JPH04259370A - 真空薄膜形成装置 - Google Patents
真空薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH04259370A JPH04259370A JP1755191A JP1755191A JPH04259370A JP H04259370 A JPH04259370 A JP H04259370A JP 1755191 A JP1755191 A JP 1755191A JP 1755191 A JP1755191 A JP 1755191A JP H04259370 A JPH04259370 A JP H04259370A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- thin film
- sputtering
- substrate
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 27
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、数十〜数百Åの極薄膜
で構成された積層膜の膜厚均一性の向上を計った真空薄
膜形成装置に関する。
で構成された積層膜の膜厚均一性の向上を計った真空薄
膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の真空薄膜形成装置について
図面を参照して説明する。図２は従来の真空薄膜形成装
置の一つであるスパッタリング装置の構成図で、図３は
シャッター部のみを正面から見た図である。図２におい
て、１は真空槽、２はターゲット３より飛んでくる成膜
材料をカバーするシャッターである。４はターゲット３
より飛んでくる成膜材料をつける基板である。なお、ガ
ス導入および真空排気系の図は省略してある。
図面を参照して説明する。図２は従来の真空薄膜形成装
置の一つであるスパッタリング装置の構成図で、図３は
シャッター部のみを正面から見た図である。図２におい
て、１は真空槽、２はターゲット３より飛んでくる成膜
材料をカバーするシャッターである。４はターゲット３
より飛んでくる成膜材料をつける基板である。なお、ガ
ス導入および真空排気系の図は省略してある。
【０００３】以上のように構成されたスパッタリング装
置について以下その動作について説明する。
置について以下その動作について説明する。
【０００４】図３においてシャッター２はターゲット３
の表面の不純物を取り除き、放電が安定するまで行うプ
リスパッタ時には基板４へのスパッタ粒子の付着を防止
する目的を有しており、成膜を行う本スパッタ時以外は
ターゲット３を覆う位置にある。シャッター２はプリス
パッタが終了し、成膜を開始する時にはモータあるいは
シリンダー等の駆動源（図示せず）により矢印６の方向
へと開く。成膜終了時には矢印５の方向へ閉じ元の位置
へと戻る。また積層膜の場合はこの繰り返しを行う。
の表面の不純物を取り除き、放電が安定するまで行うプ
リスパッタ時には基板４へのスパッタ粒子の付着を防止
する目的を有しており、成膜を行う本スパッタ時以外は
ターゲット３を覆う位置にある。シャッター２はプリス
パッタが終了し、成膜を開始する時にはモータあるいは
シリンダー等の駆動源（図示せず）により矢印６の方向
へと開く。成膜終了時には矢印５の方向へ閉じ元の位置
へと戻る。また積層膜の場合はこの繰り返しを行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、生成するスパッタ膜の膜厚が厚く、成膜
時間がシャッターの駆動時間より充分長い場合には基板
内膜厚均一性に問題はない。
来の構成では、生成するスパッタ膜の膜厚が厚く、成膜
時間がシャッターの駆動時間より充分長い場合には基板
内膜厚均一性に問題はない。
【０００６】しかしながら膜厚が数十〜数百Åの極薄膜
による積層膜の場合、図２のような単純なシャッター開
閉動作の繰り返しでは最初に開き始める側が閉じるとき
までの成膜時間が長くなるため、シャッター駆動方向に
対して膜厚分布が不均一になるという課題を有していた
。
による積層膜の場合、図２のような単純なシャッター開
閉動作の繰り返しでは最初に開き始める側が閉じるとき
までの成膜時間が長くなるため、シャッター駆動方向に
対して膜厚分布が不均一になるという課題を有していた
。
【０００７】そこで本発明は、数十〜数百Åの極薄膜に
よる積層膜の膜厚均一性を改善する真空薄膜形成装置を
提供することを目的とする。
よる積層膜の膜厚均一性を改善する真空薄膜形成装置を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、真空薄膜形成装置のシャッター機構の開閉
動作が左右二方向である構成と、そのシャッターの機構
に平行リンクを用いた構成による。
するために、真空薄膜形成装置のシャッター機構の開閉
動作が左右二方向である構成と、そのシャッターの機構
に平行リンクを用いた構成による。
【０００９】
【作用】本発明は上記構成により、シャッター機構の開
閉動作が左右二方向であるので、薄膜形成用基板上の、
シャッターの開いている時間、すなわち成膜時間が平均
化され、数十〜数百Åの極薄膜による積層膜の膜厚均一
性を改善することができる。またシャッターの機構に平
行リンクを用いるため、真空槽の大きさを最小限に抑え
ることができる。
閉動作が左右二方向であるので、薄膜形成用基板上の、
シャッターの開いている時間、すなわち成膜時間が平均
化され、数十〜数百Åの極薄膜による積層膜の膜厚均一
性を改善することができる。またシャッターの機構に平
行リンクを用いるため、真空槽の大きさを最小限に抑え
ることができる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
【００１１】全体の構成図としては、従来例の図３とま
ったく同一であるので省略する。すなわち本発明の特徴
は図１に示すようにシャッター部にある。図１はシャッ
ター部のみを正面から見た図である。従来例と同様３は
ターゲットで、７は新型シャッターである。この新型シ
ャッター７は平行リンク機構を用いている。
ったく同一であるので省略する。すなわち本発明の特徴
は図１に示すようにシャッター部にある。図１はシャッ
ター部のみを正面から見た図である。従来例と同様３は
ターゲットで、７は新型シャッターである。この新型シ
ャッター７は平行リンク機構を用いている。
【００１２】以上のように構成された真空薄膜形成装置
について以下その動作について説明する。
について以下その動作について説明する。
【００１３】図１において、プリスパッタ時の動作まで
は従来と同様であるが、本スパッタ時に第一層目は新型
シャッター７をシャッター開方向８に開ける。一定量の
スパッタが終了すると新型シャッター７を閉じる。次に
第二層目はシャッター開方向９に新型シャッター７を開
ける。また一定量のスパッタが終了すると閉じる。上記
の動作を繰り返し行う。
は従来と同様であるが、本スパッタ時に第一層目は新型
シャッター７をシャッター開方向８に開ける。一定量の
スパッタが終了すると新型シャッター７を閉じる。次に
第二層目はシャッター開方向９に新型シャッター７を開
ける。また一定量のスパッタが終了すると閉じる。上記
の動作を繰り返し行う。
【００１４】以上のように本実施例によれば、膜厚が数
十〜数百Åと極めて薄い膜を積層する場合においても前
記シャッター動作を繰り返すことにより、積層膜の膜厚
不均一性への影響をなくすことができ、膜厚分布が改善
できる。
十〜数百Åと極めて薄い膜を積層する場合においても前
記シャッター動作を繰り返すことにより、積層膜の膜厚
不均一性への影響をなくすことができ、膜厚分布が改善
できる。
【００１５】なお実施例としてスパッタリング装置を例
にあげたが、これはその他の真空薄膜形成装置において
積層膜を必要とするものすべてに応用できる。
にあげたが、これはその他の真空薄膜形成装置において
積層膜を必要とするものすべてに応用できる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明は、シャッター機構
の開閉動作が左右二方向であるので、薄膜形成用基板上
の、シャッターの開いている時間すなわち成膜時間が平
均化され、積層膜の膜厚の均一性を向上できる真空薄膜
形成装置を提供できる。
の開閉動作が左右二方向であるので、薄膜形成用基板上
の、シャッターの開いている時間すなわち成膜時間が平
均化され、積層膜の膜厚の均一性を向上できる真空薄膜
形成装置を提供できる。
【図１】本発明の一実施例の真空薄膜形成装置のシャッ
ター機構部の正面図
ター機構部の正面図
【図２】従来の真空薄膜形成装置の構成図
【図３】同真
空薄膜形成装置のシャッター機構部の正面図
空薄膜形成装置のシャッター機構部の正面図
３ ターゲット
７ 新型シャッター（シャッター機構）８
開閉方向 ９ 開閉方向
開閉方向 ９ 開閉方向
Claims (2)
- 【請求項１】 ターゲット等の蒸発源に対向した薄膜
形成用基板との間にシャッター機構を少なくとも配置し
た真空薄膜形成装置において、前記シャッター機構の開
閉動作が左右二方向であることを特徴とする真空薄膜形
成装置。 - 【請求項２】 シャッター機構が平行リンクで構成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の真空薄膜形成
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1755191A JPH04259370A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 真空薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1755191A JPH04259370A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 真空薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04259370A true JPH04259370A (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=11947054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1755191A Pending JPH04259370A (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 真空薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04259370A (ja) |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP1755191A patent/JPH04259370A/ja active Pending
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