JPH05234075A

JPH05234075A - 成膜方法及び磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH05234075A
Application number: JP18458192A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Sato; 研一佐藤; Kazunobu Chiba; 一信千葉
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1991-12-28
Filing date: 1992-06-19
Publication date: 1993-09-10

Abstract

(57)【要約】【目的】成膜スピードを高めて、生産効率の向上を図
る。【構成】チャンバー１内で磁性層が形成されたベース
フィルム４を送りロール２から巻取りロール３に向かっ
て順次走行させながら、前記磁性層上に薄膜形成技術に
よって保護膜を成膜する際に、前記ベースフィルム４を
ガイドロール５ａ〜５ｆのみにより支持しながら移動走
行させる。なお、上記薄膜形成技術としては、スパッタ
リング法、ＣＶＤ法等が好適とされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁性層を有するベース
フィルム上に所謂連続巻取り方式により保護膜を形成す
る際に用いて好適な成膜方法及び磁気記録媒体の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】金属あるいはＣｏ−Ｎｉ等の合金からな
る磁性材料をメッキや真空薄膜形成技術（真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法等）により
ポリエステルフィルムやポリイミドフィルム等のベース
フィルム上に直接被着した、所謂強磁性金属薄膜型の磁
気記録媒体は、保磁力、角形比等に優れ、短波長域にお
ける電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層の薄膜
化が可能であるために記録減磁や再生時の厚み損失が著
しく小さいこと、或いは磁性層中に非磁性材料である結
合剤等を混入する必要がないために磁性材料の充填密度
を高くできること等、数々の利点を有している。

【０００３】この強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体にお
いて、一般に磁性層は真空蒸着法により形成されてい
る。この真空蒸着法により磁性層を形成する際には、送
りロールから送り出されたベースフィルムを冷却キャン
の外周面に沿って所定の速度で移動走行させ、このベー
スフィルムを連続的に巻取りロールに巻取りながら該ベ
ースフィルムに対して蒸着を行う、所謂連続巻取り方式
が導入される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体を特にデジタルビデオ
テープレコーダ等に用いる場合には、アナログビデオテ
ープレコーダ等に用いる場合に比べて記録・再生時にド
ラムが高速回転されるので、磁気ヘッドとの摺動による
磁気記録媒体の損傷が大きいことが問題となっている。

【０００５】そこで、従来より、ベースフィルム上に強
磁性金属薄膜を成膜した後に、この強磁性金属薄膜上に
カーボン膜やＳｉＯ₂膜等からなる保護膜を形成し、こ
れにより耐久性を確保しようとしている。

【０００６】この保護膜を成膜する方法としては、例え
ばスパッタリング法やＣＶＤ法等が使用されており、磁
性層の形成工程と同様に連続巻取り方式が採用されてい
る。例えばスパッタリング法により保護膜を形成する場
合には、図４に示すように、真空室５１内に所定の温度
に冷却（又は加熱）された大径のキャン５２が配設さ
れ、このキャン５２の周囲に複数のターゲット５３が配
設される。そして、送りロール５４から送り出された磁
気テープ５６を上記キャン５２の外周面に沿って順次走
行されながら、上記ターゲット５３により上記磁気テー
プ５６に対してスパッタリングが行われる。更に、この
保護膜が形成された磁気テープ５６は、順次巻取りロー
ル５５に巻き取られる。

【０００７】なお、上記送りロール５４とキャン５２と
の間にはガイドロール５８ａ，５８ｂが配設され、上記
キャン５２と巻取りロール５５との間にはガイドロール
５９ａ，５９ｂが配設されている。これにより、上記送
りロール５４からキャン５２及びこのキャン５２から巻
取りロール５５に亘って走行する上記磁気テープ５６に
所定のテンションをかけ、該磁気テープ５６が円滑に走
行するようになされている。また、上記真空室５１内
は、該真空室５１の上下面の一部に設けられた排気口５
７，５７より排気され、所定の真空度に保たれる。

【０００８】このような保護膜の成膜に際し、一般にカ
ソード電極への投入電力が一定で且つカソード電極の形
状及び基板との距離が同一である場合には、磁気テープ
の送り速度はターゲットの個数に比例する。従って、生
産効率の向上を図るためには、ターゲットの個数を増や
して成膜スピードを増大させることが有効である。従来
より、ターゲットの個数を増やすためには、上記キャン
の径を大きくするか、或いはキャンの数を増やすことが
必要とされている。しかし、これらの方法では、真空装
置としても非常に大きな構造とすることが要求され、プ
ロセス自体を改善しなければならない。

【０００９】また、実際に上記キャンの周囲に配設する
ことのできるターゲットの個数は、このターゲットの大
きさはもとより上記キャンの径によっても制限される。
これは、上記真空室内で上記キャン自体の占める容積が
大きいためであるが、例えばキャンの直径が６００ｍｍ
の時で、上記ターゲットの個数は７個が限度である。

【００１０】そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、保護膜を始め薄膜形成技術に
よって得られる薄膜の成膜スピードを高めて、生産効率
の向上を図ることが可能な成膜方法及び磁気記録媒体の
製造方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の成膜方法及び磁
気記録媒体の製造方法は、上述の目的を達成するために
提案されたものである。

【００１２】即ち、本発明は、ベースフィルムをチャン
バー内において走行させ、前記ベースフィルム上に薄膜
形成技術によって薄膜を成膜するに際し、前記ベースフ
ィルムをガイドロールのみにより支持し走行させること
を特徴とするものである。

【００１３】また、本発明は、磁性層が形成されたベー
スフィルムをチャンバー内において走行させ、前記磁性
層上に薄膜形成技術によって保護膜を成膜するに際し、
前記ベースフィルムをガイドロールのみにより支持し走
行させることを特徴とするものである。

【００１４】上記磁性層は、強磁性金属材料をメッキや
真空薄膜形成技術（真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法等）によりベースフィルム上に直
接被着せしめることによって得られる。

【００１５】本発明は、上記磁性層の成膜後、この磁性
層上に薄膜形成技術により保護膜を形成する際に用いて
好適とされる。

【００１６】この薄膜形成技術においては、上記磁性層
が形成されたベースフィルムを送り出し側から巻取り側
に向けて順次走行させながら、上記磁性層の表面に対し
て成膜を行う、所謂連続巻取り方式が採用される。

【００１７】この薄膜形成技術による成膜に際し、上記
ベースフィルムを移動走行させる手段として、従来のよ
うに大径のキャンやベルト等の支持物を使用せず、ガイ
ドロールのみを使用する。これにより、製造装置の小型
化及び装置構造の簡略化が図られ、装置が安価になると
同時に、メンテナンス性が向上する。また、製造装置内
に配されるターゲットの個数が従来のようにキャンの径
によって制限されることがないので、ターゲットの個数
を増やして成膜スピードの向上を図ることができる。

【００１８】上記薄膜形成技術としては、スパッタリン
グ法又はＣＶＤ法が好適である。また、この他にも真空
蒸着法が使用可能であるが、この場合には、上記ベース
フィルムとして、耐熱性を有するフィルム材料を使用す
ることが必要となる。

【００１９】なお、上記保護膜の構成材料としては、通
常使用される保護膜材料が何れも使用可能であり、例え
ばＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＮx 、ＢＮ、カーボン、
ＺｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｏＳ₂、ＳｉＯ等が挙げられ
る。

【００２０】また、本発明は、上述のような磁気記録媒
体の製造方法における保護膜の成膜方法に限らず、薄膜
形成技術によって得られる薄膜の成膜方法において広く
適用可能となる。

【００２１】この薄膜形成技術によって得られる薄膜の
構成材料としては、特に限定されるものではない。また
この場合、この薄膜が形成されるベースフィルムとして
は、上記薄膜との組合せにより適宜選定されれば良く、
特に限定されない。

【００２２】なお、本発明の磁気記録媒体の製造方法に
おいて、上記磁性層を構成する強磁性金属材料として
は、通常この種の磁気記録媒体で使用されるものが何れ
も使用可能である。具体的に例示すれば、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ等の磁性金属や、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等が挙げられる。

【００２３】この磁性層が形成されるベースフィルムと
しては、保護膜を真空蒸着法により成膜する場合を除
き、通常この種の磁気記録媒体において使用されるもの
が何れも使用可能である。具体的に例示するならば、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナ
フタレート等のポリエステル樹脂や芳香族ポリアミドフ
ィルム、ポリイミド樹脂フィルム等が挙げられる。

【００２４】更に、この磁気記録媒体の製造方法におい
ては、必要に応じて、上記ベースフィルム上に下塗り膜
を形成する工程やバックコート層、トップコート層等を
形成する工程等を加えても良い。この場合、下塗り膜、
バックコート層、トップコート層等の成膜条件は、通常
この種の磁気記録媒体の製造方法に適用される方法であ
れば良く、特に限定されない。

【００２５】

【作用】通常、磁性層上に保護膜を成膜する際には、磁
性層が成膜されたベースフィルムを送り側から巻取り側
に向かって移動走行させる中途に、所定の温度に冷却
（又は加熱）された大径のキャンを配設し、このキャン
の外周面に沿って上記ベースフィルムを移動走行させな
がら、上記キャンの周囲に配された複数のターゲットに
より上記磁性層に対してスパッタリングを行っている。

【００２６】この時、成膜スピードを高くするために
は、ターゲットの個数を増加させることが要求される
が、上記ターゲットの個数は上記キャンの径に応じて制
限されてしまう。

【００２７】これに対して、本発明のように、上記キャ
ンを配設せず、上記ベースフィルムをガイドロールのみ
で支持しながら移動走行させると、上述のようにキャン
の径による制約を受けることなくターゲットの個数を増
やすことができる。これにより、成膜スピードが向上す
る。

【００２８】

【実施例】以下、本発明を適用した磁気記録媒体の製造
方法の実施例を具体的に説明する。実施例１本実施例は、磁気テープの保護膜の形成工程において、
９つのターゲットが真空室の内壁に沿って略コ字状に配
設されてなる所謂縦型の製造装置を使用した例である。

【００２９】この製造装置においては、図１に示すよう
に、内部が真空状態となされた真空室１内の上方側に図
中の反時計回り方向に定速回転する送りロール２と、図
中の時計回り方向に定速回転する巻取りロール３とが設
けられる。これら送りロール２と巻取りロール３は、上
記真空室１の相対向する側面１ａ，１ｂの近傍にそれぞ
れ配設され、上記送りロール２から巻取りロール３に磁
性層が形成されたベースフィルム４が順次走行するよう
になされている。

【００３０】上記ベースフィルム４が送りロール２から
巻取りロール３に亘って移動走行される中途部には、上
記送りロール２及び巻取りロール３の径よりも小径とな
されたガイドロール５ａ〜５ｆが設けられている。

【００３１】このうち、ガイドロール５ｃ，５ｄは、上
記真空室１内の下方側の上記側面１ａ，１ｂの近傍に配
設され、上記ベースフィルム４を図中下方に引き出すよ
うになされている。

【００３２】また、ガイドロール５ａ，５ｂは、上記送
りロール２とガイドロール５ｃの間に設けられ、ガイド
ロール５ｅ，５ｆは、上記ガイドロール５ｄと巻取りロ
ール３の間に設けられる。

【００３３】そして、上記ガイドロール５ｂ，５ｃ，５
ｄ，５ｅは、これらガイドロール５ｂ，５ｃ，５ｄ，５
ｅによって支持される上記ベースフィルム４が上記真空
室１の上記側面１ａ、底面及び上記側面１ｂに沿った略
コ字状を描くようにそれぞれ配設されている。

【００３４】従って、上記ベースフィルム４は、上記送
りロール２から順次送り出され、さらに上記ガイドロー
ル５ａ乃至ガイドロール５ｆによって支持されながら移
動走行し、上記巻取りロール３に巻き取られていくよう
になされており、上記ガイドロール５ａ〜５ｆによって
所定のテンションがかけられ、円滑な移動走行が行える
ようになされている。

【００３５】一方、上記真空室１内には、上記ガイドロ
ール５ａ乃至ガイドロール５ｆによって支持されながら
移動走行されるベースフィルム４の表面に対して合計９
つ（上記ガイドロール５ｂからガイドロール５ｃ間、ガ
イドロール５ｃからガイドロール５ｄ間及びガイドロー
ル５ｄからガイドロール５ｅ間でそれぞれ３つずつ）の
カソード電極が対向配置され、これらカソード電極上に
カーボンからなるターゲット６（サイズ：幅１００ｍｍ
×長さ２５０ｍｍ）がそれぞれ固定される。

【００３６】従って、このような製造装置においては、
上記ベースフィルム４の周囲に配設された各ターゲット
６からはじき出されたカーボンが上記ベースフィルム４
上の磁性層上に保護膜として被着形成されるようになさ
れている。なお、これらターゲット６の投入電力、該タ
ーゲット６の形状及び上記ベースフィルム４とターゲッ
ト６間の距離等の条件は、適宜選定されることが好まし
い。

【００３７】ここで、上記ベースフィルム４の走行速度
を上げて成膜スピードを増大させるためには、上記ター
ゲット６の個数を増やすことが好ましいとされている。
しかし、真空室１内に配設できるターゲット６の個数
は、該ターゲット６自体の大きさの他に、真空室１内に
配設される他の構成部材の占める容積によって制限され
る。

【００３８】これに対して、本実施例では、上述のよう
にベースフィルム４を支持するための手段としてガイド
ロール５ａ〜５ｆのみが用いられており、上記真空室１
内でこれらの支持部材が占める容積が小さく抑えられて
いるので、その分ターゲット６の個数を増やすことがで
き、成膜スピードの向上に非常に有利である。また、装
置構造が簡略化されているので、装置の価格が低減され
るとともに、メンテナンスが容易であり、且つ装置の小
型化にも対応可能である。

【００３９】なお、上記真空室１の上下面の一部には、
排気口７がそれぞれ配設されており、該真空室１内が所
定の真空度となるように排気されている。また、この真
空室１内には、上記ガイドロール５ｂ及びガイドロール
５ｅの配設された位置を境として上記真空室１の上方側
と下方側を分断するために、仕切り板８が取付けられて
いる。従って、上述のようなスパッタリングは、上記送
りロール２より送り出された上記ベースフィルム４が上
記ガイドロール５ｂを通過した後、該ベースフィルム４
が上記ガイドロール５ｅを通過する手前の上記仕切り板
８よりも下方側の領域でのみ行われるようになされてい
る。これにより、上記ベースフィルム４に対してスパッ
タリングがなされる領域以外の領域にスパッタガスが拡
散することが防止され、スパッタリングの効率を向上さ
せることができる。

【００４０】そこで、以上のような構成を有する製造装
置を用いて磁性層上に保護膜を成膜し、サンプルテープ
を作製した。なお、上記スパッタリングに際し、真空室
内の真空度は２Ｐａとし、スパッタガスとしてＡｒガス
を使用した。また、ターゲットの投入電力は４ｋＷとし
た。

【００４１】実施例２本実施例では、図２に示すように（以下、図１中に示さ
れる部材と同一部材については同じ番号を付した。）、
上記実施例１において使用した保護膜の製造装置におい
て、上記ガイドロール５ｃとガイドロール５ｄの間に、
上記ガイドロール５ａ〜５ｅと同じ径の４つのガイドロ
ール５ｘ，５ｙ，５ｚ，５ｗを配設し、上記ベースフィ
ルム４の走行距離を十分に確保すると同時に、このベー
スフィルム４の表面に対向配置されるターゲット６の個
数を増加させた。

【００４２】上記ガイドロール５ｙ，５ｚは、上記仕切
り板８の近傍に配設され、上記ベースフィルム４を図中
上方に引き上げるようになされている。また、ガイドロ
ール５ｘ，５ｗは、上記ガイドロール５ｃ，５ｄを結ぶ
一直線上に配設され、ガイドロール５ｃとガイドロール
５ｘ、及びガイドロール５ｗとガイドロール５ｄにより
支持されるベースフィルム４が上記真空室１の底面と略
並行に走行するようになされている。

【００４３】このように、ガイドロールの個数を増やし
て、ベースフィルム４の走行距離を十分に確保すると、
このベースフィルム４の周囲に配設されるターゲット６
の個数をさらに５個（上記ガイドロール５ｘからガイド
ロール５ｙ間、及びガイドロール５ｚからガイドロール
５ｗ間でそれぞれ２つ、ガイドロール５ｙからガイドロ
ール５ｚ間で１つ）増やすことができる。

【００４４】そこで、このような構成を有する製造装置
を用いて上記実施例１と同様にしてサンプルテープを作
製した。

【００４５】実施例３本実施例は、磁気テープの保護膜の形成工程において、
９つのターゲットの大部分を一列に並列配置されてなる
所謂横型の製造装置を使用した例である。

【００４６】この製造装置においては、図３に示すよう
に、内部が真空状態となされた真空室１１内の両端部に
図中の時計回り方向に定速回転する送りロール１２と、
図中の時計回り方向に定速回転する巻取りロール１３と
がそれぞれ設けられる。上記真空室１１は、その長軸方
向を図中横方向に有しており、且つ両端部が図中縦方向
に若干延在した断面形状とされる。そして、この真空室
１１内の縦方向に若干延在した部分に、上記送りロール
１２、巻取りロール１３が配設された構成とされてお
り、これら送りロール１２から巻取りロール１３にベー
スフィルム１４が順次走行するようになされている。

【００４７】このベースフィルム４が送りロール２から
巻取りロール３に亘って移動走行される中途部には、上
記送りロール１２及び巻取りロール１３の径よりも小径
となされたガイドロール１５ａ〜１５ｅが設けられてい
る。これらガイドロール１５ａ〜１５ｅは、上記真空室
１１の横方向の延在部に一直線上に配設される。このう
ち、ガイドロール１５ａは、上記送りロール１２から送
り出されたベースフィルム１４を図中下方に引き出すと
同時に、その走行方向を縦方向から横方向に転換させて
いる。

【００４８】そして、走行方向が横方向になされた上記
ベースフィルム１４は、上記ガイドロール１５ａ〜１５
ｅにより支持され、上記真空室１１の底面と略並行に順
次走行される。更に、このベースフィルム１４は、上記
ガイドロール１５ｅにより再びその走行方向を横方向か
ら縦方向に転換されて、上記巻取りロール１３に巻き取
られる。この時、このベースフィルム１４には、上記ガ
イドロール１５ａ〜１５ｅによって所定のテンションが
かけられ、円滑な移動走行が行えるようになされてい
る。

【００４９】一方、上記真空室１内には、上記ガイドロ
ール１５ａ乃至ガイドロール１５ｅによって支持されな
がら移動走行されるベースフィルム１４の表面に対して
合計９つ（上記送りロール１２からガイドロール１５ａ
間、ガイドロール１５ｅから巻取りロール１３間にそれ
ぞれ１つずつ、ガイドロール１５ａからガイドロール１
５ｅ間に７つ）のカソード電極が対向配置され、これら
カソード電極上にカーボンからなるターゲット１６（サ
イズ：幅１００ｍｍ×長さ２５０ｍｍ）がそれぞれ固定
される。

【００５０】従って、このような製造装置においては、
上記ベースフィルム１４の周囲に配設された各ターゲッ
ト１６からはじき出されたカーボンが順次走行される上
記ベースフィルム１４上の磁性層上に保護膜として被着
形成されるようになされている。

【００５１】このように、上記ベースフィルム１４を支
持するための手段としてガイドロール１５ａ〜１５ｅの
みを用いれば、これらガイドロール１５ａ〜１５ｅの配
設位置を変化させることによって上記ベースフィルム１
４の走行方向を自在に変化させることができる。これに
より、このベースフィルム１４の走行距離をかせいで該
ベースフィルム１４の周囲に配設されるターゲットの個
数を増やしつつ、真空室１１の容積が小さくなるように
することができる。従って、製造装置の小型化が可能と
なると同時に、装置形状の選択性が広がる。

【００５２】なお、上記真空室１１の横方向に延在する
部分の略中央部には、排気口１７が配設されており、該
真空室１１内が所定の真空度となるように排気されてい
る。そこで、このような構成を有する製造装置を用いて
上記実施例１と同様にしてサンプルテープを作製した。

【００５３】ここで、上記実施例１〜３のようにして保
護膜を成膜した際のベースフィルムの送り速度を調べ、
真空室内に配設したターゲットの個数との関係を検討し
た。この結果を下記の表１に示す。なお、比較として、
真空室内にキャンを配設し、該キャンの周囲に７つのタ
ーゲットを配設して、このキャンの外周面に沿って上記
ベースフィルムを走行させながらスパッタリングを行っ
た場合（比較例）の結果についても表１中に併せて記し
た。

【００５４】

【表１】

【００５５】実施例４本実施例では、図５に示すように（以下、図１中に示さ
れる部材と同一部材については同じ番号を付した。）、
ガイドロール５ａとガイドロール５ｂの間に上記ベース
フィルム４を走行させ、その上部に７個のスパッタカソ
ード６、下部に９個のスパッタカソード６を設置した。

【００５６】上部７カソードにて磁性層表面に保護膜を
形成すると同時に、下部９カソードにてベースのバック
面にも成膜した。通常ビデオテープ等においては、テー
プの走行性を良好に保つ為、コーティング方式により磁
性層と反対側のベース裏面にバックコート層を設ける。
しかしこのプロセスは別工程となるため、製造過程とし
ては１工程多くなる。本実施例のように、１プロセスに
て保護層とバックコート層を設けることにより、製造プ
ロセスを１工程短縮できる。

【００５７】実施例５本実施例では、図５と同様の装置を用い、スパッタカソ
ード６の位置にプラズマＣＶＤ装置を導入した。排気系
には図示しないターボポンプを用い、ＣＨ₄ガスを原料
とし真空度４０Ｐａ，ＲＦパワーは５００Ｗにてカーボ
ン膜を成膜した。

【００５８】プラズマＣＶＤ装置は、前記スパッタカソ
ード６の位置にプラズマ発生器を配置してなるものであ
る。プラズマ発生器としては、図６に示すように高周波
電源２２が接続される対向電極２１とガス導入口２３と
からなる対向電極型プラズマ発生器であってもよいし、
図７に示すように高周波電源２５が接続されるプラズマ
発生管２４とガス導入口２６とからなる照射型プラズマ
発生器であってもよく、さらには図８に示すようなＥＣ
Ｒ対向電極２７、マイクロ波動波管２８、マグネット２
９、ガス導入口３０、３１からなるＥＣＲプラズマ発生
器や、図９に示すように直流電源３３と接続されるトー
チ型電極３２とガス導入口３４とからなるトーチ型ＤＣ
プラズマ発生器であってもよい。

【００５９】今回実験したプラズマＣＶＤの条件はスパ
ッタリングに比べ成膜レートが約３倍と高いため、磁性
層側の電極数が７個で比較例と同じでも、同じ成膜厚を
得るためのベース送りスピードは、４２ｍ／ｍｉｎ．と
高い成膜スピードを実現することができた。さらに、ベ
ースのバック面にも９個のプラズマＣＶＤ装置を設置し
ている為、インラインでバックコート層を設けることが
できた。これにより、成膜プロセスの時間短縮ばかりで
なく、実施例４と同様にコーティングによるバックコー
トのプロセスを省略でき、製造工程短縮が可能となっ
た。

【００６０】実施例６本実施例は、磁気テープの保護膜の形成工程において、
２２個のプラズマＣＶＤ装置がガイドロール５の間に配
設されてなる製造装置である。

【００６１】この製造装置においては、図１０に示すよ
うに、内部が真空状態となされた真空室１内の上方側に
図中の時計回り方向に定速回転する送りロール２と、図
中の時計回り方向に定速回転する巻取りロール３とが設
けられる。これら送りロール２と巻取りロール３は、上
記真空室１の相対向する側面１ａ，１ｂの近傍にそれぞ
れ配設され、上記送りロール２から巻取りロール３に磁
性層が形成されたベースフィルム４が順次走行するよう
になされている。

【００６２】上記ベースフィルム４が送りロール２から
巻取りロール３に亘って移動走行される中途部には、上
記送りロール２及び巻取りロール３の径よりも小径とな
されたガイドロール５ａ〜５ｚが設けられている。

【００６３】また、ガイドロール５ａは、上記送りロー
ル２とガイドロール５ｂの間に設けられ、ガイドロール
５ｚは、上記ガイドロール５ｙと巻取りロール３の間に
設けられる。そして、上記ガイドロール５ｂ，５ｃ，５
ｄ，５ｅは、拡大図（図１１）に示す様にこれらガイド
ロール５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅによって支持される上記
ベースフィルム４がコの字状を描くようにそれぞれ配設
されている。これを１ユニットとし、ガイドロール５ｇ
から５ｙまで連続的にコの字状にベースフィルムが走行
するように配設されている。

【００６４】従って、上記ベースフィルム４は、上記送
りロール２から順次送り出され、さらに上記ガイドロー
ル５ａ乃至ガイドロール５ｚによって支持されながら移
動走行し、上記巻取りロール３に巻き取られていくよう
になされており、上記ガイドロール５ａ〜５ｚによって
所定のテンションがかけられ、円滑な移動走行が行える
ようになされている。ここで、ロール２、３の巻外側が
磁性面である。

【００６５】一方、上記真空室１内には、上記ガイドロ
ール５ａ乃至ガイドロール５ｚによって支持されながら
移動走行されるベースフィルム４の表面に対して合計１
０個のプラズマＣＶＤ電極が配置され、またベースフィ
ルムの裏面に対して合計１２個のプラズマＣＶＤ電極が
配置されている。

【００６６】従って、このような製造装置においては、
上記ベースフィルム４の周囲に配設された各プラズマＣ
ＶＤの電極よりＲＦが印加され、プラズマ化した原料ガ
スにより磁性層上に保護膜として被着形成されるように
なされている。なお、これらＣＶＤにおける投入電力、
上記ベースフィルム４と電極６間の距離等の条件は、適
宜選定されることが好ましい。今回の実験では、ＲＦパ
ワー５００Ｗ、原料ガスにＣＨ₄を用い、真空度４０Ｐ
ａにてカーボン膜を成膜を実施した。この製造装置を用
いることにより、著しく高い成膜スピードを実現するこ
とができた。

【００６７】また、プラズマＣＶＤにおいては、電極と
ベースフィルムとの間にＤＣまたはＲＦよりなるバイア
スをかけることにより、さらに良好な膜質が得られる。
さらに、原料ガスはＣＨ₄に限定されずＣ₂Ｈ₄，Ｃ₂
Ｈ₂，Ｃ₆Ｈ₆等によっても成膜が可能である。保護膜
としては、カーボンに限定されず、Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ
₂，ＳｉＮｘ、ＳｉＣ，ＴｉＣ，ＴｉＮ等も可能であ
る。

【００６８】実施例６においてはプラズマＣＶＤにより
成膜したが、このプラズマ発生器６を照射型プラズマＣ
ＶＤ，ＥＣＲプラズマＣＶＤ，トーチ型ＤＣプラズマＣ
ＶＤ，さらにスパッタカソードにしてスパッタプロセス
にて成膜してもかまわない。

【００６９】

【表２】

【００７０】表２からも明らかなように、本発明を適用
した場合のように、ベースフィルムを支持する手段とし
てガイドロールのみを使用することにより、真空室内に
配設できるターゲットの個数を増やすことができること
が判った。また、このターゲットの個数とベースフィル
ムの送り速度はほぼ比例しており、本実施例において
は、何れも高い成膜スピードを実現することができた。

【００７１】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では、磁気記録媒体の保護膜を始め、薄膜形成技術に
より得られる薄膜を成膜する際に、従来のように大径の
キャンやベルト等の支持部材を用いず、ベースフィルム
をガイドロールのみで走行させているので、製造装置内
に配設できるターゲットの個数を増やすことができる。
従って、成膜スピードが向上し、生産性の向上が図られ
る。

【００７２】また、本発明では、上記保護膜や薄膜する
際に使用される製造装置の構造が簡略化されるので、装
置の価格を低減させることができるとともに、小型化を
図る上でも都合が良い。更に、このような製造装置にお
いては、メンテナンス性が著しく向上する。さらに、ベ
ースのバック面も同時に成膜することにより、コーティ
ングによるバックコートプロセスを省略することが出来
るため、製造工程の簡略化が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の製造方法において使用
される保護膜の製造装置の一例を示す模式図である。

【図２】本発明の磁気記録媒体の製造方法において使用
される保護膜の製造装置の他の例を示す模式図である。

【図３】本発明の磁気記録媒体の製造方法において使用
される保護膜の製造装置のさらに他の例を示す模式図で
ある。

【図４】従来の保護膜の成膜工程において使用される製
造装置の構成を示す模式図である。

【図５】本発明の磁気記録媒体の製造方法において使用
される保護膜の製造装置のさらに他の例を示す模式図で
ある。

【図６】対向電極型プラズマ発生器の構成例を示す模式
図である。

【図７】照射型プラズマ発生器の構成例を示す模式図で
ある。

【図８】ＥＣＲプラズマ発生器の構成例を示す模式図で
ある。

【図９】トーチ型ＤＣプラズマ発生器の構成例を示す模
式図である。

【図１０】本発明の磁気記録媒体の製造方法において使
用される保護膜の製造装置のさらに他の例を示す模式図
である。

【図１１】プラズマ発生器近傍を拡大して示す模式図で
ある。

【符号の説明】

１・・・真空室２・・・送りロール３・・・巻取りロール４・・・ベースフィルム５ａ〜５ｆ・・・ガイドロール６・・・ターゲットまたはＣＶＤ電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ベースフィルムをチャンバー内において
走行させ、前記ベースフィルム上に薄膜形成技術によっ
て薄膜を成膜するに際し、前記ベースフィルムをガイドロールのみにより支持し走
行させることを特徴とする成膜方法。
【請求項２】薄膜形成技術がスパッタリング法又はＣ
ＶＤ法であることを特徴とする請求項１記載の成膜方
法。
【請求項３】ＣＶＤ法が、キャン対向電極型プラズマ
ＣＶＤ法，照射型プラズマＣＶＤ法，ＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ法，トーチ型ＤＣプラズマＣＶＤ法から選ばれる１
以上の手法であることを特徴とする請求項２記載の成膜
方法。
【請求項４】磁性層が形成されたベースフィルムをチ
ャンバー内において走行させ、前記磁性層上に薄膜形成
技術によって保護膜を成膜するに際し、前記ベースフィルムをガイドロールのみにより支持し走
行させることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】磁性層表面への保護膜とベースのバック
面への成膜とを同時に行うことを特徴とする請求項４記
載の磁気記録媒体の製造方法。