DE102009038519B4 - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Stöchiometriegradientenschichten - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Stöchiometriegradientenschichten Download PDFInfo
- Publication number
- DE102009038519B4 DE102009038519B4 DE102009038519A DE102009038519A DE102009038519B4 DE 102009038519 B4 DE102009038519 B4 DE 102009038519B4 DE 102009038519 A DE102009038519 A DE 102009038519A DE 102009038519 A DE102009038519 A DE 102009038519A DE 102009038519 B4 DE102009038519 B4 DE 102009038519B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- evaporator tubes
- evaporator
- distance
- materials
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Revoked
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 11
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000342 Monte Carlo simulation Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/548—Controlling the composition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Beschichten von Substraten in einer Durchlaufbeschichtungsanlage mit mindestens zwei Verdampfungseinrichtungen mit jeweils einem Verdampferrohr.
- Bei der Massenproduktion von organischen Halbleitern aus sogenannten „Small Molecules” für die Anwendung in Leuchtmitteln, in Monitoren, in der Photovoltaik, in der Elektronik oder in anderen Produkten ist die Ko-Verdampfung zweier oder mehrerer organischer Materialien von großer Wichtigkeit.
- Dies gilt insbesondere für die Emissionsschichten von OLEDs (Organic Light Emitting Diodes) bzw. für die Absorberschichten von OSCs (Organic Solar Cells) sowie für die dotierten Ladungstransportschichten, die oftmals auch zur Ladungsträgerinjektion dienen können.
- In manchen Fällen ist eine konstante Stöchiometrie zweier oder mehrerer organischer Materialien innerhalb einer Schicht eines Mehrschichtbauteils gewünscht. Andererseits gibt es Fälle, in denen an der einen Grenzfläche 100% des einen Materials abgeschieden werden sollen und an der anderen Grenzfläche beispielsweise nur 10% oder sogar 0%.
- Eine ganze Reihe von Ursachen, wie optimale Ladungsträgerinjektion (100% Anteil), guter Ladungstransport (10%) oder chemische Inkompatibilität zum Material der angrenzenden Schicht (0%), können hierbei eine Rolle spielen.
- Der vorletzte Fall wird im Allgemeinen dadurch erreicht, dass zuerst nur ein Material für eine erste Schicht (100% Anteil) abgeschieden wird und anschließend eine Ko-Verdampfung von demselben Material (10% Anteil) in Kombination mit einem zweiten Material (90% Anteil) für eine zweite Schicht durchgeführt wird.
- Der abrupte Übergang der Stöchiometrie zwischen der ersten und zweiten Schicht oder die verschiedenartige Morphologie der jeweiligen Schicht kann für die Funktion des Bauteils eventuell ungünstig sein. Deshalb wird in diesen Fällen eine dritte Schicht zwischen der ersten und zweiten, mit einer Stöchiometrie, welche z. B. dem Mittelwert der stöchiometrischen Verhältnisse der ersten und zweiten Schicht entspricht, abgeschieden.
- Bei der Fabrikation der Bauteile in einer Cluster-Anlage sind für die drei Schichten nur zwei Dampfquellen, welche zeitlich hintereinander an- bzw. abgeschaltet werden, erforderlich. Für Produktionsanlagen hingegen wird aus Kostengründen ein höherer Durchsatz gefordert, der prinzipiell mit In-Line- bzw. Rolle-zu-Rolle-Anlagen bewerkstelligt werden kann. Die Folge ist aber, dass für die beiden letztgenannten Anlagentypen insgesamt fünf Dampfquellen (dreimal Material 1 und zweimal Material 2) erforderlich sind und sich damit die Komplexität bzw. die Kosten der Anlage erhöht.
- Über das Dreischichtsystem hinaus wäre es eventuell wünschenswert einen graduellen Übergang der Stöchiometrie oder Morphologie anstatt einem stufenförmigen zu erzielen.
- Darüber hinaus wäre es auch von Interesse in einer In-Line- bzw. Rolle-zu-Rolle-Anlage die Stöchiometrie in einer Schicht möglichst konstant zu halten.
- Aus dem Stand der Technik sind verschiedene Möglichkeiten der Erzeugung von Gradientenschichten auf Substraten bekannt.
- So offenbart die
DE 10 2004 014 323 B4 ein Verfahren zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge auf einem Substrat. Dabei erfolgt die Abscheidung von zumindest zwei Materialien innerhalb eines Beschichtungskompartiments durch Sputtern mit zwei Magnetron-Kathoden, die jeweils ein Target tragen. Dabei entsteht im Übergangsbereich vom ersten zum zweiten Target eine Mischschicht. Weiterhin sind Blenden vorgesehen, die eine Abschirmung des Targets zum Substrat unabhängig voneinander erlauben. - Eine ähnliche Ausgestaltung offenbart die
US 6,488,824 B1 , bei der ebenfalls zwei Magnetron-Kathoden angeordnet sind die mittels Abschirmung einen Übergangsbereich der beiden Targets ermöglichen. Dadurch kann eine konstante Mischschicht abgeschieden werden. - Der Nachteil der Verwendung von Sputteranlagen für die Erzeugung von Gradientenschichten vorzugsweise organischer Materialien liegt darin, dass diese durch den Sputterprozess zumeist zerstört werden, weshalb Sputtern als Methode der Abscheidung organischer Materialien nicht geeignet ist.
- Für organische Materialien wird demnach eine Verdampfung in einem Tiegel durchgeführt. Im Stand der Technik bekannte typische Dampfquellen von In-Line Anlagen bzw. Rolle-zu-Rolle-Anlagen sind Rohre, in denen aus einem Tiegel austretender Dampf gleichmäßig verteilt wird. Die Rohre enthalten eine Vielzahl von Düsen, welche in einer Reihe, quer zur Laufrichtung des Substrats angeordnet sind. Bei der Ko-Verdampfung von zwei (organischen) Materialien emittieren üblicherweise zwei Rohre für das jeweilige Material Dampf durch die Düsen auf das Substrat.
- Die
DE 103 12 646 A1 offenbart ein Verfahren zur Herstellung einer Konverterschicht, wobei ein organisches Konvertermaterial in eine anorganische Matrix gemischt wird. Dies wird durch überschneidendes Aufdampfen der beiden Materialien erzielt. Diese werden in zwei verschiedenen Aufdampfvorrichtungen erwärmt und verdampft, wobei die resultierenden Dampfkeulen sich überschneiden und eine gemeinsame Aufdampfzone bilden. Für eine kontinuierliche Aufdampfung sind die beiden Aufdampfeinrichtungen fest zueinander ausgerichtet. - Die damit erzielte Mischschicht weist einen gleichförmigen Aufbau auf und erlaubt keinesfalls eine flexible Änderung des Gradientenprofils.
- Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung anzugeben, die eine graduelle Variation der Stöchiometrie innerhalb einer Schicht bei minimaler Anzahl von Dampfquellen oder eine möglichst konstante Stöchiometrie in einer Schicht bei maximaler Ausnutzung des Dampfes ermöglichen.
- Die Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß dem Hauptanspruch gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
- Die Aufgabe wird ebenso durch eine Vorrichtung gemäß Anspruch 10 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
- Erfindungsgemäß sind zur Beschichtung von Substraten in einer Durchlaufvakuumbeschichtungsanlage mindestens zwei Verdampfungseinrichtungen vorgesehen, die jeweils ein Verdampferrohr aufweisen. In der ersten Verdampfungseinrichtung wird ein erstes Material erwärmt und verdampft, während in einer zweiten Verdampfungseinrichtung ein zweites Material erwärmt, und verdampft wird. Die verdampften Materialien werden anschließend über die Verdampferrohre in die Vakuumbeschichtungsanlage mit je einer Dampfeintrittsrichtung gerichtet eingebracht, wobei die verdampften Materialien entsprechend der Geometrie der Öffnungen in den Verdampferrohren Dampfkeulen ausbilden. Der Winkel der Verdampferrohre zum Substrat ist dabei einstellbar, wodurch die Positionierung der Dampfkeulen in Bezug auf das Substrat ortsveränderlich erfolgt. Dadurch können die Dampfkeulen auf dem Substrat zueinander so positioniert werden, dass es zu einer Durchmischung der Materialien in den überlappenden Bereichen der Dampfkeulen und infolge dessen zu einer Abscheidung einer Mischschicht der beiden verdampften Materialien kommt. Bei der Ko-Verdampfung von zwei (organischen) Materialien emittieren üblicherweise zwei Rohre für das jeweilige Material Dampf durch die Düsen auf das Substrat.
- In einer Ausführungsform der Erfindung wird der Winkel der Dampfeintrittsrichtung in Bezug auf das Substrat im Bereich zwischen +90° < x < –90° eingestellt, wobei die Winkel der einzelnen Verdampferrohre unabhängig voneinander eingestellt werden.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird der Abstand der Verdampferrohre in Bezug auf das Substrat eingestellt. Dadurch kann die Breite der Dampfkeule für die Erzeugung eines gewünschten Gradienten der verdampften Materialien in der Mischschicht eingestellt werden.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird der Abstand der Verdampferrohre während des Beschichtungsprozesses variabel zueinander eingestellt. Dies ist insbesondere vorteilhaft, wenn bei bekannten Prozessparametern die durch Änderungen des Abstands der Verdampferrohre sich ergebenden Änderungen der Gradientenform zur Optimierung der Mischschicht verwendet werden können.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird der Abstand der Verdampferrohre zueinander eingestellt. Dadurch werden die Positionen der Dampfkeulen auf dem Substrat verändert. Weiterhin kann dadurch auch der Anteil der überlappenden Bereiche der beiden Dampfkeulen eingestellt werden, wodurch es zu einer veränderten Durchmischung der beiden verdampften Materialien innerhalb des Überlappungsbereichs kommt und damit zu einer Veränderung der Gradientenform in der Mischschicht.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird der Abstand der Verdampferrohre zueinander während des Beschichtungsprozesses variabel eingestellt. Dadurch kann im laufenden Prozess eine Optimierung der Gradientenform durch Veränderung der Anteile der verdampften Materialien im Überlappungsbereich erfolgen.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird ein Gradient des ersten und zweiten Materials in der Mischschicht erzeugt, wobei das Profil des Gradienten innerhalb der Mischschicht durch Veränderung des Abstandes der Verdampferrohre zum Substrat sowie zueinander und der Winkel der Mittelsenkrechten der Verdampferrohre in Bezug auf das Substrat einstellbar ist.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist der in die Vakuumbeschichtungsanlage eintretende Dampf die Form einer Dampfkeule auf, wobei die Form der Dampfkeulen der verdampften Materialien durch Blenden, welche vor den Öffnungen in den Verdampferrohren angeordnet sind, eingestellt werden. Durch die Blenden vor den Öffnungen kann die Form der Dampfkeule verändert werden. Entsprechend der Geometrie der Blende ist damit eine Möglichkeit der Anpassung der Form der Dampfkeule an die gewünschte Gradientenform gegeben.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung werden als zu verdampfende Materialien organische Materialien verwendet. Durch die Verwendung von zwei organischen Materialien können organische Mischschichten, beispielsweise zur Verwendung in organischen, photoaktiven Bauelementen, wie organischen Solarzellen oder OLED's, erzeugt werden. Insbesondere können dotierte Schichten erzeugt werden, wobei eines der beiden zu verdampfenden organischen Materialien den Dotanden und das andere Material den Akzeptor der Mischschicht bildet.
- In einer Weiterbildung der Ausführungsform können erfindungsgemäß Gradienten des Dotanden in der Mischschicht erzeugt werden, wobei das Gradientenprofil durch Einstellung der Winkel der Dampfeintrittsrichtung, des Abstands der Verdampferrohre zum Substrat sowie des Abstands der Verdampferrohre zueinander angepasst werden kann.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung werden vorzugsweise sogenannte kleine Moleküle verdampft. Unter kleinen Molekülen werden im Sinne der vorliegenden Erfindung nicht-polymere organische Moleküle mit monodispersen Molmassen zwischen 100 und 2000 verstanden, die unter Normaldruck (Luftdruck der uns umgebenden Atmosphäre) und bei Raumtemperatur in fester Phase vorliegen. Insbesondere können diese kleinen Molekülen auch photoaktiv sein, wobei unter photoaktiv verstanden wird, dass die Moleküle unter Lichteinfall ihren Ladungszustand ändern.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung handelt es sich bei den verwendeten organischen Materialien zumindest teilweise um Polymere.
- In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten in einer Durchlaufvakuumbeschichtungsanlage mindestens zwei Verdampfungseinrichtungen zur Erwärmung und Verdampfung der abzuscheidenden Materialien mit jeweils einem Verdampferrohr, wobei Öffnungen in den Verdampferrohren zur Einbringung der verdampften Materialien in die Vakuumbeschichtungsanlage angeordnet sind. Dabei ist der Abstand der Verdampferrohre in Bezug auf das Substrat und der Winkel Dampfeintrittsrichtung in Bezug auf das Substrat unabhängig voneinander einstellbar ausgeführt.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist der Winkel der Dampfeintrittsrichtung in Bezug auf das Substrat im Bereich zwischen +90° < x < –90° einstellbar ausgeführt. Dadurch können die Winkel der Dampfeintrittsrichtungen entsprechend den Erfordernissen des gewünschten Gradientenprofils eingestellt werden.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind die Öffnungen in den Verdampferrohren als Düsen ausgeführt.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind die Öffnungen in den Verdampferrohren als Schlitz ausgeführt.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind vor den Öffnungen in den Verdampferrohren in Richtung zum Substrat Blenden angeordnet. Diese Blenden erlauben eine Anpassung der Form der Dampfkeulen, etwa in Form einer Fokussierung der Dampfkeulen an die Erfordernisse des gewünschten Gradientenprofils.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind Blenden vor dem Substrat angeordnet. Dadurch wird nur ein Teil des Substrats der Beschichtung mit den zu verdampfenden Materialien zugänglich, wodurch eine unerwünschte Abscheidung von verdampften Materialien außerhalb des zu bedampfenden Bereichs des Substrats vermieden wird.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind die Blenden beheizbar ausgeführt. Dies ist insbesondere vorteilhaft um eine Abscheidung der verdampften Materialien an den Blenden zu unterbinden.
- Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung sind der folgenden detaillierten Beschreibung von Ausführungsbeispielen sowie den anliegenden Zeichnungen zu entnehmen. Dabei zeigt:
-
1 eine schematische Darstellung einer prinzipiellen Anordnung bei einer Ko-Verdampfung in einer Durchlaufbeschichtungs- bzw. Rolle-zu-Rolle-Anlage, -
2 ein Diagramm einer Monte-Carlo-Simulation der stöchiometrischen Differenz relativ zur Schichtdicke bei einer Standardeinstellung der Verdampferrohre bei gleicher Quellstärke der Dampfströme, symmetrischer Geometrie, ohne Düsenblenden und große sowie zentrierte Substratblendenöffnung, -
3 ein Diagramm einer Monte-Carlo-Simulation der stöchiometrischen Differenz relativ zur Schichtdicke bei Veränderung des Winkels von Düsen und Substrat sowie des Abstands zwischen den Verdampferrohren, -
4 ein Diagramm einer Monte-Carlo-Simulation des Übergangs eines Materials von einer Grenzfläche mit 100% zur anderen Grenzfläche mit 0% und -
5 ein Diagramm einer Monte-Carlo-Simulation des Übergangs eines Materials zwischen den Grenzflächen mit möglichst gleichem Anteil der beiden Materialien über die gesamte Schichtdicke. -
6 ein Diagramm einer Monte-Carlo-Simulation des Übergangs eines Materials von einer Grenzfläche mit 100% zur anderen Grenzfläche mit 100%. Das zweite Material befindet sich ausschließlich in der Mitte der Schicht. - Die
1 zeigt die prinzipielle Anordnung bei einer Ko-Verdampfung in einer Durchlaufbeschichtungsanlage. Ein erstes organisches Material wird in einer ersten Verdampfungseinrichtung erwärmt und verdampft. Der Dampf wird über das Verdampferrohr1 der ersten Verdampfungseinrichtung in die Durchlaufbeschichtungsanlage eingebracht. Der Dampf weist dabei eine Dampfeintrittsrichtung4 auf. Die Dampfeintrittsrichtung4 ist abhängig von der Geometrie der Öffnungen im Verdampferrohr, welche als Schlitz oder Düsen ausgeführt sein können und vom Winkel der Öffnungen relativ zum Substrat3 . In einer zweiten Verdampfungseinrichtung wird ein zweites Material erwärmt und verdampft, wobei der Dampf über das zweite Verdampferrohr2 in die Durchlaufbeschichtungsanlage eingebracht wird. Die sich ergebende Dampfeintrittsrichtung5 der zweiten Verdampfungseinrichtung ist wie bei der ersten Dampfeintrittsrichtung4 von der Geometrie der Öffnungen des Verdampferrohrs2 und des Winkels der Öffnungen abhängig. Die Verdampferrohre1 ,2 dehnen sich senkrecht zur Blattebene aus und haben eine etwas größere Länge als das Substrat3 breit ist. - Die sich ergebenden Winkel
6 ,7 des eintretenden Dampfes der ersten und zweiten Verdampfungseinrichtung in die Durchlaufbeschichtungsanlage sind dabei wesentlich für die Gradientenform. Je nach Einstellung der beiden Winkel6 ,7 ergibt sich ein unterschiedlicher Übergangsbereich, in dem eine Mischung des ersten und zweiten Materials stattfindet und infolgedessen auf dem Substrat3 eine Mischschicht in Gradientenform abgeschieden wird. Die beiden Winkel6 ,7 sind unabhängig voneinander einstellbar. - Durch Änderung des Abstands
14 zwischen dem ersten und zweiten Verdampferrohr1 ,2 erfolgt eine Veränderung des Übergangsbereichs und daraus resultierend eine Änderung der Gradientenform. - Eine weitere Änderungsmöglichkeit ergibt sich durch die Veränderung der Abstände der beiden Verdampferrohre
1 ,2 vom Substrat3 . Dabei kann der Abstand8 des ersten Verdampferrohrs1 zum Substrat3 sowie der Abstand9 des zweiten Verdampferrohrs2 unabhängig voneinander eingestellt werden. Auch aus diesen Änderungsmöglichkeiten ergeben sich Änderungen des Gradientenprofils. - Bei geeigneter Wahl der Winkel
6 ,7 der Öffnungen der Verdampferrohre1 ,2 zum Substrat3 , des Abstands14 zwischen dem ersten und zweiten Verdampferrohr1 ,2 und der Abstände8 ,9 der Verdampferrohre1 ,2 zum Substrat kann eine definierte Stöchiometrie eingestellt werden. - Weiterhin können Blenden
11 ,12 , die sich entweder direkt vor den Verdampferrohren1 ,2 oder Blenden10 , die sich direkt vor dem Substrat3 befinden, die Stöchiometrie beeinflussen. Allerdings sind entsprechende Blenden10 ,11 ,12 immer mit einer Verringerung der Materialausbeute verbunden und sollten nur als letzte Option bzw. für Feineinstellungen in Betracht gezogen werden. Mit den vorbeschriebenen Blenden11 ,12 kann eine Fokussierung der Dampfkeule erfolgen, wodurch eine weitere Anpassungsmöglichkeit an die Erfordernisse eines Stöchiometriegradienten gegeben ist. - Wie eingangs schon erwähnt spielt auch die Größe der Öffnung der Substrat-Blende
10 in Laufrichtung des Substrats15 sowie deren Position relativ zu den Verdampferrohren1 ,2 eine Rolle für die Stöchiometrie. Ähnliches gilt für die Blenden11 ,12 , welche vor den Öffnungen der Verdampferrohre1 ,2 angeordnet sind, wobei diese unabhängig voneinander eingestellt werden können. - Die folgenden, in den
2 bis6 gezeigten Diagramme sind exemplarische Ergebnisse, die mit Hilfe von Monte-Carlo-Simulationen in Kombination mit geometrischen Überlegungen gewonnen wurden. In allen Diagrammen wird die Stöchiometrische Differenz DB = (N2 – N1)/(N2 + N1) mit Teilchenzahl N1 des Materials 1 und Teilchenzahl N2 des Materials 2 über der Schichtdicke, welche von 0 bis 1 reicht, aufgetragen. - In
2 ist das Resultat einer Standardeinstellung der Verdampferrohre1 ,2 bei gleicher Quellstärke der Dampfströme, symmetrischer Geometrie (A1 = A2; a = b), ohne Blenden11 ,12 vor den Verdampferrohren1 ,2 und große sowie zentrierte Substratblendenöffnung dargestellt. Die Standardeinstellung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Mittelsenkrechten der Öffnungen der beiden Verdampferrohre1 ,2 auf eine Line des Substrats3 treffen. Gleiche Quellstärke bedeutet dabei, dass beide Materialien in gleichen Mengen emittiert werden und im Idealfall das Verhältnis der auf dem Substrat3 abgeschiedenen Materialien konstant bleibt. Aufgrund der durch die Öffnungen der Verdampferrohre1 ,2 gebildeten Dampfkeulen, der in der Praxis auftretenden Geometrien sowie der Fortbewegung des Substrats3 relativ zu den Verdampferrohren1 ,2 schwankt die Stöchiometrie der abgeschiedenen Materialien erheblich. Im gezeigten Fall beträgt die Schwankung von DB ±20%. - Will man die Toleranz von DB verringern, d. h. die Stöchiometrie der Materialien möglichst konstant halten, so kann dies durch Verkleinerung des Abstands
14 zwischen den Verdampferrohren1 ,2 sowie Änderung des Kippwinkels6 ,7 der Verdampferrohre1 ,2 (bei gleichen Kippwinkeln) geschehen, wie dies in3 zu sehen ist. Hierbei sinkt die Variation von DB auf ±10%, also auf die Hälfte im Vergleich zu den Standardparametern. - Ähnliches gilt für unterschiedlich gewählte Quellstärken, um ein Verhältnis der Materialien zu erhalten welches von eins verschieden ist.
- Ist das Ziel an der einen Grenzfläche 100% des einen Materials zu erhalten, an der anderen 0% des gleichen Materials und dazwischen einen kontinuierlichen und linearen Abfall der Konzentration, so kann dies wiederum durch eine geeignete Auswahl der geometrischen Parameter, also über den Kippwinkel
6 und7 sowie die Abstände8 ,9 und14 erfolgen. Ein Beispiel hierfür ist in4 zu sehen. - In der Praxis ist im Vergleich zum vorigen Beispiel eher ein Abfall von 100% an der einen Grenzfläche auf minimal 10% an der anderen Grenzfläche erforderlich. Dies kann relativ einfach durch eine einseitige Substratblende
10 , z. B. durch das Verschieben der rechten Blende in1 nach links erzielt werden, sodass die in4 gezeigte Kurve am rechten Rand ein wenig abgeschnitten wird, also DB nie –1.0 erreichen kann. Alternativ dazu kann der Abstand9 vergrößert werden und damit die Materialausbeute verbessert werden im Vergleich zur Verschiebung der Blende10 . - Optional zu
4 ist es möglich die Konzentration von 100% an einer Grenzfläche, 0% an der anderen Grenzfläche einzustellen und den Zwischenbereich mit möglichst konstantem, in diesem Fall gleichen Anteil der Materialien einzustellen. (siehe5 ) - Ein weiterer wichtiger Fall ist in
6 dargestellt. Hierbei ist ein Material, z. B. lichtabsorbierende oder lichtemittierende Moleküle ausschließlich in der Mitte der Schicht vorhanden. Nur das zweite Material, beispielsweise ladungstransportierende Moleküle, hat an den Grenzflächen Kontakt zu benachbarten Schichten. Dieser Schichtaufbau kann eine unbeabsichtigte Ladungsträgerrekombination verhindern, die sich bei direktem Kontakt der lichtabsorbierenden bzw. lichtemittierenden Moleküle mit Molekülen benachbarter Schichten ergeben würde. - Bezugszeichenliste
-
- 1
- Verdampferrohr der ersten Verdampfungseinrichtung
- 2
- Verdampferrohr der zweiten Verdampfungseinrichtung
- 3
- Substrat
- 4
- Dampfeintrittsrichtung der ersten Verdampfungseinrichtung
- 5
- Dampfeintrittsrichtung der zweiten Verdampfungseinrichtung
- 6
- Winkel der Dampfeintrittsrichtung der ersten Verdampfungseinrichtung
- 7
- Winkel der Dampfeintrittsrichtung der zweiten Verdampfungseinrichtung
- 8
- Abstand des ersten Verdampferrohrs zum Substrat
- 9
- Abstand des zweiten Verdampferrohrs zum Substrat
- 10
- Blenden vor dem Substrat
- 11
- Blende vor dem ersten Verdampferrohr
- 12
- Blende vor dem zweiten Verdampferrohr
- 14
- Abstand zwischen dem ersten und zweiten Verdampferrohr
- 15
- Laufrichtung des Substrats
Claims (16)
- Verfahren zur Beschichtung von Substraten in einer Durchlaufvakuumbeschichtungsanlage mit mindestens zwei Verdampfungseinrichtungen mit jeweils einem Verdampferrohr, dadurch gekennzeichnet, dass – in einer ersten Verdampfungseinrichtung ein erstes Material erwärmt und verdampft wird, – in einer zweiten Verdampfungseinrichtung ein zweites Material erwärmt und verdampft wird, – die verdampften Materialien über die Verdampferrohre (
1 ,2 ) mit je einer Dampfeintrittsrichtung (4 ,5 ) gerichtet in die Vakuumbeschichtungsanlage eingebracht werden, – die Winkel (6 ,7 ) der Dampfeintrittsrichtungen (4 ,5 ) zum Substrat (3 ) einstellbar sind und – der Abstand (8 ,9 ) der Verdampferrohre (1 ,2 ) in Bezug auf das Substrat (3 ) eingestellt wird. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Winkel der Dampfeintrittsrichtung (
6 ,7 ) in Bezug auf das Substrat (3 ) im Bereich zwischen +90° < x < –90° eingestellt wird, wobei die Winkel (6 ,7 ) der einzelnen Verdampferrohre (1 ,2 ) unabhängig voneinander eingestellt werden. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand (
8 ,9 ) der Verdampferrohre (1 ,2 ) in Bezug auf das Substrat (3 ) während des Beschichtungsprozesses variabel eingestellt wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand (
14 ) der Verdampferrohre (1 ,2 ) zueinander eingestellt wird. - Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand (
14 ) der Verdampferrohre (1 ,2 ) zueinander während des Beschichtungsprozesses variabel eingestellt wird. - Verfahren nach den Ansprüchen 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein Gradient des ersten und zweiten Materials in der Mischschicht erzeugt wird, wobei das Profil des Gradienten innerhalb der Mischschicht durch den Abstand (
8 ,9 ) der Verdampferrohre (1 ,2 ) zum Substrat (3 ), den Abstand (14 ) der Verdampferrohre (1 ,2 ) zueinander und die Winkel (6 ,7 ) der Dampfeintrittsrichtungen (4 ,5 ) in Bezug auf das Substrat (3 ) eingestellt werden. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der in die Vakuumbeschichtungsanlage eintretende Dampf die Form einer Dampfkeule aufweist und das die Form der Dampfkeulen der verdampften Materialien durch Blenden (
11 ,12 ), welche vor den Öffnungen in den Verdampferrohren (1 ,2 ) angeordnet sind, eingestellt werden. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als zu verdampfende Materialien organische Materialien verwendet werden.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das erste zu verdampfende Material vom zweiten zu verdampfenden Material verschieden ist.
- Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten in einer Durchlaufvakuumbeschichtungsanlage – umfassend mindestens zwei Verdampfungseinrichtungen zur Erwärmung und Verdampfung der abzuscheidenden Materialien mit jeweils einem Verdampferrohr (
1 ,2 ), – wobei Öffnungen in den Verdampferrohren (1 ,2 ) zur Einbringung der verdampften Materialien in die Vakuumbeschichtungsanlage angeordnet sind und – der Abstand (8 ,9 ) der Verdampferrohre (1 ,2 ) in Bezug auf das Substrat (3 ) einstellbar ausgeführt ist und – der Winkel (6 ,7 ) der Dampfeintrittsrichtung (4 ,5 ) in Bezug auf das Substrat (3 ) unabhängig voneinander einstellbar ausgeführt ist. - Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Winkel (
6 ,7 ) der Dampfeintrittsrichtung (4 ,5 ) in Bezug auf das Substrat (3 ) im Bereich zwischen +90° < x < –90° einstellbar ausgeführt ist. - Vorrichtung nach den Ansprüchen 10 und 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnungen in den Verdampferrohren (
1 ,2 ) als Düsen ausgeführt sind. - Vorrichtung nach den Ansprüchen 10 und 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnungen in den Verdampferrohren (
1 ,2 ) als Schlitz ausgeführt sind. - Vorrichtung nach den Ansprüchen 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass vor den Öffnungen in den Verdampferrohren (
1 ,2 ) in Richtung zum Substrat (3 ) Blenden (11 ,12 ) angeordnet sind. - Vorrichtung nach den Ansprüchen 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass Blenden (
10 ) vor dem Substrat (3 ) angeordnet sind. - Vorrichtung nach den Ansprüchen 14 und 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Blenden (
10 ,11 ,12 ) beheizbar ausgeführt sind.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009038519A DE102009038519B4 (de) | 2009-08-25 | 2009-08-25 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Stöchiometriegradientenschichten |
US12/862,290 US8563084B2 (en) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | Method and device for producing stoichiometry gradients and layer systems |
JP2010186889A JP5289396B2 (ja) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | 化学量論的組成勾配層及び層構造の製造方法及び装置 |
KR1020100082049A KR101357089B1 (ko) | 2009-08-25 | 2010-08-24 | 화학량적 구배 층을 생산하기 위한 방법 및 장치 그리고 층 시스템 |
US14/026,013 US20140014032A1 (en) | 2009-08-25 | 2013-09-13 | Device for producing stoichiometry gradients and layer systems |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009038519A DE102009038519B4 (de) | 2009-08-25 | 2009-08-25 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Stöchiometriegradientenschichten |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102009038519A1 DE102009038519A1 (de) | 2011-03-03 |
DE102009038519A8 DE102009038519A8 (de) | 2011-06-01 |
DE102009038519B4 true DE102009038519B4 (de) | 2012-05-31 |
Family
ID=43524976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102009038519A Revoked DE102009038519B4 (de) | 2009-08-25 | 2009-08-25 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Stöchiometriegradientenschichten |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8563084B2 (de) |
JP (1) | JP5289396B2 (de) |
KR (1) | KR101357089B1 (de) |
DE (1) | DE102009038519B4 (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8778082B2 (en) * | 2011-06-07 | 2014-07-15 | Heliovolt Corporation | Point source assembly for thin film deposition devices and thin film deposition devices employing the same |
DE102012107824B3 (de) * | 2012-08-24 | 2014-02-06 | Technische Universität Braunschweig Carolo-Wilhelmina | Verfahren zur Beschichtung eines Substrats mit mehreren Materialschichten und Mehrmaterialienabgabeeinrichtung dafür |
DE102013012471A1 (de) * | 2013-07-26 | 2015-01-29 | Createc Fischer & Co. Gmbh | Verdampfer und Verfahren zur Schichtabscheidung im Vakuum |
CN103540898B (zh) * | 2013-10-30 | 2015-07-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种真空蒸镀装置 |
CN104178734B (zh) * | 2014-07-21 | 2016-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸发镀膜装置 |
CN105401125B (zh) * | 2015-12-15 | 2018-09-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于有机电激光显示的基板的蒸镀方法和蒸镀装置 |
JP6762460B1 (ja) * | 2019-10-04 | 2020-09-30 | 株式会社アルバック | 真空蒸着装置用の蒸着源 |
JP7478007B2 (ja) * | 2020-03-27 | 2024-05-02 | キヤノン株式会社 | 電子デバイスおよびその製造方法、電子装置ならびに移動体 |
DE102021100126A1 (de) | 2021-01-07 | 2022-07-07 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Beschichtungsanordnung und Verfahren |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19845268C1 (de) * | 1998-10-01 | 2000-01-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Bedampfen bandförmiger Substrate mit einer transparenten Barriereschicht aus Aluminiumoxid |
US6632285B2 (en) * | 1999-01-26 | 2003-10-14 | Symyx Technologies, Inc. | Programmable flux gradient apparatus for co-deposition of materials onto a substrate |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5167984A (en) * | 1990-12-06 | 1992-12-01 | Xerox Corporation | Vacuum deposition process |
KR940000259A (ko) * | 1992-06-12 | 1994-01-03 | 게리 리 그리스월드 | 테이프 지지체상에서의 다층 필름 제조 시스템 및 방법 |
JP3407281B2 (ja) * | 1993-04-09 | 2003-05-19 | 石川島播磨重工業株式会社 | 連続真空蒸着装置 |
US5596673A (en) * | 1994-11-18 | 1997-01-21 | Xerox Corporation | Evaporation crucible assembly |
JPH09143697A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-03 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 真空蒸着装置の成膜方法および真空蒸着装置 |
JPH09143696A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-03 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 真空蒸着装置の成膜方法および真空蒸着装置 |
US6488824B1 (en) | 1998-11-06 | 2002-12-03 | Raycom Technologies, Inc. | Sputtering apparatus and process for high rate coatings |
JP4336869B2 (ja) * | 2001-11-27 | 2009-09-30 | 日本電気株式会社 | 真空成膜装置、真空成膜方法および電池用電極の製造方法 |
SG114589A1 (en) * | 2001-12-12 | 2005-09-28 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and film formation method and cleaning method |
JP3754380B2 (ja) | 2002-02-06 | 2006-03-08 | 株式会社エイコー・エンジニアリング | 薄膜堆積用分子線源セルと薄膜堆積方法 |
US7112351B2 (en) * | 2002-02-26 | 2006-09-26 | Sion Power Corporation | Methods and apparatus for vacuum thin film deposition |
DE10312646A1 (de) | 2003-03-21 | 2004-10-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Lichtemittierendes Bauelement mit anorganisch-organischer Konverterschicht |
US7339139B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-03-04 | Darly Custom Technology, Inc. | Multi-layered radiant thermal evaporator and method of use |
DE102004014323B4 (de) | 2004-03-22 | 2009-04-02 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Herstellung von Gradientenschichten oder Schichtenfolgen durch physikalische Vakuumzerstäubung |
DE102004041855B4 (de) * | 2004-04-27 | 2007-09-13 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur kontinuierlichen thermischen Vakuumbeschichtung |
JP4535908B2 (ja) * | 2005-03-14 | 2010-09-01 | 日立造船株式会社 | 蒸着装置 |
US7736438B2 (en) * | 2005-06-01 | 2010-06-15 | Los Alamos National Security, Llc | Method and apparatus for depositing a coating on a tape carrier |
JP4974504B2 (ja) * | 2005-10-13 | 2012-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置、発光装置の作製方法 |
JP4767000B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2011-09-07 | 日立造船株式会社 | 真空蒸着装置 |
JP5064810B2 (ja) * | 2006-01-27 | 2012-10-31 | キヤノン株式会社 | 蒸着装置および蒸着方法 |
EP2020454B1 (de) * | 2007-07-27 | 2012-09-05 | Applied Materials, Inc. | Verdampfungsvorrichtung mit geneigtem Tiegel |
JP2009041040A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Ulvac Japan Ltd | 真空蒸着方法および真空蒸着装置 |
US9127349B2 (en) * | 2008-12-23 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing mixed layers |
EP2204467B1 (de) | 2008-12-23 | 2014-05-07 | Applied Materials, Inc. | Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung von Mischschichten |
DE102009012322B4 (de) * | 2009-03-09 | 2017-05-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Durchlaufverdampfer |
-
2009
- 2009-08-25 DE DE102009038519A patent/DE102009038519B4/de not_active Revoked
-
2010
- 2010-08-24 US US12/862,290 patent/US8563084B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-24 JP JP2010186889A patent/JP5289396B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-24 KR KR1020100082049A patent/KR101357089B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-09-13 US US14/026,013 patent/US20140014032A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19845268C1 (de) * | 1998-10-01 | 2000-01-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Bedampfen bandförmiger Substrate mit einer transparenten Barriereschicht aus Aluminiumoxid |
US6632285B2 (en) * | 1999-01-26 | 2003-10-14 | Symyx Technologies, Inc. | Programmable flux gradient apparatus for co-deposition of materials onto a substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110021683A (ko) | 2011-03-04 |
JP5289396B2 (ja) | 2013-09-11 |
DE102009038519A1 (de) | 2011-03-03 |
US20140014032A1 (en) | 2014-01-16 |
KR101357089B1 (ko) | 2014-02-11 |
DE102009038519A8 (de) | 2011-06-01 |
US8563084B2 (en) | 2013-10-22 |
US20110052796A1 (en) | 2011-03-03 |
JP2011047051A (ja) | 2011-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102009038519B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Stöchiometriegradientenschichten | |
DE2805247C2 (de) | Vorrichtung zur Herstellung von Verbindungshalbleiter-Dünnschichten | |
DE60318170T2 (de) | Vakuumverdampfer | |
DE2631881C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes | |
DE10392223T5 (de) | Linien- oder Flächen-Verdampfer zum Steuern des Schichtdickenprofils | |
EP2655686A1 (de) | Verdampferquelle, verdampferkammer, beschichtungsverfahren und düsenplatte | |
DE102009007587A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten aus der Dampfphase | |
DE102010041376A1 (de) | Verdampfereinrichtung für eine Beschichtungsanlage und Verfahren zur Koverdampfung von mindestens zwei Substanzen | |
WO2016000944A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum erzeugen eines dampfes aus mehreren flüssigen oder festen ausgangsstoffen für eine cvd- oder pvd-einrichtung | |
DE102012109691B4 (de) | Solarabsorber-Schichtsystem mit Gradientenschicht und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102004014323B4 (de) | Verfahren und Anordnung zur Herstellung von Gradientenschichten oder Schichtenfolgen durch physikalische Vakuumzerstäubung | |
DE10212923A1 (de) | Verfahren zum Beschichten eines Substrates und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
EP0438627B1 (de) | Bogenentladungsverdampfer mit mehreren Verdampfertiegeln | |
WO2006037516A1 (de) | Vorrichtung für die beschichtung eines bandörmigen substrates | |
DE102011085888A1 (de) | Beschichtungsverfahren zum Sputtern von Mischschichten und Vorrichtung zum Ausführen des Verfahrens | |
WO2015113093A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines zweistoff-gleitlagers | |
DE102015113542B4 (de) | Verfahren zum Ausbilden einer Schicht mit hoher Lichttransmission und/oder niedriger Lichtreflexion | |
DE102012107966A1 (de) | Verdampfereinrichtung und Koverdampfersystem für eine Beschichtungsanlage | |
DE10129507C2 (de) | Einrichtung zur plasmaaktivierten Bedampfung großer Flächen | |
EP2473645A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von substraten aus der dampfphase | |
DE102009005297B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Vakuumbedampfung | |
DE102013206210A1 (de) | Vakuumbeschichtungsvorrichtung und Verfahren zur Mehrfachbeschichtung | |
DE102012203229B4 (de) | Verfahren zum Mischen von Verdampfungsmaterialien bei der Abscheidung auf einem Substrat im Vakuum | |
DE102009009992B4 (de) | Verfahren zur Abscheidung von CIS-, CIGS- oder CIGSSe-Schichten und Verwendung eines Drahtes zur Herstellung dieser Schichten | |
DE102009029236A1 (de) | Verdampfer, Anordnung von Verdampfern sowie Beschichtungsanlage |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8196 | Reprint of faulty title page (publication) german patentblatt: part 1a6 | ||
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R026 | Opposition filed against patent |
Effective date: 20120829 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENTANWAELTE LIPPERT, STACHOW & PARTNER, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: VON ARDENNE GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBH, 01324 DRESDEN, DE Effective date: 20140707 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: LIPPERT STACHOW PATENTANWAELTE RECHTSANWAELTE , DE Effective date: 20140707 Representative=s name: PATENTANWAELTE LIPPERT, STACHOW & PARTNER, DE Effective date: 20140707 |
|
R037 | Decision of examining division or of federal patent court revoking patent now final |