DE102004014323B4 - Verfahren und Anordnung zur Herstellung von Gradientenschichten oder Schichtenfolgen durch physikalische Vakuumzerstäubung - Google Patents

Verfahren und Anordnung zur Herstellung von Gradientenschichten oder Schichtenfolgen durch physikalische Vakuumzerstäubung Download PDF

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Abstract

Verfahren zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge auf einem Substrat durch physikalische Vakuumzerstäubung von zumindest zwei Targets, wobei die Beschichtung unter einer geeigneten Beschichtungsatmosphäre erfolgt, dabei das Substrat relativ zur Beschichtungsquelle bewegt wird und die Parameter der Leistungseinspeisung der die Targets tragenden Magnetron-Kathoden voneinander abweichen, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung in einem Beschichtungskompartment (1) mittels zwei, jeweils ein Target tragenden Magnetron-Kathoden (7, 8) erfolgt, indem gleichzeitig mittels des ersten Targets (9) eine erste Teilschicht, im Übergangsbereich vom ersten (9) zum zweiten Target (10) eine Mischschicht und mittels des zweiten Targets (10) eine zweite Teilschicht abgeschieden wird, dass die Leistung für jede Magnetron-Kathode (7, 8) unabhängig geregelt wird und dass die beiden Targets (9, 10) zum Substrat (5) durch zwei separate Blenden (13) mit unabhängig voneinander einzustellender Blendenöffnung (14) abgeschirmt werden.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge auf einem Substrat durch physikalische Vakuumzerstäubung von zumindest zwei Targets, wobei die Beschichtung unter einer geeigneten Beschichtungsatmosphäre erfolgt, dabei das Substrat relativ zur Beschichtungsquelle bewegt wird und die Parameter der Leistungseinspeisung der die Targets tragenden Magnetron-Kathoden voneinander abweichen. Die Erfindung betrifft ebenso eine Anordnung zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge nach diesem Verfahren in einem Beschichtungskompartment einer Vakuumbeschichtungsanlage, welches als Beschichtungsquelle zumindest zwei, dem Substrat gegenüber liegende, mit je einem Target bestückte Magnetron-Kathoden einschließlich der Magnetronumgebung, eine Prozessgasführung zur Herstellung der Beschichtungsatmosphäre und ein Transportsystem aufweist, welches eine Relativbewegung zwischen dem Substrat und der Beschichtungsquelle realisiert.
  • Derartige Gradientenschichten oder Schichtenfolgen werden beispielsweise in optisch transparenten Schichtsystemen eingefügt, um gezielt mechanische, optische oder chemische Eigenschaften einzustellen, um die thermische und, damit verbunden, optische Stabilität insbesondere temperbarer Schichtsysteme zu erhöhen oder die Haftung zwischen den optischen und Schutzschichten zu verbessern.
  • Beispielsweise wird in der DE 199 22 162 C2 die unterhalb der optisch wirksamen Reflexionsschicht stets vorhandene Grundschicht in drei Teilschichten untergliedert, die der Stabilisierung der optischen Eigenschaften der Reflexionsschicht und die Verbesserung der mechani schen und morphologischen Eigenschaften des Schichtsystems bewirken. In der WO 02/092527 A1 finden teilweise oxidierte Pufferschichten Anwendung, welche unerwünschte Stickstoff- oder Sauerstoffdiffusionen in die optisch wirksame Schicht im Verlaufe von Wärmebehandlungen und die damit verbundene Änderung der optischen Eigenschaften verhindern. In der EP 1174397 A2 wird ein Schichtsystem beschrieben, welches aus beispielsweise zwölf Einzelschichten besteht und sich darüber hinaus noch in zumindest zwei Einzelschichten das Verhältnis der Stoffanteile der Verbindung ihres Schichtmaterials ändert (Gradientenschichten).
  • Zur Einstellung der erforderlichen Eigenschaften des Schichtsystems werden somit meist Teilschichten eingefügt, welche den Aufbau des Schichtsystems immer weiter untergliedern und dabei den anlagentechnischen Aufwand und Platzbedarf sowie die Herstellungskosten stetig erhöhen, indem für jede weitere Teilschicht eine weitere vollständige Prozesskammer und gegebenenfalls auch eine Separationskammer zu den benachbarten Prozesskammern hin erforderlich ist. Eine weitere Untergliederung mit Einzelschichten mit deutlich kleinerem anlagentechnischen Aufwand wird hingegen mittels Herstellung von Gradientenschichten erzielt.
  • Die in der EP 1174397 A2 beschriebenen Gradientenschichten werden als Schichten hergestellt, die einen stöchiometrischen Sauerstoff- oder Stickstoffanteil aufweisen, welcher sich zur benachbarten, optisch wirksamen Reflexionsschicht hin zu einem unterstöchiometrischen Anteil verringert, was für das Schichtsystem zur Verbesserung der optischen Eigenschaften und deren Stabilität in Wärmebehandlungsprozessen führt.
  • Zur Herstellung dieser Gradientenschicht wird innerhalb eines Prozessschrittes beispielsweise Nickel oder eine Legierung davon in einem reaktiven Sputterprozess oberhalb und gegebenenfalls auch unterhalb einer Reflexionsschicht aufgebracht, indem ein flaches Substrat in einem Beschichtungskompartment an dem einem Target aus Nickel, oder einer Legierung davon, vorbei bewegt wird und dabei in der Targetumgebung eine asymmetrische Prozessgaszufuhr erfolgt. Wird beispielsweise, in Bewegungsrichtung des Substrats betrachtet, vor dem Target ein Gemisch aus einem Inertgas und dem Reaktivgas mit überwiegendem Reaktivgasanteil oder ausschließlich Reaktivgas und hinter dem Target ein Gemisch mit überwiegenden Inertgasanteil oder ausschließlich Inertgas zugeführt, ist zwischen den beiden Seiten eine ungleichmäßige Verteilung des Reaktivgases vorhanden, so dass der zuerst hergestellte, untere Bereich der Schicht einen höheren Oxidationsgrad aufweist, als der obere Teil der Schicht.
  • Eine mit diesem Verfahren hergestellte Gradientenschicht ist nur in begrenztem Maße differenzierbar, da als Gradient nur begrenzte Unterschiede im Oxidationsgrad möglich sind und ergänzend eine gewisse Variation der Dicken der Teilschichten und der Übergangsschicht. Diese Merkmale der Gradientenschicht werden im Wesentlichen durch die Asymmetrie der Reaktivgaszufuhr und die von dem Anlagentakt bestimmte Substratgeschwindigkeit eingestellt, wobei der gesamten Schicht jedoch die einheitlichen Leistungsparameter der einen, gemeinsamen Kathode und die Prozessgaszusammensetzung in dem einen Beschichtungskompartment zugrunde liegen. Ein wesentlicher Nachteil des Verfahrens liegt deshalb darin, dass die Prozesse zur Herstellung der untersten und obersten Teilschicht nicht zu entkoppeln sind, da eine gezielte asymmetrische Reaktivgaszusammensetzung im gemeinsamen Kompartment schwer einstellbar ist. Das führt in der Praxis dazu, dass sich das in der EP 1174397 A2 beschriebene Verfahren hinsichtlich der gezielten Einstellung der optischen Eigenschaften der Gradientenschicht als unflexibel und schwer kontrollierbar erweist. Insbesondere haben sich Drifterscheinungen des stöchiometrischen Verhältnisses der untersten, zuerst hergestellten Teilschicht gezeigt, welche sich, verknüpft mit der einheitlichen Prozesssteuerung, in der Gradientenschicht fortsetzen. Eine Korrektur ist dann stets erst für das folgende Substrat oder den folgenden Substratabschnitt möglich, was die Verlustrate des Verfahrens deutlich erhöht. Hauptsächlich bei dem Einsatz sehr großer Targets, welche die Ausbildung eines räumlichen Spielraum für die Herstellung der erforderlichen Schichtdicke und der Übergangsschicht ermöglichen sollen, ist die Instabilität des Verfahrens und der dadurch bedingten Nachteile besonders ausgeprägt.
  • Die begrenzte Differenzierbarkeit in der Stöchiometrie und deren Instabilität wirkt sich wegen des direkten Zusammenhanges in gleichem Maße nachteilig auf die Herstellung einer gezielten Morphologie der Gesamtschicht, im Sinne einer morphologischen Schichtenfolge aus.
  • Die in DE 100 46 810 C2 und DE 101 31 932 C2 genannte Blockerschich ten, welche die Oxidation der optisch wirksamen Reflexionsschicht des Schichtsystems verhindern soll, indem es die Diffusion von reaktiven Stoffen in die Reflexionsschicht verhindert. Diese Blockerschichten werden als Gradientenschichten ausgebildet, die mit zunehmendem Abstand von der Reflexionsschicht einen sinkenden Anteil dessen Materials und wachsenden Anteil des Blockermaterials aufweisen. Auch die in dem dort beschriebenen Schichtsystem eingefügte Entspiegelungsschicht ist als Gradientenschicht ausgeführt, um die Transmission im sichtbaren Bereich zu erhöhen.
  • In den dort beschriebenen Verfahren zur Herstellung dieser Gradientenschichten werden die Teilschichten dieser Gradientenschichten in verschiedenen Beschichtungsstationen hergestellt. Dabei wird der Gradient erzeugt, indem die einzelnen Beschichtungsstationen, die jeweils die Beschichtung mit einem anderen Material realisieren, räumlich so zueinander angeordnet werden, dass im Bereich der Substratebenen eine gewisse Überlappung der Plasmakeulen der unterschiedlichen Materialien erfolgt. Die Überlappung der Plasmakeulen, gegebenenfalls im Zusammenhang mit einer Substratbewegung wird auch in den Druckschriften DE 196 51 378 A1 und JP 02277768 A sowie in der EP 1 046 727 A2 in Verbindung mit einer speziellen Leistungsregelung oder in der DE 198 60 474 A1 beim bipolaren Puls-Magnetron-Sputtern verwendet. Jedoch ist auch die Überlappung auf einen relativ kleinen Bereich beschränkt und der Differenzierung des Gradienten sind anlagentechnisch enge Grenzen gesetzt.
  • Deshalb liegt der Erfindung die Aufgabenstellung zugrunde, ein Verfahren und eine Anordnung zur Herstellung von Gradientenschichten oder Schichtenfolgen darzustellen, mit denen der Gradient, die Zusammensetzung und die Morphologie der Gradientenschicht gezielter einstellbar, die Zusammensetzung der einzelnen Teilschichten im Verlaufe des Herstellungsverfahrens unabhängig voneinander regelbar sind und eine Verringerung des anlagentechnischen Aufwandes möglich ist.
  • Erfindungsgemäß wird die verfahrensseitige Aufgabenstellung dadurch gelöst, dass die Beschichtung in einem Beschichtungskompartment mittels zwei, jeweils ein Target tragenden Magnetron-Kathoden erfolgt, indem gleichzeitig mittels des ersten Targets eine erste Teilschicht, im Übergangsbereich vom ersten zum zweiten Target eine Mischschicht und mittels des zweiten Targets eine zweite Teilschicht abgeschieden wird, dass die Leistung für jede Magnetron-Kathode unabhängig geregelt wird und dass die beiden Targets zum Substrat durch zwei separate Blenden mit unabhängig voneinander einzustellender Blendenöffnung abgeschirmt werden.
  • Anordnungsseitig wird die Aufgabenstellung dadurch gelöst, dass zwei Magnetron-Kathoden in einem Beschichtungskompartment der Anlage angeordnet sind, dass die Magnetronumgebungen der Magnetron-Kathoden jeweils eine separate Blende umfassen, deren Blendenöffnungen unabhängig voneinander einstellbar sind und die Leistung der einen Magnetron-Kathode unabhängig von der Leistung der anderen Magnetron-Kathode regelbar ist. Die erfindungsgemäße gleichzeitige Beschichtung mittels zwei, im selben Beschichtungskompartment angeordneter und in ihrer Leistung unabhängig voneinander geregelter Magnetron-Kathoden ist die Voraussetzung, um die Zusammensetzung der einen, auf dem Substrat zuunterst abgeschiedenen ersten Teilschicht weitestgehend unabhängig von der Zusammensetzung der zweiten Teilschicht regeln und gleichwohl im Übergangsbereich des gemeinsamen Rezipienten in dem Beschichtungskompartment auf dem relativ zur Beschichtungsquelle bewegten Substrat die Mischschicht abscheiden zu können. Da eine Relativbewegung zwischen dem Substrat und den Beschichtungsquellen erfolgt, ist unter der gleichzeitigen Beschichtung mittels zwei Magnetron-Kathoden deren gleichzeitiger Betrieb zu verstehen, so dass infolge der Bewegung die Teilschichten nacheinander und die Mischschicht dazwischen abgeschieden werden.
  • Die gleichzeitige Beschichtung mittels zwei Magnetron-Kathoden innerhalb nur eines gemeinsamen Rezipienten führt somit die bekannte in zwei nacheinander angeordneten Beschichtungskompartments ausgeführte Beschichtung in einem Beschichtungskompartment zusammen, verringert die erforderliche Zahl der Kompartments auf die Hälfte und reduziert so die Länge der Anlage und nutzt die durch Anordnung von Gasseparationen oder Druckstufen oder zumindest einer Trennwand zwischen zwei Kompartments mit unterschiedlichen Beschichtungsatmosphären sonst vermiedene, gegenseitige, über den gesamten Raum zwischen Target und Substrat mögliche Beeinflussung und Überlagerung der nebeneinander ablaufenden, unabhängigen voneinander gesteuerten Beschichtungsprozesse aus, um den Übergang des Schichtaufbaus von der ersten zur zweiten Teilschicht kontinuierlich zu gestalten und diesen Übergang als Mischschicht auszubilden.
  • Aus diesem Grund ist eine mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Gradientenschicht als Schicht mit kontinuierlich wachsendem oder sinkendem Anteil der Schichtmaterialien und keinesfalls als Stapel von Einzelschichten zu verstehen. Auch die Schichtenfolge ist in diesem Sinn aufzufassen, meint hingegen beispielsweise eine zwischen den Teilschichten veränderte Morphologie, die insbesondere durch die Variation des Druckes im Rezipienten, der Stöchiometrie oder auch der Schichtzusammensetzung aus mehreren Materialien gebildet wird.
  • Wird der Beschichtungsprozess reaktiv geführt, kann insbesondere der Oxidationsgrad jeder der beiden Teilschichten gezielt und getrennt voneinander eingestellt werden, indem die Regelung der beiden Beschichtungsprozesse über die Leistungsregelung jeder einzelnen Magnetron-Kathode erfolgt. Hierbei können dem Inertgas die verschiedensten Reaktivgase zugeführt werden, wie insbesondere Sauerstoff und Stickstoff. Es sind jedoch auch Gaszusätze möglich, welche Kontaminierungen des Prozessraumes binden oder welche die Schichtzusammensetzung oder den Beschichtungsprozess selbst beeinflussen, wie beispielsweise Wasserstoff, ein Kohlenwasserstoff-Gas, Krypton oder eine Mischung verschiedener Gase. Mittels geeigneter Regelkreise zur Stabilisierung des reaktiven Sputterprozesses, beispielsweise durch den Einsatz von Plasma-Emissions-Monitor-Regelkreisen, kann beispielsweise auftretenden Drifterscheinungen der Stöchiometrie beim Abscheiden der ersten Teilschicht gegengesteuert werden, indem die Stöchiometrie der zweiten Teilschicht und somit auch der Übergangsschicht entsprechend bekannter Kennlinien bewusst so geändert wird, dass die optische Eigenschaft der gesamten Gradientenschicht den Sollwert beibehält. Diese Regelung ist entsprechend Art und Umfang der Drift mittels der Steuerung der zweiten Magnetron-Kathode möglich. Somit führt die erfindungsgemäße Prozessführung in zwei gleichzeitigen Beschichtungsprozessen mittels zwei Magnetron-Kathoden innerhalb eines Kompartments zu einem stabilen Verfahren für gezielt einstellbare Schichteigenschaften.
  • Ein besonderer Vorteil des erfindungsgemäßen Beschichtungsverfahrens in einem gemeinsamen Kompartment besteht darin, dass beide Teilprozesse mit einem einheitlichen Druck durchgeführt werden, was aufgrund des unmittelbaren Einflusses dieses Prozessparameters auf die Stöchiometrie und die Morphologie der Schichten deren mit dem erfindungsgemäßen Verfahren eingestellten Eigenschaften stabilisiert.
  • Sofern es für eine weitere Differenzierung der Gradientenschicht oder Schichtenfolge erforderlich ist und es die räumlichen Möglichkeiten des einen Kompartments gestatten, ist auch die Erweiterung des Verfahrens durch eine weitere Beschichtungsquelle im selben Kompartment grundsätzlich möglich.
  • Den Vorteil der direkten Variationsmöglichkeit der Mischschicht vermag die erfindungsgemäße Abschirmung zwischen den beiden Targets und dem Substrat durch zwei separate Blenden mit unabhängig voneinander einzustellender Blendenöffnung zu verstärken. Durch die unabhängige Regulierung der Blendenöffnungsgröße der für jede Magnetron-Kathode separat vorhandenen Blende kann dabei neben dem Dickenverhältnis der ersten und zweiten Teilschicht auch der Einfluss der einzelnen Magnetron-Kathode auf die Übergangsschicht variiert werden. Gemeinsam mit oder neben der unabhängigen Leistungsregelung jeder Magnetron-Kathode können über die Regelung der Blendenöffnungen im Verlaufe des Beschichtungsverfahrens festgestellte Drifterscheinungen ausgeglichen und die optischen Eigenschaften der Schicht stabilisiert werden.
  • Für die Energieversorgung der beiden Magnetron-Kathoden können entsprechend der abzuscheidenden Materialien und der gewünschten Materialabscheidung (Sputterrate) eine der bekannten Formen gewählt werden. So sind in Abhängigkeit vom abzuscheidenden Material die ungepulste Gleichstromversorgung für jede Magnetron-Kathode bei Variation der jeweiligen Sputterrate durch unterschiedlich hohe Leistungseinspeisung, die Energieversorgung mittels Frequenz-Generator im mittleren Frequenz-Bereich, vorzugsweise von 10 kHz bis 100 kHz, oder die gepulste Gleichstromversorgung für jedes Magnetron bei Variation der Pulsung und der Höhe der Leistungseinspeisung ebenso möglich sowie die Energieversorgung beider Magnetron-Kathoden mittels asymmetrisch gepulster, bipolarer Stromversorgung.
  • Ergänzend zu diesen oder weiteren geeigneten Möglichkeiten der Energieversorgung der Magnetron-Kathoden erweist es sich in bestimmten Anwendungsfällen als günstig, dass bei asymmetrisch gepulster bipolarer Stromversorgung die Pulsung für die Magnetron-Kathoden unabhängig voneinander variiert wird. Da die Pulspaketsteuerung die stabile Abscheidung dünner Schichten zulässt, können durch die Variation der Pulspakete für jede Magnetron-Kathode auch dort unterschiedlich hohe Sputterraten realisiert werden, was die Möglichkeiten zur Differenzierung der Gradientenschicht oder Schichtenfolge weiter erhöht.
  • Der gemeinsame Rezipient und die damit einheitliche Beschichtungsatmosphäre an beiden Magnetron-Kathoden unterstützt in besonders vorteilhafter Weise die Herstellung einer Gradientenschicht, welche ei nen nicht oxidierten Bereich und von dort ausgehend einen kontinuierlich ansteigenden Oxidationsgrad aufweist. Zu diesem Zweck sieht eine bevorzugte erfindungsgemäße Ausgestaltung vor, dass die Magnetron-Kathoden mit Targets gleichen Materials bestückt sind.
  • Es hat sich herausgestellt, dass in diesem Fall mittels der erfindungsgemäß unabhängigen Leistungsregelung und eventuell ergänzenden, im Folgenden auszuführenden weiteren Regelungsmöglichkeiten der Oxidationsgrad auch bei der Anwesenheit eines Reaktivgases in der Beschichtungsatmosphäre der Oxidationsgrad des abgeschiedenen Targetmaterials in den genannten Grenzen herstellbar ist. Wird eine Magnetron-Kathode mit einer sehr hohen Leistung betrieben, hat der Reaktivgasanteil der Beschichtungsatmosphäre keinen Einfluss auf den Beschichtungsprozess und die eine Teilschicht wird rein metallisch. Mit der zweiten, mit deutlich geringerer Leistung betriebenen Magnetron-Kathode wird die andere, reaktive Teilschicht und im Übergangsbereich in der oben beschriebenen Weise die Mischschicht mit kontinuierlich wachsendem oder sinkendem Oxidationsgrad, je nach Abfolge der Magnetron-Kathoden, abgeschieden. Auch in dieser Ausführung ist über die Leistungsregelung sowohl der Oxidationsgrad als auch die Mischschicht zu beeinflussen.
  • Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht die Beschichtung in zwei, innerhalb des einen Beschichtungskompartments unterteilten Teilkompartments mit jeweils einer mit einem Target bestückten Magnetron-Kathode vor. Dazu wird anordnungsseitig das Kompartment durch eine zwischen den Magnetron-Kathoden, senkrecht zum Substrat und zur Transportrichtung und mit einem Abstand zum Substrat angeordnete Scheidewand abschnittsweise in zwei Teilkompartments unterteilt. Mit dieser verfahrens- und anordnungsseitigen Ausgestaltung wird die gegenseitige Beeinflussung im Bereich der Magnetron-Kathoden verringert, ohne jedoch die Prozessbereiche so zu trennen, dass die beschriebenen Vorteile hinsichtlich der Stabilisierung des Beschichtungsprozesses, hinsichtlich der Differenzierbarkeit der Teilschichten und hinsichtlich der Reduzierung des anlagentechnischen Aufwandes vermindert werden.
  • Indem die beiden Kathodenräume durch die Scheidewand entkoppelt werden, werden vielmehr insbesondere die Differenzierung der Teilschichten und die Stabilisierung des Prozesses durch die Regelung der Pro zessparameter im zweiten Teilkompartment in der oben beschriebenen Weise erhöht. Darüber hinaus ist auch die Mischschicht über die Regulierung der Blendenöffnungen im größeren Umfang variierbar.
  • In einer weiteren Fortbildung der soeben beschriebenen Ausgestaltung des Verfahrens zur Gradientenherstellung in zwei Teilkompartments wird die Prozessgaszufuhr für die Magnetron-Kathoden unabhängig voneinander betrieben. Aufgrund der bekannten Abhängigkeit beispielsweise der Sputterrate und der Struktur der aufgetragenen Schicht unterstützt auch diese für beide Teilbeschichtungsprozesse unabhängige Regelungsmöglichkeit die Differenzierung der herzustellenden Gradientenschicht oder Schichtenfolge und der Stabilisierung von deren Eigenschaften, indem die Beschichtungsatmosphäre im Zusammenhang mit der Regelung der Leistungseinspeisung reguliert wird. Ebenso kann bei reaktiver Prozessführung nur einer der Magnetron-Kathoden zusätzlich zu dem Inertgas ein Reaktivgas zugeführt wird.
  • Dem Ausgleich lokaler Schwankungen der Sputterrate dient eine besonders vorteilhafte Ausgestaltung des Verfahrens, indem zumindest einer Magnetron-Kathode unabhängig von der Prozessgaszufuhr ein weiteres Inert- oder Reaktivgas zugeführt wird. Insbesondere wenn diese unabhängige Prozessgaszufuhr anordnungsseitig durch ein über die gesamte Länge der Magnetron-Kathode führendes Gaseinlasssystem realisiert und in zumindest zwei Segmente untergliedert ist, kann durch die sequentiell unterschiedliche Regelung eines Gaszuflusses die Sputterrate entlang der Magnetron-Kathode lokal reguliert werden, wobei sowohl die unabhängige Zufuhr von Inertgas als auch von Reaktivgas grundsätzlich dafür geeignet ist. Da ein lokal geringer, zusätzlicher, das bedeutet von der Herstellung der Prozessatmosphäre unabhängiger Gaseinlass von insbesondere einem in der Prozessatmosphäre bereits vorhandenen Gase die Sputterrate auch nur lokal beeinflusst, ist diese Verfahrensausgestaltung sowohl in dem gemeinsamen als auch dem durch eine Scheidewand abschnittsweise geteilten Beschichtungskompartment anwendbar.
  • Alternativ ist es ebenso von Vorteil, dass die Abstände der Targets zum Substrat unabhängig voneinander einstellbar sind und die unabhängige Einstellung der Abstände für das Beschichtungsverfahren genutzt wird, um die Beschichtungsraten, die Morphologie und die Stöchiometrie der Teilschichten dementsprechend zu variieren.
  • Darüber hinaus ist es dienlich, dass der Abstand zwischen den Magnetron-Kathoden einstellbar ist. Da die zwischen der ersten und zweiten Teilschicht liegende Mischschicht im Übergangsbereich des gemeinsamen Prozessraumes von der ersten zur zweiten Magnetron-Kathode abgeschieden wird, ist in Abhängigkeit von weiteren Prozessparametern, beispielsweise der Substratgeschwindigkeit, der Leistungen der Magnetron-Kathoden und der Blendenöffnungen, insbesondere die Dicke und die Größe des Gradienten variierbar.
  • In einer weiteren Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Anordnung sind die Magnetron-Kathoden als Rohrkathoden ausgebildet, was ebenfalls der Stabilisierung der Abscheidung dient, da auf den rotierenden und somit gleichmäßig abgetragenen Targets keine so genannten Rückstäubzonen entstehen, welche Bogenentladungen oder Materialabbröckelungen verursachen können.
  • Die Erfindung soll nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert werden. Die zugehörige Zeichnung zeigt in den
  • 1 eine schematische Darstellung eines erfindungsgemäßen Verfahrens mittels Rohrkathoden und
  • 2 eine schematische Darstellung eines erfindungsgemäßen Verfahrens mittels Planarkathoden.
  • Das in der 1 dargestellte Beschichtungskompartment 1 ist Teil einer Vakuumbeschichtungsanlage und von dieser durch Trennwände 2 abgeteilt. Die Trennwände 2 weisen in ihrem oberen Bereich Saugöffnungen 3 auf, durch welche das Beschichtungskompartment 1 evakuiert wird. Durch die Transportöffnungen 4 im unteren Bereich der Trennwände 2 werden die zu beschichtenden, flachen Substrate 5 auf einem Transportsystem 6 durch die Anlage bewegt.
  • Das Beschichtungskompartment 1 weist eine erste 7 und eine zweite Magnetron-Kathode 8 auf, die mit einem ersten 9 und einem zweiten Target 10 bestückt sind. Beide Targets 9, 10 sind, bezüglich ihrer Mittelpunkte, in einer Targetebene 12 angeordnet, so dass sie bis zu einem gleichen Target-Substrat-Abstand 10 in das Beschichtungskompartment 1 ragen. Zwischen jedem der beiden Targets 9, 10 und dem Substrat 5 ist je eine Blende 13 angeordnet, welche seitlich an die Trennwände 2 sowie mittig aneinander anschließen und jeweils mittig unter jedem Target 9, 10 eine verstellbare, im Ausführungsbeispiel gleichgroße Blendenöffnung 14 aufweisen.
  • Im Beschichtungskompartment sind oberhalb der Targetebene 12 jeweils beidseitig der Magnetron-Kathoden 7, 8 ein Gaseinlass für ein Mischgas 15 aus Inertgas und einem Reaktivgas und ein weiterer Gaseinlass für das Inertgas 16 angeordnet, wobei der Gaseinlass des Inertgases 16 Teil eines nicht näher dargestellten Gaseinlasssystems ist, welches sich über die in Blickrichtung des Betrachters ausdehnende Länge der Magnetron-Kathode erstreckt und in mehrere Segmente mit jeweils eigenem Gaseinlass unterteilt ist. Die verschiedenen Gaseinlässe sind mit zwei getrennten, nicht dargestellten Gasführungssystemen verbunden.
  • Zur Beschichtung des Substrats 5 wird es auf dem Transportsystem 6 in Transportrichtung 19 gleichförmig durch das Beschichtungskompartment 1 befördert. Für den Beschichtungsprozesses wird über die Gaseinlässe für das Mischgas 15 an jeder Magnetron-Kathode 7, 8 gleichermaßen ein vorgemischtes Inert-Reaktivgas-Gemisch, in diesem Beispiel ein Argon-Sauerstoff-Gemisch, in das Beschichtungskompartment 1 geleitet und das Inertgas Argon über den separaten, sequentierten Inertgaseinlass 16 entlang der Längsausdehnung der Magnetron-Kathoden 7, 8 lokal differenziert zugeführt, so dass eine lokale Stabilisierung des Beschichtungsprozesses wie oben beschrieben erfolgt.
  • Die nicht näher dargestellte erste 17 und zweite Energieversorgung 18 der ersten 7 und zweiten Magnetron-Kathode 8 erfolgt durch gepulste Gleichstromversorgung.
  • In dem Ausführungsbeispiel nach 1 wird eine TiOx-Gradientenschicht mit dem Sauerstoffanteil X als Gradient hergestellt. Zu diesem Zweck werden beide Magnetron-Kathoden 7, 8 mit jeweils einem keramischen Titan-Target bestückt, bestehend aus unterstöchiometrischem TiOz, mit Z < 2, indem das Material mittels Spritztechnologie unter Sauerstoffzufuhr auf die Rohrkathoden aufgebracht wurden. Die erste Magnetron-Kathode 7 wird mit der zur Herstellung einer stöchiometrischen TiO2-Schicht gerade notwendigen Sauerstoffzufuhr und Standardleistung betrieben. Hingegen ist die Leistung der zweiten Magnetron-Kathode 8 deutlich höher geregelt.
  • Dadurch wird auf dem bewegten Substrat 5 unterhalb des ersten TiOz- Targets 9 als erste dielektrische Teilschicht eine stöchiometrische TiO2-Schicht abgeschieden, im Bereich der Überlappung der Plasmakeulen der beiden Magnetron-Kathoden 7, 8 die Mischschicht aus TiOx mit entsprechend der Energieverteilung in diesem Bereich abnehmendem Sauerstoffanteil X, welcher kleiner als zwei und größer als Z ist, und unterhalb des zweiten TiOz-Targets 10 eine TiOy-Schicht, mit dem Sauerstoffanteil Y, welcher geringfügig größer ist als der Sauerstoffanteil der Targets Z, so dass für die Sauerstoffanteile der Targets Z. der unterstöchiometrischen Schicht Y und der Gradientenschicht X gilt: 2 > X > Y > Z. Diese Dielektrikumsschicht dient als Schutz- und/oder Entspiegelungsschicht und wird derart oberhalb oder unterhalb der optisch wirksamen Funktionsschicht, beispielsweise Silber abgeschieden, dass der Gradient zur Silberschicht hin abnimmt.
  • Ein weiteres Ausführungsbeispiel dessen Anordnung zur Realisierung des Verfahrens in 2 dargestellt ist, stellt die Herstellung einer Gradientenschicht dar, welche als sogenannte Blockerschicht zum Schutz der reflektierenden Funktionsschicht dient, indem sie zur Funktionsschicht hin einen metallischen oder zumindest nahezu metallischen Charakter aufweist und mit zunehmenden Abstand reaktiver wird.
  • Der grundlegende Aufbau des Beschichtungskompartments ist vergleichbar mit dem des ersten Ausführungsbeispieles gemäß 1. Jedoch sind in diesem Verfahren die beiden Magnetron-Kathoden 7, 8 Planarkathoden. Die Blenden 13, welche in der Mitte aneinander und seitlich an die Trennwände 2 anschließen, schirmen die Kathoden zum Substrat ab. Beide Blenden 13 weisen mittig unter den Targets 9, 10 jeweils eine verstellbare Blendenöffnung 14 auf, die unterschiedlich groß eingestellt sind.
  • In dieser Ausführungsform können die beiden Targets 9, 10 beispielsweise aus Niob bestehen. Die Beschichtung wird, bei sonst vergleichbaren Substratdurchlauf und Prozessgasführung, mittels der ersten Magnetron-Kathode 7 bei sehr hoher Kathoden-Leistung ausgeführt, so dass eine nahezu metallische Niob-Teilschicht entsteht. Indem die Leistungsregelung der zweiten Magnetron-Kathode 8 deutlich niedriger geführt wird, wird eine zumindest teilweise reaktive Niob-Teilschicht NbOy und im Übergangsbereich zwischen beiden Magnetron-Kathoden 7, 8 eine Niob-Mischschicht NbOx mit zunehmendem Sauerstoffanteil X (mit X < Y) abgeschieden.
  • 1
    Beschichtungskompartment
    2
    Trennwand
    3
    Saugöffnung
    4
    Transportöffnung
    5
    Substrat
    6
    Transportsystem
    7
    erste Magnetron-Kathode
    8
    zweite Magnetron-Kathode
    9
    erstes Target
    10
    zweites Target
    11
    Target-Substrat-Abstand
    12
    Targetebene
    13
    Blende
    14
    Blendenöffnung
    15
    Gaseinlass für Mischgas
    16
    Gaseinlass für Inertgas
    17
    erste Energieversorgung
    18
    zweite Energieversorgung
    19
    Transportrichtung

Claims (15)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge auf einem Substrat durch physikalische Vakuumzerstäubung von zumindest zwei Targets, wobei die Beschichtung unter einer geeigneten Beschichtungsatmosphäre erfolgt, dabei das Substrat relativ zur Beschichtungsquelle bewegt wird und die Parameter der Leistungseinspeisung der die Targets tragenden Magnetron-Kathoden voneinander abweichen, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung in einem Beschichtungskompartment (1) mittels zwei, jeweils ein Target tragenden Magnetron-Kathoden (7, 8) erfolgt, indem gleichzeitig mittels des ersten Targets (9) eine erste Teilschicht, im Übergangsbereich vom ersten (9) zum zweiten Target (10) eine Mischschicht und mittels des zweiten Targets (10) eine zweite Teilschicht abgeschieden wird, dass die Leistung für jede Magnetron-Kathode (7, 8) unabhängig geregelt wird und dass die beiden Targets (9, 10) zum Substrat (5) durch zwei separate Blenden (13) mit unabhängig voneinander einzustellender Blendenöffnung (14) abgeschirmt werden.
  2. Verfahren zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Energieversorgung der Magnetron-Kathoden (7, 8) mittels asymmetrisch gepulster, bipolar Stromversorgung er folgt und für die Magnetron-Kathoden (7, 8) die Pulsung unabhängig voneinander variiert wird.
  3. Verfahren zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung in zwei, innerhalb des Beschichtungskompartments (1) unterteilten Teilkompartments mit jeweils einer mit einem Target (9 oder 10) bestückten Magnetron-Kathode (7 oder 8) erfolgt.
  4. Verfahren zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Prozessgaszufuhr für die Magnetron-Kathoden (7, 8) unabhängig voneinander betrieben wird.
  5. Verfahren zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge nach einem der Ansprüche 1 bis 4 dadurch gekennzeichnet, dass zumindest einer Magnetron-Kathode (7 oder 8) unabhängig von der Prozessgaszufuhr ein weiteres Inert- oder Reaktivgas zugeführt wird.
  6. Verfahren zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge nach einem der Ansprüche 1 bis 5 dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand zwischen den Targets (9, 10) und dem Substrat (5) unabhängig voneinander eingestellt wird.
  7. Anordnung zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge mittels Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6 in einer Vakuumbeschichtungsanlage, welche als Beschichtungsquellen zumindest zwei, dem Substrat gegenüber liegende, mit je einem Target bestückte Magnetron-Kathoden einschließlich der Magnetronumgebung, eine Prozessgasführung zur Herstellung der Beschichtungsatmosphäre und ein Transportsystem aufweist, welches eine Relativbewegung zwischen dem Substrat und den Beschichtungsquellen realisiert, dadurch gekennzeichnet, dass zwei Magnetron-Kathoden (7, 8) in einem Beschichtungskompartment (1) der Anlage angeordnet sind, dass die Magnetronumgebungen der Magnetron-Kathoden (7, 8) jeweils eine separate Blende (13) umfassen, deren Blendenöffnungen (14) unabhängig voneinander einstellbar sind und die Leistung der ersten Magnetron-Kathode (7) unabhängig von der Leistung der zweiten Magnetron-Kathode (8) regelbar ist.
  8. Anordnung zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass für die beiden Magnetron-Kathoden getrennte Gleichstromversorgungen angeordnet sind, deren Leistungseinkopplungen unabhängig voneinander stellbar sind.
  9. Anordnung zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Magnetron-Kathoden (7, 8) mit Targets (9, 10) gleichen Materials bestückt sind.
  10. Anordnung zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Beschichtungskompartment (1) durch eine zwischen den Magnetron-Kathoden (7, 8), senkrecht zum Substrat (5) und zur Transportrichtung (19) und mit einem Abstand zum Substrat (5) angeordnete Scheidewand abschnittsweise in zwei Teilkompartments unterteilt ist.
  11. Anordnung zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Prozessgasführung derart ausgeführt ist, dass zumindest einer Magnetron-Kathode (7 oder 8) eine weitere unabhängige Prozessgaszufuhr für zumindest eines der Prozessgase zugeordnet ist.
  12. Anordnung zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die unabhängige Prozessgaszufuhr ein über die gesamte Länge der Magnetron-Kathode (7 oder 8) führendes Gaseinlasssystem aufweist, welches in zumindest zwei Segmente untergliedert ist.
  13. Anordnung zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge nach einem der Ansprüche 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Abstände der Targets (9, 10) zum Substrat (5) unabhängig voneinander einstellbar sind.
  14. Anordnung zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge nach einem der Ansprüche 7 bis 13 dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand zwischen den Magnetron-Kathoden (7, 8) einstellbar ist.
  15. Anordnung zur Herstellung einer Gradientenschicht oder Schichtenfolge nach einem der Ansprüche 7 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Magnetron-Kathoden (7, 8) Rohrkathoden sind.
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