JPH0558188B2 - - Google Patents

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JPH0558188B2 JP60064985A JP6498585A JPH0558188B2 JP H0558188 B2 JPH0558188 B2 JP H0558188B2 JP 60064985 A JP60064985 A JP 60064985A JP 6498585 A JP6498585 A JP 6498585A JP H0558188 B2 JPH0558188 B2 JP H0558188B2
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JP (1) JPS61226746A (enExample)

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1989003402A1 (fr) * 1987-10-07 1989-04-20 Terumo Kabushiki Kaisha Materiau polymere absorbant les ultraviolets et procede de photogravure
JP3344063B2 (ja) * 1994-02-24 2002-11-11 ジェイエスアール株式会社 塩基遮断性反射防止膜およびレジストパターンの形成方法
US7192681B2 (en) 2001-07-05 2007-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition
US7521168B2 (en) 2002-02-13 2009-04-21 Fujifilm Corporation Resist composition for electron beam, EUV or X-ray
KR100955454B1 (ko) 2002-05-31 2010-04-29 후지필름 가부시키가이샤 포지티브 레지스트 조성물
JP4612999B2 (ja) 2003-10-08 2011-01-12 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4448705B2 (ja) 2004-02-05 2010-04-14 富士フイルム株式会社 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4551704B2 (ja) 2004-07-08 2010-09-29 富士フイルム株式会社 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4621451B2 (ja) 2004-08-11 2011-01-26 富士フイルム株式会社 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4524154B2 (ja) 2004-08-18 2010-08-11 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US7504193B2 (en) 2004-09-02 2009-03-17 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
JP4469692B2 (ja) 2004-09-14 2010-05-26 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4474256B2 (ja) 2004-09-30 2010-06-02 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4452632B2 (ja) 2005-01-24 2010-04-21 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
US7947421B2 (en) 2005-01-24 2011-05-24 Fujifilm Corporation Positive resist composition for immersion exposure and pattern-forming method using the same
JP4562537B2 (ja) 2005-01-28 2010-10-13 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4439409B2 (ja) 2005-02-02 2010-03-24 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
TWI471699B (zh) 2005-03-04 2015-02-01 Fujifilm Corp 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
US7960087B2 (en) 2005-03-11 2011-06-14 Fujifilm Corporation Positive photosensitive composition and pattern-forming method using the same
JP4579019B2 (ja) 2005-03-17 2010-11-10 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
EP1720072B1 (en) 2005-05-01 2019-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Compositons and processes for immersion lithography
JP4724465B2 (ja) 2005-05-23 2011-07-13 富士フイルム株式会社 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4861767B2 (ja) 2005-07-26 2012-01-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP4580841B2 (ja) 2005-08-16 2010-11-17 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4695941B2 (ja) 2005-08-19 2011-06-08 富士フイルム株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
TWI403843B (zh) 2005-09-13 2013-08-01 Fujifilm Corp 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
EP3537217B1 (en) 2005-12-09 2022-08-31 FUJIFILM Corporation Positive resist composition, resin used for the positive resist composition, compound used for synthesis of the resin and pattern forming method using the positive resist composition
JP4911456B2 (ja) 2006-11-21 2012-04-04 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に用いられる高分子化合物、該高分子化合物の製造方法及びポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4554665B2 (ja) 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP4905786B2 (ja) 2007-02-14 2012-03-28 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
EP1962139A1 (en) 2007-02-23 2008-08-27 FUJIFILM Corporation Negative resist composition and pattern forming method using the same
JP5162290B2 (ja) 2007-03-23 2013-03-13 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US8088566B2 (en) 2007-03-26 2012-01-03 Fujifilm Corporation Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent
US7592118B2 (en) 2007-03-27 2009-09-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
US7635554B2 (en) 2007-03-28 2009-12-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method
US8182975B2 (en) 2007-03-28 2012-05-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
EP1975714A1 (en) 2007-03-28 2008-10-01 FUJIFILM Corporation Positive resist composition and pattern forming method
JP4982228B2 (ja) 2007-03-30 2012-07-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP5039622B2 (ja) 2007-03-30 2012-10-03 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
EP2138898B1 (en) 2007-04-13 2014-05-21 FUJIFILM Corporation Method for pattern formation, and use of resist composition in said method
EP1980911A3 (en) 2007-04-13 2009-06-24 FUJIFILM Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
JP4617337B2 (ja) 2007-06-12 2011-01-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
KR20100030616A (ko) 2007-06-15 2010-03-18 후지필름 가부시키가이샤 패턴 형성용 표면 처리제, 및 상기 처리제를 이용한 패턴 형성 방법
JP2008311474A (ja) 2007-06-15 2008-12-25 Fujifilm Corp パターン形成方法
US8088550B2 (en) 2007-07-30 2012-01-03 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method
JP5066405B2 (ja) 2007-08-02 2012-11-07 富士フイルム株式会社 電子線、ｘ線又はｅｕｖ用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
EP2020617A3 (en) 2007-08-03 2009-04-29 FUJIFILM Corporation Resist composition containing a sulfonium compound, pattern-forming method using the resist composition, and sulfonium compound
JP4547448B2 (ja) 2007-08-10 2010-09-22 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5449675B2 (ja) 2007-09-21 2014-03-19 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物
JP4911469B2 (ja) 2007-09-28 2012-04-04 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP2009122325A (ja) 2007-11-14 2009-06-04 Fujifilm Corp トップコート組成物、それを用いたアルカリ現像液可溶性トップコート膜及びそれを用いたパターン形成方法
JP5150296B2 (ja) 2008-02-13 2013-02-20 富士フイルム株式会社 電子線、ｘ線またはｅｕｖ用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
US9046773B2 (en) 2008-03-26 2015-06-02 Fujifilm Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern forming method using the same, polymerizable compound and polymer compound obtained by polymerizing the polymerizable compound
JP5997873B2 (ja) 2008-06-30 2016-09-28 富士フイルム株式会社 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5244711B2 (ja) 2008-06-30 2013-07-24 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5746818B2 (ja) 2008-07-09 2015-07-08 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5106285B2 (ja) 2008-07-16 2012-12-26 富士フイルム株式会社 光硬化性組成物、インク組成物、及び該インク組成物を用いたインクジェット記録方法
JP5277128B2 (ja) 2008-09-26 2013-08-28 富士フイルム株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
ATE526322T1 (de) 2008-12-12 2011-10-15 Fujifilm Corp Polymerisierbare verbindung, lactonhaltige verbindung, verfahren zur herstellung der lactonhaltigen verbindung und durch polymerisierung der polymerisierbaren verbindung erhaltene polymerverbindung
KR101987730B1 (ko) 2008-12-12 2019-06-11 후지필름 가부시키가이샤 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 그 조성물을 이용한 패턴 형성 방법
JP5377172B2 (ja) 2009-03-31 2013-12-25 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
EP2447773B1 (en) 2010-11-02 2013-07-10 Fujifilm Corporation Method for producing a pattern, method for producing a MEMS structure, use of a cured film of a photosensitive composition as a sacrificial layer or as a component of a MEMS structure
JP5635449B2 (ja) 2011-03-11 2014-12-03 富士フイルム株式会社 樹脂パターン及びその製造方法、ｍｅｍｓ構造体の製造方法、半導体素子の製造方法、並びに、メッキパターン製造方法
CN106957217B (zh) 2011-08-12 2020-07-24 三菱瓦斯化学株式会社 用于抗蚀剂组合物的多元酚化合物
WO2013073583A1 (ja) 2011-11-18 2013-05-23 三菱瓦斯化学株式会社 環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法
KR102004692B1 (ko) 2011-11-18 2019-07-29 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 환상 화합물, 그 제조방법, 감방사선성 조성물 및 레지스트 패턴 형성방법
JP6268677B2 (ja) 2012-10-17 2018-01-31 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト組成物
JP5764589B2 (ja) 2012-10-31 2015-08-19 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
US10377734B2 (en) 2013-02-08 2019-08-13 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenol derivative for use in the composition
CN105264440B (zh) 2013-06-07 2019-09-24 三菱瓦斯化学株式会社 抗蚀剂组合物
JP6284849B2 (ja) 2013-08-23 2018-02-28 富士フイルム株式会社 積層体
JP6167016B2 (ja) 2013-10-31 2017-07-19 富士フイルム株式会社 積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物
JP6467433B2 (ja) 2014-01-31 2019-02-13 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド 新規ポリイミド組成物
KR102662534B1 (ko) 2015-04-21 2024-04-30 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 감광성 폴리이미드 조성물
CN108026491B (zh) 2015-08-03 2021-08-13 富士胶片电子材料美国有限公司 清洁组合物
TW201821280A (zh) 2016-09-30 2018-06-16 日商富士軟片股份有限公司 積層體以及半導體元件的製造方法
WO2018080870A1 (en) 2016-10-25 2018-05-03 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Polyimides
WO2018093827A1 (en) 2016-11-17 2018-05-24 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Stripping process
EP3587385A4 (en) 2017-02-23 2021-02-24 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. COMPOUND, RESIN, COMPOSITION, PATTERN FORMING PROCESS AND PURIFICATION PROCESS
US20210063880A1 (en) 2017-03-31 2021-03-04 The School Corporation Kansai University Resist composition and pattern formation method using same, compound and resin
KR20190129901A (ko) 2017-03-31 2019-11-20 더 스쿨 코포레이션 칸사이 유니버시티 화합물, 화합물을 포함하는 레지스트 조성물 및 이를 이용하는 패턴형성방법
EP3647869A4 (en) 2017-06-28 2020-09-02 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. MOVIE MATERIAL lithographic FILM FORMING COMPOSITION, OPTICAL COMPONENTS FORMING MATERIAL, RESIST COMPOSITION, RESIST STRUCTURE PRODUCTION PROCESS, RESIST LENGTH FILM, RADIATION SENSITIVE COMPOSITION, METHOD OF FORMING AN AMORPHOUS FILMS, MATERIAL FOR FORMING A lithographic LAYER FILMS, PROCESS FOR PRODUCING A lithographic LAYER FILMS AND METHOD FOR CIRCUIT PATTERN FORMATION
KR102456361B1 (ko) 2017-09-11 2022-10-19 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 유전체 필름 형성 조성물
KR20200054998A (ko) 2017-09-29 2020-05-20 더 스쿨 코포레이션 칸사이 유니버시티 리소그래피용 조성물, 패턴 형성방법, 및 화합물
CN111373326A (zh) 2017-11-20 2020-07-03 三菱瓦斯化学株式会社 光刻用膜形成用组合物、光刻用膜、抗蚀图案形成方法和电路图案形成方法
US20210047457A1 (en) 2018-01-22 2021-02-18 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, composition and pattern formation method
US12134596B2 (en) 2018-01-31 2024-11-05 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, composition, resist pattern formation method, circuit pattern formation method and method for purifying resin
JP7248956B2 (ja) 2018-01-31 2023-03-30 三菱瓦斯化学株式会社 組成物、並びに、レジストパターンの形成方法及び絶縁膜の形成方法
KR20210049094A (ko) 2018-08-24 2021-05-04 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 화합물, 및 그것을 포함하는 조성물, 그리고, 레지스트패턴의 형성방법 및 절연막의 형성방법
WO2021065450A1 (ja) 2019-09-30 2021-04-08 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
JP2022550611A (ja) 2019-10-04 2022-12-02 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド 平坦化プロセス及び組成物
US20230053355A1 (en) 2020-01-16 2023-02-23 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Dry Film
KR102834817B1 (ko) 2020-03-30 2025-07-17 후지필름 가부시키가이샤 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 감활성광선성 또는 감방사선성막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 포토마스크 제조용 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 포토마스크의 제조 방법
EP4129974A4 (en) 2020-03-31 2023-09-13 FUJIFILM Corporation ACTINIC RAYS OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC RAYS OR RADIATION SENSITIVE FILM, METHOD FOR FORMING A PATTERN AND METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC DEVICE
TW202209548A (zh) 2020-08-27 2022-03-01 日商富士軟片股份有限公司 經加工的基材的製造方法、半導體元件的製造方法、及暫時黏合劑層形成用組成物
EP4210089A4 (en) 2020-09-04 2024-02-21 FUJIFILM Corporation METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC LAYER PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54135004A (en) * 1978-04-10 1979-10-19 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive flat printing plate
DE3022362A1 (de) * 1980-06-14 1981-12-24 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zu seiner herstellung
JPS585734A (ja) * 1981-06-01 1983-01-13 Daikin Ind Ltd 基板上にパタ−ンが形成されたレジスト被膜を製造する方法
JPS58105143A (ja) * 1981-12-17 1983-06-22 Kanto Kagaku Kk ポジ型フオトレジスト組成物
JPS59137943A (ja) * 1983-01-28 1984-08-08 W R Gureesu:Kk 感光性樹脂組成物
JPS59155836A (ja) * 1983-02-24 1984-09-05 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 感光性組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61226746A (ja) 1986-10-08

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