JPH07146491A

JPH07146491A - 表示素子基板用半導体装置

Info

Publication number: JPH07146491A
Application number: JP31734293A
Authority: JP
Inventors: Masumitsu Ino; 益充猪野; Hisao Hayashi; 久雄林
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-11-24
Filing date: 1993-11-24
Publication date: 1995-06-06
Anticipated expiration: 2016-10-02
Also published as: JP3214202B2

Abstract

(57)【要約】【目的】表示素子基板用半導体装置に設けられる付加
容量の大容量化を図る。【構成】表示素子基板用半導体装置は絶縁基板４を用
いて構成されており、その上にはマトリクス状に配列し
た画素電極１、個々の画素電極を駆動するスイッチング
素子２及び各画素電極１に対応する付加容量３とが集積
形成されている。スイッチング素子２が形成された下層
領域と、画素電極１が形成された上層領域との間に平坦
化層５からなる中層領域が介在している。付加容量３
は、平坦化層５に設けられたトレンチ６内に形成されて
いる。付加容量３は第一金属電極膜７、誘電体膜８及び
第二金属電極膜９からなる積層構造を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は表示素子基板用半導体装
置に関する。より詳しくは、マトリクス状に配列した画
素電極に対応して設けられる付加容量の構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】表示素子基板用半導体装置はマトリクス
状に配列した画素電極、個々の画素電極を駆動するスイ
ッチング素子及び各画素電極に対応する付加容量とが絶
縁基板上に集積形成された構造となっている。表示素子
基板用半導体装置は例えばアクティブマトリクス液晶デ
ィスプレイの駆動基板として用いられる。現在表示品質
の向上を図る上で、スイッチング素子として用いられる
薄膜トランジスタへの飛び込み電荷や、薄膜トランジス
タのリーク電流に起因する信号電荷保持能力の低下が問
題となっている。これに対処する為、画素電極に接続さ
れている付加容量の増大化が最も有効な手段の一つとさ
れている。一方、アクティブマトリクス液晶ディスプレ
イの高精細化が必要となってきており、益々一画素当た
りのサイズが微細化されてきている。高精細化及び微細
化に当たって特に問題となるのが画素開口率である。画
素開口率の悪化要因として、薄膜トランジスタ及び付加
容量の素子サイズがある。

【０００３】付加容量の素子サイズを縮小し画素開口率
を確保する為トレンチ構造が提案されており、例えば特
開平１−８１２６２号公報に開示されている。トレンチ
構造は図１３に示す様に、絶縁基板１０１にトレンチ１
０２を形成して、付加容量１０３をその内部に作り込む
ものである。トレンチ１０２の側壁を利用する事により
付加容量の実効面積を稼ぐとともに、表面積の縮小化を
図っている。絶縁基板１０１の表面には画素電極１０４
とスイッチング素子１０５も形成されている。スイッチ
ング素子１０５はポリシリコン薄膜１０６と、ゲート絶
縁膜１０７を介してその上に積層されたゲート電極１０
８とから構成されている。ゲート電極１０８は他のポリ
シリコン薄膜を所定の形状にパタニングしたものであ
る。薄膜トランジスタのソース領域Ｓには信号電極１０
９が接続されており、ドレイン領域Ｄには前述した画素
電極１０４が接続されている。

【０００４】付加容量１０３は第一電極１１０、誘電体
膜１１１、第二電極１１２の積層構造からなる。第一電
極１１０はポリシリコン薄膜１０６と同一層であり、誘
電体膜１１１はゲート絶縁膜１０７と同一層であり、第
二電極１１２はゲート電極１０８と同一層である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】トレンチ構造を有する
付加容量１０３では、下側の第一電極１１０として用い
られるポリシリコン薄膜の低抵抗化を図る必要がある。
この為不純物の熱拡散処理が行なわれる。しかしなが
ら、付加容量１０３に対する熱拡散処理を行なった後、
薄膜トランジスタ作成工程に移ると、素子領域へ不純物
が再拡散するという不具合があり、薄膜トランジスタの
特性が損なわれるという課題があった。これに換えて、
発明者は先の特許出願で低抵抗化を図る手段として、不
純物のイオン注入処理を提案している。この場合にはイ
オン注入による不純物の飛程距離をトレンチ側壁に対し
て最適化する必要がある。しかしながら実際には、イオ
ン注入時のエネルギーのばらつきあるいはトレンチ側壁
のテーパ角のばらつきがある為、均一に低抵抗化を図る
事が困難であった。又、トレンチの深さが飛程距離に依
存して決定される為、あまり大きく設定する事ができず
通常３μｍ以上にする事は難しかった。従って、大容量
化にも限界があった。

【０００６】加えて、絶縁基板上にスイッチング素子及
び付加容量を集積形成した構造では、表面状態が凹凸を
含む為アクティブマトリクス液晶ディスプレイ等に応用
した場合液晶の配向制御が均一に行なえないという課題
があった。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題を解決する為以下の手段を講じた。即ち、本発明にか
かる表示素子基板用半導体装置は基本的な構成として、
マトリクス状に配列した画素電極、個々の画素電極を駆
動するスイッチング素子及び各画素電極に対応する付加
容量とが絶縁基板上に集積形成されている。かかる構造
において、スイッチング素子が形成された下層領域と画
素電極が形成された上層領域との間に平坦化層からなる
中層領域が介在している。本発明の特徴事項として、前
記付加容量は、該中層領域に形成されている。

【０００８】具体的には、前記付加容量は該中層領域内
で重ねて形成された第一金属電極膜、誘電体膜及び第二
金属電極膜からなる。前記誘電体膜は第一金属電極膜の
陽極酸化膜からなる。かかる積層構造を有する付加容量
は、該平坦化層に形成されたトレンチ内に設けられてい
る。トレンチを形成する為、前記平坦化層は、写真食刻
加工可能な透明樹脂材料からなる。

【０００９】本発明は平坦化層を介在させた基板構造に
限られるものではない。本発明の他の側面によれば、絶
縁基板の表面に厚肉の下地層が形成される。画素電極及
びスイッチング素子はこの下地層の表面に形成されてい
る一方、付加容量は下地層に設けられたトレンチ内に形
成される。

【００１０】

【作用】本発明によればスイッチング素子が形成された
下層領域と画素電極が形成された上層領域との間に平坦
化層が介在しており、絶縁基板表面の凹凸が除かれてい
る。これにより表示素子基板用半導体装置をアクティブ
マトリクス液晶ディスプレイの駆動基板として用いた場
合、液晶の配向制御が容易になりディスプレイの高精細
化が促進できる。又、付加容量は平坦化層に形成された
トレンチ内に設けられる。これにより付加容量を立体構
造化でき容量増大化が図れる一方、素子の占有面積を縮
小できるので画素開口率が改善する。付加容量を一対の
金属電極膜と両者に挟持された誘電体膜で構成する事に
より、特に低抵抗化を図る事なく低温プロセスで付加容
量を作成できる。従って、平坦化層と付加容量との間で
プロセス上の整合性がとれている。

【００１１】

【実施例】以下図面を参照して本発明の好適な実施例を
詳細に説明する。図１は本発明にかかる表示素子基板用
半導体装置の第１実施例を示す模式的な断面図である。
図示する様に、表示素子基板用半導体装置はマトリクス
状に配列した画素電極１、個々の画素電極を駆動するス
イッチング素子２、各画素電極１に対応する付加容量３
とが絶縁基板４上に集積形成されている。表示素子基板
用半導体装置は積層構造を有しており、下層領域にはス
イッチング素子２等が形成されている。上層領域には画
素電極１等が形成されている。この下層領域と上層領域
との間に平坦化層５からなる中層領域が介在している。
この平坦化層５は絶縁基板４表面の凹凸を吸収し表面の
平坦化を図るものである。本発明の特徴事項として付加
容量３は中層領域に形成されている。具体的には平坦化
層５に形成されたトレンチ６内に設けられている。付加
容量３はトレンチ６の側壁及び底壁に沿って積層された
第一金属電極膜７、誘電体膜８、第二金属電極膜９とか
ら構成されている。誘電体膜８は第一金属電極膜７の陽
極酸化膜からなる。第一金属電極膜７、その陽極酸化膜
からなる誘電体膜８、第二金属電極膜９の組み合わせと
しては様々な金属材料が選択可能である。以下の表１に
その具体例を挙げる。

【表１】

【００１２】本例ではスイッチング素子２はＮチャネル
型の薄膜トランジスタからなる。薄膜トランジスタは所
定の形状にパタニングされたポリシリコン膜１０を用い
て構成されている。ポリシリコン膜１０の上にはゲート
絶縁膜１１を介してゲート電極Ｇが形成されている。ポ
リシリコン膜１０はゲート電極Ｇ直下のチャネル領域
と、その両側のソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄに区分
されている。なおチャネル領域とソース領域Ｓの間、及
びチャネル領域とドレイン領域Ｄの間には低濃度不純物
領域が介在しており、薄膜トランジスタはＬＤＤ構造と
なっている。ドレイン領域Ｄはトレンチ６の底部におい
て付加容量３の第一金属電極膜７と接触している。この
第一金属電極膜７はトレンチ６の側壁を通って平坦化層
５の表面にまで延設されており画素電極１と電気接続し
ている。従って画素電極１は第一金属電極膜７を介して
薄膜トランジスタのドレイン領域Ｄと電気接続している
事になる。一方薄膜トランジスタのソース領域Ｓには第
一層間絶縁膜１２を介して信号電極１３が電気接続して
いる。この信号電極１３は第二層間絶縁膜１４により被
覆されている。この第二層間絶縁膜１４の上にはスイッ
チング素子２と整合してキャップ膜１５が形成されい
る。このキャップ膜１５は層間絶縁膜に含まれる水素を
ポリシリコン膜１０に導入して水素化処理を行なう際の
拡散防止膜として機能する。以上キャップ膜１５までが
下層領域を構成し、その上に平坦化層５からなる中層領
域が重ねられている。さらにその上には画素電極１等か
らなる上層領域が重ねられている。

【００１３】以上説明した様に本実施例では、付加容量
３を第一金属電極膜７及び第二金属電極膜９から構成し
ており、両者の間に誘電体膜８を介在させている。この
誘電体膜８は陽極酸化法により第一金属電極膜７を低温
酸化して成膜する。その上部に第二金属電極膜９を堆積
する。従来法と異なり、この方法では第一金属電極膜７
自身が十分に低い抵抗値を有している。従って従来の様
にポリシリコンを付加容量の電極として用いた際行なっ
ていた低抵抗化処理が不要となる。又、不純物拡散によ
る低抵抗化処理の際、不純物活性化の為に行なっていた
９００℃以上の加熱処理が不要となる。本例では金属電
極膜は３００℃以下の温度で例えば真空蒸着により成膜
可能であり、低温プロセスとなるので平坦化層５として
有機材料を用いた場合にもプロセス上の障害が発生しな
い。この為、アクティブマトリクス液晶ディスプレイの
高精細化に不可欠な平坦化層５の採用が可能になる。さ
らに本実施例では薄膜トランジスタのドレイン領域Ｄと
画素電極１が第一金属電極膜７によりトレンチ６を介し
て電気接続されている。換言するとトレンチ６自体がコ
ンタクトホールの機能を果たすとともに、このトレンチ
６に付加容量３を実装できる。よって各画素に割り付け
られる素子のサイズをコンパクト化する事が可能にな
る。

【００１４】図２は、図１に示した表示素子基板用半導
体装置の半完成品状態を表わす模式的な断面図である。
本図はトレンチ６を平坦化層５に形成した後の状態を表
わしている。本例では平坦化層５は写真食刻加工可能な
透明樹脂材料を用いている。例えば感光性を有するアク
リル系樹脂もしくはスチレン系樹脂を用いる事ができ
る。具体的には、例えば日本合成ゴムのＨＲＣ−２１，
ＨＲＣ−２８，ＨＲＣ−２６，ＪＳＳ等を用いる事がで
きる。あるいは東ソーのＳ０１０，Ｓ１００等を用いる
事ができる。写真食刻加工可能な透明樹脂材料を用いる
とフォトマスクを介した光露光という簡便な加工処理に
より、平坦化層５にトレンチ６を形成する事ができる。
なおフォトリソグラフィに代えて、所定のレジストを介
したドライエッチングによりトレンチ６を形成する事も
可能である。ドライエッチングとしては例えばＣＦ₄／
Ｏ₂の混合ガスを用いたプラズマエッチングを採用でき
る。しかしながらプラズマエッチングを行なった場合に
はトレンチ６の底部に露出するポリシリコン膜に対して
プラズマダメージを与える惧れがある。この点に鑑み、
平坦化層５の材料としては上述した様にフォトリソグラ
フィ可能な感光性透明樹脂材料を採用する事が好まし
い。

【００１５】図３は本発明にかかる表示素子基板用半導
体装置の第２実施例を示す模式的な断面図である。理解
を容易にする為、図１に示した第１実施例と対応する部
分には対応する参照番号を付してある。本例ではスイッ
チング素子２が、ボトムゲート型の薄膜トランジスタか
らなる。即ち絶縁基板４の表面には金属又はポリシリコ
ンを所定の形状にパタニングしたゲート電極Ｇが形成さ
れている。ゲート電極Ｇの表面は、例えばＰ−ＳｉＮ：
Ｈからなるゲート絶縁膜１１で覆われている。ゲート絶
縁膜１１の上にはアモルファスシリコン膜３００が成膜
されている。さらにその上にはソース領域ＳとなるＮ＋
型アモルファスシリコン膜３０１が形成されるととも
に、ドレイン領域Ｄとして同じくＮ＋型アモルファスシ
リコン膜３０２が形成される。ソース側のＮ＋型アモル
ファスシリコン膜３０１にはシリコンを添加したアルミ
ニウム等からなる信号電極１３が接続されている。かか
る構成を有するスイッチング素子２はＰ−ＳｉＮ：Ｈか
らなる層間絶縁膜１２により被覆されている。

【００１６】上述した層間絶縁膜１２の上には平坦化層
５が成膜されている。この平坦化層５にはトレンチ６が
形成されており、その内部に付加容量３が設けられる。
付加容量３は第一金属電極膜７、誘電体膜８、第二金属
電極膜９の積層構造からなる。第一金属電極膜７はトレ
ンチ６の底部に露出するドレイン側のＮ＋型アモルファ
スシリコン膜３０２に接続している。この第一金属電極
膜７はトレンチ６の側壁を通って平坦化層５の表面にま
で延設されており、画素電極１と電気接続する様になっ
ている。なお画素電極１は例えばＩＴＯ等からなる透明
導電膜を所定の形状にパタニングしたものである。本発
明にかかる付加容量３は回路的に並行して接地される
為、第一金属電極膜７を延長する事により画素電極１と
電気接続できる。前述した様に画素電極１は第一金属電
極膜７の上部に形成されており、誘電体膜８を一部除去
した状態で接続される。

【００１７】なおアモルファスシリコン薄膜トランジス
タのゲート電極としてＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ，ＭｏＴａ等の
金属材料を用いる事ができる。又、アモルファスシリコ
ン薄膜トランジスタのソース側及びドレイン側電極材料
として、シリコンを添加したアルミニウムに代え、Ｃ
ｒ，Ｍｏ，ＭｏＴａ等の金属を用いる事も可能である。

【００１８】図４は本発明にかかる表示素子基板用半導
体装置の第３実施例を示す模式的な部分断面図である。
スイッチング素子２としてボトムゲート型の薄膜トラン
ジスタを採用しており、基本的な構成は図３に示した第
２実施例と同様である。従って、対応する部分には対応
する参照番号を付して理解を容易にしている。異なる点
は、ドレインＤ側のＮ＋型アモルファスシリコン膜３０
２とトレンチ６の底部に延設された第一金属電極膜７と
の間に、接続電極３０３を介在させ接続ラインの低抵抗
化を図った事である。この接続電極３０３はソースＳ側
に接続される信号電極１３と同一の材料により形成でき
る。

【００１９】図５は本発明に従って形成されたトレンチ
型容量の電気特性を示すグラフである。横軸に印加電圧
をとり、縦軸に付加容量の変化を表わし、周波数をパラ
メータとしてとってある。なお縦軸は、全容量（Ｃｔｏ
ｔａｌ）に対する付加容量の変動量（Ｃｏｘ）の比でと
ってある。グラフから明らかな様に、第一金属電極膜と
第二金属電極膜の間に印加される電圧に対して容量変化
は殆どなく、安定した特性が得られる。又周波数追従性
に関しても特に１MHz 程度の高周波領域で極めて安定し
ている事が分かる。

【００２０】これに対して図６のグラフはポリシリコン
薄膜を電極として用いた従来のトレンチ型容量の特性を
示すグラフである。グラフから明らかな様に従来の付加
容量は印加電圧に対して容量変化が生じており安定した
特性が得られない。又周波数追従性に対しても特に高周
波数側で不安定となっている。

【００２１】次に図７ないし図１０を参照して、図１に
示した表示素子基板用半導体装置の製造方法を詳細に説
明する。先ず最初に図７の工程Ａで、絶縁基板（本例で
は石英基板）５１の表面に、ＬＰＣＶＤ法によりポリシ
リコン膜５２を堆積し所定の形状にパタニングする。次
に工程Ｂで、ポリシリコン膜５２の表面にゲート絶縁膜
５３を形成する。本例では、このゲート絶縁膜５３はＳ
ｉＯ₂／Ｓｉ₃Ｎ₄／ＳｉＯ₂の三層構造を有してお
り、熱酸化法とＬＰＣＶＤ法を組み合わせて形成され
る。工程Ｃで、ゲート絶縁膜５３の上にＬＰＣＶＤ法で
ポリシリコン膜を成膜する。さらに燐を拡散し低抵抗化
を図った後所定の形状にパタニングしてゲート電極５４
に加工する。さらに工程Ｄでドライエッチングによりゲ
ート絶縁膜５３の不要部分をカッティング除去する。

【００２２】次に図８の工程Ｅに移り、イオン注入法に
より例えばＡｓイオンを注入しポリシリコン膜５２にソ
ース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを設ける。併せて、ＬＤ
Ｄ領域も形成する。以上によりトップゲート型の薄膜ト
ランジスタが形成される。次に工程Ｆで、ＣＶＤ法によ
りＰＳＧを堆積し第一層間絶縁膜５５を成膜する。工程
Ｇでウェットエッチングによりソース領域Ｓに連通する
コンタクトホールを形成する。続いてスパッタリングに
よりアルミニウムを成膜し所定の形状にパタニングして
信号電極５６に加工する。次に工程ＨでＣＶＤ法により
ＰＳＧを堆積し第二層間絶縁膜５７を成膜する。

【００２３】次に図９の工程Ｉに移り、ＰＣＶＤ法によ
りＰ−ＳｉＮを成膜し所定の形状にパタニングしてキャ
ップ膜５８に加工する。さらにウェットエッチングによ
りドレイン領域Ｄに連通するコンタクトホールを開口す
る。次に工程Ｊで写真食刻加工可能な透明樹脂材料を塗
布し平坦化層５９を設ける。さらに平坦化層５９を写真
食刻（フォトリソグラフィ）し該コンタクトホールに整
合してトレンチ６０を設ける。トレンチ６０の底部には
ドレイン領域Ｄが露出する。続いて工程Ｋで真空蒸着も
しくはスパッタリングにより第一金属電極膜６１を成膜
し所定の形状にパタニングする。第一金属電極膜６１の
成膜は３００℃以下の低温で実施する事ができ、平坦化
層５９に対して悪影響を及ぼさない。又平坦化層５９の
厚みに応じたトレンチ６０の側壁に沿って第一金属電極
膜６１を形成できるので、十分な電極面積を確保でき付
加容量の大容量化が可能になる。

【００２４】次に図１０の工程Ｌに移り、陽極酸化法に
より第一金属電極膜６１の表面を酸化し誘電体膜６２を
形成する。陽極酸化も比較的低温で行なう事が可能であ
る。又ピンホールがない緻密な誘電体膜が形成できる。
次に工程Ｍでスパッタリングにより第二金属電極膜６３
を成膜しトレンチ６０内部を埋め込む。以上によりトレ
ンチ型の付加容量が平坦化層５９に形成される。最後に
工程Ｎで誘電体膜６２をエッチングで部分的に除去し下
地の第一金属電極膜６１を露出する。さらにスパッタリ
ングによりＩＴＯ等の透明導電膜を成膜し所定の形状に
パタニングして画素電極６４に加工する。この様にして
トレンチ構造の付加容量を備えた表示素子基板用半導体
装置が完成する。

【００２５】図１１は以上の様にして作成された表示素
子基板用半導体装置を用いて組み立てられたアクティブ
マトリクス液晶ディスプレイの一例を示す模式的な部分
断面図である。図示する様に表示素子基板用半導体装置
に対して所定の間隙を介しガラス基板６５が貼り合わさ
れている。該間隙内には液晶層６６が封入されている。
又ガラス基板６５の内表面には対向電極６７が形成され
ている。図から理解される様に、液晶層６６は平坦化層
５９によって平坦化された石英基板５１の表面と、本来
平坦なガラス基板６５の表面との間に挟持され、画面全
体に渡って均一な厚みが維持できるとともに配向制御も
容易である。

【００２６】図１２は本発明にかかる表示素子基板用半
導体装置の変形例を示す模式的な部分断面図である。図
示する様に本装置はマトリクス状に配列した画素電極２
０１、個々の画素電極を駆動するスイッチング素子２０
２及び各画素電極２０１に対応する付加容量２０３とが
絶縁基板２０４の上に集積形成されている。本例ではス
イッチング素子２０２はボトムゲート型の薄膜トランジ
スタからなり、基本的な構成は図４に示したボトムゲー
ト型薄膜トランジスタと同一である。絶縁基板２０４の
表面には厚肉の下地層２０５が形成されている。この下
地層２０５は前述した平坦化層と同様に写真食刻加工可
能な透明樹脂材料からなる。下地層２０５の表面に、前
述したボトムゲート型の薄膜トランジスタからなるスイ
ッチング素子２０２が形成されている。このスイッチン
グ素子２０２は層間絶縁膜２０６により被覆されてお
り、その上に前述した画素電極２０１がパタニング形成
されている。一方、付加容量２０３は下地層２０５に設
けられたトレンチ２０７内に形成されている。具体的に
は、第一金属電極膜２０８、誘電体膜２０９、第二金属
電極膜２１０の積層構造からなる。なお第一金属電極膜
２０８はトレンチ２０７の側壁から表面に向って延設さ
れており、ボトムゲート型薄膜トランジスタのドレイン
側に電気接続している。加えてこのドレイン側に設けら
れたコンタクトホールを介して画素電極２０１との電気
接続がとられている。本例では絶縁基板２０４の上に厚
肉の下地層２０５を設ける事によりトレンチ２０７の深
さが大きくなり付加容量２０３の大容量化を図る事が可
能である。又、第一金属電極膜２０８、誘電体膜２０
９、第二金属電極膜２１０は低温プロセスにより形成で
きる。第一金属電極膜２０８は十分な導電率を有してお
り特に低抵抗化を別途図る必要はない。

【００２７】

【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば平坦化
層にトレンチを形成しこの内部に付加容量を設ける事に
より、容量値を増大化でき、対応する画素電極に割り当
てられた信号電荷の保持能力が高まり、画像品位の向上
が達成できるという効果がある。付加容量の電極材料と
して金属を用いる為低温処理が可能でありプロセス上平
坦化層との整合性が確保できるという効果が得られる。
又、付加容量の誘電体膜として下地金属電極の陽極酸化
膜を用いる為、ピンホールがない緻密な絶縁膜が形成で
き安定した付加容量を得る事ができるという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる表示素子基板用半導体装置の第
１実施例を示す部分断面図である。

【図２】図１に示した表示素子基板用半導体装置の半完
成品状態を示す断面図である。

【図３】本発明にかかる表示素子基板用半導体装置の第
２実施例を示す断面図である。

【図４】同じく第３実施例を示す断面図である。

【図５】本発明にかかる付加容量の電気特性を示すグラ
フである。

【図６】従来の付加容量の電気特性を示すグラフであ
る。

【図７】第１実施例にかかる表示素子基板用半導体装置
の製造方法を示す工程図である。

【図８】同じく製造工程図である。

【図９】同じく製造工程図である。

【図１０】同じく製造工程図である。

【図１１】本発明にかかる表示素子基板用半導体装置を
用いて組み立てられたアクティブマトリクス液晶ディス
プレイの一例を示す部分断面図である。

【図１２】本発明にかかる表示素子基板用半導体装置の
変形例を示す断面図である。

【図１３】従来の表示素子基板用半導体装置の一例を示
す断面図である。

【符号の説明】

１画素電極２スイッチング素子３付加容量４絶縁基板５平坦化層６トレンチ７第一金属電極膜８誘電体膜９第二金属電極膜１０ポリシリコン膜１１ゲート絶縁膜１２第一層間絶縁膜１４第二層間絶縁膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マトリクス状に配列した画素電極、個々
の画素電極を駆動するスイッチング素子及び各画素電極
に対応する付加容量とが絶縁基板上に集積形成された表
示素子基板用半導体装置において、該スイッチング素子が形成された下層領域と、該画素電
極が形成された上層領域との間に平坦化層からなる中層
領域が介在しており、前記付加容量は、該中層領域に形成されている事を特徴
とする表示素子基板用半導体装置。
【請求項２】前記付加容量は、該中層領域内で重ねて
形成された第一金属電極膜、誘電体膜及び第二金属電極
膜からなる事を特徴とする請求項１記載の表示素子基板
用半導体装置。
【請求項３】前記誘電体膜は、第一金属電極膜の陽極
酸化膜からなる事を特徴とする請求項２記載の表示素子
基板用半導体装置。
【請求項４】前記付加容量は、該平坦化層に形成され
たトレンチ内に設けられている事を特徴とする請求項１
記載の表示素子基板用半導体装置。
【請求項５】前記平坦化層は、写真食刻加工可能な透
明樹脂材料からなる事を特徴とする請求項４記載の表示
素子基板用半導体装置。
【請求項６】マトリクス状に配列した画素電極、個々
の画素電極を駆動するスイッチング素子及び各画素電極
に対応する付加容量とが絶縁基板上に集積形成された表
示素子基板用半導体装置において、該絶縁基板の表面には厚肉の下地層が形成されており、前記画素電極及び前記スイッチング素子は該下地層の表
面に形成されている一方、前記付加容量は該下地層に設
けられたトレンチ内に形成されている事を特徴とする表
示素子基板用半導体装置。