JPH06216007A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
- Publication number
- JPH06216007A JPH06216007A JP5006518A JP651893A JPH06216007A JP H06216007 A JPH06216007 A JP H06216007A JP 5006518 A JP5006518 A JP 5006518A JP 651893 A JP651893 A JP 651893A JP H06216007 A JPH06216007 A JP H06216007A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reduction projection
- liquid crystal
- diaphragm
- light
- projection exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絞り板を取り替えることなく、照明光学系の
絞りを変えることができる縮小投影露光装置を提供す
る。 【構成】 光源１より出射した光は、反射鏡２によって
方向を変えられた後、フライアイレンズ３を通過し、そ
の後、透明の基板上に液晶からなる画素が多数形成され
た液晶表示板からなるフィルター４を通過した後、リレ
ーレンズ５、反射鏡６及びコンデンサーレンズ７を通過
してレチクル８を照射する。レチクル８の情報を得た光
は投影レンズ９により縮小されて半導体基板１０上に露
光される。
絞りを変えることができる縮小投影露光装置を提供す
る。 【構成】 光源１より出射した光は、反射鏡２によって
方向を変えられた後、フライアイレンズ３を通過し、そ
の後、透明の基板上に液晶からなる画素が多数形成され
た液晶表示板からなるフィルター４を通過した後、リレ
ーレンズ５、反射鏡６及びコンデンサーレンズ７を通過
してレチクル８を照射する。レチクル８の情報を得た光
は投影レンズ９により縮小されて半導体基板１０上に露
光される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置等の製造工程
で使用される縮小投影露光装置に関するものである。
で使用される縮小投影露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の微細化は著しく進んでお
り、近年においては０．５μｍ以下のデザインルールを
有する半導体装置が作られている。
り、近年においては０．５μｍ以下のデザインルールを
有する半導体装置が作られている。
【０００３】半導体装置の製造工程のうち、所望の配線
パターンを半導体基板上に描くリソグラフィー工程にお
いては、レチクルに描かれた配線パターンを縮小投影露
光装置（ステッパー）によって半導体基板上のレジスト
に転写する方法が一般的である。
パターンを半導体基板上に描くリソグラフィー工程にお
いては、レチクルに描かれた配線パターンを縮小投影露
光装置（ステッパー）によって半導体基板上のレジスト
に転写する方法が一般的である。
【０００４】図３は従来から用いられている縮小投影露
光装置の光学系を示す概略構成図であり、光源１から出
射した露光光は反射鏡２で方向を変えられ、フライアイ
レンズ３を通過した後、金属板からなる絞り４を通過
し、その後、リレーレンズ５、反射鏡６及びコンデンサ
ーレンズ７を通過してレチクル８を照射する。
光装置の光学系を示す概略構成図であり、光源１から出
射した露光光は反射鏡２で方向を変えられ、フライアイ
レンズ３を通過した後、金属板からなる絞り４を通過
し、その後、リレーレンズ５、反射鏡６及びコンデンサ
ーレンズ７を通過してレチクル８を照射する。
【０００５】ところで、縮小投影露光装置の結像特性
は、レチクル照明光学系の絞りと投影レンズの開口数に
よって決まる。
は、レチクル照明光学系の絞りと投影レンズの開口数に
よって決まる。
【０００６】近年、縮小投影露光装置の解像度限界付近
での使用が余儀なくされるに至り、照明光学系の絞りの
形状を、転写する配線パターンや半導体基板の形状に応
じて変化させる必要が生じてきた。絞りの形状は、照明
系の偏光度を決定すると共にレジスト像の形状に影響を
与える。すなわち、配線パターンの寸法や形状に対応し
て最適な偏光度すなわち絞り形状が存在する。
での使用が余儀なくされるに至り、照明光学系の絞りの
形状を、転写する配線パターンや半導体基板の形状に応
じて変化させる必要が生じてきた。絞りの形状は、照明
系の偏光度を決定すると共にレジスト像の形状に影響を
与える。すなわち、配線パターンの寸法や形状に対応し
て最適な偏光度すなわち絞り形状が存在する。
【０００７】また、近年においては、絞りの中心部を遮
光してなる輪帯照明法や絞りの一部のみを開口した変形
照明法が限定された配線パターンに対して解像度向上の
効果を有することが報告され、絞りの形状を、転写する
配線パターンや半導体基板の形状に応じて変化させると
いう要求はますます強くなっている。
光してなる輪帯照明法や絞りの一部のみを開口した変形
照明法が限定された配線パターンに対して解像度向上の
効果を有することが報告され、絞りの形状を、転写する
配線パターンや半導体基板の形状に応じて変化させると
いう要求はますます強くなっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の縮小
投影露光装置においては、照明光学系の絞りとしては金
属板からなる絞り板が用いられているため、照明光学系
の絞りを変える場合には、絞り板自体を取り替える必要
がある。
投影露光装置においては、照明光学系の絞りとしては金
属板からなる絞り板が用いられているため、照明光学系
の絞りを変える場合には、絞り板自体を取り替える必要
がある。
【０００９】従って、絞り板を所望の絞り形状に対応し
てその都度設計して製作する必要があり精密な光学系に
狂いが生じたり或いは可動部に起因するダストによる不
都合が生じるという問題、及び製作に多くの時間と手間
を要するので縮小投影露光装置の使用能率が著しく低下
するという問題がある。
てその都度設計して製作する必要があり精密な光学系に
狂いが生じたり或いは可動部に起因するダストによる不
都合が生じるという問題、及び製作に多くの時間と手間
を要するので縮小投影露光装置の使用能率が著しく低下
するという問題がある。
【００１０】上記に鑑みて、本発明は、絞り板を取り替
えることなく、照明光学系の絞りを変えることができる
縮小投影露光装置を提供することを目的とする。
えることなく、照明光学系の絞りを変えることができる
縮小投影露光装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１の発明が講じた解決手段は、光源から出射
された光を絞りを介してレチクルに照射し、該レチクル
に描かれた配線パターンを半導体基板上に照射する縮小
投影露光装置を前提とし、上記絞りを、電気信号によっ
て光の透過率を変化させることができるフィルターによ
り構成するものである。
め、請求項１の発明が講じた解決手段は、光源から出射
された光を絞りを介してレチクルに照射し、該レチクル
に描かれた配線パターンを半導体基板上に照射する縮小
投影露光装置を前提とし、上記絞りを、電気信号によっ
て光の透過率を変化させることができるフィルターによ
り構成するものである。
【００１２】また、請求項２の発明は、所望の絞り形状
を瞬時に得られるようにするため、請求項１の構成に、
上記フィルターは透明の基板上に液晶からなる画素が多
数形成された液晶表示板であるであるという構成を付加
するものである。
を瞬時に得られるようにするため、請求項１の構成に、
上記フィルターは透明の基板上に液晶からなる画素が多
数形成された液晶表示板であるであるという構成を付加
するものである。
【００１３】
【作用】請求項１の構成により、絞りを電気信号によっ
て光の透過率を変化させることができるフィルターによ
り構成したため、電気信号によって光の透過率を変化で
きるので、絞り板を取り替えることなく、照明光学系の
絞りを変えることができる。
て光の透過率を変化させることができるフィルターによ
り構成したため、電気信号によって光の透過率を変化で
きるので、絞り板を取り替えることなく、照明光学系の
絞りを変えることができる。
【００１４】請求項２の構成により、請求項１のフィル
ターを透明の基板上に液晶からなる画素が多数形成され
た液晶表示板により構成したため、各画素を構成する液
晶の電極に印加する電圧を変えることにより、簡易且つ
瞬時に絞り形状を所望のものにすることができる。
ターを透明の基板上に液晶からなる画素が多数形成され
た液晶表示板により構成したため、各画素を構成する液
晶の電極に印加する電圧を変えることにより、簡易且つ
瞬時に絞り形状を所望のものにすることができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を一実施例を図面に基づき説明
する。
する。
【００１６】図１は本発明の一実施例に係る縮小投影露
光装置の照明光学系を示しており、光源１より出射した
光は反射鏡２によって方向を変えられた後、フライアイ
レンズ３を通過し、その後、透明の基板上に液晶からな
る画素が多数形成された液晶表示板からなるフィルター
４を通過した後、リレーレンズ５、反射鏡６及びコンデ
ンサーレンズ７を通過してレチクル８を照射する。そし
て、レチクル８の情報を得た光は投影レンズ９により縮
小されて半導体基板１０上に露光される。
光装置の照明光学系を示しており、光源１より出射した
光は反射鏡２によって方向を変えられた後、フライアイ
レンズ３を通過し、その後、透明の基板上に液晶からな
る画素が多数形成された液晶表示板からなるフィルター
４を通過した後、リレーレンズ５、反射鏡６及びコンデ
ンサーレンズ７を通過してレチクル８を照射する。そし
て、レチクル８の情報を得た光は投影レンズ９により縮
小されて半導体基板１０上に露光される。
【００１７】液晶表示板からなるフィルター４は電気信
号発生器１２からの信号によって任意の画像パターンが
形成される。フィルター４を構成する液晶表示板の画像
領域は５ｃｍ×５ｃｍであって、１画素の大きさは２５
０μｍ×２５０μｍに設定されている。
号発生器１２からの信号によって任意の画像パターンが
形成される。フィルター４を構成する液晶表示板の画像
領域は５ｃｍ×５ｃｍであって、１画素の大きさは２５
０μｍ×２５０μｍに設定されている。
【００１８】本実施例に係る縮小投影露光装置の光源１
の波長は３６５ｎｍ、投影レンズ９の開口数は０．５で
ある。
の波長は３６５ｎｍ、投影レンズ９の開口数は０．５で
ある。
【００１９】次に、本実施例に係る縮小投影露光装置に
よるレジストパターン形成時の特性を従来の縮小投影露
光装置によるレジストパターン形成時の特性と比較す
る。
よるレジストパターン形成時の特性を従来の縮小投影露
光装置によるレジストパターン形成時の特性と比較す
る。
【００２０】まず、図２（ａ）に示すような直径２．８
ｃｍの円形の光透過領域を形成して露光を行なった。こ
れは照明光学系のσ値（偏光度）が０．６になるもので
ある。この場合のラインアンドスペースパターンの解像
度の限界は、１．２μｍ厚のポジ型フォトレジスト（住
友化学製）を用いて０．３８μｍであった。この値はア
ルミニウム板の中心部分をくり抜いて形成した金属製フ
ィルターを用いた場合と全く同じであった。
ｃｍの円形の光透過領域を形成して露光を行なった。こ
れは照明光学系のσ値（偏光度）が０．６になるもので
ある。この場合のラインアンドスペースパターンの解像
度の限界は、１．２μｍ厚のポジ型フォトレジスト（住
友化学製）を用いて０．３８μｍであった。この値はア
ルミニウム板の中心部分をくり抜いて形成した金属製フ
ィルターを用いた場合と全く同じであった。
【００２１】次に、図２（ｂ）に示すような、直径２．
８ｃｍの円形透過部の中央部に直径２．２ｃｍの同軸の
不透過部分を有するよう輪帯状の光透過領域を形成して
露光を行なった。これは輪帯照明法を行なった場合の例
である。この場合の解像度の限界は０．３４μｍまで向
上した。また焦点深度は０．４μｍパターンで１．８μ
ｍであり、通常照明法の２倍以上であった。この効果も
アルミニウム板によるフィルターを用いた場合と全く同
じであった。
８ｃｍの円形透過部の中央部に直径２．２ｃｍの同軸の
不透過部分を有するよう輪帯状の光透過領域を形成して
露光を行なった。これは輪帯照明法を行なった場合の例
である。この場合の解像度の限界は０．３４μｍまで向
上した。また焦点深度は０．４μｍパターンで１．８μ
ｍであり、通常照明法の２倍以上であった。この効果も
アルミニウム板によるフィルターを用いた場合と全く同
じであった。
【００２２】以上のように、液晶表示板からなるフィル
ターはアルミニウム板からなるフィルターに代えて照明
光学系の絞りとして用いることが可能であることが明ら
かである。また、液晶表示板を構成する各画素に印加す
る電気信号によって所望の絞り形状を瞬時に形成するこ
とができる。
ターはアルミニウム板からなるフィルターに代えて照明
光学系の絞りとして用いることが可能であることが明ら
かである。また、液晶表示板を構成する各画素に印加す
る電気信号によって所望の絞り形状を瞬時に形成するこ
とができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
係る縮小投影露光装置によると、絞りを電気信号によっ
て光の透過率を変化させることができるフィルターによ
り構成したため、電気信号によって光の透過率を変化さ
せることができるので、絞り板を取り替えることなく、
照明光学系の絞りを変えることができる。
係る縮小投影露光装置によると、絞りを電気信号によっ
て光の透過率を変化させることができるフィルターによ
り構成したため、電気信号によって光の透過率を変化さ
せることができるので、絞り板を取り替えることなく、
照明光学系の絞りを変えることができる。
【００２４】このため、請求項１の発明によると、電気
信号によって光の透過率を変えることができ、可動部が
不要であるので、可動部に起因するダストの発生による
不具合は生じない。
信号によって光の透過率を変えることができ、可動部が
不要であるので、可動部に起因するダストの発生による
不具合は生じない。
【００２５】また、請求項２の発明に係る縮小投影露光
装置によると、フィルターを透明の基板上に液晶からな
る画素が多数形成された液晶表示板により構成したた
め、各画素を構成する液晶の電極に印加する電圧を変え
ることにより、絞り形状を簡易且つ瞬時に所望のものに
することができるので、縮小投影露光装置の使用効率は
極めて高くなる。
装置によると、フィルターを透明の基板上に液晶からな
る画素が多数形成された液晶表示板により構成したた
め、各画素を構成する液晶の電極に印加する電圧を変え
ることにより、絞り形状を簡易且つ瞬時に所望のものに
することができるので、縮小投影露光装置の使用効率は
極めて高くなる。
【図１】本発明の一実施例に係る縮小投影露光装置の光
学系を模式的に示す概略構成図である。
学系を模式的に示す概略構成図である。
【図２】上記縮小投影露光装置における液晶表示板に電
気信号によって発生させたパターンの例を示しており、
（ａ）は照明系の偏光度：０．６の場合であって（ｂ）
は輪帯照明法を行なう場合のものである。
気信号によって発生させたパターンの例を示しており、
（ａ）は照明系の偏光度：０．６の場合であって（ｂ）
は輪帯照明法を行なう場合のものである。
【図３】従来の縮小投影露光装置の光学を模式的に示す
概略構成図である。
概略構成図である。
１ 光源 ２ 反射鏡 ３ フライアイレンズ ４ 金属製のフィルター ５ リレーレンズ ６ 反射鏡 ７ コンデンサレンズ ８ レチクル ９ 投影レンズ １０ 半導体基板 １１ 液晶表示板 １２ 外部信号発生器
Claims (2)
- 【請求項１】 光源から出射された光を絞りを介してレ
チクルに照射し、該レチクルに描かれた配線パターンを
半導体基板上に照射する縮小投影露光装置において、上
記絞りは、電気信号によって光の透過率を変化させるこ
とができるフィルターであることを特徴とする縮小投影
露光装置。 - 【請求項２】 上記フィルターは、透明の基板上に液晶
からなる画素が多数形成された液晶表示板であることを
特徴とする請求項１に記載の縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5006518A JPH06216007A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5006518A JPH06216007A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216007A true JPH06216007A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=11640624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5006518A Withdrawn JPH06216007A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06216007A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19543973A1 (de) * | 1995-11-25 | 1997-05-28 | Dietrich Spanagel | Vorrichtung zur Untersuchung des Gesichtsfeldes |
| US7283209B2 (en) | 2004-07-09 | 2007-10-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for microlithography |
-
1993
- 1993-01-19 JP JP5006518A patent/JPH06216007A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19543973A1 (de) * | 1995-11-25 | 1997-05-28 | Dietrich Spanagel | Vorrichtung zur Untersuchung des Gesichtsfeldes |
| DE19543973C2 (de) * | 1995-11-25 | 1998-01-15 | Dietrich Spanagel | Vorrichtung zur Untersuchung des Gesichtsfeldes |
| US7283209B2 (en) | 2004-07-09 | 2007-10-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for microlithography |
| US7884922B2 (en) | 2004-07-09 | 2011-02-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for microlithography |
| US8792082B2 (en) | 2004-07-09 | 2014-07-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system for microlithography |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20030038931A1 (en) | Illumination optical apparatus, exposure apparatus and method of exposure | |
| JPH06181163A (ja) | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 | |
| JP3304378B2 (ja) | 投影露光装置、及び素子製造方法 | |
| TW201234051A (en) | Light beam converter, optical illuminating apparatus, exposure device, and exposure method | |
| JP5392468B2 (ja) | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
| JP2817615B2 (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| US7316870B2 (en) | Device manufacturing method, mask set for use in the method, data set for controlling a programmable patterning device, method of generating a mask pattern and a computer program | |
| JP2006054328A (ja) | 照明光学装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 | |
| JP4535260B2 (ja) | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 | |
| TWI406103B (zh) | 照明光學系統、曝光設備及裝置製造方法 | |
| TW200817843A (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| US6151103A (en) | Method and system for improved optical imaging in microlithography | |
| JP4305611B2 (ja) | 照明光学装置、露光装置および露光方法 | |
| JPH06216007A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JP2009021363A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2003015314A (ja) | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 | |
| KR100513440B1 (ko) | 반도체소자 제조용 노광장비의 조명장치 및 이를 이용한 변형조명방법 | |
| JP2894922B2 (ja) | 投影露光方法および装置 | |
| JP3244869B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2001035777A (ja) | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 | |
| JPH0645221A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH07115049A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JP2007048851A (ja) | 照明光学装置、露光装置、およびデバイスの製造方法 | |
| JP2007158271A (ja) | 照明光学装置、露光装置、およびデバイスの製造方法 | |
| JP2010283101A (ja) | 偏光子ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |