KR20010043974A - 방사선 감응성 수지 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 감도, 패턴 형상, 내열성 등의 감광성 내식막에 요구되는 각종 특성이 우수한 동시에, 이들 제반 특성을 균형적으로 겸비한 방사선 감응성 수지 조성물에 관한 것이다. 방사선 감응성 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지와 퀴논디아지드기를 함유하는 감광제를 함유하는 것으로, 당해 알칼리 가용성 수지는 페놀 노볼락 수지로 이루어지고, 노볼락 수지는 박막 증류법에 의해 처리되어 단량체 및 이량체가 선택적으로 제거된 것이 사용된다. 박막 증류처리는, 처리되기 전의 노볼락 수지를 280nm의 검출기를 사용하는 겔 투과 크로마토그래피에 적용시켜 수득한 패턴의 고분자 영역을 A1, 중분자 영역을 B1, 단량체·이량체 영역을 C1으로 하고, 처리 후의 노볼락 수지의 것을 각각 A2, B2, C2로 할 때, 면적비, B2/B1가 0.95 이상이고, C2/(A2+B2+C2)가 0.060 이하인 것이 바람직하다.

Description

방사선 감응성 수지 조성물{Radiation-sensitive resin composition}
LSI 등의 반도체 제조나 LCD 패널 표시면의 작성, 열 헤드 등의 회로기판의 제조 등을 비롯하여 폭넓은 분야에서 미세 소자의 형성 또는 미세 가공을 실시하기 위해, 종래부터 사진평판 기술이 사용되고 있다. 또한, 사진평판 기술에서는 내식막 패턴을 형성하기 위해 포지티브형 또는 네가티브형 방사선 감응성 수지 조성물이 사용되고 있다. 이들 방사선 감응성 수지 조성물 중에서, 포지티브형 방사선 감응성 수지 조성물로서는 알칼리 가용성 수지와 감광제로서의 퀴논디아지드 화합물을 함유하는 조성물이 가장 널리 사용되고 있다. 이러한 조성물은 예를 들면, 노볼락 수지 및 퀴논디아지드 화합물을 사용하는 시스템으로서 일본 특허공보 제(소)54-23570호(미국 특허 제3,666,473호 명세서), 일본 특허공보 제(소)56-30850호(미국 특허 제4,115,128호 명세서), 일본 공개특허공보 제(소)55-73045호, 제(소)61-205933호, 제(소)62-51459호 등의 많은 문헌에 각종 조성의 것이 기재되어 있다. 이들 노볼락 수지와 퀴논디아지드 화합물을 함유하는 조성물은 지금까지 노볼락 수지 및 감광제의 양면에서 연구개발이 수행되고 있다. 노볼락 수지의 관점에서는 새로운 수지의 개발은 물론이지만 종래부터 공지된 수지의 물성 등을 개선시킴으로써 우수한 특성을 갖는 감광성 수지를 수득하는 것도 이루어지고 있다. 예를 들면, 일본 공개특허공보 제(소)60-140235호, 제(평)1-105243호에는 노볼락 수지에 어떤 특유한 분자량 분포를 갖게 함으로써 우수한 특성을 갖는 방사선 감응성 수지 조성물을 제공하는 기술이 개시되어 있다.
그러나, 종래의 방사선 감응성 수지 조성물은 감도, 해상력, 촛점 깊이, 패턴 프로필, 막 잔류율, 내열성 등의 제반 특성의 균형이 충분하지 않은 등의 문제점을 갖는 것이 많으며, 더 한층 개선이 요망되고 있다. 특히, 평판 디스플레이의 제조공정에서는 이들 제반 특성에 추가하여 알칼리 가용성 수지 성분 중의 단량체, 이량체 성분을 감소시키는 것이 큰 과제로 되고 있다. 즉, 방사선 감응성 수지 조성물을 기판에 도포한 후에 예비 베이킹을 실시하면, 예비 베이킹 중에 알칼리 가용성 수지 중의 단량체, 이량체 성분이 용매와 함께 증발하며, 이에 따라 예비 베이킹로(爐)의 내부가 오염되며, 그 결과, 장치 제조과정에서 불순물의 혼입을 일으킨다는 문제가 있다. 예를 들면, 일본 공개특허공보 제(소)57-86831호, 제(소)60-230136호, 제(평)3-230164호에서는 용매 분별에 의해 저분자량 수지 성분을 분별하고 있지만, 본 방법에서는 단량체, 이량체 성분 뿐만 아니라 수지 중의 중분자량 성분도 동시에 분별되므로, 감도의 저하를 초래하는 원인으로 되고 있다. 이를 방지하는 방법으로서 미리 중량평균분자량을 작게 한 알칼리 가용성 수지를 용매 분별하는 방법도 고려하고 있으며, 이러한 알칼리 가용성 수지에서는 충분한 감도는 수득되지만 막 잔류율이나 내열성이 나쁘며, 상기한 제반 특성을 균형적으로 겸비한 방사선 감응성 수지 조성물을 수득하는 것은 대단히 어렵다. 또한, 용매 분별에 의해 분별한 알칼리 가용성 수지의 저분자량 성분의 대부분은 방사선 감응성 수지 조성물의 원료로서 사용되지 않고 폐기 처리되는 것이 현재 상황이며, 이러한 제조공정은 방사선 감응성 수지 조성물의 제조원가를 상승시킬 뿐만 아니라 주변 환경에 대해 막대한 부담을 주고 있다.
한편, 화합물의 분별법으로서 박막 증류법은 이미 공지되어 있다. 이러한 박막 증류법은 기계적 원심력, 관성력, 분산장치 등에 의해 전열판 등에 증류 대상물의 박막을 형성시켜 증류를 실시하고, 단량체 등의 증발을 촉진시켜 분별하는 방법이다. 종래부터 박막 증류법에 대해서는 에폭시 수지의 원료인 폴리하이드록시 화합물의 제조법[참조: 일본 공개특허공보 제(평)10-87538호]이나 크실렌올의 정제법(체코슬로바키아 발명자증 239793호), 정전하상(靜電荷像) 현상용 토우너에 사용되는 왁스의 저융점물을 제거하는 방법[참조: 일본 공개특허공보 제(평)7-36218호]에서 채용한 것이 보고되어 있지만, 방사선 감응성 수지 조성물의 결합제 수지에 이러한 기술을 적용하는 것에 관해서 구체적으로 응용한 예는 공지되어 있지 않다. 이와 관련하여, 상기한 일본 공개특허공보 제(평)3-230164호에는 박막 증류법에 의해 노볼락 수지의 저분자량 성분을 제거할 수 있는 취지의 기재도 보이지만 용매 분별처리법과 등가인 것으로서 단순히 예시되어 있을 뿐이며, 처리조건 등의 구체적인 기재는 없고 가능성을 나타내는 것에 그치며, 박막 증류법이 용매 분별법 이상인 것을 나타내는 것은 아니다.
본 발명은 상기한 결점을 갖지 않는, 감도, 해상력, 패턴 형상, 내열성 등의 감광성 내식막에서 요구되는 각종 특성이 모두 우수하며, 또한 이들 제반 특성을 균형적으로 겸비한 방사선 감응성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
발명의 개시
본 발명자들은 예의 연구, 검토를 수행한 결과, 알칼리 가용성 수지와 퀴논디아지드기를 함유하는 감광제를 함유하는 방사선 감응성 수지 조성물에서, 알칼리 가용성 수지로서 노볼락 수지를 사용하고, 당해 노볼락 수지를 박막 증류법에 의해 처리하여 수지 중의 단량체, 이량체량이 소정의 범위로 수렴되도록 단량체 및 이량체를 부분적이면서 또한 선택적으로 제거함으로써, 상기한 목적을 달성할 수 있다는 것을 밝혀내고, 본 발명을 완성한 것이다.
즉, 본 발명은 알칼리 가용성 수지와 퀴논디아지드기를 함유하는 감광제를 함유하는 방사선 감응성 수지 조성물에서, 알칼리 가용성 수지가 박막 증류법에 의해 처리된 노볼락 수지임을 특징으로 하는 방사선 감응성 수지 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 신규한 방사선 감응성 수지 조성물에 관한 것이며, 보다 상세하게는 반도체 제조, LCD(액정 표시장치)의 패널 표시면의 작성, 열 헤드 등의 회로기판의 제조 등에 적절한, 알칼리 가용성 노볼락 수지를 함유하는 방사선 감응성 수지 조성물에 관한 것이다.
도 1은 GPC 도표에 따른 노볼락 수지의 고분자 영역 A, 중분자 영역 B, 단량체·이량체 영역 C를 설명하는 설명도이다.
도 2는 원료 노볼락 수지 A-1의 GPC 도표 및 피크 표이다.
도 3은 원료 노볼락 수지 A-1을 박막 증류처리하여 수득한 노볼락 수지 A-2의 GPC 도표 및 피크 표이다.
도 4는 원료 노볼락 수지 A-1을 용액 분별법으로 처리하여 수득한 노볼락 수지 A-3의 GPC 도표 및 피크 표이다.
본 발명에서 사용되는 노볼락 수지는 각종 페놀류의 단독 또는 이들 복수 종의 혼합물을 포르말린 등의 알데히드류로 중축합함으로써 수득되는 노볼락형의 페놀 수지이며, 이러한 수지는 박막 증류법에 의해 단량체 및 이량체의 함유율이 소정의 범위로 수렴되도록 제거한다. 본 발명에서는 박막 증류법에 의해 처리된 노볼락 수지를 280nm의 검출기를 사용하는 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 적용시켜 수득한 패턴의 고분자 영역, 중분자 영역, 단량체·이량체 영역 각각을 A2, B2, C2로 하고, 처리 전의 원료 노볼락 수지의 것을 각각 A1, B1, C1로 할 때, 면적비, C2/(A2+B2+C2)가 0.060 이하이고, 즉 단량체·이량체 함유율이 6% 이하이며, 또한 삼량체 이상의 중분자 영역의 처리 전후의 면적비, B2/B1이 0.95 이상과 중분자 영역이 거의 제거되지 않은 것이 바람직하다.
이들 영역의 경계치를 폴리스티렌 환산 중량평균분자량으로 나타내면, 중분자 영역 B와 고분자 영역 A와의 경계치는 소정의 GPC 측정조건 하에서 12,000±10% 정도, 삼량체를 함유하는 중분자 영역 B와 단량체·이량체 영역 C와의 경계치는 동일하게 160±10% 정도이며, 이것을 노볼락 수지를 280nm의 검출기를 사용하는 GPC에 적용시켜 수득한 패턴의 일례인 도 1에 의해 도시하면, 도 1의 A, B, C로 도시한 범위가 각 노볼락 수지의 고분자 영역, 중분자 영역, 단량체·이량체 영역에 대응한다.
또한, 처리 후의 노볼락 수지의 분자량은 폴리스티렌 환산 중량평균분자량이 2,000 내지 25,000인 것이 바람직하다. 박막 증류 처리 후의 노볼락 수지의 중량 평균분자량이 2,000 미만이면 패턴의 막 잔류성 또는 도포성이 저하되며, 25,000을 초과하면 감도가 저하된다.
또한, 상기한 박막 증류법에 의해 처리된 노볼락 수지의 2.38중량% 수산화테트라메틸암모늄 수용액에 대한 용해속도는 100Å/sec 이상인 것이 바람직하다. 박막 증류법에 의해 처리된 노볼락 수지의 용해속도가 100Å/sec 미만이면 감도의 저하가 크며 패턴 형성능이 저하되거나 알칼리 현상시간이 길어져서 실제 사용에 제공되지 않으며, 이러한 점을 방지하기 위해 저분자 화합물을 첨가하면 내열성이 악화되는 경향을 나타낸다.
또한, 본 발명에서는 단량체 및 이량체를 박막 증류법에 의해 중분자량 영역이 제거되지 않도록 분리하기 위해 일본 공개특허공보 제(평)3-230164호 등에서 볼 수 있는 용매 분별처리와 같은 감도 저하를 초래하지 않는다. 또한, 일본 공개특허공보 제(평)3-230164호에 따르면, 저분자 화합물을 용해촉진제로서 가함으로써 이러한 감도 저하를 방지할 수 있지만, 첨가량이 너무 많으면 내열성이 열화되어 감도와 내열성의 균형를 잡는 것이 어렵다.
이하, 본 발명의 방사선 감응성 수지 조성물을 구성하는 재료에 관해서 보다 상세하게 설명한다.
우선, 본 발명의 방사선 감응성 수지 조성물의 원료로서 사용되는 알칼리 가용성 노볼락 수지는 예를 들면, 페놀류 하나 이상과 포르말린 등의 알데히드류를 옥살산을 촉매로서 사용하여 중축합하는 방법 등의 종래부터 공지된 방법 중의 하나의 방법에 따라 제조할 수 있다.
이러한 알칼리 가용성 노볼락 수지를 제조하기 위해 사용되는 페놀류로서는 o-크레졸, p-크레졸, m-크레졸 등의 크레졸류; 3,5-크실렌올, 2,5-크실렌올, 2,3-크실렌올, 3,4-크실렌올 등의 크실렌올류; 2,3,4-트리메틸페놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 2,4,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀 등의 트리메틸페놀류; 2-t-부틸페놀, 3-t-부틸페놀, 4-t-부틸페놀 등의 t-부틸페놀류; 2-메톡시페놀, 3-메톡시페놀, 4-메톡시페놀, 2,3-디메톡시페놀, 2,5-디메톡시페놀, 3,5-디메톡시페놀 등의 메톡시페놀류; 2-에틸페놀, 3-에틸페놀, 4-에틸페놀, 2,3-디에틸페놀, 3,5-디에틸페놀, 2,3,5-트리에틸페놀, 3,4,5-트리에틸페놀 등의 에틸페놀류; o-클로로페놀, m-클로로페놀, p-클로로페놀, 2,3-디클로로페놀 등의 클로로페놀류; 레조르시놀, 2-메틸레조르시놀, 4-메틸레조르시놀, 5-메틸레조르시놀 등의 레조르시놀류; 5-메틸카테콜 등의 카테콜류; 5-메틸피로갈롤 등의 피로갈롤류; 비스페놀 A, B, C, D, E, F 등의 비스페놀류; 2,6-디메틸올-p-크레졸 등의 메틸올화 크레졸류; α-나프톨, β-나프톨 등의 나프톨류 등을 들 수 있다.
또한, 알데히드류로서는 포르말린 이외에 살리실알데히드, 파라포름알데히드, 아세트알데히드, 벤즈알데히드, 하이드록시벤즈알데히드, 클로로아세트알데히드 등을 단독으로 또는 복수 종의 혼합물로서 사용할 수 있다.
본 발명에서는 상기한 노볼락 수지를 원심 박막 증류장치 등의 박막 증류장치에 의해 압력 5 내지 10Torr, 온도 260 내지 280℃의 조건에서 체류 시간을 조절하여 단량체, 이량체 성분을 주로 제거한다. 상기한 바와 같이, 종래부터 박막 증류법은 미반응 단량체, 저분자량물, 휘발성 성분 등을 제거할 목적으로 각종 중합체계에 응용되고 있지만, 본 발명에 적용하는 방법도 이들 공지된 방법과 원리적으로는 동일하다.
상기한 증류조건의 최적화에 의해, 처리 후의 노볼락 수지의 단량체·이량체 함유율을 6% 이하로 하며, 또한 삼량체 이상의 올리고머를 가능한 한 제거하지 않도록 조절하는 것, 즉 삼량체 이상의 중분자 영역의 처리 전후의 면적비, B2/B1를 0.95 이상으로 하는 것이 본 발명의 목적을 달성하는 데에 바람직하다. 이것은 단량체·이량체 함유율이 6%를 초과하면 목적하는 막 잔류율, 내열성이 수득되지 않으며, 또한, B2/B1가 0.95 미만에서는 충분한 감도가 수득되지 않기 때문이다.
또한, 퀴논디아지드기를 함유하는 감광제로서는 종래부터 퀴논디아지드-노볼락계 내식막에서 사용하고 있는 공지된 감광제 중의 하나를 사용할 수 있다. 본 발명에서는 이러한 감광제로서 나프토퀴논디아지드설폰산클로라이드나 벤조퀴논디아지드설폰산클로라이드 등의 산 할라이드와 이들 산 할라이드와 축합반응할 수 있는 관능기를 갖는 저분자 화합물 또는 고분자 화합물을 반응시킴으로써 수득되는 화합물이 바람직하다. 여기서, 산 할라이드와 축합 가능한 관능기로서는 수산기, 아미노기 등을 들 수 있지만, 특히 수산기가 적절하다. 산 할라이드와 축합 가능한 수산기를 함유하는 화합물로서는 예를 들면, 하이드로퀴논, 레조르신, 2,4-디하이드록시벤조페논, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,4,6-트리하이드록시벤조페논, 2,4,4'-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,2',4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,2',3,4,6'-펜타하이드록시벤조페논 등의 하이드록시벤조페논류; 비스(2,4-디하이드록시페닐)메탄, 비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)메탄, 비스(2,4-디하이드록시페닐)프로판 등의 하이드록시페닐알칸류; 4,4',3",4"-테트라하이드록시-3,5,3',5'-테트라메틸트리페닐메탄, 4,4',2",3",4"-펜타하이드록시 -3,5,3',5'-테트라메틸트리페닐메탄 등의 하이드록시트리페닐메탄류 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용할 수 있으며, 또한 둘 이상을 배합하여 사용할 수도 있다.
퀴논디아지드기를 함유하는 감광제의 배합량은 통상적으로 알칼리 가용성 수지 100중량부당 5 내지 50중량부, 바람직하게는 10 내지 40중량부이다.
또한, 본 발명의 노볼락 수지는 감광성 노볼락 수지일 수 있다. 이러한 감광성 노볼락 수지는 상기 알칼리 가용성 노볼락 수지와 퀴논디아지드기를 함유하는 감광제를 반응시켜 당해 노볼락 수지의 수산기를 치환함으로써 수득할 수 있다.
본 발명의 방사선 감응성 수지 조성물을 용해시키는 용매로서는 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 락트산메틸, 락트산에틸 등의 락트산에스테르류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 메틸에틸케톤, 2-헵타논, 사이클로헥사논 등의 케톤류; N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; γ-부티로락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있다. 이들 용매는 단독으로 또는 둘 이상을 혼합하여 사용한다.
본 발명의 방사선 감응성 수지 조성물에는 필요에 따라 종래부터 방사선 감응성 수지 조성물의 첨가제로서 사용하고 있는 염료, 접착 조제, 계면활성제 등을 임의로 배합할 수 있다. 염료로서는 예를 들면, 메틸 바이올레이트, 크리스탈 바이올레이트, 마라카이트 그린 등을, 접착 조제로서는 예를 들면, 알킬이미다졸린, 부티르산, 알킬산, 폴리하이드록시스티렌, 폴리비닐메틸에테르, t-부틸노볼락, 에폭시실란, 에폭시 중합체, 실란 등을, 계면활성제로서는 예를 들면, 폴리프로필렌글리콜 또는 폴리옥시에틸렌라우릴에테르 등의 폴리글리콜류 및 이의 유도체의 비이온계 계면활성제, 불소계 계면활성제, 예를 들면, 플로라이드(상품명, 스미토모3M사제), 메가팍(상품명, 다이닛폰잉크가가쿠고교사제), 설프론(상품명, 아사히글래스사제) 등, 유기 실록산 계면활성제, 예를 들면, KP341(상품명, 신에쓰가가쿠고교사제) 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 방사선 감응성 수지 조성물은 TiN, SiN, SiON 등의 무기 반사방지막이나 AZRBARLiR, AZRBARLiRII(모두 클라리언트 제팬사제) 등의 유기 반사방지막과 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 방사선 감응성 수지 조성물은 예를 들면, 반사방지막이 설치된 실리콘 웨이퍼의 기판 위에 스핀 피복 등에 의해 도포되며, 이러한 방사선 감응성 수지 조성물이 도포된 기판은 베이킹되어 기판 위에 방사선 감응성 수지막을 형성한다. 이러한 방사선 감응성 수지막이 형성된 기판은 자외선, 원자외선, X선, 전자선 등의 방사선에 의해 노출시킨 다음, 알칼리성 현상액에 의해 현상하여, 고해상도이며 패턴 형상이 양호한 포지티브 내식막 패턴을 형성한다.
하기에, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 양태는 이들 실시예로만 한정되지 않는다.
합성예 1: 원료 노볼락 수지 A-1의 합성
m-크레졸 58.6g, p-크레졸 42.8g, 2,5-크실렌올 15.8g, 2,4-크실렌올 6.1g, 37% 포르말린 수용액 85.2g 및 옥살산 0.986g을 교반기, 콘덴서 및 온도계가 부착된 1ℓ의 분리식 플라스크에 투입하고, 교반하면서 95 내지 100℃에서 5시간 동안 반응시킨다. 다음에, 180℃까지 승온시키면서 1시간에 걸쳐 물, 미반응 단량체를 증류 제거한 다음, 195℃까지 승온시키면서 10mmHg까지 감압하여 물, 미반응 단량체, 포름알데히드 및 옥살산을 될 수 있는 한 제거한 다음, 실온 근처로 복귀시켜 노볼락 수지를 회수한다. 수득된 노볼락 수지 A-1을 하기 「노볼락 수지의 분자량 측정조건」을 기초하여 280nm의 검출 파장 겔 투과 크로마토그래피(GPC)로 처리함으로써, 도 2의 결과가 수득된다. 이러한 측정결과로부터, 노볼락 수지 A-1의 중량 평균분자량(Mw)은 10,900이며, 분자 영역 A1, B1, C1의 면적비는 0.267:0.635:O.098이다.
또한, 하기에서는 노볼락 수지의 GPC에 의한 분자량의 측정은 모두 합성예 1과 동일한 방법에 따른다.
(노볼락 수지의 분자량 측정조건)
쇼와덴코사제 GPC 칼럼(KF-804 1개, KF-802 2개, KF-801 1개)을 사용하고, 유량 1.0ml/분, 이동상에 액체 크로마토그래피용 THF(테트라하이드로푸란), 칼럼 온도 40℃에서 측정한다.
합성예 2: 박막 증류법에 의해 저분자량물을 제거한 노볼락 수지 A-2의 제조
합성예 1에서 수득한 노볼락 수지(A-1) 400g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 600g에 용해하고, 이러한 용액에 순수를 투입하고 15분 동안 교반하여 실온 부근에서 30분 동안 정치한 다음, PGMEA 수지 용액층을 인출하고, 박막 증류장치(히다치세이사쿠샤제)로 유동시킨 다음, PGMEA 수지 용액을 연속하여 적가하면서 15mmHg의 감압하에 260℃에서 박막 증류를 실시하고, 노볼락 수지 A-2를 회수한다. 노볼락 수지 A-2의 GPC에 의한 분자량 측정에 따라 도 3의 결과가 수득된다. 이러한 측정 결과로부터, 노볼락 수지 A-2의 중량평균분자량(Mw)은 14,800이며, 분자량 영역 A2, B2, C2의 면적비는 0.304:0.641:0.055이다.
합성예 3: 용매 분별법에 의해 저분자량물을 제거한 노볼락 수지 A-3의 제조
합성예 1에서 수득한 노볼락 수지(A-1) 450g을 PGMEA 1150g에 용해하여 3ℓ 비이커에 주입하고, 교반기에서 500rpm으로 교반하면서 헵탄 1071g을 서서히 투입한 다음, 4000rpm까지 회전수를 올리고 30분 동안 교반한다. 이러한 노볼락 수지 용액을 분액 깔때기로 이동시키고, 실온에서 12시간 동안 정치한 다음, PGMEA 수지 용액층(하층)을 인출하여 증발기에 의해 PGMEA 수지 용액중의 잔류 헵탄을 제거하여, 노볼락 수지 A-3 용액을 수득한다. 노볼락 수지 A-3의 GPC에 의한 분자량 측정에 따라 도 4의 결과가 수득된다. 이러한 측정 결과로부터, 노볼락 수지 A-3의 중량평균분자량(Mw)은 18,500이며, 분자량 영역 A2, B2, C2의 면적비는 O.372:0.573:0.055이다.
이들 각 수지의 면적비로부터, 합성예 1 내지 3에 의해 수득된 수지 A-1, A-2, A-3의 B2/B1, C2/(A2+ B2+ C2)는 표 1에 기재된 바와 같다.
또한, 수지 A-1, A-2, A-3의 용해속도의 측정 및 산출을 다음 방법에 의해 실시한다. 결과를 표 1에 기재한다.
(노볼락 수지의 용해속도의 측정 및 산출)
합성예에서 수득한 노볼락 수지 A-1, A-2, A-3 각 20g을 각각 80g의 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 용해한 다음, 0.5㎛의 테프론 필터로 여과한다. 수득된 수지 용액을 리소텍제팬사제 스핀 피복기(LARC ULTIMA-1000)로 HMDS 처리한 4인치 실리콘 웨이퍼에 도포하고, 100℃에서 90초 동안 열판에서 베이킹한 다음, 약 1㎛의 수지막을 수득한다. 막 두께는 다이닛폰스크린사 막 제조 두께 측정장치(람다 에이스)로 정확하게 측정하며, 수득된 실리콘 웨이퍼를 23℃로 유지한 클라리언트제팬사제 알칼리 현상액[AZR300 MIF 디벨로퍼, 2.38중량% 수산화테트라메틸암모늄 수용액]에 침지시켜 웨이퍼 위의 수지막이 완전하게 용해되는 시간을 측정한다. 이러한 값으로부터, 노볼락 수지의 용해속도를 산출한다.
합성예 4: 감광제 B-1의 합성
페놀류로서 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 1몰을 사용하여 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설폰산클로라이드를 3배몰 등량 아세톤에 용해하여, 10% 농도의 용액으로 한다. 20 내지 23℃로 온도를 제어하면서 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설폰산클로라이드의 1.1배 몰 당량분의 트리에틸아민을 1시간에 걸쳐 적가한 다음, 30분 동안 교반한다. 석출된 트리에틸아민염산염을 여과 분리하고, 반응액의 10배량의 0.1N 염산 수용액에 투입한다. 석출된 고형분을 여과하여 초순수로 세정한 다음, 진공 건조하여, 감광제인 나프토퀴논디아지드설폰산에스테르 화합물 B-1을 수득한다.
실시예 1 및 비교예 1 및 2
합성예에서 수득한 노볼락 수지 A-1 내지 A-3, 감광제 B-1을 각각 하기 표 1의 비율로 혼합하고, 계면활성제 메가팍 R-08(다이닛폰잉크가가쿠고교사제)을 가하고, PGMEA에 용해한다. 다음에, 이러한 용액을 0.5㎛의 멤브레인 테프론 필터로 여과하여, 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2의 방사선 감응성 수지 조성물을 수득한다.
이들 방사선 감응성 수지 조성물을 리소텍제팬사제 스핀 피복기(LARC ULTIMA-1000)로 HMDS(헥사메틸디실라잔) 처리한 4인치 실리콘 웨이퍼에 각각 도포하여 100℃에서 90초 동안 열판으로 예비 베이킹을 실시하고, 1.5㎛의 내식막이 수득되도록 제조한다. 막 두께는 다이닛폰스크린사제 막 두께 측정장치(람다 에이스)로 측정한다. 이어서, g선(436nm)의 노출 파장을 갖는 스텝퍼(GCA 사제, DSW 6400 NA= 0.42)를 사용하여 노출량을 단계적으로 변화시켜 노출시킨다. 이것을 클라리언트 제팬사제 알칼리 현상액[AZR300 MIF 디벨로퍼, 2.38중량% 수산화테트라메틸암모늄 수용액]으로 23℃의 조건하에서 60초 동안 패들법에 의해 현상하여 내식막 패턴을 수득한다. 다음에, 다시 막 두께 측정을 실시한다.
이후에 수득된 내식막 패턴을 주사형 전자현미경(SEM)으로 관찰하여 감도, 내열성을 관찰한다. 이상의 결과를 표 1에 기재한다.
또한, 표 중의 감도, 막 잔류율, 내열성의 평가는 아래와 같이 하여 실시한다.
(1) 감도
10㎛의 라인·앤드·스페이스(L/S)가 해상되는 최저 노출 에너지량을 Eth(Threshold Energy)로 하며, 10㎛의 L/S가 마스크의 설계 치수대로 형성할 수 있는 노출 에너지량을 Eo(Optimum Energy)로 한다.
(2) 막 잔류율
다음 일반식의 값을 막 잔류율(%)로 한다.
막 잔류율= [(노출 전 막 두께 - 현상 후 미노출부 막 두께)/노출 전 막 두께]×100
(3) 내열성
10㎛의 라인·앤드·스페이스(L/S) 패턴을 형성한 웨이퍼를 열판 위에서 온도를 변경하면서 120초간씩 가열처리를 실시한다. 라인 패턴의 단면 형상을 SEM에 의해 관찰하여 내식막 패턴의 상단의 형상이 둥글게 되는 곳을 내열성의 온도로 한다.
노볼락 수지 용해 속도(Å/sec) 감광제 감도(mJ/cm2) 막 잔류율(%) 내열성(℃) GPC 도표의 면적비
종류 첨가량(중량부) 종류 첨가량(중량부) Eth E0 B2/B1 C2/(A2+B2+C2)
실시예 1 A-2 100 183 B-1 22.5 40.9 51.6 99.1 130 1.01 0.055
비교예 1 A-1 100 415 B-1 22.5 3.1 3.9 58.7 115 - 0.098
비교예 2 A-3 100 95 B-1 22.5 59.2 70.2 98.9 130 0.90 0.055
상기한 바와 같이, 박막 증류법에 의해 노볼락 수지 중의 단량체, 이량체를 소정의 범위내로 수렴되도록 선택적으로 제거함으로써, 막 잔류율의 저하를 방지하고, 또한 용매 분별법에 의해 제거하는 경우와 비교하여 중분자 영역의 성분을 제거하지 않으므로, 감도의 저하를 초래하지 않으며 균형이 양호한 특성을 갖는 방사선 감응성 수지 조성물을 수득할 수 있다.
발명의 효과
상기에 기재된 바와 같이 본 발명의 방사선 감응성 수지 조성물은 감도, 패턴 형상, 내열성 등의 감광성 내식막에 요구되는 각종 특성이 우수한 동시에, 이들 제반 특성을 균형적으로 겸비하고 있다.
본 발명의 방사선 감응성 수지 조성물은 LSI 등의 반도체 제조나 LCD 패널 표시면의 작성, 열 헤드 등의 회로기판의 제조 등의 내식막 재료로서 매우 유용하다.

Claims (4)

  1. 알칼리 가용성 수지와 퀴논디아지드기를 포함하는 감광제를 함유하는 방사선 감응성 수지 조성물에 있어서, 알칼리 가용성 수지가 박막 증류법에 의해 처리된 노볼락 수지임을 특징으로 하는 방사선 감응성 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 박막 증류법에 의해 처리된 노볼락 수지가, 분별 처리되기 전의 노볼락 수지를 280nm의 검출기를 사용하는 겔 투과 크로마토그래피에 적용시켜 수득한 패턴의 고분자 영역을 A1, 중분자 영역을 B1, 단량체·이량체 영역을 C1으로 하고, 분별 처리된 노볼락 수지의 것을 각각 A2, B2, C2로 할 때, 면적비, B2/B1가 0.95 이상이고, C2/(A2+B2+C2)가 0.060 이하임을 특징으로 하는 방사선 감응성 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 박막 증류법에 의해 처리된 노볼락 수지의 폴리스티렌 환산 중량평균분자량이 2,000 내지 25,000임을 특징으로 하는 방사선 감응성 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 박막 증류법에 의해 처리된 노볼락 수지의 2.38중량% 수산화테트라메틸암모늄 수용액에 대한 용해속도가 100Å/sec 이상임을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10084285T1 (de) * 1999-12-27 2002-04-11 Polyplastics Co Flammwidrige Harzzusammensetzung
JP4554122B2 (ja) * 2001-08-06 2010-09-29 東京応化工業株式会社 化学増幅型ポジ型液晶素子用レジスト組成物
KR100512171B1 (ko) * 2003-01-24 2005-09-02 삼성전자주식회사 하층 레지스트용 조성물
JP3977307B2 (ja) * 2003-09-18 2007-09-19 東京応化工業株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP4929733B2 (ja) * 2005-01-28 2012-05-09 住友ベークライト株式会社 ノボラック型フェノール樹脂の製造方法
WO2015190233A1 (ja) * 2014-06-12 2015-12-17 Dic株式会社 永久膜用感光性組成物、レジスト材料、及び塗膜
JP6621233B2 (ja) * 2014-07-25 2019-12-18 東京応化工業株式会社 有機ｅｌ表示素子における絶縁膜形成用の感光性樹脂組成物
TWI678596B (zh) * 2018-09-13 2019-12-01 新應材股份有限公司 正型光阻組成物及圖案化聚醯亞胺層之形成方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5116079B2 (ko) * 1972-06-13 1976-05-21
JPS5884814A (ja) * 1981-11-17 1983-05-21 Dainippon Ink & Chem Inc ノボラツク型フエノ−ル系樹脂の製造法
DE3751743T2 (de) * 1986-03-28 1996-11-14 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Positiv arbeitende photoempfindliche Kunststoffzusammensetzung
JP2590342B2 (ja) * 1986-11-08 1997-03-12 住友化学工業株式会社 ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂及びそれを含有するポジ型フォトレジスト組成物
US5753406A (en) * 1988-10-18 1998-05-19 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive resin composition
CA2023791A1 (en) * 1989-08-24 1991-02-25 Ayako Ida Radiation-sensitive positive resist composition
US5132376A (en) * 1989-09-08 1992-07-21 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Process for selective removal of dimeric species from phenolic polymers
JPH03230164A (ja) * 1990-02-05 1991-10-14 Toray Ind Inc ポジ型フォトレジスト組成物

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