KR100348410B1 - 수지먼지 저항성 증대방법 - Google Patents

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Abstract

일견지에 있어서, 본 발명은 금속 호일의 수지먼지저항성을 증대시키는 방법에 관한 것이며, 이 방법은 금속호일의 표면에 약 0.001미크론~1미크론의 두께를 갖는 수지먼지 저항성 피막을 형성하기위해 금속호일을 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트화합물과 접촉시킴을 포함한다. 또 다른 견지에 있어서, 본 발명은 금속 호일을 처리하는 방법에 관한 것이며, 이 방법은 금속호일의 표면상에 수지먼지 저항성 피막을 형성하기위해, 금속의 제 1면을 하이드로카르빌실란을 체적비로 0.01%~10% 포함하는 하이드로카르빌실란용액과 접촉시키는 단계; 및 상기 금속호일의 제 2면을 프리프레그에 라미네이트하는 단계를 포함한다.

Description

수지먼지 저항성 증대방법{A METHOD OF INCREASING RESIN DUST RESISTANCE}
본 발명은 깨끗한 금속 호일 표면을 유지하기위해 금속 호일을 처리하는 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 수지 먼지에 대한 저항성을 향상시키기위해 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트(zirconate) 화합물로 금속 호일을 처리하는 방법에 관한 것이다.
구리 피복 라미네이트(copper clad laminates)는 전자산업에 이용되는 인쇄 회로판의 기본 성분이다. 가장 일반적인 공정에서, 구리 호일은 열과 압력에 의해 에폭시수지, 침투된 섬유 유리같은 수지의 프리프레그(prepreg)에 접착된다. 상기 프리프레그에 대하여 압압되는 상기 구리 호일 표면은 불균일하거나 프로파일된 표면으로서 정상적인 공정 조건하에서 상기 라미네이팅이 함께 유지되도록 몇가지 부가적인 접합 처리가 되어있다.
반대편의 호일 표면(프리프레그에 결합되지않은 표면)은, 호일의 산화 방지및 납땜 흡수성과 적절한 포토레지스트 부착을 위한 다양한 처리로 전형적으로 평탄한 표면이다. 반대편의 호일 표면은 종종 포토레지스트를 가하기전에, 다양한 부스러기를 제거하기위해 세정된다. 특히, 라미네이트의 제작동안 프리프레그의 처리동안에 형성된 수지 먼지는, 라미네이팅 주기동안 구리 호일의 광채나는 표면상에 바람직하지 못하게 부착된다. 사실, 어떠한 유기물이라도 상기 라미네이션 주기동안 바람직하지못하게 금속 호일에 결합될 수 있다. 만일 이러한 수지 먼지가 라미네이트를 에칭하기전에 제거되지 않는다면, 선의 모양 및 구리 공간을 생성할때, 수지먼지부위가 에칭 용액으로부터 구리 부분을 차단하여, 완전한 제거에 장애가 된다. 결과적으로, 수지 먼지로 오염된 라미네이트를 가진채로 미세 금속선을 형성하는 것은 어렵다. 만일, 수지 먼지부위가 크고 잘못된 위치에 존재하는 경우, 구리선 사이에 원하지 않는 브리지가 형성되어, 후속적으로 형성되는 회로에 쇼트를 야기하고 기판을 사용하지 못하게 만든다. 수지 먼지, 특히 에폭시 수지 먼지를 가진 구리 피복 라미네이트를 에칭하는 것은 이같이 문제를 야기하게 되는것이다.
최근에, 노출된 라미네이팅 표면의 세정이 실용적이지 못한 2가지 종류의 금속호일이 사용가능하다. 첫번째 타입은 다층 기판을 위한 이중 처리 호일이며, 이는 첫번째 라미네이팅후, 다른 프리프레그가 반대편 호일 표면에 대하여 놓여져서, 압압되어 프리프레그-호일-프리프레그 "샌드위치"를 형성하기때문에, 구리의 양면 모두가 부가적인 결합 처리를 받게된다. 이러한 표면의 어떠한 세정도 결합 처리에 손상적일 수 있으며, 두번째 프리프레그에 강한 결합을 형성할 수 있는 능력을 감소시킨다.
두번째 타입의 금속호일은 역처리 호일이며, 여기서 결합 처리는 단지 호일의 부드러운 면에만 적용되고 그 부드러운면은 프리프레그에 라미네이트되고 불균일하거나 무광택면은 수지 먼지에 노출된다. 이러한 표면 세정은 포토레지스트 부착 및 다음 공정에 바람직한 일부 프로파일을 감소시키는 바람직하지못한 공정이다. 어떠한 금속 표면을 세정하는 것은 불이익적이다.
일 구체화에 있어서, 본 발명은 금속 호일을 불활성 실란, 티타네이트 혹은 지르코네이트화합물과 접촉시켜 금속 호일의 표면상에, 약 0.001미크론에서 약 1미크론의 두께를 갖는 수지 먼지 저항성 피막을 형성하는, 금속 호일의 수지 먼지저항성 증대방법에 관한 것이다.
또 다른 구체화에 있어서, 본 발명은 금속 호일의 표면상에 수지 먼지 저항성 피막을 형성하기위해 하이드로카르빌실란 약 0.01~10 v/v%를 포함하는 하이드로카르빌실란(hydrocarbylsilane)용액과 금속 호일의 첫번째 면을 접촉시키는 단계 및 그 금속 호일의 두번째 면을 프리프레그에 라미네이팅하는 단계를 포함하는 금속 호일 처리 방법에 관한 것이다.
또 다른 구체화에 있어서, 본 발명은 알킬실란 약 0.05 ~약 5 v/v% 및 트리아졸 화합물 약 0.1 g/l~약 10g/l를 포함하는 용액과 구리 호일을 접촉시키는 단계 및 그 금속 호일을 수지물질에 라미네이팅하는 단계를 포함하는 구리호일처리방법에 관한 것이다.
본 발명의 결과로서, 높은 수지 먼지 저항성을 나타내는 금속 호일을 제공할 수 있다. 특히, 본 발명은 프리프레그에 인접하지않은 금속 표면의 노출된 면에 수지 먼지가 부착하거나/그리고 축적되는 것을 방지하는 금속 호일 표면에 적용되는 피막을 제공한다. 따라서, 본 발명에 의해 세정없이 라미네이션후에 깨끗한 금속 호일 표면을 얻을 수 있다. 또한, 세정 혹은 세척없이 라미네이션후에 깨끗한 금속 호일 표면을 유지하는 것이 가능하다.
본 발명은 금속 호일에 수지 먼지 저항성을 부여하기위하여 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트(zirconate) 화합물을, 금속 호일의 표면과 접촉시켜 금속 호일을 처리하는 것에 관한 것이다. 즉, 금속 호일의 표면을 불활성 실란, 티타네이트 혹은 지르코네이트 화합물과 접촉함으로써 금속 호일에 대한 수지먼지접착성을 감소시키는 것이다. 실란 화합물이 바람직하다. 전형적으로, 금속 호일의 노출된 면이 처리된다(프리프레그와 인접하지 않은 면). 수지 먼지는 사용, 저장, 운반, 수지계 절연재 및 프리프레그 같은 마모 및 흠집으로부터 방출되거나 혹은 발산되는 여러가지 부스러기, 미립자 및 기타 작은 입자를 포함한다. 수지 먼지는 전형적으로 에폭시 수지 물질, 폴리이미드 및 폴리에스테르 수지 물질과 같은 유기 물질로부터 발생한다. 에폭시 수지 물질로 부터 나온 수지 먼지가 특히 문제를 일으킨다. 본 발명에 의하면 금속호일 표면을 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물과 접촉처리함으로써 금속호일면에 먼지저항성 피막을 형성한다.
본 발명에 따라 처리되는 금속 호일은 에폭시 프리프레그와 같은 수지계 물질로 라미네이트되어질 수 있는 어떠한 종류의 금속 호일일 수 있다. 본 발명에 따라 처리되는 금속 호일은 바람직하게는 전기적 전도성이 있는 호일이 좋으며, 구리 및 구리계 합금 호일이 특히 바람직하다. 다른 예로서는 알루미늄, 니켈, 주석, 은, 금 및 이들의 합금을 포함한다. 금속 호일은 어느 적절한 방식으로 제조될 수 있다. 전형적으로, 상기 금속 호일은 2가지 기술중 한가지에 의해 제조된다. 구리호일과 같이 전신(展伸)된 혹은 압연된 금속 호일은 압연과 같은 공정에 의해 금속이나 금속합금 스트립 또는 잉고트의 두께를 기계적으로 감소시켜 제조된다. 전착 호일은 구리 이온과 같은 금속 이온을 회전하는 음극 드럼상에서 전기분해적으로 침적시킨다음 그 침적된 스트립을 음극으로부터 벗겨냄으로써 제조된다. 전착 구리 호일이 특히 바람직하다.
상기 금속 호일은 전형적으로 약 0.0002 인치에서 약 0.2 인치의 공칭 두께를 갖는다. 금속 호일 두께는 종종 중량으로 표시되며, 전형적으로 본 발명의 호일은 예를들면, 약 1/8 에서 약 14 oz/ft2와 같은 범위의 무게 혹은 두께를 갖는다. 특히 유용한 금속 호일은 1/2, 1 또는 2 oz/ft2의 무게를 가지며, 특히, 1/2, 1 또는 2 oz/ft2의 무게를 갖는 구리 호일이다.
전착된 금속 호일은 스무드하거나 광택성(드럼) 면 및 거칠거나 무광(금속 침전면) 면을 갖는다. 본 발명에 따라 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트와 접촉될 수 있는 금속 호일(전착되거나 전신된)의 면 혹은 면들은 거칠거나 혹은무광택면이거나 광택면이거나 양면일 수 있다(표준 처리된 호일, 역처리된 호일 및 이중처리된 호일). 표준 처리된 금속 호일은 무광택면을 가지며, 역처리된 금속 호일은 광택면을 가지며, 그리고 이중처리된 금속 호일은 무광택 및 광택의 모든 면을 갖는다.
이러한 면은 "표준-프로파일 표면(standard-profile surface)", "낮은-프로파일 표면(low-profile surface)" 혹은 "아주 낮은-프로파일 표면(very-low-profile surface)"이 될 수 있다. 특히 바람직한 구체화는 무광택 및 표준-프로파일 표면을 가진 호일의 사용을 포함한다. 용어 "표준-프로파일 표면"은 여기서 약 7미크론에서 12미크론의 Rtm을 갖는 호일 표면을 지칭한다. 용어 "낮은-프로파일 표면"은 약 7미크론 혹은 그 미만의 Rtm을 갖는 호일 표면을 지칭한다. 용어 "아주 낮은-프로파일 표면"은 약 4미크론 혹은 그 미만의 Rtm을 갖는 호일 표면을 지칭한다. Rtm은 5개의 연속적인 샘플링 측정 각각에서 최대치와 최저치의 수직 측정값의 평균을 의미하며, Rank Talor Hobson, Ltd., Leicester, England에서 제조된 Sutronic 3 프로파일로미터를 이용하여 측정될 수 있다.
한 구체화에 있어서, 본 발명의 금속 호일은 아연을 포함하는 어떠한 첨가 금속층이 없는것으로 특징지을 수 있다. 이것은 아연층 뿐만 아니라 아연을 포함하는 금속 합금층도 포함한다. 몇몇 경우에 있어서, 아연은 불활성 실란에 해롭게 간섭하여, 그 결과 처리된 금속 호일의 특성을 저하시킨다.
일 구체화에 있어서, 본 발명의 금속 호일은 본 발명의 방법이 적용되는 상기 호일면 또는 호일면들의 기초 표면상에 어떠한 표면 거칠기 처리를 하지않거나 또는 처리하는 것으로 특징지을 수 있다. 용어 호일면의 "기초 표면(base surface)"은 호일의 특성을 정제하거나 증강시키며 그리고/또는 표면의 거칠기를 증가시키기위해 아래 기술된 어떠한 후속적 처리도 받지않은, 가공되지 않은 호일 표면을 의미한다. 용어 "부가된 표면 거칠기(added surface roughening)"는 본 발명의 방법과 부합되지않게, 호일 표면의 거칠기를 증가시키는 목적으로 호일의 기초 표면상에 수행되는 어떠한 처리를 의미한다. 일 구체화에서, 부가된 표면 거칠기로 3미크론 또는 그 이상만큼 Rtm이 증가되며; 그리고 또 다른 구체화에 있어서, 부가된 표면 거칠기 처리로 10미크론 또는 그 이상만큼 Rtm이 증가된다.
한 구체화에 있어서, 압연이나 표준프로파일 표면거칠기 이상으로 거칠기를 증대시키는 후속마모에 의해 전신금속호일에 부여된 기계적 거칠기는 부가된 표면 거칠기처리인 것으로 여겨진다. 일 구체화에 있어서, 표준 프로파일 표면거칠기 이상으로 거칠기를 증대시키는 전착동안에 전착된 금속 호일에 부여된 거칠기는 부가된 표준 거칠기인 것으로 여겨진다. 한 구체화에 있어서 표준 프로파일 표면의 거칠기이상으로 상기 호일의 거칠기로 증대시키는 금속호일의 기초표면에 부여된 어떠한 거칠기도 부가된 표면 거칠기인 것으로 여겨진다. 한 구체화에 있어서, 낮은 프로파일 표면(low-pofile surface)의 거칠기 이상으로 상기 호일의 거칠기를 증대시키는 금속 호일의 기초표면에 부여된 어떠한 거칠기는 부가된 표면 거칠기인 것으로 여겨진다. 일 구체화에 있어서, 아주 낮은-프로파일 표면의 거칠기 이상으로 상기 호일의 거칠기를 증대시키는 금속 호일의 기초표면에 부여된 어떠한 거칠기도 부가된 표면 거칠기인 것으로 여겨진다.
한 구체화에 있어서, 금속 호일의 면 혹은 면들의 기초 표면은 본 발명의 방법에 적용되기전에 미처리(untreated)된다. 용어 "미처리"란 여기서 호일 특성의 정제 혹은 증강을 위한 그리고/또는 표면 거칠기를 증가시키는 후속적인 처리를 하지않은 금속 호일의 기초 표면을 의미한다. 한 구체화에 있어서, 상기 미처리된 호일은 자연스럽게 생성되는, 기초 표면에 부착된 비-나무가지 모양의 혹은 비-마디모양의 금속 산화층을 갖는다. 이러한 자연스럽게 생성되는 산화층은 호일 특성의 정제 혹은 증강을 위한 그리고/또는 표면 거칠기를 증가시키기 위해 제공되는 부가된 처리(added treatment)가 아니다.
한 구체화에 있어서, 본 발명의 방법을 적용하기전에, 호일 특성의 정제 또는 증강을 위한 목적으로, 하나 또는 그 이상의 표면 처리층으로 호일의 면 혹은 면들의 기초 표면이 처리되지만, 표면거칠기를 부가한 것은 아니다. 본 발명의 방법으로 적용되지 않는 호일의 면도, 임의적으로, 이같이 처리된 하나 또는 그 이상의 층을 포함할 수 있다. 이러한 표면 처리는 이 기술 분야에 공지되어 있다.
예를 들어, 상기 표면처리는 본 발명의 방법을 실행하기에 앞서, 표면 거칠기를 증가시키지않는 금속층의 적용을 포함하며, 여기서 상기 금속은 인디움, 주석, 니켈, 코발트, 구리-주석 합금과 같은 구리 합금 및 이들의 두가지 또는 그 이상의 혼합물을 포함한다. 이러한 타입의 금속층은 종종 보호층(barrier layers)이라고 한다. 이러한 층은 바람직하게 약 0.01에서 1미크론 범위의 두께를 가지며, 보다 바람직하게는 약 0.05에서 0.1미크론 범위의 두께를 가진다.
상기 표면처리는 또한 본 발명의 방법을 실행하기에 앞서, 표면 거칠기를 증가시키지않는 금속층의 적용을 또한 포함하며, 여기서 상기 금속은 주석, 니켈, 몰리브덴, 크롬, 크롬-아연, 알루미늄 또는 이들의 두가지 이상의 혼합물을 포함한다. 이러한 타입의 금속층은 종종 안정화 층이라고 불리운다. 이러한 안정화 층은 호일의 기초 표면에 적용되거나, 혹은 미리 적용된 보호층에 적용될 수 있다. 이러한 안정화 층은 바람직하게 약 0.005에서 약 0.05미크론 범위의 두께를 가지며, 보다 바람직하게는 약 0.01에서 약 0.02미크론 범위의 두께를 가진다.
일 구체화에 있어서, 호일의 일면 또는 양면이 최소 하나의 보호층으로 먼저 처리된다. 또 다른 구체화에 있어서, 호일의 일면 또는 양면이 최소 하나의 안정화 층으로 우선 처리된다. 또 다른 구체화에 있어서, 본 발명의 방법을 실행하기에 앞서, 호일의 일면 또는 양면이 최소 하나의 보호층으로 우선 처리된 다음 최소 하나의 처리된 면이 최소 하나의 안정화 층으로 처리된다.
본 발명에 따른 금속 호일은 구리 호일, 알루미늄 호일이나 니켈 호일과 같은 단일층 호일 혹은 금속 합금의 호일일 수 있다. 본 발명에 따른 금속 호일은 구리와 황동층으로 이루어진 호일과 같이 금속 또는 금속 합금으로된 여러층을 포함하는 호일일 수 있다. 주어진 어느 금속 호일에서 금속층의 수는 특별히 한정하지 않는다.
본 발명의 방법은 그 반대편이 에폭시 프리프레그같은 수지재에 라미네이트되는 금속 호일의 표면을 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물과 접촉시킴을 포함한다. 일 구체화에 있어서, 금속호일의 표면은 수지물질에 라미네이션하기전에 본 발명에따라 처리된다. 또 다른 구체화에 있어서는 수지재에 라미네이션된후 본 발명에 따라 금속호일표면이 처리된다.
일 구체화에 있어서, 본 발명의 방법은 임의로, 산성 용액과 금속 호일을 최초로 접촉시킴을 포함한다. 산성 용액 pH는 약 5 미만이며, 바람직하게 약 3 미만, 보다 바람직하게 약 2 미만이다. 상기 산성 용액은 산과 물 및 알콜, 글리콜 및 이들의 혼합물과 같은 극성 유기액체같은 용제를 포함한다. 금속 호일과 산성 용액의 접촉은 금속 호일의 표면 산화물을 제거시켜주거나 금속 호일의 표면을 세척한다. 부가적으로, 몇몇 경우에는 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물의 적용전에 산성 용액과 접촉함으로써 본 발명의 처리를 용이하게하여준다.
상기 금속 호일은 이에 한정하는 것은 아니지만, 침지, 분사, 닦음질, 담금질 등을 포함하는 어느 적절한 방식으로 산성용액과 접촉된다. 바람직한 구체화에 있어서, 상기 금속 호일은 산성 용액에 침지된다. 또 다른 바람직한 구체화에 있어서, 상기 산성 용액의 온도는 약 20℃에서 약 60℃이며, 보다 바람직하게 약 30℃에서 약 40℃이다.
상기 산성 용액은 산 및 적절한 용제를 포함하며, 극성 유기액체도 사용가능하나 이것은 전형적으로 물이거나 물과 극성 유기액의 혼합물이다. 무기 또는 유기산이 이용될 수 있지만, 무기산이 바람직하다. 산성 용액내에 이용될 수 있는 무기산의 특정한 예는 하이드로플루오르산, 하이드로클로르산, 하이드로브롬산 및 하이드로요오드산과 같은 할로겐산, 황산, 아황산, 질산, 과염소산, 붕산 및 포스포로스산(phosphorous acid) 및 포스포릭산(phosphric acid)과 같은 인산 및 이들의 혼합물을 포함한다. 질산 및 황산은 바람직한 무기산이다. 유기산의 예는 포름산, 아세트산, 프로피온산, 시트르산, 옥살산등과 같은 카르복실산 및 폴리카르복실산; 디메틸포스포산 및 디메틸포스핀산과 같은 유기 인산; 또는 메탄술폰산, 에탄술폰산, 1-펜탄술폰산, 1-헥산술폰산, 1-헵탄술폰산, 벤젠술폰산, 톨루엔술폰산 등과 같은 술폰산 및 이들의 조합을 포함한다.
바람직한 구체화에 있어서, 상기 금속 호일이 산성 용액과 접촉한 후, 상기 금속 호일은 임의로 중성 용액으로 헹궈지며, 여기서 중성용액은 대부분 물이며, 바람직하게 탈이온수이다. 중화액 또는 린스액은 금속 호일의 표면에 존재하는 과도한 산을 제거하며, 부가적으로 금속 호일의 표면을 중화시켜준다.
상기 금속 호일은 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물과 접촉되며, 전형적으로 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 용액을 통해 접촉된다. 택일적으로, 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물이 직접 상기 금속 호일 표면에 적용될 수도 있다.
불활성 실란 화합물은 하이드로카르빌실란, 플루오르카본실란 및 기타 금속호일에 부착되며 수지먼지와는 반응하지않는 실란 화합물을 포함한다. 티타네이트 와 지르코네이트 화합물은 전형적으로 중심 티타늄 또는 지르코늄 원자에 부착된 큰(탄소원자수 5~20) 하이드로카르빌 또는 실질적인 하이드로카르빌기들을 갖는다. 이러한 실란, 티타네이트 및 지르코네이트 화합물은 전형적으로 약 5에서 약 100탄소원자를 포함하며, 일 구체화에서는 약 20에서 약 60 탄소원자를 포함한다.
용어 "하이드로카르빌(hydrocarbyl)"은 하이드로카본 뿐만 아니라 실질적인 하이드로카본 그룹을 포함한다. 실질적인 하이드로카본은 그 그룹의 하이드로카본 성질을 지배적으로 변환시키지않는 헤테로원자 치환체를 포함하는 기들을 가르킨다. 하이드로카르빌 그룹의 예는: (1) 하이드로카본 치환체, 즉 지방족(알킬 혹은 알케닐과 같은), 지방족고리화합물(예를 들어, 시클로알킬, 시클로알케닐) 치환체, 방향족-, 지방족- 및 지방족고리- 치환된 방향족 치환체 등 뿐만아니라 고리형 치환체까지 포함하며, 여기서 상기 고리는 또 다른 분자의 구획을 통해 완성된다(즉, 예를들면, 어느 두개의 지시된 치환체가 함께 지방족고리화합물 라디칼을 형성할 수 있다); (2) 치환된 하이드로카본 치환체, 즉 본 발명에서 치환체의 하이드로카본 성질을 지배적으로 전환시키지않는 비-하이드로카본 그룹을 포함하는 치환체; 이 기술분야에 숙련된자에게는 이와 같은 그룹(예를들면, 플루오르 등과 같은)을 알 것이며; 그리고 (3) 헤테로원자 치환체, 즉 본 발명에서 지배적으로 하이드로카본 특성을 가지면서도 고리 또는 사슬내에 존재하는 탄소이외의 다른 원자를 포함하거나 또는 탄소원자로 구성된 치환체(예를들면, 알콕시)를 포함한다. 일반적으로, 하이드로카르빌 그룹내에 10개의 탄소 원자마다, 약 2이하, 바람직하게 1이하의 헤테로 치환체가 존재한다. 전형적으로, 헤테로카르빌기에는 이같은 헤테로원자 치환체가 없다. 따라서, 상기 하이드로카르빌 그룹은 순수한 하이드로카본이다. 바람직한 구체화에 있어서, 상기 하이드로카본 그룹은 알킬 그룹, 시클로알킬 그룹 또는 방향족 그룹이다.
불활성 실란 화합물의 일반적인 예는 알킬실란, 시클로알킬실란, 방향족실란, 치환된 방향족실란 및 플루오르카본실란을 포함한다. 일 구체화에 있어서, 상기 불활성 실란 화합물은 하기 화학식으로 나타낼 수 있다.
단, 상기식에서 G1, G2, G3, G4, G5및 G6은 독립적으로 하이드로카르빌 또는 하이드로카르빌옥시 그룹이며; R1은 하이드로카르빌 그룹; 그리고 n은 0 또는 1을 나타낸다. 일 구체화에 있어서, G1, G2, G3, G4, G5및 G6각각은 독립적으로 알콕시이며, R1은 탄소원자수 10이하의 알킬렌 또는 아렌(arene)기이거나, 혹은 탄소원자수 10이하의 아렌기이다. 일 구체화에서, G1, G2, G3및 G6각각은 탄소원자수 10이하의 알콕시기이며, n은 0이다. 이러한 불활성 실란 화합물의 예는 1,2-비스(트리메톡시실릴)에탄, 비스(트리메톡시실릴에틸)벤젠 및 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산을 포함한다.
또 다른 구체화에 있어서, 상기 불활성 화합물은 하기 화학식으로 나타낸 화합물일 수 있다.
단, 상기식에서 R2, R3, R4및 R5는 독립적으로 수소, 하이드로카르빌기, 플루오르카본기, 하이드로카르빌옥시기 또는 하이드록시기이다. 일 구체화에 있어서, 각 R3, R4및 R5각각은 메톡시 또는 에톡시이며, R2는 하이드로카르빌기 또는 플루오르카본기이다. 일 구체화에 있어서, R4및 R5각각은 메톡시 또는 에톡시이며, R2및 R3는 하이드로카르빌기이다.
이러한 불활성 실란 화합물의 예는 메틸트리메톡시실란; 에틸트리메톡시실란; 프로필트리메톡시실란; n-부틸트리메톡시실란; 이소부틸트리메톡시실란; 펜틸트리메톡시실란; 헥실트리메톡시실란; 옥틸트리메톡시실란; 7-옥트(oct)-1-에닐트리메톡시실란; 페닐트리메톡시실란; p-(메틸)페닐트리메톡시실란과 같은 하이드로카르빌 치환된 페닐트리메톡시실란; 3-시클로펜타디에닐프로필트리메톡시실란; 비닐트리메톡시실란; 알릴트리메톡시실란; 메톡시프로필트리메톡시실란; 메틸트리에톡시실란; 에틸트리에톡시실란; 프로필트리에톡시실란; n-부틸트리에톡시실란; 이소부틸트리에톡시실란; 펜틸트리에톡시실란; 헥실트리에톡시실란; 옥틸트리에톡시실란; 7-oct-1-에닐트리에톡시실란; 페닐트리에톡시실란; p-(메틸)페닐트리에톡시실란과 같은 하이드로카르빌 치환 페닐트리에톡시실란; 3-시클로펜타디에닐프로필트리에톡시실란; 비닐트리에톡시실란; 알릴트리에톡시실란; 메톡시프로필트리에톡시실란; 메틸트리이소프로폭시실란; 에틸트리이소프로폭시실란; 프로필트리이소프로폭시실란; 비닐트리이소프로폭시실란; 비닐트리스-t-부톡시실란; (3,3,3-트리플루오르프로필)트리메톡시실란; 및 트리데카플루오르옥틸 트리에톡시실란을 포함한다.
상기 나열된 불활성 실란 화합물의 2가지 또는 그 이상의 혼합물이 이용될 수 있다. 예를들면, 또 일 구체화에서, 상기 불활성 실란 화합물은 프로필트리메톡시실란과 조합된 메틸트리메톡시실란 또는 이소부틸트리메톡시실란이다. 다른 구체화에 있어서, 상기 불활성 화합물은 알킬실란과 조합된 플루오르카본실란이다. 또 다른 구체화에 있어서, 상기 불활성 실란 화합물은 프로필트리메톡시실란과 조합된 (3,3,3-트리플루오르프로필)트리메톡시실란이다.
유용한 티타네이트 화합물은 디(큐밀)페닐 옥소에틸렌 티타네이트; 디(디옥틸)피로포스페이트 옥소에틸렌 티타네이트; 이소프로필 트리이소스테아로일 티타네이트; 이소프로필 디메타크릴 이소스테아로일 티타네이트; 이소프로필 트리(도데실)벤젠설포닐 티타네이트; 이소프로필 트리(디옥틸)포스페이토 티타네이트; 이소프로필 (4-아미노)벤젠설포닐 디(도데실)벤젠설포닐 티타네이트; 이소프로필 트리(디옥틸)피로포스페이토 티타네이트; 테트라옥틸 디(디트리데실)포스파이토 티타네이트; 테트라 (2,2 디알리옥시메틸)부틸,디(디트리데실)포스파이토 티타네이트; 네오펜틸(디알릴)옥시,트리네오데카노일 티타네이트; 네오펜틸(디알릴)옥시,트리(도데실)벤젠-설포닐 티타네이트; 네오펜틸(디알릴)옥시,트리(디옥틸)포스페이토 티타네이트; 네오펜틸(디알릴)옥시,트리(디옥틸)피로-포스페이토 티타네이트; 및 이들의 2가지 또는 그 이상의 혼합물을 포함한다. 이러한 화합물은 종종 티타네이트 결합제(titanate coupling)로 불리운다.
유용한 지르코네이트 화합물로는 네오펜틸(디알릴)옥시,트리(디옥틸)포스페이트 지르코네이트를 들수있다. 이러한 화합물은 종종 지르코네이트 결합제로 간주된다.
앞서의 실란, 티타네이트 그리고/또는 지르코네이트 화합물의 2가지 또는 그 이상의 혼합물이 이용될 수 있다.
상기 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 용액은 물, 물과 알콜의 혼합물 또는 적절한 유기 용제내에서의 분산물 또는 용액 형태로 존재하거나 또는 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물의 수성 에멀젼 형태로 존재하거나, 혹은 적절한 유기 용재내에서 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물의 수성 에멀젼의 형태로 존재할 수 있다. 통상적인 유기 용제가 이용될 수 있다. 이러한 유기 용제는 알콜, 에테르, 케톨 및 이들과 지방족 또는 방향족 하이드로카본의 혼합물 혹은 이들과 N,N-디메틸포름아미드와 같은 아미드의 혼합물을 포함한다. 유용한 용제는 우수한 젖음성 및 건조 특성을 갖는 것들로써, 예를들면, 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 및 메틸에틸케톤을 포함한다. 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물의 수성 에멀젼은 비이온성 분산제를 포함하는 통상적인 분산제 및 표면활성제를 이용하여 통상적인 방식으로 형성될 수 있다.
불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 용액과 금속 호일을 접촉시키는 단계는, 필요하면 여러번 반복될 수 있다. 그러나, 단일 단계가 일반적으로 유용한 결과를 나타내며, 따라서 단일 단계의 사용이 일반적으로 바람직하다. 접촉은 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 용액내에 금속 호일을 침지시키는것이 바람직하나, 역 롤러 코팅, 닥터 블레이드 코팅, 침지, 담금질, 페인팅 및 분사등 적절한 방법을 통해 이루어질 수 있다.
일 구체화에서, 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물은 약 0.01 v/v% 내지 약 10 v/v%의 양으로 용액내에 존재한다. 또 다른 구체화에서, 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물은 약 0.05 v/v% 내지 약 5 v/v%의 양으로 용액내에 존재한다. 또 다른 구체화에서, 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물은 약 0.1 v/v% 내지 약 2 v/v%의 양으로 용액내에 존재한다.
상기 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물과 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 용액은 전형적으로 약 10℃에서 50℃의 온도이다. 또 다른 구체화에서, 상기 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 및 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 용액은 전형적으로 약 15℃에서 40℃의 온도이다. 또 다른 구체화에서, 상기 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 및 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 용액은 전형적으로 약 20℃에서 30℃의 온도이다. 상기 금속 호일은 먼지 저항성 피막이 금속 호일의 표면상에 형성되기에 충분한 시간동안 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 용액과 접촉한다. 한 구체화에서, 상기 금속 호일은 약 1초에서 10분동안 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 용액과 접촉한다. 한 구체화에서, 상기 금속 호일은 약 5초에서 100초동안 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 용액과 접촉한다.
금속 호일이 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 용액과 접촉한후, 상기 금속 호일은 건조되거나 또는 임의로 용제를 건조 제거하기위해 적절한 시간동안 가열되어 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 피막을 형성한다. 한 구체화에서, 상기 금속 호일은 약 50℃에서 약 170℃의 온도까지 가열된다. 또 다른 구체화로, 상기 금속 호일은 약 70℃에서 약 150℃의 온도까지 가열된다. 상기 금속 호일은 임의로 약 1초에서 약 5분동안 가열될 수 있다. 또 다른 구체화로, 상기 금속 호일은 임의로 약 10초에서 약 2분동안 가열될 수 있다.
본 발명의 처리는 금속 호일의 표면상에 수지 먼지 저항성 피막을 형성한다. 바람직한 구체화에서, 본 발명의 처리는 금속 호일의 표면상에 에폭시 수지 먼지저항성 피막을 형성한다. 이 수지 먼지 저항성 피막은 상기 피막이 처리된 금속 호일 표면상에 수지 먼지가 부착, 장착 그리고/또는 침적되는 것을 방지하는한 연속적, 실질적으로 연속적이거나 혹은 비연속적일 수 있다. 바람직한 구체화에서, 상기 수지 먼지 저항성 피막은 처리된 금속 호일 표면상에 걸쳐 연속적이거나 혹은 최소 실질적으로 연속적이다. 한 구체화에서, 상기 금속 호일상에 존재하는 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물의 수지 먼지 저항성 피막은 약 0.001에서 약 1미크론의 두께를 갖는다. 또 다른 구체화에서, 상기 금속 호일상에 존재하는 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물의 수지 먼지 저항성 피막은 약 0.0025에서 약 0.1미크론의 두께를 갖는다. 또 다른 구체화에서, 상기 금속 호일상에 존재하는 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물의 수지 먼지 저항성 피막은 약 0.005에서 약 0.05미크론의 두께를 갖는다.
상기 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 용액은 임의로 특정 첨가제를 포함할 수 있다. 한 구체화에서, 상기 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 용액은 어떠한 첨가제를 포함하지 않는다. 또 다른 구체화에서는, 상기 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 용액은 트리아졸 화합물과 같은 첨가제를 포함한다. 트리아졸 화합물은 아미노트리아졸, 벤조트리아졸, 하이드로옥시벤조트리아졸, 메틸벤조트리아졸과 같은 알킬 치환된 벤조트리아졸 및 카복실벤조트리아졸을 포함한다. 한 구체화에서, 상기 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 용액에 하나 또는 그 이상의 상기 첨가제가 약 0.01g/l에서 약 10g/l로 포함된다. 또 다른 구체화에서, 상기 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 용액에 하나 또는 그 이상의 상기 첨가제가 약 0.1g/l에서 약 5g/l로 포함된다.
한 구체화에서, 상기 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 용액은 금속을 포함하지 않는다. 즉, 상기 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 용액은 첨가된 금속 또는 금속 화합물이 없는 것으로 특징화된다. 몇몇 경우에 있어서 금속 화합물은 형성된 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물이 피막을 형성하는데 해로운 영향을 초래한다. 한 구체화에서, 금속 호일이 본 발명에 따라 처리된후에, 전기분해 단계를 수행하지 않는다. 이러한 부가적인 전기분해 단계의 부재는 금속 호일의 제조를 단순화할 뿐만아니라 인쇄회로 기판의 라미네이트물 제작을 단순화한다.
한 구체화에서, 금속 호일이 상기 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물과 접촉한 후에, 상기 금속 호일은 임의로 중화액으로 헹궈(rinse)지며, 여기서 중화액은 물, 특히 탈이온수이다. 상기 중화액 또는 린스액은 처리된 금속 호일의 표면에 존재하는 불필요한 물질을 제거한다.
본 발명에 따라 처리된 금속 호일은 칫수 및 구조적인 안정성을 제공하기위해 절연성 기판에 결합될 수 있다. 본 발명의 호일과 함께, 무광택면 또는 광택면은 효과적으로 절연성 기판에 결합될 수 있지만, 본 발명에 따라 처리된 호일면은 절연성 기판에 최초로 결합되지는 않는다(그러나, 이중처리된 호일의 경우, 양면 모두 결국 절연성 기판에 결합된다).
유용한 절연성 기판은 부분적 경화된 에폭시 수지(예를들면, 이중기능성, 삼중기능성 및 다중기능성의 에폭시), 폴리이미드 수지 또는 폴리에스테르 수지로 직물 유리 강화 물질을 침투시킴으로써 제조될 수 있다. 이러한 절연성 기판은 종종 에폭시 프리프레그와 같이 프리프레그라고 한다.
라미네이트 제조에 있어서는 프리프레그 물질과 금속호일 양자모두가 롤업된 긴 웹(webs) 형태로 제공되는 것이 유익하다. 일 구체화에서, 이러한 금속 호일 및 프리프레그의 긴 웹은 연속 공정에 의해 라미네이팅된다. 이러한 공정에서, 종종 부착 촉진층이 부착되어있는 상기 처리된 금속 호일의 연속적인 웹은 라미네이트 구조를 형성하기위한 라미네이팅 조건하에서, 프리프레그 물질의 연속적인 웹과 접촉하게 된다. 이러한 라미네이트 구조는 그후, 사각 시트로 절단되며, 상기 사각 시트는 조립 장치내에서 적층되거나 조립된다.
일 구체화에 있어서 상기 처리된 금속 호일 및 프리프레그 물질의 긴 웹은 우선 사각 시트로 절단되어 라미네이팅된다. 일 구체화에 있어서 상기 처리된 금속 호일 및 사각 시트 및 프리프레그 물질의 사각 시트는 조립 장치내에서 적층되거나 조립된다.
각 조립품은 어떠한 면상에 처리된 호일의 시트를 가진 프리프레그 시트를 포함하며, 금속 호일의 처리된 부착 결합면(또는 그중의 한면)은 프리프레그에 인접하여 위치한다. 본 발명에 따라 제조된 금속 호일의 면은 프리프레그로 부터 멀리 향하게 된다. 상기 조립은 처리된 금속 호일의 시트사이에 존재하는 프리프레그의 샌드위치를 포함하는 라미네이트를 제조하기위해 가해지는 라미네이팅 판사이의 통상적인 라미네이팅 온도 및 압력하에서 이루어진다.
상기 프리프레그는 에폭시 수지가 사용된 구체화에서 부분적으로 경화된 2-단계 수지과 같은 수지이 주입되어 이루어진 유리 강화 섬유로 구성된다. 구리 호일의 (본 발명에 따라)처리되지않은 면은 열 및 압력의 적용으로 프리프레그에 대하여 단단하게 프레스되며, 조립이 이루어지는 온도는 경화의 원인이 되는 수지를 활성화시킨다. 즉, 수지를 가교시킴으로써 프리프레그 절연성 기판과 호일의 단단한 결합을 형성한다. 일반적으로, 라미네이팅 작업은 약 100에서 1,000 psi 범위의 압력, 약 150℃ 에서 250℃ 범위의 온도 및 약 30분에서 3시간의 라미네이팅 주기를 포함한다. 완성된 라미네이트는 인쇄회로 기판(PCB)을 제조하는데 이용될 수 있다. 일 구체화에서, 상기 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물은 라미네이팅후, 구리 표면으로부터 제거된다.
일 구체화에서, 상기 라미네이트는 다중층 기판을 제조하기위한 공정의 일부분으로서 절연성 선 또는 절연성 패턴을 형성하기위한 감법 구리 에칭 공정에 이용된다. 상기 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 처리는 그 후 패턴화된 금속으로부터 제거된다. 에칭된 패턴에 상기 기술을 이용하여 2번째 접착 처리가 이루어지며, 2번째 프리프레그가 상기 에칭된 패턴에 부착된다. 상기 에칭된 패턴은 수지 먼지가 에칭 공정에 영향을 미치지 못하기 때문에 우수한 칫수 조절을 나타낸다. 다중층 기판을 제조하는 이러한 기술은 이 기술분야에서 잘 알려져 있다.
다수의 제조 방법이 라미네이트로부터 PCB를 제조하는데에 유용하다. 부가적으로, 라디오, 텔레비젼, 컴퓨터 등을 포함하는 PCB가 적용되기에 수없이 가능한 최종 용도가 존재한다. 이러한 방법 및 최종 용도는 이 기술분야에 공지되어있다.
본 발명으로부터 생기는 장점은, 본 발명에 따라 얻어질 수 있는 상기 처리된 금속 호일은 프리프레그와 접착하는데 이용될 때, 높은 수지 먼지 저항성을 나타내는 것이다. 이러한 장점은 본 발명의 방법이 상기 처리된 금속 호일이 처리된 금속 호일의 공정동안에 수지 먼지 보호가 유지되기때문이다. 또 다른 장점은 호일을 에칭할때, 처리된 금속 호일이 훌륭한 패턴성을 나타내는 것이다.
이중처리된 호일이 본 발명에 따라 처리되는 곳 또는 수지 먼지 저항성 피막이 필요로하는 곳에서 한 구체화로, 상기 처리된 금속 호일은 희석수 또는 유기산이나 유기염 용액과 접촉된다.
어떠한 이론에 의해서 한정되는 것을 원하지 않는 한편, 비극성 치환체(하이드로카르빌 또는 플루오르카본 말단)는 금속 호일 표면으로부터 떨어져 위치하는 동안 각각의 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물 분자는 상기 알콕시 말단이 금속 호일의 표면에 인접하도록 금속 호일의 표면상에 위치하는 것으로 믿어진다. 상기 비극성 치환체는 최소 하나의 반발(repel) 수지 먼지로 여겨진다.
수지 먼지가 금속 호일 표면상에 부착되는 것을 방지하며, 수지 먼지가 금속 호일 표면상에 결합하거나 혹은 강하게 결합하는 것을 방지하며, 수지 먼지가 금속 호일 표면상에 적층되는 것을 방지한다.
이에 한정하는 것은 아니지만, 하기의 예들이 다양하게 본 발명의 새로운 견지에 대해서 기술된다. 하기예 뿐만아니라 본 명세서 및 청구항에서, 만일 다른 표기가 없는 한 모든 부분 및 퍼센테이지는 중량이며, 모든 온도는 섭씨 온도이며, 그리고 모든 압력은 대기압이다.
실시예
9개의 실란 용액(6 불활성 실란 화합물 용액 및 3 비교 실란 용액)은 약 1 v/v %의 실란 화합물, 물 및 실란 화합물이 확산되기에 필요한 에탄올을 포함하여 제조된다. 상기 실란 화합물은 약 20초의 체류시간으로 침지함으로써 구리 호일이 처리된 드럼면의 무광택면에 적용된다음, 약 1분간 약 100℃에서 건조된다. 코팅된 구리 호일(무광택면)은 그 후, 에폭시 프리프레그층에 라미네이트된다(폴리클래드 ATS 140℃ Tg에폭시 프리프레그에 1 oz/ft2구리 호일 또는 General Electric TS 에폭시 프리프레그에 1 oz/ft2). 대조군은 어떠한 실란 화합물도 포함하지 않는다. 코팅된 호일은 250 psi 압력, 177℃의 열에서 약 1시간동안 함께 에폭시 프리프레그에 라미네이트된 후, 실온에서 냉각되었다. 모든 라미네이트는 모두 0.125인치 간격의 라인 패턴을 주기위해 이미지되어 에칭되었다.
상기 라인은 IPC Test Methods Manual의 After Thermal Stress section에 기술된 초기 인장 강도를 제공하기위해 중간 아래로 벗겨졌다. 필 강도가 낮을 수록, 더 높은 에폭시 수지 먼지 저항성을 갖는다. 표 1은 인치당 파운드로 필 강도를 나타낸다. 불활성 실란과 관련된 필 강도는 비교예의 실란과 관련된 필 강도보다 현저하게 낮다. 실란 화합물은 표 1에 명시된 4번째 실리콘 치환체를 갖는 트리메톡시실란이다.
실란 PCL ATS GE TS
대조군 0.9 1.5
메틸 0.5 1.2
프로필 0.2 0.6
이소부틸 0.6 0.6
옥틸 0.7 1.1
트리플루오로프로필 0.6 1.3
페닐 0.8 1.2
아미노프로필 3.7 5.4
브로모프로필 3.0 4.6
글리시드옥시프로필 3.6 6.7
본 발명의 수지 먼지 저항성 피막의 효과를 평가하는 방법은 본 발명의 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물중의 하나를 이용하여 필요한 면상에서 호일 조각을 코팅하는 것이다. 그 후, 상기 호일은 필요한 면에 적절한 수로 선택된 프리프레그 타입의 더미에 적층된다. 선택된 수지 먼지 입자가 호일 표면상에 놓여지며, 유사한 장치가 본 발명의 수지 먼지 저항성 피막이 결여된 동일한 호일로 이루어진다. 그 후, 강판이 호일의 상부에 놓여져 라미네이션이 상기한 바와 같이 수행된다. 라미네이션후, 상기 강판은 제거되며 모든 호일 및 모든 강판상에 존재하는 수지 먼지 입자의 수는 비가시광선원(black light source)의 보조장치로 측정된다. 이러한 방법으로 페닐트리메톡시실란 및 (3,3,3-트리플루오르프로필) 트리메티톡시실란이 분리되어 평가될때, 실란 화합물을 포함하지않은 호일과 비교하면, 실란 코팅을 가진 호일상에서 보다 적은 흠이 발견되며, 스테인레스 강판상에 보다 많은 먼지가 남는다.
본 발명이 바람직한 구체화와 관련지어 설명되어진 한편, 다양한 방법이 본 명세서를 읽는 이 분야의 숙련자에게 익숙할 것이다. 따라서, 여기서 개시된 본 발명은 청구항의 견지에 맞는 변형과 같은 것이 포함된다는 것이 이해되어야한다.
본 발명은 금속 호일의 표면상에, 수지 먼지 저항성 피막을 형성하도록, 불활성 실란, 티타네이트 또는 지르코네이트 화합물을 이용하여 금속 호일과 접촉함으로써 금속 호일의 수지 먼지에 대한 저항성을 향상시키며, 따라서, 상기 처리된 금속 호일은 프리프레그와 결합하는데 이용될 때, 높은 수지 먼지 저항성을 나타내며, 호일을 에칭할때, 처리된 금속 호일이 훌륭한 패턴성을 나타내는 것이다.

Claims (23)

  1. 금속 호일의 표면상에 약 0.001미크론에서 약 1미크론의 두께를 갖는 수지 먼지 저항성 피막을 형성하기위해 금속 호일을 불활성 실란, 티타네이트 및 지르코네이트 화합물로 구성되는 그룹으로 부터 선택된 최소 하나의 화합물과 접촉시킴을 포함하는 금속 호일의 수지 먼지 저항성 증가 방법.
  2. 1항에 있어서, 상기 금속 호일은 무광택 표면 및 광택 표면을 포함하며, 그리고 상기 수지 먼지 저항성 피막은 무광택 표면상에 형성됨을 특징으로하는 방법.
  3. 1항에 있어서, 상기 금속 호일은 무광택 표면과 광택 표면을 포함하며, 그리고 상기 수지 먼지 저항성 피막은 광택 표면상에 형성됨을 특징으로하는방법.
  4. 1항에 있어서, 상기 불활성 실란 화합물은 최소 하나의 하이드로카르빌실란을 포함함을 특징으로하는 방법.
  5. 1항에 있어서, 상기 불활성 실란 화합물은 최소 하나의 플루오르카본실란을 포함함을 특징으로하는 방법.
  6. 1항에 있어서, 상기 불활성 실란 화합물은 최소 하나의 메틸트리메톡시실란; 에틸트리메톡시실란; 프로필트리메톡시실란; n-부틸트리메톡시실란; 이소부틸트리메톡시실란; 펜틸트리메톡시실란; 헥실트리메톡시실란; 옥틸트리메톡시실란; 7-oct-1-에닐트리메톡시실란; 페닐트리메톡시실란; p-(메틸)페닐트리메톡시실란과 같은 하이드로카르빌 치환된 페닐트리메톡시실란; 3-시클로펜타디에닐프로필트리메톡시실란; 비닐트리메톡시실란; 알릴트리메톡시실란; 메톡시프로필트리메톡시실란; 메틸트리에톡시실란; 에틸트리에톡시실란; 프로필트리에톡시실란; n-부틸트리에톡시실란; 이소부틸트리에톡시실란; 펜틸트리에톡시실란; 헥실트리에톡시실란; 옥틸트리에톡시실란; 7-oct-1-에닐트리에톡시실란; 페닐트리에톡시실란; p-(메틸)페닐트리에톡시실란과 같은 하이드로카르빌 치환된 페닐트리에톡시실란; 3-시클로펜타디에닐프로필트리에톡시실란; 비닐트리에톡시실란; 알릴트리에톡시실란; 메톡시프로필트리에톡시실란; 메틸트리이소프로폭시실란; 에틸트리이소프로폭시실란; 프로필트리이소프로폭시실란; 비닐트리이소프로폭시실란; 비닐트리스-t-부톡시실란; (3,3,3-트리플루오르프로필)트리메톡시실란; 및 트리데카플루오르옥틸 트리에톡시실란을 포함함을 특징으로하는 방법.
  7. 1항에 있어서, 상기 불활성 실란 화합물은 최소 하나의 알킬실란을 포함함을 특징으로하는 방법.
  8. 1항에 있어서, 상기 불활성 실란 화합물은 최소 두개의 불활성 실란 화합물을 포함함을 특징으로하는 방법.
  9. 1항에 있어서, 상기 티타네이트 화합물은 디(큐밀)페닐 옥소에틸렌 티타네이트; 디(디옥틸)피로포스페이트 옥소에틸렌 티타네이트; 이소프로필 트리이소스테아로일 티타네이트; 이소프로필 디메타크릴 이소스테아로일 티타네이트; 이소프로필 트리(도데실)벤젠설포닐 티타네이트; 이소프로필 트리(디옥틸)포스페이토 티타네이트; 이소프로필 (4-아미노)벤젠설포닐 디(도데실)벤젠설포닐 티타네이트; 이소프로필 트리(디옥틸)피로포스페이토 티타네이트; 테트라옥틸 디(디트리데실)포스파이토 티타네이트; 테트라 (2,2 디알리옥시메틸)부틸,디(디트리데실)포스파이토 티타네이트; 네오펜틸(디알릴)옥시,트리네오데카노일 티타네이트; 네오펜틸(디알릴)옥시,트리(도데실)벤젠-설포닐 티타네이트; 네오펜틸(디알릴)옥시,트리(디옥틸)포스페이토 티타네이트; 네오펜틸(디알릴)옥시,트리(디옥틸)피로-포스페이토 티타네이트; 및 이들의 2가지 또는 그 이상의 혼합물로 구성되는 그룹으로부터 선택됨을 특징으로하는 방법.
  10. 1항에 있어서, 상기 지르코네이트은 네오펜틸(디알릴)옥시,트리(디옥틸)포스페이트 지르코네이트임을 특징으로하는 방법.
  11. 금속호일의 표면에 약 0.001미크론에서 약 1미크론의 두께를 갖는 수지 먼지 저항성 피막을 형성하기위해 불활성 실란 화합물과 상기 금속 호일을 접촉시킴을 포함하는, 금속 호일의 수지 먼지 저항성을 증대 방법.
  12. 금속 호일 표면상에 수지 먼지 저항성 피막을 형성하기 위해, 약 0.01 v/v%내지 약 10 v/v %의 하이드로카르빌실란을 포함하는 하이드로카르빌실란 용액과 금속 호일 제 1면을 접촉시키는 단계 및 프리프레그에 상기 금속 호일 제 2면을 라미네이팅하는 단계를 포함하는 금속 호일 처리 방법.
  13. 12항에 있어서, 상기 하이드로카르빌실란 용액은 나아가 플루오로카본실란을 포함함을 특징으로하는 방법.
  14. 12항에 있어서, 상기 하이드로카르빌실란 용액은 나아가 트리아졸 화합물을 포함함을 특징으로하는 방법.
  15. 12항에 있어서, 나아가 산성 용액과 상기 금속 호일을 접촉시키고 그리고 임의로 상기 하이드로카르빌실란 용액과 접촉하기전에 상기 금속 호일을 헹구는 것을 포함함을 특징으로하는 방법.
  16. 12항에 있어서, 상기 하이드로카르빌실란 용액은 약 10℃에서 약 50℃의 온도이며, 상기 금속 호일은 약 1분에서 약 10분동안 상기 하이드로카르빌실란 용액과 접촉됨을 특징으로하는 방법.
  17. 16항에 있어서, 상기 금속 호일은 아연을 포함하는 금속층의 부재로 특성지어진 조건을 특징으로하는 방법.
  18. 12항에 있어서, 상기 프리프레그는 최소 하나의 에폭시 수지 물질, 폴리이미드 수지 물질 및 폴리에스테르 수지 물질을 포함함을 특징으로하는 방법.
  19. 약 0.05 v/v% 내지 약 5 v/v%의 알킬실란 및 약 0.1g/l 내지 약 10g/l의 트리아졸 화합물을 포함하는 용액과 상기 구리 호일을 접촉시키는 단계; 및 에폭시 수지 물질에 상기 금속 호일을 라미네이팅하는 단계;를 포함하는 구리 호일 처리 방법.
  20. 19항에 있어서, 상기 알킬실란은 최소 하나의 메틸트리메톡시실란; 에틸트리메톡시실란; 프로필트리메톡시실란; 이소부틸트리메톡시실란; 메틸트리에톡시실란; 에틸트리에톡시실란; 프로필트리에톡시실란; 및 이소부틸트리에톡시실란을 포함함을 특징으로하는 방법.
  21. 19항에 있어서, 상기 트리아졸 화합물은 최소 하나의 아미노트리아졸, 벤조트리아졸, 하이드로옥시벤조트리아졸, 알킬 치환된 벤조트리아졸 및 카복실벤조트리아졸을 포함함을 특징으로하는 방법.
  22. 19항에 있어서, 상기 용액은 약 15℃에서 40℃이며, 상기 구리 호일은 약 5초에서 100초동안 상기 용액과 접촉됨을 특징으로하는 방법.
  23. 19항에 있어서, 상기 용액은 물 및 유기 용제의 혼합물을 포함함을 특징으로하는 방법.
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6299721B1 (en) * 1998-12-14 2001-10-09 Gould Electronics Incl Coatings for improved resin dust resistance
WO2001099127A2 (en) * 2000-06-19 2001-12-27 The University Of Iowa Research Foundation Coated metallic particles, methods and applications
DE10057479A1 (de) * 2000-11-20 2002-05-23 Alcatel Sa Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Flachbandleitung
US6893742B2 (en) * 2001-02-15 2005-05-17 Olin Corporation Copper foil with low profile bond enhancement
US6673471B2 (en) * 2001-02-23 2004-01-06 Nikko Materials Usa, Inc. Corrosion prevention for CAC component
KR20030092349A (ko) * 2002-05-29 2003-12-06 (주)에취앤제이코퍼레이션 실리콘계 코팅제 조성물
JP3520285B1 (ja) * 2002-10-25 2004-04-19 Fcm株式会社 アルミニウム安定化積層体
US20050228745A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Cmarket, Inc. Method and apparatus for conducting on-line auction events in coordination with incentive promotion for bidders
US7307022B2 (en) * 2004-11-19 2007-12-11 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Method of treating conductive layer for use in a circuitized substrate and method of making said substrate having said conductive layer as part thereof
JP4332528B2 (ja) * 2005-03-31 2009-09-16 キヤノン株式会社 電源装置、電源装置を有する画像形成装置
DE102006023768A1 (de) * 2006-05-20 2007-11-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mikrogreifer
US8303792B1 (en) 2007-08-29 2012-11-06 Magnecomp Corporation High strength electrodeposited suspension conductors
US7833332B2 (en) * 2007-11-02 2010-11-16 Dubois Chemicals, Inc. Coating solution for metal surfaces
US20090123656A1 (en) * 2007-11-13 2009-05-14 Ernest Long Composition and method for controlling galvanic corrosion in printed circuit boards
US20090242081A1 (en) * 2008-03-26 2009-10-01 Richard Bauer Aluminum Treatment Composition
US10051743B2 (en) * 2008-04-04 2018-08-14 Hitachi Chemical Company, Ltd. Two-layered laminate having metal foil cladded on its one surface, method for production of the laminate, single-sided printed wiring board, and method for production of the wiring board
CN101699177B (zh) * 2009-01-08 2012-05-02 上海交通大学 再生式除湿换热器
US9353304B2 (en) 2009-03-02 2016-05-31 Honeywell International Inc. Thermal interface material and method of making and using the same
US9333454B2 (en) 2011-01-21 2016-05-10 International Business Machines Corporation Silicone-based chemical filter and silicone-based chemical bath for removing sulfur contaminants
US8900491B2 (en) 2011-05-06 2014-12-02 International Business Machines Corporation Flame retardant filler
US9186641B2 (en) 2011-08-05 2015-11-17 International Business Machines Corporation Microcapsules adapted to rupture in a magnetic field to enable easy removal of one substrate from another for enhanced reworkability
US8741804B2 (en) 2011-10-28 2014-06-03 International Business Machines Corporation Microcapsules adapted to rupture in a magnetic field
US9716055B2 (en) 2012-06-13 2017-07-25 International Business Machines Corporation Thermal interface material (TIM) with thermally conductive integrated release layer
US9647272B1 (en) 2016-01-14 2017-05-09 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface-treated copper foil
US10781349B2 (en) 2016-03-08 2020-09-22 Honeywell International Inc. Thermal interface material including crosslinker and multiple fillers
US20180279481A1 (en) * 2016-05-18 2018-09-27 Isola Usa Corp. Method of Manufacturing Circuit Boards
US11041103B2 (en) 2017-09-08 2021-06-22 Honeywell International Inc. Silicone-free thermal gel
CN108235588A (zh) * 2017-12-28 2018-06-29 江西鑫力华数码科技有限公司 柔性线路板贴合装置及其贴合方法
US11072706B2 (en) 2018-02-15 2021-07-27 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material
CN110903684A (zh) * 2018-09-18 2020-03-24 广东美的白色家电技术创新中心有限公司 防尘涂料组合物及其制备方法和应用
US11373921B2 (en) 2019-04-23 2022-06-28 Honeywell International Inc. Gel-type thermal interface material with low pre-curing viscosity and elastic properties post-curing
US10697082B1 (en) * 2019-08-12 2020-06-30 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface-treated copper foil
CN116041709A (zh) * 2023-01-16 2023-05-02 陕西科技大学 一种光固化苯基氟硅改性环氧涂料、涂层的制备方法及应用

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3644166A (en) * 1968-03-28 1972-02-22 Westinghouse Electric Corp Oxide-free multilayer copper clad laminate
SU1142526A1 (ru) * 1983-08-26 1985-02-28 Владимирский политехнический институт Способ обработки медной фольги
US4875283A (en) 1986-11-13 1989-10-24 Johnston James A Method for manufacturing printed circuit boards
JPH01149866A (ja) * 1987-12-08 1989-06-12 Yoshio Ichikawa コーティング方法
US5338619A (en) 1991-05-16 1994-08-16 Fukuda Metal Foil And Powder Co., Ltd. Copper foil for printed circuits and method of producing same
US5153050A (en) 1991-08-27 1992-10-06 Johnston James A Component of printed circuit boards
JPH0653651A (ja) 1992-07-28 1994-02-25 Matsushita Electric Works Ltd 多層プリント配線板の製造方法
JPH0685455A (ja) 1992-08-28 1994-03-25 Nikko Guurudo Foil Kk 印刷回路用銅箔の表面処理方法
JPH0685417A (ja) 1992-08-28 1994-03-25 Nikko Guurudo Foil Kk 印刷回路用銅箔の表面処理方法
JPH06177536A (ja) 1992-12-09 1994-06-24 Japan Energy Corp 金属表面処理剤
US5622782A (en) * 1993-04-27 1997-04-22 Gould Inc. Foil with adhesion promoting layer derived from silane mixture
JP3347457B2 (ja) * 1994-02-24 2002-11-20 日本電解株式会社 非シアン系銅−亜鉛電気めっき浴、これを用いたプリント配線板用銅箔の表面処理方法及びプリント配線板用銅箔
JP3199208B2 (ja) 1994-03-24 2001-08-13 三井金属鉱業株式会社 有機防錆処理銅箔およびその製造方法
JP3329572B2 (ja) 1994-04-15 2002-09-30 福田金属箔粉工業株式会社 印刷回路用銅箔およびその表面処理方法
JPH07309846A (ja) 1994-05-20 1995-11-28 Japan Energy Corp 新規ベンゾトリアゾールフッ素シラン誘導体及びその製造方法並びにそれを用いる表面処理剤
TW256858B (en) 1994-08-30 1995-09-11 Mitsui Mining & Smelting Co Copper foil for printed circuit board
JPH0888461A (ja) 1994-09-16 1996-04-02 Ube Ind Ltd 屈曲部付き配線板の製造法
JPH08143855A (ja) * 1994-09-21 1996-06-04 Asahi Glass Co Ltd 表面処理用組成物
JP3224704B2 (ja) 1994-12-05 2001-11-05 三井金属鉱業株式会社 有機防錆処理銅箔
JPH08222857A (ja) 1995-02-16 1996-08-30 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 銅箔および該銅箔を内層回路用に用いた高密度多層プリント回路基板
EP0739919B1 (en) * 1995-04-25 2002-07-24 Asahi Glass Company Ltd. Composition for surface treatment
JPH08311658A (ja) * 1995-05-17 1996-11-26 Nippon Parkerizing Co Ltd 銅系金属材料の表面処理用組成物
US6258156B1 (en) 1996-04-02 2001-07-10 Saint-Gobain Vitrage Compound for a non-wettable coating, process for treatment of glass with the aid of the compound and products obtained
US5962113A (en) 1996-10-28 1999-10-05 International Business Machines Corporation Integrated circuit device and process for its manufacture
WO1998020395A1 (en) * 1996-11-08 1998-05-14 W.L. Gore & Associates, Inc. Method of applying dry film photoresist
US5908544A (en) 1997-09-04 1999-06-01 Gould Electronics, Inc. Zinc-chromium stabilizer containing a hydrogen inhibiting additive
DE19831461C1 (de) 1998-07-14 2000-02-24 Dieter Backhaus Verfahren zur partiellen Verbindung von Kupferfolien und Trennblechen (CuAI-Verfahren)
US6299721B1 (en) * 1998-12-14 2001-10-09 Gould Electronics Incl Coatings for improved resin dust resistance
US6673471B2 (en) * 2001-02-23 2004-01-06 Nikko Materials Usa, Inc. Corrosion prevention for CAC component

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US6589381B2 (en) 2003-07-08
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