JPH0657415A - ウェブ基材上に多層組織の薄膜を形成する方法、装置、及びウェブ基材上に形成された多層組織の薄膜 - Google Patents
ウェブ基材上に多層組織の薄膜を形成する方法、装置、及びウェブ基材上に形成された多層組織の薄膜Info
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- JPH0657415A JPH0657415A JP5140438A JP14043893A JPH0657415A JP H0657415 A JPH0657415 A JP H0657415A JP 5140438 A JP5140438 A JP 5140438A JP 14043893 A JP14043893 A JP 14043893A JP H0657415 A JPH0657415 A JP H0657415A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 連続したウェブ基材36に、2以上の蒸発物
質を順次繰り返して蒸着して薄膜を形成する。 【構成】 基材移送ローラ62により、複数の蒸発源6
0を通過するように、ウェブ基材36を連続して移送
し、基材移送ローラ62によって支持された基材36の
方を向くように複数の蒸発源60を位置合わせする。蒸
発物質58の蒸着中に、基材移送ローラ62を駆動し
て、ウェブ基材36を蒸発源60を通過するように連続
して移送し、基材36上の各部すべてを蒸発源60から
の蒸発物質の流れに順次繰り返してさらす。そして、蒸
発源に順次さらす回数を蒸発源の数よりも多くする。
質を順次繰り返して蒸着して薄膜を形成する。 【構成】 基材移送ローラ62により、複数の蒸発源6
0を通過するように、ウェブ基材36を連続して移送
し、基材移送ローラ62によって支持された基材36の
方を向くように複数の蒸発源60を位置合わせする。蒸
発物質58の蒸着中に、基材移送ローラ62を駆動し
て、ウェブ基材36を蒸発源60を通過するように連続
して移送し、基材36上の各部すべてを蒸発源60から
の蒸発物質の流れに順次繰り返してさらす。そして、蒸
発源に順次さらす回数を蒸発源の数よりも多くする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、多層組織の薄膜の形成
に関し、特に、ウェブ基材上に多層組織の薄膜を蒸着す
るための連続コーティングの方法および装置に関する。
に関し、特に、ウェブ基材上に多層組織の薄膜を蒸着す
るための連続コーティングの方法および装置に関する。
【0002】
【従来の技術及びその課題】蒸着による薄膜形成の技術
分野において、その膜の特性が膜のミクロ組織によって
決まるということはよく知られている。特定の用途につ
いては、交互に繰り返す異なった組成の複数の層からな
る膜組織により好適な特性が得られる。本明細書では、
このような組織を「多層組織(多重組織の層)」もしく
は「多層」と言う。
分野において、その膜の特性が膜のミクロ組織によって
決まるということはよく知られている。特定の用途につ
いては、交互に繰り返す異なった組成の複数の層からな
る膜組織により好適な特性が得られる。本明細書では、
このような組織を「多層組織(多重組織の層)」もしく
は「多層」と言う。
【0003】屈折率の高い層と、屈折率が低い誘電材料
の層とを交互に備える光学コーティングは、技術的に有
用な多層組織の例であり、この例においては、層の繰り
返し数や層の厚みなどの特徴を適宜選択することによっ
て、光学的特性を特定の用途に合わせることができる。
薄膜の特性を変えたり、最適化したりするために多層組
織を用いることができる材料の例として、磁気もしくは
磁気光学材料がある。例えば、それぞれ薄い(一般に1
ナノメータ以下の)鉄(Fe)とテルビウム(Tb)の
層を交互に蒸着して、磁気光学記録材料を製造できる。
例えば50ナノメータ(50nm)の厚みの鉄−テルビ
ウム膜は、鉄とテルビウムの層の対を、一般に25対以
上含んでいる。鉄とテルビウムの層の厚みを変えること
によって、飽和保磁力および異方性などの磁気特性をコ
ントロールできる。
の層とを交互に備える光学コーティングは、技術的に有
用な多層組織の例であり、この例においては、層の繰り
返し数や層の厚みなどの特徴を適宜選択することによっ
て、光学的特性を特定の用途に合わせることができる。
薄膜の特性を変えたり、最適化したりするために多層組
織を用いることができる材料の例として、磁気もしくは
磁気光学材料がある。例えば、それぞれ薄い(一般に1
ナノメータ以下の)鉄(Fe)とテルビウム(Tb)の
層を交互に蒸着して、磁気光学記録材料を製造できる。
例えば50ナノメータ(50nm)の厚みの鉄−テルビ
ウム膜は、鉄とテルビウムの層の対を、一般に25対以
上含んでいる。鉄とテルビウムの層の厚みを変えること
によって、飽和保磁力および異方性などの磁気特性をコ
ントロールできる。
【0004】従来の多層蒸着方法は、基材を2以上の蒸
発物質の流れに繰り返し連続してさらすためにいくつか
の機械的な手段を用いており、蒸発源が、一般に連続し
て動かされるようになっている。この方法に基づく装置
は、連続していない別々の基材上への多重組織の層の蒸
着に用いられる。
発物質の流れに繰り返し連続してさらすためにいくつか
の機械的な手段を用いており、蒸発源が、一般に連続し
て動かされるようになっている。この方法に基づく装置
は、連続していない別々の基材上への多重組織の層の蒸
着に用いられる。
【0005】
【発明の開示】本発明は、ウェブ基材の表面に複数の蒸
発物質を順次蒸着する方法を開示する。基材は、基材移
送手段により駆動されて、基材の方を向いている複数の
蒸発源を通過するように連続移動する。蒸着中には、基
材面の各部はすべて、蒸発源からの蒸発物質の流れに順
次繰り返してさらされる。蒸発源に順次さらされる回数
は、蒸発源の数よりも多い。
発物質を順次蒸着する方法を開示する。基材は、基材移
送手段により駆動されて、基材の方を向いている複数の
蒸発源を通過するように連続移動する。蒸着中には、基
材面の各部はすべて、蒸発源からの蒸発物質の流れに順
次繰り返してさらされる。蒸発源に順次さらされる回数
は、蒸発源の数よりも多い。
【0006】また、本発明は、ウェブ基材上に多重組織
の層を蒸着するための連続コーティング方法を開示す
る。ウェブ基材は、ウェブ移送手段により駆動されて、
基材の方を向いている複数の蒸発源を通過するように連
続移動する。蒸発物質による蒸着中に、多重組織の層が
ウェブ基材上に形成される。この層の数は蒸発源の数よ
りも多い。
の層を蒸着するための連続コーティング方法を開示す
る。ウェブ基材は、ウェブ移送手段により駆動されて、
基材の方を向いている複数の蒸発源を通過するように連
続移動する。蒸発物質による蒸着中に、多重組織の層が
ウェブ基材上に形成される。この層の数は蒸発源の数よ
りも多い。
【0007】さらに、本発明は、多重組織の層を有する
ウェブ基材の製造用装置を開示する。蒸発源領域には、
ウェブ基材移送手段によって支持されたウェブ基材の方
を向いている複数の蒸発源が含まれている。ウェブ基材
移送手段は、ウェブ基材を支持するとともに、蒸着中に
ウェブ基材上に多重組織の層を形成するようにウェブを
連続的に動かして蒸発源領域を通過させる。多層組織内
の層の数は、蒸発源の数よりも多い。
ウェブ基材の製造用装置を開示する。蒸発源領域には、
ウェブ基材移送手段によって支持されたウェブ基材の方
を向いている複数の蒸発源が含まれている。ウェブ基材
移送手段は、ウェブ基材を支持するとともに、蒸着中に
ウェブ基材上に多重組織の層を形成するようにウェブを
連続的に動かして蒸発源領域を通過させる。多層組織内
の層の数は、蒸発源の数よりも多い。
【0008】さらに、本発明は、ウェブ基材上に形成さ
れた多層組織の薄膜を含んでいる。多層組織の薄膜を形
成するように、ウェブ基材上に複数の蒸発源物質により
層が蒸着される。この組織における層の数は、蒸発物質
を有する蒸発源の数よりも多い。
れた多層組織の薄膜を含んでいる。多層組織の薄膜を形
成するように、ウェブ基材上に複数の蒸発源物質により
層が蒸着される。この組織における層の数は、蒸発物質
を有する蒸発源の数よりも多い。
【0009】さらに、本発明は、ウェブ基材上に形成さ
れた多層組織の薄膜を含んでいる。ウェブ基材は、蒸発
物質による多重層を受けるための特定の面を備えてい
る。多層組織の薄膜を形成するように、ウェブ基材上に
複数の蒸発物質の層が蒸着される。この多層組織の薄膜
中において、各層は、特定面に対して一定の角度で傾い
ている。
れた多層組織の薄膜を含んでいる。ウェブ基材は、蒸発
物質による多重層を受けるための特定の面を備えてい
る。多層組織の薄膜を形成するように、ウェブ基材上に
複数の蒸発物質の層が蒸着される。この多層組織の薄膜
中において、各層は、特定面に対して一定の角度で傾い
ている。
【0010】
【実施例】本発明の好適な実施例を、図1〜15を参照
して説明する。本発明には、基材上に多重組織の層を形
成するための、基材の連続コーティングに関する新規な
方法、装置、そして、結果として得られる生産物が含ま
れる。特に、この基材は、連続したテープないしウェブ
基材であって、両者は、本明細書において相互に置き換
えることが可能である。ウェブ基材は、その厚みよりも
十分に大きい幅と、その幅よりもさらに大きな長さを備
えた柔軟な基材として特徴づけられる。このテープない
しウェブ基材は、細長く、実質的に連続した基材で構成
すればよい。この点に関し、ウェブ基材の少なくとも一
つの寸法は、使用される蒸着システムの最大寸法よりも
大きい。
して説明する。本発明には、基材上に多重組織の層を形
成するための、基材の連続コーティングに関する新規な
方法、装置、そして、結果として得られる生産物が含ま
れる。特に、この基材は、連続したテープないしウェブ
基材であって、両者は、本明細書において相互に置き換
えることが可能である。ウェブ基材は、その厚みよりも
十分に大きい幅と、その幅よりもさらに大きな長さを備
えた柔軟な基材として特徴づけられる。このテープない
しウェブ基材は、細長く、実質的に連続した基材で構成
すればよい。この点に関し、ウェブ基材の少なくとも一
つの寸法は、使用される蒸着システムの最大寸法よりも
大きい。
【0011】図1には、従来技術の代表的なコーティン
グシステム10が示されている。コーティングシステム
10は、蒸発物質を蒸発源14a及び14bから基材1
8上に蒸着するために用いられる。基材18は、ウェブ
シート基材で構成することができる。動作時には、基材
18は、蒸発源14a,14bを通過するように動かさ
れる。そして、この蒸着工程中に、基材18は、蒸発物
質の流れ16a,16bにさらされ、これにより、蒸発
物質が、基材18のある部分の上に蒸着される。このコ
ーティングシステム10と同様の装置には、多重組織の
層の形成に用いられる際に様々な制限がある。これらの
制限には、遅いコーティング速度の問題、表面の汚れの
問題、及び/または、反応の問題が含まれる。後の二つ
の問題は、蒸着による層形成に要する時間、及び/また
は、コーティングされたウェブを何度も巻き上げたり巻
き戻したりする際の、ウェブの裏面との接触に起因す
る。特に、これらの制限は、ローラやドラムのセットを
備えたテープ移送用サブシステムを用いることによって
もたらされる。図1に模式的に示しているように、ロー
ラ24a,24bは、通常の供給リール及び巻き上げリ
ールとして使用される。蒸発源の数よりも多数の層から
なる多層組織をこのシステムで形成するためには、基材
18の上に所望の数の層が形成されるまで、基材18を
蒸着チャンバー30に通して、ローラ24aとローラ2
4bとの間で往復させなければならない。代表的な従来
技術のコーティングシステム10では、基材18は連続
的に移動せず、移動サイクルと一時的な停止サイクルと
の間で基材18が往復動作する。この一時的な停止サイ
クルのポイントでは、ローラの回転が逆になり、基材1
8が他方のローラ側へ戻される。これにより、基材が蒸
発源14a,14bを通過して引き戻され、さらにもう
ひとつの層が基材18の上に加えられる。
グシステム10が示されている。コーティングシステム
10は、蒸発物質を蒸発源14a及び14bから基材1
8上に蒸着するために用いられる。基材18は、ウェブ
シート基材で構成することができる。動作時には、基材
18は、蒸発源14a,14bを通過するように動かさ
れる。そして、この蒸着工程中に、基材18は、蒸発物
質の流れ16a,16bにさらされ、これにより、蒸発
物質が、基材18のある部分の上に蒸着される。このコ
ーティングシステム10と同様の装置には、多重組織の
層の形成に用いられる際に様々な制限がある。これらの
制限には、遅いコーティング速度の問題、表面の汚れの
問題、及び/または、反応の問題が含まれる。後の二つ
の問題は、蒸着による層形成に要する時間、及び/また
は、コーティングされたウェブを何度も巻き上げたり巻
き戻したりする際の、ウェブの裏面との接触に起因す
る。特に、これらの制限は、ローラやドラムのセットを
備えたテープ移送用サブシステムを用いることによって
もたらされる。図1に模式的に示しているように、ロー
ラ24a,24bは、通常の供給リール及び巻き上げリ
ールとして使用される。蒸発源の数よりも多数の層から
なる多層組織をこのシステムで形成するためには、基材
18の上に所望の数の層が形成されるまで、基材18を
蒸着チャンバー30に通して、ローラ24aとローラ2
4bとの間で往復させなければならない。代表的な従来
技術のコーティングシステム10では、基材18は連続
的に移動せず、移動サイクルと一時的な停止サイクルと
の間で基材18が往復動作する。この一時的な停止サイ
クルのポイントでは、ローラの回転が逆になり、基材1
8が他方のローラ側へ戻される。これにより、基材が蒸
発源14a,14bを通過して引き戻され、さらにもう
ひとつの層が基材18の上に加えられる。
【0012】したがって、公知のコーティングシステム
では、ウェブ基材上への広範囲に亙っての多重組織の層
の形成は、図1に示すように、基材を一つの蒸発源から
次の蒸発源へ繰り返し往復動作させることによってなさ
れるのが一般的である。この方法は、ウェブ上に多層組
織の薄膜をコーティングするのには、それ程適切なもの
ではない。むしろ、蒸着は、ウェブの送り方向を逆転さ
せるために停止させずに、ウェブをコーティング装置に
最低限の回数、特に一回通すだけで形成するのが好まし
い。したがって必要なのは、テープ基材上に多層組織を
蒸着で形成するテープの連続コーティング方法である。
テープ基材上に多層組織の磁気光学記録用薄膜を設ける
効果的な方法を導き出すことが、商業上、特に必要とさ
れている。本明細書に開示されている装置は、連続蒸着
の考え方に基づいており、多層組織の形成としては新規
である。
では、ウェブ基材上への広範囲に亙っての多重組織の層
の形成は、図1に示すように、基材を一つの蒸発源から
次の蒸発源へ繰り返し往復動作させることによってなさ
れるのが一般的である。この方法は、ウェブ上に多層組
織の薄膜をコーティングするのには、それ程適切なもの
ではない。むしろ、蒸着は、ウェブの送り方向を逆転さ
せるために停止させずに、ウェブをコーティング装置に
最低限の回数、特に一回通すだけで形成するのが好まし
い。したがって必要なのは、テープ基材上に多層組織を
蒸着で形成するテープの連続コーティング方法である。
テープ基材上に多層組織の磁気光学記録用薄膜を設ける
効果的な方法を導き出すことが、商業上、特に必要とさ
れている。本明細書に開示されている装置は、連続蒸着
の考え方に基づいており、多層組織の形成としては新規
である。
【0013】図2を参照して、本発明の製法と装置に基
づいて製造された製品の一例について説明する。図2の
例において、テープ基材36は、その上に真空蒸着され
た蒸着層40を備えている。詳しくは、この蒸着層40
は、多重繰り返し層としてそれぞれ示されている個々の
層44,45からなる多層組織となっている。本実施例
に述べられ図示されている層の繰り返し数、厚み、構
成、及び総数は、かなり変えることが可能である。ま
た、蒸着層40を備え、テープ基材36を備える層の各
々は、有機材料か、無機材料、もしくは、これらを組み
合わせた材料の内のいずれかで形成できる。
づいて製造された製品の一例について説明する。図2の
例において、テープ基材36は、その上に真空蒸着され
た蒸着層40を備えている。詳しくは、この蒸着層40
は、多重繰り返し層としてそれぞれ示されている個々の
層44,45からなる多層組織となっている。本実施例
に述べられ図示されている層の繰り返し数、厚み、構
成、及び総数は、かなり変えることが可能である。ま
た、蒸着層40を備え、テープ基材36を備える層の各
々は、有機材料か、無機材料、もしくは、これらを組み
合わせた材料の内のいずれかで形成できる。
【0014】図3には、多層組織のコーティング膜を備
えるテープを製造するための装置の一実施例の平面図を
示す。製造装置もしくは製造システム52は、複数の蒸
発源60を備えている。各蒸発源60は、蒸発物質58
を保持するように構成されている。蒸発物質は、連続し
て移動するテープ基材36上への物理蒸着に適した、希
土類金属や、他の無機材料や、遷移金属や、有機物のよ
うな材料である。連続した動きをテープ基材36に伝え
て、物理蒸着中に複数の蒸発源60を通過するようにテ
ープ基材36を移動させるため、テープ移送手段62が
設けられている。蒸発物質がテープ基材36に蒸着され
る領域を制限するために、シールディング手段を設ける
のが好ましい。シールディング手段は、詳しくは、図に
おいて蒸発源60と隣接した位置に示されている、蒸発
物質の流れ用のシールディング70を含んでいる。図3
に示す例に関する側面図である図4には、裏面への付着
防止用シールディング74が示されている。これは、テ
ープ基材36の裏面への無用の蒸発物質の流れ16c,
16dを妨げるために設けられている。
えるテープを製造するための装置の一実施例の平面図を
示す。製造装置もしくは製造システム52は、複数の蒸
発源60を備えている。各蒸発源60は、蒸発物質58
を保持するように構成されている。蒸発物質は、連続し
て移動するテープ基材36上への物理蒸着に適した、希
土類金属や、他の無機材料や、遷移金属や、有機物のよ
うな材料である。連続した動きをテープ基材36に伝え
て、物理蒸着中に複数の蒸発源60を通過するようにテ
ープ基材36を移動させるため、テープ移送手段62が
設けられている。蒸発物質がテープ基材36に蒸着され
る領域を制限するために、シールディング手段を設ける
のが好ましい。シールディング手段は、詳しくは、図に
おいて蒸発源60と隣接した位置に示されている、蒸発
物質の流れ用のシールディング70を含んでいる。図3
に示す例に関する側面図である図4には、裏面への付着
防止用シールディング74が示されている。これは、テ
ープ基材36の裏面への無用の蒸発物質の流れ16c,
16dを妨げるために設けられている。
【0015】コーティングシステム52により、幅の狭
いウェブないしテープ基材上に高速度で高品質の多重組
織の層を蒸着により形成することが可能となる。コーテ
ィングシステム52の一利用例としては、磁気光学記録
テープの生産が挙げられる。図3に示すように、幅の狭
いウェブないしテープ基材36は、テープ移送手段の各
構成部品を何回も取り巻くように角度が付けられて、テ
ープ移送手段62の上でガイドされる。この回数は、ウ
ェブの幅wと、複数のウェブストランド間の間隔s、お
よびウェブの移動方向に直角な、蒸発源からの流れの範
囲eによって定まる。テープ移送手段62を通過するウ
ェブ基材36は、このテープ移送手段62を通過してか
ら次なるコーティング源もしくは巻き取りリールに送ら
れる前に、概ねe/(w+s)回蒸発源の流れにさらさ
れる。
いウェブないしテープ基材上に高速度で高品質の多重組
織の層を蒸着により形成することが可能となる。コーテ
ィングシステム52の一利用例としては、磁気光学記録
テープの生産が挙げられる。図3に示すように、幅の狭
いウェブないしテープ基材36は、テープ移送手段の各
構成部品を何回も取り巻くように角度が付けられて、テ
ープ移送手段62の上でガイドされる。この回数は、ウ
ェブの幅wと、複数のウェブストランド間の間隔s、お
よびウェブの移動方向に直角な、蒸発源からの流れの範
囲eによって定まる。テープ移送手段62を通過するウ
ェブ基材36は、このテープ移送手段62を通過してか
ら次なるコーティング源もしくは巻き取りリールに送ら
れる前に、概ねe/(w+s)回蒸発源の流れにさらさ
れる。
【0016】ラボラトリー・スケール・コーター(labor
atory scale coater)の詳細を、図2〜4に示す本発明
の実施例の使用を通して説明する。この実施例の前提
は、以下の通りである。 1) ウェブの幅wが約1.2cmであること; 2) ウェブストランド間の間隔sが0.3cmである
こと; 3) 組織の繰り返しの距離(範囲)dが1nmである
こと; 4) ウェブの動きと直角な蒸発源の流れの範囲eが約
15cmであること; 5) 有効な磁気光学層の厚みhが30nmであるこ
と; 6) 希土類金属と遷移金属の蒸発源が分離しているこ
と; 7) 一対の蒸発源についての単一のストランドパス毎
の効果的なコーティング速度rが、ウェブの移動方向に
沿って10cm(各蒸発源について)のアパーチャa上
で20nm/秒であること。
atory scale coater)の詳細を、図2〜4に示す本発明
の実施例の使用を通して説明する。この実施例の前提
は、以下の通りである。 1) ウェブの幅wが約1.2cmであること; 2) ウェブストランド間の間隔sが0.3cmである
こと; 3) 組織の繰り返しの距離(範囲)dが1nmである
こと; 4) ウェブの動きと直角な蒸発源の流れの範囲eが約
15cmであること; 5) 有効な磁気光学層の厚みhが30nmであるこ
と; 6) 希土類金属と遷移金属の蒸発源が分離しているこ
と; 7) 一対の蒸発源についての単一のストランドパス毎
の効果的なコーティング速度rが、ウェブの移動方向に
沿って10cm(各蒸発源について)のアパーチャa上
で20nm/秒であること。
【0017】よって、一対の蒸発源についての蒸発物質
の流れに対する通過回数nは、e/(w+s)=10と
なる。この例においては、所望の厚みを得るために、3
0(h/d=30)層のペアが必要となる。それゆえ
に、希土類金属と遷移金属の蒸発源3セットが必要とな
る。ウェブ上の組織の繰り返し層を一対分蒸着するのに
必要な蒸発物質の流れへの露出時間は、d/rであり、
ウェブは、この時間、その距離を動かなければならな
い。すなわち、ウェブの速度vは、v=(a r)/d
であり、v=2メートル/秒となる。上述した例は、ウ
ェブ速度の大変に控えめな概算であり、その大きさの順
に、もしくは、設定値に応じてその積(a r)は大き
くなるであろう。さらに、一般の多層の磁気光学材料に
おいて、組織の繰り返し間隔が1nm以下とほんの僅か
な距離であることは、極端な例であるいうことを注意し
なければならない。また、組織の繰り返し間隔がさらに
大きな製品については、ウェブの幅を広くし、ウェブを
容易に取り扱えるようにできる。
の流れに対する通過回数nは、e/(w+s)=10と
なる。この例においては、所望の厚みを得るために、3
0(h/d=30)層のペアが必要となる。それゆえ
に、希土類金属と遷移金属の蒸発源3セットが必要とな
る。ウェブ上の組織の繰り返し層を一対分蒸着するのに
必要な蒸発物質の流れへの露出時間は、d/rであり、
ウェブは、この時間、その距離を動かなければならな
い。すなわち、ウェブの速度vは、v=(a r)/d
であり、v=2メートル/秒となる。上述した例は、ウ
ェブ速度の大変に控えめな概算であり、その大きさの順
に、もしくは、設定値に応じてその積(a r)は大き
くなるであろう。さらに、一般の多層の磁気光学材料に
おいて、組織の繰り返し間隔が1nm以下とほんの僅か
な距離であることは、極端な例であるいうことを注意し
なければならない。また、組織の繰り返し間隔がさらに
大きな製品については、ウェブの幅を広くし、ウェブを
容易に取り扱えるようにできる。
【0018】図5〜8には、テープ移送手段62の構造
が示されている。テープ移送手段62の構成を示す側面
図である図5に示すように、この移送手段は、第1移送
機構80と、第2移送機構84とを備えている。この第
1移送機構80および第2移送機構84のいずれか一
方、もしくはその両方に、テープ基材36を連続して送
り、また受け入れるための手段を設けることができる。
第1移送機構80は、ローラを備え、このローラがさら
に複数のセグメント88を備えていてもよい。これらの
セグメントは、テープ基材36を受け、そして移送する
ために構成され配列されるものである。第1移送機構8
0のようなセグメントローラは、必ずしも必要ではない
が、図8に示すように、個別に動作が可能で、共通の回
転軸J−Jを備えるセグメント88で構成できる。
が示されている。テープ移送手段62の構成を示す側面
図である図5に示すように、この移送手段は、第1移送
機構80と、第2移送機構84とを備えている。この第
1移送機構80および第2移送機構84のいずれか一
方、もしくはその両方に、テープ基材36を連続して送
り、また受け入れるための手段を設けることができる。
第1移送機構80は、ローラを備え、このローラがさら
に複数のセグメント88を備えていてもよい。これらの
セグメントは、テープ基材36を受け、そして移送する
ために構成され配列されるものである。第1移送機構8
0のようなセグメントローラは、必ずしも必要ではない
が、図8に示すように、個別に動作が可能で、共通の回
転軸J−Jを備えるセグメント88で構成できる。
【0019】集合してセグメントローラを構成するセグ
メント88は、図7に最もはっきりと示されるように、
複数の傾いたローラを形成するように組み立てることが
できる。各ローラセグメント88は、独立した回転軸9
6を備えている。この回転軸96は、各セグメントロー
ラの中心を通る共通軸X−Xに対して鋭角な角度で交差
するように方向づけられている。この方法では、傾斜し
たセグメント88を備えるローラは、第2移送機構84
と協働して、ウェブ基材が互いに傾斜し合った移送機構
の間で移動するときにウェブ基材をねじる。よって、従
来の考え方のローラだけが移送機構として使われた場合
に生じてしまうような、スライディングないしウォーキ
ング効果は、ウェブ基材36には生じないことになる。
各テープ基材との接触面98の両サイドでテープ基材を
さらにコントロールするために、エッジガイド手段10
0が設けられている。再度、図6を参照すると、テープ
移送手段62が、第1移送機構80と第2移送機構84
との間で、テープ基材36を移送する状況が示されてい
る。
メント88は、図7に最もはっきりと示されるように、
複数の傾いたローラを形成するように組み立てることが
できる。各ローラセグメント88は、独立した回転軸9
6を備えている。この回転軸96は、各セグメントロー
ラの中心を通る共通軸X−Xに対して鋭角な角度で交差
するように方向づけられている。この方法では、傾斜し
たセグメント88を備えるローラは、第2移送機構84
と協働して、ウェブ基材が互いに傾斜し合った移送機構
の間で移動するときにウェブ基材をねじる。よって、従
来の考え方のローラだけが移送機構として使われた場合
に生じてしまうような、スライディングないしウォーキ
ング効果は、ウェブ基材36には生じないことになる。
各テープ基材との接触面98の両サイドでテープ基材を
さらにコントロールするために、エッジガイド手段10
0が設けられている。再度、図6を参照すると、テープ
移送手段62が、第1移送機構80と第2移送機構84
との間で、テープ基材36を移送する状況が示されてい
る。
【0020】図9には、本発明の別実施例に係る装置1
52が示されている。図9は、テープもしくはウェブ基
材上に、蒸発物質を蒸着する直進通過式システムを示し
ている。この斬新な方法は、従来のテープ移送手段を用
いて実施される。この移送手段は、テープ基材36に連
続的な動きを伝えて、適当な複数の蒸発物質、例えば5
8a,58bを通過させる。蒸発物質58a,58b
は、テープ基材36上に物理蒸着するのに適した複数の
位置に設けられる。蒸発物質は、例えば、テープ移送手
段によってテープ基材36が支持されかつ送られるレベ
ルの下に配置される。シールディング手段70の構造
は、蒸発物質の流れの通路71,72を互い違いにする
ための遮蔽材もしくは仕切り材となるパターンで形成さ
れている。これにより、蒸発物質の流れ16a,16b
による連続蒸着がテープ基材36の上で可能となる。
52が示されている。図9は、テープもしくはウェブ基
材上に、蒸発物質を蒸着する直進通過式システムを示し
ている。この斬新な方法は、従来のテープ移送手段を用
いて実施される。この移送手段は、テープ基材36に連
続的な動きを伝えて、適当な複数の蒸発物質、例えば5
8a,58bを通過させる。蒸発物質58a,58b
は、テープ基材36上に物理蒸着するのに適した複数の
位置に設けられる。蒸発物質は、例えば、テープ移送手
段によってテープ基材36が支持されかつ送られるレベ
ルの下に配置される。シールディング手段70の構造
は、蒸発物質の流れの通路71,72を互い違いにする
ための遮蔽材もしくは仕切り材となるパターンで形成さ
れている。これにより、蒸発物質の流れ16a,16b
による連続蒸着がテープ基材36の上で可能となる。
【0021】図10は、図9の10−10線断面図であ
る。図10には、シールディング手段70の関係がさら
に示されている。このシールディング手段は、複数の蒸
発物質用チャンバ110、111を直線状の通路内に有
する構成であり、これにより、テープ移送手段がテープ
基材36を蒸発物質の上を連続的に単一通路で動かすと
きに、蒸発物質がテープ基材36の上に蒸着される。シ
ステム152は、ウェブないしテープ基材の上に多層組
織を形成する効果的なシステムと方法の別実施例を含ん
でいる。このようなシステムによって、コーティング速
度が非常に速くなり、単位面積当たりのコストが低くな
り、さらに、結果として得られる組織の磁気特性が安定
する。
る。図10には、シールディング手段70の関係がさら
に示されている。このシールディング手段は、複数の蒸
発物質用チャンバ110、111を直線状の通路内に有
する構成であり、これにより、テープ移送手段がテープ
基材36を蒸発物質の上を連続的に単一通路で動かすと
きに、蒸発物質がテープ基材36の上に蒸着される。シ
ステム152は、ウェブないしテープ基材の上に多層組
織を形成する効果的なシステムと方法の別実施例を含ん
でいる。このようなシステムによって、コーティング速
度が非常に速くなり、単位面積当たりのコストが低くな
り、さらに、結果として得られる組織の磁気特性が安定
する。
【0022】本明細書に開示される様々な方法とシステ
ムに基づいて製造される典型的な製品は、多重組織の層
を備える細長いウェブないしテープ基材を含んでいる。
実際、このような薄いフィルム製品は、それ自体、ユニ
ークなものである。ディスク基材の上に多重組織の層を
設けるいくつかの例はあるが、このような例の教示する
ところは、テープメディアの分野への適用に関する問題
を解決するものではなく、また、その適用が明らかとい
うものでもない。本発明は、蒸発物質による多重組織の
層を形成するのに適した幅の狭いウェブ基材に、多層組
織の薄膜を形成するものである。その蒸着には、ウェブ
基材の上に連続して形成された複数の蒸発物質の層が含
まれる。図2において蒸着層40を構成している層4
4,45は、蒸発源の数を越えるように、テープもしく
はウェブ基材36の上に蒸着される。種々の層を組み合
わせて、層が連続して真空蒸着された薄膜の優れた特性
が得られる。例えば、磁性薄膜の場合、多重組織の層に
より、飽和保磁力、異方性、磁化等に関して、極めて優
れた薄膜磁気特性が得られる。蒸着層は、有機性もしく
は無機性のどちらか、または有機性と無機性との複合で
構成される。
ムに基づいて製造される典型的な製品は、多重組織の層
を備える細長いウェブないしテープ基材を含んでいる。
実際、このような薄いフィルム製品は、それ自体、ユニ
ークなものである。ディスク基材の上に多重組織の層を
設けるいくつかの例はあるが、このような例の教示する
ところは、テープメディアの分野への適用に関する問題
を解決するものではなく、また、その適用が明らかとい
うものでもない。本発明は、蒸発物質による多重組織の
層を形成するのに適した幅の狭いウェブ基材に、多層組
織の薄膜を形成するものである。その蒸着には、ウェブ
基材の上に連続して形成された複数の蒸発物質の層が含
まれる。図2において蒸着層40を構成している層4
4,45は、蒸発源の数を越えるように、テープもしく
はウェブ基材36の上に蒸着される。種々の層を組み合
わせて、層が連続して真空蒸着された薄膜の優れた特性
が得られる。例えば、磁性薄膜の場合、多重組織の層に
より、飽和保磁力、異方性、磁化等に関して、極めて優
れた薄膜磁気特性が得られる。蒸着層は、有機性もしく
は無機性のどちらか、または有機性と無機性との複合で
構成される。
【0023】図11は、本発明に基づく多層コーティン
グを備えたテープないしウェブ基材製品を製造するため
の装置の別実施例を示す概略図である。この実施例は、
連続した単一通路の蒸着システム202を示しており、
これは、ウェブ基材の上に多層構造の薄膜を形成するも
のである。このシステム202には、仕切られた各蒸発
源210を通過するように、ウェブ206を送る工程が
含まれる。蒸発源210は、蒸発源への露出時間中に層
が一様に蒸着されるような配列にされているのが好まし
い。蒸発物質が交ざり合うのを防いだり、蒸発源を互い
から隔絶したりするために、適切なシールディングが必
要となる場合がある。これは、従来のリールからリール
へのウェブ移送システムを改造することによって構成で
きる。シャッタ212を周期的に回転させることによっ
て、基材もしくはウェブ206が蒸発源上を通過すると
きに、各蒸発源から層が順次蒸着されて、ウェブ基材の
上に多層組織の薄膜が形成される。単一の構成物である
基材つまりウェブは、好ましいものではあるが、このよ
うなウェブは、他の基材、例えばディスク状の基材のた
めのキャリアとしてもまた機能的である。
グを備えたテープないしウェブ基材製品を製造するため
の装置の別実施例を示す概略図である。この実施例は、
連続した単一通路の蒸着システム202を示しており、
これは、ウェブ基材の上に多層構造の薄膜を形成するも
のである。このシステム202には、仕切られた各蒸発
源210を通過するように、ウェブ206を送る工程が
含まれる。蒸発源210は、蒸発源への露出時間中に層
が一様に蒸着されるような配列にされているのが好まし
い。蒸発物質が交ざり合うのを防いだり、蒸発源を互い
から隔絶したりするために、適切なシールディングが必
要となる場合がある。これは、従来のリールからリール
へのウェブ移送システムを改造することによって構成で
きる。シャッタ212を周期的に回転させることによっ
て、基材もしくはウェブ206が蒸発源上を通過すると
きに、各蒸発源から層が順次蒸着されて、ウェブ基材の
上に多層組織の薄膜が形成される。単一の構成物である
基材つまりウェブは、好ましいものではあるが、このよ
うなウェブは、他の基材、例えばディスク状の基材のた
めのキャリアとしてもまた機能的である。
【0024】この方法を用いると、基材のある長さの部
分を蒸発物質の流れに順次さらすことになる。したがっ
て、このプロセスにより、基材のある長さの部分の上に
蒸発物質を順次蒸着することがが可能となる。蒸着を順
次繰り返し行う方法により、蒸発源に順次さらす回数を
蒸発源の数よりも多くできる。露出の回数と蒸発源の数
との割合に関しては、1対1以上であるのが好ましく、
2対1以上であるのがさらに好ましい。本発明の範囲内
においては、露出回数と蒸発源の数とが概ね4対1、お
よび概ね10対1より大きい割合で実行可能であり、ま
たこのような割合は望ましいものである。
分を蒸発物質の流れに順次さらすことになる。したがっ
て、このプロセスにより、基材のある長さの部分の上に
蒸発物質を順次蒸着することがが可能となる。蒸着を順
次繰り返し行う方法により、蒸発源に順次さらす回数を
蒸発源の数よりも多くできる。露出の回数と蒸発源の数
との割合に関しては、1対1以上であるのが好ましく、
2対1以上であるのがさらに好ましい。本発明の範囲内
においては、露出回数と蒸発源の数とが概ね4対1、お
よび概ね10対1より大きい割合で実行可能であり、ま
たこのような割合は望ましいものである。
【0025】シャッタ212は、図11に示すように、
チョッパのようなシャッタであるのが好ましい。しかし
ながら、他のシャッタ構成として、図12に示すような
個別に制御されるシャッタ212を複数備えたもの、も
しくは、図13に示すような連動式シャッタを備えたも
のとしてもよい。図13の連動式シャッタは、細長い蒸
発源216の場合に特に有用である。シャッタの構成
と、その動きの速度と、その幾何学的配列は、基材が露
出域を通過するときに、各蒸発源に露出する時間、およ
び露出する頻度を決定する。露出域は、図11に示す部
分220のような、基材の特定された部分、もしくは長
さに対応するところであり、蒸発源からの蒸着がなされ
るところである。蒸着を成功させるために重要な他の要
件としては、蒸着速度、テープの移送速度、アパーチャ
開口の大きさ及び調整可能性、そして、蒸発源のタイプ
を挙げることができる。単一層、もしくは厚みが薄い層
が必要な蒸着の際には、チョッパのようなシャッタを用
いる本発明は、最も有用なものとなる。このことは、部
分的には、本実施例の構成のシャッタにより可能な、優
れた蒸着速度のコントロール性と、その結果得られる優
れた組成のコントロール性とによるものである。
チョッパのようなシャッタであるのが好ましい。しかし
ながら、他のシャッタ構成として、図12に示すような
個別に制御されるシャッタ212を複数備えたもの、も
しくは、図13に示すような連動式シャッタを備えたも
のとしてもよい。図13の連動式シャッタは、細長い蒸
発源216の場合に特に有用である。シャッタの構成
と、その動きの速度と、その幾何学的配列は、基材が露
出域を通過するときに、各蒸発源に露出する時間、およ
び露出する頻度を決定する。露出域は、図11に示す部
分220のような、基材の特定された部分、もしくは長
さに対応するところであり、蒸発源からの蒸着がなされ
るところである。蒸着を成功させるために重要な他の要
件としては、蒸着速度、テープの移送速度、アパーチャ
開口の大きさ及び調整可能性、そして、蒸発源のタイプ
を挙げることができる。単一層、もしくは厚みが薄い層
が必要な蒸着の際には、チョッパのようなシャッタを用
いる本発明は、最も有用なものとなる。このことは、部
分的には、本実施例の構成のシャッタにより可能な、優
れた蒸着速度のコントロール性と、その結果得られる優
れた組成のコントロール性とによるものである。
【0026】図11〜13に示す実施例の使用によっ
て、ウェブ面に対して僅かに傾斜した層からなる多層組
織の薄膜が形成されることになる。この傾きの大きさ
は、層の相対的な厚みおよび露出と露出中の時間の長さ
によって定まる。例えば、ウェブの近くに位置する単一
アパーチャを通して、ウェブが、二つの異なった蒸発源
へ交互に露出されるものとする。また、各蒸発源への露
出の間に時間が無く、第1の蒸発源および第2の蒸発源
からの蒸着速度がそれぞれr1およびr2であり、ウェブ
の速度がvであり、双方のソースの露出時間がtである
とする。そうすれば、ウェブのいかなるポイントにおい
てでも、その層の傾き角度は、tan-1(r1/v)、
もしくは、tan-1(r2/v)のいずれかとなる。こ
れは、vtの空間領域(ウェブ下方)で、これら二つの
角度の間で切り替えられる。
て、ウェブ面に対して僅かに傾斜した層からなる多層組
織の薄膜が形成されることになる。この傾きの大きさ
は、層の相対的な厚みおよび露出と露出中の時間の長さ
によって定まる。例えば、ウェブの近くに位置する単一
アパーチャを通して、ウェブが、二つの異なった蒸発源
へ交互に露出されるものとする。また、各蒸発源への露
出の間に時間が無く、第1の蒸発源および第2の蒸発源
からの蒸着速度がそれぞれr1およびr2であり、ウェブ
の速度がvであり、双方のソースの露出時間がtである
とする。そうすれば、ウェブのいかなるポイントにおい
てでも、その層の傾き角度は、tan-1(r1/v)、
もしくは、tan-1(r2/v)のいずれかとなる。こ
れは、vtの空間領域(ウェブ下方)で、これら二つの
角度の間で切り替えられる。
【0027】本発明の製法は、調節可能な磁気特性を備
えた製品の製造において、特に有用である。このような
製品には、磁気テープおよび磁気光学テープが含まれ
る。また、この製法は、以前から実施が困難とされてき
たところの、様々な材料の組み合わせによる蒸着をすこ
ぶる容易にするものである。上述した方法に基づいて製
造すれば、組織のコントロール性がさらに向上する。ま
た、これらのプロセスは、研究開発により生産性が向上
した製品を製造することにおいて有用である。
えた製品の製造において、特に有用である。このような
製品には、磁気テープおよび磁気光学テープが含まれ
る。また、この製法は、以前から実施が困難とされてき
たところの、様々な材料の組み合わせによる蒸着をすこ
ぶる容易にするものである。上述した方法に基づいて製
造すれば、組織のコントロール性がさらに向上する。ま
た、これらのプロセスは、研究開発により生産性が向上
した製品を製造することにおいて有用である。
【0028】例1 図11の実施例を用いて、すなわち、単一通路で細いウ
ェブの上に多重組織の層をコーティングするラボラトリ
ー・スケール・システムを用いて、連続的なプロセスを
実行した。真空度の高いシステムにおいて、リールから
リールへのテープ移送手段によりテープを移送して、二
つの連続した電子ビーム式の蒸発源装置を通した。ウェ
ブ上のいかなるポイントも一回にただ一つの蒸発源だけ
に露出されるようにシールディングを設けた。これらの
蒸発源装置の一方は、ウェブの面の下約8インチ(20
センチメートル)に設けられた二つの電子銃式の蒸発源
を備え、電子銃式蒸発源は、ウェブを二分する垂直面に
対して対称に取り付けられた。チョッパのようなシャッ
タは、これら二つの電子銃式蒸発源の上で、それらの中
央に配置された。一方の蒸発源はプラチナ蒸着用、他方
の蒸発源はコバルト蒸着用であった。シャッタは、回転
して、二つの電子銃式蒸発源の各々に、ウェブを交互に
露出するように機能した。各電子銃式蒸発源の蒸着速度
は個別にモニターされ、一定の蒸着速度を保つためのフ
ィードバックとして利用された。電子銃式蒸発源の蒸着
速度、シャッタの回転速度、およびウェブ移送速度を適
宜設定することによって、多層組織における各層の厚さ
および多層組織の全厚が所望される通りに変えられた。
この例において、コバルト層の厚みは、3オングストロ
ームから6オングストロームの間で変えられ、プラチナ
層の厚みは、10オングストロームで一定に保たれた。
その後、プラチナ層の厚みが8オングストロームから1
2オングストロームの間で変えられ、コバルト層の厚み
が4オングストロームで一定に保たれた。プラチナおよ
びコバルトのそれぞれが、プラチナ/コバルト多層組織
の薄膜の各部でそれぞれ約16層になるよう蒸着され
た。この例において、二つの電子銃式蒸発源装置の他方
は、単一の4ポケット電子銃式蒸発源で構成された。こ
の4ポケットの電子銃式蒸発源は、ウェブの中央真下に
設けられており、多層組織の薄膜の上あるいは下に他の
素材からなる誘電層や保護層などを必要に応じて形成す
るように用いられた。
ェブの上に多重組織の層をコーティングするラボラトリ
ー・スケール・システムを用いて、連続的なプロセスを
実行した。真空度の高いシステムにおいて、リールから
リールへのテープ移送手段によりテープを移送して、二
つの連続した電子ビーム式の蒸発源装置を通した。ウェ
ブ上のいかなるポイントも一回にただ一つの蒸発源だけ
に露出されるようにシールディングを設けた。これらの
蒸発源装置の一方は、ウェブの面の下約8インチ(20
センチメートル)に設けられた二つの電子銃式の蒸発源
を備え、電子銃式蒸発源は、ウェブを二分する垂直面に
対して対称に取り付けられた。チョッパのようなシャッ
タは、これら二つの電子銃式蒸発源の上で、それらの中
央に配置された。一方の蒸発源はプラチナ蒸着用、他方
の蒸発源はコバルト蒸着用であった。シャッタは、回転
して、二つの電子銃式蒸発源の各々に、ウェブを交互に
露出するように機能した。各電子銃式蒸発源の蒸着速度
は個別にモニターされ、一定の蒸着速度を保つためのフ
ィードバックとして利用された。電子銃式蒸発源の蒸着
速度、シャッタの回転速度、およびウェブ移送速度を適
宜設定することによって、多層組織における各層の厚さ
および多層組織の全厚が所望される通りに変えられた。
この例において、コバルト層の厚みは、3オングストロ
ームから6オングストロームの間で変えられ、プラチナ
層の厚みは、10オングストロームで一定に保たれた。
その後、プラチナ層の厚みが8オングストロームから1
2オングストロームの間で変えられ、コバルト層の厚み
が4オングストロームで一定に保たれた。プラチナおよ
びコバルトのそれぞれが、プラチナ/コバルト多層組織
の薄膜の各部でそれぞれ約16層になるよう蒸着され
た。この例において、二つの電子銃式蒸発源装置の他方
は、単一の4ポケット電子銃式蒸発源で構成された。こ
の4ポケットの電子銃式蒸発源は、ウェブの中央真下に
設けられており、多層組織の薄膜の上あるいは下に他の
素材からなる誘電層や保護層などを必要に応じて形成す
るように用いられた。
【0029】例2 図14は、磁気光学薄膜224の断面構造を示してい
る。これは、例1において説明した方法によって生産さ
れた。1インチ(2.54センチメートル)幅のポリア
ミドテープ基材226の上には、厚さ100オングスト
ロームのクロム層228、厚さ400オングストローム
のアルミニウム層230、厚さ250オングストローム
のシリコン層232、厚さ200オングストロームのプ
ラチナ/コバルト多重組織の層234、そして、厚さ2
00オングストロームのシリコン層236がこの順に形
成されている。プラチナ/コバルトによる多重組織の層
234は、対になった繰り返し層を備えており、その各
々の対は、10オングストロームのプラチナ層と4オン
グストロームのコバルト層とを備えている。磁気ヒステ
リシス(M(H))の測定結果は、テープの全体にわた
ってほぼ一様な磁気特性を示していた。テープのサンプ
ルからの代表的なM(H)ループは、図15に示すルー
プIIIであり、100%の残留磁気値を示す。比較のた
めに図示されているループIおよびループIIは、それぞ
れ、約50%の残留磁気値および0%の残留磁気値を表
す。780ナノメートルの波長での薄膜の反射率は29
%であった。この磁気光学薄膜を蒸着したテープは、フ
ラットな外形を保った。このことは、薄膜中の応力レベ
ルが、薄膜を形成した基材を曲がらせるには不十分なこ
とを示している。
る。これは、例1において説明した方法によって生産さ
れた。1インチ(2.54センチメートル)幅のポリア
ミドテープ基材226の上には、厚さ100オングスト
ロームのクロム層228、厚さ400オングストローム
のアルミニウム層230、厚さ250オングストローム
のシリコン層232、厚さ200オングストロームのプ
ラチナ/コバルト多重組織の層234、そして、厚さ2
00オングストロームのシリコン層236がこの順に形
成されている。プラチナ/コバルトによる多重組織の層
234は、対になった繰り返し層を備えており、その各
々の対は、10オングストロームのプラチナ層と4オン
グストロームのコバルト層とを備えている。磁気ヒステ
リシス(M(H))の測定結果は、テープの全体にわた
ってほぼ一様な磁気特性を示していた。テープのサンプ
ルからの代表的なM(H)ループは、図15に示すルー
プIIIであり、100%の残留磁気値を示す。比較のた
めに図示されているループIおよびループIIは、それぞ
れ、約50%の残留磁気値および0%の残留磁気値を表
す。780ナノメートルの波長での薄膜の反射率は29
%であった。この磁気光学薄膜を蒸着したテープは、フ
ラットな外形を保った。このことは、薄膜中の応力レベ
ルが、薄膜を形成した基材を曲がらせるには不十分なこ
とを示している。
【図1】 ウェブシート基材上に蒸発物質を蒸着する従
来技術のシステムの概略図である。
来技術のシステムの概略図である。
【図2】 基材と、その表面上の多重組織の層とを示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図3】 複数のローラを備える、本発明のシステムの
一実施例を示す平面図である。
一実施例を示す平面図である。
【図4】 図3に示した本発明の実施例の側面図であ
る。
る。
【図5】 図3の構成にほぼ基づくローラの別の実施例
を示す側面図である。
を示す側面図である。
【図6】 傾斜したセグメントローラと協働するセグメ
ントローラの組み合わせからなる別実施例を含む図5の
部品の平面図である。
ントローラの組み合わせからなる別実施例を含む図5の
部品の平面図である。
【図7】 傾斜したセグメントローラの側面図である。
【図8】 セグメントローラの側面図である。
【図9】 直進式蒸着システムに適用する本発明の別実
施例の平面図である。
施例の平面図である。
【図10】 図9に示すシステムの10−10線断面図
である。
である。
【図11】 回転式シャッタを用いた、リールからリー
ルへの単一連続通路式蒸着システムの外観図である。
ルへの単一連続通路式蒸着システムの外観図である。
【図12】 単一連続通路式蒸着システムの一部分、つ
まり個々にシャッタで開閉される複数の蒸発源の部分を
示す概略図である。
まり個々にシャッタで開閉される複数の蒸発源の部分を
示す概略図である。
【図13】 細長い蒸発源と連動式シャッタとが用いら
れた、単一連続通路式蒸着システムの概略図である。
れた、単一連続通路式蒸着システムの概略図である。
【図14】 図11のシステムで生産された磁気光学薄
膜の概略断面図である。
膜の概略断面図である。
【図15】 図14に示した製品の磁化状態と、比較用
の残留磁気曲線を湿すプロット図である。
の残留磁気曲線を湿すプロット図である。
10 コーティングシステム 14a,1
4b 蒸発源 16a,16b,16c,16d 蒸発物質の流れ 18 基材 24a,2
4b ローラ 36 テープ基材 40 繰り
返し層 44,45 層 52 製造
システム 58,58a,58b 蒸発物質 60 蒸発
源 62 テープ移送手段 70,74
シールディング 71,72 通路 80 第1
移送機構 84 第2移送機構 88 セグ
メント 96 回転軸 98 接触
面 100 エッジガイド手段 110,1
11 チャンバ 152 装置 202 蒸
着システム 206 ウェブ 210 蒸
発源 212 シャッタ 216 蒸
発源 220 積層部分 224 薄
膜 226 テープ基材 228 ク
ロム層 230 アルミニウム層 232 シ
リコン層 234 プラチナ/コバルト多重組織層 236 シ
リコン層
4b 蒸発源 16a,16b,16c,16d 蒸発物質の流れ 18 基材 24a,2
4b ローラ 36 テープ基材 40 繰り
返し層 44,45 層 52 製造
システム 58,58a,58b 蒸発物質 60 蒸発
源 62 テープ移送手段 70,74
シールディング 71,72 通路 80 第1
移送機構 84 第2移送機構 88 セグ
メント 96 回転軸 98 接触
面 100 エッジガイド手段 110,1
11 チャンバ 152 装置 202 蒸
着システム 206 ウェブ 210 蒸
発源 212 シャッタ 216 蒸
発源 220 積層部分 224 薄
膜 226 テープ基材 228 ク
ロム層 230 アルミニウム層 232 シ
リコン層 234 プラチナ/コバルト多重組織層 236 シ
リコン層
フロントページの続き (72)発明者 ジョゼフ・ホームズ・セクストン アメリカ合衆国55144−1000ミネソタ州セ ント・ポール、スリーエム・センター(番 地の表示なし) (72)発明者 ウィリアム・コビー・ミッチェル アメリカ合衆国55144−1000ミネソタ州セ ント・ポール、スリーエム・センター(番 地の表示なし) (72)発明者 ジョン・ワード・ウルセス アメリカ合衆国55144−1000ミネソタ州セ ント・ポール、スリーエム・センター(番 地の表示なし)
Claims (10)
- 【請求項1】 ウェブ基材の表面に蒸発物質を順次蒸着
する方法であって、 a)複数の蒸発源を通過するように基材に連続した動き
を伝える基材移送手段を準備するステップと、 b)該基材移送手段によって支持された基材の方を向く
ように複数の蒸発源を位置合わせするステップと、 c)蒸発物質の蒸発中に、上記基材移送手段を駆動して
上記ウェブ基材を上記蒸発源を通過するように連続移動
させるステップであって、該基材の各部がすべて、上記
複数の蒸発源からの蒸発物質の流れに順次繰り返してさ
らされ、かつ蒸発源に順次さらされる回数が蒸発源の数
よりも多く設定されたステップとを備える方法。 - 【請求項2】 上記蒸発源の少なくとも一つへの露出に
より、蒸発物質による完全単一層よりも少なく蒸着され
るように、上記複数の蒸発物質の蒸着がなされる請求項
1記載の方法。 - 【請求項3】 上記基材が、別の基材のキャリアとして
機能する請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 多重組織の層を備えるウェブ基材を製造
するための装置であって、 a)ウェブ基材移送手段によって支持される基材の方を
向く複数の蒸発源を包含するように構成された蒸発源領
域と、 b)ウェブ基材を支持し、かつ蒸着中に、該ウェブ基材
上に上記蒸発源の数よりも多い層数の多重組織の層を形
成すべく、ウェブ基材を連続駆動して蒸発源領域を通過
させるウェブ基材移送手段とを備えた装置。 - 【請求項5】 上記蒸発物質が順次蒸着されるように上
記蒸発源を開閉する手段を備えた請求項4記載の装置。 - 【請求項6】 上記開閉手段がシャッタである請求項5
記載の装置。 - 【請求項7】 上記ウェブ基材移送手段が第1移送機構
と第2移送機構とを備え、該第1移送機構が、第2移送
機構と協働してウェブ基材を連続して送り受けする手段
を備えた請求項4記載の装置。 - 【請求項8】 上記第1移送機構が複数のセグメントロ
ーラを備えた請求項7記載の装置。 - 【請求項9】 ウェブ基材上に形成される多層組織の薄
膜であって、 a)ウェブ基材と、 b)該ウェブ基材上に多層組織の薄膜を形成するように
蒸着される複数の蒸発物質の層であって、層の数が、蒸
発物質を有する蒸発源の数よりも多い蒸発物質層とを備
えた薄膜。 - 【請求項10】 ウェブ基材上に形成される多層組織の
薄膜であって、 a)蒸発物質による多重組織の層を受ける特定面を備え
たウェブ基材と、 b)該ウェブ基材上に多層組織の薄膜を形成するように
蒸着される複数の蒸発物質の層であって、各層が上記特
定面に対して傾斜している蒸発物質層とを備えた薄膜。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US89803492A | 1992-06-12 | 1992-06-12 | |
US898034 | 1992-06-12 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0657415A true JPH0657415A (ja) | 1994-03-01 |
Family
ID=25408824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5140438A Pending JPH0657415A (ja) | 1992-06-12 | 1993-06-11 | ウェブ基材上に多層組織の薄膜を形成する方法、装置、及びウェブ基材上に形成された多層組織の薄膜 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5460853A (ja) |
EP (1) | EP0574020B1 (ja) |
JP (1) | JPH0657415A (ja) |
KR (1) | KR940000259A (ja) |
CN (1) | CN1083544A (ja) |
DE (1) | DE69310024T2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007224384A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Ulvac Japan Ltd | 表面処理装置 |
JP2009301726A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Kazu Tomoyose | リチウムイオン電池の製法及びリチウム電池の製法 |
WO2012046384A1 (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-12 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
JP2012219321A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
WO2013084604A1 (ja) * | 2011-12-09 | 2013-06-13 | 東レエンジニアリング株式会社 | 搬送製膜装置 |
WO2013145813A1 (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-03 | 東レエンジニアリング株式会社 | 製膜装置 |
JP2014139099A (ja) * | 2013-01-21 | 2014-07-31 | Toray Eng Co Ltd | 搬送製膜装置 |
WO2014122988A1 (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-14 | 日東電工株式会社 | 透明ガスバリアフィルムの製造方法、及び透明ガスバリアフィルムの製造装置 |
JPWO2013100062A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2015-05-11 | 東レ株式会社 | 微多孔プラスチックフィルムロールの製造装置及び製造方法 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5951769A (en) | 1997-06-04 | 1999-09-14 | Crown Roll Leaf, Inc. | Method and apparatus for making high refractive index (HRI) film |
DE19959972A1 (de) * | 1999-12-13 | 2001-06-21 | Basf Ag | Herstellung von Materialbibliotheken durch Sputterverfahren |
DE19960465A1 (de) * | 1999-12-15 | 2001-06-21 | Alcatel Sa | Flachleiter-Bandleitung |
US7161894B2 (en) * | 2001-06-21 | 2007-01-09 | Quantum Corporation | Optical recording article |
JP4336869B2 (ja) * | 2001-11-27 | 2009-09-30 | 日本電気株式会社 | 真空成膜装置、真空成膜方法および電池用電極の製造方法 |
US7501155B2 (en) | 2003-03-20 | 2009-03-10 | Agfa Healthcare | Manufacturing method of phosphor or scintillator sheets and panels suitable for use in a scanning apparatus |
EP1460642B1 (en) * | 2003-03-20 | 2009-03-04 | Agfa HealthCare NV | Manufacturing method of phosphor or scintillator sheets and panels suitable for use in a scanning apparatus |
DE102005058869A1 (de) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Cis Solartechnik Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Bändern |
DE602007014190D1 (de) | 2006-03-26 | 2011-06-09 | Lotus Applied Technology Llc | Atomlagenabscheidungssystem und verfahren zur beschichtung von flexiblen substraten |
US20070281089A1 (en) * | 2006-06-05 | 2007-12-06 | General Electric Company | Systems and methods for roll-to-roll atomic layer deposition on continuously fed objects |
WO2008058412A2 (de) * | 2006-11-13 | 2008-05-22 | Tersuisse Multifils Ag | Beschichteter fadenförmiger gegenstand mit verbesserter elektrischer leitfähigkeit und/oder verbesserter optischer reflexion und vorrichtung und verfahren zum behandeln der oberfläche eines fadenförmigen gegenstandes |
KR100910613B1 (ko) * | 2007-03-08 | 2009-08-04 | 한국과학기술원 | 초전도 테이프 선재의 연속 제조장치 |
DE102009038519B4 (de) * | 2009-08-25 | 2012-05-31 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Stöchiometriegradientenschichten |
CN103119198B (zh) | 2010-07-23 | 2015-08-19 | 莲花应用技术有限责任公司 | 接触用于辊到辊薄膜沉积的柔性网片基材单侧的基材传送机构 |
US9435028B2 (en) | 2013-05-06 | 2016-09-06 | Lotus Applied Technology, Llc | Plasma generation for thin film deposition on flexible substrates |
JP5664814B1 (ja) | 2014-06-24 | 2015-02-04 | 三菱マテリアル株式会社 | コーティング膜付き切削工具の成膜装置、切削工具用コーティング膜の成膜方法 |
CN104152844A (zh) * | 2014-08-11 | 2014-11-19 | 江南石墨烯研究院 | 一种在真空中搭载衬底的方式 |
JP2023551406A (ja) * | 2020-11-19 | 2023-12-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 保護層源 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4013539A (en) * | 1973-01-12 | 1977-03-22 | Coulter Information Systems, Inc. | Thin film deposition apparatus |
GB1596385A (en) * | 1976-12-29 | 1981-08-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Methods and apparatus for manufacturing magnetic recording media |
US4303489A (en) * | 1978-08-21 | 1981-12-01 | Vac-Tec Systems, Inc. | Method and apparatus for producing a variable intensity pattern of sputtering material on a substrate |
US4403002A (en) * | 1979-12-10 | 1983-09-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Vacuum evaporating apparatus |
JPS5930230A (ja) * | 1982-08-12 | 1984-02-17 | Sony Corp | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
JPH0670858B2 (ja) * | 1983-05-25 | 1994-09-07 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体とその製法 |
JPS6111936A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
US4690857A (en) * | 1984-08-14 | 1987-09-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
CA1254385A (en) * | 1985-07-26 | 1989-05-23 | Noboru Sato | Magneto-optical recording medium having amorphous artificially layered structure of rare earth element and transition metal element |
JPH0766584B2 (ja) * | 1986-04-11 | 1995-07-19 | 富士写真フイルム株式会社 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
US4929320A (en) * | 1986-04-11 | 1990-05-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of making magneto-optical recording medium |
EP0263380A3 (de) * | 1986-10-08 | 1990-02-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines magnetooptischen Aufzeichnungsmediums |
DE3811684A1 (de) * | 1987-04-10 | 1988-10-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | Verfahren zur herstellung eines magneto-optischen aufzeichnungsmediums |
US5045676A (en) * | 1987-12-08 | 1991-09-03 | Kime Milford B | Optical media having interlaced data rings |
US4939715A (en) * | 1987-12-29 | 1990-07-03 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Tape scanning apparatus |
JP2520684B2 (ja) * | 1988-03-04 | 1996-07-31 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
US4876159A (en) * | 1988-03-14 | 1989-10-24 | Eastman Kodak Company | Magnetrooptical recording media and method of preparing them |
EP0367685A3 (en) * | 1988-10-31 | 1991-08-07 | Eastman Kodak Company | Magnetooptical recording element |
EP0580095A1 (en) * | 1992-07-24 | 1994-01-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Production of magnetic recording medium |
-
1993
- 1993-06-05 KR KR1019930010149A patent/KR940000259A/ko not_active Application Discontinuation
- 1993-06-11 CN CN93107174A patent/CN1083544A/zh active Pending
- 1993-06-11 JP JP5140438A patent/JPH0657415A/ja active Pending
- 1993-06-11 EP EP93109417A patent/EP0574020B1/en not_active Revoked
- 1993-06-11 DE DE69310024T patent/DE69310024T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-05-24 US US08/248,579 patent/US5460853A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4731354B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2011-07-20 | 株式会社アルバック | 表面処理装置 |
JP2007224384A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Ulvac Japan Ltd | 表面処理装置 |
JP2009301726A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Kazu Tomoyose | リチウムイオン電池の製法及びリチウム電池の製法 |
JP5604525B2 (ja) * | 2010-10-06 | 2014-10-08 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
WO2012046384A1 (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-12 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
CN103154311A (zh) * | 2010-10-06 | 2013-06-12 | 株式会社爱发科 | 真空处理装置 |
US9109284B2 (en) | 2010-10-06 | 2015-08-18 | Ulvac, Inc. | Vacuum processing apparatus |
CN103154311B (zh) * | 2010-10-06 | 2014-12-17 | 株式会社爱发科 | 真空处理装置 |
JP2012219321A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
JP2013139621A (ja) * | 2011-12-09 | 2013-07-18 | Toray Eng Co Ltd | 搬送製膜装置 |
WO2013084604A1 (ja) * | 2011-12-09 | 2013-06-13 | 東レエンジニアリング株式会社 | 搬送製膜装置 |
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