JP3660698B2 - 人工格子の作製方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、複数のターゲットをスパッタリングすることによって基板上に人工格子を作製する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
２種類の物質（第１層物質と第２層物質）を、それぞれ厚さλ１，λ２として、合計Λ（＝λ１＋λ２）の周期長でＮ周期堆積した多層膜を人工格子あるいは超格子と呼ぶ。各層を構成する物質の例としては、単元素や、合金、化合物（窒化物、酸化物、半導体など）がある。人工格子は天然に存在しない物質なので、特殊な機能が期待できる。最近では、人工格子を構成する物質として、化合物半導体以外の金属や、炭化物、窒化物、酸化物へと研究対象が拡大している。また、応用面からも、それらの人工格子は、超高周波半導体素子以外に、Ｘ線顕微鏡、モノクロメータ、ＩＣマスク、超伝導素子、磁気抵抗素子、次世代光磁気ディスク等々の多くの可能性がある。
【０００３】
人工格子の作製方法としては、スパッタリング法やレーザーアブレーション法、イオンビームスパッタ法等の種々の方法が試みられている。これらの作製方法の中でスパッタリング法が量産化の観点から注目されている。
【０００４】
石井等は２個（ＭｏとＳｉ）のターゲットを用いるスパッタリング法で、周期長６．７ｎｍの「Ｍｏ／Ｓｉ」人工格子を作製し、軟Ｘ線で４６％の反射率を得ている。この人工格子は、直入射に近い条件で使用する縮小露光用の光学鏡やマスクとして使用可能な反射特性を備えている。（SR Science and Technology Information, Vol.1, No.1, 1991）
【０００５】
また、山本等も２個（ＭｏとＳｉ）のターゲットを用いるスパッタリング法で、「Ｍｏ／Ｓｉ」の１６１周期の人工格子を試作し、６０〜８０％の高い反射率を得ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
人工格子の作製において重要なポイントは、（１）第１層と第２層の膜厚が、Ｎ周期にわたって、それぞれ一定であり、界面の凹凸もないこと。（２）量産化の観点から人工格子を一度に大量に作製できること、の２点である。以下に、これらの点を詳しく説明する。
【０００７】
（１）第１層と第２層の膜厚が、Ｎ周期にわたって、それぞれ一定であり、界面の凹凸もないこと、について。特に光学用人工格子では、膜厚の誤差や界面の凹凸があると、積層回数の増加に伴って乱れが累積され、反射率が低下する。このような乱れによる界面の位置の不確定性をΔｚとすると、人工周期がΛであるとき、反射率の減衰因子はｅｘｐ（−４π2 Δｚ2 ／Λ2 ）となる。例えば、各層の膜厚がすべて２ｎｍ（Λ＝４ｎｍ）と仮定すると、減衰因子を８０％にするにはΔｚは０．２ｎｍにする必要がある。このように、人工格子の作製プロセスでは、界面の位置の不確定性をできるだけ小さくする必要がある。
【０００８】
従来のスパッタリング法による人工格子の作製プロセスでは、第１層堆積用のターゲットと第２層堆積用のターゲットを同時に放電させて、同時にシャッターを開放し、各ターゲットに順に対向するように基板を回転させることにより、基板上に第１層と第２層を交互に積層させている。この方法には次のような問題点がある。それぞれの膜の堆積速度は、まず、各ターゲットに投入する電力に依存する。また、基板がターゲットの対向位置を通過するときに堆積する膜厚は、基板回転速度にも依存する。したがって、基板が１回転する間に所定の膜厚を堆積させようとすれば、投入電力と基板回転速度とを調節する必要があり、この投入電力と基板回転速度は独立して任意の値にすることはできない。また、スパッタリング法では、投入電力によって膜質がかなり変化することが知られている。さらに、堆積速度によっては人工格子中の界面の凹凸が変化することも考えられる。したがって、投入電力の最適条件はかなり限定される。一方、基板回転速度のゆらぎは膜厚誤差を引き起こすことになるが、基板回転機構についても、回転速度のゆらぎを生じにくいような最適な速度条件が存在しうる。つまり、基板が１回転する間に所定の膜厚が堆積できるような投入電力と基板回転速度に調節してみても、その投入電力と基板回転速度は、必ずしも、膜厚誤差や界面凹凸の少ない良質な人工格子を作製するための最適条件とはなっていないという問題がある。
【０００９】
特に、光学用人工格子では、第１層と第２層の膜厚がほぼ等しい場合に高い反射率が得られるので、第１層と第２層の膜厚を等しくする、という条件がさらに加わり、プロセスパラメータに対する制約はより大きくなる。例えば、スパッタ率の大きく異なる２種類の材料の組み合わせ（例えば重金属と炭素）で人工格子を作製する場合、基板が１回転する間に第１層と第２層を同じ膜厚だけ堆積しようとすると、スパッタ率の高い方のターゲットの投入電力を、スパッタ率の低い方のターゲットよりも極端に低くする必要がある。このようにすると、投入電力を極端に低くした方のターゲットでは放電が不安定にになりやすく、その堆積層では、膜厚や膜質の再現性が得られなくなる。
【００１０】
また、最近、界面の平滑性を高めるために、窒化物や、炭化物、酸化物などからなる人工格子が検討されているが、これらの人工格子では、反応性スパッタリング法が用いられるため、ターゲット投入電力の最適条件に対する制約はさらに大きくなる。
【００１１】
（２）量産化の観点から人工格子を一度に大量に作製できること、について。前述したスパッタリング法の文献は、研究試作的なデータだけを述べていて、実際に量産化する場合の問題には触れていない。従来技術では、基板を各ターゲットに順に対向するように回転させながら、２個のターゲットを同時に放電させて、同時にシャッターを開放しており、この状態で、基板上に人工格子を作製している。基板上には第１層と第２層を交互に積層する必要があるが、同時にシャッターを開けた場合には、基板と各ターゲットとの相対位置関係が問題になり、基板ホルダーに取り付け可能な基板の個数が少なくなり、一度に大量に人工格子を作製するのが難しい。この点を、図面を用いて説明する。
【００１２】
図１１の（Ａ）は、円筒型の回転基板ホルダー１０の円筒面上に６枚の基板２ａ〜２ｆを取り付けて、２個のターゲット１２、１４を用いて人工格子を作製する従来方法の平面図である。二つのターゲット１２、１４を同時に放電させて、二つのシャッター１６、１８を同時に開くと、基板ホルダー１０が１回転する間に、６枚の基板のそれぞれに、ターゲット１２による第１層とターゲット１４による第２層とが堆積し、Ｎ回転すれば、Ｎ周期の人工格子が完成する。ところで、この図面に示す基板位置のときに二つのシャッター１２、１４を同時に開くと、基板２ａは最初にターゲット１２に対向して第１層の方から堆積が開始するのに対して、基板２ｄは最初にターゲット１４に対向して第２層の方から堆積が開始する。結局、基板２ａ〜２ｃの３枚は、基板上に第１層物質から堆積が開始し、基板２ｄ〜２ｆの３枚は第２層物質から堆積が開始する。すなわち、全く同じ人工格子とはならない。そして、第１層物質と第２層物質のどちらが基板に接触するかによって人工格子の品質が異なる場合があり得る。例えば、基板に接触する膜と基板との相性によって、相互拡散の度合いが異なったり、基板と膜との密着性が異なったりする。このように、二つの層のうちの特定の層を必ず基板に接触させるような要求がある場合、図１１の（Ａ）に示すような基板配置ではうまくいかない。同様に、人工格子の最上層（表面層）を特定の層で終わらせるような要求がある場合にも、同時に二つのシャッターを閉じる方法では、やはり、うまくいかない。
【００１３】
これに対して、図１１の（Ｂ）のように、３枚の基板２ａ〜２ｃだけにすると、二つのシャッター１６、１８の同時開閉でも、すべての基板について第１層と第２層の配列を全く同じにすることができる。ただし、基板の処理枚数は少なくならざるを得ない。
【００１４】
そこで、この発明の目的は、人工格子を構成する各層の膜厚を精密に制御できて、かつ、一度に大量の人工格子薄膜を作製できるような方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
この発明の人工格子の作製方法は、シャッターの開閉制御を主体とすることに特徴がある。すなわち、この発明は、２種類の堆積層が周期的に繰り返す人工格子を、複数のターゲットをスパッタリングすることによって基板上に作製する方法において、まず、複数のターゲットに順番に対向しながら基板が循環して運動するように基板を一定の速度で移動させるとともに、第１層堆積用ターゲットのためのシャッター（以下、第１シャッターという。）と第２層堆積用ターゲットのためのシャッター（以下、第２シャッターという。）とを閉じた状態で、第１層堆積用ターゲットと第２層堆積用ターゲットにそれぞれ所定の電力を投入する。そして、このような状態において、次のようなシャッター開閉制御を実施している。最初に、基板が第１層堆積用ターゲットの対向位置にないときに第１シャッターを開き、基板が第１層堆積用ターゲットの対向位置を所定回数だけ通過したのちに第１シャッターを閉じる。これにより、基板上に第１層が所定の膜厚だけ堆積する。次に、基板が第２層堆積用ターゲットの対向位置にないときに第２シャッターを開き、基板が第２層堆積用ターゲットの対向位置を所定回数だけ通過したのちに第２シャッターを閉じる。これにより、第１層の上に、第２層が所定の膜厚だけ堆積する。これで、１周期分の人工格子が完成する。次に、このようなシャッター開閉制御をＮ回だけ繰り返すと、Ｎ周期の人工格子が完成する。
【００１６】
第１層堆積用ターゲットは、１個に限らず、２個以上のこともある。すなわち、同一種類の２個のターゲットを使って堆積速度を増やすこともあるし、異なる種類のターゲットを用いて基板上に複合材質層を形成することも考えられる。第２層堆積用ターゲットについても同様に、１個に限らない。
【００１７】
人工格子の作製においては、第１層と第２層からなる周期をＮ周期だけ繰り返す必要があるので、基板は複数のターゲットに順番に対向しながら循環して運動する必要がある。この循環運動は、典型的には、基板の回転運動で実現できる。例えば、円筒型や円形平板型の基板ホルダーに基板を取り付けて、この基板ホルダーを回転する。
【００１８】
シャッターの開閉タイミングは、基板がターゲットに対向していない時点にする必要がある。基板上に膜が堆積する期間というのは、基板の一部がターゲットに対向し始めてから、基板がターゲット対向位置から完全に外れるまでの期間である。したがって、シャッターを開くタイミングは、基板の一部がターゲットに対向し始める以前とする。もし、基板の一部がターゲットに対向し始めてからシャッターを開くと、そのときに堆積し始めた堆積層は、目的の堆積膜厚より小さくなってしまう。シャッターを閉じるタイミングも、同様に、基板が完全にターゲット対向位置を通過したのちである。
【００１９】
基板が元の位置に戻るまでの経過時間を、以下、循環所要時間と呼ぶことにすると、回転式の基板ホルダーにあっては、循環所要時間は基板ホルダーが１回転する時間に相当する。以下、回転基板ホルダーを例にとって説明する。基板ホルダーが１回転する間に、基板は第１層ターゲットの対向位置を１回だけ通過し、その間に、所定の膜厚だけ第１層が堆積する。この堆積膜厚が第１層必要膜厚に等しければ、基板ホルダーが１回転したのちに第２層の堆積段階に移行すればよい。もし、１回転する間の第１層堆積膜厚が第１層必要膜厚より小さければ、基板ホルダーを２回転以上させて、必要膜厚に達するまで第１層堆積段階を継続する必要がある。この説明から分かるように、基板ホルダーが１回転する間に堆積する膜厚は、各層の必要膜厚の整数分の１（必要膜厚に等しい場合を含む）にする必要がある。換言すれば、このような条件を満足するように、基板の回転速度とターゲット投入電力を調節する必要がある。基板の回転速度と、ターゲット投入電力と、１回転する間の堆積膜厚、との関係は、あらかじめ実験をして把握しておけばよい。
【００２０】
人工格子は、典型的には、２種類の層をＮ周期だけ繰り返して作製するが、３種類以上の層をＮ周期だけ繰り返すような人工格子を作製する場合にも、２種類の層の場合と同様の方法で作製できる。
【００２１】
【作用】
回転基板ホルダーを使う場合を例にして作用を説明する。まず、すべてのターゲットにそれぞれ所定の電力を投入した状態で、基板ホルダーを一定速度で回転させておく。最初に、第１シャッターを開いて基板ホルダーを１回転または２回転以上させてから第１シャッターを閉じることにより、基板上に所定の膜厚の第１層を堆積する。次に、第２シャッターを開いて基板ホルダーを１回転または２回転以上回転させてから第２シャッターを閉じることにより、基板上に所定の膜厚の第２層を堆積する。これにより、１周期分の人工格子が完成する。このような第１層と第２層の堆積作業を、Ｎ回繰り返すことにより、Ｎ周期の人工格子が完成する。
【００２２】
【実施例】
図１は、この発明の一実施例を示す平面配置図であり、基板とターゲットとシャッターとの配置関係を示している。この実施例は、２．５ｎｍの厚さの窒化バナジウムの層と、２．５ｎｍの厚さの窒化炭素の層からなる１周期を、３０周期だけ堆積した人工格子を作製するものである。この人工格子を、［ＶＮx （２．５ｎｍ）／ＣＮx （２．５ｎｍ）］30と表現することにする。
【００２３】
図１の（Ａ）において、円筒型の基板ホルダー１０の円筒面上には６個の基板２ａ〜２ｆが取り付けられている。この基板ホルダー１０は円筒面の中心線の回りを２ｒｐｍの回転速度で回転する。第１ターゲット１２はバナジウム、第２ターゲット１４は炭素であって、窒素ガス雰囲気中でこれらのターゲットをスパッタリングすることによって、基板上に窒化バナジウムと窒化炭素を堆積することができる。まず、１００％窒素ガスの圧力を１Ｐａに保って、第１ターゲット１２に１８５Ｗの高周波電力を投入し、第２ターゲット１４に２４０Ｗの高周波電力を投入する。二つのシャッター１６、１８は閉じた状態にある。
【００２４】
６個の基板のうちの特定の基板２ａ（この基板を基準基板と呼ぶことにする。）が、第１ターゲット１２に対向し始める手前の位置にきたときに、第１シャッター１６を開く。すると、この基板２ａがターゲット１２の対向位置を通過する間に、基板２ａには窒化バナジウムが０．６２５ｎｍの厚さで堆積する。その次の基板２ｂがターゲット１２の対向位置を通過する間にも、同様に、この基板２ｂに窒化バナジウムが同じ厚さだけ堆積する。このようにして、基準基板２ａが図１の（Ａ）に示す元の位置に戻るまでの間（すなわち基板ホルダー１０が１回転する間）に、６枚の基板２ａ〜２ｆのそれぞれに０．６２５ｎｍの厚さの窒化バナジウムが堆積する。
【００２５】
このような状態で、基板ホルダー１０をさらに３回転（すなわち、合計４回転）させると、６枚の基板のそれぞれに、０．６２５×４＝２．５ｎｍの窒化バナジウムが堆積する。これで第１層の堆積が終了する。そして、基板ホルダー１０が４回転して、図１の（Ａ）に示す基板位置（以下、Ａ位置と呼ぶ。）に戻ったときに、第１シャッター１６を閉じる。
【００２６】
次に、上述のＡ位置から基板ホルダー１０がさらに半回転（１８０度）だけ回転すると、図１の（Ｂ）に示す基板位置（以下、Ｂ位置と呼ぶ。）となる。このＢ位置では、基準基板２ａが、第２ターゲット１４に対向し始める手前の位置にある。このときに第２シャッター１８を開く。基板２ａがターゲット１４の対向位置を通過する間に、基板２ａには窒化炭素が２．５ｎｍの厚さで堆積する。その次の基板２ｂがターゲット１４の対向位置を通過する間にも、この基板２ｂに窒化炭素が同じ厚さだけ堆積する。このようにして、基準基板２ａがＢ位置に戻るまでの間（すなわち基板ホルダー１０が１回転する間）に、６枚の基板２ａ〜２ｆのそれぞれに２．５ｎｍの厚さの窒化炭素が堆積する。そして、基準基板２ａがＢ位置に戻ったときに、第２シャッター１８を閉じる。これで、第２層の堆積が終了する。
【００２７】
第２層の堆積が終了した時点のＢ位置から、さらに基板ホルダー１０が半回転すると、基板位置はＡ位置に戻る。これで、１周期分の堆積作業が完了して、１サイクルが終了する。１周期分の堆積作業において、基板ホルダーの回転回数は、第１層堆積作業の４回転と、Ａ位置からＢ位置に移る半回転と、第２層の堆積作業の１回転と、Ｂ位置からＡ位置に戻るまでの半回転、の合計で６回転となる。以上の第１層と第２層の堆積作業を３０回繰り返すことにより、目的の人工格子［ＶＮx （２．５ｎｍ）／ＣＮx （２．５ｎｍ）］30が完成する。
【００２８】
図２は、上述した手順をグラフ化したタイミングチャートである。バナジウムターゲットのシャッター（Ｖシャッター）は基板ホルダーがＡ位置からＡ位置まで４回転する間だけ開いており、また、炭素ターゲットのシャッター（Ｃシャッター）は基板ホルダーがＢ位置からＢ位置まで１回転する間だけ開いている。スタートしてから最初の４回転の間に、窒化バナジウムが２．５ｎｍだけ堆積する。また、基板ホルダーが４．５回転目から５．５回転目の間に窒化炭素が２．５ｎｍだけ堆積する。このようにして基板ホルダーが６回転することで１周期分の作業（１サイクル）が終了する。これを３０サイクル実施するので、基板ホルダーの回転回数は合計で１８０回転となる。基板ホルダーの回転速度は２ｒｐｍなので、全体の所要時間は９０分である。
【００２９】
ところで、図２において、膜厚の増加グラフの時間軸は、基準基板２ａの膜厚について示してある。その次の基板２ｂについては、破線２０で示すように、基準基板より６分の１回転だけ遅れて膜が堆積していく。いずれにしても、基準基板がＡ位置からＡ位置に戻る１回転の間に、６枚の基板すべてについて、いずれかの時点で膜が堆積する。
【００３０】
次に、シャッターを開閉するタイミングについて詳しく説明する。図１の（Ａ）において、第１ターゲット１２に対向する領域Ｌでは、ターゲットでスパッタリングされた粒子が多く飛来する。したがって、この領域Ｌに基板が存在しないような基板位置のときに、第１シャッター１６を開閉する必要がある。もし、この領域Ｌに基板の一部でも入っているときに、第１シャッター１６を開いたり閉じたりすると、この基板が第１ターゲット１６の対向位置を通過する間に基板上に堆積する窒化バナジウムの膜厚は、予定した０．６２５ｎｍよりも小さくなってしまう。これは、第２シャッターの開閉タイミングについても同様である。
【００３１】
この実施例では、基板ホルダー１０に６枚の基板を等配で取り付けているので、どの基板を基準基板としても、Ａ位置とＢ位置とにおいて、すべての基板がターゲット対向位置に存在しないような配置となる。もし基準基板を特定の基板２ａだけに限定すれば、基準基板２ａとその手前の基板２ｆとの間を領域Ｌ以上に離しておきさえすれば、その他の基板間隔は領域Ｌよりも狭くしても構わない。こうすれば、より多くの基板を基板ホルダーに取り付けることができ、量産性が向上する。
【００３２】
なお、図１の（Ａ）では領域Ｌをほぼターゲットの寸法と同程度に描いてあるが、実際には、領域Ｌはターゲットの寸法よりもある程度大きくする必要がある。スパッタリングされた粒子はターゲットの正面以外の方向にも飛んでいくからである。結局、ターゲット対向位置の領域Ｌは、膜厚制御に実質的に影響を及ぼすだけの粒子量が飛来する領域、と言うことができる。
【００３３】
図３は人工格子作製装置の全体構成を示す平面断面図である。この装置は、いわゆるカルーセル型の回転基板ホルダー１０を備えるものであり、基板とターゲットとシャッターとの配置関係は上述の図１に示した通りである。この装置は、直径３インチの円形ターゲット１２，１４を、円周上の１８０度離れた位置に、対向して配置している。各ターゲットには、整合回路２２と高周波電源２４が接続されている。ターゲット１２，１４と基板ホルダー１０の間には、それぞれ独立にシャッター１６，１８があり、シャッター駆動機構２６，２８によって駆動されて開閉する。シャッター駆動機構２６，２８は、５ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧縮空気の制御により駆動される。
【００３４】
基板２を取り出すときは、基板搬送機構３０を用いることにより、処理室すなわち真空容器３２を大気にすることなく、基板２を外部に取り出すことができる。スパッタリングガスとしては、２種類のガスを使用できる構造になっており、例えば、アルゴンガスか窒素ガス、または両方の混合ガスを用いることができる。スパッタリングガスは、マスフローメーター（図示せず）で流量制御しながら、リング状パイプ３４に供給することができ、このリング状パイプ３４の複数のガス吹き出し孔から真空容器３２内にガスが導入される。
【００３５】
この装置を用いて上述のような人工格子を作製するには、まず、真空容器３２内を１０-5Ｐａ以下の真空状態に排気してから、１００％の窒素ガスを導入し、マスフローメーターと主排気系メインバルブを調整することにより真空容器３２内の圧力を１Ｐに保つ。基板回転速度は２ｒｐｍに保つ。この状態で、上述のようなシャッター開閉制御を実施して人工格子を作製する。
【００３６】
図４はシャッター開閉制御系を示した分解斜視図である。基板回転モータ３６の回転は回転導入機３８に伝達され、この回転導入機３８の下端に固定された円筒型の基板回転ホルダー１０は、矢印３８の方向に回転する。この基板ホルダー１０には上述のように６枚の基板２が取り付けられている。さらに、回転導入機３８には円板４０が固定され、この円板４０には１本のセンサー棒４２が固定されている。したがって、このセンサー棒４２も基板ホルダー１０と同じ回転速度で回転する。一方、真空容器に固定された中空円板４４には、２組のフォトセンサー４６，４８が、円周上で１８０度の角度だけ離れて設置されている。センサー棒４２がフォトセンサー４６，４８を通過すると、そのことがフォトセンサーで検知されるようになっている。そして、図１の（Ａ）に示す基板位置（Ａ位置）のときに、ちょうどセンサー棒４２が第１のフォトセンサー４６を通過するように、センサー棒４２と基板ホルダー１０の位置関係が定められている。また、図１の（Ｂ）に示す基板位置（Ｂ位置）のときには、センサー棒４２が第２のフォトセンサー４８を通過する。
【００３７】
フォトセンサー４６，４８の出力は、基板位置検出装置５０に送られて基板位置が検出される。この基板位置検出装置５０の出力は、コンピュータ５２に送られ、そのディスプレイ上には、センサー棒４２の位置が表示されるようになっている。ディスプレイ上の円周上の黒点５４はセンサー棒４２の位置を示している。基板ホルダー１０が回転すると、この黒点５４もディスプレイ上を円運動する。また、コンピュータ５２は、基板位置検出装置５０の出力をもとにして、基板ホルダー１０の回転速度と回転回数を計算して、これを表示することができる。
【００３８】
コンピュータ５２からはシャッター開閉信号がシャッター制御装置５６に出力され、このシャッター制御装置５６は電磁弁５８にオンオフ信号を送っている。これにより、電磁弁５８で空気圧制御が実施されて、図３のシャッター駆動機構２６，２８が開閉制御される。このようにして、基板ホルダー１０の回転と、シャッター１６，１８の開閉とのタイミングが制御される。
【００３９】
次に、ターゲット投入電力の決定方法について説明する。３ｄ遷移金属元素の窒化物の層と窒化炭素の層からなる人工格子は、軟Ｘ線光学材料への応用が有望視されており、図５のグラフは、この種の人工格子を作製する場合に使われる各種の窒化物の堆積速度を示したものである。スパッタリング条件は、図３に示す装置において、１００％窒素ガスの圧力を１Ｐａにして、基板ホルダーの回転速度を２ｒｐｍとした。ターゲットとして、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｖ，Ｃ，Ｎｉの５種類について実験をし、回転する基板上にそれぞれの窒化物が堆積するときの堆積速度を測定した。なお、堆積速度は、基板がターゲットに対向しているときと対向していないときのすべての時間を含んだ場合での平均値である。図５の横軸がターゲット投入電力、縦軸が堆積速度である。
【００４０】
ところで、人工格子の第１層または第２層として、ある窒化物層を２．５ｎｍだけ堆積させるには、基板の１回転当たりの堆積厚さを、２．５ｎｍか、あるいはその整数分の１にする必要がある。これを堆積速度に換算すると、基板は１分間に２回転するから、堆積速度を５．０ｎｍ／ｍｉｎか、あるいはその整数分の１にする必要がある。図５において、堆積速度が５．０ｎｍ／ｍｉｎのところに破線を引いてある。窒化物層を２．５ｎｍとする場合には、これより大きい堆積速度は使えないことになる。したがって、５．０ｎｍ／ｍｉｎと同じか、その整数分の１の堆積速度となるように、ターゲット電力を選択すればよい。例えば、バナジウムターゲットの場合、１８５Ｗの高周波電力を投入すると、１．２５ｎｍ／ｍｉｎの堆積速度が得られ、これは５．０ｎｍ／ｍｉｎの４分の１となる。したがって、このターゲット電力で窒化バナジウムを堆積すると、基板が１回転する間に、０．６２５ｎｍだけ堆積し、４回転で２．５ｎｍの厚さとなる。また、炭素ターゲットの場合、２４０Ｗの高周波電力を投入すると５．０ｎｍ／ｍｉｎの堆積速度が得られる。したがって、このターゲット電力で窒化炭素を堆積すると、基板が１回転する間に２．５ｎｍの厚さとなる。このようなターゲット電力を用いて［ＶＮx （２．５ｎｍ）／ＣＮx （２．５ｎｍ）］30の人工格子を作製したのが、上述の図２に示した実施例である。
【００４１】
次に、第２実施例として、［ＣｒＮx （２．５ｎｍ）／ＣＮx （２．５ｎｍ）］30の人工格子を作製する手順を説明する。図１において、ターゲット１２をクロムとし、これに１９０Ｗの高周波電力を投入して、窒化クロムの堆積速度を２．５ｎｍ／ｍｉｎに設定した。また、ターゲット１４を炭素として、これに２４０Ｗの高周波電力を投入して、窒化炭素の堆積速度を５．０ｎｍ／ｍｉｎに設定した。窒素ガスの圧力や基板回転速度は第１実施例と同じである。図６はこの場合の手順を示すタイミングチャートである。Ａ位置でクロムターゲットのシャッターを開き、２回転したらこのシャッターを閉じる。これにより、１回転当たり１．２５ｎｍの窒化クロムが堆積し、２回転で合計２．５ｎｍとなる。次に、Ｂ位置で炭素ターゲットのシャッターを開き、１回転して元のＢ位置に戻ったら、このシャッターを閉じる。これにより２．５ｎｍの窒化炭素が堆積する。これで１周期分の人工格子が出来上がる。この作業を３０サイクル実施する。この実施例では、基板ホルダーが４回転して１サイクルとなるので、全体の所要時間は６０分である。
【００４２】
次に、第３実施例として、［Ｃｕ3 Ｎx （２．５ｎｍ）／ＣＮx （２．５ｎｍ）］30の人工格子を作製する手順を説明する。図１において、ターゲット１２を銅とし、これに６５Ｗの高周波電力を投入して、窒化銅の堆積速度を５．０ｎｍ／ｍｉｎに設定した。また、ターゲット１４を炭素として、これに２４０Ｗの高周波電力を投入して、窒化炭素の堆積速度を５．０ｎｍ／ｍｉｎに設定した。窒素ガスの圧力や基板回転速度は第１実施例と同じである。図７はこの場合の手順を示すタイミングチャートである。Ａ位置で銅ターゲットのシャッターを開き、１回転して元のＡ位置に戻ったら、このシャッターを閉じる。これにより、２．５ｎｍの窒化銅が堆積する。次に、Ｂ位置で炭素ターゲットのシャッターを開き、１回転して元のＢ位置に戻ったら、このシャッターを閉じる。これにより２．５ｎｍの窒化炭素が堆積する。これで１周期分の人工格子が出来上がる。この作業を３０サイクル実施する。この実施例では、基板ホルダーが３回転して１サイクルとなるので、全体の所要時間は４５分である。
【００４３】
次に、第４実施例として、［ＮｉＮx （２．５ｎｍ）／ＣＮx （２．５ｎｍ）］30の人工格子を作製する手順を説明する。図１において、ターゲット１２をニッケルとし、これに１６５Ｗの高周波電力を投入して、窒化ニッケルの堆積速度を５．０ｎｍ／ｍｉｎに設定した。また、ターゲット１４を炭素として、これに２４０Ｗの高周波電力を投入して、窒化炭素の堆積速度を５．０ｎｍ／ｍｉｎに設定した。窒素ガスの圧力や基板回転速度は第１実施例と同じである。シャッター開閉手順は図７に示した場合と全く同じになり、Ａ位置からＡ位置までの１回転で窒化ニッケルが２．５ｎｍだけ堆積し、Ｂ位置からＢ位置までの１回転で窒化炭素が２．５ｎｍだけ堆積する。したがって、全体の所要時間は、第３実施例と同じで４５分である。
【００４４】
次に、第５実施例として、［ＣｒＮx （２．５ｎｍ）／ＣＮx （２．５ｎｍ）］30の人工格子を作製する手順を説明する。この人工格子は、第２実施例（図６のタイミングチャート）で作製したものと同じであるが、クロムターゲットを２個使う点が異なっている。図８は、第５実施例におけるターゲットと基板とシャッターの配置関係を示す平面図である。図１の配置と異なる点は、２個のターゲット１２，１４のほかに、第３のターゲット１３が配置されている点である。このターゲット１３は、ターゲット１２に対して円周上で６０度だけ離れた位置にある。当然、センサー棒を検出するための第３のフォトセンサーも、Ａ位置を検出するためのフォトセンサーから６０度離れた位置に、追加して設置してある。
【００４５】
ターゲット１２と１３はクロムであり、その両方に１９０Ｗの高周波電力を投入して、個々のクロムターゲットによる窒化クロムの堆積速度を２．５ｎｍ／ｍｉｎに設定した。また、ターゲット１４は炭素であり、これに２４０Ｗの高周波電力を投入して、窒化炭素の堆積速度を５．０ｎｍ／ｍｉｎに設定した。窒素ガスの圧力は１Ｐａであり、基板回転速度は２ｒｐｍである。まず、３個のシャッター１６，１７，１８を閉じた状態にしておく。
【００４６】
最初に、図８の（Ａ）において、基準基板２ａがＡ位置にきたときに第１シャッター１６を開き、この基準基板２ａが第１ターゲット１２の対向位置を通過する間に、窒化クロムを１．２５ｎｍの厚さで堆積する。そして、すぐその後に、（Ｃ）に示すように、基準基板２ａが第３ターゲット１３の手前にきたとき（この位置をＣ位置と呼ぶことにする。）に第３シャッター１７も開いて、この基準基板２ａに、引き続いて窒化クロムを１．２５ｎｍの厚さで堆積する。これにより、基準基板２ａは二つのターゲット１２，１３の対向位置を通過することにより合計で２．５ｎｍの厚さの窒化クロムが堆積する。その後につづく基板にも同様にして窒化クロムが堆積する。基準基板２ａが１回転して元のＡ位置に戻ったときに、第１シャッター１６を閉じ、さらに基準基板２ａがＣ位置に移動したときに第２シャッター１７も閉じる。これにより、すべての基板に２．５ｎｍの窒化バナジウムが堆積する。この状態から、基準基板２ａがさらに、（Ｂ）に示すＢ位置にきたときに、今度は、第２シャッター１８を開く。これにより、基準基板２ａが第２ターゲット１４の対向位置を通過する間に窒化炭素が２．５ｎｍの厚さで堆積する。そして、基準基板２ａがＢ位置まで戻ってきたときに、第２シャッター１８を閉じる。この状態から、さらに基準基板２ａがＡ位置まで戻ったときに、１サイクルが終了する。この１サイクルの間に、基板ホルダー１０は合計３回転している。図９は、この１サイクルの手順を示すタイミングチャートである。この作業を３０サイクル繰り返すことにより目的の人工格子を作製できる。全体の所要時間は４５分である。
【００４７】
以上のように、２個のクロムターゲットと１個の炭素ターゲットを使う（図９のタイミングチャート）と、１個のクロムターゲットと１個の炭素ターゲットを使う場合（図６のタイミングチャート）に比べて、全体の所要時間が６０分から４５分に短縮される。成膜時間の短縮には、このようにターゲットの個数を増やすのが効果的である。また、ターゲット投入電力を増加させることで堆積時間を短縮することも当然可能であり、その場合は、基板ホルダーが１回転することで必要膜厚（またはその整数分の１）が堆積するように、基板ホルダーの回転数の方も増加させればよい。本実施例の装置では、基板回転速度を８ｒｐｍまで増加させることができる。
【００４８】
上述の各実施例で特徴的なことは、堆積速度の比較的大きいターゲット（銅やニッケルや炭素）では、基板ホルダーの１回転だけで必要膜厚が堆積できるようにターゲット投入電力を設定し、一方、堆積速度の比較的小さいターゲット（バナジウムやクロム）では、基板ホルダーを複数回回転させることによって必要膜厚が堆積できるようにターゲット投入電力を設定している点である。これにより、すべてのターゲットに対して、堆積速度が比較的安定した電力領域を使うことができ、膜厚の精度を０．１ｎｍのレベルで制御することが可能となった。
【００４９】
この発明は上述の実施例に限定されず、次のような変更が可能である。
【００５０】
（１）センサー棒を検出するためのフォトセンサーを２組または３組設けずに、１組だけとしてもよい。この場合、例えばＡ位置だけをフォトセンサーで検出して、ほかのＢ位置またはＣ位置は、Ａ位置から１８０度または６０度だけ回転した位置にあるものとして、コンピュータで計算する。
【００５１】
（２）窒化物の人工格子に限らずに、ほかの材料からなる人工格子の作製方法にも本発明は適用できる。
【００５２】
（３）３種類の層からなる人工格子を作製する場合には、上述の第１層と第２層の堆積段階の後に、第３層の堆積段階を加えて、これを１サイクルとすればよい。
【００５３】
（４）図１０に示すように、円形の平板型基板ホルダーを用いてもよい。この図示の例では、２個のターゲット６０，６２と基板ホルダー６４が平行に対向していて、基板ホルダー６４の回転軸が基板面に垂直になる。基板ホルダー６４には４個の基板６６が取り付けられ、この基板ホルダー６４が矢印６８の方向に一定速度で回転する。ターゲット６０，６２と基板ホルダー６４の間には個別にシャッター（図示せず）が配置され、これらのシャッターの開閉を制御することによって人工格子を作製することができる。その作製手順は、基本的には、円筒型の基板ホルダーを用いた場合と同様である。
【００５４】
【発明の効果】
この発明の人工格子の作製方法は、堆積速度の大きく異なる２種類の層を交互に堆積する場合であっても、シャッターの開閉タイミングを制御することによって、すべてのターゲットについて、堆積速度の安定した投入電力領域が使用でき、精密な膜厚制御が可能となる。また、基板配置に制約が少なくなり、生産性も向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例を示す平面配置図である。
【図２】この発明の一実施例の手順を示すタイミングチャート。
【図３】人工格子作製装置の全体構成を示す平面断面図である。
【図４】シャッター開閉制御系を示した分解斜視図である。
【図５】人工格子を構成する各種の窒化物の堆積速度を示すグラフである。
【図６】第２実施例の手順を示すタイミングチャートである。
【図７】第３実施例の手順を示すタイミングチャートである。
【図８】第５実施例におけるターゲットと基板とシャッターの配置関係を示す平面図である。
【図９】第５実施例の手順を示すタイミングチャートである。
【図１０】平板型の基板ホルダーを用いる場合の斜視図である。
【図１１】従来方法を示す平面配置図である。
【符号の説明】
１０ 基板ホルダー
１２ 第１ターゲット
１４ 第２ターゲット
１６ 第１シャッター
１８ 第２シャッター
２ａ〜２ｆ 基板
Ｌ ターゲット対向位置の領域
【産業上の利用分野】
この発明は、複数のターゲットをスパッタリングすることによって基板上に人工格子を作製する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
２種類の物質（第１層物質と第２層物質）を、それぞれ厚さλ１，λ２として、合計Λ（＝λ１＋λ２）の周期長でＮ周期堆積した多層膜を人工格子あるいは超格子と呼ぶ。各層を構成する物質の例としては、単元素や、合金、化合物（窒化物、酸化物、半導体など）がある。人工格子は天然に存在しない物質なので、特殊な機能が期待できる。最近では、人工格子を構成する物質として、化合物半導体以外の金属や、炭化物、窒化物、酸化物へと研究対象が拡大している。また、応用面からも、それらの人工格子は、超高周波半導体素子以外に、Ｘ線顕微鏡、モノクロメータ、ＩＣマスク、超伝導素子、磁気抵抗素子、次世代光磁気ディスク等々の多くの可能性がある。
【０００３】
人工格子の作製方法としては、スパッタリング法やレーザーアブレーション法、イオンビームスパッタ法等の種々の方法が試みられている。これらの作製方法の中でスパッタリング法が量産化の観点から注目されている。
【０００４】
石井等は２個（ＭｏとＳｉ）のターゲットを用いるスパッタリング法で、周期長６．７ｎｍの「Ｍｏ／Ｓｉ」人工格子を作製し、軟Ｘ線で４６％の反射率を得ている。この人工格子は、直入射に近い条件で使用する縮小露光用の光学鏡やマスクとして使用可能な反射特性を備えている。（SR Science and Technology Information, Vol.1, No.1, 1991）
【０００５】
また、山本等も２個（ＭｏとＳｉ）のターゲットを用いるスパッタリング法で、「Ｍｏ／Ｓｉ」の１６１周期の人工格子を試作し、６０〜８０％の高い反射率を得ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
人工格子の作製において重要なポイントは、（１）第１層と第２層の膜厚が、Ｎ周期にわたって、それぞれ一定であり、界面の凹凸もないこと。（２）量産化の観点から人工格子を一度に大量に作製できること、の２点である。以下に、これらの点を詳しく説明する。
【０００７】
（１）第１層と第２層の膜厚が、Ｎ周期にわたって、それぞれ一定であり、界面の凹凸もないこと、について。特に光学用人工格子では、膜厚の誤差や界面の凹凸があると、積層回数の増加に伴って乱れが累積され、反射率が低下する。このような乱れによる界面の位置の不確定性をΔｚとすると、人工周期がΛであるとき、反射率の減衰因子はｅｘｐ（−４π2 Δｚ2 ／Λ2 ）となる。例えば、各層の膜厚がすべて２ｎｍ（Λ＝４ｎｍ）と仮定すると、減衰因子を８０％にするにはΔｚは０．２ｎｍにする必要がある。このように、人工格子の作製プロセスでは、界面の位置の不確定性をできるだけ小さくする必要がある。
【０００８】
従来のスパッタリング法による人工格子の作製プロセスでは、第１層堆積用のターゲットと第２層堆積用のターゲットを同時に放電させて、同時にシャッターを開放し、各ターゲットに順に対向するように基板を回転させることにより、基板上に第１層と第２層を交互に積層させている。この方法には次のような問題点がある。それぞれの膜の堆積速度は、まず、各ターゲットに投入する電力に依存する。また、基板がターゲットの対向位置を通過するときに堆積する膜厚は、基板回転速度にも依存する。したがって、基板が１回転する間に所定の膜厚を堆積させようとすれば、投入電力と基板回転速度とを調節する必要があり、この投入電力と基板回転速度は独立して任意の値にすることはできない。また、スパッタリング法では、投入電力によって膜質がかなり変化することが知られている。さらに、堆積速度によっては人工格子中の界面の凹凸が変化することも考えられる。したがって、投入電力の最適条件はかなり限定される。一方、基板回転速度のゆらぎは膜厚誤差を引き起こすことになるが、基板回転機構についても、回転速度のゆらぎを生じにくいような最適な速度条件が存在しうる。つまり、基板が１回転する間に所定の膜厚が堆積できるような投入電力と基板回転速度に調節してみても、その投入電力と基板回転速度は、必ずしも、膜厚誤差や界面凹凸の少ない良質な人工格子を作製するための最適条件とはなっていないという問題がある。
【０００９】
特に、光学用人工格子では、第１層と第２層の膜厚がほぼ等しい場合に高い反射率が得られるので、第１層と第２層の膜厚を等しくする、という条件がさらに加わり、プロセスパラメータに対する制約はより大きくなる。例えば、スパッタ率の大きく異なる２種類の材料の組み合わせ（例えば重金属と炭素）で人工格子を作製する場合、基板が１回転する間に第１層と第２層を同じ膜厚だけ堆積しようとすると、スパッタ率の高い方のターゲットの投入電力を、スパッタ率の低い方のターゲットよりも極端に低くする必要がある。このようにすると、投入電力を極端に低くした方のターゲットでは放電が不安定にになりやすく、その堆積層では、膜厚や膜質の再現性が得られなくなる。
【００１０】
また、最近、界面の平滑性を高めるために、窒化物や、炭化物、酸化物などからなる人工格子が検討されているが、これらの人工格子では、反応性スパッタリング法が用いられるため、ターゲット投入電力の最適条件に対する制約はさらに大きくなる。
【００１１】
（２）量産化の観点から人工格子を一度に大量に作製できること、について。前述したスパッタリング法の文献は、研究試作的なデータだけを述べていて、実際に量産化する場合の問題には触れていない。従来技術では、基板を各ターゲットに順に対向するように回転させながら、２個のターゲットを同時に放電させて、同時にシャッターを開放しており、この状態で、基板上に人工格子を作製している。基板上には第１層と第２層を交互に積層する必要があるが、同時にシャッターを開けた場合には、基板と各ターゲットとの相対位置関係が問題になり、基板ホルダーに取り付け可能な基板の個数が少なくなり、一度に大量に人工格子を作製するのが難しい。この点を、図面を用いて説明する。
【００１２】
図１１の（Ａ）は、円筒型の回転基板ホルダー１０の円筒面上に６枚の基板２ａ〜２ｆを取り付けて、２個のターゲット１２、１４を用いて人工格子を作製する従来方法の平面図である。二つのターゲット１２、１４を同時に放電させて、二つのシャッター１６、１８を同時に開くと、基板ホルダー１０が１回転する間に、６枚の基板のそれぞれに、ターゲット１２による第１層とターゲット１４による第２層とが堆積し、Ｎ回転すれば、Ｎ周期の人工格子が完成する。ところで、この図面に示す基板位置のときに二つのシャッター１２、１４を同時に開くと、基板２ａは最初にターゲット１２に対向して第１層の方から堆積が開始するのに対して、基板２ｄは最初にターゲット１４に対向して第２層の方から堆積が開始する。結局、基板２ａ〜２ｃの３枚は、基板上に第１層物質から堆積が開始し、基板２ｄ〜２ｆの３枚は第２層物質から堆積が開始する。すなわち、全く同じ人工格子とはならない。そして、第１層物質と第２層物質のどちらが基板に接触するかによって人工格子の品質が異なる場合があり得る。例えば、基板に接触する膜と基板との相性によって、相互拡散の度合いが異なったり、基板と膜との密着性が異なったりする。このように、二つの層のうちの特定の層を必ず基板に接触させるような要求がある場合、図１１の（Ａ）に示すような基板配置ではうまくいかない。同様に、人工格子の最上層（表面層）を特定の層で終わらせるような要求がある場合にも、同時に二つのシャッターを閉じる方法では、やはり、うまくいかない。
【００１３】
これに対して、図１１の（Ｂ）のように、３枚の基板２ａ〜２ｃだけにすると、二つのシャッター１６、１８の同時開閉でも、すべての基板について第１層と第２層の配列を全く同じにすることができる。ただし、基板の処理枚数は少なくならざるを得ない。
【００１４】
そこで、この発明の目的は、人工格子を構成する各層の膜厚を精密に制御できて、かつ、一度に大量の人工格子薄膜を作製できるような方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
この発明の人工格子の作製方法は、シャッターの開閉制御を主体とすることに特徴がある。すなわち、この発明は、２種類の堆積層が周期的に繰り返す人工格子を、複数のターゲットをスパッタリングすることによって基板上に作製する方法において、まず、複数のターゲットに順番に対向しながら基板が循環して運動するように基板を一定の速度で移動させるとともに、第１層堆積用ターゲットのためのシャッター（以下、第１シャッターという。）と第２層堆積用ターゲットのためのシャッター（以下、第２シャッターという。）とを閉じた状態で、第１層堆積用ターゲットと第２層堆積用ターゲットにそれぞれ所定の電力を投入する。そして、このような状態において、次のようなシャッター開閉制御を実施している。最初に、基板が第１層堆積用ターゲットの対向位置にないときに第１シャッターを開き、基板が第１層堆積用ターゲットの対向位置を所定回数だけ通過したのちに第１シャッターを閉じる。これにより、基板上に第１層が所定の膜厚だけ堆積する。次に、基板が第２層堆積用ターゲットの対向位置にないときに第２シャッターを開き、基板が第２層堆積用ターゲットの対向位置を所定回数だけ通過したのちに第２シャッターを閉じる。これにより、第１層の上に、第２層が所定の膜厚だけ堆積する。これで、１周期分の人工格子が完成する。次に、このようなシャッター開閉制御をＮ回だけ繰り返すと、Ｎ周期の人工格子が完成する。
【００１６】
第１層堆積用ターゲットは、１個に限らず、２個以上のこともある。すなわち、同一種類の２個のターゲットを使って堆積速度を増やすこともあるし、異なる種類のターゲットを用いて基板上に複合材質層を形成することも考えられる。第２層堆積用ターゲットについても同様に、１個に限らない。
【００１７】
人工格子の作製においては、第１層と第２層からなる周期をＮ周期だけ繰り返す必要があるので、基板は複数のターゲットに順番に対向しながら循環して運動する必要がある。この循環運動は、典型的には、基板の回転運動で実現できる。例えば、円筒型や円形平板型の基板ホルダーに基板を取り付けて、この基板ホルダーを回転する。
【００１８】
シャッターの開閉タイミングは、基板がターゲットに対向していない時点にする必要がある。基板上に膜が堆積する期間というのは、基板の一部がターゲットに対向し始めてから、基板がターゲット対向位置から完全に外れるまでの期間である。したがって、シャッターを開くタイミングは、基板の一部がターゲットに対向し始める以前とする。もし、基板の一部がターゲットに対向し始めてからシャッターを開くと、そのときに堆積し始めた堆積層は、目的の堆積膜厚より小さくなってしまう。シャッターを閉じるタイミングも、同様に、基板が完全にターゲット対向位置を通過したのちである。
【００１９】
基板が元の位置に戻るまでの経過時間を、以下、循環所要時間と呼ぶことにすると、回転式の基板ホルダーにあっては、循環所要時間は基板ホルダーが１回転する時間に相当する。以下、回転基板ホルダーを例にとって説明する。基板ホルダーが１回転する間に、基板は第１層ターゲットの対向位置を１回だけ通過し、その間に、所定の膜厚だけ第１層が堆積する。この堆積膜厚が第１層必要膜厚に等しければ、基板ホルダーが１回転したのちに第２層の堆積段階に移行すればよい。もし、１回転する間の第１層堆積膜厚が第１層必要膜厚より小さければ、基板ホルダーを２回転以上させて、必要膜厚に達するまで第１層堆積段階を継続する必要がある。この説明から分かるように、基板ホルダーが１回転する間に堆積する膜厚は、各層の必要膜厚の整数分の１（必要膜厚に等しい場合を含む）にする必要がある。換言すれば、このような条件を満足するように、基板の回転速度とターゲット投入電力を調節する必要がある。基板の回転速度と、ターゲット投入電力と、１回転する間の堆積膜厚、との関係は、あらかじめ実験をして把握しておけばよい。
【００２０】
人工格子は、典型的には、２種類の層をＮ周期だけ繰り返して作製するが、３種類以上の層をＮ周期だけ繰り返すような人工格子を作製する場合にも、２種類の層の場合と同様の方法で作製できる。
【００２１】
【作用】
回転基板ホルダーを使う場合を例にして作用を説明する。まず、すべてのターゲットにそれぞれ所定の電力を投入した状態で、基板ホルダーを一定速度で回転させておく。最初に、第１シャッターを開いて基板ホルダーを１回転または２回転以上させてから第１シャッターを閉じることにより、基板上に所定の膜厚の第１層を堆積する。次に、第２シャッターを開いて基板ホルダーを１回転または２回転以上回転させてから第２シャッターを閉じることにより、基板上に所定の膜厚の第２層を堆積する。これにより、１周期分の人工格子が完成する。このような第１層と第２層の堆積作業を、Ｎ回繰り返すことにより、Ｎ周期の人工格子が完成する。
【００２２】
【実施例】
図１は、この発明の一実施例を示す平面配置図であり、基板とターゲットとシャッターとの配置関係を示している。この実施例は、２．５ｎｍの厚さの窒化バナジウムの層と、２．５ｎｍの厚さの窒化炭素の層からなる１周期を、３０周期だけ堆積した人工格子を作製するものである。この人工格子を、［ＶＮx （２．５ｎｍ）／ＣＮx （２．５ｎｍ）］30と表現することにする。
【００２３】
図１の（Ａ）において、円筒型の基板ホルダー１０の円筒面上には６個の基板２ａ〜２ｆが取り付けられている。この基板ホルダー１０は円筒面の中心線の回りを２ｒｐｍの回転速度で回転する。第１ターゲット１２はバナジウム、第２ターゲット１４は炭素であって、窒素ガス雰囲気中でこれらのターゲットをスパッタリングすることによって、基板上に窒化バナジウムと窒化炭素を堆積することができる。まず、１００％窒素ガスの圧力を１Ｐａに保って、第１ターゲット１２に１８５Ｗの高周波電力を投入し、第２ターゲット１４に２４０Ｗの高周波電力を投入する。二つのシャッター１６、１８は閉じた状態にある。
【００２４】
６個の基板のうちの特定の基板２ａ（この基板を基準基板と呼ぶことにする。）が、第１ターゲット１２に対向し始める手前の位置にきたときに、第１シャッター１６を開く。すると、この基板２ａがターゲット１２の対向位置を通過する間に、基板２ａには窒化バナジウムが０．６２５ｎｍの厚さで堆積する。その次の基板２ｂがターゲット１２の対向位置を通過する間にも、同様に、この基板２ｂに窒化バナジウムが同じ厚さだけ堆積する。このようにして、基準基板２ａが図１の（Ａ）に示す元の位置に戻るまでの間（すなわち基板ホルダー１０が１回転する間）に、６枚の基板２ａ〜２ｆのそれぞれに０．６２５ｎｍの厚さの窒化バナジウムが堆積する。
【００２５】
このような状態で、基板ホルダー１０をさらに３回転（すなわち、合計４回転）させると、６枚の基板のそれぞれに、０．６２５×４＝２．５ｎｍの窒化バナジウムが堆積する。これで第１層の堆積が終了する。そして、基板ホルダー１０が４回転して、図１の（Ａ）に示す基板位置（以下、Ａ位置と呼ぶ。）に戻ったときに、第１シャッター１６を閉じる。
【００２６】
次に、上述のＡ位置から基板ホルダー１０がさらに半回転（１８０度）だけ回転すると、図１の（Ｂ）に示す基板位置（以下、Ｂ位置と呼ぶ。）となる。このＢ位置では、基準基板２ａが、第２ターゲット１４に対向し始める手前の位置にある。このときに第２シャッター１８を開く。基板２ａがターゲット１４の対向位置を通過する間に、基板２ａには窒化炭素が２．５ｎｍの厚さで堆積する。その次の基板２ｂがターゲット１４の対向位置を通過する間にも、この基板２ｂに窒化炭素が同じ厚さだけ堆積する。このようにして、基準基板２ａがＢ位置に戻るまでの間（すなわち基板ホルダー１０が１回転する間）に、６枚の基板２ａ〜２ｆのそれぞれに２．５ｎｍの厚さの窒化炭素が堆積する。そして、基準基板２ａがＢ位置に戻ったときに、第２シャッター１８を閉じる。これで、第２層の堆積が終了する。
【００２７】
第２層の堆積が終了した時点のＢ位置から、さらに基板ホルダー１０が半回転すると、基板位置はＡ位置に戻る。これで、１周期分の堆積作業が完了して、１サイクルが終了する。１周期分の堆積作業において、基板ホルダーの回転回数は、第１層堆積作業の４回転と、Ａ位置からＢ位置に移る半回転と、第２層の堆積作業の１回転と、Ｂ位置からＡ位置に戻るまでの半回転、の合計で６回転となる。以上の第１層と第２層の堆積作業を３０回繰り返すことにより、目的の人工格子［ＶＮx （２．５ｎｍ）／ＣＮx （２．５ｎｍ）］30が完成する。
【００２８】
図２は、上述した手順をグラフ化したタイミングチャートである。バナジウムターゲットのシャッター（Ｖシャッター）は基板ホルダーがＡ位置からＡ位置まで４回転する間だけ開いており、また、炭素ターゲットのシャッター（Ｃシャッター）は基板ホルダーがＢ位置からＢ位置まで１回転する間だけ開いている。スタートしてから最初の４回転の間に、窒化バナジウムが２．５ｎｍだけ堆積する。また、基板ホルダーが４．５回転目から５．５回転目の間に窒化炭素が２．５ｎｍだけ堆積する。このようにして基板ホルダーが６回転することで１周期分の作業（１サイクル）が終了する。これを３０サイクル実施するので、基板ホルダーの回転回数は合計で１８０回転となる。基板ホルダーの回転速度は２ｒｐｍなので、全体の所要時間は９０分である。
【００２９】
ところで、図２において、膜厚の増加グラフの時間軸は、基準基板２ａの膜厚について示してある。その次の基板２ｂについては、破線２０で示すように、基準基板より６分の１回転だけ遅れて膜が堆積していく。いずれにしても、基準基板がＡ位置からＡ位置に戻る１回転の間に、６枚の基板すべてについて、いずれかの時点で膜が堆積する。
【００３０】
次に、シャッターを開閉するタイミングについて詳しく説明する。図１の（Ａ）において、第１ターゲット１２に対向する領域Ｌでは、ターゲットでスパッタリングされた粒子が多く飛来する。したがって、この領域Ｌに基板が存在しないような基板位置のときに、第１シャッター１６を開閉する必要がある。もし、この領域Ｌに基板の一部でも入っているときに、第１シャッター１６を開いたり閉じたりすると、この基板が第１ターゲット１６の対向位置を通過する間に基板上に堆積する窒化バナジウムの膜厚は、予定した０．６２５ｎｍよりも小さくなってしまう。これは、第２シャッターの開閉タイミングについても同様である。
【００３１】
この実施例では、基板ホルダー１０に６枚の基板を等配で取り付けているので、どの基板を基準基板としても、Ａ位置とＢ位置とにおいて、すべての基板がターゲット対向位置に存在しないような配置となる。もし基準基板を特定の基板２ａだけに限定すれば、基準基板２ａとその手前の基板２ｆとの間を領域Ｌ以上に離しておきさえすれば、その他の基板間隔は領域Ｌよりも狭くしても構わない。こうすれば、より多くの基板を基板ホルダーに取り付けることができ、量産性が向上する。
【００３２】
なお、図１の（Ａ）では領域Ｌをほぼターゲットの寸法と同程度に描いてあるが、実際には、領域Ｌはターゲットの寸法よりもある程度大きくする必要がある。スパッタリングされた粒子はターゲットの正面以外の方向にも飛んでいくからである。結局、ターゲット対向位置の領域Ｌは、膜厚制御に実質的に影響を及ぼすだけの粒子量が飛来する領域、と言うことができる。
【００３３】
図３は人工格子作製装置の全体構成を示す平面断面図である。この装置は、いわゆるカルーセル型の回転基板ホルダー１０を備えるものであり、基板とターゲットとシャッターとの配置関係は上述の図１に示した通りである。この装置は、直径３インチの円形ターゲット１２，１４を、円周上の１８０度離れた位置に、対向して配置している。各ターゲットには、整合回路２２と高周波電源２４が接続されている。ターゲット１２，１４と基板ホルダー１０の間には、それぞれ独立にシャッター１６，１８があり、シャッター駆動機構２６，２８によって駆動されて開閉する。シャッター駆動機構２６，２８は、５ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧縮空気の制御により駆動される。
【００３４】
基板２を取り出すときは、基板搬送機構３０を用いることにより、処理室すなわち真空容器３２を大気にすることなく、基板２を外部に取り出すことができる。スパッタリングガスとしては、２種類のガスを使用できる構造になっており、例えば、アルゴンガスか窒素ガス、または両方の混合ガスを用いることができる。スパッタリングガスは、マスフローメーター（図示せず）で流量制御しながら、リング状パイプ３４に供給することができ、このリング状パイプ３４の複数のガス吹き出し孔から真空容器３２内にガスが導入される。
【００３５】
この装置を用いて上述のような人工格子を作製するには、まず、真空容器３２内を１０-5Ｐａ以下の真空状態に排気してから、１００％の窒素ガスを導入し、マスフローメーターと主排気系メインバルブを調整することにより真空容器３２内の圧力を１Ｐに保つ。基板回転速度は２ｒｐｍに保つ。この状態で、上述のようなシャッター開閉制御を実施して人工格子を作製する。
【００３６】
図４はシャッター開閉制御系を示した分解斜視図である。基板回転モータ３６の回転は回転導入機３８に伝達され、この回転導入機３８の下端に固定された円筒型の基板回転ホルダー１０は、矢印３８の方向に回転する。この基板ホルダー１０には上述のように６枚の基板２が取り付けられている。さらに、回転導入機３８には円板４０が固定され、この円板４０には１本のセンサー棒４２が固定されている。したがって、このセンサー棒４２も基板ホルダー１０と同じ回転速度で回転する。一方、真空容器に固定された中空円板４４には、２組のフォトセンサー４６，４８が、円周上で１８０度の角度だけ離れて設置されている。センサー棒４２がフォトセンサー４６，４８を通過すると、そのことがフォトセンサーで検知されるようになっている。そして、図１の（Ａ）に示す基板位置（Ａ位置）のときに、ちょうどセンサー棒４２が第１のフォトセンサー４６を通過するように、センサー棒４２と基板ホルダー１０の位置関係が定められている。また、図１の（Ｂ）に示す基板位置（Ｂ位置）のときには、センサー棒４２が第２のフォトセンサー４８を通過する。
【００３７】
フォトセンサー４６，４８の出力は、基板位置検出装置５０に送られて基板位置が検出される。この基板位置検出装置５０の出力は、コンピュータ５２に送られ、そのディスプレイ上には、センサー棒４２の位置が表示されるようになっている。ディスプレイ上の円周上の黒点５４はセンサー棒４２の位置を示している。基板ホルダー１０が回転すると、この黒点５４もディスプレイ上を円運動する。また、コンピュータ５２は、基板位置検出装置５０の出力をもとにして、基板ホルダー１０の回転速度と回転回数を計算して、これを表示することができる。
【００３８】
コンピュータ５２からはシャッター開閉信号がシャッター制御装置５６に出力され、このシャッター制御装置５６は電磁弁５８にオンオフ信号を送っている。これにより、電磁弁５８で空気圧制御が実施されて、図３のシャッター駆動機構２６，２８が開閉制御される。このようにして、基板ホルダー１０の回転と、シャッター１６，１８の開閉とのタイミングが制御される。
【００３９】
次に、ターゲット投入電力の決定方法について説明する。３ｄ遷移金属元素の窒化物の層と窒化炭素の層からなる人工格子は、軟Ｘ線光学材料への応用が有望視されており、図５のグラフは、この種の人工格子を作製する場合に使われる各種の窒化物の堆積速度を示したものである。スパッタリング条件は、図３に示す装置において、１００％窒素ガスの圧力を１Ｐａにして、基板ホルダーの回転速度を２ｒｐｍとした。ターゲットとして、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｖ，Ｃ，Ｎｉの５種類について実験をし、回転する基板上にそれぞれの窒化物が堆積するときの堆積速度を測定した。なお、堆積速度は、基板がターゲットに対向しているときと対向していないときのすべての時間を含んだ場合での平均値である。図５の横軸がターゲット投入電力、縦軸が堆積速度である。
【００４０】
ところで、人工格子の第１層または第２層として、ある窒化物層を２．５ｎｍだけ堆積させるには、基板の１回転当たりの堆積厚さを、２．５ｎｍか、あるいはその整数分の１にする必要がある。これを堆積速度に換算すると、基板は１分間に２回転するから、堆積速度を５．０ｎｍ／ｍｉｎか、あるいはその整数分の１にする必要がある。図５において、堆積速度が５．０ｎｍ／ｍｉｎのところに破線を引いてある。窒化物層を２．５ｎｍとする場合には、これより大きい堆積速度は使えないことになる。したがって、５．０ｎｍ／ｍｉｎと同じか、その整数分の１の堆積速度となるように、ターゲット電力を選択すればよい。例えば、バナジウムターゲットの場合、１８５Ｗの高周波電力を投入すると、１．２５ｎｍ／ｍｉｎの堆積速度が得られ、これは５．０ｎｍ／ｍｉｎの４分の１となる。したがって、このターゲット電力で窒化バナジウムを堆積すると、基板が１回転する間に、０．６２５ｎｍだけ堆積し、４回転で２．５ｎｍの厚さとなる。また、炭素ターゲットの場合、２４０Ｗの高周波電力を投入すると５．０ｎｍ／ｍｉｎの堆積速度が得られる。したがって、このターゲット電力で窒化炭素を堆積すると、基板が１回転する間に２．５ｎｍの厚さとなる。このようなターゲット電力を用いて［ＶＮx （２．５ｎｍ）／ＣＮx （２．５ｎｍ）］30の人工格子を作製したのが、上述の図２に示した実施例である。
【００４１】
次に、第２実施例として、［ＣｒＮx （２．５ｎｍ）／ＣＮx （２．５ｎｍ）］30の人工格子を作製する手順を説明する。図１において、ターゲット１２をクロムとし、これに１９０Ｗの高周波電力を投入して、窒化クロムの堆積速度を２．５ｎｍ／ｍｉｎに設定した。また、ターゲット１４を炭素として、これに２４０Ｗの高周波電力を投入して、窒化炭素の堆積速度を５．０ｎｍ／ｍｉｎに設定した。窒素ガスの圧力や基板回転速度は第１実施例と同じである。図６はこの場合の手順を示すタイミングチャートである。Ａ位置でクロムターゲットのシャッターを開き、２回転したらこのシャッターを閉じる。これにより、１回転当たり１．２５ｎｍの窒化クロムが堆積し、２回転で合計２．５ｎｍとなる。次に、Ｂ位置で炭素ターゲットのシャッターを開き、１回転して元のＢ位置に戻ったら、このシャッターを閉じる。これにより２．５ｎｍの窒化炭素が堆積する。これで１周期分の人工格子が出来上がる。この作業を３０サイクル実施する。この実施例では、基板ホルダーが４回転して１サイクルとなるので、全体の所要時間は６０分である。
【００４２】
次に、第３実施例として、［Ｃｕ3 Ｎx （２．５ｎｍ）／ＣＮx （２．５ｎｍ）］30の人工格子を作製する手順を説明する。図１において、ターゲット１２を銅とし、これに６５Ｗの高周波電力を投入して、窒化銅の堆積速度を５．０ｎｍ／ｍｉｎに設定した。また、ターゲット１４を炭素として、これに２４０Ｗの高周波電力を投入して、窒化炭素の堆積速度を５．０ｎｍ／ｍｉｎに設定した。窒素ガスの圧力や基板回転速度は第１実施例と同じである。図７はこの場合の手順を示すタイミングチャートである。Ａ位置で銅ターゲットのシャッターを開き、１回転して元のＡ位置に戻ったら、このシャッターを閉じる。これにより、２．５ｎｍの窒化銅が堆積する。次に、Ｂ位置で炭素ターゲットのシャッターを開き、１回転して元のＢ位置に戻ったら、このシャッターを閉じる。これにより２．５ｎｍの窒化炭素が堆積する。これで１周期分の人工格子が出来上がる。この作業を３０サイクル実施する。この実施例では、基板ホルダーが３回転して１サイクルとなるので、全体の所要時間は４５分である。
【００４３】
次に、第４実施例として、［ＮｉＮx （２．５ｎｍ）／ＣＮx （２．５ｎｍ）］30の人工格子を作製する手順を説明する。図１において、ターゲット１２をニッケルとし、これに１６５Ｗの高周波電力を投入して、窒化ニッケルの堆積速度を５．０ｎｍ／ｍｉｎに設定した。また、ターゲット１４を炭素として、これに２４０Ｗの高周波電力を投入して、窒化炭素の堆積速度を５．０ｎｍ／ｍｉｎに設定した。窒素ガスの圧力や基板回転速度は第１実施例と同じである。シャッター開閉手順は図７に示した場合と全く同じになり、Ａ位置からＡ位置までの１回転で窒化ニッケルが２．５ｎｍだけ堆積し、Ｂ位置からＢ位置までの１回転で窒化炭素が２．５ｎｍだけ堆積する。したがって、全体の所要時間は、第３実施例と同じで４５分である。
【００４４】
次に、第５実施例として、［ＣｒＮx （２．５ｎｍ）／ＣＮx （２．５ｎｍ）］30の人工格子を作製する手順を説明する。この人工格子は、第２実施例（図６のタイミングチャート）で作製したものと同じであるが、クロムターゲットを２個使う点が異なっている。図８は、第５実施例におけるターゲットと基板とシャッターの配置関係を示す平面図である。図１の配置と異なる点は、２個のターゲット１２，１４のほかに、第３のターゲット１３が配置されている点である。このターゲット１３は、ターゲット１２に対して円周上で６０度だけ離れた位置にある。当然、センサー棒を検出するための第３のフォトセンサーも、Ａ位置を検出するためのフォトセンサーから６０度離れた位置に、追加して設置してある。
【００４５】
ターゲット１２と１３はクロムであり、その両方に１９０Ｗの高周波電力を投入して、個々のクロムターゲットによる窒化クロムの堆積速度を２．５ｎｍ／ｍｉｎに設定した。また、ターゲット１４は炭素であり、これに２４０Ｗの高周波電力を投入して、窒化炭素の堆積速度を５．０ｎｍ／ｍｉｎに設定した。窒素ガスの圧力は１Ｐａであり、基板回転速度は２ｒｐｍである。まず、３個のシャッター１６，１７，１８を閉じた状態にしておく。
【００４６】
最初に、図８の（Ａ）において、基準基板２ａがＡ位置にきたときに第１シャッター１６を開き、この基準基板２ａが第１ターゲット１２の対向位置を通過する間に、窒化クロムを１．２５ｎｍの厚さで堆積する。そして、すぐその後に、（Ｃ）に示すように、基準基板２ａが第３ターゲット１３の手前にきたとき（この位置をＣ位置と呼ぶことにする。）に第３シャッター１７も開いて、この基準基板２ａに、引き続いて窒化クロムを１．２５ｎｍの厚さで堆積する。これにより、基準基板２ａは二つのターゲット１２，１３の対向位置を通過することにより合計で２．５ｎｍの厚さの窒化クロムが堆積する。その後につづく基板にも同様にして窒化クロムが堆積する。基準基板２ａが１回転して元のＡ位置に戻ったときに、第１シャッター１６を閉じ、さらに基準基板２ａがＣ位置に移動したときに第２シャッター１７も閉じる。これにより、すべての基板に２．５ｎｍの窒化バナジウムが堆積する。この状態から、基準基板２ａがさらに、（Ｂ）に示すＢ位置にきたときに、今度は、第２シャッター１８を開く。これにより、基準基板２ａが第２ターゲット１４の対向位置を通過する間に窒化炭素が２．５ｎｍの厚さで堆積する。そして、基準基板２ａがＢ位置まで戻ってきたときに、第２シャッター１８を閉じる。この状態から、さらに基準基板２ａがＡ位置まで戻ったときに、１サイクルが終了する。この１サイクルの間に、基板ホルダー１０は合計３回転している。図９は、この１サイクルの手順を示すタイミングチャートである。この作業を３０サイクル繰り返すことにより目的の人工格子を作製できる。全体の所要時間は４５分である。
【００４７】
以上のように、２個のクロムターゲットと１個の炭素ターゲットを使う（図９のタイミングチャート）と、１個のクロムターゲットと１個の炭素ターゲットを使う場合（図６のタイミングチャート）に比べて、全体の所要時間が６０分から４５分に短縮される。成膜時間の短縮には、このようにターゲットの個数を増やすのが効果的である。また、ターゲット投入電力を増加させることで堆積時間を短縮することも当然可能であり、その場合は、基板ホルダーが１回転することで必要膜厚（またはその整数分の１）が堆積するように、基板ホルダーの回転数の方も増加させればよい。本実施例の装置では、基板回転速度を８ｒｐｍまで増加させることができる。
【００４８】
上述の各実施例で特徴的なことは、堆積速度の比較的大きいターゲット（銅やニッケルや炭素）では、基板ホルダーの１回転だけで必要膜厚が堆積できるようにターゲット投入電力を設定し、一方、堆積速度の比較的小さいターゲット（バナジウムやクロム）では、基板ホルダーを複数回回転させることによって必要膜厚が堆積できるようにターゲット投入電力を設定している点である。これにより、すべてのターゲットに対して、堆積速度が比較的安定した電力領域を使うことができ、膜厚の精度を０．１ｎｍのレベルで制御することが可能となった。
【００４９】
この発明は上述の実施例に限定されず、次のような変更が可能である。
【００５０】
（１）センサー棒を検出するためのフォトセンサーを２組または３組設けずに、１組だけとしてもよい。この場合、例えばＡ位置だけをフォトセンサーで検出して、ほかのＢ位置またはＣ位置は、Ａ位置から１８０度または６０度だけ回転した位置にあるものとして、コンピュータで計算する。
【００５１】
（２）窒化物の人工格子に限らずに、ほかの材料からなる人工格子の作製方法にも本発明は適用できる。
【００５２】
（３）３種類の層からなる人工格子を作製する場合には、上述の第１層と第２層の堆積段階の後に、第３層の堆積段階を加えて、これを１サイクルとすればよい。
【００５３】
（４）図１０に示すように、円形の平板型基板ホルダーを用いてもよい。この図示の例では、２個のターゲット６０，６２と基板ホルダー６４が平行に対向していて、基板ホルダー６４の回転軸が基板面に垂直になる。基板ホルダー６４には４個の基板６６が取り付けられ、この基板ホルダー６４が矢印６８の方向に一定速度で回転する。ターゲット６０，６２と基板ホルダー６４の間には個別にシャッター（図示せず）が配置され、これらのシャッターの開閉を制御することによって人工格子を作製することができる。その作製手順は、基本的には、円筒型の基板ホルダーを用いた場合と同様である。
【００５４】
【発明の効果】
この発明の人工格子の作製方法は、堆積速度の大きく異なる２種類の層を交互に堆積する場合であっても、シャッターの開閉タイミングを制御することによって、すべてのターゲットについて、堆積速度の安定した投入電力領域が使用でき、精密な膜厚制御が可能となる。また、基板配置に制約が少なくなり、生産性も向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例を示す平面配置図である。
【図２】この発明の一実施例の手順を示すタイミングチャート。
【図３】人工格子作製装置の全体構成を示す平面断面図である。
【図４】シャッター開閉制御系を示した分解斜視図である。
【図５】人工格子を構成する各種の窒化物の堆積速度を示すグラフである。
【図６】第２実施例の手順を示すタイミングチャートである。
【図７】第３実施例の手順を示すタイミングチャートである。
【図８】第５実施例におけるターゲットと基板とシャッターの配置関係を示す平面図である。
【図９】第５実施例の手順を示すタイミングチャートである。
【図１０】平板型の基板ホルダーを用いる場合の斜視図である。
【図１１】従来方法を示す平面配置図である。
【符号の説明】
１０ 基板ホルダー
１２ 第１ターゲット
１４ 第２ターゲット
１６ 第１シャッター
１８ 第２シャッター
２ａ〜２ｆ 基板
Ｌ ターゲット対向位置の領域
Claims (9)
- ２種類の堆積層が周期的に繰り返す人工格子を、複数のターゲットをスパッタリングすることによって基板上に作製する方法において、
複数のターゲットに順番に対向しながら基板が循環して運動するように基板を一定の速度で移動させる段階と、
第１層堆積用ターゲットのためのシャッター（以下、第１シャッターという。）と第２層堆積用ターゲットのためのシャッター（以下、第２シャッターという。）とを閉じた状態で、第１層堆積用ターゲットと第２層堆積用ターゲットにそれぞれ所定の電力を投入する段階と、
基板が第１層堆積用ターゲットの対向位置にないときに前記第１シャッターを開く段階と、
基板が第１層堆積用ターゲットの対向位置を所定回数だけ通過したのちに前記第１シャッターを閉じる段階と、
基板が第２層堆積用ターゲットの対向位置にないときに前記第２シャッターを開く段階と、
基板が第２層堆積用ターゲットの対向位置を所定回数だけ通過したのちに前記第２シャッターを閉じる段階と、
前記第１シャッターを開く段階から前記第２シャッターを閉じる段階までを所定回数だけ繰り返す段階とを備えることを特徴とする人工格子の作製方法。 - 移動可能な基板ホルダーに複数の基板を取り付けて、この複数の基板上に同時に人工格子を作製することを特徴とする請求項１記載の人工格子の作製方法。
- すべての基板がいずれのターゲットにも対向しない状態が可能なように、前記基板ホルダーに複数の基板を取り付けることを特徴とする請求項２記載の人工格子の作製方法。
- 基板が元の位置に戻るまでの経過時間（以下、循環所要時間という。）中に第１層堆積用ターゲットによって基板上に堆積できる膜厚が第１層の必要膜厚の整数分の１となるように、かつ、前記循環所要時間中に第２層堆積用ターゲットによって基板上に堆積できる膜厚が第２層の必要膜厚の整数分の１となるように、基板の移動速度と第１層堆積用ターゲットの投入電力と第２層堆積用ターゲットの投入電力とを調節することを特徴とする請求項１記載の人工格子の作製方法。
- 前記循環所要時間中における第１層または第２層の堆積膜厚が、その層の必要膜厚と等しくなるように、基板の移動速度と第１層堆積用ターゲットの投入電力と第２層堆積用ターゲットの投入電力とを調節することを特徴とする請求項１記載の人工格子の作製方法。
- 円筒型の基板ホルダーの円筒面に基板を取り付けて、この基板ホルダーを前記円筒面の中心線の回りに回転させることを特徴とする請求項１または２に記載の人工格子の作製方法。
- 平板型の基板ホルダーに基板を取り付けて、この基板ホルダーをその平面に垂直な軸線の回りに回転させることを特徴とする請求項１または２に記載の人工格子の作製方法。
- 第１層堆積用ターゲットと第２層堆積用ターゲットの少なくとも一方が、複数のターゲットであることを特徴とする請求項１記載の人工格子の作製方法。
- ｎ（ｎは３以上の整数）種類の堆積層が周期的に繰り返す人工格子を、複数のターゲットをスパッタリングすることによって基板上に作製する方法において、
複数のターゲットに順番に対向しながら基板が循環して運動するように基板を一定の速度で移動させる段階と、
すべてのターゲットに対して、それぞれのシャッターを閉じた状態で、それぞれ所定の電力を投入する段階と、
基板が第１層堆積用ターゲットの対向位置にないときに第１層堆積用ターゲットのためのシャッター（以下、第１シャッターという。）を開く段階と、
基板が第１層堆積用ターゲットの対向位置を所定回数だけ通過したのちに前記第１シャッターを閉じる段階と、
第２層堆積用ターゲットから第ｎ層堆積用ターゲットまでのそれぞれについて、順番に、上述の第１層堆積用ターゲットの場合と同様にシャッターを開く段階から閉じる段階までを実施する段階と、
前記第１シャッターを開く段階から第ｎ層堆積用ターゲットのためのシャッターを閉じる段階までを所定回数だけ繰り返す段階とを備えることを特徴とする人工格子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17971994A JP3660698B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 人工格子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17971994A JP3660698B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 人工格子の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0826898A JPH0826898A (ja) | 1996-01-30 |
| JP3660698B2 true JP3660698B2 (ja) | 2005-06-15 |
Family
ID=16070680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17971994A Expired - Fee Related JP3660698B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 人工格子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3660698B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006124778A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
-
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- 1994-07-08 JP JP17971994A patent/JP3660698B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0826898A (ja) | 1996-01-30 |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041109 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050318 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
| S533 | Written request for registration of change of name |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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