に１／４インチ幅で線を刻
んで、初期剥離強度を評価する。結果は以下の通りであ
る。
オン水に溶かした０．５重量％の水溶液を調製する。下
記のような粗さおよび処理特性を有する重量１oz/ft2の
電着銅箔試料をこの溶液に３０秒間浸漬し、圧搾して余
分な溶液を片面から除去して風乾する。試料を、炉で９
０±５℃で１分間加熱し、シラン処理した試料を得る。
シラン処理した試料、およびシラン処理を行わない以外
はこれと同一の箔試料を積層して、四官能性エポキシプ
リプレグにする。これら試料に１／４インチ幅で線を刻
んで、初期剥離強度を評価する。結果は以下の通りであ
る。
【０１２８】
【表４】
【０１２９】（実施例５）３−（Ｎ−スチリルメチル−
２−アミノエチルアミン）プロピルトリメトキシシラン
を脱イオン水に溶かした０．５重量％の水溶液を調製す
る。下記のような粗さおよび処理特性を有する重量１oz
/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に３０秒間浸漬し、圧搾
して余分な溶液を片面から除去して風乾する。試料を、
炉で９０±５℃で１分間加熱し、シラン処理した試料を
得る。シラン処理した試料、およびシラン処理を行わな
い以外はこれと同一の箔試料を積層して、二官能性エポ
キシプリプレグにする。これら試料に１／４インチ幅で
線を刻んで、初期剥離強度を評価する。結果は以下の通
りである。
２−アミノエチルアミン）プロピルトリメトキシシラン
を脱イオン水に溶かした０．５重量％の水溶液を調製す
る。下記のような粗さおよび処理特性を有する重量１oz
/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に３０秒間浸漬し、圧搾
して余分な溶液を片面から除去して風乾する。試料を、
炉で９０±５℃で１分間加熱し、シラン処理した試料を
得る。シラン処理した試料、およびシラン処理を行わな
い以外はこれと同一の箔試料を積層して、二官能性エポ
キシプリプレグにする。これら試料に１／４インチ幅で
線を刻んで、初期剥離強度を評価する。結果は以下の通
りである。
【０１３０】
【表５】
【０１３１】（実施例６）３−グリシドキシプロピルト
リメトキシシランを脱イオン水に溶かした０．５重量％
の水溶液を調製する。下記のような粗さおよび処理特性
を有する重量１oz/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に３０
秒間浸漬し、圧搾して余分な溶液を片面から除去して風
乾する。試料を、炉で９０±５℃で１分間加熱し、シラ
ン処理した試料を得る。シラン処理した試料、およびシ
ラン処理を行わない以外はこれと同一の箔試料を積層し
て、二官能性エポキシプリプレグにする。これら試料に
１／４インチ幅で線を刻んで、初期剥離強度を評価す
る。結果は以下の通りである。
リメトキシシランを脱イオン水に溶かした０．５重量％
の水溶液を調製する。下記のような粗さおよび処理特性
を有する重量１oz/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に３０
秒間浸漬し、圧搾して余分な溶液を片面から除去して風
乾する。試料を、炉で９０±５℃で１分間加熱し、シラ
ン処理した試料を得る。シラン処理した試料、およびシ
ラン処理を行わない以外はこれと同一の箔試料を積層し
て、二官能性エポキシプリプレグにする。これら試料に
１／４インチ幅で線を刻んで、初期剥離強度を評価す
る。結果は以下の通りである。
【０１３２】
【表６】
【０１３３】（実施例７）３―グリシドキシプロピルト
リメトキシシランを脱イオン水に溶かした０．５重量%
水溶液を調製する。下記のような粗さおよび処理特性を
有する重量１oz/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に３０秒
間浸漬し、圧搾して余分な溶液を片面から除去して風乾
する。試料を、炉で９０±５゜Cで１分間加熱し、シラ
ン処理試料を得る。シラン処理試料、およびシラン処理
を行わない以外はこれと同一の箔試料を、積層して四官
能性エポキシプリプレグにする。試料に１／４インチ幅
で線を刻んで、初期剥離強度を評価する。結果は以下の
通りである。
リメトキシシランを脱イオン水に溶かした０．５重量%
水溶液を調製する。下記のような粗さおよび処理特性を
有する重量１oz/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に３０秒
間浸漬し、圧搾して余分な溶液を片面から除去して風乾
する。試料を、炉で９０±５゜Cで１分間加熱し、シラ
ン処理試料を得る。シラン処理試料、およびシラン処理
を行わない以外はこれと同一の箔試料を、積層して四官
能性エポキシプリプレグにする。試料に１／４インチ幅
で線を刻んで、初期剥離強度を評価する。結果は以下の
通りである。
【０１３４】
【表７】
【０１３５】（実施例８）Ｎ―メチルアミノプロピルト
リメトキシシランを脱イオン水に溶かした０．５重量%
水溶液を調製する。下記のような粗さおよび処理特性を
有する重量１oz/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に３０秒
間浸漬し、圧搾して余分な溶液を艶消し面から除去し
て、風乾する。試料を、炉で９０±５゜Cで１分間加熱
し、シラン処理試料を得る。シラン処理試料、およびシ
ラン処理を行わない以外はこれと同一の箔試料を、積層
して二官能性エポキシプリプレグにする。試料に１／４
インチ幅で線を刻んで、初期剥離強度を評価する。結果
は以下の通りである。
リメトキシシランを脱イオン水に溶かした０．５重量%
水溶液を調製する。下記のような粗さおよび処理特性を
有する重量１oz/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に３０秒
間浸漬し、圧搾して余分な溶液を艶消し面から除去し
て、風乾する。試料を、炉で９０±５゜Cで１分間加熱
し、シラン処理試料を得る。シラン処理試料、およびシ
ラン処理を行わない以外はこれと同一の箔試料を、積層
して二官能性エポキシプリプレグにする。試料に１／４
インチ幅で線を刻んで、初期剥離強度を評価する。結果
は以下の通りである。
【０１３６】
【表８】
【０１３７】（実施例９）Ｎ―（２―アミノエチル―３
―アミノプロピル）トリメトキシシランを脱イオン水に
溶かした０．５重量%水溶液を調製する。下記のような
粗さおよび処理特性を有する重量１oz/ft2の電着銅箔試
料をこの溶液に３０秒間浸漬し、圧搾して余分な溶液を
艶消し面から除去して風乾する。試料を、炉で９０±５
゜Cで１分間加熱し、シラン処理試料を得る。シラン処
理試料、およびシラン処理を行わない以外はこれと同一
の箔試料を、積層して二官能性エポキシプリプレグにす
る。試料に１／４インチ幅で線を刻んで、初期剥離強度
を評価する。結果は以下の通りである。
―アミノプロピル）トリメトキシシランを脱イオン水に
溶かした０．５重量%水溶液を調製する。下記のような
粗さおよび処理特性を有する重量１oz/ft2の電着銅箔試
料をこの溶液に３０秒間浸漬し、圧搾して余分な溶液を
艶消し面から除去して風乾する。試料を、炉で９０±５
゜Cで１分間加熱し、シラン処理試料を得る。シラン処
理試料、およびシラン処理を行わない以外はこれと同一
の箔試料を、積層して二官能性エポキシプリプレグにす
る。試料に１／４インチ幅で線を刻んで、初期剥離強度
を評価する。結果は以下の通りである。
【０１３８】
【表９】
【０１３９】（実施例１０）Ｎ―（２―アミノエチル―
３―アミノプロピル）トリメトキシシランを脱イオン水
に溶かした０．５重量%水溶液を調製する。下記のよう
な粗さおよび処理特性を有する重量１oz/ft2の電着銅箔
試料をこの溶液に３０秒間浸漬し、圧搾して余分な溶液
を光沢面から除去して風乾する。試料を、炉で９０±５
゜Cで１分間加熱し、シラン処理試料を得る。シラン処
理試料、およびシラン処理を行わない以外はこれと同一
の箔試料を、積層して四官能性エポキシプリプレグにす
る。試料に１／４インチ幅で線を刻んで、初期剥離強度
を評価する。結果は以下の通りである。
３―アミノプロピル）トリメトキシシランを脱イオン水
に溶かした０．５重量%水溶液を調製する。下記のよう
な粗さおよび処理特性を有する重量１oz/ft2の電着銅箔
試料をこの溶液に３０秒間浸漬し、圧搾して余分な溶液
を光沢面から除去して風乾する。試料を、炉で９０±５
゜Cで１分間加熱し、シラン処理試料を得る。シラン処
理試料、およびシラン処理を行わない以外はこれと同一
の箔試料を、積層して四官能性エポキシプリプレグにす
る。試料に１／４インチ幅で線を刻んで、初期剥離強度
を評価する。結果は以下の通りである。
【０１４０】
【表１０】
【０１４１】（実施例１１）Ｎ―（２―アミノエチル―
３―アミノプロピル）トリメトキシシランを脱イオン水
に溶かした０．５重量%水溶液を調製する。下記のよう
な粗さおよび処理特性を有する重量１oz/ft2の電着銅箔
試料をこの溶液に３０秒間浸漬し、圧搾して余分な溶液
を光沢面から除去して風乾する。試料を、炉で９０±５
゜Cで１分間加熱し、シラン処理試料を得る。シラン処
理試料、およびシラン処理を行わない以外はこれと同一
の箔試料を、積層して多官能性エポキシプリプレグにす
る。試料に１／４インチ幅で線を刻んで、初期剥離強度
を評価する。結果は以下の通りである。
３―アミノプロピル）トリメトキシシランを脱イオン水
に溶かした０．５重量%水溶液を調製する。下記のよう
な粗さおよび処理特性を有する重量１oz/ft2の電着銅箔
試料をこの溶液に３０秒間浸漬し、圧搾して余分な溶液
を光沢面から除去して風乾する。試料を、炉で９０±５
゜Cで１分間加熱し、シラン処理試料を得る。シラン処
理試料、およびシラン処理を行わない以外はこれと同一
の箔試料を、積層して多官能性エポキシプリプレグにす
る。試料に１／４インチ幅で線を刻んで、初期剥離強度
を評価する。結果は以下の通りである。
【０１４２】
【表１１】
【０１４３】（実施例１２）Ｎ―フェニルアミノプロピ
ルトリメトキシシランを脱イオン水に溶かした０．５重
量%水溶液を調製する。下記のような粗さおよび処理特
性を有する重量１oz/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に３
０秒間浸漬し、圧搾して余分な溶液を片面から除去して
風乾する。試料を、炉で９０±５゜Cで１分間加熱し、
シラン処理試料を得る。シラン処理試料、およびシラン
処理を行わない以外はこれと同一の箔試料を、積層して
二官能性エポキシプリプレグにする。試料に１／４イン
チ幅で線を刻んで、初期剥離強度を評価する。結果は以
下の通りである。
ルトリメトキシシランを脱イオン水に溶かした０．５重
量%水溶液を調製する。下記のような粗さおよび処理特
性を有する重量１oz/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に３
０秒間浸漬し、圧搾して余分な溶液を片面から除去して
風乾する。試料を、炉で９０±５゜Cで１分間加熱し、
シラン処理試料を得る。シラン処理試料、およびシラン
処理を行わない以外はこれと同一の箔試料を、積層して
二官能性エポキシプリプレグにする。試料に１／４イン
チ幅で線を刻んで、初期剥離強度を評価する。結果は以
下の通りである。
【０１４４】
【表１２】
【０１４５】（実施例１３）シラン混合物を脱イオン水
に溶かした０．５重量%水溶液を調製する。シラン混合
物は、３―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン２
５重量%と、フェニルトリエトキシシラン７５重量%から
成る。下記のような粗さおよび処理特性を有する重量１
oz/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に３０秒間浸漬し、圧
搾して余分な溶液を光沢面から除去して風乾する。試料
を、炉で９０±５゜Cで１分間加熱し、シラン処理試料
を得る。シラン処理試料、およびシラン処理を行わない
以外はこれと同一の箔試料を、積層して二官能性エポキ
シプリプレグにする。試料に１／４インチ幅で線を刻ん
で、初期剥離強度を評価する。結果は以下の通りであ
る。
に溶かした０．５重量%水溶液を調製する。シラン混合
物は、３―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン２
５重量%と、フェニルトリエトキシシラン７５重量%から
成る。下記のような粗さおよび処理特性を有する重量１
oz/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に３０秒間浸漬し、圧
搾して余分な溶液を光沢面から除去して風乾する。試料
を、炉で９０±５゜Cで１分間加熱し、シラン処理試料
を得る。シラン処理試料、およびシラン処理を行わない
以外はこれと同一の箔試料を、積層して二官能性エポキ
シプリプレグにする。試料に１／４インチ幅で線を刻ん
で、初期剥離強度を評価する。結果は以下の通りであ
る。
【０１４６】
【表１３】
【０１４７】（実施例１４）シラン混合物を脱イオン水
に溶かした０．５重量%水溶液を調製する。シラン混合
物は、Ｎ―メチルアミノプロピルトリメトキシシラン５
０重量%と、クロロプロピルトリメトキシシラン５０重
量%から成る。下記のような粗さおよび処理特性を有す
る重量１oz/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に３０秒間浸
漬し、圧搾して余分な溶液を光沢面から除去して風乾す
る。試料を、炉で９０±５゜Cで１分間加熱し、シラン
処理試料を得る。シラン処理試料、およびシラン処理を
行わない以外はこれと同一の箔試料を、積層して二官能
性エポキシプリプレグにする。試料に１／４インチ幅で
線を刻んで、初期剥離強度を評価する。結果は以下の通
りである。
に溶かした０．５重量%水溶液を調製する。シラン混合
物は、Ｎ―メチルアミノプロピルトリメトキシシラン５
０重量%と、クロロプロピルトリメトキシシラン５０重
量%から成る。下記のような粗さおよび処理特性を有す
る重量１oz/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に３０秒間浸
漬し、圧搾して余分な溶液を光沢面から除去して風乾す
る。試料を、炉で９０±５゜Cで１分間加熱し、シラン
処理試料を得る。シラン処理試料、およびシラン処理を
行わない以外はこれと同一の箔試料を、積層して二官能
性エポキシプリプレグにする。試料に１／４インチ幅で
線を刻んで、初期剥離強度を評価する。結果は以下の通
りである。
【０１４８】
【表１４】
【０１４９】（実施例１５）シラン混合物を脱イオン水
に溶かした０．５重量%水溶液を調製する。シラン混合
物は、３―（Ｎ―スチリルメチル―２―アミノエチルア
ミノ）プロピルトリメトキシシラン５０重量%と、Ｎ―
メチルアミノプロピルトリメトキシシラン５０重量%か
ら成る。下記のような粗さおよび処理特性を有する重量
１oz/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に３０秒間浸漬し、
圧搾して余分な溶液を光沢面から除去して風乾する。試
料を、炉で９０±５゜Cで１分間加熱し、シラン処理試
料を得る。シラン処理試料、およびシラン処理を行わな
い以外はこれと同一の箔試料を、積層して二官能性エポ
キシプリプレグにする。試料に１／４インチ幅で線を刻
んで、初期剥離強度を評価する。結果は以下の通りであ
る。
に溶かした０．５重量%水溶液を調製する。シラン混合
物は、３―（Ｎ―スチリルメチル―２―アミノエチルア
ミノ）プロピルトリメトキシシラン５０重量%と、Ｎ―
メチルアミノプロピルトリメトキシシラン５０重量%か
ら成る。下記のような粗さおよび処理特性を有する重量
１oz/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に３０秒間浸漬し、
圧搾して余分な溶液を光沢面から除去して風乾する。試
料を、炉で９０±５゜Cで１分間加熱し、シラン処理試
料を得る。シラン処理試料、およびシラン処理を行わな
い以外はこれと同一の箔試料を、積層して二官能性エポ
キシプリプレグにする。試料に１／４インチ幅で線を刻
んで、初期剥離強度を評価する。結果は以下の通りであ
る。
【０１５０】
【表１５】
【０１５１】（実施例１６）シラン混合物を脱イオン水
に溶かした０．５重量%水溶液を調製する。シラン混合
物は、３―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン５
０重量%と、Ｎ―メチルアミノプロピルトリメトキシシ
ラン５０重量%から成る。下記のような粗さおよび処理
特性を有する重量１oz/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に
３０秒間浸漬し、圧搾して余分な溶液を光沢面から除去
して風乾する。試料を、炉で９０±５゜Cで１分間加熱
し、シラン処理試料を得る。シラン処理試料、およびシ
ラン処理を行わない以外はこれと同一の箔試料を、積層
して二官能性エポキシプリプレグにする。試料に１／４
インチ幅で線を刻んで、初期剥離強度を評価する。結果
は以下の通りである。
に溶かした０．５重量%水溶液を調製する。シラン混合
物は、３―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン５
０重量%と、Ｎ―メチルアミノプロピルトリメトキシシ
ラン５０重量%から成る。下記のような粗さおよび処理
特性を有する重量１oz/ft2の電着銅箔試料をこの溶液に
３０秒間浸漬し、圧搾して余分な溶液を光沢面から除去
して風乾する。試料を、炉で９０±５゜Cで１分間加熱
し、シラン処理試料を得る。シラン処理試料、およびシ
ラン処理を行わない以外はこれと同一の箔試料を、積層
して二官能性エポキシプリプレグにする。試料に１／４
インチ幅で線を刻んで、初期剥離強度を評価する。結果
は以下の通りである。
【０１５２】
【表１６】
【０１５３】本発明の銅箔は、誘電性基板に次元的およ
び構造的な安定性を与えるために、該誘電性基板に接合
され得る。本発明の接着性促進層により、銅箔と誘電性
基板との間の接合力または剥離強度が高められる。本発
明の銅箔は、表面粗さの増加を防止し、しかも誘電性基
板との間に、有効な接合力または剥離強度を示す、とい
う利点を有する。このような箔は、標準プロフィル表
面、低プロフィル表面、および超低プロフィル表面さえ
有し得、しかも所望の剥離強度を示す。本発明の箔で
は、つや消し面と光沢面のどちらかが誘電性基板に有効
に接合され得る。
び構造的な安定性を与えるために、該誘電性基板に接合
され得る。本発明の接着性促進層により、銅箔と誘電性
基板との間の接合力または剥離強度が高められる。本発
明の銅箔は、表面粗さの増加を防止し、しかも誘電性基
板との間に、有効な接合力または剥離強度を示す、とい
う利点を有する。このような箔は、標準プロフィル表
面、低プロフィル表面、および超低プロフィル表面さえ
有し得、しかも所望の剥離強度を示す。本発明の箔で
は、つや消し面と光沢面のどちらかが誘電性基板に有効
に接合され得る。
【０１５４】有用な誘電性基板は、ふつうエポキシ樹脂
（例えば、二官能性、四官能性、多官能性エポキシな
ど）である部分的硬化樹脂に、ガラス繊維強化材料を含
浸させることによって調製され得る。他の有用な樹脂に
は、ホルムアルデヒトと尿素、もしくはホルムアルデヒ
トとメラミンとの反応から生じるアミノ型樹脂、ポリエ
ステル、フェノール樹脂、シリコーン、ポリアミド、ポ
リイミド、ジ―アリルフタレート、フェニルシラン、ポ
リベンズイミダゾール、ジフェニルオキサイド、ポリテ
トラフルオロエチレン、シアン酸エステル、などが含ま
れる。これらの誘電性基板は、プリプレグと称されるこ
とがある。
（例えば、二官能性、四官能性、多官能性エポキシな
ど）である部分的硬化樹脂に、ガラス繊維強化材料を含
浸させることによって調製され得る。他の有用な樹脂に
は、ホルムアルデヒトと尿素、もしくはホルムアルデヒ
トとメラミンとの反応から生じるアミノ型樹脂、ポリエ
ステル、フェノール樹脂、シリコーン、ポリアミド、ポ
リイミド、ジ―アリルフタレート、フェニルシラン、ポ
リベンズイミダゾール、ジフェニルオキサイド、ポリテ
トラフルオロエチレン、シアン酸エステル、などが含ま
れる。これらの誘電性基板は、プリプレグと称されるこ
とがある。
【０１５５】積層物を調製する際は、プリプレグ材料と
銅箔の両方を、ロール状に一巻きにした長いウエブ状で
与えると有用である。１つの実施態様では、これら箔と
プリプレグの長いウエブは、連続した工程によって積層
される。この工程では、接着性促進層が接着した本発明
の連続的ウエブを、積層条件下でプリプレグ材料の連続
的ウエブに接触させ、積層構造物を形成する。次に、こ
の積層構造物を方形シートに切断し、方形シートは、う
ず高い状態に積み上げられるか集められる。
銅箔の両方を、ロール状に一巻きにした長いウエブ状で
与えると有用である。１つの実施態様では、これら箔と
プリプレグの長いウエブは、連続した工程によって積層
される。この工程では、接着性促進層が接着した本発明
の連続的ウエブを、積層条件下でプリプレグ材料の連続
的ウエブに接触させ、積層構造物を形成する。次に、こ
の積層構造物を方形シートに切断し、方形シートは、う
ず高い状態に積み上げられるか集められる。
【０１５６】１つの実施態様では、銅箔とプリプレグ材
料の長いウエブは、まず方形シートに切断され、次に積
層化される。この工程では、接着性促進層が接着した本
発明の箔と、プリプレグ材料の方形シートとは、次い
で、うず高い状態に積み上げられるか集められる。
料の長いウエブは、まず方形シートに切断され、次に積
層化される。この工程では、接着性促進層が接着した本
発明の箔と、プリプレグ材料の方形シートとは、次い
で、うず高い状態に積み上げられるか集められる。
【０１５７】各集合物（assemblage）は、箔シートをど
ちらかの面に備えたプリプレグシートを有し得る。どの
場合も、接着性促進層が接着した銅箔シートの面（もし
くは、その内の一面）が、プリプレグに隣接して配置さ
れる。銅箔シート間にプリプレグシートを挟んだサンド
イッチ構造を有する積層物を調製するため、上記集合物
は、積層プレス板の間で、公知の積層温度および圧力に
よって処理され得る。プリプレグは、部分的に硬化され
た二段法（two-stage）樹脂で含浸されたガラス繊維強
化ファブリックから構成され得る。熱と圧力を加えるこ
とにより、銅箔はプリプレグに対してきつく押し付けら
れる。集合物の受ける温度は、樹脂を活性化して、硬化
つまり樹脂の架橋を起こさせ、それによって、箔をプリ
プレグ誘電性基板に堅く接合させる。一般に積層工程
は、圧力約２５０〜７５０psi、温度約１７５゜C〜２３
５゜C、そして約４０分から２時間の積層サイクルを必
要とする。完成した積層物は、プリント回路板（ＰＣ
Ｂ）を作成するのに使用され得る。
ちらかの面に備えたプリプレグシートを有し得る。どの
場合も、接着性促進層が接着した銅箔シートの面（もし
くは、その内の一面）が、プリプレグに隣接して配置さ
れる。銅箔シート間にプリプレグシートを挟んだサンド
イッチ構造を有する積層物を調製するため、上記集合物
は、積層プレス板の間で、公知の積層温度および圧力に
よって処理され得る。プリプレグは、部分的に硬化され
た二段法（two-stage）樹脂で含浸されたガラス繊維強
化ファブリックから構成され得る。熱と圧力を加えるこ
とにより、銅箔はプリプレグに対してきつく押し付けら
れる。集合物の受ける温度は、樹脂を活性化して、硬化
つまり樹脂の架橋を起こさせ、それによって、箔をプリ
プレグ誘電性基板に堅く接合させる。一般に積層工程
は、圧力約２５０〜７５０psi、温度約１７５゜C〜２３
５゜C、そして約４０分から２時間の積層サイクルを必
要とする。完成した積層物は、プリント回路板（ＰＣ
Ｂ）を作成するのに使用され得る。
【０１５８】１つの実施態様によれば、導電性の線また
はパターンを形成するために、積層物は、多層回路板を
作成する工程の一部として減法銅エッチング処理を受け
る。次に、上述の技術を用いて、第二の接着性促進層
が、エッチングされたパターンの上に設けられる。そし
て、第二のプリプレグが、エッチングされたパターンの
上に接着され、第二の接着性促進層は、エッチングされ
たパターンと第二のプリプレグの間に配置され、その両
方に接着される。多層回路板を作成する技術は、当該技
術分野で周知である。同様に、減法エッチングプロセス
も周知であり、例えば、本発明に参考として援用されて
いる米国特許第5,017,271号に開示されている。
はパターンを形成するために、積層物は、多層回路板を
作成する工程の一部として減法銅エッチング処理を受け
る。次に、上述の技術を用いて、第二の接着性促進層
が、エッチングされたパターンの上に設けられる。そし
て、第二のプリプレグが、エッチングされたパターンの
上に接着され、第二の接着性促進層は、エッチングされ
たパターンと第二のプリプレグの間に配置され、その両
方に接着される。多層回路板を作成する技術は、当該技
術分野で周知である。同様に、減法エッチングプロセス
も周知であり、例えば、本発明に参考として援用されて
いる米国特許第5,017,271号に開示されている。
【０１５９】積層物からＰＣＢを作成するには、多数の
製造方法が用いられ得る。さらに、ＰＣＢには、テレ
ビ、ラジオ、コンピュータを含めて、多種多様な最終用
途への適用が存在する。これらの方法および最終用途は
当該技術分野で公知である。
製造方法が用いられ得る。さらに、ＰＣＢには、テレ
ビ、ラジオ、コンピュータを含めて、多種多様な最終用
途への適用が存在する。これらの方法および最終用途は
当該技術分野で公知である。
【０１６０】本発明は好適な実施例に従って説明された
が、本明細書を読むことで当業者に本発明の様々な変形
が明らかになることが理解されるであろう。従って、開
示された発明は、そのような変形を添付の請求項の請求
の範囲に含むものとして理解されたい。
が、本明細書を読むことで当業者に本発明の様々な変形
が明らかになることが理解されるであろう。従って、開
示された発明は、そのような変形を添付の請求項の請求
の範囲に含むものとして理解されたい。
【０１６１】
【発明の効果】本発明の利点は、接着性促進層によっ
て、接着が強められるばかりでなく、特に電着銅箔の光
沢面が処理される場合、処理された箔に、より強い耐酸
化特性が与えられる点にある。当業界では、より速い、
より高温の処理を実施する傾向があるため、後者の特性
には特別な価値がある。さらに、本発明の接着性促進層
には、処理された箔に、より優れた酸アンダーカット耐
性を与えるという利点がある。
て、接着が強められるばかりでなく、特に電着銅箔の光
沢面が処理される場合、処理された箔に、より強い耐酸
化特性が与えられる点にある。当業界では、より速い、
より高温の処理を実施する傾向があるため、後者の特性
には特別な価値がある。さらに、本発明の接着性促進層
には、処理された箔に、より優れた酸アンダーカット耐
性を与えるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】銅箔および該銅箔のつや消し面に付着した接着
性促進層の側面図である。
性促進層の側面図である。
【図２】銅箔および該銅箔のつや消し面および光沢面に
付着した接着性促進層の側面図である。
付着した接着性促進層の側面図である。
【図３】銅箔および該銅箔のつや消し面に付着したバリ
ヤ層、安定剤層および接着性促進層の側面図である。
ヤ層、安定剤層および接着性促進層の側面図である。
【図４】銅箔および該銅箔のつや消し面および光沢面に
付着したバリヤ層、安定剤層および接着性促進層の側面
図である。
付着したバリヤ層、安定剤層および接着性促進層の側面
図である。
１０ 銅箔 １２ つや消し面 １４ 光沢面 １５ バリヤ層 １６ バリヤ層 １７ 安定剤層 １８ 安定剤層 ２０ 接着性促進層 ２２ 接着性促進層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アンドレア エム． コバックス アメリカ合衆国 オハイオ 44140，ベイ ビレッジ，オークムーア アベニュー 538
Claims (35)
- 【請求項１】 少なくとも一面に接着性促進層を有する
金属箔であって、 該接着性促進層が、少なくとも１つのシランカップリン
グ剤を含有し、クロムが存在しないことによって特徴づ
けられ、 該接着性促進層の下に形成される該金属箔のベース表面
が、表面粗さが加えられないこと、または該ベース表面
に付着した亜鉛層もしくはクロム層が存在しないことに
よって特徴づけられる、 金属箔。 - 【請求項２】 前記金属箔がつや消し面と光沢面とを有
し、前記接着性促進層が該つや消し面上に形成されてい
る、請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項３】 前記金属箔がつや消し面と光沢面とを有
し、前記接着性促進層が該光沢面上に形成されている、
請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項４】 前記金属箔の前記一面に前記接着性促進
層を形成する前に、該金属箔の該一面は処理されない、
請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項５】 前記接着性促進層が前記金属箔の両面に
形成されている、請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項６】 前記金属箔が電着銅箔である、請求項１
に記載の金属箔。 - 【請求項７】 前記金属箔が錬銅箔である、請求項１に
記載の金属箔。 - 【請求項８】 前記金属箔の前記一面が標準プロフィル
面である、請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項９】 前記金属箔の前記一面が低プロフィル面
である、請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項１０】 前記金属箔の前記一面が超低プロフィ
ル面である、請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項１１】 前記シランカップリング剤が以下の式
で示される少なくとも１つの化合物であり、 【化１】 Ｒが官能基で置換された炭化水素基であり、該官能基で
置換された炭化水素基の官能置換基がアミノ、ヒドロキ
シ、ハロ、メルカプト、アルコキシ、アシルまたはエポ
キシであり、Ｘが加水分解性基であり、ｎが１、２また
は３である、 請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項１２】 前記シランカップリング剤が、Ｎ−
（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、３−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミノエチ
ルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチ
ル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、β−
（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキ
シシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラ
ン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、ビニルト
リクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニル−
トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルトリ
メトキシシラン、Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメト
キシシラン、３−アセトキシプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−（３−アクリルオキシ−２−ヒドロキシプロピ
ル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−ア
クリルオキシプロピルトリメトキシシラン、アリルトリ
エトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、４−アミ
ノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノメ
チル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミ
ノエチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、
Ｎ−（２−アミノエチル−３−アミノプロピル）トリス
（２−エチルヘキソキシ）シラン、６−（アミノヘキシ
ルアミノプロピル）トリメトキシシラン、アミノフェニ
ルトリメトキシシラン、３−（１−アミノプロポキシ）
−３，３−ジメチル−１−プロペニルトリメトキシシラ
ン、３−アミノプロピルトリス（メトキシエトキシエト
キシ）シラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ω−アミ
ノウンデシルトリメトキシシラン、３−［２−Ｎ−ベン
ジルアミノエチルアミノプロピル］トリメトキシシラ
ン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン、８−ブロモオクチルトリメトキ
シシラン、ブロモフェニルトリメトキシシラン、３−ブ
ロモプロピルトリメトキシシラン、２−クロロエチルト
リエトキシシラン、ｐ−（クロロメチル）フェニルトリ
メトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、ク
ロロフェニルトリエトキシシラン、３−クロロプロピル
トリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシ
シラン、２−（４−クロロスルホニルフェニル）エチル
トリメトキシシラン、３−（シアノエトキシ）−３，３
−ジメチル−１−プロペニルトリメトキシシラン、２−
シアノエチルトリエトキシシラン、２−シアノエチルト
リメトキシシラン、（シアノメチルフェネチル）トリメ
トキシシラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラ
ン、３−シクロペンタジエニルプロピルトリエトキシシ
ラン、（Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−アミノプロピル）トリ
メトキシシラン、ジエチルホスファトエチルトリエトキ
シシラン、（Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−アミノプロピル）
トリメトキシシラン、２−（ジフェニルホスフィノ）エ
チルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシク
ロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−ヨードプ
ロピルトリメトキシシラン、３−イソシアナートプロピ
ルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエ
トキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシ
ラン、メタクリルオキシプロペニルトリメトキシシラ
ン、３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラ
ン、３−メタクリルオキシプロピルトリス（メトキシエ
トキシ）シラン、３−メトキシプロピルトリメトキシラ
ン、Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｏ
−４−メチルクマリニル−Ｎ−［３−（トリエトキシシ
リル）プロピル］カルバメート、７−オクタン−１ーエ
ニルトリメトキシシラン、Ｎ−フェネチル−Ｎ’−トリ
エトキシシリルプロピル、Ｎ−フェニルアミノプロピル
トリメトキシシラン、３−（Ｎ−スチリルメチル−２−
アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３
−チオシアナートプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−
（３−トリエトキシシリルプロピル）アセチルグリシン
アミド、Ｎ−（トリエトキシシリルプロピル）ダンシル
アミド、Ｎ−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］
−２，４−ジニトロフェニルアミン、トリエトキシシリ
ルプロピルエチルカルバメート、Ｎ−［３−（トリエト
キシシリル）プロピル］−４，５−ジヒドロイミダゾー
ル、Ｎ−トリエトキシシリルプロピル−ｏーメントカル
バメート、３−（トリエトキシシリルプロピル）−ｐ−
ニトロベンズアミド、Ｎ−［３−（トリエトキシシリ
ル）プロピル］フタルアミド酸、Ｎ−（トリエトキシシ
リロプロピル）尿素、１−トリメトキシシリル−２−
（ｐ，ｍ−クロロメチル）−フェニルエタン、２−（ト
リメトキシシリル）−エチルフェニルスルホニルアジ
ド、β−トリメトキシシリルエチル−２−ピリジン、ト
リメトキシシリルオクチルトリメチルアンモニウムブロ
マイド、トリメトキシシリルプロピルシンナメート、Ｎ
（３−トリメトキシシリルプロピル）−Ｎ−メチル−
Ｎ，Ｎ−ジアリルアンモニウムクロライド、トリメトキ
シシリルプロピルジエチレントリアミン、Ｎ−［（３−
トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン三酢
酸三ナトリウム塩、トリメトキシシリルプロピルイソチ
オウロニウムクロライド、Ｎ−（３−トリメトキシシリ
ルプロピル）ピロール、Ｎ−トリメトキシシリルプロピ
ルトリ−Ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、Ｎ−トリ
メトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアン
モニウムクロライド、ビニルトリエトキシシラン、ビニ
ルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリス−ｔ−ブトキシシラン、ビニルトリス
（２−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリイソプロ
ペノキシシラン、ビニルトリス（ｔ−ブチルペルオキ
シ）シラン、２−アセトキシエチルトリクロロシラン、
３−アクリルオキシプロピルトリクロロシラン、アリル
トリクロロシラン、８−ブロモオクチルトリクロロシラ
ン、ブロモフェニルトリクロロシラン、３−ブロモプロ
ピルトリクロロシラン、２−（カルボメトキシ）エチル
トリクロロシラン、１−クロロエチルトリクロロシラ
ン、２−クロロエチルトリクロロシラン、ｐ−（クロロ
メチル）フェニルトリクロロシラン、クロロメチルトリ
クロロシラン、クロロフェニルトリクロロシラン、３−
クロロプロピルトリクロロシラン、２−（４−クロロス
ルホニルフェニル）エチルトリクロロシラン、（３−シ
アノブチル）トリクロロシラン、２−シアノエチルトリ
クロロシラン、３−シアノプロピルトリクロロシラン、
（ジクロロメチル）トリクロロシラン、（ジクロロフェ
ニル）トリクロロシラン、６−ヘキサン−１−エニルト
リクロロシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリク
ロロシラン、３−（４−メトキシフェニル）プロピルト
リクロロシラン、７−オクタン−１−エニルトリクロロ
シラン、３−（Ｎ−フタルイミド）プロピルトリクロロ
シラン、１−トリクロロシリル−２−（ｐ，ｍ−クロロ
メチルフェニル）エタン、４−［２−（トリクロロシリ
ル）エチル］シクロヘキセン、２−［２−（トリクロロ
シリル）エチル］ピリジン、４−［２−（トリクロロシ
リル）エチル］ピリジン、３−（トリクロロシリル）プ
ロピルクロロフォルメート、およびビニルトリクロロシ
ランからなる群から選択される少なくとも１つの化合物
である、 請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項１３】 前記シランカップリング剤が以下の式
で示される少なくとも１つの化合物であり、 【化２】 Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が独立して水素または炭化水素基で
あり、 Ｒ4およびＲ5が独立してアルキレン基またはアルキリデ
ン基であり、 Ｒ6、Ｒ7およびＲ8が独立して炭化水素基である、 請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項１４】 前記シランカップリング剤が以下の式
で示される少なくとも１つの化合物であり、 【化３】 Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が独立して水素または炭化水素基で
あり、 Ｒ4がアルキレン基またはアルキリデン基であり、 Ｒ5、Ｒ6およびＲ7が独立して炭化水素基である、 請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項１５】 前記シランカップリング剤が以下の式
で示される少なくとも１つの化合物であり、 【化４】 Ｒ1およびＲ2が独立して水素または炭化水素基であり、 Ｒ3がアルキレン基またはアルキリデン基であり、 Ｒ4、Ｒ5およびＲ6が独立してヒドロカルビル基であ
る、 請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項１６】 前記シランカップリング剤が以下の式
で示される少なくとも１つの化合物であり、 【化５】 Ｒ1、Ｒ2およびＲ4が独立して水素または炭化水素基で
あり、 Ｒ3およびＲ5が独立してアルキレン基またはアルキリデ
ン基であり、 Ｒ6、Ｒ7およびＲ8が独立して炭化水素基である、 請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項１７】 前記シランカップリング剤が以下の式
で示される少なくとも１つの化合物であり、 【化６】 Ｒ1が水素または炭化水素基であり、 Ｒ2がアルキレン基またはアルキリデン基であり、 Ｒ3、Ｒ4およびＲ5が独立して炭化水素基である、 請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項１８】 前記シランカップリング剤が以下の式
で示される少なくとも１つの化合物であり、 【化７】 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5およびＲ7が独立して水素または炭
化水素基であり、 Ｒ4、Ｒ6およびＲ8が独立してアルキレン基またはアル
キリデン基であり、 各Ｒ9が独立して炭化水素基であり、 Ａｒが芳香族基であり、 Ｘがハロゲンである、 請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項１９】 前記シランカップリング剤が以下の式
で示される少なくとも１つの化合物であり、 【化８】 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7が独立して炭化水素
基であり、 Ｒ4がアルキレン基またはアルキリデン基であり、 ｎが０または１である、 請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項２０】 前記シランカップリング剤が、アミノ
プロピルトリメトキシシラン、テトラエトキシシラン、
ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルト
リエトキシシラン、３−（Ｎ−スチリルメチル−２−ア
ミノエチルアミン）プロピルトリメトキシシラン、３−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−メチル
アミノプロピルトリメトキシシラン、２−（２−アミノ
エチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、お
よびＮ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシランか
らなる群から選択される、請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項２１】 前記シランカップリング剤がシランカ
ップリング剤の混合物であって、該混合物は、 （Ａ）３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランお
よびフェニルトリエトキシシラン； （Ｂ）Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキシシランお
よびクロロプロピルトリメトキシシラン； （Ｃ）３−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミノエチルア
ミノ）プロピルトリメトキシシランおよびＮ−メチルア
ミノプロピルトリメトキシシラン；または（Ｄ）３−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシランおよびＮ−メチ
ルアミノプロピルトリメトキシシランである、 請求項１に記載の金属箔。 - 【請求項２２】 少なくとも１つの金属層が、前記金属
箔の前記一面と、前記接着性促進層との間に設けられ、
該金属層中の金属が、インジウム、錫、ニッケル、コバ
ルト、真鍮、青銅、または２個以上のこれらの金属の混
合物からなる群から選択される、請求項１に記載の金属
箔。 - 【請求項２３】 少なくとも１つの金属層が、前記金属
箔の前記一面と、前記接着性促進層との間に設けられ、
該金属層中の金属が、錫、クロム−亜鉛混合物、ニッケ
ル、モリブデン、アルミニウム、および２個以上のこれ
らの金属の混合物からなる群から選択される、請求項１
に記載の金属箔。 - 【請求項２４】 少なくとも１つの第１金属層が前記金
属箔の前記一面に接着され、該第１金属層中の金属が、
インジウム、錫、ニッケル、コバルト、真鍮および青銅
からなる群から選択され、少なくとも１つの第２金属層
が該第１金属層に接着され、該第２金属層中の金属が、
錫、クロム、クロム−亜鉛混合物、亜鉛、ニッケル、モ
リブデン、アルミニウム、および２個以上のこれらの金
属の混合物からなる群から選択され、該接着性促進層
が、該第２金属層に接着されている、請求項１に記載の
金属箔。 - 【請求項２５】 つや消し面と、光沢面と、該光沢面上
に形成されている接着性促進層とを有する銅箔であっ
て、該接着性促進層が少なくとも１つのシランカップリ
ング剤を含有し、該接着性促進層の下に形成されている
該銅箔のベース表面が、表面粗さを加えられないことに
よって特徴づけられる、銅箔。 - 【請求項２６】 つや消し面と、光沢面と、該光沢面上
に形成されている接着性促進層とを有する銅箔であっ
て、該接着性促進層が少なくとも１つのシランカップリ
ング剤を含有し、該光沢面のベース表面が、表面粗さが
加えられないこと、および該ベース表面に付与された亜
鉛層が存在しないことによって特徴づけられる、銅箔。 - 【請求項２７】 少なくとも一面に接着性促進層を有す
る金属箔であって、 該接着性促進層が、少なくとも１つのシランカップリン
グ剤を含有し、クロムが存在しないことによって特徴づ
けられ、該シランカップリング剤が３−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン以外のものであり、 該接着性促進層の下に形成されている該金属箔のベース
表面が、表面粗さが加えられないこと、または該ベース
表面に付着した亜鉛層もしくはクロム層が存在しないこ
とによって特徴づけられる、金属箔。 - 【請求項２８】 つや消し面と、光沢面と、該光沢面上
に形成されている接着性促進層とを有する銅箔であっ
て、該接着性促進層が少なくとも１つのシランカップリ
ング剤を含有し、該シランカップリング剤が３−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン以外のものであり、
該接着性促進層の下に形成されている該金属箔のベース
表面が、表面粗さが加えられないことによって特徴づけ
られる、銅箔。 - 【請求項２９】 少なくとも一面に接着性促進層を有す
る電着銅箔であって、 該接着性促進層が少なくとも１つのシランカップリング
剤を含有し、クロムが存在しないことによって特徴づけ
られ、 該接着性促進層の下に形成されている該銅箔のベース表
面が、表面粗さが加えられないこと、または該ベース表
面に付着した亜鉛層もしくはクロム層が存在しないこと
によって特徴づけられ、 該ベース表面が、該ベース表面に付着した少なくとも１
つの金属層を有し、該金属層中の金属が、インジウム、
錫、ニッケル、コバルト、真鍮、青銅または２個以上の
これらの金属の混合物からなる群から選択され、該接着
性促進層が該金属層に付着している、 電着銅箔。 - 【請求項３０】 少なくとも一面に接着性促進層を有す
る電着銅箔であって、 該接着性促進層が少なくとも１つのシランカップリング
剤を含有し、クロムが存在しないことによって特徴づけ
られ、 該接着性促進層の下に形成されている該銅箔のベース表
面が、表面粗さが加えられないこと、または該ベース表
面に付着した亜鉛層もしくはクロム層が存在しないこと
によって特徴づけられ、 該ベース表面が、該ベース表面に付着した少なくとも１
つの金属層を有し、該金属層中の金属が、錫、クロム−
亜鉛混合物、ニッケル、モリブデン、アルミニウム、お
よび２個以上のこれらの金属の混合物からなる群から選
択され、該接着性促進層が該金属層に付着している、 電着銅箔。 - 【請求項３１】 少なくとも一面に接着性促進層を有す
る電着銅箔であって、 該接着性促進層が少なくとも１つのシランカップリング
剤を含有し、クロムが存在しないことによって特徴づけ
られ、 該接着性促進層の下に形成されている該銅箔のベース表
面が、表面粗さが加えられないこと、または該ベース表
面に付着した亜鉛層もしくはクロム層が存在しないこと
によって特徴づけられ、 該ベース表面が該ベース表面に付着した少なくとも１つ
の第１金属層を有し、該第１金属層中の金属が、インジ
ウム、錫、ニッケル、コバルト、真鍮および青銅からな
る群から選択され、少なくとも１つの第２金属層が該第
１金属層に接着され、該第２金属層中の金属が、錫、ク
ロム、クロム−亜鉛混合物、亜鉛、ニッケル、モリブデ
ン、アルミニウム、および２個以上のこれらの金属の混
合物からなる群から選択され、該接着性促進層が、該第
２金属層に接着されている、 電着銅箔。 - 【請求項３２】 少なくとも一面に低プロフィル表面
と、接着性促進層とを有する電着銅箔であって、 該接着性促進層が少なくとも１つのシランカップリング
剤を含有し、クロムが存在しないことによって特徴づけ
られ、 該接着性促進層の下に形成されている該銅箔のベース表
面が、表面粗さが加えられないこと、または該ベース表
面に接着された亜鉛層もしくはクロム層が存在しないこ
とによって特徴づけられる、 電着銅箔。 - 【請求項３３】 導電性材料層と、非導電性材料層と、
該導電性材料層と該非導電性材料層との間に設けられた
接着性促進層とを包含するラミネートであって、 該接着性促進層が少なくとも１つのシランカップリング
剤を含有し、クロムが存在しないことによって特徴づけ
られ、 該接着性促進層の下に形成されている該導電性材料層の
ベース表面が、表面粗さが加えられないこと、または該
ベース表面に接着された亜鉛層もしくはクロム層が存在
しないことによって特徴づけられる、 ラミネート。 - 【請求項３４】 エッチングされた導電性材料層と、非
導電材料層と、該導電材料層と該非導電性材料層との間
に設けられ接着された接着性促進層とを包含するエッチ
ングされたラミネートであって、 該接着性促進層が少なくとも１つのシランカップリング
剤を含有し、クロムが存在しないことによって特徴づけ
られ、 該接着性促進層の下に存在する該導電性材料層のベース
表面が、表面粗さが加えられないこと、または該ベース
表面に接着された亜鉛層もしくはクロム層が存在しない
ことによって特徴づけられる、 エッチングされたラミネート。 - 【請求項３５】 対向する第１面と第２面とを有するエ
ッチングされた導電材料層と、非導電性材料の第１層
と、非導電性材料の第２層と、第１接着性促進層と、第
２接着性促進層とを包含するエッチングされた多層ラミ
ネートであって、該第１接着性促進層が、該エッチング
された導電材料層の該第１面と、該非導電材料の第１層
との間に設けられ接着され、該第２接着性促進層が、該
エッチングされた導電材料の該第２面と、該非導電材料
の第２層との間に設けられ、 該第１接着性促進層および該第２接着性促進層が、少な
くとも１つのシランカップリング剤を含有し、クロムが
存在しないことによって特徴づけられ、 該第１および第２接着性促進層の下に形成されている該
導電性材料層の該１面および該２面のベース表面が、表
面粗さが加えられないこと、または該ベース表面に接着
された亜鉛層もしくはクロム層が存在しないことによっ
て特徴づけられる、 多層ラミネート。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10307593A | 1993-08-06 | 1993-08-06 | |
| US08/103,075 | 1993-08-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07170064A true JPH07170064A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=22293242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6185028A Pending JPH07170064A (ja) | 1993-08-06 | 1994-08-05 | 接着性促進層を有する金属箔 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0637902B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07170064A (ja) |
| KR (1) | KR950007619A (ja) |
| CN (1) | CN1106977A (ja) |
| AT (1) | ATE178451T1 (ja) |
| DE (1) | DE69417489T2 (ja) |
| RU (1) | RU94028645A (ja) |
| TW (1) | TW326423B (ja) |
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| ATE178451T1 (de) | 1999-04-15 |
| RU94028645A (ru) | 1996-08-27 |
| KR950007619A (ko) | 1995-03-21 |
| DE69417489D1 (de) | 1999-05-06 |
| EP0637902A1 (en) | 1995-02-08 |
| TW326423B (en) | 1998-02-11 |
| CN1106977A (zh) | 1995-08-16 |
| DE69417489T2 (de) | 1999-10-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040422 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040630 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041012 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080711 |
|
| A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20081028 |