JPH0577611B2 - - Google Patents
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- JPH0577611B2 JPH0577611B2 JP1030092A JP3009289A JPH0577611B2 JP H0577611 B2 JPH0577611 B2 JP H0577611B2 JP 1030092 A JP1030092 A JP 1030092A JP 3009289 A JP3009289 A JP 3009289A JP H0577611 B2 JPH0577611 B2 JP H0577611B2
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は酸化物超伝導体に関する。
発明の背景
1911年における超伝導の発見から最近に至るま
で、実質的に全ての公知の超伝導材料は元素金属
（例、Hg、最初に知られた超伝導体）或いは金属
合金或いは金属間化合物（例、Nb3Ge、おそら
く1986年より前に知られた採光の転移温度Tcを
有する材料）であつた。
で、実質的に全ての公知の超伝導材料は元素金属
（例、Hg、最初に知られた超伝導体）或いは金属
合金或いは金属間化合物（例、Nb3Ge、おそら
く1986年より前に知られた採光の転移温度Tcを
有する材料）であつた。
最近、超伝導性は新しい材料群即ち金属酸化物
に発見された。この発明は世界的規模の研究活動
を刺激し、それは極めて迅速に更に有意義な進歩
の結果となつた。この進歩は、特にこれ迄にＹ−
Ba−Cu−Ｏ系における組成物が液体N2の沸点で
ある77Kを越える超伝導転移温度Tcを有し得る
という発見を得ている。更に、それは観察される
高温超伝導性を担う材料相の同定を与え、及び実
質的に単一相材料であり得、90Kを越えるTcを
有し得る物質の大量試料の形成を与える組成物及
び加工技術の発見を導いた。
に発見された。この発明は世界的規模の研究活動
を刺激し、それは極めて迅速に更に有意義な進歩
の結果となつた。この進歩は、特にこれ迄にＹ−
Ba−Cu−Ｏ系における組成物が液体N2の沸点で
ある77Kを越える超伝導転移温度Tcを有し得る
という発見を得ている。更に、それは観察される
高温超伝導性を担う材料相の同定を与え、及び実
質的に単一相材料であり得、90Kを越えるTcを
有し得る物質の大量試料の形成を与える組成物及
び加工技術の発見を導いた。
ある混合銅酸化物における高いTc超伝導性の
発見は又更により高いTcを示す化合物の探索を
刺激した。YBa2Cu3O7及び関連化合物における
100Kを越える（室温を越える場合されある）Tc
の数多くの観察の報告にも拘らず、最近に至るま
でYBa2Cu3O7より高いTcを有する安定な超伝導
体は報告されていない。したがつて、通信社及び
新聞の、米国及び日本におけるグループがそれぞ
れBi、Al、Sr、Ca、Cu及び酸素、及びBi、Sr、
Ca、Cu、及び酸素を含有する試料において、安
定な高いTc超伝導性を発生したという報道は相
当な興味をもつて受け止められた。
発見は又更により高いTcを示す化合物の探索を
刺激した。YBa2Cu3O7及び関連化合物における
100Kを越える（室温を越える場合されある）Tc
の数多くの観察の報告にも拘らず、最近に至るま
でYBa2Cu3O7より高いTcを有する安定な超伝導
体は報告されていない。したがつて、通信社及び
新聞の、米国及び日本におけるグループがそれぞ
れBi、Al、Sr、Ca、Cu及び酸素、及びBi、Sr、
Ca、Cu、及び酸素を含有する試料において、安
定な高いTc超伝導性を発生したという報道は相
当な興味をもつて受け止められた。
間もなく、Bi−Sr−Ca−Cu酸化物試料は多相
材料であり、しばしば、それぞれ120，105及び
80Kに近いTcを有する三つの超伝導相を含むこ
とが明らかとなつた。これらの相の存在は、認識
されているが、それらの組成及び構造は未知のま
まであつた。
材料であり、しばしば、それぞれ120，105及び
80Kに近いTcを有する三つの超伝導相を含むこ
とが明らかとなつた。これらの相の存在は、認識
されているが、それらの組成及び構造は未知のま
まであつた。
１−２−３化合物よりも尚高いTcを有する超
伝導体が利用できることの重要性は、おそらく当
業者の全てに明瞭である。更に、新たに発見され
た材料は比較的普通且つ安価な元素のみを含有す
るものである。この様に、これらの材料の開発に
は強い経済的興味がある。最後に、従来技術の高
Tc超伝導体はそれらの技術的使用に対する障害
である性質を有する。例えば、従来技術の材料は
単結晶形態及び焼結体の形態の両者において比較
的脆弱である。
伝導体が利用できることの重要性は、おそらく当
業者の全てに明瞭である。更に、新たに発見され
た材料は比較的普通且つ安価な元素のみを含有す
るものである。この様に、これらの材料の開発に
は強い経済的興味がある。最後に、従来技術の高
Tc超伝導体はそれらの技術的使用に対する障害
である性質を有する。例えば、従来技術の材料は
単結晶形態及び焼結体の形態の両者において比較
的脆弱である。
超伝導体の、幾つかの潜在的応用についての一
般的概説については、例えば、B.B.Shwartz及び
S.Foner（編者）、Superconductor
Applicatinos：SQUIDS and MACHINES，
Plenum Press，1977年；及びS.Foner及びB.B.
Schwartz（編者）、Superconductor Material
Science，Metallurgy，Fabrications，and
Applications，Plenum Prees，1981年を参照。
これらの応用の中には、電力輸送線、回転機械、
及び例えば核融合発電機、MHD発電機、粒子加
速機、浮揚乗物、磁気分離及びエネルギー貯蔵の
ための超伝導磁石、並びに連結装置及び検出器な
どがある。多くの上記及びその他の超伝導性の応
用は従来考えられた比較的低いTc材料の代りに
高Tc超伝導材料を用いることができるならば実
質的に有益であることが予想される。特に、本発
明による超伝導体は従来技術の高Tc超伝導体に
ついて提案されたものと同様な方法でこれら及
び／又はその他の応用に有利に使用され得ること
が期待される。
般的概説については、例えば、B.B.Shwartz及び
S.Foner（編者）、Superconductor
Applicatinos：SQUIDS and MACHINES，
Plenum Press，1977年；及びS.Foner及びB.B.
Schwartz（編者）、Superconductor Material
Science，Metallurgy，Fabrications，and
Applications，Plenum Prees，1981年を参照。
これらの応用の中には、電力輸送線、回転機械、
及び例えば核融合発電機、MHD発電機、粒子加
速機、浮揚乗物、磁気分離及びエネルギー貯蔵の
ための超伝導磁石、並びに連結装置及び検出器な
どがある。多くの上記及びその他の超伝導性の応
用は従来考えられた比較的低いTc材料の代りに
高Tc超伝導材料を用いることができるならば実
質的に有益であることが予想される。特に、本発
明による超伝導体は従来技術の高Tc超伝導体に
ついて提案されたものと同様な方法でこれら及
び／又はその他の応用に有利に使用され得ること
が期待される。
発明の概要
本発明の重要な側面は、先に新規材料と称され
たものにおける観察された高いTc超伝導性を担
う化合物の組成及び構造の同定の形態をとるもの
である。本発明のもう一つの側面は、高Tcを含
む有利な性質を有するものと現在期待される関連
化合物を示唆する原理の発見にある。本発明の化
合物の少なくともあるものは比較的延性である。
これらの本発明の化合物の予想外の性質は、これ
らの新しい材料の技術的利用のために有意義な利
点を有するものと思われる。本願はこの様に潜在
的に改良された特性を有する新規酸化物超伝導体
組成物を開示する。
たものにおける観察された高いTc超伝導性を担
う化合物の組成及び構造の同定の形態をとるもの
である。本発明のもう一つの側面は、高Tcを含
む有利な性質を有するものと現在期待される関連
化合物を示唆する原理の発見にある。本発明の化
合物の少なくともあるものは比較的延性である。
これらの本発明の化合物の予想外の性質は、これ
らの新しい材料の技術的利用のために有意義な利
点を有するものと思われる。本願はこの様に潜在
的に改良された特性を有する新規酸化物超伝導体
組成物を開示する。
我々は、約84Kにおいて、大きな超伝導性を示
す相の構造及び組成を同定した。例示の結晶の組
成はBi2.2Sr2Ca0.8Cu2O8±〓であり、茲にδは典型
的には０乃至0.5の小さい数である。この例示の
結晶の構造は、5.414×5.418×30.89Åの寸法の斜
方晶系サブセルとして解明することができる。こ
の構造の傑出した特徴はBi−Ｏ二重層（基底面
に平行）であり、CuO2−面がBi−Ｏ面の間に位
置している。この例示の結晶の構造の異常な特徴
は、不均合の超格子（約4.76×ｂ）の存在であ
る。超格子間隔が組成及び／又は加工条件により
影響を受けうることを発見した。この観察は有意
義であると考えられ、超格子は試料の超伝導性に
密接に関連しているように思われる。
す相の構造及び組成を同定した。例示の結晶の組
成はBi2.2Sr2Ca0.8Cu2O8±〓であり、茲にδは典型
的には０乃至0.5の小さい数である。この例示の
結晶の構造は、5.414×5.418×30.89Åの寸法の斜
方晶系サブセルとして解明することができる。こ
の構造の傑出した特徴はBi−Ｏ二重層（基底面
に平行）であり、CuO2−面がBi−Ｏ面の間に位
置している。この例示の結晶の構造の異常な特徴
は、不均合の超格子（約4.76×ｂ）の存在であ
る。超格子間隔が組成及び／又は加工条件により
影響を受けうることを発見した。この観察は有意
義であると考えられ、超格子は試料の超伝導性に
密接に関連しているように思われる。
より一般的には、本発明の材料は名目上ペロブ
スカイト構造であり、名目組成X2.2M2.8Cu2O8±〓
（式中、ＸはBi或いはBi及びPbであり、Ｍは二価
イオン、二価イオンの混合物、或いはＭの平均原
子価が実質的に２に等しいような一価及び三価イ
オンの組合わせであり、及びδは典型的には０
δ0.5の小さい数である）である。この材料は、
本発明において“80K”材料と称する。許容可能
な組成、特にＭに対する重要な拘束は、本発明の
材料が高いTc超伝導性、典型的にTc＞77Kを示
すという要請てある。好ましい実施態様において
は、ＭはCa、Sr、Ba、Mg、Cd、Na、Ｋ、Ｙ、
或いはそれらの混合物である。
スカイト構造であり、名目組成X2.2M2.8Cu2O8±〓
（式中、ＸはBi或いはBi及びPbであり、Ｍは二価
イオン、二価イオンの混合物、或いはＭの平均原
子価が実質的に２に等しいような一価及び三価イ
オンの組合わせであり、及びδは典型的には０
δ0.5の小さい数である）である。この材料は、
本発明において“80K”材料と称する。許容可能
な組成、特にＭに対する重要な拘束は、本発明の
材料が高いTc超伝導性、典型的にTc＞77Kを示
すという要請てある。好ましい実施態様において
は、ＭはCa、Sr、Ba、Mg、Cd、Na、Ｋ、Ｙ、
或いはそれらの混合物である。
我々は又、80K材料におけるPbによるBiの部
分的置換が特に増大したTcにおいて有利な結果
を有し得ることを発見した。名目式X2+xM3-xCu2
O8±〓を有する組成物は比較的高温における強いマ
イスナー効果及び比較的高いTc（Ｒ＝０）を含む
特に有利な特性を有することが判明した。上記名
目式において、ＸはBi及びPbであり、ＭはSr及
びCaであり、０ｘ0.3である。幾つかの現在
好ましい実施態様においては、ｘは約０であり、
Pb／Bi比は0.2より大であるが、しかし、約0.5未
満であり、及びSr／Ca比は典型的に約0.5乃至２
であり、１±0.25が現在好ましい。Biに代る実質
的な鉛の置換は、この様に改良された高Tc超伝
導材料に導くようであり、この発見は潜在的に相
当に有意義なものと考えられる。上記限定は、実
施例５において説明される加工条件下において該
当することが判明したが、しかし、これらの限定
外の組成物も又ある種の有用性を有することが考
えられる。例えば我々はPb、Ｙ、Sr及びCuを含
有するBiのない粉末から製造された試料中に高
Tc超伝導性を見出した。
分的置換が特に増大したTcにおいて有利な結果
を有し得ることを発見した。名目式X2+xM3-xCu2
O8±〓を有する組成物は比較的高温における強いマ
イスナー効果及び比較的高いTc（Ｒ＝０）を含む
特に有利な特性を有することが判明した。上記名
目式において、ＸはBi及びPbであり、ＭはSr及
びCaであり、０ｘ0.3である。幾つかの現在
好ましい実施態様においては、ｘは約０であり、
Pb／Bi比は0.2より大であるが、しかし、約0.5未
満であり、及びSr／Ca比は典型的に約0.5乃至２
であり、１±0.25が現在好ましい。Biに代る実質
的な鉛の置換は、この様に改良された高Tc超伝
導材料に導くようであり、この発見は潜在的に相
当に有意義なものと考えられる。上記限定は、実
施例５において説明される加工条件下において該
当することが判明したが、しかし、これらの限定
外の組成物も又ある種の有用性を有することが考
えられる。例えば我々はPb、Ｙ、Sr及びCuを含
有するBiのない粉末から製造された試料中に高
Tc超伝導性を見出した。
我々の検討結果に基づき、我々は有利な特性を
有するようなBi−Sr−Ca−Cu酸化物系の相が存
在すると結論する。特に、我々はこれらの相の全
て（或いは少なくとも幾つか）は安定な高Tc超
伝導体であり、Tcが100Kを越えるものであるよ
うなものであることを信じる。
有するようなBi−Sr−Ca−Cu酸化物系の相が存
在すると結論する。特に、我々はこれらの相の全
て（或いは少なくとも幾つか）は安定な高Tc超
伝導体であり、Tcが100Kを越えるものであるよ
うなものであることを信じる。
これらの新規相は、全て上記80K化合物に密接
に関連する結晶構造を有し、従つて、ペロブスカ
イト様である。それらは、相互に単位セルをｃ−
方向において結合する二つのBi−Ｏ二重面間の
結晶面の数或いは超セルの大きさによつてのみ異
るに過ぎない。新規相の組成は次の名目式により
表わすことができる： X2+xM(o-x)Cu(o-1)O2+2o+x/2±〓［式中、ｎは３より
大きい整数であり、ｘはｐ／ｑであり（ｐ及びｑ
は正の整数であり、ｐ＜ｑである）、及び０δ
0.5である］。Ｘ及びＭは80K化合物に対すると
同様にして選ばれる。整数ｎは一対のBi−Ｏ二
重面間に存在するＭ面及びCu面の数を規定する。
我々は、典型的には、ｎは高々８であり、おそら
く４，５或るは６であることを予想する。ｘの名
目値は、BiがＭ部位を占める超格子の存在に関
連する。ｘの例示の名目値は1/10、1/5、1/4、2/
５である。
に関連する結晶構造を有し、従つて、ペロブスカ
イト様である。それらは、相互に単位セルをｃ−
方向において結合する二つのBi−Ｏ二重面間の
結晶面の数或いは超セルの大きさによつてのみ異
るに過ぎない。新規相の組成は次の名目式により
表わすことができる： X2+xM(o-x)Cu(o-1)O2+2o+x/2±〓［式中、ｎは３より
大きい整数であり、ｘはｐ／ｑであり（ｐ及びｑ
は正の整数であり、ｐ＜ｑである）、及び０δ
0.5である］。Ｘ及びＭは80K化合物に対すると
同様にして選ばれる。整数ｎは一対のBi−Ｏ二
重面間に存在するＭ面及びCu面の数を規定する。
我々は、典型的には、ｎは高々８であり、おそら
く４，５或るは６であることを予想する。ｘの名
目値は、BiがＭ部位を占める超格子の存在に関
連する。ｘの例示の名目値は1/10、1/5、1/4、2/
５である。
本発明による材料はYBa2Cu3O7の粉末を製造
する公知の方法に極似する方法により製造するこ
とができる。一つの有意な相違は焼結温度におけ
る酸素損失に関する本発明の材料の観察された安
定性に関連する。本発明の材料のより大きい安定
性により、結晶化（及び／又は焼結）材料を酸素
添加処理に付することがしばしば必要とされな
い。これは、被覆超伝導体、例えば通常の金属被
覆超伝導ワイヤー及びテープの製造に有意義であ
る。
する公知の方法に極似する方法により製造するこ
とができる。一つの有意な相違は焼結温度におけ
る酸素損失に関する本発明の材料の観察された安
定性に関連する。本発明の材料のより大きい安定
性により、結晶化（及び／又は焼結）材料を酸素
添加処理に付することがしばしば必要とされな
い。これは、被覆超伝導体、例えば通常の金属被
覆超伝導ワイヤー及びテープの製造に有意義であ
る。
我々は、又我々の84K材料から製造された超伝
導体が、いずれも比較的脆弱であつた従来技術の
高Tc超伝導体とは対照的に、比較的延性である
という予想外の発見をなした。我々は、結晶構造
の類似性に基づき、その他の本発明の相が同様に
比較的延性のある材料を生ずるものと予想する。
即ち、本発明の材料から作られた物体（例、ワイ
ヤー）は、同様な形状の従来技術の高Tc超伝導
体よりもより厳しい変形（例、屈曲）に、その電
流運搬能力及び／又はその他の特性に有意な悪影
響を及ぼすことなく耐えることができる。
導体が、いずれも比較的脆弱であつた従来技術の
高Tc超伝導体とは対照的に、比較的延性である
という予想外の発見をなした。我々は、結晶構造
の類似性に基づき、その他の本発明の相が同様に
比較的延性のある材料を生ずるものと予想する。
即ち、本発明の材料から作られた物体（例、ワイ
ヤー）は、同様な形状の従来技術の高Tc超伝導
体よりもより厳しい変形（例、屈曲）に、その電
流運搬能力及び／又はその他の特性に有意な悪影
響を及ぼすことなく耐えることができる。
発明の具体的説明
第１図Bi2.2Sr2Ca0.8Cu2O8の単結晶に対する温
度依存性の抵抗率及び磁化を示す。抵抗率は、面
内の異方性を幾何学的に平均するvan der Pauw
−Price立体配置における単結晶上のａ−ｂ面内
で測定された。室温抵抗率は130μΩ−cmであり、
その他の二つの酸化銅−ベースの超伝導体材料群
と同様に温度と共に線形に減少する。抵抗率は、
Ba2YCu3O7に対するよりも実質的に低い。測定
に用いられた電流密度は約200Acm-2であつた。
超伝導から正常状態への転移は84Kにおいて始ま
り、90Kにおいて約90％完了する。90Kを越える
漸進的彎曲は変動伝導率に仮に帰せられる。
SQUID（磁石計）において、単結晶について測定
されたdc磁化は図面への挿入に示される。これ
らの試料は面に平行にかけられた180e（約
1.44A／ｍ）の場内においてゆつくり冷却され、
データはウオームアツプに際してとられた。この
信号は完全なマイスナー効果に対して予想される
値の70％に対応し、従つて、84KのTcによる大
きな超伝導を確認するものである。
度依存性の抵抗率及び磁化を示す。抵抗率は、面
内の異方性を幾何学的に平均するvan der Pauw
−Price立体配置における単結晶上のａ−ｂ面内
で測定された。室温抵抗率は130μΩ−cmであり、
その他の二つの酸化銅−ベースの超伝導体材料群
と同様に温度と共に線形に減少する。抵抗率は、
Ba2YCu3O7に対するよりも実質的に低い。測定
に用いられた電流密度は約200Acm-2であつた。
超伝導から正常状態への転移は84Kにおいて始ま
り、90Kにおいて約90％完了する。90Kを越える
漸進的彎曲は変動伝導率に仮に帰せられる。
SQUID（磁石計）において、単結晶について測定
されたdc磁化は図面への挿入に示される。これ
らの試料は面に平行にかけられた180e（約
1.44A／ｍ）の場内においてゆつくり冷却され、
データはウオームアツプに際してとられた。この
信号は完全なマイスナー効果に対して予想される
値の70％に対応し、従つて、84KのTcによる大
きな超伝導を確認するものである。
上記材料の単位セルは斜方晶系であると決定さ
れ、5.414×5.418×30.89Å及び擬対称Immmの格
子パラメータを有する。第２図に示した結晶の主
方向の各々に沿うスキヤン（半極大における0.04
Å-1全幅の分解率）は［oko］に沿う顕著な超格
子を示し、その方向の単位セルの５倍の増大を与
える。［hoo］に沿う余分のピークの不存在は超
格子に伴つて殆ど（ａ，ｂ）双晶化がないことを
示している。これらの超格子ピークは［oko］に
沿つて狭く、強度は通常サブセルピーク強度の10
％未満である。この構造を（超格子なしに）第３
図に示すが、記号１０は酸素原子を示し、１１は
Bi原子、１２はCu原子、１３はSr原子、及び１
４はCa原子を示す。示された構造はBi2Sr2CaCu2
O8の理想式を有し、アウリビリウス
（Aurivillius）相に密接に関連する。理想化セル
内のカチオンの各々は明確な結晶学的部位上にあ
る。しかしながら、Ca部位には、より大きな電
子密度があることが明確である。この構造の最も
顕著な特徴はBa2YCu3O7の面がＹにより分離さ
れている同一の方法を思い出させるCaにより分
離されている無限大［CuO2］∞面の存在である。
観察されたBi層をアウリビリウス相におけるも
のから区別する独特な特徴がある。即ち、この相
においてはそれらは無限大［Bi2O2］2+層よりもむ
しろ、端部共有八面体の二重層を形成する。これ
らの端部共有ビスマス層はアウリビリウス型Bi4
Ti3O12構造におけるTi部位のいくつかのBiによ
る占有より生ずるものと考えられる。このBi結
合及び全形状は極めて異常である。Bi配位は基
本的に八面体であり、六つが酸素に対してほぼ等
距離の2.4Åである。加えて、酸素層は空であり、
［Bi2O2］層の崩壊を許すものである。
れ、5.414×5.418×30.89Å及び擬対称Immmの格
子パラメータを有する。第２図に示した結晶の主
方向の各々に沿うスキヤン（半極大における0.04
Å-1全幅の分解率）は［oko］に沿う顕著な超格
子を示し、その方向の単位セルの５倍の増大を与
える。［hoo］に沿う余分のピークの不存在は超
格子に伴つて殆ど（ａ，ｂ）双晶化がないことを
示している。これらの超格子ピークは［oko］に
沿つて狭く、強度は通常サブセルピーク強度の10
％未満である。この構造を（超格子なしに）第３
図に示すが、記号１０は酸素原子を示し、１１は
Bi原子、１２はCu原子、１３はSr原子、及び１
４はCa原子を示す。示された構造はBi2Sr2CaCu2
O8の理想式を有し、アウリビリウス
（Aurivillius）相に密接に関連する。理想化セル
内のカチオンの各々は明確な結晶学的部位上にあ
る。しかしながら、Ca部位には、より大きな電
子密度があることが明確である。この構造の最も
顕著な特徴はBa2YCu3O7の面がＹにより分離さ
れている同一の方法を思い出させるCaにより分
離されている無限大［CuO2］∞面の存在である。
観察されたBi層をアウリビリウス相におけるも
のから区別する独特な特徴がある。即ち、この相
においてはそれらは無限大［Bi2O2］2+層よりもむ
しろ、端部共有八面体の二重層を形成する。これ
らの端部共有ビスマス層はアウリビリウス型Bi4
Ti3O12構造におけるTi部位のいくつかのBiによ
る占有より生ずるものと考えられる。このBi結
合及び全形状は極めて異常である。Bi配位は基
本的に八面体であり、六つが酸素に対してほぼ等
距離の2.4Åである。加えて、酸素層は空であり、
［Bi2O2］層の崩壊を許すものである。
Bi2CaSr2Cu2O8の結晶学的サブセルからの理想
式は可変酸化状態イオンの形式的原子価にCu2+
及びBi3+を必要とする。しかしながら、観察され
た金属伝導性及び超伝導性に基づきBi：Sr：Ca
が可変であるか、或いは超格子が酸化を担うもの
であると仮定する。マイクロ分析により決定され
た組成は理想のものから典型的に僅かに異り、
我々はセラミツク調整物において粒子毎の組成の
いくらかの変化を観察した。しかしながら、試料
の形式的酸化は、増大したアルカリ土類対Bi比、
或いは増大した酸素含量のいずれかを必要とす
る。熱重量測定により、我々は酸素ガス内におけ
る多結晶材料の800℃までの加熱に対してTcに殆
ど影響のない極めて弱い酸素化学量論変化を認め
たに過ぎなかつた。単一相セラミツク試料上の
H2還元により測定された酸素化学量論は形式的
にCu2.1+を与えるBi2.2Sr1.7Ca1.1Cu2O8.2を与えた。
超格子の原子配列は未だ詳細には知られていない
が、しかし、Ca部位上、おそらくその層の空酸
素部位において追加の電子密度が存在することの
明確な徴候がある。このように、超格子はその配
位球体を完結するための酸素導入を伴うCa部位
上のSr或いはBiの存在及び配列によるものと思
われる。Ca部位の電子密度は約４：１のCa対Bi
比に対応し、且つｂに沿つた超格子と関連する約
34個の電子である。例示の試料に見られる超格子
は５×超格子に近似しているが、しかし、明確に
異るものである。ビスマス層に見られるような広
範囲の端部共有は相当な歪みを引起こし、通常曲
げることにより緩和される。超セルはそのような
歪みにより引起こされる。Biの異方性温度パラ
メータは可能性のある歪みを示すｂに沿つた異常
に大きい成分を示す。銅−酸素配位多面体は、
Ba2YCu3O7に見られるものと同様の形状の四角
ピラミツドであるが、しかし、Cu対頂上酸素へ
の結合長において重要な相違がある。Bi2Sr2
CaSu2O8における面間Cu−Ｏ距離は1.875Åであ
り、頂上酸素は2.05Åにあり、Ba2YCu3O7（2.3
Å）或いは（LaSr）2CuO4（2.4Å）のいずれに対
するものよりも相当に短い。これはCu−Ｏ面内
における電荷分布に相当に影響を及ぼすことが予
想され、より短い結合距離は、40K及び90K構造
タイプにおける頂上酸素をCuと共に共有する希
土類或いはアルカリ土類原子と対比した場合の
Biの弱電気陽性特性によるものと思われる。
式は可変酸化状態イオンの形式的原子価にCu2+
及びBi3+を必要とする。しかしながら、観察され
た金属伝導性及び超伝導性に基づきBi：Sr：Ca
が可変であるか、或いは超格子が酸化を担うもの
であると仮定する。マイクロ分析により決定され
た組成は理想のものから典型的に僅かに異り、
我々はセラミツク調整物において粒子毎の組成の
いくらかの変化を観察した。しかしながら、試料
の形式的酸化は、増大したアルカリ土類対Bi比、
或いは増大した酸素含量のいずれかを必要とす
る。熱重量測定により、我々は酸素ガス内におけ
る多結晶材料の800℃までの加熱に対してTcに殆
ど影響のない極めて弱い酸素化学量論変化を認め
たに過ぎなかつた。単一相セラミツク試料上の
H2還元により測定された酸素化学量論は形式的
にCu2.1+を与えるBi2.2Sr1.7Ca1.1Cu2O8.2を与えた。
超格子の原子配列は未だ詳細には知られていない
が、しかし、Ca部位上、おそらくその層の空酸
素部位において追加の電子密度が存在することの
明確な徴候がある。このように、超格子はその配
位球体を完結するための酸素導入を伴うCa部位
上のSr或いはBiの存在及び配列によるものと思
われる。Ca部位の電子密度は約４：１のCa対Bi
比に対応し、且つｂに沿つた超格子と関連する約
34個の電子である。例示の試料に見られる超格子
は５×超格子に近似しているが、しかし、明確に
異るものである。ビスマス層に見られるような広
範囲の端部共有は相当な歪みを引起こし、通常曲
げることにより緩和される。超セルはそのような
歪みにより引起こされる。Biの異方性温度パラ
メータは可能性のある歪みを示すｂに沿つた異常
に大きい成分を示す。銅−酸素配位多面体は、
Ba2YCu3O7に見られるものと同様の形状の四角
ピラミツドであるが、しかし、Cu対頂上酸素へ
の結合長において重要な相違がある。Bi2Sr2
CaSu2O8における面間Cu−Ｏ距離は1.875Åであ
り、頂上酸素は2.05Åにあり、Ba2YCu3O7（2.3
Å）或いは（LaSr）2CuO4（2.4Å）のいずれに対
するものよりも相当に短い。これはCu−Ｏ面内
における電荷分布に相当に影響を及ぼすことが予
想され、より短い結合距離は、40K及び90K構造
タイプにおける頂上酸素をCuと共に共有する希
土類或いはアルカリ土類原子と対比した場合の
Biの弱電気陽性特性によるものと思われる。
このBi配位形状は極めて異常である。小さな
転位変形が存在するのはもつともであるが（完全
な超セル構造の決定を待つて）、Bi配位は基本的
に八面体であり、６個が2.4Åの酸素へのほぼ等
距離である。この配位は孤立電子対の影響が明ら
かであるアウリビリウス相のそれと明確に異る。
この全形状は広範な端部共有により証拠付けられ
る高度に共有結合されたBi−Ｏ層のそれである。
このBi−Ｏ二重層はアウリビリウス相と関連す
るが、それとは異るものである。
転位変形が存在するのはもつともであるが（完全
な超セル構造の決定を待つて）、Bi配位は基本的
に八面体であり、６個が2.4Åの酸素へのほぼ等
距離である。この配位は孤立電子対の影響が明ら
かであるアウリビリウス相のそれと明確に異る。
この全形状は広範な端部共有により証拠付けられ
る高度に共有結合されたBi−Ｏ層のそれである。
このBi−Ｏ二重層はアウリビリウス相と関連す
るが、それとは異るものである。
84K相におけるBiの鉛による置換はTcにおけ
る相当な改良をもたらした。第４図は107KのTc
を有する約10％のマイスナー効果を示す多相鉛置
換試料に対する磁化データである。
る相当な改良をもたらした。第４図は107KのTc
を有する約10％のマイスナー効果を示す多相鉛置
換試料に対する磁化データである。
第１１図は97Kの有利な高Tc（Ｒ＝０）を示す
本発明による例示Pb−置換材料（Bi1.6Pb0.4Sr1.5
Ca1.5Cu2O8±〓）に対する抵抗率対温度を示し、第
１２図はこの材料の磁化対温度を示す。
本発明による例示Pb−置換材料（Bi1.6Pb0.4Sr1.5
Ca1.5Cu2O8±〓）に対する抵抗率対温度を示し、第
１２図はこの材料の磁化対温度を示す。
我々は80K化合物の構造が一般的名目式X2+x
M(o-x)Cu(o-1)O2+2o+x/2±〓に従つて変成することが
できることを見出した。この変成の結果Bi−Ｏ
二重層間のＭ及びCuの付加層を生じ、１以上の
安定な高Tc超伝導材料の相が生ずるものと予想
される。
M(o-x)Cu(o-1)O2+2o+x/2±〓に従つて変成することが
できることを見出した。この変成の結果Bi−Ｏ
二重層間のＭ及びCuの付加層を生じ、１以上の
安定な高Tc超伝導材料の相が生ずるものと予想
される。
本発明の相の全ては、重層ペロブスカイト様結
晶構造を有し、少なくとも幾つかの層間の比較的
弱い結合の存在が本発明の材料の観察される比較
的高い延性の原因であり得る。「ペロブスカイト
様」とは真に立方構造の原形のみならず、それか
らの相当な変形をも意味するものである。
晶構造を有し、少なくとも幾つかの層間の比較的
弱い結合の存在が本発明の材料の観察される比較
的高い延性の原因であり得る。「ペロブスカイト
様」とは真に立方構造の原形のみならず、それか
らの相当な変形をも意味するものである。
本発明に従う材料仕様は目的用途の性質に応じ
て異る。電力輸送或いは任意のその他の電流輸送
応用に対しては、連続的超伝導路があることが要
求される。トンネリングが許容されるか或いは要
求さえされる検出器その他の装置の用途（例、ジ
ヨセフソン（Josephson）接合装置）において
は、そのような用途を満足する十分な超伝導相が
あることのみが必要である。
て異る。電力輸送或いは任意のその他の電流輸送
応用に対しては、連続的超伝導路があることが要
求される。トンネリングが許容されるか或いは要
求さえされる検出器その他の装置の用途（例、ジ
ヨセフソン（Josephson）接合装置）において
は、そのような用途を満足する十分な超伝導相が
あることのみが必要である。
多くの目的に対して、超伝導要素の製造が標準
的セラミツク加工を利用することでよいのが本発
明の一つの利点である。
的セラミツク加工を利用することでよいのが本発
明の一つの利点である。
適当な出発材料は、目的最終組成を得るための
適当な比での金属酸化物、水酸化物、炭酸塩、水
和物、シユウ酸塩或いはその他の反応性前駆体の
混合物である。出発材料は、湿式或いは乾式混
合、溶液からの材料の共沈或いは反応性粒子の緊
密な混合を生ずる任意の他の方法により製造され
る。
適当な比での金属酸化物、水酸化物、炭酸塩、水
和物、シユウ酸塩或いはその他の反応性前駆体の
混合物である。出発材料は、湿式或いは乾式混
合、溶液からの材料の共沈或いは反応性粒子の緊
密な混合を生ずる任意の他の方法により製造され
る。
出発材料の混合物は空気、酸素、或いはその他
の非還元雰囲気内において成分間の化学反応を容
易にし、目的相の形成を開始する十分な温度で焼
成することができる。示されたような、焼成温度
はある種の組成に対して温度の選択がTcに著し
い影響を及ぼすように組成依存性である。典型的
には、温度は目的相が完全に或いは部分的に製造
されるまでの数時間乃至数日間の時間に対して約
700〜950℃である。この「仮焼」材料は次いで高
温或いは低温プレス、押出し、スリツプキヤステ
イング、その他の目的（生）体の形状に適したそ
のような技術などの標準的セラミツク加工技術に
より目的形状のセラミツク体に形成される。
の非還元雰囲気内において成分間の化学反応を容
易にし、目的相の形成を開始する十分な温度で焼
成することができる。示されたような、焼成温度
はある種の組成に対して温度の選択がTcに著し
い影響を及ぼすように組成依存性である。典型的
には、温度は目的相が完全に或いは部分的に製造
されるまでの数時間乃至数日間の時間に対して約
700〜950℃である。この「仮焼」材料は次いで高
温或いは低温プレス、押出し、スリツプキヤステ
イング、その他の目的（生）体の形状に適したそ
のような技術などの標準的セラミツク加工技術に
より目的形状のセラミツク体に形成される。
最終形態の材料は、予め及び高密度化のために
達成されない場合には成分の化学反応を達成する
のに十分高温で焼成される（「反応性焼成」）。こ
の「焼成」は、セラミツク体の密度が、好ましい
電気的及び機械的性質を得るのを可能にするのに
十分である点まで、空隙を減少させるように行わ
れる。空気中で焼成される材料は満足できる超伝
導性を有する。
達成されない場合には成分の化学反応を達成する
のに十分高温で焼成される（「反応性焼成」）。こ
の「焼成」は、セラミツク体の密度が、好ましい
電気的及び機械的性質を得るのを可能にするのに
十分である点まで、空隙を減少させるように行わ
れる。空気中で焼成される材料は満足できる超伝
導性を有する。
上記説明は多くの目的のために重要であるが、
材料調整はその他の形態をとつてよい。一つの代
替法はジヨセフソン接合及びその他の装置のため
の薄膜の製造である。この分野の研究者は多くの
フイルム形成操作、例えばマグネトロンスパツタ
リング、ダイオードスパツタリング、反応性イオ
ンスパツタリング、イオンビームスパツタリン
グ、及びその他の蒸着を含む薄膜堆積技術を知つ
ている。「伝導体」構造は、しかしながら、製造
された連続的紐の形状をとることがある。初期の
成形は、その他の脆いガラス様材料に適用される
ような技術を利用することがある。この手法にお
いて、構造は超伝導性の達成前に結晶性のものに
戻る。その他の脆い超伝導体にも適用された一つ
の技術は、銅その他の延性材料の保護被覆内の押
出しを含むものである。
材料調整はその他の形態をとつてよい。一つの代
替法はジヨセフソン接合及びその他の装置のため
の薄膜の製造である。この分野の研究者は多くの
フイルム形成操作、例えばマグネトロンスパツタ
リング、ダイオードスパツタリング、反応性イオ
ンスパツタリング、イオンビームスパツタリン
グ、及びその他の蒸着を含む薄膜堆積技術を知つ
ている。「伝導体」構造は、しかしながら、製造
された連続的紐の形状をとることがある。初期の
成形は、その他の脆いガラス様材料に適用される
ような技術を利用することがある。この手法にお
いて、構造は超伝導性の達成前に結晶性のものに
戻る。その他の脆い超伝導体にも適用された一つ
の技術は、銅その他の延性材料の保護被覆内の押
出しを含むものである。
材料が酸化性であるので、もう一つの手法は指
定された金属の任意の合金の形成後に酸化を含む
ものである。
定された金属の任意の合金の形成後に酸化を含む
ものである。
本発明による材料は、それらの比較的高い延性
及びその他の有利な特性により、従来技術の超伝
導体に適した殆んどの応用において、又従来技術
の高Tc超伝導体が余りよく適していなかつたあ
る応用においても有用であることが期待される。
可能性のある応用例を第５図〜第１０図に示す。
及びその他の有利な特性により、従来技術の超伝
導体に適した殆んどの応用において、又従来技術
の高Tc超伝導体が余りよく適していなかつたあ
る応用においても有用であることが期待される。
可能性のある応用例を第５図〜第１０図に示す。
第５図において示される構造は、G.Bogner，
“Large Scale Applications of
Superconductivity” ［Superconductor
Application：SQUIDS and MACHINES，B.
B.Schwartz及びS.Foner編（Plenum Prees，ニ
ユーヨーク、1977年）所収］に説明されているも
のである。簡単に述べると、示された構造は、外
部被覆３１、断熱層３２ａ及び３２ｂ、真空環状
領域３３ａ及び３３ｂ、スペーサー３４、窒素充
填環状領域３５、熱シールド３６、及び冷却材領
域３７ａ及び３７ｂ（従来の構造に必要とされて
いた液体ヘリウム或いは水素と対照的に冷却体が
液体窒素よりなつてよいのが本発明の構造の一つ
の特徴である）より構成される。要素３８は本発
明による超伝導体材料である。第６図は液体窒素
を充填され及び本発明の材料の巻線４２を含有す
る環状クリオスタツトを示す。末端銅線４３及び
４４はこのコイルから出るように示されている。
第７図の磁性試験構造体はR.A.Hein及びD.U.
Gubser，“Applications in the United States”
［Superconductor Materials Science：
Metallurgy，fabrication，and Applications，
S.Foner及びB.B.Schwartz編（Plenum Press，
ニューヨーク、1981年）所収］に説明されてい
る。巻線５１として示されいる超伝導要素は、本
発明の材料により作られている。この構造は核融
合反応に封込めのために大規模用途を有すること
が期待されるものの例示であると考えられる。
“Large Scale Applications of
Superconductivity” ［Superconductor
Application：SQUIDS and MACHINES，B.
B.Schwartz及びS.Foner編（Plenum Prees，ニ
ユーヨーク、1977年）所収］に説明されているも
のである。簡単に述べると、示された構造は、外
部被覆３１、断熱層３２ａ及び３２ｂ、真空環状
領域３３ａ及び３３ｂ、スペーサー３４、窒素充
填環状領域３５、熱シールド３６、及び冷却材領
域３７ａ及び３７ｂ（従来の構造に必要とされて
いた液体ヘリウム或いは水素と対照的に冷却体が
液体窒素よりなつてよいのが本発明の構造の一つ
の特徴である）より構成される。要素３８は本発
明による超伝導体材料である。第６図は液体窒素
を充填され及び本発明の材料の巻線４２を含有す
る環状クリオスタツトを示す。末端銅線４３及び
４４はこのコイルから出るように示されている。
第７図の磁性試験構造体はR.A.Hein及びD.U.
Gubser，“Applications in the United States”
［Superconductor Materials Science：
Metallurgy，fabrication，and Applications，
S.Foner及びB.B.Schwartz編（Plenum Press，
ニューヨーク、1981年）所収］に説明されてい
る。巻線５１として示されいる超伝導要素は、本
発明の材料により作られている。この構造は核融
合反応に封込めのために大規模用途を有すること
が期待されるものの例示であると考えられる。
第８図はジヨセフスン接合装置の概略図であ
る。この構造は、トンネリング・バリアー６３に
より分離された二つの超伝導層６１及び６２によ
り構成される。本発明の材料（必ずしも同一でな
い）の６１及び６２のための使用は従来よりもよ
り高い温度における通常のジヨセフソン作用を可
能にする。ジヨセフスン接合装置はM.R.Beasley
及びC.J.Kircher，“Josephson Junction
Electronics：Materials Issues and
Fabrication Techniques”（同書）に説明されて
いる。
る。この構造は、トンネリング・バリアー６３に
より分離された二つの超伝導層６１及び６２によ
り構成される。本発明の材料（必ずしも同一でな
い）の６１及び６２のための使用は従来よりもよ
り高い温度における通常のジヨセフソン作用を可
能にする。ジヨセフスン接合装置はM.R.Beasley
及びC.J.Kircher，“Josephson Junction
Electronics：Materials Issues and
Fabrication Techniques”（同書）に説明されて
いる。
第９図は超伝導ストリツプラインの断面の斜視
図である。図示されたタイプの構造は（多キロメ
ータ長の距離の輸送よりも）、連結体として有用
である。現在の商業装置の相当に増大した速度で
の操作を可能にすると期待されるのは、このタイ
プの構造である。J.Appl.Phys.Vol.49，No.１，
308頁、1978年１月に図示されている構造は、超
伝導グラウンド面８１から誘導層８２により絶縁
されている超伝導片８０により構成される。構造
の寸法決定に含まれる考慮は目的用途に応じて異
なり、一般的にこのJ.Appl.Phys.文献に記載され
ている。
図である。図示されたタイプの構造は（多キロメ
ータ長の距離の輸送よりも）、連結体として有用
である。現在の商業装置の相当に増大した速度で
の操作を可能にすると期待されるのは、このタイ
プの構造である。J.Appl.Phys.Vol.49，No.１，
308頁、1978年１月に図示されている構造は、超
伝導グラウンド面８１から誘導層８２により絶縁
されている超伝導片８０により構成される。構造
の寸法決定に含まれる考慮は目的用途に応じて異
なり、一般的にこのJ.Appl.Phys.文献に記載され
ている。
第１０図は、マンドレル１０２に巻かれた本発
明による被覆超伝導ワイヤー１０１よりなる。超
伝導磁石１００を概略図示するものである。
明による被覆超伝導ワイヤー１０１よりなる。超
伝導磁石１００を概略図示するものである。
実施例
実施例１：商業的に得られたBi2O3、Sr（NO3）2、
Ca（NO3）2・4H2Ｏ、及びCuOの粉末を1.1：２：
0.8：２のモル比で混合し、得られた混合物を空
気中アルミナるつぼ内で500℃に、次いでゆつく
り840℃まで加熱し、その温度に約12時間保つた。
このようにして仮焼された材料を空気中で冷却
し、常法により粉砕し、ペレツト状にプレスし
（これも又常法により）、及びペレツトを空気中で
860℃まで加熱し、その温度に５時間保ち、空気
中で室温まで冷却した。このようにして製造され
た焼結材料は84KのTc（Ｒ＝０）及び4.2Kにおけ
る70％の相対的反磁性を有した（Pbに対比し
て）。この材料はBi2.2Sr2Ca0.8Cu2O8の名目組成を
有し、この材料の晶子は約4.76bの繰返し距離を
有する超格子を示した。
Ca（NO3）2・4H2Ｏ、及びCuOの粉末を1.1：２：
0.8：２のモル比で混合し、得られた混合物を空
気中アルミナるつぼ内で500℃に、次いでゆつく
り840℃まで加熱し、その温度に約12時間保つた。
このようにして仮焼された材料を空気中で冷却
し、常法により粉砕し、ペレツト状にプレスし
（これも又常法により）、及びペレツトを空気中で
860℃まで加熱し、その温度に５時間保ち、空気
中で室温まで冷却した。このようにして製造され
た焼結材料は84KのTc（Ｒ＝０）及び4.2Kにおけ
る70％の相対的反磁性を有した（Pbに対比し
て）。この材料はBi2.2Sr2Ca0.8Cu2O8の名目組成を
有し、この材料の晶子は約4.76bの繰返し距離を
有する超格子を示した。
実施例２：モル比を1.1：3.9：１：３にする以外
は実施例１と実質的に同様にして材料を調製し
た。得られた材料は一般式におけるｎ−４に対応
する名目組成を有する。
は実施例１と実質的に同様にして材料を調製し
た。得られた材料は一般式におけるｎ−４に対応
する名目組成を有する。
実施例３：実施例１に記載した名目組成の単結晶
（850℃において溶融Na−Clフラツクスから成長）
は84KのTc及び4.76bの超格子間隔を有した。
（850℃において溶融Na−Clフラツクスから成長）
は84KのTc及び4.76bの超格子間隔を有した。
実施例４：実施例３と同様にして調製された単結
晶は100Kより上では数％の超伝導性を示し、残
りは84Kで超伝導性を示した。この結晶は4.76b
超格子に加えて、6.25bの超セルを示した。我々
は、この試料のよりTc部分がより長い超格子に
関連し、又、より高いTcとより長い超格子間隔
間の関連は一般的なものであると信ずる。
晶は100Kより上では数％の超伝導性を示し、残
りは84Kで超伝導性を示した。この結晶は4.76b
超格子に加えて、6.25bの超セルを示した。我々
は、この試料のよりTc部分がより長い超格子に
関連し、又、より高いTcとより長い超格子間隔
間の関連は一般的なものであると信ずる。
実施例５：名目組成Bi1.6Pb0.4Sr1.5Ca1.5Cu2Ox（ｘ
〜８）のペレツトを商業的に得られたPbO粉末を
先に挙げた粉末と化学量論的比率で混合し、又、
ペレツトを空気中において860℃で42時間保つた
他は実施例１と同様にして製造した。このペレツ
トの温度の函数としての抵抗率を第１１図に示
し、磁化を第１２図に示す。このペレツトは実質
的に第３図に示された構造の化学化合物より構成
される。この試料に観察される多量の反磁性（約
108Kにおいて開始）はこの活性化学化合物が第
３図に示された基本構造を有し、Pb置換が
“108K”層の形成に好ましいものと思われる。
〜８）のペレツトを商業的に得られたPbO粉末を
先に挙げた粉末と化学量論的比率で混合し、又、
ペレツトを空気中において860℃で42時間保つた
他は実施例１と同様にして製造した。このペレツ
トの温度の函数としての抵抗率を第１１図に示
し、磁化を第１２図に示す。このペレツトは実質
的に第３図に示された構造の化学化合物より構成
される。この試料に観察される多量の反磁性（約
108Kにおいて開始）はこの活性化学化合物が第
３図に示された基本構造を有し、Pb置換が
“108K”層の形成に好ましいものと思われる。
実施例６：名目組成Bi1.4Pb0.6Sr1.5Ca1.5Cu2Ox（ｘ
〜８）のペレツトを実質的に実施例５と同様にし
て製造した。抵抗率及び磁化は、それぞれ第１１
図及び第１２図に示された通りである。この構造
は実質的に実施例５の材料と同様であつた。
〜８）のペレツトを実質的に実施例５と同様にし
て製造した。抵抗率及び磁化は、それぞれ第１１
図及び第１２図に示された通りである。この構造
は実質的に実施例５の材料と同様であつた。
実施例７： Sr／Ca比を２とした以外は実質的
に実施例５と同様にしてペレツトを製造した。こ
の材料は第３図に示される基本構造を有し、温度
Tc＞77Kである。
に実施例５と同様にしてペレツトを製造した。こ
の材料は第３図に示される基本構造を有し、温度
Tc＞77Kである。
第１図は本発明による材料の試料（80K相）の
抵抗率及び磁化についてのデータを示す。第２図
はＸ線散乱強度を示す。第３図は80K相の名目結
晶構造の概略図である。第４図は本発明による材
料の二つの試料におけるマイスナー効果について
のデータを示す。第５図乃至第１０図は、本発明
による超伝導要素を有利に含み得る製品例の概略
図である。第１１図及び第１２図は、本発明によ
るPb−置換材料例についての、それぞれ抵抗率
対温度及び磁化対温度を示すものである。
抵抗率及び磁化についてのデータを示す。第２図
はＸ線散乱強度を示す。第３図は80K相の名目結
晶構造の概略図である。第４図は本発明による材
料の二つの試料におけるマイスナー効果について
のデータを示す。第５図乃至第１０図は、本発明
による超伝導要素を有利に含み得る製品例の概略
図である。第１１図及び第１２図は、本発明によ
るPb−置換材料例についての、それぞれ抵抗率
対温度及び磁化対温度を示すものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも77Kの温度において超伝導性を示
し、ペロブスカイト構造の、組成X2+xMo-xCuo-1
O2+2o+x/2±〓 ［式中、ｎは３乃至６の整数であり、ｘ＝ｐ／
ｑ≦0.4（式中、ｐ及びｑは正の整数である）であ
り、δは0.5より小さい数であり、ＸはBi及びPb
であり、かつＭはCa及びSrである］で表される
物質の有効量を含む超電導要素よりなることを特
徴とする製品。 ２ ｎ＝４である請求項１の製品。 ３ ｎ＝３である請求項１の製品。 ４ ０≦ｘ≦0.3であり、Pb／Bi原子比が0.5より
小さく、Sr／Ca原子比が0.5〜２の範囲内にある
請求項３の製品。 ５ Pb／Bi原子比がたかだか0.5である請求項１
の製品。 ６ Pb／Bi原子比がたかだか0.2である請求項１
の製品。 ７ Pb／Bi原子比が0.2より大きく、Sr／Ca原子
比が0.75と1.25との間にある請求項５の製品。 ８ 超電導要素がワイヤーである請求項１の製
品。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15533088A | 1988-02-12 | 1988-02-12 | |
| US155,330 | 1988-02-12 | ||
| US07/160,799 US4880771A (en) | 1988-02-12 | 1988-02-26 | Bismuth-lead-strontium-calcium-cuprate superconductors |
| US160,799 | 1988-02-26 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9168665A Division JP2859602B2 (ja) | 1988-02-12 | 1997-06-25 | 超伝導材料からなる製品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01242421A JPH01242421A (ja) | 1989-09-27 |
| JPH0577611B2 true JPH0577611B2 (ja) | 1993-10-27 |
Family
ID=26852232
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1030092A Granted JPH01242421A (ja) | 1988-02-12 | 1989-02-10 | 新規超伝導材料に近づく装置及びシステム |
| JP9168665A Expired - Lifetime JP2859602B2 (ja) | 1988-02-12 | 1997-06-25 | 超伝導材料からなる製品の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9168665A Expired - Lifetime JP2859602B2 (ja) | 1988-02-12 | 1997-06-25 | 超伝導材料からなる製品の製造方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4880771A (ja) |
| EP (1) | EP0332291B1 (ja) |
| JP (2) | JPH01242421A (ja) |
| KR (1) | KR920005518B1 (ja) |
| AU (1) | AU603942B2 (ja) |
| CA (1) | CA1334620C (ja) |
| DE (1) | DE68908215T2 (ja) |
| DK (1) | DK61889A (ja) |
| ES (1) | ES2042993T3 (ja) |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6559103B1 (en) | 1988-02-12 | 2003-05-06 | The Boeing Company | Method for producing superconducting oxide compounds |
| US5596206A (en) * | 1987-03-13 | 1997-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Superconducting device |
| CA1332509C (en) * | 1987-03-20 | 1994-10-18 | Kazuo Sawada | Method of manufacturing superconductive conductor |
| JP2571789B2 (ja) * | 1987-07-26 | 1997-01-16 | 住友電気工業株式会社 | 超電導材料及びその製造方法 |
| ES2041813T3 (es) * | 1987-12-17 | 1993-12-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Material a base de oxidos metalicos. |
| US5128315A (en) * | 1988-02-02 | 1992-07-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Superconducting device and method of producing superconducting thin film |
| DE3806530C2 (de) * | 1988-02-05 | 1997-12-11 | Hoechst Ag | Oxidischer Supraleiter mit Schichtstruktur |
| EP0327044B2 (de) * | 1988-02-05 | 1998-04-22 | Hoechst Aktiengesellschaft | Supraleiter und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US5002926A (en) * | 1988-02-12 | 1991-03-26 | W. R. Grace & Co.- Conn. | Ceramic composition |
| US4880771A (en) * | 1988-02-12 | 1989-11-14 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Bismuth-lead-strontium-calcium-cuprate superconductors |
| US5028585A (en) * | 1988-02-12 | 1991-07-02 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Superconducting oxide FCC oxide composite compositions and method of making such compositions |
| JP2804039B2 (ja) * | 1988-02-24 | 1998-09-24 | 株式会社東芝 | 化合物超電導体およびその製造方法 |
| DE3805954C1 (ja) * | 1988-02-25 | 1989-09-28 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften Ev, 3400 Goettingen, De | |
| EP0358777B1 (en) * | 1988-02-26 | 1994-12-28 | Mitsubishi Materials Corporation | PROCESS FOR PRODUCING Bi-Ca-Sr-Cu-O, Tl-Ca-Sr-Cu-O AND Tl-Ba-Ca-Cu-O SUPERCONDUCTING CERAMICS |
| JPH01224229A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導材料及びその製造方法 |
| DE3808447C2 (de) * | 1988-03-14 | 1995-09-28 | Siemens Ag | Hochtemperatur-Supraleiter des Systems Bi-Sr (Ca)-CuO¶x¶ |
| CA1341504C (en) * | 1988-03-25 | 2006-04-11 | Jun Akimitsu | Substituted superconductive bi-sr-ca-cu oxide and bi-sr-ca-ln-cu oxide compositions |
| NZ228132A (en) * | 1988-04-08 | 1992-04-28 | Nz Government | Metal oxide material comprising various mixtures of bi, tl, pb, sr, ca, cu, y and ag |
| JPH01290530A (ja) * | 1988-05-14 | 1989-11-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合酸化物系超電導材料およびその製造方法 |
| US5001109A (en) * | 1988-06-03 | 1991-03-19 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Ceramic composition |
| DE68926070T2 (de) * | 1988-06-20 | 1996-11-28 | Daikin Ind Ltd | Herstellung eines oxidischen Supraleiters des Wismutsystems |
| JP2767283B2 (ja) * | 1988-07-01 | 1998-06-18 | 財団法人生産開発科学研究所 | Ｂｉ―Ｐｂ―Ｓｒ―Ｂａ―Ｃａ―Ｃｕ―Ｏ系超電導物質 |
| KR0163568B1 (ko) * | 1988-07-20 | 1998-11-16 | 도모마쯔 겐고 | 비스무트계 산화물 초전도체의 제조방법 |
| US5026680A (en) * | 1988-08-11 | 1991-06-25 | Mitsubishi Metal Corporation | Method of manufacturing a powder of bi-based superconductive oxide containing lead and method of manufacturing a sintered body therefrom |
| US5126316A (en) * | 1988-08-24 | 1992-06-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Bi2 Sr3-x Yx Cu2 O8+y superconducting metal oxide compositions |
| US5017554A (en) * | 1988-08-24 | 1991-05-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Superconducting metal oxide Tl-Pb-Ca-Sr-Cu-O compositions and processes for manufacture and use |
| JP2664070B2 (ja) * | 1988-08-29 | 1997-10-15 | 住友電気工業株式会社 | 複合酸化物超電導薄膜の作製方法 |
| US5362709A (en) * | 1988-09-22 | 1994-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Superconducting device |
| JPH0813705B2 (ja) * | 1988-11-11 | 1996-02-14 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物超電導材料および作製方法 |
| US5354921A (en) * | 1989-03-23 | 1994-10-11 | Agency Of Industrial Science & Technology | Single crystalline fibrous superconductive composition and process for preparing the same |
| DE69015715T2 (de) * | 1989-07-11 | 1995-08-17 | Sony Corp | Verfahren zur Wärmebehandlung eines optischen Oxidkristalles und Wärmebehandlungsvorrichtung dafür. |
| US5082826A (en) * | 1989-08-02 | 1992-01-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Silver coated superconducting ceramic powder |
| US4997810A (en) * | 1989-10-05 | 1991-03-05 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Vibratory calcination of inorganic oxide superconductor precursor powders |
| JP2790494B2 (ja) * | 1989-10-13 | 1998-08-27 | 松下電器産業株式会社 | 超伝導素子 |
| US5112801A (en) * | 1990-01-24 | 1992-05-12 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Mechanical alignment of particles for use in fabricating superconducting and permanent magnetic materials |
| US5057488A (en) * | 1990-02-12 | 1991-10-15 | General Electric Company | Synthesis of Bi-Pb-Ca-Sr-Cu-O superconductive material |
| EP0442210B1 (en) * | 1990-02-13 | 1996-03-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Bi oxide superconductors |
| US5057486A (en) * | 1990-03-05 | 1991-10-15 | General Electric Company | Synthesis of bi-pb-ca-sr-cu-o oriented polycrystal superconductor |
| US5264413A (en) * | 1990-03-07 | 1993-11-23 | Ivan Bozovic | Bi-Sr-Ca-Cu-O compounds and methods |
| JPH03259576A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ジョセフソン接合 |
| US5147848A (en) * | 1990-07-11 | 1992-09-15 | Industrial Technology Research Institute | Precipitation process for forming Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O superconductors by dissolving nitrate salts in acid and adding a solution of triethylamine and oxalic acid |
| US5407618A (en) * | 1990-08-13 | 1995-04-18 | The Boeing Company | Method for producing ceramic oxide compounds |
| JP3205997B2 (ja) * | 1990-09-21 | 2001-09-04 | 東レ株式会社 | 超電導体 |
| DE59009664D1 (de) * | 1990-10-20 | 1995-10-19 | Asea Brown Boveri | Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperatur-Supraleiters vom Bi-Sr-Ca-Cu-O Typ. |
| US5187149A (en) * | 1991-02-15 | 1993-02-16 | At&T Bell Laboratories | Method of making a ribbon-like or sheet-like superconducting oxide composite body |
| DE4124823A1 (de) * | 1991-07-26 | 1993-01-28 | Hoechst Ag | Hochtemperatur-supraleiter und verfahren zu seiner herstellung |
| US6216333B1 (en) | 1997-02-28 | 2001-04-17 | Dowa Mining Co., Ltd. | Oxide superconductor current lead and method of manufacturing the same |
| WO2000049665A1 (de) | 1999-02-17 | 2000-08-24 | Solvay Barium Strontium Gmbh | Supraleitende körper aus zinkdotiertem kupferoxidmaterial |
| EP1193775A1 (de) * | 2000-09-29 | 2002-04-03 | Abb Research Ltd. | Verfahren zur Herstellung hochtemperatur-supraleitender Formteile |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3932315A (en) * | 1974-09-24 | 1976-01-13 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Superconductive barium-lead-bismuth oxides |
| JPH01188456A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-27 | Natl Res Inst For Metals | 酸化物高温超電導体 |
| JPH01201027A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物超伝導材料 |
| US4880771A (en) * | 1988-02-12 | 1989-11-14 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Bismuth-lead-strontium-calcium-cuprate superconductors |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3889024T2 (de) * | 1987-07-13 | 1994-10-13 | Sumitomo Electric Industries | Verfahren zum Herstellen einer supraleitenden Dünnschicht. |
| EP0327044B2 (de) * | 1988-02-05 | 1998-04-22 | Hoechst Aktiengesellschaft | Supraleiter und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE68915578T3 (de) * | 1988-02-05 | 2003-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Oxydisches supraleitendes Material. |
| JP2604779B2 (ja) * | 1988-02-08 | 1997-04-30 | 松下電器産業株式会社 | 酸化物超伝導材料 |
| US5028585A (en) * | 1988-02-12 | 1991-07-02 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Superconducting oxide FCC oxide composite compositions and method of making such compositions |
| DE68902853T2 (de) * | 1988-03-21 | 1993-02-04 | American Telephone & Telegraph | Wachstum von supraleitermaterial aus einer flussmittel-schmelze, sowie fertigungsartikel. |
-
1988
- 1988-02-26 US US07/160,799 patent/US4880771A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-02-03 AU AU29631/89A patent/AU603942B2/en not_active Expired
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- 1989-02-09 CA CA000590561A patent/CA1334620C/en not_active Expired - Lifetime
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-
1997
- 1997-06-25 JP JP9168665A patent/JP2859602B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3932315A (en) * | 1974-09-24 | 1976-01-13 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Superconductive barium-lead-bismuth oxides |
| JPH01188456A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-27 | Natl Res Inst For Metals | 酸化物高温超電導体 |
| JPH01201027A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物超伝導材料 |
| US4880771A (en) * | 1988-02-12 | 1989-11-14 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Bismuth-lead-strontium-calcium-cuprate superconductors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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