JP3295404B2 - 改良された樹脂塵埃耐性のためのコーティング - Google Patents

改良された樹脂塵埃耐性のためのコーティング

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、清浄な金属箔表面
を保持するための、金属箔の処理のための方法に関す
る。特に本発明は、不活性シラン、チタネートまたはジ
ルコネート化合物を用いて金属箔を処理し、その樹脂塵
埃耐性を改良するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】銅クラッドラミネートは、エレクトロニ
クス工業において使用されるプリント基板の基礎的な構
成要素である。最も通常のプロセスにおいて、銅箔は樹
脂（例えばエポキシ樹脂）のプリプレグにボンディング
され、熱および圧力によってファイバーガラスに含浸さ
れる。プリプレグに対してプレスされた銅箔表面は、典
型的には不規則（ｕｎｅｖｅｎ）かまたは断面の（ｐｒ
ｏｆｉｌｅｄ）表面であり、この表面にはある種の付加
的なボンディング処理が適用されて、ラミネートが通常
のプロセス条件下では保持されることを保証する。
【０００３】反対の箔表面（この表面はプリプレグに結
合されない）は典型的には滑らかな表面であり、この表
面には箔の酸化の防止、およびハンダの水和性の許容な
らびに適切なフォトレジスト接着を目標とした種々の処
理が施されている。反対の箔表面は、フォトレジストを
付与する前に、スクラブされて、種々のデブリが除去さ
れる。特に、ラミネートのレイアップの間のプリプレグ
の取り扱いの間に形成される樹脂塵埃は、銅箔の光沢表
面に着く傾向を有し、そのために、積層サイクルの間で
は望ましくないボンディングとなり得る。実際、任意の
有機物質は積層サイクルの間では金属箔との望ましくな
いボンディングとなり得る。ラインのパターンおよび銅
の空間を作製するときにラミネートをエッチングする前
にこれらの樹脂塵埃スポットが除去されない場合、樹脂
のスポットは銅の１部をエッチング溶液から遮蔽し、そ
してその完全な除去を妨げる。その結果、樹脂塵埃で汚
染されたラミネートを用いて満足な金属ラインを形成す
ることは困難である。樹脂塵埃スポットが十分に大き
く、そして場所が悪いとき、それは銅ラインの間に意図
されない架橋を提供し、これは、引き続いて形成された
回路のショートの原因となり、そして基板を無用にす
る。従って、樹脂塵埃スポット（特にエポキシ樹脂塵埃
スポット）を有する銅クラッドラミネートのエッチング
は、問題である。
【０００４】最近、２つのタイプの金属箔が入手可能で
あり、ここでは曝露されたラミネート表面をスクラブす
ることは実用的でない。第一のタイプは、多層板のため
の２重処理箔であり、ここでは銅箔の両面に付加的なボ
ンディング処理が与えられる。なぜなら、プリプレグ−
箔−プリプレグの「サンドイッチ」を形成するために、
第一の積層の後に別のプリプレグが反対の箔表面に対し
て配置され、そしてプレスされるからである。この表面
のいかなるスクラビングも、ボンディング処理を損傷
し、そして第二のプリプレグとの強力なボンド形成の可
能性を減少させる。
【０００５】第二のタイプの金属箔は逆処理箔であり、
ここではボンディング処理は箔の滑らかな面にのみ付与
され、次に、プリプレグに積層され、樹脂塵埃に曝露さ
れる不均一かまたはつや消し（ｍａｔｔｅ）表面が残
る。この表面のスクラビングは、フォトレジスト取付け
および将来のプロセッシングのために所望される性質の
いくつかを減少させる所望でないプロセスである。特定
の金属箔表面のスクラビングは、不評である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】それゆえ、本発明の目
的は、金属箔と不活性シラン、チタネートまたはジルコ
ネート化合物とを接触させて、金属箔の表面上に約０．
００１ミクロン〜約１ミクロンの厚さを有する樹脂塵埃
耐性フィルムを形成することにより、金属箔の樹脂塵埃
耐性を増加させることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属箔の樹脂
塵埃耐性を増加させる方法であって、該金属箔と不活性
シラン、チタネートまたはジルコネート化合物とを接触
させて、該金属箔の表面上に約０．００１ミクロン〜約
１ミクロンの厚さを有する樹脂塵埃耐性フィルムを形成
する工程を包含する、方法に関する。
【０００８】好適な実施態様では、上記方法において、
上記金属箔がつや消し表面および光沢表面を有し、そし
て上記樹脂塵埃耐性フィルムが該つや消し表面上に形成
される。
【０００９】好適な実施態様では、上記方法において、
上記金属箔がつや消し表面および光沢表面を有し、そし
て上記樹脂塵埃耐性フィルムが該光沢表面上に形成され
る。
【００１０】好適な実施態様では、上記方法において、
上記不活性シラン化合物が少なくとも１つのヒドロカル
ビルシランを含む。
【００１１】好適な実施態様では、上記方法において、
上記不活性シラン化合物が少なくとも１つのフルオロカ
ーボンシランを含む。
【００１２】好適な実施態様では、上記方法において、
上記不活性シラン化合物が、メチルトリメトキシシラ
ン；エチルトリメトキシシラン；プロピルトリメトキシ
シラン；ｎ−ブチルトリメトキシシラン；イソブチルト
リメトキシシラン；ペンチルトリメトキシシラン；ヘキ
シルトリメトキシシラン；オクチルトリメトキシシラ
ン；７−オクト−１−エニルトリメトキシシラン；フェ
ニルトリメトキシシラン；ヒドロカルビル置換フェニル
トリメトキシシラン（例えば、ｐ−（メチル）フェニル
トリメトキシシラン）；３−シクロペンタジエニルプロ
ピルトリメトキシシラン；ビニルトリメトキシシラン；
アリルトリメトキシシラン；メトキシプロピルトリメト
キシシラン；メチルトリエトキシシラン；エチルトリエ
トキシシラン；プロピルトリエトキシシラン；ｎ−ブチ
ルトリエトキシシラン；イソブチルトリエトキシシラ
ン；ペンチルトリエトキシシラン；ヘキシルトリエトキ
シシラン；オクチルトリエトキシシラン；７−オクト−
１−エニルトリエトキシシラン；フェニルトリエトキシ
シラン；ヒドロカルビル置換フェニルトリエトキシシラ
ン（例えば、ｐ−（メチル）フェニルトリエトキシシラ
ン）；３−シクロペンタジエニルプロピルトリエトキシ
シラン；ビニルトリエトキシシラン；アリルトリエトキ
シシラン；メトキシプロピルトリエトキシシラン；メチ
ルトリイソプロポキシシラン；エチルトリイソプロポキ
シシラン；プロピルトリイソプロポキシシラン；ビニル
トリイソプロポキシシラン；ビニルトリス−ｔ−ブトキ
シシラン；（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリ
メトキシシラン；およびトリデカフルオロオクチルトリ
エトキシシランの少なくとも１つを含有する。
【００１３】好適な実施態様では、上記方法において、
上記不活性シラン化合物が、少なくとも１つのアルキル
シランを含有する。
【００１４】好適な実施態様では、上記方法において、
上記不活性シラン化合物が、少なくとも２つの不活性シ
ラン化合物を含有する。
【００１５】好適な実施態様では、上記方法において、
上記チタネート化合物が、ジ（クミル）フェニルオキソ
エチレンチタネート；ジ（ジオクチル）ピロホスファト
オキソエチレンチタネート；イソプロピルトリイソステ
アロイルチタネート；イソプロピルジメタクリルイソス
テアロイルチタネート；イソプロピルトリ（ドデシル）
ベンゼンスルホニルチタネート；イソプロピルトリ（ジ
オクチル）ホスファトチタネート；イソプロピル（４−
アミノ）ベンゼンスルホニルジ（ドデシル）ベンゼンス
ルホニルチタネート；イソプロピルトリ（ジオクチル）
ピロホスファトチタネート；テトラオクチルジ（ジトリ
デシル）ホスファトチタネート；テトラ（２，２ ジア
リルオキシメチル）ブチル，ジ（ジトリデシル）ホスフ
ァトチタネート；ネオペンチル（ジアリル）オキシ，ト
リネオデカノニルチタネート；ネオペンチル（ジアリ
ル）オキシ，トリ（ドデシル）ベンゼン−スルホニルチ
タネート；ネオペンチル（ジアリル）オキシ，トリ（ジ
オクチル）ホスファトチタネート；およびネオペンチル
（ジアリル）オキシ，トリ（ジオクチル）ピロ−ホスフ
ァトチタネート；およびそれらの２以上の混合物からな
る群より選択される。
【００１６】好適な実施態様では、上記方法において、
上記ジルコネート化合物が、ネオペンチル（ジアリル）
オキシ，トリ（ジオクチル）ホスファトジルコネートで
ある。
【００１７】本発明はまた、金属箔の樹脂塵埃耐性を増
加させる方法であって、該金属箔と不活性シラン化合物
とを接触させて、該金属箔の表面上に約０．００１ミク
ロン〜約１ミクロンの厚さを有する樹脂塵埃耐性フィル
ムを形成する工程を含有する、方法に関する。
【００１８】本発明はまた、金属箔を処理する方法であ
って：該金属箔の第一の側とヒドロカルビルシラン溶液
とを接触させて、該金属箔の表面上に樹脂塵埃耐性フィ
ルムを形成する工程であって、該ヒドロカルビルシラン
溶液が約０．０１％〜約１０％ｖ／ｖのヒドロカルビル
シランを含む工程；およびプリプレグに金属箔の第二の
側を積層させる工程、を包含する、方法に関する。
【００１９】好適な実施態様では、上記方法において、
ヒドロカルビルシラン溶液がさらにフルオロカーボンシ
ランを含有する。
【００２０】好適な実施態様では、上記方法において、
上記ヒドロカルビルシラン溶液がさらにトリアゾール化
合物を含有する。
【００２１】好適な実施態様では、上記方法において、
上記金属箔を酸性溶液と接触する工程、および該金属箔
を前記ヒドロカルビルシラン溶液と接触する前に必要に
応じてすすぐ工程をさらに包含する。
【００２２】好適な実施態様では、上記方法において、
上記ヒドロカルビルシラン溶液が約１０℃〜約５０℃の
温度であり、そして上記金属箔が該ヒドロカルビルシラ
ン溶液と約１分〜約１０分間の期間にわたって接触され
る。
【００２３】好適な実施態様では、上記方法において、
上記金属箔が、亜鉛を含む金属層が無いことによって特
徴づけられる。
【００２４】好適な実施態様では、上記方法において、
上記プリプレグが、少なくとも１つのエポキシ樹脂物
質、ポリイミド樹脂物質およびポリエステル樹脂物質を
含む。
【００２５】本発明はまた、銅箔を処理する方法であっ
て；該銅箔と約０．０５％〜約５％ｖ／ｖのアルキルシ
ランおよび約０．１ｇ／ｌ〜約１０ｇ／ｌのトリアゾー
ル化合物を含む溶液とを接触する工程；および該金属箔
をエポキシ樹脂物質に積層する工程、を含有する、方法
に関する。
【００２６】好適な実施態様では、上記方法において、
上記アルキルシランが、メチルトリメトキシシラン；エ
チルトリメトキシシラン；プロピルトリメトキシシラ
ン；イソブチルトリメトキシシラン；メチルトリエトキ
シシラン；エチルトリエトキシシラン；プロピルトリエ
トキシシラン；およびイソブチルトリエトキシシランの
少なくとも１つを含有する。
【００２７】好適な実施態様では、上記方法において、
上記トリアゾール化合物が、アミノトリアゾール、ベン
ゾトリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、アル
キル置換ベンゾトリアゾールおよびカルボキシベンゾト
リアゾールの少なくとも１つを含有する。
【００２８】好適な実施態様では、上記方法において、
上記溶液が、約１５℃〜約４０℃の温度であり、そして
前記銅箔が約５秒〜約１００秒間の期間にわたって、該
溶液と接触される。
【００２９】好適な実施態様では、上記方法において、
上記溶液が、水と有機溶媒との混合物を含む。
【００３０】
【発明の実施の形態】１実施態様では、本発明は、金属
箔と不活性シラン、チタネートまたはジルコネート化合
物とを接触させて、金属箔の表面上に約０．００１ミク
ロン〜約１ミクロンの厚さを有する樹脂塵埃耐性フィル
ムを形成する工程を包含する金属箔の樹脂塵埃耐性を増
加させる方法に関する。
【００３１】別の実施態様では、本発明は、金属箔の第
一の側とヒドロカルビルシラン溶液とを接触させて、金
属箔の表面上に樹脂塵埃耐性フィルムを形成する工程
（ヒドロカルビルシラン溶液は約０．０１％から約１０
％ｖ／ｖのヒドロカルビルシランを含む）；およびプリ
プレグに金属箔の第二の側を積層する工程を包含する金
属箔の処理の方法に関する。
【００３２】さらに別の実施態様では、本発明は、銅箔
と約０．０５％から約５％ｖ／ｖのアルキルシランおよ
び約０．１ｇ／ｌ〜約１０ｇ／ｌのトリアゾール化合物
を含む溶液とを接触させる工程；そして金属箔を樹脂物
質に積層させる工程を包含する銅箔の処理の方法に関す
る。
【００３３】本発明の結果、高樹脂塵埃耐性を示す金属
箔を提供することが可能となった。特に、本発明は、樹
脂塵埃がプリプレグに隣接しない金属箔の曝露される側
への固着および／または蓄積することを防ぐ、金属箔表
面への適用のためのコーティングを適用する。従って、
本発明によって、スクラビング無しで積層した後に清浄
な金属箔表面が得られ得る。スクラビングまたは洗浄無
しで積層後に清浄な金属箔表面を維持することもまた可
能である。
【００３４】本発明は金属箔の表面と不活性シラン、チ
タネートまたはジルコネート化合物とを接触させること
によって金属箔を処理して、金属箔に樹脂塵埃耐性を与
える工程を含む。換言すれば、金属箔は、金属箔の表面
と不活性シラン、チタネートまたはジルコネート化合物
とを接触させることによって処理されて、金属箔に減少
した樹脂塵埃接着を与える。シラン化合物は好ましい。
典型的には、金属箔の曝露される側（プリプレグに隣接
しない側）が処理される。樹脂塵埃には、樹脂物品（例
えば樹脂ベースの誘電性物質およびプリプレグ）の使
用、貯蔵、移動、摩耗および／または引き裂きから放出
されるかまたは発散される種々のデブリ、微粒子および
他の小粒子が挙げられる。樹脂塵埃は典型的には有機物
質（例えばエポキシ樹脂物質、ポリイミド樹脂物質、お
よびポリエステル樹脂物質）由来である。エポキシ樹脂
物質由来の樹脂塵埃は特に厄介である。本発明に従って
金属箔の表面と不活性シラン、チタネートまたはジルコ
ネート化合物とを接触させることによる金属箔の処理
は、金属箔表面上に塵埃耐性フィルムを形成する。
【００３５】本発明に従って処理される金属箔は、樹脂
ベースの物質（例えばエポキシプリプレグ）を用いて積
層され得る任意の金属箔である。本発明に従って処理さ
れる金属箔は、好ましくは銅を用いた電気伝導性の箔で
あり、銅ベースの合金箔が特に好ましい。他の例には、
アルミニウム、ニッケル、スズ、銀、金およびそれらの
合金が挙げられる。金属箔は任意の適切な様式で作製さ
れる。典型的には、金属箔は２つの技術の内の１つを使
用して作製される。鍛錬されたかまたは圧延された金属
箔（例えば銅箔）は、圧延のようなプロセスによって、
金属または金属合金のストリップまたはインゴットの厚
さを機械的に薄くすることによって作製される。電着さ
れた箔は、回転カソードドラム上へ金属イオン（例えば
銅イオン）を電着し、次いでカソードから電着したスト
リップをピーリングすることによって作製される。電着
された銅箔は特に好ましい。
【００３６】金属箔は典型的には、約０．０００２イン
チ〜約０．２インチの範囲の名目上の厚さを有する。金
属箔の厚さはときには重量で表現され、そして典型的に
は本発明の箔は例えば約１／８〜約１４ｏｚ／ｆｔ2の
範囲の重量または厚さを有する。特に有用な金属箔は、
１／２、１または２ｏｚ／ｆｔ2の重量を有する金属箔
であり、そして特に１／２、１または２ｏｚ／ｆｔ2の
重量を有する銅箔である。
【００３７】電着した金属箔は滑らかまたは光沢（ドラ
ム）側ならびに粗いまたはつや消し（金属が析出する成
長前面）側を有する。本発明に従って、不活性シラン、
チタネートまたはジルコネートと接触され得る金属箔
（電着されたかまたは鍛錬された）の片側または両側
は、粗いまたはつや消し側、光沢側または両方の側（標
準処理された箔、逆処理された箔および二重処理された
箔）であり得る。標準処理された金属箔は、その処理さ
れたつや消し側を有し、逆処理された金属箔は、その処
理された光沢側を有し、そして二重処理された金属箔
は、処理されたつや消し側と光沢側の両方を有する。
【００３８】この側は、「標準プロフィール表面（ｓｔ
ａｎｄａｒｄ−ｐｒｏｆｉｌｅ ｓｕｒｆａｃｅ）」、
「低プロフィール表面（ｌｏｗ−ｐｒｏｆｉｌｅ ｓｕ
ｒｆａｃｅ）」または「極低プロフィール表面（ｖｅｒ
ｙ−ｌｏｗ−ｐｒｏｆｉｌｅｓｕｒｆａｃｅ）」であり
得る。特に好ましい実施態様には、つや消し表面および
標準プロフィール表面を有する箔の使用を含む。用語
「標準プロフィール表面」は本明細書中では、約７ミク
ロン〜約１２ミクロンのＲtmを有する箔表面を意味する
のに使用される。用語「低プロフィール表面」は、約７
ミクロン以下のＲtmを有する箔表面を意味する。用語
「極低プロフィール表面」は、約４ミクロン以下のＲtm
を有する箔表面を意味する。Ｒtmは、各５回の連続サン
プリング測定からの最大の山対谷間の垂直測定の平均で
あり、そしてＲａｎｋ Ｔａｙｌｏｒ Ｈｏｂｓｏｎ，
Ｌｔｄ．，Ｌｅｉｃｅｓｔｅｒ，Ｅｎｇｌａｎｄによっ
て市販されるＳｕｒｔｒｏｎｉｃ３プロフィロメーター
を使用して測定され得る。
【００３９】１実施態様においては、本発明の金属箔は
亜鉛を含む金属層のいかなる添加も無いことによって特
徴づけられ得る。これは亜鉛の層ならびに亜鉛を含む金
属合金の層を含む。２、３の例においては、亜鉛は非活
性シランを有害に妨げ、その結果、処理された金属箔は
粗悪な性質を有する。
【００４０】１実施態様においては、本発明の金属箔
は、本発明の方法が行われるベース表面の片側または両
側上で、表面粗面化処理が任意に加えられるかまたは加
えられないことによって特徴づけられ得る。箔の側の
「ベース表面」との用語は、箔の性質の改良または増強
および／または表面の粗度の増加のために、以下で議論
されるタイプの任意の引き続く処理が行われていない、
原箔（ｒａｗ ｆｏｉｌ）表面を意味する。「加えられ
た表面粗面化」との用語は、本発明の方法に従わずに箔
の表面の粗度の増加の目的のために、箔のベース表面上
で行われる任意の処理を表す。１実施態様においては、
加えられた表面粗面化は、Ｒtmを３ミクロン以上増加さ
せ、そして別の実施態様においては、加えられた表面粗
面化は、Ｒtmを１０ミクロン以上増加させる。
【００４１】１実施態様においては、標準プロフィール
表面の粗度以上に粗度を増加する圧延の間かまたは引き
続く摩耗によって鍛錬された金属箔に与えられる機械的
な粗度は、加えられた表面粗面化処理であるとみなされ
る。１実施態様においては、標準プロフィール表面の粗
さ以上に粗さを増加する、電着の間に、電着された金属
箔に与えられる粗さは、加えられた表面粗面化であると
みなされる。１実施態様においては、標準プロフィール
表面の粗さ以上に上記箔の粗さを増加する、金属箔のベ
ース表面に与えられる任意の粗さは、加えられた表面粗
面化とみなされる。１実施態様においては、低プロフィ
ール表面の粗さ以上に上記箔の粗さを増加する、金属箔
のベース表面に与えられる任意の粗さは、加えられた表
面粗面化とみなされる。１実施態様においては、極低プ
ロフィール表面の粗さ以上に上記箔の粗さを増加する、
金属箔のベース表面に与えられる任意の粗さは、加えら
れた表面粗面化とみなされる。
【００４２】１実施態様においては、金属箔のベース表
面の片側および両側は、本発明の方法が行われる前には
処理されない。「処理されない」との用語は、箔の性質
の改良または増強および／または表面粗さの増加の目的
のための引き続く処理を受けていない金属箔のベース表
面を表すために、本明細書中で使用される。１実施態様
においては、未処理の箔は、そのベース表面に接着され
た金属酸化物の、天然に存在する、非樹状のまたは非結
節状の層を有する。この天然に存在する酸化物層は、箔
の性質の改良または増強および／または表面粗さの増加
のために提供される加えられた処理ではない。
【００４３】１実施態様においては、箔のベース表面の
片側および両側は、本発明の方法が行われる前に、表面
粗さを加えるためではなく箔の性質の改良または増強の
目的のために、１つまたはそれ以上の表面処理層を用い
て処理される。本発明の方法が行われない箔の任意の側
はまた、必要に応じて、それに適用された１つまたはそ
れ以上のこのような処理層を有し得る。これらの表面処
理は、当該分野で公知である。
【００４４】例えば、表面処理には、本発明の方法を行
う前の、表面粗さを増加しない金属層の付与が挙げら
れ、ここでは金属は、インジウム、スズ、ニッケル、コ
バルト、銅合金（例えば銅−スズ合金）、およびこれら
の２つまたはそれ以上の混合物である。このタイプの金
属層はときにはバリヤー層と呼ばれる。これらの金属層
は好ましくは約０．０１〜約１ミクロンの、より好まし
くは約０．０５〜約０．１ミクロンの範囲の厚さを有す
る。
【００４５】表面処理にはまた、本発明の方法を行う前
の、表面粗さを増加しない金属層の付与が挙げられ、こ
こでは金属は、スズ、ニッケル、モリブデン、クロム、
クロム−亜鉛、アルミニウム、またはこれらの２つまた
はそれ以上の混合物である。このタイプの金属層はとき
には安定化層と呼ばれる。これらの安定化層は箔のベー
ス表面に付与され得るか、またはこれらは予め付与され
たバリヤー層に付与され得る。これらの安定化層は好ま
しくは約０．００５〜約０．０５ミクロンの、より好ま
しくは約０．０１〜約０．０２ミクロンの範囲の厚さを
有する。
【００４６】１実施態様では、箔の片側または両側は、
初めに少なくとも１つのバリヤー層で処理される。別の
実施態様では、箔の片側または両側は、初めに少なくと
も１つの安定化層で処理される。さらに別の実施態様で
は、本発明の方法を行う前に、箔の片側または両側は初
めに少なくとも１つのバリヤー層で処理され、次いで少
なくとも１つの処理された側は少なくとも１つの安定化
層で処理される。
【００４７】本発明に従う金属箔は単一層の金属箔（例
えば、銅箔、アルミニウム箔またはニッケル箔）または
金属合金の箔であり得る。本発明に従う金属箔は金属ま
たは金属合金の多重層を含む箔（例えば、銅および黄銅
の層から作製される箔）であり得る。任意の所定の金属
箔において、金属層の数は特に限定されない。
【００４８】本発明の方法は、その表面の反対であるか
または樹脂物質（例えばエポキシプリプレグ）に積層さ
れる金属箔の表面と、不活性シラン、チタネートまたは
ジルコネート化合物とを接触させる工程を包含する。１
実施態様においては、金属箔の表面は、樹脂物質への積
層の前に本発明に従って処理される。別の実施態様にお
いては、金属箔の表面は、樹脂物質への積層の後に本発
明に従って処理される。
【００４９】１実施態様においては、本発明のプロセス
は必要に応じて初めに金属箔と酸性溶液とを接触させる
工程を含む。酸性溶液は、約５より小さい、好ましくは
約３より小さい、より好ましくは約２より小さいｐＨを
有する。酸性溶液は、酸と溶媒（例えば水、極性有機液
体（例えばアルコールおよびグリコール）およびそれら
の混合物）を含む。金属箔と酸性溶液とを接触させる工
程は、金属箔から表面酸化物を除去するのに役立ち、そ
して他には金属箔の表面を洗浄する。さらに、いくつか
の場合において、不活性シラン、チタネートまたはジル
コネート化合物の付与の前での酸性溶液との接触は、本
発明の処理を容易にする。
【００５０】金属箔は任意の適切な様式で酸性溶液と接
触され、この様式には浸漬、スプレー、ワイピング、液
浸、などが挙げられるがこれに限定されない。好ましい
実施態様においては、金属箔は酸性溶液中に液浸され
る。別の好ましい実施態様においては、酸性溶液の温度
は約２０℃〜約６０℃、より好ましくは約３０℃〜約４
０℃である。
【００５１】酸性溶液は酸および適切な溶媒（典型的に
は水であるが、極性有機液体が使用され得るかまたは水
および極性有機物の組合せである）を含む。無機酸また
は有機酸のいずれかが使用され得るが無機酸が好まし
い。酸性溶液中で利用され得る無機酸の特定の例には、
ハロゲン酸（例えば、フッ化水素酸、塩化水素酸、臭化
水素酸およびヨウ化水素酸）、硫酸、亜硫酸、硝酸、過
塩素酸、ホウ酸およびリン含有酸（例えば、亜リン酸お
よびリン酸）ならびにそれらの組合せが挙げられる。硝
酸および硫酸は好ましい無機酸である。有機酸の例に
は、カルボン酸およびポリカルボン酸（例えば蟻酸、酢
酸、プロピオン酸、クエン酸、シュウ酸、など）；有機
リン含有酸（例えば、ジメチルリン酸およびジメチルホ
スフィン酸）；またはスルホン酸（例えば、メタンスル
ホン酸、エタンスルホン酸、１−ペンタンスルホン酸、
１−ヘキサンスルホン酸、１−ヘプタンスルホン酸、ベ
ンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸など）、および
それらの組合せが挙げられる。
【００５２】好ましい実施態様においては、金属箔が酸
性溶液に接触された後に、金属箔は必要に応じて中性溶
液（ほとんどの場合水、好ましくは脱イオン水）を用い
てすすがれる。中和またはすすぎの溶液は、金属箔の表
面の中和に加えて、金属箔の表面から過剰の酸を除去す
るのに役立つ。
【００５３】金属箔は、典型的には不活性シラン、チタ
ネート、またはジルコネート化合物溶液を介して、不活
性シラン、チタネート、またはジルコネート化合物と接
触される。あるいは、不活性シラン、チタネート、また
はジルコネート化合物は直接金属箔表面に適用される。
【００５４】不活性シラン化合物には、ヒドロカルビル
シラン、フルオロカーボンシランおよび、金属箔と結合
しかつ樹脂塵埃と反応しない他のシラン化合物が挙げら
れる。チタネートおよびジルコネート化合物は、典型的
には大きな（例えば、約５〜約２０の炭素原子）ヒドロ
カルビルまたは中心のチタンもしくはジルコニウム原子
に結合する実質的なヒドロカルビル基を有する。これら
のシラン、チタネートおよびジルコネート化合物は典型
的には約５〜約１００の炭素原子、１実施態様では約２
０〜約６０の炭素原子を含む。
【００５５】用語「ヒドロカルビル」は、炭化水素なら
びに実質的な炭化水素基を含む。実質的には、炭化水素
は、基の主に炭化水素的な性質を変化させないヘテロ原
子置換基を含む基を記述する。ヒドロカルビル基の例に
は、以下が挙げられる：（１）炭化水素置換基、すなわ
ち、脂肪族（例えば、アルキルまたはアルケニル）、脂
環式（例えば、シクロアルキル、シクロアルケニル）置
換基、芳香族−、脂肪族−および脂環式−置換された芳
香族置換基など、ならびに環がその分子の別の部分を介
して完成される環状置換基（すなわち、例えば、任意の
２つの示された置換基が一緒になって脂環式基を形成し
得る）；（２）置換された炭化水素置換基、すなわち、
これらの置換基は非炭化水素基を含み、これは、本発明
の文脈では、置換基の主に炭化水素的な性質を変化させ
ない；当業者らはこのような基（例えば、フルオロ、な
ど）を認識する；および（３）ヘテロ原子置換基、すな
わち本発明の文脈で主として炭化水素の特徴を有する
が、環または鎖の中に存在する炭素以外の原子を含みそ
の他は炭素原子で構成される、置換基（例えば、アルコ
キシ）。一般的には、ヒドロカルビル基においては、約
２以下の、好ましくは１以下のヘテロ置換基が炭素原子
１０個毎に存在する。典型的には、ヒドロカルビル基に
おいては、このようなヘテロ原子置換基は存在しない。
従って、このヒドロカルビル基は純粋に炭化水素であ
る。好ましい実施態様においては、ヒドロカルビル基は
アルキル基、環状アルキル基、または芳香族基である。
【００５６】不活性シラン化合物の一般的な例には、ア
ルキルシラン、シクロアルキルシラン、芳香族シラン、
置換芳香族シラン、およびフルオロカーボンシランが挙
げられる。１実施態様では、不活性シラン化合物は以下
の式で表され得、
【００５７】
【化１】
【００５８】ここで、Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4、Ｇ5、およ
びＧ6は独立してヒドロカルビル、またはヒドロカルビ
ルオキシ基であり；Ｒ1はヒドロカルビル基であり；そ
してｎはゼロまたは１である。１実施態様においては、
各Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4、Ｇ5、およびＧ6は独立してアル
コキシであり、そしてＲ1は約１０までの炭素原子のア
ルキレンまたはアレーン基、あるいは約１０までの炭素
原子のアレーン基である。１実施態様においては、各Ｇ
1、Ｇ2、Ｇ3、およびＧ6は約１０までの炭素原子のアル
コキシ基であり、そしてｎは０である。これらの不活性
シラン化合物の例には、１，２−ビス（トリメトキシシ
リル）エタン、ビス（トリメトキシシリルエチル）ベン
ゼン、および１，６−ビス（トリメトキシシリル）ヘキ
サンが挙げられる。
【００５９】別の実施態様では、不活性シラン化合物は
以下の式で表される化合物であり得、
【００６０】
【化２】
【００６１】ここで、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は独立し
て水素、ヒドロカルビル基、フルオロカーボン基、ヒド
ロカルビルオキシ基、またはヒドロキシ基である。１実
施態様においては、各Ｒ3、Ｒ4およびＲ5はメトキシま
たはエトキシであり、そしてＲ2はヒドロカルビル基ま
たはフルオロカーボン基である。１実施態様において
は、各Ｒ4およびＲ5はメトキシまたはエトキシであり、
そしてＲ2およびＲ3はヒドロカルビル基である。
【００６２】これらの不活性シラン化合物の例には、メ
チルトリメトキシシラン；エチルトリメトキシシラン；
プロピルトリメトキシシラン；ｎ−ブチルトリメトキシ
シラン；イソブチルトリメトキシシラン；ペンチルトリ
メトキシシラン；ヘキシルトリメトキシシラン；オクチ
ルトリメトキシシラン；７−オクト−１−エニルトリメ
トキシシラン；フェニルトリメトキシシラン；ヒドロカ
ルビル置換フェニルトリメトキシシラン（例えば、ｐ−
（メチル）フェニルトリメトキシシラン）；３−シクロ
ペンタジエニルプロピルトリメトキシシラン；ビニルト
リメトキシシラン；アリルトリメトキシシラン；メトキ
シプロピルトリメトキシシラン；メチルトリエトキシシ
ラン；エチルトリエトキシシラン；プロピルトリエトキ
シシラン；ｎ−ブチルトリエトキシシラン；イソブチル
トリエトキシシラン；ペンチルトリエトキシシラン；ヘ
キシルトリエトキシシラン；オクチルトリエトキシシラ
ン；７−オクト−１−エニルトリエトキシシラン；フェ
ニルトリエトキシシラン；ヒドロカルビル置換フェニル
トリエトキシシラン（例えば、ｐ−（メチル）フェニル
トリエトキシシラン）；３−シクロペンタジエニルプロ
ピルトリエトキシシラン；ビニルトリエトキシシラン；
アリルトリエトキシシラン；メトキシプロピルトリエト
キシシラン；メチルトリイソプロポキシシラン；エチル
トリイソプロポキシシラン；プロピルトリイソプロポキ
シシラン；ビニルトリイソプロポキシシラン；ビニルト
リス−ｔ−ブトキシシラン；（３，３，３−トリフルオ
ロプロピル）トリメトキシシラン；およびトリデカフル
オロオクチルトリエトキシシランが挙げられる。
【００６３】上記で列挙された不活性シラン化合物の２
つまたはそれ以上の混合物が使用され得る。例えば１実
施態様においては、不活性シラン化合物は、プロピルト
リメトキシシランと組み合わせたメチルトリメトキシシ
ランまたはイソブチルトリメトキシシランである。別の
実施態様においては、不活性シラン化合物は、アルキル
シランと組み合わせたフルオロカーボンシランである。
さらに別の実施態様においては、不活性シラン化合物
は、プロピルトリメトキシシランと組み合わせた（３，
３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシランで
ある。
【００６４】有用なチタネート化合物には、ジ（クミ
ル）フェニルオキソエチレンチタネート；ジ（ジオクチ
ル）ピロホスファトオキソエチレンチタネート；イソプ
ロピルトリイソステアロイルチタネート；イソプロピル
ジメタクリルイソステアロイルチタネート；イソプロピ
ルトリ（ドデシル）ベンゼンスルホニルチタネート；イ
ソプロピルトリ（ジオクチル）ホスファトチタネート；
イソプロピル（４−アミノ）ベンゼンスルホニルジ（ド
デシル）ベンゼンスルホニルチタネート；イソプロピル
トリ（ジオクチル）ピロホスファトチタネート；テトラ
オクチルジ（ジトリデシル）ホスファトチタネート；テ
トラ（２，２ ジアリルオキシメチル）ブチル，ジ（ジ
トリデシル）ホスファトチタネート；ネオペンチル（ジ
アリル）オキシ，トリネオデカノニルチタネート；ネオ
ペンチル（ジアリル）オキシ，トリ（ドデシル）ベンゼ
ン−スルホニルチタネート；ネオペンチル（ジアリル）
オキシ，トリ（ジオクチル）ホスファトチタネート；ネ
オペンチル（ジアリル）オキシ，トリ（ジオクチル）ピ
ロ−ホスファトチタネート；およびそれらの２つまたは
それ以上の混合物が挙げられる。これらの化合物はとき
にはチタネートカップリング剤と呼ばれる。
【００６５】有用なジルコネート化合物には、ネオペン
チル（ジアリル）オキシ，トリ（ジオクチル）ホスファ
トジルコネートが挙げられる。これらの化合物はときに
はジルコネートカップリング剤と呼ばれる。
【００６６】前述のシラン、チタネートおよび／または
ジルコネート化合物の２つまたはそれ以上の混合物が使
用され得る。
【００６７】不活性シラン、チタネートまたはジルコネ
ート化合物溶液は、水、水とアルコールとの混合物、ま
たは適切な有機溶媒中で分散体または溶液の形態であり
得るか、あるいは、不活性シラン、チタネートまたはジ
ルコネート化合物の水性乳濁液であり得るか、あるい
は、適切な有機溶媒中で不活性シラン、チタネートおよ
びジルコネート化合物の溶液の水性乳濁液であり得る。
通常の有機溶媒が使用され得る。これらには、アルコー
ル、エーテル、ケトン、およびこれらと脂肪族または芳
香族炭化水素との混合物またはアミド（例えばＮ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド）との混合物が挙げられる。有用
な溶媒は、良好な湿潤および乾燥特性を有するようなも
のであり、そして例えば、水、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、およびメチルエチルケトンが挙
げられる。不活性シラン、チタネートまたはジルコネー
ト化合物の水性乳濁液は、通常の分散剤および界面活性
剤（非イオン性分散剤を含む）を用いた通常の様式中で
形成され得る。
【００６８】金属箔と不活性シラン、チタネートまたは
ジルコネート溶液との接触の工程は、所望の場合数回繰
り返され得る。しかしながら、一般に単一工程で有用な
結果が得られ、それ故単一工程の使用が一般に好まし
い。接触は、適切な付与方法を介して達成され、この方
法にはリバースローラーコーティング（ｒｅｖｅｒｓｅ
ｒｏｌｌｅｒ ｃｏａｔｉｎｇ）、ドクターブレードコ
ーティング、浸漬、液浸、塗装およびスプレーが挙げら
れるが、金属箔を不活性シラン、チタネートまたはジル
コネート溶液中へ液浸させることが好ましい。
【００６９】１実施態様では、不活性シラン、チタネー
トまたはジルコネート化合物は溶液中で約０．０１％か
ら約１０％ｖ／ｖの量で存在する。別の実施態様では、
不活性シラン、チタネートまたはジルコネート化合物は
溶液中で約０．０５％から約５％ｖ／ｖの量で存在す
る。さらに別の実施態様では、不活性シラン、チタネー
トまたはジルコネート化合物は溶液中で約０．１％から
約２％ｖ／ｖの量で存在する。
【００７０】不活性シラン、チタネートまたはジルコネ
ート化合物ならびに不活性シラン、チタネートまたはジ
ルコネート化合物溶液は、典型的には約１０℃から約５
０℃の温度である。別の実施態様では、不活性シラン、
チタネートまたはジルコネート化合物溶液は、約１５℃
を超える温度から約４０℃の温度である。さらに別の実
施態様では、不活性シラン、チタネートまたはジルコネ
ート化合物溶液は、約２０℃を超える温度から約３０℃
の温度である。金属箔は、金属箔の表面上に塵埃耐性フ
ィルムが形成されるために十分な時間、不活性シラン、
チタネートまたはジルコネート化合物溶液と接触され
る。１実施態様では、金属箔は約１秒から約１０分間、
不活性シラン、チタネートまたはジルコネート化合物溶
液と接触される。別の実施態様では、金属箔は約５秒か
ら約１００秒間、不活性シラン、チタネートまたはジル
コネート化合物溶液と接触される。
【００７１】金属箔が不活性シラン、チタネートまたは
ジルコネート化合物溶液と接触された後に、金属箔は乾
燥され得るかまたは必要に応じて適切な時間加熱され
て、溶媒が除去されて不活性シラン、チタネートまたは
ジルコネート化合物フィルムが形成する。１実施態様で
は、金属箔は約５０℃から約１７０℃の温度に加熱され
る。別の実施態様では、金属箔は約７０℃から約１５０
℃の温度に加熱される。金属箔は必要に応じて約１秒か
ら約５分間加熱される。別の実施態様では、金属箔は必
要に応じて約１０秒から約２分間加熱される。
【００７２】本発明の処理は、樹脂塵埃耐性フィルムを
金属箔の表面上に形成する。好ましい実施態様において
は、本発明の処理はエポキシ樹脂塵埃耐性フィルムを金
属箔の表面上に形成する。樹脂塵埃耐性フィルムは、フ
ィルムが、処理された金属箔表面上に樹脂塵埃が接着、
沈降、および／または蓄積することを回避する限りは、
連続的、実質的に連続的または非連続的であり得る。好
ましい実施態様においては、樹脂塵埃耐性フィルムは、
処理された金属箔表面にわたって、連続的かまたは少な
くとも実質的に連続的である。１実施態様においては、
金属箔上の不活性シラン、チタネートまたはジルコネー
ト化合物の樹脂塵埃耐性フィルムは、約０．００１から
約１ミクロンの厚さを有する。別の実施態様において
は、金属箔上の不活性シラン、チタネートまたはジルコ
ネート化合物の樹脂塵埃耐性フィルムは、約０．００２
５から約０．１ミクロンの厚さを有する。さらに別の実
施態様においては、金属箔上の不活性シラン、チタネー
トまたはジルコネート化合物の樹脂塵埃耐性フィルム
は、約０．００５から約０．０５ミクロンの厚さを有す
る。
【００７３】不活性シラン、チタネートまたはジルコネ
ート化合物溶液は、必要に応じて特定の添加剤を含む。
１実施態様では、不活性シラン、チタネートまたはジル
コネート化合物溶液はいかなる添加剤も含まない。別の
実施態様では、不活性シラン、チタネートまたはジルコ
ネート化合物溶液は、トリアゾール化合物のような添加
剤を含む。トリアゾール化合物には、アミノトリアゾー
ル、ベンゾトリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾー
ル、アルキル置換ベンゾトリアゾール（例えばメチルベ
ンゾトリアゾール）、およびカルボキシベンゾトリアゾ
ールが挙げられる。１実施態様では、不活性シラン、チ
タネートまたはジルコネート化合物溶液は、約０．０１
ｇ／ｌから約１０ｇ／ｌの１つまたはそれ以上の上述の
添加剤を含む。別の実施態様では、不活性シラン、チタ
ネートまたはジルコネート化合物溶液は、約０．１ｇ／
ｌから約５ｇ／ｌの１つまたはそれ以上の上述の添加剤
を含む。
【００７４】１実施態様では、不活性シラン、チタネー
トまたはジルコネート化合物溶液は、金属を含まない；
すなわち、不活性シラン、チタネートまたはジルコネー
ト化合物溶液は、添加された金属または金属化合物が存
在しないことによって特徴づけられる。いくつかの場合
において、金属化合物は結果として生じる形成された不
活性シラン、チタネートまたはジルコネート化合物フィ
ルムに悪影響を及ぼす。１実施態様においては、本発明
に従って金属箔が処理された後には、電解工程は行われ
ない。さらなる電解工程がないことにより、金属箔作製
の方法を単純化し、そしてプリント回路基板のためのラ
ミネートの製造を単純化する。
【００７５】１実施態様においては、金属箔が不活性シ
ラン、チタネートまたはジルコネート化合物に接触され
た後に、金属箔は必要に応じて中性溶液（ほとんどの場
合水および具体的には脱イオン水）ですすがれる。中和
またはすすぎ溶液は、処理された金属箔の表面から過剰
の物質を除去するのに役立つ。
【００７６】本発明に従って処理された金属箔は、誘電
性基板と結合されて、金属箔に寸法および構造的な安定
性を提供し得る。本発明の箔を用いて、つや消し側また
は光沢側のいずれかが誘電性基板に効率的に結合され得
るが、本発明に従って処理された箔の側は、最初には誘
電性基板に結合されない（しかしながら、二重処理され
た箔の場合は、両方の側が最終的に誘電性基板に結合さ
れる）。
【００７７】有用な誘電性基板は、織られたガラス強化
材料を、部分的に硬化されたエポキシ樹脂（例えば、二
官能性、四官能性および多官能性エポキシ）、ポリイミ
ド樹脂、またはポリエステル樹脂で含浸させることによ
って調製され得る。これらの誘電性基板はときにはプリ
プレグ（例えば、エポキシプリプレグ）と呼ばれる。
【００７８】ラミネートの調製において、プリプレグ材
料および金属箔の両方にとっては、ロール状に巻かれた
材料の長いウェブの形態で提供されることが有用であ
る。１実施態様においては、金属箔およびプリプレグの
これらの長いウェブは、連続プロセスを用いて積層され
る。このプロセスにおいて、処理された金属箔の連続ウ
ェブは、しばしばそれに接着される接着促進層を用い
て、ラミネート構造物を形成する積層条件下でプリプレ
グ材料の連続ウェブと接触される。次いで、このラミネ
ート構造物は矩形のシートに切断され、次いで矩形のシ
ートは集合物の積み重ね（ｓｔａｃｋｓ ｏｆ ａｓｓ
ｅｍｂｌａｇｅｓ）中に貯えられる（ｌａｉｄ−ｕｐ）
かまたは集められる。
【００７９】１実施態様においては、処理された金属箔
およびプリプレグ材料の長いウェブは、初めに矩形のシ
ートに切断され、次いで積層に供される。このプロセス
において、処理された金属箔の長方形のシートおよびプ
リプレグ材料の矩形のシートは、次いで集合物の積み重
ね中に貯えられるかまたは集められる。
【００８０】各集合物は、そのプリプレグシートのいず
れかの側上に処理された金属箔のシートを有するプリプ
レグシートを含み得、そして各場合において、金属箔の
接着結合処理側（または側の一方）はプリプレグに隣接
して配置される。本発明に従って処理される金属箔の側
は、プリプレグから離れて面している。この集合物は通
常の積層温度および、積層しているプレート間を押し
て、処理された金属箔のシート間でプリプレグのシート
のサンドイッチ構造を含むラミネートを調製するような
圧力に供され得る。
【００８１】プリプレグは、樹脂（例えば、エポキシ樹
脂が用いられる実施態様における部分的に硬化した２相
樹脂）を含浸させた、織られたガラス強化ファブリック
からなり得る。熱および圧力の付与によって、銅箔の
（本発明に従った）未処理の側がプリプレグに対してし
っかりと押され、そしてその集合が供される温度は樹脂
を活性化して硬化（すなわち樹脂の架橋）を引き起こ
し、それ故箔はプリプレグ誘電性基板としっかりと結合
する。一般に、積層操作には、約１００から約１，００
０ｐｓｉの範囲の圧力、約１５０℃から２５０℃の範囲
の温度、および約３０分から約３時間の積層サイクルを
含む。次いで、得られたラミネートはプリント回路基板
（ＰＣＢ）の調製に利用し得る。１実施態様において、
不活性シラン、チタネートまたはジルコネート化合物
は、積層後に銅表面から除去される。
【００８２】１実施態様においては、多層回路基板を作
製するためのプロセスの１部として、ラミネートに減算
的な銅エッチングプロセスを行って、電気伝導性のライ
ンまたは電気伝導性のパターンを形成する。次いで、パ
ターン化された金属から、不活性シラン、チタネートま
たはジルコネート化合物処理が除去される。次いで第二
のボンディング処理が、エッチングされたパターン全体
にわたって、上で議論した技術を使用して行われ、次い
で、第二のプリプレグがエッチングされたパターンに接
着される。樹脂塵埃はエッチングプロセスには影響しな
いので、エッチングされたパターンは、寸法の良好な制
御を示す。多層回路基板を作製するための技術は当該技
術分野で周知である。
【００８３】多くの製造方法が、ラミネートからのＰＣ
Ｂの調製のために有効である。さらに、種々の可能な最
終的な使用の応用があり、ＰＣＢについては、ラジオ、
テレビ、コンピューター、などが挙げられる。これらの
方法および最終的な使用は当該技術分野で公知である。
【００８４】本発明から生じる１つの利点は、本発明に
従って得られ得る処理された金属箔は、プリプレグと組
み合わせて使用した場合に高樹脂塵埃耐性を示すことで
ある。これは、本発明の方法は、処理された金属箔のプ
ロセシングの間、処理された金属箔が樹脂塵埃バリヤー
を維持することを可能とするためである。別の利点は、
処理された金属箔をエッチングする場合に、その処理さ
れた金属箔は、優れたパターン形成能力（ｐａｔｔｅｒ
ｎａｂｉｌｉｔｙ）を示すことである。
【００８５】二重処理された箔が本発明に従って処理さ
れる実施態様においては、または樹脂塵埃耐性フィルム
を除去することが望ましい実施態様においては、処理さ
れた金属箔は有機酸または塩基の希薄水溶液に接触され
る。
【００８６】いかなる理論によっても束縛されることは
望まないが、個々の不活性シラン、チタネートまたはジ
ルコネート化合物分子は金属箔の表面上に配置され、そ
の結果アルコキシ末端は金属箔表面に隣接するが、非極
性置換基（ヒドロカルビルまたはフルオロカーボン末
端）は金属箔表面から離れて配置されると考えられる。
非極性置換基は、樹脂塵埃をはじく（ｒｅｐｅｌ）、金
属箔表面上への樹脂塵埃の沈降を妨げる、金属箔表面上
との樹脂塵埃の結合または強力な結合を妨げる、および
金属箔表面上での樹脂塵埃の蓄積を妨げる、の内の少な
くとも１つであると、考えられる。
【００８７】限定の意図は無いが、以下の実施例は本発
明の種々のおよび新規の局面を例示する。他に示さなけ
れば、以下の実施例ならびに明細書および特許請求の範
囲を通して、全ての部およびパーセンテージは重量に基
づき、全ての温度は摂氏温度であり、そして全ての圧力
は大気圧である。
【００８８】
【実施例】９個のシラン溶液（６個の不活性シラン化合
物溶液および３個の比較シラン溶液）を調製する。これ
らには約１％ｖ／ｖの対象のシラン化合物、水、および
必要に応じてシラン化合物を溶解するためのエタノール
を含む。シラン化合物をドラム側の処理された銅箔のつ
や消し側に、約２０秒間のドウェル時間（ｄｗｅｌｌ
ｔｉｍｅ）で浸漬することによって付与し、次いで約１
分間約１００℃で乾燥する。コーティングされた銅箔
（つや消し側）を次いでエポキシプリプレグ層（１ｏｚ
／ｆｔ2銅箔をＰｏｌｙｃｌａｄ ＡＴＳ １４０ ℃
Ｔgエポキシプリプレグに、または１ｏｚ／ｆｔ2銅箔
をＧｅｎｅｒａｌ ＥｌｅｃｔｒｉｃＴＳエポキシプリ
プレグに、のいずれか）に積層した。コントロールはそ
の上にいかなるシラン化合物も有しない。コーティング
された箔を、２５０ｐｓｉの圧力で１７７℃まで加熱し
て、エポキシプリプレグに積層し、そして約１時間共に
保持し、続いて室温にまで冷却する。全てのラミネート
に像を映し（ｉｍａｇｅ）そしてエッチングしてライン
のパターンを、全て０．１２５インチの幅で得る。
【００８９】ＩＰＣ試験方法マニュアルの第２．４．８
章の「熱応力の後（Ａｆｔｅｒ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｓｔ
ｒｅｓｓ）」に記載の様に、ラインを中間まで下向きに
剥離して、初期剥離強度を提供する。剥離強度が低下す
るにつれ、エポキシ樹脂塵埃耐性は向上する。剥離強度
を１インチ当たりのポンド数で、表１に示す。不活性シ
ランに関係する剥離強度は、比較のシランに関係する剥
離強度よりも特に低い。このシラン化合物は、表１で特
定される第四のケイ素置換基を有するトリメトキシシラ
ンである。
【００９０】表１ （シラン） （ＰＣＬ ＡＴＳ） （ＧＥ ＴＳ） コントロール ０．９ １．５ メチル ０．５ １．２ プロピル ０．２ ０．６ イソブチル ０．６ ０．６ オクチル ０．７ １．１ トリフルオロプロピル ０．６ １．３ フェニル ０．８ １．２ アミノプロピル ３．７ ５．４ ブロモプロピル ３．０ ４．６ グリシドキシプロピル ３．６ ６．７ 本発明の樹脂塵埃耐性フィルムの有効性を評価する方法
は、本発明のシラン、チタネート、またはジルコネート
化合物の１つを有する所望の側上で箔の断片をコーティ
ングすることである。次いで、所望の側を上にした選択
されたタイプのプレプリグの適切な数のスタックを、箔
にかぶせる。選択された数の樹脂塵埃粒子を箔表面に配
置し、そして本発明の樹脂塵埃耐性フィルムの無い同じ
箔を用いて、同様の設定を行う。次いで、スチールのプ
レートを箔の頂部上に配置し、そして上述のように積層
を進める。積層後、スチールのプレートを除去し、そし
てブラックライト光源を使用して、両方の箔および両方
のスチールプレート上の樹脂塵埃粒子の数を数える。フ
ェニルトリメトキシシランおよび（３，３，３−トリフ
ルオロプロピル）トリメトキシシランを、シラン化合物
を有しない箔と比較して、この方法によって別々に評価
する。シランコーティングを有する箔上ではより少ない
点が見出され、そしてステンレススチールプレート上で
はより多くの樹脂塵埃が残存する。
【００９１】本発明は、好ましい実施態様に関して説明
してきたが、その種々の方法が本明細書を読んだ当業者
らに明白となることが理解される。それ故、本明細書で
開示される本発明は、上記の特許請求の範囲の範囲内に
あるこのような改変を網羅することが意図されることが
理解されるべきである。
【００９２】１実施態様では、本発明は、金属箔と不活
性シラン、チタネートまたはジルコネート化合物とを接
触させて、金属の表面に金属箔の表面上に約０．００１
ミクロン〜約１ミクロンの厚さを有する樹脂塵埃耐性フ
ィルムを形成する工程を含有する金属箔の樹脂塵埃耐性
増加の方法に関する。別の実施態様では、本発明は、金
属箔の第１の側とヒドロカルビルシラン溶液とを接触さ
せて、金属箔の表面上に樹脂塵埃耐性フィルムを形成す
る工程（ヒドロカルビルシラン溶液は約０．０１％から
約１０％ｖ／ｖのヒドロカルビルシランを含む）；そし
てプリプレグに金属箔の第２の側を積層する工程、を含
有する金属箔の処理の方法に関する。
【００９３】
【発明の効果】本発明によれば、金属箔と不活性シラ
ン、チタネートまたはジルコネート化合物とを接触させ
て、金属箔の表面上に約０．００１ミクロン〜約１ミク
ロンの厚さを有する樹脂塵埃耐性フィルムを形成するこ
とにより、金属箔の樹脂塵埃耐性を増加させることがで
きる。
フロントページの続き (73)特許権者 599167467 34929 Ｃｕｒｔｉｓ Ｂｏｕｌｅｖａ ｒｄ， Ｅａｓｔｌａｋｅ， Ｏｈｉｏ 44095， Ｕｎｉｔｅｄ Ｓｔａｔｅ ｓ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ (72)発明者 マイケル エイ． センタンニ アメリカ合衆国 オハイオ 44130， パーマ， ベレスフォード アベニュー 7335 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09D 1/00

Claims (22)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属箔の樹脂塵埃耐性を増加させる方法
    であって、該金属箔と不活性シラン化合物とを接触させ
    て、該金属箔の表面上に約０．００１ミクロン〜約１ミ
    クロンの厚さを有する樹脂塵埃耐性フィルムを形成する
    工程を包含し、 ここで、該不活性シラン化合物は、以下： 【化３】 の式で表され、ここで、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5のそれぞれ
    はメトキシまたはエトキシであり、かつＲ2はヒドロカ
    ルビル基またはフルオロカーボン基であるか、あるい
    は、Ｒ4およびＲ5のそれぞれはメトキシまたはエトキシ
    であり、かつＲ2およびＲ3はヒドロカルビル基である、
    方法。
  2. 【請求項２】 前記金属箔がつや消し表面および光沢表
    面を有し、そして前記樹脂塵埃耐性フィルムが該つや消
    し表面上に形成される、請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記金属箔がつや消し表面および光沢表
    面を有し、そして前記樹脂塵埃耐性フィルムが該光沢表
    面上に形成される、請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記不活性シラン化合物が少なくとも１
    つのヒドロカルビルシランを含む、請求項１に記載の方
    法。
  5. 【請求項５】 前記不活性シラン化合物が少なくとも１
    つのフルオロカーボンシランを含む、請求項１に記載の
    方法。
  6. 【請求項６】 請求項１に記載の方法であって、前記不
    活性シラン化合物が、メチルトリメトキシシラン；エチ
    ルトリメトキシシラン；プロピルトリメトキシシラン；
    ｎ−ブチルトリメトキシシラン；イソブチルトリメトキ
    シシラン；ペンチルトリメトキシシラン；ヘキシルトリ
    メトキシシラン；オクチルトリメトキシシラン；７−オ
    クト−１−エニルトリメトキシシラン；フェニルトリメ
    トキシシラン；ヒドロカルビル置換フェニルトリメトキ
    シシラン（例えば、ｐ−（メチル）フェニルトリメトキ
    シシラン）；３−シクロペンタジエニルプロピルトリメ
    トキシシラン；ビニルトリメトキシシラン；アリルトリ
    メトキシシラン；メトキシプロピルトリメトキシシラ
    ン；メチルトリエトキシシラン；エチルトリエトキシシ
    ラン；プロピルトリエトキシシラン；ｎ−ブチルトリエ
    トキシシラン；イソブチルトリエトキシシラン；ペンチ
    ルトリエトキシシラン；ヘキシルトリエトキシシラン；
    オクチルトリエトキシシラン；７−オクト−１−エニル
    トリエトキシシラン；フェニルトリエトキシシラン；ヒ
    ドロカルビル置換フェニルトリエトキシシラン（例え
    ば、ｐ−（メチル）フェニルトリエトキシシラン）；３
    −シクロペンタジエニルプロピルトリエトキシシラン；
    ビニルトリエトキシシラン；アリルトリエトキシシラ
    ン；メトキシプロピルトリエトキシシラン；メチルトリ
    イソプロポキシシラン；エチルトリイソプロポキシシラ
    ン；プロピルトリイソプロポキシシラン；ビニルトリイ
    ソプロポキシシラン；ビニルトリス−ｔ−ブトキシシラ
    ン；（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキ
    シシラン；およびトリデカフルオロオクチルトリエトキ
    シシランの少なくとも１つを含有する、方法。
  7. 【請求項７】 前記不活性シラン化合物が、少なくとも
    １つのアルキルシランを含有する、請求項１に記載の方
    法。
  8. 【請求項８】 前記不活性シラン化合物が、少なくとも
    ２つの不活性シラン化合物を含有する、請求項１に記載
    の方法。
  9. 【請求項９】 金属箔の樹脂塵埃耐性を増加させる方法
    であって、該金属箔と不活性シラン化合物とを接触させ
    て、該金属箔の表面上に約０．００１ミクロン〜約１ミ
    クロンの厚さを有する樹脂塵埃耐性フィルムを形成する
    工程を含有し、 ここで、該不活性シラン化合物は、以下： 【化４】 の式で表され、ここで、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5のそれぞれ
    はメトキシまたはエトキシであり、かつＲ2はヒドロカ
    ルビル基またはフルオロカーボン基であるか、あるい
    は、Ｒ4およびＲ5のそれぞれはメトキシまたはエトキシ
    であり、かつＲ2およびＲ3はヒドロカルビル基である、
    方法。
  10. 【請求項１０】 金属箔を処理する方法であって： 該金属箔の第一の側とヒドロカルビルシラン溶液とを接
    触させて、該金属箔の表面上に樹脂塵埃耐性フィルムを
    形成する工程であって、該ヒドロカルビルシラン溶液が
    約０．０１％〜約１０％ｖ／ｖのヒドロカルビルシラン
    を含む工程；およびプリプレグに金属箔の第二の側を積
    層させる工程、 を包含し、 ここで、該ヒドロカルビルシランは、以下： 【化５】 の式で表され、ここで、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5のそれぞれ
    はメトキシまたはエトキシであり、かつＲ2はヒドロカ
    ルビル基またはフルオロカーボン基であるか、あるい
    は、Ｒ4およびＲ5のそれぞれはメトキシまたはエトキシ
    であり、かつＲ2およびＲ3はヒドロカルビル基である、
    方法。
  11. 【請求項１１】 前記ヒドロカルビルシラン溶液がさら
    にフルオロカーボンシランを含有する、請求項１０に記
    載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記ヒドロカルビルシラン溶液がさら
    にトリアゾール化合物を含有する、請求項１０に記載の
    方法。
  13. 【請求項１３】 前記金属箔を酸性溶液と接触する工
    程、および該金属箔を前記ヒドロカルビルシラン溶液と
    接触する前に必要に応じてすすぐ工程をさらに包含す
    る、請求項１０に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記ヒドロカルビルシラン溶液が約１
    ０℃〜約５０℃の温度であり、そして前記金属箔が該ヒ
    ドロカルビルシラン溶液と約１秒間〜約１０分間の期間
    にわたって接触される、請求項１０に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記金属箔が、亜鉛を含む金属層が無
    いことによって特徴づけられる、請求項１４に記載の方
    法。
  16. 【請求項１６】 前記プリプレグが、少なくとも１つの
    エポキシ樹脂物質、ポリイミド樹脂物質およびポリエス
    テル樹脂物質を含む、請求項１０に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 銅箔を処理する方法であって： 該銅箔と約０．０５％〜約５％ｖ／ｖのアルキルシラン
    および約０．１ｇ／ｌ〜約１０ｇ／ｌのトリアゾール化
    合物を含む溶液とを接触する工程；および該金属箔をエ
    ポキシ樹脂物質に積層する工程、 を含有し、 ここで、該アルキルシランは、以下： 【化６】 の式で表され、ここで、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5のそれぞれ
    はメトキシまたはエトキシであり、かつＲ2はヒドロカ
    ルビル基またはフルオロカーボン基であるか、あるい
    は、Ｒ4およびＲ5のそれぞれはメトキシまたはエトキシ
    であり、かつＲ2およびＲ3はヒドロカルビル基である、
    方法。
  18. 【請求項１８】 前記アルキルシランが、メチルトリメ
    トキシシラン；エチルトリメトキシシラン；プロピルト
    リメトキシシラン；イソブチルトリメトキシシラン；メ
    チルトリエトキシシラン；エチルトリエトキシシラン；
    プロピルトリエトキシシラン；およびイソブチルトリエ
    トキシシランの少なくとも１つを含有する、請求項１７
    に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記トリアゾール化合物が、アミノト
    リアゾール、ベンゾトリアゾール、ヒドロキシベンゾト
    リアゾール、アルキル置換ベンゾトリアゾールおよびカ
    ルボキシベンゾトリアゾールの少なくとも１つを含有す
    る、請求項１７に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 前記溶液が、約１５℃〜約４０℃の温
    度であり、そして前記銅箔が約５秒〜約１００秒間の期
    間にわたって、該溶液と接触される、請求項１７に記載
    の方法。
  21. 【請求項２１】 前記溶液が、水と有機溶媒との混合物
    を含む、請求項１７に記載の方法。
  22. 【請求項２２】 金属箔の樹脂塵埃耐性を増加させる方
    法であって、該方法は、該金属箔と不活性シラン化合物
    とを接触させて、該金属箔の表面上に約０．００１ミク
    ロン〜約１ミクロンの厚さを有する樹脂塵埃耐性フィル
    ムを形成する工程を包含し、 ここで、該不活性シラン化合物は、以下： 【化７】 の式で表される化合物であり、 ここで、Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4、Ｇ5、およびＧ6のそれぞ
    れは独立してヒドロカルビル、またはヒドロカルビルオ
    キシ基であり；Ｒ1はヒドロカルビル基であり；そして
    ｎはゼロまたは１であり、但し、Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4、
    Ｇ5、およびＧ6の少なくとも１つは、ヒドロカルビル基
    である、方法。
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