JPH06181163A - 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 - Google Patents
反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置Info
- Publication number
- JPH06181163A JPH06181163A JP4333105A JP33310592A JPH06181163A JP H06181163 A JPH06181163 A JP H06181163A JP 4333105 A JP4333105 A JP 4333105A JP 33310592 A JP33310592 A JP 33310592A JP H06181163 A JPH06181163 A JP H06181163A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beam splitter
- polarization beam
- light
- optical system
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0892—Catadioptric systems specially adapted for the UV
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/28—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising
- G02B27/283—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for polarising used for beam splitting or combining
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70108—Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S359/00—Optical: systems and elements
- Y10S359/90—Methods
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細パターンの方向性に依存しない解像力を
得る。 【構成】 偏光ビームスプリッター(3)と凹面鏡
(6)とレンズ群(2、4、8)と1/4波長板(4)
とを備え、レチクル1の微細パターンをウエハ(9)上
に結像する反射屈折光学系において、偏光ビームスプリ
ッターとウエハの間に偏光ビームスプリッターからのS
偏光光を円偏光光に変換する1/4波長板(7)を設け
る。
得る。 【構成】 偏光ビームスプリッター(3)と凹面鏡
(6)とレンズ群(2、4、8)と1/4波長板(4)
とを備え、レチクル1の微細パターンをウエハ(9)上
に結像する反射屈折光学系において、偏光ビームスプリ
ッターとウエハの間に偏光ビームスプリッターからのS
偏光光を円偏光光に変換する1/4波長板(7)を設け
る。
Description
【0001】
【技術分野】本発明は反射屈折型光学系、特にICやL
SI等の半導体デバイスやCCD等撮像デバイスや液晶
パネル等の表示デバイスを製造する為に使用される微細
パターン結像用の反射屈折型光学系と該反射屈折光学系
を備える投影露光装置に関する。
SI等の半導体デバイスやCCD等撮像デバイスや液晶
パネル等の表示デバイスを製造する為に使用される微細
パターン結像用の反射屈折型光学系と該反射屈折光学系
を備える投影露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】IC、LSI等の半導体装置の高集積化
が益々加速度を増しており、これに伴なう半導体ウエハ
ーの微細加工技術の進展も著しい。この微細加工技術の
中心をなす投影露光技術は、現在、0.5ミクロン以下
の寸法の像を形成するべく、解像度の向上が図られてい
る。
が益々加速度を増しており、これに伴なう半導体ウエハ
ーの微細加工技術の進展も著しい。この微細加工技術の
中心をなす投影露光技術は、現在、0.5ミクロン以下
の寸法の像を形成するべく、解像度の向上が図られてい
る。
【0003】解像度を向上させるべく露光光の波長を短
くする方法があるが、波長が短くなると投影レンズ系に
使用可能な硝材の種類が制限される為、色収差の補正が
難しくなる。
くする方法があるが、波長が短くなると投影レンズ系に
使用可能な硝材の種類が制限される為、色収差の補正が
難しくなる。
【0004】この色収差の補正に関する負荷を軽減させ
た投影光学系として、主として凹面鏡のパワーで結像を
行う、この凹面鏡とレンズ群とにより構成された反射屈
折型光学系がある。
た投影光学系として、主として凹面鏡のパワーで結像を
行う、この凹面鏡とレンズ群とにより構成された反射屈
折型光学系がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この反射屈折型光学系
は、物平面側から順に偏光ビームスプリッターと1/4
波長板と凹面鏡を備えており、物平面からの光を偏光ビ
ームスプリッターと1/4波長板を介して凹面鏡で反射
した後、再度1/4波長と偏光ビームスプリッターを介
して像平面に結像するものであり、偏光ビームスプリッ
ターと1/4波長板を組み合わせて光の損失を少なくし
ているが、結像に直線偏光光が用いられているので、
0.5um以下の微細な像を形成する場合には、物平面
の(線状)パターンの(長手)方向性に依存して結像性
能が変化するといった問題がある。
は、物平面側から順に偏光ビームスプリッターと1/4
波長板と凹面鏡を備えており、物平面からの光を偏光ビ
ームスプリッターと1/4波長板を介して凹面鏡で反射
した後、再度1/4波長と偏光ビームスプリッターを介
して像平面に結像するものであり、偏光ビームスプリッ
ターと1/4波長板を組み合わせて光の損失を少なくし
ているが、結像に直線偏光光が用いられているので、
0.5um以下の微細な像を形成する場合には、物平面
の(線状)パターンの(長手)方向性に依存して結像性
能が変化するといった問題がある。
【0006】例えば、開口数NA=0.5、設計波長2
48nmの投影光学系と位相シフトマスク(ライン&ス
ペースパターン)を用いて形成できる0.2umの像の
コントラストは、結像に用いる光の偏光方向がパターン
の長手方向と平行か垂直かによって、20%程度の差が
生じる。
48nmの投影光学系と位相シフトマスク(ライン&ス
ペースパターン)を用いて形成できる0.2umの像の
コントラストは、結像に用いる光の偏光方向がパターン
の長手方向と平行か垂直かによって、20%程度の差が
生じる。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の反射屈折光学系
は、物平面側から順に偏光ビームスプリッターと1/4
波長板と凹面鏡を備えており、物平面からの光を偏光ビ
ームスプリッターと1/4波長板を介して凹面鏡で反射
した後、再度1/4波長と偏光ビームスプリッターを介
して像平面に結像する反射屈折型光学系において、前記
偏光ビームスプリッターと前記像平面の間に前記偏光ビ
ームスプリッターからの偏光光の偏光面を変化させる手
段を設けることにより、上記問題を解決しようとするも
のである。
は、物平面側から順に偏光ビームスプリッターと1/4
波長板と凹面鏡を備えており、物平面からの光を偏光ビ
ームスプリッターと1/4波長板を介して凹面鏡で反射
した後、再度1/4波長と偏光ビームスプリッターを介
して像平面に結像する反射屈折型光学系において、前記
偏光ビームスプリッターと前記像平面の間に前記偏光ビ
ームスプリッターからの偏光光の偏光面を変化させる手
段を設けることにより、上記問題を解決しようとするも
のである。
【0008】本発明の投影露光装置は、マスクのパター
ンを被露光基板上に投影する投影光学系が、前記マスク
側から順に偏光ビームスプリッターと1/4波長板と凹
面鏡を備え、前記マスクからの光を偏光ビームスプリッ
ターと1/4波長板を介して凹面鏡で反射した後、再度
1/4波長と偏光ビームスプリッターを介して前記被露
光基板上に向け、前記被露光基板上に前記マスクのパタ
ーンを結像するよう構成されており、更に、前記偏光ビ
ームスプリッターと前記像平面の間に前記偏光ビームス
プリッターからの偏光光の偏光面を変化させる手段を備
えることにより、上記課題を解決しようとするものであ
る。
ンを被露光基板上に投影する投影光学系が、前記マスク
側から順に偏光ビームスプリッターと1/4波長板と凹
面鏡を備え、前記マスクからの光を偏光ビームスプリッ
ターと1/4波長板を介して凹面鏡で反射した後、再度
1/4波長と偏光ビームスプリッターを介して前記被露
光基板上に向け、前記被露光基板上に前記マスクのパタ
ーンを結像するよう構成されており、更に、前記偏光ビ
ームスプリッターと前記像平面の間に前記偏光ビームス
プリッターからの偏光光の偏光面を変化させる手段を備
えることにより、上記課題を解決しようとするものであ
る。
【0009】本発明の反射屈折型光学系及び投影露光装
置は、ICやLSI等の半導体デバイスやCCD等撮像
デバイスや液晶パネル等の表示デバイスを製造する為
に、効果的に使用される。特に、投影光学系となる反射
屈折光学系の倍率を縮小にすることにより、遠紫外光を
用いて、0.5um以下の微細なデバイスパターンを結
像できる。
置は、ICやLSI等の半導体デバイスやCCD等撮像
デバイスや液晶パネル等の表示デバイスを製造する為
に、効果的に使用される。特に、投影光学系となる反射
屈折光学系の倍率を縮小にすることにより、遠紫外光を
用いて、0.5um以下の微細なデバイスパターンを結
像できる。
【0010】
【実施例】図1は本発明の一実施例であるところの半導
体素子製造用縮小投影露光装置を示す。
体素子製造用縮小投影露光装置を示す。
【0011】図1において、1はウエハ9上に転写され
るべき半導体素子の回路パターンが形成されたレチクル
で、反射屈折型光学系100の物平面に不図示のレチク
ルステージにより保持され、不図示の照明系からの波長
λ(<300nm)の遠紫外光によりレチクル1の回路
パターンが均一な照度で照明される。レチクル1の回路
パターンからの0次や1次の回折光を含む発散光は正の
屈折力を備える第1レンズ群2に入射する。第1レンズ
群2は、この発散光を、光軸AXにほぼ平行な光線の束
より成る平行光に変換し、偏光ビームスプリッター3に
入射させる。偏光ビームスプリッター3に入射した平行
光は偏光ビームスプリッター3を透過し、1/4波長
(λ/4)板4を介して、負の屈折力を備える第2レン
ズ群5に入射する。
るべき半導体素子の回路パターンが形成されたレチクル
で、反射屈折型光学系100の物平面に不図示のレチク
ルステージにより保持され、不図示の照明系からの波長
λ(<300nm)の遠紫外光によりレチクル1の回路
パターンが均一な照度で照明される。レチクル1の回路
パターンからの0次や1次の回折光を含む発散光は正の
屈折力を備える第1レンズ群2に入射する。第1レンズ
群2は、この発散光を、光軸AXにほぼ平行な光線の束
より成る平行光に変換し、偏光ビームスプリッター3に
入射させる。偏光ビームスプリッター3に入射した平行
光は偏光ビームスプリッター3を透過し、1/4波長
(λ/4)板4を介して、負の屈折力を備える第2レン
ズ群5に入射する。
【0012】偏光ビームスプリッター3を透過してレン
ズ群5に入射する平行光は、偏光ビームスプリッター3
の分割面3aに関してP偏光光であり、偏光ビームスプ
リッター3に入射する平行光のうち、この分割面3aに
関してS偏光光は光分割面3aで図の上方に向かって反
射される。
ズ群5に入射する平行光は、偏光ビームスプリッター3
の分割面3aに関してP偏光光であり、偏光ビームスプ
リッター3に入射する平行光のうち、この分割面3aに
関してS偏光光は光分割面3aで図の上方に向かって反
射される。
【0013】又、1/4波長板4は、図の左側から入射
するP偏光光を円偏光にし且つ図の右側から入射する円
偏光光をS偏光光に変換するよう構成、配置されてい
る。
するP偏光光を円偏光にし且つ図の右側から入射する円
偏光光をS偏光光に変換するよう構成、配置されてい
る。
【0014】第2レンズ群5は、偏光ビームスプリッタ
ー3及び1/4波長板4を通過した平行光を発散光に変
換して凹面鏡6に入射させる。凹面鏡6は光軸AXに関
して回転対称な球面反射面を備えており、凹面鏡6は、
入射発散光を反射、集光して再びレンズ群5に入射さ
せ、第2レンズ群5と1/4波長板4とを介して偏光ビ
ームスプリッター3に向ける。凹面鏡6で反射、集光さ
れて偏光ビームスプリッター3に再入射する光は、1/
4波長板4の作用で分割面3aに関してS偏光光である
為、この再入射光は、偏光ビームスプリッター3の分割
面3aによって、図の下方に反射される。
ー3及び1/4波長板4を通過した平行光を発散光に変
換して凹面鏡6に入射させる。凹面鏡6は光軸AXに関
して回転対称な球面反射面を備えており、凹面鏡6は、
入射発散光を反射、集光して再びレンズ群5に入射さ
せ、第2レンズ群5と1/4波長板4とを介して偏光ビ
ームスプリッター3に向ける。凹面鏡6で反射、集光さ
れて偏光ビームスプリッター3に再入射する光は、1/
4波長板4の作用で分割面3aに関してS偏光光である
為、この再入射光は、偏光ビームスプリッター3の分割
面3aによって、図の下方に反射される。
【0015】偏光ビームスプリッター3の下方には、偏
光面変更手段7と正の屈折力を備える第3レンズ群8と
が設けられてあり、第3レンズ群8の更に下方には反射
屈折型光学系100の像平面に被露光面が一致するよう
に、半導体デバイス製造用のシリコンウエハ9が不図示
の可動XYステージにより保持されている。
光面変更手段7と正の屈折力を備える第3レンズ群8と
が設けられてあり、第3レンズ群8の更に下方には反射
屈折型光学系100の像平面に被露光面が一致するよう
に、半導体デバイス製造用のシリコンウエハ9が不図示
の可動XYステージにより保持されている。
【0016】偏光面変更手段7は1/4波長(λ/4)
板から成り、この1/4波長(λ/4)板は、偏光面変
更手段3の分割面3aで反射された光を円偏光光に変換
して、第3レンズ群8に入射させる。第3レンズ群8
は、偏光面変更手段8の1/4波長板からの円偏光光を
集光し、レチクル1の回路パターンの縮小像をウエハ9
上に形成する。
板から成り、この1/4波長(λ/4)板は、偏光面変
更手段3の分割面3aで反射された光を円偏光光に変換
して、第3レンズ群8に入射させる。第3レンズ群8
は、偏光面変更手段8の1/4波長板からの円偏光光を
集光し、レチクル1の回路パターンの縮小像をウエハ9
上に形成する。
【0017】本投影露光装置は、偏光ビームスプリッタ
ー3を用いながらも、円偏光により結像を行なうよう構
成してあるので、微細パターンの結像に際しても、微細
パターンの偏光依存性によるパターン毎の解像度の不均
一が生じることが無い。即ち、本投影露光装置は、レチ
クル1の微細パターンの種類(方向性)によらず、常に
一定の解像力を持つことになる。
ー3を用いながらも、円偏光により結像を行なうよう構
成してあるので、微細パターンの結像に際しても、微細
パターンの偏光依存性によるパターン毎の解像度の不均
一が生じることが無い。即ち、本投影露光装置は、レチ
クル1の微細パターンの種類(方向性)によらず、常に
一定の解像力を持つことになる。
【0018】本投影露光装置において、レチクル1を保
持するレチクルステージを水平に置き、このレチクルス
テージとレンズ群2の間に光軸AXを45度折り曲げる
反射鏡を置くことにより、全体が小型になる。
持するレチクルステージを水平に置き、このレチクルス
テージとレンズ群2の間に光軸AXを45度折り曲げる
反射鏡を置くことにより、全体が小型になる。
【0019】本投影露光装置は、回路パターンをウエハ
9のほぼ全面に形成する為に、ウエハ9を保持するXY
ステージをステップ移動させてステップ&リピート方式
の露光を行なう形態や、ウエハ9を保持するXYステー
ジをステップ移動−スキャン移動させてステップ&スキ
ャン方式の露光を行なう形態等を採るよう構成できる。
9のほぼ全面に形成する為に、ウエハ9を保持するXY
ステージをステップ移動させてステップ&リピート方式
の露光を行なう形態や、ウエハ9を保持するXYステー
ジをステップ移動−スキャン移動させてステップ&スキ
ャン方式の露光を行なう形態等を採るよう構成できる。
【0020】又、本投影露光装置では、レチクル1とし
て例えば位相シフトマスクを用い、より微細なパターン
を結像することができる。又、不図示の照明系を光軸A
Xに関して傾いた方向からレチクル1を照明する斜め照
明が可能な系としても、より微細パターンを結像するこ
とができる。
て例えば位相シフトマスクを用い、より微細なパターン
を結像することができる。又、不図示の照明系を光軸A
Xに関して傾いた方向からレチクル1を照明する斜め照
明が可能な系としても、より微細パターンを結像するこ
とができる。
【0021】又、本投影露光装置では、KrFエキマシ
レーザー(λ≒248nm)、ArFエキシマレーザー
(λ≒193nm)、超高圧水銀灯(輝線スペクトル:
λ≒250nm)等の光源を用いる。
レーザー(λ≒248nm)、ArFエキシマレーザー
(λ≒193nm)、超高圧水銀灯(輝線スペクトル:
λ≒250nm)等の光源を用いる。
【0022】本発明の他の実施例として、上記各投影露
光装置において、偏光面変更手段7として、光軸AXを
回転軸として回転可能な1/2波長(λ/2)板を備え
るものがある。この偏光面変更手段7を用いれば、レチ
クル1の微細パターンの方向性に応じて、偏光ビームス
プリッター3からの光の偏光面を変えることができるの
で、分解能が高くなる(低下しない)偏光光による結像
が常に可能になる。
光装置において、偏光面変更手段7として、光軸AXを
回転軸として回転可能な1/2波長(λ/2)板を備え
るものがある。この偏光面変更手段7を用いれば、レチ
クル1の微細パターンの方向性に応じて、偏光ビームス
プリッター3からの光の偏光面を変えることができるの
で、分解能が高くなる(低下しない)偏光光による結像
が常に可能になる。
【0023】例えば、レチクル1の微細パターンが紙面
上下方向に長手方向を有するものの場合、偏光ビームス
プリッター3からの光の偏光面をS偏光からP偏光に変
換するよう1/2波長板7の回転角を決める。
上下方向に長手方向を有するものの場合、偏光ビームス
プリッター3からの光の偏光面をS偏光からP偏光に変
換するよう1/2波長板7の回転角を決める。
【0024】レチクル1の微細パターンが紙面垂直方向
に長手方向を有するものの場合、偏光ビームスプリッタ
ー3からの光の偏光面をS偏光のまま維持するよう1/
2波長板7の回転角を決める。
に長手方向を有するものの場合、偏光ビームスプリッタ
ー3からの光の偏光面をS偏光のまま維持するよう1/
2波長板7の回転角を決める。
【0025】レチクル1の微細パターンが紙面上下及び
垂直方向に長手方向を有する(十字)ものの場合、偏光
ビームスプリッター3からの光の偏光面をS偏光からS
偏光とP偏光に対して45度を成す偏光光に変換するよ
う1/2波長板7の回転角を決める。
垂直方向に長手方向を有する(十字)ものの場合、偏光
ビームスプリッター3からの光の偏光面をS偏光からS
偏光とP偏光に対して45度を成す偏光光に変換するよ
う1/2波長板7の回転角を決める。
【0026】本発明の他の実施例として、偏光面変更手
段7の波長板としてフレネルロムや電気的に複屈折特性
を制御できる電気光学結晶素子(EO光変調素子)を用
いるものがある。
段7の波長板としてフレネルロムや電気的に複屈折特性
を制御できる電気光学結晶素子(EO光変調素子)を用
いるものがある。
【0027】次に図1の投影露光装置とレチクル1とを
利用した半導体素子の製造方法の実施例を説明する。図
2は半導体装置(ICやLSI等の半導体チップ、液晶
パネルやCCD)の製造フローを示す。ステップ1(回
路設計)では半導体装置の回路設計を行なう。ステップ
2(マスク製作)では設計した回路パターンを形成した
マスク(レチクル304)を製作する。一方、ステップ
3(ウエハー製造)ではシリコン等の材料を用いてウエ
ハー(ウエハー306)を製造する。ステップ4(ウエ
ハープロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスク
とウエハーとを用いて、リソグラフィー技術によってウ
エハー上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組
み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4よって作成され
たウエハーを用いてチップ化する工程であり、アッセン
ブリ工程(ダイシング、ボンデイング)、パッケージン
グ工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検
査)ではステップ5で作成された半導体装置の動作確認
テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程
を経て半導体装置が完成し、これが出荷(ステップ7)
される。
利用した半導体素子の製造方法の実施例を説明する。図
2は半導体装置(ICやLSI等の半導体チップ、液晶
パネルやCCD)の製造フローを示す。ステップ1(回
路設計)では半導体装置の回路設計を行なう。ステップ
2(マスク製作)では設計した回路パターンを形成した
マスク(レチクル304)を製作する。一方、ステップ
3(ウエハー製造)ではシリコン等の材料を用いてウエ
ハー(ウエハー306)を製造する。ステップ4(ウエ
ハープロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスク
とウエハーとを用いて、リソグラフィー技術によってウ
エハー上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組
み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4よって作成され
たウエハーを用いてチップ化する工程であり、アッセン
ブリ工程(ダイシング、ボンデイング)、パッケージン
グ工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検
査)ではステップ5で作成された半導体装置の動作確認
テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程
を経て半導体装置が完成し、これが出荷(ステップ7)
される。
【0028】図3は上記ウエハープロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハー(ウエハ
ー306)の表面を酸化させる。ステップ12(CV
D)ではウエハーの表面に絶縁膜を形成する。ステップ
13(電極形成)ではウエハー上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ14(イオン打ち込み)ではウエハ
ーにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)
ではウエハーにレジスト(感材)を塗布する。ステップ
16(露光)では上記投影露光装置によってマスク(レ
チクル304)の回路パターンの像でウエハーを露光す
る。ステップ17(現像)では露光したウエハーを現像
する。ステップ18(エッチング)では現像したレジス
ト以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥
離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらステップを繰り返し行なうことによりウ
エハー上に回路パターンが形成される。
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハー(ウエハ
ー306)の表面を酸化させる。ステップ12(CV
D)ではウエハーの表面に絶縁膜を形成する。ステップ
13(電極形成)ではウエハー上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ14(イオン打ち込み)ではウエハ
ーにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)
ではウエハーにレジスト(感材)を塗布する。ステップ
16(露光)では上記投影露光装置によってマスク(レ
チクル304)の回路パターンの像でウエハーを露光す
る。ステップ17(現像)では露光したウエハーを現像
する。ステップ18(エッチング)では現像したレジス
ト以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥
離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらステップを繰り返し行なうことによりウ
エハー上に回路パターンが形成される。
【0029】本実施例の製造方法を用いれば、従来は難
しかった高集積度の半導体素子を製造することが可能に
なる。
しかった高集積度の半導体素子を製造することが可能に
なる。
【0030】
【発明の効果】以上、本発明では、被投影物体の微細パ
ターンの種類(方向性)によらず高い解像力を持つ反射
屈折型光学系を提供することができる。従って、反射屈
折型光学系により投影露光を行なう優れた投影露光装置
と反射屈折型光学系により各種デバイスを製造する優れ
た方法とを提供できる。
ターンの種類(方向性)によらず高い解像力を持つ反射
屈折型光学系を提供することができる。従って、反射屈
折型光学系により投影露光を行なう優れた投影露光装置
と反射屈折型光学系により各種デバイスを製造する優れ
た方法とを提供できる。
【図1】本発明の一実施例を示す半導体素子製造用縮小
投影露光装置の概略図である。
投影露光装置の概略図である。
【図2】半導体素子の製造工程を示すフローチャート図
である。
である。
【図3】図2の工程中のウエハープロセスの詳細を示す
フローチャート図である。
フローチャート図である。
1 レチクル 2、4、8 レンズ群 3 偏光ビームスプリッター 4、7 1/4波長板 6 凹面鏡 9 ウエハ
Claims (12)
- 【請求項1】 物平面側から順に偏光ビームスプリッタ
ーと1/4波長板と凹面鏡を備えており、物平面からの
光を偏光ビームスプリッターと1/4波長板を介して凹
面鏡で反射した後、再度1/4波長と偏光ビームスプリ
ッターを介して像平面に結像する反射屈折型光学系にお
いて、前記偏光ビームスプリッターと前記像平面の間に
前記偏光ビームスプリッターからの偏光光の偏光面を変
化させる手段を設けることを特徴とする反射屈折型光学
系。 - 【請求項2】 前記物平面側から順に、物平面からの発
散光を平行光に変換し、前記偏光ビームスプリッターに
入射させる第1レンズ群と、前記偏光ビームスプリッタ
ーからの前記平行光を発散光に変換し、前記凹面鏡に入
射させる第2レンズ群と、前記凹面鏡により反射及び集
光されて前記第2レンズ群を介して前記偏光ビームスプ
リッターに戻された光を前記偏光ビームスプリッターを
介して受け、像平面に集光する第3レンズ群とを備える
ことを特徴とする請求項1の反射屈折型光学系。 - 【請求項3】 前記偏光面を変化させる手段が1/4波
長板を備えることを特徴とする請求項1の反射屈折型光
学系。 - 【請求項4】 前記偏光面を変化させる手段が1/2波
長板を備えることを特徴とする請求項1の反射屈折型光
学系。 - 【請求項5】 前記1/2波長板が、前記物平面のパタ
ーンの種類に応じて、前記偏光光に対する光学軸の方向
が可変となるよう設けてあることを特徴とする請求項4
の反射屈折型光学系。 - 【請求項6】 倍率を縮小に設定してあることを特徴と
する請求項1〜5の反射屈折型光学系。 - 【請求項7】 マスクのパターンを投影光学系により被
露光基板上に投影する投影露光装置において、前記投影
光学系が、前記マスク側から順に偏光ビームスプリッタ
ーと1/4波長板と凹面鏡を備え、前記マスクからの光
を偏光ビームスプリッターと1/4波長板を介して凹面
鏡で反射した後、再度1/4波長と偏光ビームスプリッ
ターを介して前記被露光基板上に向け、前記被露光基板
上に前記マスクのパターンを結像するよう構成されてお
り、更に、前記偏光ビームスプリッターと前記像平面の
間に前記偏光ビームスプリッターからの偏光光の偏光面
を変化させる手段を備えることを特徴とする投影露光装
置。 - 【請求項8】 前記投影光学系が、前記マスク側から順
に、物平面からの発散光を平行光に変換し、前記偏光ビ
ームスプリッターに入射させる第1レンズ群と、前記偏
光ビームスプリッターからの前記平行光を発散光に変換
し、前記凹面鏡に入射させる第2レンズ群と、前記凹面
鏡により反射及び集光されて前記第2レンズ群を介して
前記偏光ビームスプリッターに戻された光を前記偏光ビ
ームスプリッターを介して受け、前記被露光基板上に集
光する第3レンズ群とを備えることを特徴とする請求項
7の投影露光装置。 - 【請求項9】 前記偏光面を変化させる手段が1/4波
長板を備えることを特徴とする請求項7の投影露光装
置。 - 【請求項10】 前記偏光面を変化させる手段が1/2
波長板を備えることを特徴とする請求項1の投影露光装
置。 - 【請求項11】 前記1/2波長板が、前記物平面のパ
ターンの種類に応じて、前記偏光光に対する光学軸の方
向が可変となるよう設けてあることを特徴とする請求項
10の投影露光装置。 - 【請求項12】 倍率を縮小に設定してあることを特徴
とする請求項7〜11の投影露光装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4333105A JP2698521B2 (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
DE69321814T DE69321814T2 (de) | 1992-12-14 | 1993-12-13 | Belichtungsvorrichtung unter Verwendung von einem katadioptrischen Projektionssystem |
EP93310037A EP0602923B1 (en) | 1992-12-14 | 1993-12-13 | Exposure apparatus using a catadioptric projection system |
KR1019930027694A KR0137348B1 (ko) | 1992-12-14 | 1993-12-14 | 반사 및 굴절광학 시스템 및 이를 이용한 투사노광장치 |
US08/464,067 US5715084A (en) | 1992-12-14 | 1995-06-05 | Reflection and refraction optical system and projection exposure apparatus using the same |
US08/907,781 US6229647B1 (en) | 1992-12-14 | 1997-08-11 | Reflection and refraction optical system and projection exposure apparatus using the same |
US09/811,446 US6636349B2 (en) | 1992-12-14 | 2001-03-20 | Reflection and refraction optical system and projection exposure apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4333105A JP2698521B2 (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06181163A true JPH06181163A (ja) | 1994-06-28 |
JP2698521B2 JP2698521B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=18262340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4333105A Expired - Fee Related JP2698521B2 (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5715084A (ja) |
EP (1) | EP0602923B1 (ja) |
JP (1) | JP2698521B2 (ja) |
KR (1) | KR0137348B1 (ja) |
DE (1) | DE69321814T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6061188A (en) * | 1997-06-02 | 2000-05-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Projecting printing apparatus, projection printing method, mask pattern for estimating amplitude aberrations, method of estimating the quantity of amplitude aberration, and amplitude-aberration estimating filter |
Families Citing this family (84)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2698521B2 (ja) * | 1992-12-14 | 1998-01-19 | キヤノン株式会社 | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
US5729331A (en) * | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
US5610765A (en) * | 1994-10-17 | 1997-03-11 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Optical path extender for compact imaging display systems |
DE19535392A1 (de) | 1995-09-23 | 1997-03-27 | Zeiss Carl Fa | Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit |
JP3363003B2 (ja) * | 1995-10-03 | 2003-01-07 | 株式会社日立製作所 | 光増幅装置及び光増幅装置を用いた光伝送システム |
KR0171947B1 (ko) * | 1995-12-08 | 1999-03-20 | 김주용 | 반도체소자 제조를 위한 노광 방법 및 그를 이용한 노광장치 |
JPH10214779A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Canon Inc | 電子ビーム露光方法及び該方法を用いたデバイス製造方法 |
US6310713B2 (en) | 1997-04-07 | 2001-10-30 | International Business Machines Corporation | Optical system for miniature personal displays using reflective light valves |
KR100245414B1 (ko) * | 1997-06-26 | 2000-03-02 | 윤종용 | 노광 시스템과 노광 시스템의 노광 방법 |
JPH1184248A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-03-26 | Nikon Corp | 反射屈折縮小光学系 |
US7329886B2 (en) * | 1998-05-05 | 2008-02-12 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element |
US6947120B2 (en) * | 1998-05-05 | 2005-09-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
DE19935404A1 (de) | 1999-07-30 | 2001-02-01 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem mit mehreren Lichtquellen |
US6859328B2 (en) * | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl Zeiss Semiconductor | Illumination system particularly for microlithography |
US7126137B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-10-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy |
USRE42065E1 (en) | 1998-05-05 | 2011-01-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US7109497B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-09-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US7142285B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-11-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
DE19903807A1 (de) * | 1998-05-05 | 1999-11-11 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
US7186983B2 (en) * | 1998-05-05 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US6947124B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-09-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US20070030948A1 (en) * | 1998-05-05 | 2007-02-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy |
US6122037A (en) * | 1998-07-21 | 2000-09-19 | International Business Machines Corporation | Reflective phaseshift lithography system |
EP1102100A3 (de) | 1999-11-12 | 2003-12-10 | Carl Zeiss | Katadioptrisches Objektiv mit physikalischem Strahlteiler |
IL133052A0 (en) * | 1999-11-19 | 2001-03-19 | Unic View Ltd | Imaging system |
DE10010131A1 (de) | 2000-03-03 | 2001-09-06 | Zeiss Carl | Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion |
JP2001264696A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-26 | Canon Inc | 照明光学系及びそれを備えた露光装置 |
WO2001081977A2 (en) * | 2000-04-25 | 2001-11-01 | Silicon Valley Group, Inc. | Optical reduction system with control of illumination polarization |
EP1277088A1 (en) * | 2000-04-25 | 2003-01-22 | Silicon Valley Group, Inc. | Optical reduction system with elimination of reticle diffraction induced bias |
KR20020037345A (ko) * | 2000-06-23 | 2002-05-18 | 요트.게.아. 롤페즈 | 디스플레이 디바이스 |
DE10104177A1 (de) | 2001-01-24 | 2002-08-01 | Zeiss Carl | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
DE10117481A1 (de) | 2001-04-07 | 2002-10-10 | Zeiss Carl | Katadioptrisches Projektionsobjektiv |
DE10124474A1 (de) * | 2001-05-19 | 2002-11-21 | Zeiss Carl | Mikrolithographisches Belichtungsverfahren sowie Projektionsobjektiv zur Durchführung des Verfahrens |
US7031069B2 (en) * | 2001-05-19 | 2006-04-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic illumination method and a projection lens for carrying out the method |
DE10138284A1 (de) * | 2001-08-10 | 2003-02-27 | Zeiss Carl | Beleuchtungssystem mit genesteten Kollektoren |
US7136220B2 (en) | 2001-08-21 | 2006-11-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric reduction lens |
TW575904B (en) * | 2001-08-21 | 2004-02-11 | Asml Us Inc | Optical projection for microlithography |
JP2005504337A (ja) * | 2001-09-20 | 2005-02-10 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 反射屈折縮小レンズ |
DE10229614A1 (de) * | 2002-06-25 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
US20050190446A1 (en) * | 2002-06-25 | 2005-09-01 | Carl Zeiss Amt Ag | Catadioptric reduction objective |
EP1530737A1 (en) * | 2002-08-19 | 2005-05-18 | Carl Zeiss SMT AG | Catadioptric reduction lens having a polarization beamsplitter |
US7090964B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
US7206059B2 (en) * | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6943941B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
EP1612849B1 (en) * | 2003-04-09 | 2012-05-30 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
US7408616B2 (en) | 2003-09-26 | 2008-08-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method |
JP4588635B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2010-12-01 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ照明方法及びその方法を実行するための投影照明系 |
US20060018045A1 (en) * | 2003-10-23 | 2006-01-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Mirror arrangement and method of manufacturing thereof, optical system and lithographic method of manufacturing a miniaturized device |
TWI573175B (zh) * | 2003-10-28 | 2017-03-01 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造 方法 |
TW201809801A (zh) | 2003-11-20 | 2018-03-16 | 日商尼康股份有限公司 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 |
US7405808B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-07-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical system, in particular illumination system, of a microlithographic projection exposure apparatus |
EP1716457B9 (en) | 2004-01-16 | 2012-04-04 | Carl Zeiss SMT GmbH | Projection system with a polarization-modulating element having a variable thickness profile |
US8270077B2 (en) | 2004-01-16 | 2012-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
US20070019179A1 (en) * | 2004-01-16 | 2007-01-25 | Damian Fiolka | Polarization-modulating optical element |
TWI395068B (zh) * | 2004-01-27 | 2013-05-01 | 尼康股份有限公司 | 光學系統、曝光裝置以及曝光方法 |
TWI366219B (en) | 2004-02-06 | 2012-06-11 | Nikon Corp | Polarization changing device, optical illumination apparatus, light-exposure apparatus and light-exposure method |
CN100592210C (zh) * | 2004-02-13 | 2010-02-24 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 微平版印刷投影曝光装置的投影物镜 |
KR100597039B1 (ko) * | 2004-02-26 | 2006-07-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 높은 개구수 시스템을 위한 정적 및 동적 방사상 횡단 전자 편광기 디바이스, 리소그래피 투영장치 및 그 제조방법 |
EP1574904B1 (en) * | 2004-03-08 | 2008-06-11 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with a radial polarizer |
US7324280B2 (en) * | 2004-05-25 | 2008-01-29 | Asml Holding N.V. | Apparatus for providing a pattern of polarization |
US20060039419A1 (en) * | 2004-08-16 | 2006-02-23 | Tan Deshi | Method and apparatus for laser trimming of resistors using ultrafast laser pulse from ultrafast laser oscillator operating in picosecond and femtosecond pulse widths |
US7271874B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-09-18 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system |
US20080055719A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Perkins Raymond T | Inorganic, Dielectric Grid Polarizer |
US7570424B2 (en) | 2004-12-06 | 2009-08-04 | Moxtek, Inc. | Multilayer wire-grid polarizer |
US7800823B2 (en) | 2004-12-06 | 2010-09-21 | Moxtek, Inc. | Polarization device to polarize and further control light |
US7961393B2 (en) | 2004-12-06 | 2011-06-14 | Moxtek, Inc. | Selectively absorptive wire-grid polarizer |
US7876420B2 (en) * | 2004-12-07 | 2011-01-25 | Asml Holding N.V. | System and method utilizing an electrooptic modulator |
TWI453795B (zh) * | 2005-01-21 | 2014-09-21 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
US20060164711A1 (en) * | 2005-01-24 | 2006-07-27 | Asml Holding N.V. | System and method utilizing an electrooptic modulator |
US7423727B2 (en) * | 2005-01-25 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006303196A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Canon Inc | 測定装置及びそれを有する露光装置 |
DE102005031084A1 (de) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithografisches Belichtungsverfahren sowie Projektionsbelichtungsanlage zur Durchführung des Verfahrens |
US8755113B2 (en) | 2006-08-31 | 2014-06-17 | Moxtek, Inc. | Durable, inorganic, absorptive, ultra-violet, grid polarizer |
DE102007019570A1 (de) | 2007-04-25 | 2008-10-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Spiegelanordnung, Kontaktierungsanordnung und optisches System |
US8064148B2 (en) | 2008-04-15 | 2011-11-22 | Asml Holding N.V. | High numerical aperture catadioptric objectives without obscuration and applications thereof |
JP5288333B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-09-11 | 株式会社リコー | 光走査装置及び画像形成装置 |
JP2010107596A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
US20110037962A1 (en) * | 2009-08-17 | 2011-02-17 | Nikon Corporation | Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
TWI421543B (zh) * | 2009-12-04 | 2014-01-01 | Ind Tech Res Inst | 雙脈衝光產生裝置及其雙脈衝光產生的方法 |
US20110205519A1 (en) * | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Nikon Corporation | Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US10324300B2 (en) * | 2016-06-07 | 2019-06-18 | Karl Storz Se & Co. Kg | Endoscope and imaging arrangement providing depth of field |
US11163169B2 (en) | 2016-06-07 | 2021-11-02 | Karl Storz Se & Co. Kg | Endoscope and imaging arrangement providing improved depth of field and resolution |
US11307430B2 (en) | 2016-06-07 | 2022-04-19 | Karl Storz Se & Co. Kg | Optical device and method for providing improved depth of field and resolution modes |
TWI596331B (zh) * | 2016-09-20 | 2017-08-21 | Jing- Chen | Quasi-radial polarized surface plasmon excitation device and imaging method thereof |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1572195A1 (de) * | 1965-06-05 | 1970-03-26 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen kleiner Linienbreite |
US3508809A (en) * | 1967-12-29 | 1970-04-28 | Rca Corp | High efficiency light polarization system |
PL68411A6 (ja) * | 1969-05-26 | 1973-02-28 | ||
US3677621A (en) * | 1969-11-24 | 1972-07-18 | Vickers Ltd | Optical field flattening devices |
US3620593A (en) * | 1970-02-02 | 1971-11-16 | American Optical Corp | Method of surface interference microscopy |
FR2082213A5 (ja) * | 1970-03-06 | 1971-12-10 | Delmas Jean Raymond | |
US3704061A (en) * | 1970-03-25 | 1972-11-28 | David Neil Travis | Wavelength selective mirror systems |
GB1321303A (en) * | 1970-03-31 | 1973-06-27 | Pilkington Perkin Elmer Ltd | Optical systems |
DE2018397B2 (de) * | 1970-04-17 | 1972-07-06 | Fernseh Gmbh, 6100 Darmstadt | Strahlenteilerprismensystem fuer ein geraet der farbfernsehtechnik, insbesondere fuer eine farbfernsehkamera |
US3917399A (en) * | 1974-10-02 | 1975-11-04 | Tropel | Catadioptric projection printer |
JPS5825638A (ja) * | 1981-08-08 | 1983-02-15 | Canon Inc | 露光装置 |
EP0099123B1 (en) * | 1982-07-15 | 1990-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording and reproducing head |
JPS60151610A (ja) * | 1984-01-19 | 1985-08-09 | Canon Inc | 光学素子 |
JPS61177655A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-09 | Olympus Optical Co Ltd | 光磁気差動再生装置 |
JPS61218132A (ja) | 1985-03-25 | 1986-09-27 | Hitachi Ltd | 投影露光装置 |
DE3750174T2 (de) * | 1986-10-30 | 1994-11-17 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Belichtungseinrichtung. |
US4963003A (en) * | 1988-02-22 | 1990-10-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser optical system |
JP2786484B2 (ja) * | 1989-01-25 | 1998-08-13 | オリンパス光学工業株式会社 | 光磁気再生装置 |
JPH02232917A (ja) | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Toshiba Corp | 半導体露光装置及び露光方法 |
US5153773A (en) * | 1989-06-08 | 1992-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination device including amplitude-division and beam movements |
US5073830A (en) * | 1990-01-09 | 1991-12-17 | Greyhawk Systems, Inc. | High-efficiency polarized light source |
JP2847883B2 (ja) * | 1990-03-30 | 1999-01-20 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系 |
US5220454A (en) * | 1990-03-30 | 1993-06-15 | Nikon Corporation | Cata-dioptric reduction projection optical system |
JPH04230705A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-08-19 | Canon Inc | 偏光変換装置、該偏光変換装置を備えた偏光照明装置および該偏光照明装置を有する投写型表示装置 |
JP3235077B2 (ja) * | 1991-09-28 | 2001-12-04 | 株式会社ニコン | 露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた半導体素子製造方法 |
US5251070A (en) * | 1991-09-28 | 1993-10-05 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system |
JP3085481B2 (ja) * | 1991-09-28 | 2000-09-11 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系、及び該光学系を備えた露光装置 |
US5212593A (en) * | 1992-02-06 | 1993-05-18 | Svg Lithography Systems, Inc. | Broad band optical reduction system using matched multiple refractive element materials |
US5223956A (en) * | 1992-03-30 | 1993-06-29 | Holotek Ltd. | Optical beam scanners for imaging applications |
JP3147981B2 (ja) * | 1992-04-09 | 2001-03-19 | オリンパス光学工業株式会社 | 顕微鏡用写真撮影装置 |
JP3260867B2 (ja) * | 1992-12-10 | 2002-02-25 | オリンパス光学工業株式会社 | 頭部装着型ディスプレイ |
JP2750062B2 (ja) | 1992-12-14 | 1998-05-13 | キヤノン株式会社 | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
JP2698521B2 (ja) * | 1992-12-14 | 1998-01-19 | キヤノン株式会社 | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
US5537260A (en) * | 1993-01-26 | 1996-07-16 | Svg Lithography Systems, Inc. | Catadioptric optical reduction system with high numerical aperture |
JPH06310400A (ja) * | 1993-04-12 | 1994-11-04 | Svg Lithography Syst Inc | 軸上マスクとウェーハ直線配列システム |
JPH08147370A (ja) | 1994-11-25 | 1996-06-07 | Fuji Electric Co Ltd | 観光サービスシステム |
JPH10161227A (ja) | 1996-12-02 | 1998-06-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | カメラ及び撮影情報入力システム |
-
1992
- 1992-12-14 JP JP4333105A patent/JP2698521B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-12-13 DE DE69321814T patent/DE69321814T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-13 EP EP93310037A patent/EP0602923B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-14 KR KR1019930027694A patent/KR0137348B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-06-05 US US08/464,067 patent/US5715084A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-08-11 US US08/907,781 patent/US6229647B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-20 US US09/811,446 patent/US6636349B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6061188A (en) * | 1997-06-02 | 2000-05-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Projecting printing apparatus, projection printing method, mask pattern for estimating amplitude aberrations, method of estimating the quantity of amplitude aberration, and amplitude-aberration estimating filter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0137348B1 (ko) | 1998-04-29 |
US20010022687A1 (en) | 2001-09-20 |
US6636349B2 (en) | 2003-10-21 |
KR940016475A (ko) | 1994-07-23 |
US6229647B1 (en) | 2001-05-08 |
DE69321814T2 (de) | 1999-04-22 |
EP0602923B1 (en) | 1998-10-28 |
EP0602923A1 (en) | 1994-06-22 |
DE69321814D1 (de) | 1998-12-03 |
US5715084A (en) | 1998-02-03 |
JP2698521B2 (ja) | 1998-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2698521B2 (ja) | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 | |
US7206060B2 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus, and device fabrication method with a polarizing element and an optical element with low birefringence | |
US6972847B2 (en) | Position detecting system and exposure apparatus using the same | |
US7079220B2 (en) | Illumination optical system and method, and exposure apparatus | |
US7468781B2 (en) | Exposure apparatus | |
JP2750062B2 (ja) | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 | |
KR20040050884A (ko) | 노광장치와 노광방법 | |
JP2001358057A (ja) | 照明装置及びそれを用いた走査型露光装置 | |
US20060197933A1 (en) | Exposure apparatus | |
JP2007258575A (ja) | 照明装置、当該照明装置を有する露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4332460B2 (ja) | 照明光学系及び当該照明光学系を有する露光装置 | |
JP2006173305A (ja) | 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 | |
JP3352325B2 (ja) | 走査露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JP3244869B2 (ja) | 露光装置 | |
JPH09246179A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JPH06181161A (ja) | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 | |
EP1477854A2 (en) | Projection optical system | |
JPH07135145A (ja) | 露光装置 | |
JP2008182112A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2008108851A (ja) | 照明装置及び当該照明装置を有する露光装置、並びに、デバイス製造方法 | |
JP2007242774A (ja) | 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 | |
JPH07130606A (ja) | 露光装置 | |
JPH10116762A (ja) | 露光装置およびこれを用いた露光方法 | |
JPH06216007A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
JP2002110502A (ja) | 照明装置及び露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |